KR20120025477A - 도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

표면에 소정의 요철 형상(1a)이 형성된 몰드(1)와 기판(3)의 사이에, 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 개재시킨 상태로 하는 공정과, 재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과, 몰드(1)를 재료(2)로부터 박리하는 공정을 구비한 도전막의 제조 방법이 제공된다.

Description

도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막{METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE FILM, AND CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막에 관한 것이다.
종래, 투명 기판의 투명 전극 등에 사용되는 도전막으로서, ITO(Indium Tin Oxide)막이 널리 사용되고 있다. 또한, 섬유 형상 도전성 물질인 카본 나노 튜브를 분산시켜 투명 전극을 구성하는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
또한, 섬유 형상 도전성 물질인 카본 나노 튜브와 미세한 입상물(粒狀物)을 혼합시킨 혼합 조성물을 투명 전극에 도포한 후, 입상물을 제거하여 카본 나노 튜브의 망목(網目) 형상 박막을 형성하여, 도전막을 형성하는 것이 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조). 즉, 이 기술에서는 입상물을 개재시킴으로써 카본 나노 튜브가 적절히 분산된 상태의 망목 형상 박막을 형성하는 것이다.
또한, LIGA 프로세스 또는 FIB(수속(收束) 이온빔)를 이용하여 미세한 3 차원 구조를 가지는 몰드(형)를 형성하고, 이 몰드를 기판에 도포된 레지스트막에 압압하여 형상 전사(轉寫)를 행하는 나노 임프린트 기술이 알려져 있다(예를 들면, 특허 문헌 3 참조). 이 나노 임프린트 기술은 종래부터 행해지고 있는 노광, 현상에 의한 포토리소그래피 대신에 레지스트막에 소정 패턴의 전사를 행하는 것으로, 정보 기록 장치의 제조 등에 적용하는 것이 고려되고 있다. 그러나, 이 기술은 카본 나노 튜브 등의 섬유 형상 도전성 물질을 이용하여 투명 전극 등을 형성하는 기술은 아니다.
일본특허공개공보 2007-169120호 일본특허공개공보 2008-177165호 일본특허공개공보 2005-108351호
상기한 입상물(粒狀物)을 이용하여 카본 나노 튜브의 망목(網目) 형상 박막을 형성하여 도전막을 제조하는 기술에서는 미세한 입상물을 이용하고 있기 때문에, 이 입상물을 혼합하거나 혼합한 입상물을 제거하는 등의 공정이 필요하다. 이 때문에, 도전막의 제조에 시간과 코스트가 들어 생산성이 나쁘다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 종래의 사정에 대처하여 이루어진 것으로, 종래에 비해 도전막의 제조에 필요한 시간의 단축과 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 도전막의 제조 방법의 일태양은, 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드와 기판의 사이에, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과, 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과, 상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전막의 제조 방법의 다른 태양은, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드 상에 도포하는 공정과, 기판을 상기 몰드에 도포된 상기 재료에 접촉시켜 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과, 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과, 상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전막의 제조 방법의 다른 태양은, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 기판에 도포하는 공정과, 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드를 상기 기판에 도포된 상기 재료에 접촉시켜 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과, 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과, 상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전막의 제조 방법의 다른 태양은, 기판과 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드를, 상기 요철 형상을 상기 기판측을 향해 근접 배치하는 공정과, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 상기 기판과 상기 몰드의 사이에 주입하고, 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과, 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과, 상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전막의 제조 장치의 일태양은, 기판에 도전막을 형성하기 위한 도전막의 제조 장치로서, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 수용하고, 상기 재료를 교반하기 위한 기구를 가지는 용기와, 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드와, 상기 용기로 연통하고, 상기 재료를 상기 몰드 또는 상기 기판 중 어느 일방에 도포하기 위한 노즐과, 상기 몰드와 상기 기판을 근접시킨 상태 로 보지(保持)하는 기구와, 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 개재하는 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 경화 유닛을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도전막의 일태양은, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고, 상면에 소정의 주기적 요철 구조를 가지는 층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 종래에 비해 도전막의 제조에 필요한 시간의 단축과 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있는 도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예의 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예의 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
이하에, 본 발명의 상세를 도면을 참조하여 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도전막의 제조 방법의 공정을 설명하기 위한 도면이다. 이 도면에서, 도면 부호 1은 표면에 소정의 요철 형상(1a)이 형성된 몰드를 나타내고 있다.
