KR20120034565A - 쇼트 아크형 방전 램프 - Google Patents

Abstract

발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되고, 상기 음극이, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부와, 그 본체부의 선단에 접합된 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서, 음극 선단의 내부에 함유된 이미터 물질의 유효 이용을 도모함으로써, 음극 표면에서의 이미터 물질의 고갈을 막아, 이미터재의 사용량을 줄여도 이미터 물질의 충분한 활용에 의해 이것을 보충함으로써, 전자 방출 기능을 장시간 유지하여, 램프의 플리커 수명의 장기화를 도모하도록 한 구조를 제공하는 것이다.
상기 음극의 이미터부의 선단면에, 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

쇼트 아크형 방전 램프 {SHORT ARC TYPE DISCHARGE LAMP}

이 발명은, 쇼트 아크형 방전 램프에 관한 것이며, 특히, 음극에 산화 토륨이 함유된 이미터부가 설치되어 있는 쇼트 아크형 방전 램프에 관련된 것이다.

종래, 수은을 봉입한 쇼트 아크형 방전 램프는, 발광관 내에 대향 배치된 한 쌍의 전극의 선단간 거리가 짧고, 점광원에 가깝기 때문에, 광학계와 조합시킴으로써 집광 효율이 높은 노광 장치의 광원으로서 이용되고 있다. 또, 크세논을 봉입한 쇼트 아크형 방전 램프는, 영사기 등에 있어서 가시광 광원으로서 이용되고 있으며, 최근에는 디지털 시네마용 광원으로서도 중용되고 있다.

그리고, 이와 같은 쇼트 아크형 방전 램프에 있어서는, 음극에 이미터재를 설치하고, 전자 방출 특성을 높이도록 한 것이 알려져 있다.

그런데 최근에는, 희소 자원의 절약이라는 관점에서 이미터재로서의 토륨의 사용에 제한이 설정되어 오고 있으며, 그 대량 사용을 피하는 요청이 이루어지고 있다. 이에 더하여 그 토륨이 방사성 물질이며, 법적 규제에 의해 그 취급이 제한되고 있다는 사정도 있다.

이러한 사정을 감안하여, 음극의 선단부에만 이미터재를 함유시킨 구조의 방전 램프가 다양하게 개발되고 있다.

특허 문헌 1(일본국 특허공표 2010-33825호 공보)에 이와 같은 종래의 쇼트 아크형 방전 램프의 음극 구조가 개시되어 있다.

도 4에 이 종래 기술이 나타나 있으며, 도 4(A)는 쇼트 아크형 방전 램프의 전체도, 도 4(B)는 그 음극 구조를 나타낸다.

도 4(A)에 나타내는 바와 같이, 쇼트 아크형 방전 램프(1)의 발광관(10) 내에는, 텅스텐으로 이루어지는 양극(11)과 음극(12)이 대향 배치되어 있다. 그 발광관(10) 내에는 수은이나 크세논 등의 발광 물질이 봉입되어 있다. 또한, 이 도면에서는 쇼트 아크형 방전 램프(1)는 수직 점등되는 양태를 나타내고 있지만, 그 용도에 따라서는 수평 점등되는 것도 있다.

그리고, 이 램프에 있어서의 음극 구조가 도 4(B)에 나타나 있으며, 음극(12)은, 순도가 높은 텅스텐으로 이루어지는 음극 본체부(12b)와, 이것과 일체 형성된 이미터부(12a)로 이루어진다. 이 이미터부(12a)는, 텅스텐 중에 예를 들면 산화 토륨 등의 이미터 물질을 함유시킨 것이다.

이런 종류의 램프에 있어서 이미터 물질로서 토륨을 이용한 것에서는, 음극의 선단 부분의 토륨함유 텅스텐(Thoriated tungsten)에 함유된 산화 토륨이, 음극 표면에서 램프 점등 중에 고온이 됨으로써 환원되고, 토륨 원자가 되어 음극의 외표면 상을 확산되어 온도가 높은 선단측으로 이동한다. 이것에 의해, 일함수를 작게 하여 전자 방출 특성을 양호한 것으로 하는 것이다.

