KR20120028505A - 플렉시블 다층 투명 전극 - Google Patents

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KR20120028505A
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최윤영
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경희대학교 산학협력단
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Abstract

본 발명은 투명 전극에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반사방지 효과(Antireflection Effect)를 이용하여 아연주석산화물로 이루어진 하부 산화물층, 하부 산화물층의 상면에 형성되는 은 금속층 및 은 금속층의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층을 구비하는 다층 투명 전극에 관한 것이다.
본 발명에 따른 투명 전극은 아연주석산화물로 이루어진 산화물을 이용함으로써 낮은 제조 단가로 투명 전극을 제조할 수 있으며, 통상의 스퍼터링 공정을 통해 제조함으로써 투명 전극을 제조하기 위한 별도의 장비가 필요하지 않아 간편하고 저렴하게 제조할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 투명 전극은 별도의 열처리 공정없이 상온에서 제조함으로써, 높은 열처리 온도를 극복할 수 있는 고가의 플렉시블 기판 이외에 다양한 플렉시블 기판을 모재 기판으로 사용하여 플렉시블 투명 전극을 제조할 수 있다.

Description

플렉시블 다층 투명 전극{Flexible multilayer transparent eletrode}
본 발명은 투명 전극에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반사방지 효과(Antireflection Effect)를 이용하여 아연주석산화물로 이루어진 하부 산화물층, 하부 산화물층의 상면에 형성되는 은 금속층 및 은 금속층의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층을 구비하는 다층 투명 전극에 관한 것이다.
최근 급속도로 발전해 가는 나노 기술, 정보 기술 및 디스플레이 기술로 인하여 언제 어디서나 정보를 접할 수 있는 유비쿼터스 시대로 접어 들고 있으며, 이에 따라 휴대가 간편하고 이동성을 가진 모바일 정보 전자 기기의 필요성이 증가되고 있다. 이러한 유비쿼터스 시대를 실현하는 정보화 기기로써 변형이 자유롭고 유연하며 가벼워 휴대가 간편한 플렉시블 정보전자 기기의 필요성이 날로 커지고 있다.
플렉시블 디스플레이, 플렉시블 트랜지스터, 플렉시블 터치패널, 플렉시블 태양 전지로 대표되는 플렉시블 정보전자 기기는 모두 인듐주석산화물(ITO:Indium Tin Oxide)로 대표되는 플렉시블 투명 전극을 전극으로 사용하여 전류 또는 빛을 제어하게 된다.
플렉시블 투명 전극이란 PET, PES, PEN과 같은 플렉시블 기판 상에 성막시킨 전극으로 높은 전도도와 가시광 영역(380nm 내지 800nm)에서 80% 이상의 높은 투과도를 가지며, 높은 유연성을 갖기 때문에 플렉시블 정보전자 기기의 전극으로 응용이 가능하다.
현재 플렉시블 투명 전극으로 응용이 가능한 소재로는 여러 가지 투명 전도성 산화물(Transparent conducting oxide), 탄소나노튜브, 그래핀, 고분자 전도체가 알려져 있으며, 인듐주석산화물 박막이 대표적으로 사용되고 있다. 그러나 인듐주석산화물은 고가의 인듐을 사용하기 때문에 제조 단가가 비싸다. 더욱이 인듐주석산화물을 투명전극으로 사용하기 위하여 높은 열처리 공정이 필수적으로 필요하여 플렉시블 투명 전극을 제조하기 위해서는 높은 열처리 공정을 극복할 수 있는 고가의 플렉시블 기판을 사용하여 제조 단가가 더욱 상승하게 된다는 문제점을 가진다. 한편, 투명 전도 산화물(AZO, GZO 등), 탄소나노튜브, 그래핀, 고분자 전도체를 투명 전극으로 사용할 수 있는 응용 가능성에 대해 알려져 있지만 현재 상용화하는데 해결해야할 많은 문제점을 가지고 있다.