이 몰드(1)는, 예를 들면 실리콘 기판, 석영 기판, Ni 전주(電鑄) 기판 등으로 이루어지고, LIGA 프로세스 또는 FIB(수속(收束) 이온빔)를 이용하여 미세한 요철 형상(1a)이 형성되어 있다. 또한, 몰드(1)에서의 소정의 요철 형상(1a)은 후술하는 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 적절히 분산시켜 망목 형상 박막을 형성하기 위한 것이며, 예를 들면 소정 간격(예를 들어, 10 nm ~ 10 μm 정도)으로 소정 사이즈(예를 들어, 10 nm ~ 10 μm 정도)의 반구형(半球形)의 볼록부가 규칙적으로 배열된 형상 등을 선택할 수 있다.
본 제 1 실시예에서는, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 상기한 몰드(1)의 요철 형상(1a) 상에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 도포한다. 이 때, 적어도 몰드(1)의 요철 형상(1a)이 재료(2)로 매립되도록 재료(2)를 도포한다. 이 섬유 형상 도전성 물질(2a)로서는, 예를 들면 카본 나노 튜브(단층 CNT, 이층 CNT, 다층 CNT, 로프 형상 CNT 등), 미세 금속 섬유(Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Ni, Co, Sn, Pb, Sn-Pb 등으로 이루어짐), 질화 갈륨(GaN)의 섬유 형상물, 산화 아연(ZnO)의 섬유 형상물 등을 이용할 수 있다. 또한, 재료(2)의 도포 방법으로서는, 예를 들면 다이 코트법, 그라비아 코트법, 롤 코트법 등의 각종의 도포 방법을 사용할 수 있다.
또한, 재료(2)로서는, 예를 들면 용매 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것, 수지 용액 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것 등을 사용할 수 있다. 상기의 용매로서는, 예를 들면 순수, 에탄올, 메탄올 등을 사용할 수 있다. 또한, 수지 용액으로서는 열강화성인 것으로서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리유산(PLA) 등을 예시할 수 있다. 광경화성인 것으로서는 아크릴 모노머, 아크릴 올리고머, 폴리에스테르 아크릴레이트, 폴리우레탄 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 등을 예시할 수 있다.
또한, 필요에 따라, 상기한 재료(2) 중에 분산제를 포함시켜도 좋다. 재료(2)로서 상기한 바와 같은 용매를 이용할 경우, 분산제로서, 예를 들면 제 3 급 아민의 아미노기를 가지는 계면활성제 등을 사용할 수 있다. 이 카본 나노 튜브 등을 분산시킬 때의 분산 온도로서는 특별히 한정되지는 않지만, 10℃ ~ 180℃ 정도로 하는 것이 바람직하고, 20℃ ~ 40℃ 정도로 하는 것이 더 바람직하다. 분산 온도가 낮으면 분산시키기 어려워지고, 분산 온도가 너무 높으면 카본 나노 튜브 등이 재응축을 일으키기 때문이다.
상기한 바와 같이, 몰드(1)의 요철 형상(1a) 상에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 도포할 경우, 도 1의 (b)의 우측에 도시한 바와 같이, 몰드(1)의 요철 형상(1a)의 볼록부의 주위에 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 망목 형상으로 분산된 상태가 된다.
이어서, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 몰드(1)에 도포한 재료(2)와 접촉하도록 기판(3)을 배치하고, 근접하여 대향 배치된 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 재료(2)가 개재된 상태로 한다. 그리고, 이 상태에서 재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리를 행한다. 또한, 기판(3)으로서는, 예를 들면 글라스 기판, 석영 기판 등의 투명 무기 기판 또는 플라스틱 등의 플렉서블 투명 기판 등을 사용할 수 있다. 플렉서블 투명 기판의 재질의 예로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프타레이트, 폴리에테르 술폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리에테르 에테르케톤, 폴리에테르 이미드, 아크릴 수지, 올레핀말레이미드 공중합체 및 노보넨계 수지 등을 들 수 있다. 기판(3)으로서 플렉서블 투명 기판을 사용할 경우, 시트 형상의 플렉서블 투명 기판의 소재를 후술하는 바와 같이 롤과 롤의 사이에서 반송하면서 가공할 수 있다.
