KR20120068818A - 플라즈마 식각 잔류물 세척액 - Google Patents

플라즈마 식각 잔류물 세척액 Download PDF

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Abstract

본 발명은 세척액에 관한 것으로서, 적어도 하나의 불화물, 적어도 하나의 구아니딘계, 적어도 하나의 용제, 및 물을 포함하는 세척액을 제공한다. 본 발명은 세척력이 강하고, 동시에 금속선, 비아, 금속 패드 웨이퍼를 세척할 수 있고, 동시에 금속 및 비금속의 부식 속도를 제어할 수 있으며, 사용 수명이 연장됨에 따라 금속 및 비금속의 부식 속도가 안정성을 유지할 수 있으며, 또한 비교적 큰 조작 윈도우를 구비하여 동시에 웨트 배치, 배치 스프레이, 싱글 웨이퍼 툴에 적용될 수 있는 세척액을 제공한다.

Description

플라즈마 식각 잔류물 세척액{CLEANING SOLUTION FOR PLASMA ETCHING RESIDUES}
본 발명의 실시예는 불소를 포함하는 세척액으로서 반도체 공정 중의 플라즈마 식각 잔류물 세척액에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 과정에 있어서, 감광층의 도포, 노출 및 결상은 소자의 패턴 제조에 있어서 필요한 공정 단계이다. 패턴화의 마지막(즉 감광층의 도포, 결상, 이온 주입 및 식각 후)에서 다음 단계의 공정을 진행하기 전에, 감광층 재료의 잔류물은 반드시 완전히 제거되어야 한다. 도핑 단계에서는 이온 충격이 감광층 폴리머를 경화시키기 때문에, 광감층이 쉽게 용해되지 않고 제거하기 어렵게 된다.
종래의 반도체 제조 산업에서는 일반적으로 2단계법(건식 회화법 및 습식각)으로 이러한 감광층 막을 제거한다. 첫 번째 단계에서 건식 회화법으로 감광층(PR)의 대부분을 제거하고, 두 번째 단계에서 방청제 구성물의 습식각 및 세척 공정에 의하여 나머지 감광층을 제거 및 세척하는 바, 일반적으로 세척액 세척, 표백, 탈이온수 표백 등이 포함된다. 이 단계에서는 단지 잔류하는 폴리머 감광층과 무기물만 제거하고, 금속층과 알루미늄 층을 공격 및 손상시켜서는 안 된다.
종래 기술에서 자주 사용되는 세척액에는 아민계 세척액(히드록실아민계), 반수성 아미노(비 히드록시아민계) 세척액 및 불화물계 세척액이 있다. 그 중에서, 앞 두가지 유형의 세척액을 이용해서는 주로 고온 하에서 세척을 진행하는 바, 일반적으로 60~80℃ 사이이고, 금속에 대한 부식 속도가 비교적 큰 문제가 존재한다. 종래의 불화물계 세척액은 비교적 낮은 온도(실온 내지 50℃) 하에서 세척을 진행할 수 있기는 하지만, 여전히 여러 가지 결함이 존재하는 바, 예를 들면, 동시에 금속과 비금속 기재의 부식을 제어할 수 없고, 세척 후 쉽게 비아 특징 크기를 개변시켜 반도체 구조를 개변시키며 다른 면으로는, 비교적 큰 식각 속도와 함께 세척 조작 윈도우가 비교적 작다는 점 등의 문제가 존재한다.
미국등록특허 제6,828,289호에서 공개된 세척액 조성물에는 산성 완충액, 유기 극성 용제, 불소 함유 물질 및 물이 포함되고, pH값이 3~7 사이이며, 그 중의 산성 완충액은 유기 카르복시산 또는 다중산 및 대응되는 암모늄염으로 구성되고, 구성 비율은 10:1 내지 1:10 사이이다. 미국등록특허 제5,698,503호에서는 불소 함유 세척액을 공개하고 있으나, 글리콜을 대량으로 사용하고, 이 세척액의 점도 및 표면장력이 모두 아주 커서 세척 효과에 영향을 미친다. 미국등록특허 제5,972,862호에서는 불소 함유 물질의 세척 조성물을 공개하고 있는 바, 불소 함유 물질, 무기산 또는 유기산, 4차 암모늄염 및 유기 극성 용제가 포함되고, pH는 7~11이나, 세척 효과가 안정적이지 못하여 여러 가지 문제점들이 존재한다.