그러나, 상기 종래 기술에 있어서는, 실제로는 램프 점등 시에 전자 방출 특성의 개선에 기여하는 이미터 물질은, 음극 선단의 외표면으로부터 매우 얕은 영역까지 함유된 이미터 물질에 한정되어 있었다.

원래, 이미터 물질은 음극 선단의 외표면에서 열에 의해 증발되어 소모되지만, 음극 내부로부터의 농도 확산에 의해 그 이미터 물질이 공급되어 오는 것을 기대하고 있는 것이다.

그러나, 그 온도가 가장 높아지는 외표면에서의 소모량에 비해, 보다 온도가 낮은 음극 내부로부터의 농도 확산에 의한 공급이 충분하게 이루어지지 않아, 그 공급량이 상기 소모량에 따라가지 못한다는 현상이 발생한다.

그 결과, 음극 내부에는 풍부하게 이미터 물질을 함유하고 있었다고 해도, 음극 표면에서는 이미터 물질이 고갈된다는 현상이 출현해 버리기 때문이다.

이와 같이, 상기 종래 기술에서는, 음극 선단에 이미터 물질을 함유시켜도, 그 이미터 물질이 충분하게 활용되지 않아, 음극 선단 표면에서 이미터 물질이 고갈되면, 전자 방출 특성이 저하되어 플리커가 발생되어 버린다는 문제가 있었다.

일본국 공개특허 2010－33825호 공보

이 발명은, 상기 종래 기술의 문제점을 감안하여, 발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되고, 상기 음극이, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부와, 그 본체부의 선단에 접합된 토륨함유 텅스텐으로 이루어지는 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서, 음극 선단의 내부에 함유된 이미터 물질의 유효 이용을 도모함으로써, 음극 표면에서의 이미터 물질의 고갈을 막아, 이미터재의 사용량을 줄여도 이미터 물질의 충분한 활용에 의해 이것을 보충함으로써, 전자 방출 기능을 장시간 유지하여, 램프의 플리커 수명의 장기화를 도모하도록 한 구조를 제공하고자 하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 이 발명에서는, 상기 음극이, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부와, 이것에 접합된 토륨함유 텅스텐으로 이루어지는 이미터부로 이루어지고, 본체부는, 이미터부보다 산소 함유 농도가 낮고, 이미터부의 선단면에, 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 음극의 측면에, 탄화물층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 음극의 본체부와 이미터부는, 확산 접합되어 있는 것을 특징으로 한다.

또, 상기 음극의 본체부는, 순텅스텐으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 산화 토륨이 함유된 이미터부의 선단면에 텅스텐 탄화물이 형성되어 있으므로, 그 탄화물의 상으로부터 탄소(C)가 음극 내부, 즉, 이미터부의 내부에 확산되고, 이미터부 중의 산화 토륨의 환원 반응이 촉진되어, 음극 내부에 포함되는 산화 토륨이 유효적으로 이용된다.

또, 산화 토륨의 환원 반응에 의해 이미터부 중에 발생하는 산소가, 그 이미터부와 접합된 산소 농도가 낮은 음극 본체부 중에 신속하게 확산되어 나가므로, 상기 탄소의 확산 작용과 복합되어, 이미터부 중에서의 상기 산화 토륨의 환원 반응이 보다 한층 촉진된다.

그 결과, 음극 이미터부의 표면에서의 산화 토륨의 고갈과 같은 사태가 발생하는 일이 없이, 이미터 물질의 사용을 제한해도, 플리커 수명이 긴 램프를 실현할 수 있다는 효과를 나타내는 것이다.

도 1은 본 발명에 관련된 방전 램프의 음극 구조의 전체도.
도 2는 도 1의 음극의 상부 부분 사시도.
도 3은 본 발명의 음극에서의 작용 설명도.
도 4는 (A) 종래의 방전 램프의 전체도, (B) 그 음극 구조.

도 1은 이 발명의 쇼트 아크형 방전 램프에 이용되는 음극 구조를 나타내며, 음극(2)은, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부(3)와, 그 선단에 접합된 이미터부(4)로 이루어진다.