재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리란, 구체적으로 재료(2)가 용매 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것일 경우, 가열 처리이다. 또한, 재료(2)가 수지 용액 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것일 경우, 열강화성의 수지에서는 가열 처리, 광경화성의 수지에서는 자외선 조사 처리이다.
이어서, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 몰드(1)를 재료(2)로부터 박리한다. 이에 따라, 도 1의 (d)의 우측에 도시한 바와 같이, 경화된 재료(2)의 몰드(1)의 볼록부가 존재했던 부위에 형성된 오목부(2b)의 주위에, 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 분산된 망목 형상의 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하는 수지 박막 또는 섬유 형상 도전성 물질(2a)의 망목 형상 박막이 형성된다. 또한, 이 재료(2)로부터의 몰드(1)의 박리 공정에서는, 예를 들면 초음파 진동의 인가 등에 의해 몰드(1)와 재료(2)를 박리하기 쉽게 하는 것이 바람직하다.
상기 몰드(1)를 재료(2)로부터 박리하는 공정에서, 박리를 원활히 행하기 위해서는 미리 몰드(1)의 표면에 재료(2)를 쉽게 박리하기 위한 코팅을 실시해 두는 것이 바람직하다. 이러한 코팅으로서는, 예를 들면 불소 수지 코팅을 이용할 수 있다. 또한, 몰드(1)가 석영제일 경우, 퍼플루오로알킬계의 실란 커플링제에 의한 발수(撥水) 처리를 행해도 좋다.
재료(2)로서 용매 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것을 이용할 경우, 수지를 포함하지 않는 섬유 형상 도전성 물질(2a)로 이루어진 망목 형상 박막이 형성되기 때문에, 이 후, 필요에 따라 수지 용액 등을 도포하고 경화시켜 보호막을 형성한다. 또한, 재료(2)로서 수지 용액 중에 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 분산시킨 것을 이용할 경우에도, 형성된 망목 형상의 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하는 수지 박막에 오목부(2b)가 형성되어 있기 때문에, 필요에 따라 수지 용액 등을 도포하고 경화시켜 표면을 평탄화한다.
상기한 제 1 실시예에서는 표면에 소정의 요철 형상(1a)이 형성된 몰드(1)를 이용하여 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 망목 형상으로 분산된 박막으로 이루어진 도전막을 형성하므로, 미세한 입상물을 재료(2)에 혼합하거나, 혼합된 입상물을 제거하는 등의 공정이 불필요해진다. 이 때문에, 종래에 비해 도전막의 제조에 필요한 시간의 단축과 제조 코스트의 저감을 도모할 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 제 1 실시예에서 제조된 도전막의 상면은 몰드(1)의 주기적인 요철 형상(1a)이 전사된 구조로 되어 있고, 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 전체에 적절히 분산된 상태가 되기 때문에, 도전막 전체에 걸쳐 균일한 도전성을 얻을 수 있다. 또한, 투명 도전막일 경우에는 이 주기적인 요철 구조에 의해 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 존재하지 않는 부분도 주기적인 요철 형상(1a)이 전사된 구조를 형성되기 때문에, 전체에 걸쳐 균일한 광의 투과성을 구비한 투명 도전막을 얻을 수 있다.
이어서, 도 2를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 이 제 2 실시예에서는 도 2의 (a)에 도시한 기판(3)에 대하여, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 도포한다.
이어서, 도 2의 (c), 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, 기판(3)에 도포된 재료(2)와 접촉하도록 소정의 요철 형상(1a)을 가지는 몰드(1)를 요철 형상(1a)이 기판(3)측을 향하도록 배치하고, 근접하여 대향 배치된 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 재료(2)가 개재된 상태로 한다. 이 때, 적어도 몰드(1)의 요철 형상(1a)이 재료(2)로 매립되도록 재료(2)와 몰드(1)를 접촉시킨다. 그리고, 이 상태에서 재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리를 행한다.