상기와 같이 일부 세척액 조성물들이 공개되기는 하였지만, 본 발명의 실시예에 따르면 새로운 세척 요구를 만족시킬 수 있는 더욱 적합한 세척액을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 종래 기술의 세척액에 존재하는, 금속에 대한 부식 속도가 비교적 크고, 동시에 금속과 비 금속 기재의 부식을 제어하지 못하며, 세척 후 비아 특징 크기를 쉽게 개변시키며 또 세척 조작 윈도우가 비교적 작은 문제를 해결할 수 있는 세척액을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 세척력이 강하고, 동시에 금속선(metal）, 비아(via), 금속 패드(pad) 웨이퍼를 세척할 수 있고, 동시에 금속 및 비금속의 부식 속도를 제어할 수 있으며, 금속 및 비금속의 부식 속도가 사용 수명이 연장됨에 따라 안정성을 유지할 수 있으며, 또 비교적 큰 조작 윈도우를 구비하여 동시에 웨트 배치(wet batch), 배치 스프레이(batch-spray), 싱글 웨이퍼 툴(single wafer tool)에 적용될 수 있는 세척액을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 세척액은 적어도 하나의 불화물, 적어도 하나의 구아니딘계, 적어도 하나의 용제, 및 물을 포함할 수 있다.
또한, 상기 불화물은 불화수소 또는 불화수소와 알칼리로 형성된 염일 수 있다.
또한, 상기 알칼리는 암모니아수, 4차 아민 수산화물 또는 알코올 아민 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 불화물은 불화수소(HF), 불화암모늄(NH４F), 불화수소암모늄(NH4HF2), 테트라메틸 불화암모늄(N(CH3)4F) 또는 트리히드록시에틸 불화암모늄(N(CH2OH)3HF) 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 불화물의 질량백분율은 0.1% 이상 20% 이하이고, 상기 구아니딘계의 질량백분율은 0.1% 이상 20% 이하이며, 상기 용제의 질량백분율은 1% 이상 75% 이하이고, 상기 물의 질량백분율은 5% 이상 75% 이하일 수 있다.
또한, 상기 구아니딘계는 구아니딘기를 포함하는 물질일 수 있다.
또한, 상기 구아니딘기는 하나의 탄소 원자와 세 개의 질소 원자가 연결되고, 상기 질소 원자 중 하나의 질소 원자는 이중 결합으로 상기 탄소 원자와 연결되고, 상기 질소 원자 중 나머지 두 개의 질소 원자는 단일 결합으로 상기 탄소 원자와 연결되는 작용기이고, 상기 구아니딘기의 구조식은
Figure pct00001
일 수 있다.
또한, 상기 구아니딘계는 탄산구아니딘, 초산구아니딘, 3-구아니디노 프로피온산, 폴리헥사메틸구아니딘 또는 4-구아니디노 벤조산 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 용제는 술폭시화물, 설폰, 이미다졸리돈, 케토피롤리딘, 이미다졸리디논, 알코올, 에테르 또는 아미드 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 술폭시화물은 디메틸술폭시화물이고, 상기 설폰은 설포란이며, 상기 이미다졸리돈은 1,3-디메닐-이미다졸리돈이고, 상기 이미다졸리디논은 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논이며, 상기 케토피롤리딘은 N-메틸 케토피롤리딘 및/또는 에틸 케토피롤리딘이고, 상기 아미드는 디메틸포름아미드 및/또는 디메틸아세트아미드이며, 상기 알코올은 프로판디올 및/또는 디에틸렌글리콜이고, 상기 에테르는 프로필렌글리콜메틸에테르 및/또는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 세척액은, 첨가제를 더 포함하고, 상기 첨가제는 부식 억제제 및/또는 킬레이트제일 수 있다.
또한, 상기 첨가제의 질량백분율은 20% 이하일 수 있다.