단층 ITO 투명 전극 또는 여러 투명 전극 소재가 가지는 문제점을 해결하기 위하여 최근에는 다층 투명 전극에 대한 연구가 진행되고 있다. 다층 플렉시블 투명 전극은 산화물/금속/산화물의 구조를 가지는데, 최근까지 보고된 다층 플렉시블 투명 전극으로 ITO/Ag/ITO, ITO/Cu/ITO, AZO/Ag/AZO, GZO/Ag/GZO, IZO/Ag/IZO, IZTO/Ag/IZTO의 성분으로 구성된다. 그러나 최근까지 보고된 다층 플렉시블 투명 전극은 여전히 대부분 인듐주석산화물을 사용하여야 하거나 전도성이 있는 고가의 투명 산화물(AZO, GZO)을 사용하여야 한다는 문제점을 가진다.
플렉시블 투명 전극을 사용하는 플렉시블 투명 정보전자 기기의 관련 시장은 앞으로도 계속해서 증가할 것으로 예상되며, 높은 전도성과 투명성을 가지는 동시에 저렴하고 간편한 공정으로 제조할 수 있는 투명 전극의 구조 또는 소재에 대한 연구는 더욱 가속화될 것이다.
본 발명은 위에서 설명한 종래 투명 전극이 가지는 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 목적은 저렴하며 별도의 열처리 공정이 필요하지 않은 플렉시블 투명 전극을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 목적은 높은 전도성과 투과도를 가지며 동시에 우수한 유연성을 가지는 플렉시블 투명 전극을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 투명 전극은 아연주석산화물로 이루어진 하부 산화물층과, 하부 산화물층의 상면에 형성되는 은 금속층과, 은 금속층의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상부 산화물층은 스퍼터링 공정을 통해 형성되며, 보다 구체적으로 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링 공정으로 통해 형성되며, 은 금속층은 은 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링 공정으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
여기서 형성한 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물(ZnSnOx(1<x<3))인 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 은 금속층의 두께는 4nm 내지 20nm이며, 하부 산화물층 또는 상부 산화물층의 두께는 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 한다. 더욱 바람직하게 은 금속층의 두께는 8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 투명 전극의 제조 방법은 플렉시블 투명 기판 위에 아연주석산화물을 타켓으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 하부 산화물층을 형성하는 단계와, 형성한 하부 산화물층의 상면에 은 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 4nm 내지 20nm 두께의 은 금속층을 형성하는 단계와, 형성한 은 금속층의 상면에 아연주석산화물을 타겟으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 상부 산화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
바람직하게, 하부 산화물층, 은 금속층 및 상부 산화물층은 공동 스퍼터링 챔버내에서 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다층 투명 전극 및 투명 전극의 제조 방법은 종래 투명 전극과 비교하여 다음과 같은 다양한 효과들을 가진다.
첫째, 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 아연주석산화물로 이루어진 산화물을 이용함으로써, 낮은 제조 단가로 다층 투명 전극을 제조할 수 있다.
둘째, 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 아연주석산화물/은/아연주석산화물의 구조를 가지도록 통상의 스퍼터링 공정을 통해 제조함으로써, 다층 투명 전극을 제조하기 위한 별도의 장비가 필요하지 않아 간편하고 저렴하게 제조할 수 있다.
셋째, 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 별도의 열처리 공정없이 상온에서 제조함으로써, 높은 열처리 온도를 극복할 수 있는 고가의 플렉시블 기판 이외에 다양한 플렉시블 기판을 모재 기판으로 사용하여 플렉시블 다층 투명 전극을 제조할 수 있다.
넷째, 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 아연주석산화물 사이에 형성되는 은 금속층의 두께를 최적화하여 낮은 저항성과 높은 투과도를 가지며 동시에 우수한 유연성을 가지는 플렉시블 다층 투명 전극을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 투명 전극의 단면도를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명에 따른 다층 투명 전극이 투명성을 가지는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 다층 투명 전극을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 투명도를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 저항값을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 깊이에 따른 조성비를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 성능 지수(Figure of merit)을 나타내는 그래프이다.
이하 첨부한 도면을 참고로 본 발명에 따른 투명 전극 및 투명 전극의 제조 방법에 대해 보다 구체적으로 살펴본다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다층 투명 전극의 단면도를 도시하고 있다.