이어서, 도 2의 (e)에 도시한 바와 같이 몰드(1)를 재료(2)로부터 박리한다. 이에 따라, 도 2의 (e)의 우측에 도시한 바와 같이, 경화된 재료(2)의 몰드(1)의 볼록부가 존재했던 부위에 형성된 오목부(2b)의 주위에, 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 분산된 망목 형상의 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하는 수지 박막 또는 섬유 형상 도전성 물질(2a)의 망목 형상 박막이 형성된다.
상기한 바와 같이, 제 2 실시예에서는 몰드(1)측이 아닌 기판(3)측에 재료(2)를 도포시킨 점이 전술한 제 1 실시예와 상이하고, 그 외의 점은 제 1 실시예와 동일하다. 이 때문에 중복되는 설명은 생략한다. 이 제 2 실시예에서도 전술한 제 1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이어서, 도 3을 참조하여 본 발명의 제 3 실시예에 대하여 설명한다. 이 제 3 실시예에서는 우선 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이 몰드(1)와 기판(3)을 몰드(1)의 요철 형상(1a)을 기판(3)측을 향하여 근접 대향 배치한 상태로 한다.
그리고, 도 3의 (b)에 도시한 바와 같이, 이 상태에서 몰드(1)와 기판(3)의 사이에, 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 주입한다. 이에 따라, 근접하여 대향 배치된 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 재료(2)가 개재된 상태로 한다. 그리고, 이 상태에서 재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리를 행한다. 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 재료(2)를 주입하는 방법으로서는, 예를 들면 몰드(1)와 기판(3)의 측방으로부터 이들의 사이에 주입하는 방법, 미리 몰드(1)에 복수의 관통홀을 형성해 두고 이들의 관통홀로부터 주입하는 방법 등을 이용할 수 있다.
이어서, 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이 몰드(1)를 재료(2)로부터 박리한다. 이에 따라, 도 3의 (c)의 우측에 도시한 바와 같이, 경화된 재료(2)의 몰드(1)의 볼록부가 존재했던 부위에 형성된 오목부(2b)의 주위에, 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 분산된 망목 형상의 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하는 수지 박막 또는 섬유 형상 도전성 물질(2a)의 망목 형상 박막이 형성된다.
상기한 바와 같이, 제 3 실시예에서는 몰드(1)에 재료(2)를 도포하는 것이 아니라 몰드(1)와 기판(3)을 근접하여 대향 배치한 상태로 하고, 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 재료(2)를 주입한 점이 전술한 제 1 실시예와 상이하고, 그 외의 점은 제 1 실시예와 동일하다. 이 때문에 중복되는 설명은 생략한다. 이 제 3 실시예에서도 전술한 제 1 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이어서, 도 4를 참조하여 본 발명의 도전막의 제조 장치의 실시예에 대하여 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 도전막의 제조 장치(100)는 섬유 형상 도전성 물질(2a)을 포함하고 유동성을 가지는 재료(2)를 수용하는 용기(101)를 구비하고 있다. 이 용기(101)에는 내부에 수용한 재료(2)를 교반하기 위한 교반 기구(102)가 설치되어 있다. 또한, 용기(101)와 연통한 노즐(103)이 설치되고, 용기(101) 내에 수용된 재료(2)를 표면에 소정의 요철 형상(1a)이 형성된 몰드(1) 또는 기판(3) 중 어느 일방(도 4에서는 몰드(1))에 도포할 수 있도록 되어 있다.
또한, 도전막의 제조 장치(100)에는 기판(3)을 보지(保持)하고, 몰드(1)와 기판(3)을 근접시키기 위한 기구로서 기판 스테이지(104)와, 몰드(1)와 기판(3)의 사이에 협지(狹持)된 재료(2)의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 경화 유닛(105)이 설치되어 있다. 이 경화 유닛(105)은 가열 기구 또는 자외선 조사 기구로 구성되고, 이 경화 수단을 적용하는 도전막의 종류에 따라, 반응 시간 및 경화 유닛(105) 내의 환경을 변경 가능한 것으로 한다.