상기 본체부(3)와 이미터부의 접합 방법은, 예를 들면, 용접, 납땜, 마찰 압접 혹은 확산 접합 등을 채용할 수 있다.

그러나, 이들 접합 방법 중에서는, 확산 접합을 이용하는 것이 가장 바람직하다. 여기서, 확산 접합이란, 금속끼리를 면으로 겹쳐, 당해 금속의 융점 미만의 고상 상태에서 소성 변형이 발생하지 않는 정도로 가열?가압하고, 접합부의 원자를 확산시키는 고상 접합하는 것을 말한다.

이 확산 접합에서는, 가열 온도는 2000℃ 정도이며, 용융 접합과 같이 텅스텐의 융점(약 3400℃)까지 가열할 필요가 없으므로, 본체부(3)나 이미터부(4)의 금속 조직을 유지할 수 있기 때문에, 음극 성능에 악영향을 주는 일이 없다. 또한, 음극의 금속 조직이 변하지 않기 때문에, 본체부(3)와 이미터부(4)의 접합 후에도 절삭 가공을 할 수 있다는 이점도 있다.

상기 본체부(3)는, 예를 들면 순도가 99.99중량% 이상의 순텅스텐으로 구성되어 있으며, 한편, 이미터부(4)는, 주성분인 텅스텐에, 이미터 물질로서 산화 토륨(ThO₂)을 함유하는, 이른바 토륨함유 텅스텐(이하, 토리탄이라고 하는 경우도 있다)으로 구성되어 있으며, 산화 토륨의 함유량은, 예를 들면 2wt%이다.

통상, 이 이미터부(4)를 구성하는 토리탄에 함유된 산화 토륨은, 램프 점등 중에 고온이 됨으로써 환원되고, 토륨 원자가 되어 음극 외표면 상을 확산되어, 온도가 높은 선단측으로 이동한다. 이것에 의해, 사상 함수를 작게 하여 전자 방출 특성을 양호한 것으로 하는 것이다.

그리고, 상기 본체부(3)는, 선단측일 수록 직경이 작아지는 테이퍼 형상으로 이루어지는 축경부(3a)가 형성되어 있으며, 그 선단에, 원추 사다리꼴 형상의 이미터부(4)가 접합되어 있다. 이것에 의해, 음극(2)의 선단은, 전체적으로 테이퍼 형상으로 이루어지는 원추 사다리꼴 형상으로 되어 있다.

그러나, 상기 본체부(3)의 축경부(3a)의 형상은 이 테이퍼 형상에 한정되지 않고, 원호 형상이어도 되고, 또, 이미터부(4)도 그 선단이, 이른바 포탄형의 원호 형상이어도 된다.

또한, 이미터부(4)는, 본체부(3)의 축경부(3a)에 있어서 접합되는 것을 나타냈지만, 음극 전체의 형상에 따라서는, 본체부(3)의 원주 부분에 있어서 접합되는 것이어도 된다.

그리고, 도 2에 상세가 나타내고 있는 바와 같이, 상기 음극(2)의 이미터부(4)의 선단면에 있어서의 표층에는, 텅스텐(W)의 상 중에 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물(5, 5)이 형성되어 있다.

또, 상기 음극 본체부(3)의 축경부(3a)의 측면에는 탄화물층(6)이 형성되어 있다.

도 3을 이용하여 그 작용을 설명하면, 램프의 점등 중에는, 이미터부(4)를 구성하는 토리탄 중의 산화 토륨(ThO₂)의 표면에서는, 텅스텐(W) 중에 고용된 탄소 원자(C)와의 사이에서 환원 반응이 일어나, 토륨(Th)이 생성됨과 동시에 일산화탄소(CO)가 발생한다.

ThO₂+C⇔Th+2CO (1)

이 환원 반응에 의해 발생하는 일산화탄소는 주위의 텅스텐에 고용된다.

CO⇔[C]w+ [O]w (2)

단, [C]w는 텅스텐에 고용된 탄소, [O]w는 텅스텐에 고용된 산소를 나타낸다.

즉, 상기 환원 반응을 촉진하기 위해서는, 산화 토륨의 주위에 탄소(C)가 존재하는 것이 필요하고, 또, 발생한 일산화탄소(CO)가 제거되는 것이 필요하다.