또한, 상기 부식 억제제는 벤조트리졸, 카르복시산(에스테르)계, 폴리카르복시산(에스테르)계 또는 포스폰산(에스테르)계 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 부식 억제제는 벤조트리졸, 벤조산, 폴리아크릴산 또는 1,3-(에톡시)-2,4,6-트리포스폰산 중 하나 또는 복수일 수 있다.
또한, 상기 킬레이트제는 복수 개의 작용기를 포함하는 유기 화합물일 수 있다.
또한, 상기 킬레이트제는 글리콜산, 말론산, 구연산, 이미노이아세트산, 니트릴로트리아세트산, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민테트라아세트산, 피로카테콜, 갈산, 살리실산, 펜타메틸-디에틸렌트리아민, 아미노술폰산 또는 설포사리틸산 중 하나 또는 복수일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 세척액은 온도가 비교적 높은 범위 내에서 작용을 발휘할 수 있는 바, 일반적으로 55℃의 범위 내일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 세척액은 아주 넓은 분야에 적용될 수 있는 바, 예를 들면, 웨트 배치, 배치 스프레이 및 싱글 웨이퍼 툴에 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 세척액은 비교적 작은 금속 및 유전물질 식각률을 가질 수 있고, 또한 사용 수명이 연장됨에 따라 안정성을 유지할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 세척액은 금속 및 반도체 제조 과정의 플라즈마 식각 잔류물을 세척할 수 있고, 또한 SiO2, 이온 강화 테트라에톡시실란이산화규소 (PETEOS), 규소, 저가 유전 재료 및 일부 금속 물질(예를 들어, Ti, Al, Cu)을 침식하지 않을 수 있다.
도 1은 제15실시예에서의 금속 알루미늄(Al) 및 비금속 이온 강화 테트라에톡시실란이산화규소(PETEOS)의 사용 시간에 따른 부식 속도를 나타낸 막대 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 하나 이상의 다른 구성요소를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함된다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함'한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 이외의 다른 구성요소를 제외한다는 의미가 아니라 이외의 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
이하에서는 첨부된 도면 및 구체적인 실시예를 통하여 본 발명의 실시예에 따른 세척액에 대해 상세히 설명하기로 한다.
다음의 표 1은 본 발명의 실시예에 따른 세척액의 제1실시예 내지 제16실시예의 조성을 나타낸 표로서, 표 1에 나타난 성분 및 함량에 따라 균일하게 혼합하기만 하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 식각 잔류물 세척액을 제조할 수 있다.
실시예 용제 탈이
온수
함량
wt%		 구아니딘계 불화물 기타 첨가제
명칭 함량
wt%		 명칭 함량
wt%		 명칭 함량
wt%		 부식 억제제
명칭		 함량
wt%		 길레이트제
명칭		 함량
wt%
1 디메틸
술폭시화물		 24.8 75 탄산구아니딘 0.1 불화수소 0.1 0 0 0 0
2 설포란 20 65 초산구아니딘 5 불화암모늄 5 벤조트리졸 5 0 0
3 1,3-디메닐-
이미다졸리돈		 39 55 3-구아니디노 프로피온산 1 불화수소
암모늄		 1 벤조산 2 글리콜산 2
4 N-메틸 케토피롤리딘 49.9 45 폴리헥사
메틸구아니딘		 2 테트라메틸 불화암모늄 1 폴리아크릴산
(Mn=3000)		 0.1 말론산 2
5 에틸 케토피