또한, 도전막의 제조 장치(100)에는 벨트 컨베이어로 이루어진 반송 기구(106)가 설치되어 있고, 몰드(1) 및 기판(3)을 노즐(103)의 배치 위치로부터 경화 유닛(105) 내까지 반송할 수 있도록 되어 있다. 상기 구성의 도전막의 제조 장치(100)에서는 반송 기구(106)에 의해 몰드(1) 및 기판(3)을 반송하면서 기판(3)에 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 망목 형상으로 분산된 박막으로 이루어진 도전막을 형성할 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 도전막의 제조 장치(110)의 구성을 도시한 것이다. 또한, 도 5에서 도 4에 도시한 도전막의 제조 장치(100)와 대응하는 부분에는 동일한 부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.
본 실시예의 도전막의 제조 장치(110)는 판상(板狀)의 기판(3) 대신에 가요성(可撓性)을 가지는 플렉서블 기판(113)을 이용하는 것이며, 롤 형상의 플렉서블 기판(113)을 간격을 두고 설치된 타방의 롤에서 권취함으로써 반송되도록 구성되어 있다. 또한, 판상의 몰드(1) 대신에 표면에 소정의 요철 형상(111a)이 형성된 롤러 형상 몰드(111)가 설치되어 있고, 이 롤러 형상 몰드(111)를 플렉서블 기판(113)에 도포된 재료(2)에 접촉시킨 상태에서 롤러 형상 몰드(111)와 플렉서블 기판(113)의 사이에 개재된 재료(2)를 경화 유닛(105)에 의해 경화시키는데, 이 경화 수단을 적용하는 도전막의 종류 및 롤러 형상 몰드(111)의 회전 기구에 따라, 반응 시간 및 경화 유닛(105) 기구 내의 환경을 변경 가능한 것으로 한다.
그리고, 플렉서블 기판(113)의 반송에 맞추어 롤러 형상 몰드(111)를 회전시킴으로써, 차례로 플렉서블 기판(113) 상에 섬유 형상 도전성 물질(2a)이 망목 형상으로 분산된 박막으로 이루어진 도전막을 형성하도록 구성되어 있다. 본 실시예의 도전막의 제조 장치(110)에서도 전술한 실시예와 동일한 효과를 나타낼 수 있고, 또한 플렉서블 기판(113)을 이용함으로써 연속적으로 도전막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 각종의 변형이 가능한 것은 물론이다.
산업상의 이용 가능성
본 발명의 도전막의 제조 방법 및 제조 장치 및 도전막은, 도전막을 가지는 각종의 전자 기기의 제조 분야 등에서 이용할 수 있다. 따라서, 산업상의 이용 가능성을 가진다.
1 : 몰드
1a : 요철 형상
2 : 재료
2a : 섬유 형상 도전성 물질
2b : 오목부
3 : 기판

Claims (15)

  1. 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드와 기판의 사이에, 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과,
    상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  2. 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드 상에 도포하는 공정과,
    기판을 상기 몰드에 도포된 상기 재료에 접촉시켜 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과,
    상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  3. 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 기판에 도포하는 공정과,
    표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드를 상기 기판에 도포된 상기 재료에 접촉시켜 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과,
    상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  4. 기판과 표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드를, 상기 요철 형상을 상기 기판측을 향해 근접 배치하는 공정과,
    섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 상기 기판과 상기 몰드의 사이에 주입하여, 상기 몰드와 상기 기판의 사이에 상기 재료를 개재시킨 상태로 하는 공정과,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 공정과,
    상기 몰드를 상기 재료로부터 박리하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 재료는 용매에 섬유 형상 도전성 물질을 혼합시킨 것임을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리는 가열 처리인 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 재료는 수지 용액에 섬유 형상 도전성 물질을 혼합시킨 것임을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리는 가열 처리인 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리는 자외선 조사 처리인 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 섬유 형상 도전성 물질은 카본 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 방법.