여기서, 음극(2)의 선단면에 텅스텐 탄화물(W₂C)(5)이 형성되어 있으면, 램프의 점등 중에는 음극 선단부는 고온이 되기 때문에, 탄소(C)가 텅스텐에 높은 농도로 고용되고, 표층부로부터 음극 이미터부(4)의 내부로 확산되어, 산화 토륨 표면에 공급된다.

이렇게 하여, 산화 토륨 표면에 대한 탄소의 공급량이 증대하여, 상기 식 (1)에 나타내는 상기 산화 토륨의 환원 반응이 촉진되게 된다.

그에 더하여, 본 발명에서는, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부(3)에 토륨함유 텅스텐으로 이루어지는 이미터부(4)가 접합되어 있으므로, 이하에 서술하는 기구에 의해 산화 토륨의 환원 반응이 더 촉진된다고 생각된다.

식 (2)에 나타내는 바와 같이, 산화 토륨의 환원 반응(1)에 의해 발생하는 CO는 C와 O로 분해되어 텅스텐에 고용되고, 산화 토륨의 주위로부터 농도 확산에 의해 텅스텐 중으로 산일(散逸)된다. 그 결과, 산화 토륨의 표면에 있어서의 CO의 압력이 저하되고, 그에 따라 상기 환원 반응이 진행된다.

여기서, 이미터부(4)의 내부에 있어서는, 텅스텐 중에 분산되어 있는 산화 토륨(ThO₂)의 입자로부터 [C]w와 [O]w가 산일되기 때문에, 텅스텐 중의 [C]w 및 [O]w의 농도는, 거의 동일해진다. 그 결과, 산화 토륨의 주위로부터의 [C]w 및 [O]w의 농도 확산은 억제되게 된다.

그러나, 본 발명의 음극(2)에 있어서는, 이미터부(4)에 순텅스텐으로 이루어지는 본체부(3)가 접합되어 있기 때문에, 그 이미터부(4)와 본체부(3) 사이에 [O]w의 농도 구배(본체부(3) 쪽이 저농도)가 생겨, 그에 기초를 두는 농도 확산에 의해 이미터부(4)로부터 본체부(3)에 대한 [O]w의 산일이 활발해진다.

그 결과, 이미터부(4) 중의 산화 토륨의 주위의 [O]w의 농도가 저하되기 때문에, 식 (2)가 나타내는 바와 같이, O의 고용 반응이 증가하여, CO의 압력이 저하된다. 이것에 의해, 이미터부(4)에 있어서의 식 (1)의 산화 토륨의 환원 반응이 촉진된다.

또한, 이미터부(4)와 본체부(3)의 접합부가 음극 선단에 가까울 수록, 바꾸어 말하면, 이미터부(4)가 짧을 수록, 접합부 부근의 온도가 높아져, [O]w의 확산이 활발해지므로, 상기의 본체부(3)에 대한 [O]w의 산일이 빨라져, 이미터부에 있어서의 산화 토륨의 환원이 촉진된다고 생각된다.

또한, 상기 본체부(3)는, 순텅스텐에 한정되는 것은 아니며, 토륨, 세륨, 레늄, 란탄, 그 외의 금속의 산화물을 함유하는, 이른바, 도프된 텅스텐이며, 산소 함유 농도가 이미터부(4)보다도 낮은 재료에 의해 구성해도 된다. 이 경우에도, 본체부(3)의 산소 농도가 이미터부(4)의 산소 농도보다 낮으므로, 이미터부(4)로부터 본체부(3)에 대한 산소의 산일이 일어날 뿐만 아니라, 본체부(3)의 기계 가공이 용이해진다는 이점도 있다.

이상 서술한 바와 같이, 본 발명의 음극에 의하면, 이미터부(4)에 함유된 산화 토륨 표면에 대한 C의 공급이 증가하는 것과, 그 이미터부(4)로부터의 [O]w의 산일이 활발해지는 것이 더불어, 산화 토륨의 환원 반응(1)이 촉진되는 것이다.

본 발명의 음극의 작성 방법의 일례를 설명한다.