롤리딘		 41 35 4-구아니디노 벤조산 0.9 트리히드록시에틸 불화암모늄 20 1,3-(에톡시)-
2,4,6-
트리포스폰산		 0.1 구연산 3
6 1,3-디메틸-2-
이미다졸리디논		 1 60 초산구아니딘 20 트리히드록시에틸 불화암모늄 15 0 0 이미노이
아세트산		 4
7 디메틸포름아미드 49.9 25 초산구아니딘 15 트리히드록시
에틸 불화암모늄		 10 0 0 니트릴
로트리아세트산		 0.1
8 디메틸
아세트아미드		 47 15 초산구아니딘 10 트리히드록시에틸 불화암모늄 8 0 0 트리에탄올아민 20
9 프로판디올

 75 5 탄산구아니딘 1 불화암모늄 1 0 0 피로카테콜 18
10 디에틸렌글리콜 65 32.8 탄산구아니딘 1 불화암모늄 1 0 0 에틸렌디아민
테트라아세트산		 0.2
11 프로필렌글리콜
메틸에테르		 55 33 탄산구아니딘 1 불화암모늄 1 벤조트리졸 5 길산 5
12 디프로필렌글리콜
모노메틸에테르		 66.5 20 탄산구아니딘 2 불화암모늄 1 벤조트리졸 10 살리실산 0.5
13
 디메틸술폭시화물 21.5 35 탄산구아니딘 0.5 불화암모늄 3 벤조트리졸 5 펜타메틸-
디에틸렌트리아민		 4
프로판디올 10 아미노술폰산 0.5
디프로필렌글리콜
모노메틸에테르		 20 설포사리틸산 0.5
14 디메틸술폭시화물 60 38.5 탄산구아니딘 0.5 불화암모늄 1 0 0 0 0
15 디메틸술폭시화물 30 33 탄산구아니딘 0.5 불화암모늄 3 0 0 트리에탄올아민 5
디프로필렌글리콜
모노메틸에테르		 23.5 펜타메틸-
디에틸렌트리아민		 5
16 디메틸술폭시화물 30 30 탄산구아니딘 0.5 불화암모늄 3 폴리아크릴산
(Mn=3000)		 0.1 트리에탄올아민 5
디프로필렌글리콜
모노메틸에테르		 23.9 펜타메틸-
디에틸렌트리아민		 5
이미노이아세트산 2.5
상기 표 1에서 일부 실시예인 제11실시예 내지 제16실시예를 선택하여 성능 테스트를 진행한 결과는 다음의 표 2에 나타나 있으며, 이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 세척액의 효과에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
용액의 금속 부식 속도 테스트 방법은 다음과 같다.
첫번째로, Napson 4 포인트 프로브를 이용하여 4*4cm 알루미늄 공백 규소편의 저항 초기값(Rs1)을 측정한다. 두번째로, 해당 4*4cm 알루미늄 공백 규소편을 사전에 40℃의 일정 온도로 유지된 용액 중에 60분 동안 침지한다. 세번째로, 해당 4*4cm 알루미늄 공백 규소편을 취출하여 탈이온수로 세척하고 고순도의 질소 기체로 건조시킨 후, 다시 Napson 4 포인트 프로브로 4*4cm 알루미늄 공백 규소편의 저항값(Rs2)을 측정한다. 네번째로, 상기 저항값과 침지시간을 적합한 프로그램에 입력하면 이의 부식 속도를 산출할 수 있다.
용액의 비금속 부식 속도 테스트 방법은 다음과 같다.
첫번째로, Nanospec6100 측정기로 4*4cm PETEOS 규소편의 두께(T1)를 측정한다. 두번째로, 해당 4*4cmPETEOS 규소편을 사전에 40℃의 일정 온도로 유지된 용액 중에 60분 동안 침지한다. 세번째로, 해당 4*4cmPETEOS 규소편을 취출하여 탈이온수로 세척하고 고순도의 질소 기체로 건조시킨 후, 다시 Nanospec6100 측정기로 4*4cmPETEOS 규소편의 두께(T2)를 측정한다. 네번째로, 상기 두께값과 침지시간을 적합한 프로그램에 입력하면 이의 부식 속도를 산출할 수 있다.
웨이퍼 세척 방법은 다음과 같다.
첫번째로, 세척하고자 웨이퍼를 사전에 40℃의 일정 온도로 유지된 용액 중에 투입한다. 두번째로, 금속선은 20분 동안, 비아와 금속 패드는 30분 동안 침지하는 원칙에 의해 웨이퍼를 침지한다. 세번째로, 침지 시간이 된 후, 해당 웨이퍼를 취출하여 탈이온수로 세척하고 고순도의 질소 기체로 건조시킨 후, SEM으로 보내어 측정을 진행한다.