도 1을 참고로 보다 구체적으로 살펴보면, 투명 기판(10)의 상면에 아연주석산화물(ZnSnOx)로 이루어진 하부 산화물층(20)이 형성되어 있으며, 하부 산화물층(20)의 상면에 금속층(30)이 형성되어 있다. 바람직하게 금속층(30)은 은 재질인 것을 특징으로 한다. 한편, 금속층(30)의 상면에 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층(40)이 형성되어 있다. 여기서 하부 산화물층(20)과 상부 산화물층(40)은 동일한 두께 또는 서로 다른 두께로 형성될 수 있으며 이는 본 발명의 범위에 속한다. 바람직하게 하부 산화물층(20)과 상부 산화물층(40)은 아연주석산화물로 이루어지는데, 아연주석산화물의 조성비는 ZnSnOx(1<x<3)인 것을 특징으로 한다.
여기서 투명 기판(10)은 투명 기판(10) 위에 제조되는 투명 전극을 지지하기 위한 모재 기판으로, 유연성이 없는 유리 기판, 사파이어 기판과 같은 투명 기판이 사용되거나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane)와 같은 플렉시블 투명 기판이 사용될 수 있다. 바람직하게 본 발명에 따른 다층 투명 전극을 플렉시블 투명 전극으로 제조하기 위하여 플렉시블 투명 기판을 모재 기판으로 사용한다.
도 2는 본 발명에 따른 다층 투명 전극이 투명성을 가지는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
다층 투명 전극으로 조사된 빛(L)은 다층 투명 전극에서 반사(R), 흡수(A), 투과(T)하는 성분으로 구성된다. 다층 투명 전극으로 조사되는 빛의 양은 일정하기 때문에 다층 투명 전극에서 반사되는 빛의 양을 최소화함으로써, 투과도를 높일 수 있는데 다층 투명 전극을 구성하는 하부 산화물층(20), 은 금속층(30) 및 상부 산화물층(40)의 두께를 달리하여 반사되는 빛의 양을 최소화하는 효과를 반사방지 효과(Antireflection Effect)라 통칭한다.
도 2를 참고로 살펴보면, 본 발명에 따른 다층 투명 전극(1)은 투명한 아연주석 산화물의 하부 산화물층(20), 불투명한 은 금속층(30), 투명한 아연주석산화물의 상부 산화물층(40)으로 이루어진다. 투명한 아연주석산화물의 하부 산화물층(20)과 불투명한 은 금속층(30)만으로 구성되어 있거나 또는 불투명한 은 금속층(30)과 투명한 아연주석산화물의 상부 산화물층(40)만으로 구성되는 경우, 400nm 내지 700nm의 가시광선에 낮은 투과성을 가지는 반면, 아연주석산화물의 하부 산화물층(20), 은 금속층(30) 및 아연주석산화물의 상부 산화물층(40)으로 구성되는 경우 반사방지 효과(Antireflection Effect)에 의해 400nm 내지 700nm의 가시광선에 높은 투과성을 가진다.
높은 투과성을 가지며 동시에 높은 전도도를 가지기 위하여 하부 산화물층(20), 은 금속층(30) 및 상부 산화물층(40)의 두께를 최적화할 필요가 있는데 다시 도 1을 참고로 보다 구체적으로 살펴보면, 하부 산화물층(20)의 두께는 10nm 내지 100nm이며, 상부 산화물층(40)의 두께는 10nm 내지 100nm이다. 하부 산화물층(20) 또는 상부 산화물층(40)의 두께가 10nm 이하인 경우 반사방지 효과가 발생하지 않으며, 하부 산하물층(20) 또는 상부 산화물층(40)의 두께가 100nm 이상인 경우 아연주석산화물은 절연체이므로 전도성이 크게 떨어져 투명 전극으로 동작하지 못한다.
한편, 은 금속층(30)의 두께는 4nm 내지 20nm이며 바람직하게 8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 한다. 은 금속층(30)의 두께가 4nm 이하인 경우 전도성이 낮아져 투명 전극으로 동작하기 곤란하며 은 금속층(30)의 두께가 20nm 이상인 경우 높은 투과성을 확보하기 곤란하다.
도 3은 본 발명에 따른 다층 투명 전극을 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참고로 살펴보면, 1개의 스퍼터 챔버에는 투명 기판(10)에 성막하고자 하는 아연주석산화물 타켓(100)과 은 타켓(110)이 배치되어 있으며, 지지대(200)의 상면에 투명 기판(10)이 배치되어 있다. 아연주석산화물 타켓(100)과 은 타켓(110)에 전력을 인가하여 순차적으로 아연주석산화물의 하부 산화물층, 은 금속층, 아연주석산화물의 상부 산화물층을 투명 기판(10)에 동일한 스퍼터 챔버에서 진공을 유지하면서 제조하는데, 아연주석산화물의 하부 산화물층 또는 상부 산화물층을 성막하기 위한 구체적인 스퍼터링 동작 조건은 아래의 표1과 같다.