직경 10mm, 두께 5mm의 토리탄, 직경 10mm, 두께 20mm의 순텅스텐을 준비한다. 다음에, 토리탄과 순텅스텐의 접합면을 맞추어, 진공 중에서 축방향으로 2.5kN 정도의 압축력을 인가한다. 그리고, 통전 가열에 의해 접합부의 온도를 약 2000℃로 하고, 5분 정도 토리탄과 순텅스텐을 확산 접합시킨다.

확산 접합 후의 재료를 절삭 가공함으로써, 선단이 이미터부(4)(토리탄), 후방이 본체부(3)(순텅스텐)인 음극(2)이 된다.

다음에, 음극(2)의 선단부를 제외한 표면, 구체적으로는 음극(2)의 표면, 예를 들면 선단면으로부터 축을 따라 적어도 2mm 정도 후퇴한 위치의 표면에는, 침탄 공정에 의해, 두께 약 30μm의 탄화 텅스텐층(6)이 설치된다.

또한, 이 실시예에서는, 탄화 텅스텐층(6)은 이미터부(4)로부터 떨어진 위치에 형성되어 있는 예를 나타냈지만, 일부가 이미터부(4)에 피복되는 위치여도 된다. 그 설치되는 위치는, 후술하는 바와 같이, 그 온도에 따라 증발되는 탄소량이 어느 정도인지에 따라 결정된다.

그리고, 램프의 점등 중에 발광관 내표면으로부터 방출되는 수증기(H₂O)나 전극으로부터 방출되는 산소(O)와 탄화 텅스텐층(6)의 탄소(C)로부터 일산화탄소(CO)가 생성된다. 이 CO는, 발광관 내를 기상 상태로 확산시킴으로써, 그 일부가 아크 중으로 들어간다. 이 CO는, 아크 중에서는 고온이기 때문에 분해되어, C+ 이온을 생성한다. 이 C+ 이온은 아크 중의 전계에 의해 음극 선단면으로 옮겨지고, 일부는 그곳에서 텅스텐 중에 고용된다. 혹은, 그곳에서 텅스텐과 반응하여, W₂C나 WC 등의 텅스텐의 탄화물(5)을 생성하고, 음극 선단면의 고온에 노출되어 용융되는 것도 있다.

이러한 텅스텐 중에 고용된 탄소나 텅스텐의 탄화물은, C가 기상으로부터 초래된 것이기 때문에 매우 적다. 이 중 용융 상태를 거친 탄화물은, 램프의 소등 시에는, 음극 선단면에 공급되는 C가 소량인 것에 의해, 텅스텐의 음극 선단면에, 복수의 선상의 텅스텐의 탄화물(5, 5)로서 줄무늬 형상의 모양을 형성한다.

또, 램프의 점등 중에는 텅스텐 중에 고용되는 C도, 램프의 소등 시에는, 온도의 저하에 수반하여 고용한이 낮아지기 때문에, 일부는 텅스텐의 탄화물이 되어 음극 선단면에 석출되지만, C가 소량인 것에 의해, 용융 상태를 거친 탄화물과 마찬가지로, 복수의 선상의 텅스텐의 탄화물(5, 5)을 형성한다.

여기서, 음극 선단면에 탄화 텅스텐의 줄무늬 형상의 상을 형성할 필요가 있는 것은, 음극 선단면이 약 2900℃와 같은 고온에 도달하기 때문에, 융점이 낮은 탄화 텅스텐이 선단면을 덮을 정도로 다량으로 존재하면, 음극이 손모되거나, 발광관이 흑화되어 방사광의 강도가 저하되거나 하여, 조기에 램프의 수명이 도래하기 때문이다.

또, 탄화 텅스텐층(6)을 음극의 선단부를 제외한 표면에 설치하는 것도, 동일한 이유에 의한 것이다.

또한, 음극 선단면에 형성되는 탄화물의 줄무늬 형상의 상(5, 5)은, 탄화 텅스텐층(6)을 설치하는 위치에 따라 제어할 수 있다. 즉, 탄화 텅스텐층(6)을 설치하는 위치의 온도가 높을(음극의 선단에 가깝다) 수록, CO의 생성이 활발해지기 때문에 C의 수송량은 증대하고, 너무 많은 경우에는, 줄무늬 형상이 아닌 음극 선단면의 전역에 형성되어 버려, 텅스텐 카바이트의 용융에 의해 원하지 않는 음극 선단의 변형을 초래한다.