실시예 금속(알루미늄)의 부식 속도, Å/min 비금속(테트라에톡시실란이산화규소, PETEOS)의 부식 속도, Å/min 부동한 유형의 웨이퍼
세척 결과
금속선 비아 금속 패드
11 0.5 1.32 깨끗함, 무부식 깨끗함, 채널 크기 변화 없음 깨끗함, 무부식
12 1.4 1.46 깨끗함, 무부식 깨끗함, 채널 크기 변화 없음 깨끗함, 무부식
13 1.27 1.09 깨끗함, 무부식 깨끗함, 채널 크기 변화 없음 깨끗함, 무부식
14 1.63 1.78 깨끗함, 기본상 무부식 깨끗함, 채널 크기에 선명한 변화 없음 깨끗함, 기본상 무부식
15 1.09 0.34 깨끗함, 무부식 깨끗함, 채널 크기 변화 없음 깨끗함, 무부식
16 0.76 0.53 깨끗함, 무부식 깨끗함, 채널 크기에 기본상 변화 없음 깨끗함, 무부식
표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 세척액은 반도체 제조 중에 사용되는 금속(예를 들면, 금속 알루미늄)과 비금속(예를 들면, PETEOS)을 기본적으로 침식하지 않으며, 그 부식 속도는 반도체 업계에서 일반적으로 요구하는 2Å/분에 근접하거나 작다. 해당 용액으로 플라즈마 식각 잔류물에 대하여 세척을 진행하면, 플라즈마 식각 잔류물은 모두 제거될 수 있고, 또 금속과 비금속을 부식시키지 않는다. 본 발명의 실시예에 따른 세척액의 금속 및 비금속에 대한 부식 속도에 대한 안정성, 즉 사용 시간(bathlife)의 연장에 따라 변화 유무 상황을 관찰하였다. 본 발명의 제15실시예를 선택하여 40℃에서 4일(모두 96시간)간 테스트를 진행하였고, 또한 테스트 기간 동안 금속 알루미늄(Al)과 비금속 이온 강화 테트라에톡시실란이산화규소(PETEOS)의 부식 속도를 측정하였으며, 그 결과는 도 1에 도시된 바와 같다.
도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 세척액은 비교적 작은 금속 및 비금속 식각률을 가지며, 또한 사용 수명이 연장됨에 따라 안정성을 유지할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 세척액은 세척력이 강하고, 동시에 금속선(metal）, 비아(via), 금속 패드(pad) 웨이퍼를 세척할 수 있고, 동시에 금속 및 비금속의 부식 속도를 제어할 수 있으며, 사용 수명이 연장됨에 따라 금속 및 비금속의 부식 속도가 안정성을 유지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 적어도 하나의 불화물;
    적어도 하나의 구아니딘계;
    적어도 하나의 용제; 및
    물
    을 포함하는 세척액.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 불화물은 불화수소 또는 불화수소와 알칼리로 형성된 염인 세척액.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 알칼리는 암모니아수, 4차 아민 수산화물 또는 알코올 아민 중 하나 또는 복수인 세척액.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 불화물은 불화수소(HF), 불화암모늄(NH４F), 불화수소암모늄(NH4HF2), 테트라메틸 불화암모늄(N(CH3)4F) 또는 트리히드록시에틸 불화암모늄(N(CH2OH)3HF) 중 하나 또는 복수인 세척액.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 불화물의 질량백분율은 0.1% 이상 20% 이하이고, 상기 구아니딘계의 질량백분율은 0.1% 이상 20% 이하이며, 상기 용제의 질량백분율은 1% 이상 75% 이하이고, 상기 물의 질량백분율은 5% 이상 75% 이하인 세척액.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 구아니딘계는 구아니딘기를 포함하는 물질인 세척액.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 구아니딘기는 하나의 탄소 원자와 세 개의 질소 원자가 연결되고, 상기 질소 원자 중 하나의 질소 원자는 이중 결합으로 상기 탄소 원자와 연결되고, 상기 질소 원자 중 나머지 두 개의 질소 원자는 단일 결합으로 상기 탄소 원자와 연결되는 작용기이고, 상기 구아니딘기의 구조식은 인 세척액.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 구아니딘계는 탄산구아니딘, 초산구아니딘, 3-구아니디노 프로피온산, 폴리헥사메틸구아니딘 또는 4-구아니디노 벤조산 중 하나 또는 복수인 세척액.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 용제는 술폭시화물, 설폰, 이미다졸리돈, 케토피롤리딘, 이미다졸리디논, 알코올, 에테르 또는 아미드 중 하나 또는 복수인 세척액.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 술폭시화물은 디메틸술폭시화물이고, 상기 설폰은 설포란이며, 상기 이미다졸리돈은 1,3-디메닐-이미다졸리돈이고, 상기 이미다졸리디논은 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논이며, 상기 케토피롤리딘은 N-메틸 케토피롤리딘 및/또는 에틸 케토피롤리딘이고, 상기 아미드는 디메틸포름아미드 및/또는 디메틸아세트아미드이며, 상기 알코올은 프로판디올 및/또는 디에틸렌글리콜이고, 상기 에테르는 프로필렌글리콜메틸에테르 및/또는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르인 세척액.