타겟 물질(target material) ZnSnOx
모재 기판(substrate) 유리 기판
시스템 압력(base pressure of system) 3×10-6 Torr 이하
가스비(flow rate) Ar 20sccm
인가 전력(power injection) RF 100W
공정 압력(working pressure) 2m Torr
스퍼터(sputter) 챔버의 내부 압력을 5.0×10-6 Torr로 유지하면서 유리 기판(10)과 아연주석산화물 타겟(100) 사이의 거리는 10cm로 유지시킨다. 비활성가스인 아르곤가스(Ar) 20sccm 가스비로 주입시키며 1m Torr 내지 9m Torr 사이의 공정 압력을 설정하고, 설정한 공정 압력을 유지한 채 플라즈마를 형성한다. 아연주석산화물 타켓(100)에 10W/cm2 이하의 전류밀도를 인가한다. 아연주석산화물 타켓(100)으로부터 스퍼터링되어 방출되는 아연주석산화물 입자는 유리 기판(10) 위에 성막되어 하부 산화물층(20) 또는 상부 산화물층(40)을 형성한다.
한편, 은 금속층(30)을 성막하기 위한 구체적인 스퍼터링 동작 조건은 아래의 표2와 같다.
타겟 물질(target material) Ag
모재 기판(substrate) 유리 기판
시스템 압력(base pressure of system) 3×10-6 Torr 이하
가스비(flow rate) Ar 20sccm
인가 전력(power injection) DC 100W
공정 압력(working pressure) 2m Torr
스퍼터(sputter) 챔버의 내부 압력을 5.0×10-6 Torr로 유지하면서 유리 기판(10)과 은 타겟(110) 사이의 거리는 10cm로 유지시킨다. 비활성가스인 아르곤가스(Ar) 20sccm 가스비로 주입시키며 1m Torr 내지 9m Torr 사이의 공정 압력을 설정하고, 설정한 공정 압력을 유지한 채 플라즈마를 형성한다. 은 타켓(110)에 10W/cm2 이하의 전류밀도를 인가한다. 은 타켓(110)으로부터 스퍼터링되어 방출되는 은 입자는 하부 산화물층(20) 상면에 성막되어 은 금속층(30)을 형성한다.
여기서 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물 타겟(100)을 이용하여 RF 스퍼터링 공정으로 통해 형성되며, 은 금속층은 은 타켓(110)을 이용하여 DC 스퍼터링 공정을 이용하여 형성한다. RF 스퍼터링은 통상적으로 DC 스퍼터링보다 스퍼터링 효과가 우수하지만 아연주석산화물 타겟(100)은 부도체이므로 DC 스퍼터링의 적용이 곤란하다.
도 4는 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 투명도를 나타내는 그래프이다.
도 4를 참고로 살펴보면, 아연주석산화물의 하부 산화물층과 상부 산화물층 사이에 삽입된 은 금속층이 특정 두께에서 하부 산화물층 및 상부 산화물층과 반사방지 효과를 일으키며, 은 금속층의 두께에 따라 400nm 내지 700nm의 가시광선의 투과도가 다르게 나타남을 알 수 있다. 은 금속층의 두께를 4nm 에서 2nm 단위로 증가시키며 20nm까지 실험한 결과, 은 금속층의 두께가 4nm에서 증가할수록 투과도가 점차 증가하며, 은 금속층의 두께가 12nm 이후 20nm로 증가될 때까지 투과도는 점차 낮아짐을 알 수 있다. 4nm 내지 20nm의 두께를 가지는 은 금속층에서 통상적으로 투명 전극이 요구하는 80% 이상의 투과도를 보이고 있으며, 8nm 내지 12nm의 두께를 가지는 은 금속층은 모든 가시광선 대역에서 모두 80%이상의 투과도를 가짐을 알 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 저항값을 나타내는 그래프이다.