또한, 음극 선단면에 C가 기상을 통하여 공급되기 위한 탄소원은, 음극 표면의 탄화 텅스텐층에 한정되는 것은 아니며, 양극의 표면에 탄화 텅스텐층을 설치해도 되고, 발광관 내에 탄소의 고체 부재를 설치해도 된다.

또, 램프에 따라서는, 상기와 같은 특별한 탄소원을 설치하는 일 없이, 음극을 구성하는 텅스텐 중에 포함되는 탄소가 탄소원이어도 되며, 그 경우, 음극 표면으로부터 CO가 되어 기상으로 공급되는 탄소가 이용된다.

이렇게 하여 형성된 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물의 상세가 도 2에 나타나 있으며, 도 2(a)는 선단부의 확대 사시도이며, 도 2(b)는 더 확대한 확대도이다.

구체적으로는, 이 도면에 나타내는 바와 같이, 텅스텐의 탄화물이, 음극 선단부의 주성분인 텅스텐(W)상 위에, 다수의 선상으로 나란히 생성됨으로써, 줄무늬 형상의 상을 형성하고 있다. 이 줄무늬 형상의 텅스텐의 탄화물의 상(5, 5)은, 폭이 약 0.1~0.5μm이며, 다수의 상이 약 0.5~3μm의 간격으로 형성되어 있다.

음극 선단에 있어서 탄소가 차지하는 비율은, 약 1wt% 정도이며, 탄소의 비율로서는 음극 선단의 표층이 가장 크고, 선단으로부터 후퇴한 위치가 될수록 작아진다. 이것은 즉, 음극의 선단에 탄소가 기상 중을 옮겨져 온 것을 증명하는 것이다.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, 음극의 선단면에 텅스텐의 탄화물이 형성되어 있으므로, 음극의 이미터부 내부의 산화 토륨에 대한 탄소의 공급량이 증대하고, 이미터부 중에서의 산화 토륨의 환원 반응이 촉진되어, 이미터부의 내부에 존재하는 산화 토륨도 유효하게 기능시킬 수 있다. 이 때문에, 이미터부의 표면부 만의 산화 토륨이 사용되어 버리는 일이 없어, 이미터 물질의 고갈에 의한 단수명화를 방지할 수 있다.

또, 상기 환원 반응에 의해 발생한 고용 산소가 이미터부로부터 본체부에 농도 확산되므로, 상기 탄소의 공급과 더불어 당해 환원 반응이 보다 촉진된다.

이것에 의해, 이미터 물질의 사용량의 제한이라는 사회적인 요청에도 대응할 수 있는 음극 구조를 실현할 수 있으며, 그 구체적인 구조로서 음극 본체부의 축경부에 있어서 이미터부를 접합하는 구조로 해도, 충분히 장기에 걸친 플리커의 방지 기능을 발휘할 수 있는 것이다.

1 쇼트 아크형 방전 램프 2 음극
3 음극 본체부 4 음극 이미터부
5 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물 6 탄화물층

Claims (4)

1. 발광관의 내부에, 음극과 양극이 대향 배치되고, 상기 음극이, 텅스텐을 주성분으로 하는 본체부와, 그 본체부의 선단에 접합된 토륨함유 텅스텐(Thoriated tungsten)으로 이루어지는 이미터부로 이루어지는 쇼트 아크형 방전 램프로서,
   상기 음극의 본체부는, 이미터부보다 산소 함유 농도가 낮음과 함께,
   상기 음극의 이미터부의 선단면에, 줄무늬 형상의 텅스텐 탄화물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
2. 청구항 1에 있어서,
   상기 음극의 측면에, 탄화물층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
3. 청구항 1에 있어서,
   상기 음극의 본체부와 이미터부는, 확산 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.
4. 청구항 1에 있어서,
   상기 본체부는 순텅스텐으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쇼트 아크형 방전 램프.

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