  11. 제1항에 있어서,
    첨가제를 더 포함하고,
    상기 첨가제는 부식 억제제 및/또는 킬레이트제인 세척액.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 첨가제의 질량백분율은 20% 이하인 세척액.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 부식 억제제는 벤조트리졸, 카르복시산(에스테르)계, 폴리카르복시산(에스테르)계 또는 포스폰산(에스테르)계 중 하나 또는 복수인 세척액.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 부식 억제제는 벤조트리졸, 벤조산, 폴리아크릴산 또는 1,3-(에톡시)-2,4,6-트리포스폰산 중 하나 또는 복수인 세척액.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 복수 개의 작용기를 포함하는 유기 화합물인 세척액.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 글리콜산, 말론산, 구연산, 이미노이아세트산, 니트릴로트리아세트산, 트리에탄올아민, 에틸렌디아민테트라아세트산, 피로카테콜, 갈산, 살리실산, 펜타메틸-디에틸렌트리아민, 아미노술폰산 또는 설포사리틸산 중 하나 또는 복수인 세척액.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012171324A1 (zh) * 2011-06-16 2012-12-20 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827708A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN102827707A (zh) * 2011-06-16 2012-12-19 安集微电子科技(上海)有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
CN107229194B (zh) * 2017-07-25 2019-05-10 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟等离子刻蚀残留物清洗液、其制备方法和应用
CN107229192B (zh) * 2017-07-25 2019-05-10 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟等离子刻蚀残留物清洗液、其制备方法和应用
CN107300839B (zh) * 2017-07-25 2019-06-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种含氟等离子刻蚀残留物清洗液、其制备方法和应用
CN113430065B (zh) * 2020-03-23 2024-06-07 上海新阳半导体材料股份有限公司 抗反射涂层清洗及刻蚀后残留物去除组合物、制备方法及用途
CN111486744B (zh) * 2020-04-14 2022-07-22 重庆兴勇实业有限公司 一种枪械除铜剂及其制备方法
CN117106451B (zh) * 2023-10-24 2024-02-20 浙江奥首材料科技有限公司 一种低损伤半导体硅蚀刻液、其制备方法与用途

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US7700533B2 (en) * 2005-06-23 2010-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removal of residue comprising cationic salts and methods using same
CN1966636B (zh) * 2005-11-15 2011-08-03 安集微电子（上海）有限公司 清洗液组合物
CN101270325A (zh) * 2007-03-23 2008-09-24 安集微电子（上海）有限公司 一种清洗液及其应用
CN101280158A (zh) * 2007-04-06 2008-10-08 安集微电子（上海）有限公司 多晶硅化学机械抛光液
CN101290482A (zh) * 2007-04-19 2008-10-22 安集微电子（上海）有限公司 一种清洗等离子刻蚀残留物的清洗液
CN101412948B (zh) * 2007-10-19 2012-05-16 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗剂
CN101412949A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150075521A (ko) 2013-12-26 2015-07-06 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물

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