도 5를 참고로 살펴보면, 하부 산화물층과 상부 산화물층의 두께를 35nm로 형성한 경우 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 면저항값(ohm/sq)와 비저항값(ohm-cm)은 은 금속층의 두께가 증가할수록 점차 감소함을 알 수 있다. 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 비저항이 매우 낮은 은 금속층을 아연주석산화물의 하부 산화물층과 상부 산화물층에 삽입함으로써, 상온에서도 금속에 버금가는 면저항과 비저항을 가진 투명 전극을 높은 열처리 공정없이도 제조할 수 있다.
은 금속층의 두께는 다층 투명 전극의 전도도와 투과도를 결정하는 가장 중요한 요인으로, 도 4와 도 5를 참고로 살펴보면 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 투명 전극이 요구하는 투과도와 전도도를 가지기 위하여 10nm 내지 12nm의 두께를 가지는 것이 가장 바람직하다.
도 6은 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 깊이에 따른 조성비를 나타내는 그래프이다.
도 6을 참고로 살펴보면, 다층 투명 전극의 맨 위에 형성되어 있는 상부 산화물층의 조성비는 아연(Zn), 주석(Sn) 및 옥사이드(O)로 구성되어 있으며, 일정 두께(d1)부터는 은 금속층이 형성되어 대부분 은(Ag)으로 구성되어 있으며, 다시 일정 두께(d2)부터는 아연(Zn), 주석(Sn) 및 옥사이드(O)로 구성되어 있는 하부 산화물층이 형성되어 있음을 알 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 성능 지수(Figure of merit)을 나타내는 그래프이다.
다층 투명 전극의 성능 지수는 아래의 수학식(1)과 같이 계산되는데, 성능 지수는 투명 전극의 투과도가 높을수록 그리고 전도도가 높을수록 높은 값을 가진다.
[수학식 1]
Figure pat00001
여기서 T는 투명 전극의 % 투과도를 나타내는 값이며, Rsh는 투명 전극의 면저항값을 나타내는 값이다.
도 7을 참고로 살펴보면, 인듐주석산화물(ITO)는 약 87%의 투과도를 가지며 성능 지수는 약 12×10-3ohm-1인 것으로 계산되며, 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 은 금속층의 두께가 8nm 내지 12nm에서 인듐주석산화물(ITO)과 거의 유사한 투과도를 가지며 6nm 내지 18nm의 은 금속층 두께에서 전반적으로 인듐주석산화물(ITO)보다 높은 성능 지수를 가지는 것으로 계산된다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 예를 들어 본 발명에 따른 다층 투명 전극의 구조를 가지면서 다양한 두께의 하부 산화물층 또는 상부 산화물층을 형성할 수 있거나 다양한 두께의 은 금속층을 형성할 수 있다. 또한 본 발명의 상세한 설명에서 예시한 하부 산화물층, 상부 산화물층 또는 은 금속층의 두께를 최적화하여 높은 투과도와 전도도를 가지도록 선택적으로 하부 산화물층, 상부 산화물층 및 은 금속층을 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 투명 기판 20: 하부 산화물층
30: 은 금속층 40: 상부 산화물층
100: 아연주석산화물 타겟 110: 은 타켓

Claims (10)

  1. 산화물과 금속으로 이루어진 다층 구조의 투명 전극에 있어서,
    투명 기판;
    상기 투명 기판의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 하부 산화물층;
    상기 하부 산화물층의 상면에 형성되는 은 금속층; 및
    상기 은 금속층의 상면에 형성되는 아연주석산화물로 이루어진 상부 산화물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상부 산화물층은 스퍼터링 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물 타겟을 이용하여 RF 스퍼터링 공정으로 통해 형성되며,
    상기 은 금속층은 은 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 은 금속층의 두께는
    4nm 내지 20nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 은 금속층의 두께는
    8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 산화물층 또는 상부 산화물층의 두께는
    10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 기판은
    폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 형성한 하부 산화물층 또는 상부 산화물층은 아연주석산화물(ZnSnOx(1<x<3))인 것을 특징으로 하는 투명 전극.
  9. 플렉시블 투명 기판 위에 아연주석산화물을 타켓으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 하부 산화물층을 형성하는 단계;
    상기 형성한 하부 산화물층의 상면에 은 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 4nm 내지 20nm 두께의 은 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 형성한 은 금속층의 상면에 아연주석산화물을 타겟으로 이용하여 스퍼터링 공정으로 10nm 내지 100nm 두께의 상부 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 및 상부 산화물층은 공동 스퍼터 챔버내에서 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법.
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