  11. 기판에 도전막을 형성하기 위한 도전막의 제조 장치로서,
    섬유 형상 도전성 물질을 포함하고 유동성을 가지는 재료를 수용하고, 상기 재료를 교반하기 위한 기구를 가지는 용기와,
    표면에 소정의 요철 형상이 형성된 몰드와,
    상기 용기에 연통하고, 상기 재료를 상기 몰드 또는 상기 기판 중 어느 일방에 도포하기 위한 노즐과,
    상기 몰드와 상기 기판을 근접시킨 상태로 보지(保持)하는 기구와,
    상기 몰드와 상기 기판의 사이에 개재하는 상기 재료의 유동성을 저하시키는 처리를 행하는 경화 유닛
    을 구비한 것을 특징으로 하는 도전막의 제조 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 경화 유닛은 상기 재료를 가열하는 것임을 특징으로 하는 도전막의 제조 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 경화 유닛은 상기 재료에 자외선을 조사하는 것임을 특징으로 하는 도전막의 제조 장치.
  14. 섬유 형상 도전성 물질을 포함하고, 상면에 소정의 주기적 요철 구조를 가지는 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 도전막.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 섬유 형상 도전성 물질이 카본 나노 튜브인 것을 특징으로 하는 도전막.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102565810B1 (ko) * 2022-09-05 2023-08-09 금오공과대학교 산학협력단 연속 생산 가능한 자가 패터닝 신축 전극 및 그의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793024B2 (en) * 2015-07-22 2017-10-17 The Boeing Company Electrically conductive coating materials, electrically conductive coating systems, and methods including the same
CN111936311A (zh) * 2018-04-17 2020-11-13 3M创新有限公司 导电膜
KR20210091555A (ko) * 2020-01-14 2021-07-22 에스케이이노베이션 주식회사 패턴화된 유연 전극의 제조방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55141789A (en) * 1979-04-20 1980-11-05 Toppan Printing Co Ltd Conductive resistance film transfer and method of transferring same
US5756197A (en) * 1994-10-12 1998-05-26 Manfred R. Kuehnle Metal-pigmented composite media with selectable radiation-transmission properties and methods for their manufacture
US6355198B1 (en) * 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
JP3694825B2 (ja) * 1999-11-18 2005-09-14 日本航空電子工業株式会社 導体パターンの形成方法及びコネクタ、フレキシブルプリント配線板、異方導電性部材
JP2003198184A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シートの製造方法および電磁波遮蔽シート
US6988925B2 (en) * 2002-05-21 2006-01-24 Eikos, Inc. Method for patterning carbon nanotube coating and carbon nanotube wiring
US20030224623A1 (en) * 2002-05-31 2003-12-04 Tohoku Pioneer Corporation Insulating resin film and method of forming fine patterns of insulating resin film
JP2007112133A (ja) * 2003-01-30 2007-05-10 Takiron Co Ltd 導電性成形体
US6860956B2 (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Agency For Science, Technology & Research Methods of creating patterns on substrates and articles of manufacture resulting therefrom
JP3889386B2 (ja) * 2003-09-30 2007-03-07 株式会社東芝 インプリント装置及びインプリント方法
WO2007024323A2 (en) * 2005-06-17 2007-03-01 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials
JP4807817B2 (ja) * 2004-08-05 2011-11-02 三菱レイヨン株式会社 導電性成形体の製造方法、及び導電性成形体
JP2007169120A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 The Inctec Inc カーボンナノチューブの分散方法
JP2007229989A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Takiron Co Ltd 導電性成形体及びその製造方法
JP5160065B2 (ja) * 2006-10-25 2013-03-13 株式会社クラレ 液晶配向膜の製造方法
TWI434904B (zh) * 2006-10-25 2014-04-21 Kuraray Co 透明導電膜、透明電極基板及使用它之液晶配向膜之製法、以及碳奈米管及其製法
US20080131705A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 International Business Machines Corporation Method and system for nanostructure placement using imprint lithography
KR100883737B1 (ko) * 2007-01-17 2009-02-12 삼성전자주식회사 망상 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법
US7956345B2 (en) * 2007-01-24 2011-06-07 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. CNT devices, low-temperature fabrication of CNT and CNT photo-resists
JP2009184155A (ja) * 2008-02-04 2009-08-20 Touch Panel Kenkyusho:Kk 導電性フィルムまたは導電性シートおよび抵抗膜式タッチパネル構造体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102565810B1 (ko) * 2022-09-05 2023-08-09 금오공과대학교 산학협력단 연속 생산 가능한 자가 패터닝 신축 전극 및 그의 제조방법

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