CN101187777A - 压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法 - Google Patents

压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101187777A
CN101187777A CNA200710187100XA CN200710187100A CN101187777A CN 101187777 A CN101187777 A CN 101187777A CN A200710187100X A CNA200710187100X A CN A200710187100XA CN 200710187100 A CN200710187100 A CN 200710187100A CN 101187777 A CN101187777 A CN 101187777A
Authority
CN
China
Prior art keywords
template
imprint lithography
back side
side support
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200710187100XA
Other languages
English (en)
Inventor
金柄郁
俞载元
申承协
李纪万
宋晙溶
李骐范
李原荣
李圣贤
郭恩珍
李命洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongjin Semichem Co Ltd
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of CN101187777A publication Critical patent/CN101187777A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
    • B41K3/00—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped
    • B41K3/02—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法，所述压印光刻用模板能够防止由压印光刻中出现的静电所产生的杂质的粘合以及下部图案的损毁，能够在基板上提供具有良好品质的图案，所述压印光刻方法是利用高分子树脂模的成型物制造工序，在该方法中，在利用高分子树脂的模板形成图案时，在具有图案形状的高分子树脂模的背面使用通过蒸镀等而含有导电体的透光率高的导电层作为背面支持体，从而抑制静电的产生。本发明的压印光刻用模板的特征在于，其包括高分子树脂模和具有透光性和传导性的背面支持体，所述高分子树脂模在一面形成有用于形成图案的凹凸，所述背面支持体附着于上述高分子树脂模的与形成有凸凹一面相反的面上。

Description

压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法
技术领域
本发明涉及压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法，更详细地说，本发明所涉及的压印光刻用模板能够防止由压印光刻中出现的静电所产生的杂质的粘合以及下部图案的损毁，能够在基板上提供具有良好品质的图案，所述压印光刻方法是利用高分子树脂模的成型物制造工序，在该方法中，在利用高分子树脂的模板形成图案时，在具有图案形状的高分子树脂模的背面使用通过蒸镀等而含有导电体的透光率高的导电层作为背面支持体，从而抑制静电的产生。
背景技术
曝光技术是在半导体和LCD制造工序中所利用的光刻工序，其基于投射印刷法，该技术使用短波长的光源和2个以上的光学透镜，作为在基板上形成微细图案的必要工序而实施，将图案间接地转印在晶片或玻璃等基板上。
所述光刻工序方法中，将图案形成对象物质蒸镀在基板上形成薄膜后，在其上蒸镀或涂布具有光反应性的高分子物质(光致抗蚀剂等)。然后，在正性光致抗蚀剂的情况下，利用阳刻设计有所期望的图案的掩模，对高分子物质照射光进行曝光后，利用显影液除去经光照射部分的高分子物质，在基板上阳刻形成与所设计的掩模形状一致的高分子物质(光致抗蚀剂)的图案。将阳刻形成有所述高分子物质图案的基板暴露在蚀刻液或蚀刻气体中，形成图案的高分子物质对于蚀刻液体或蚀刻气体起到掩模的作用，将初期蒸镀物质形成为与所期望的形状一致的图案。
但是，现有的光刻工序中，极限解析度取决于光的波长，因此，以现在的技术水平，在数十纳米的细微图案的形成中表现为极限，不仅如此，由于工序又多又复杂，工序耗费大量时间。并且，根据基板的大小，需要大型且高价的工序设备，从而存在制造成本增高和给生产率带来不良影响这样根本的问题。
为了克服这种现有的光刻方法的极限，提案出了各种平版印刷法。
作为这样的平版印刷法中的一种，提案出了压印光刻法，在这种图案形成方法中使用的模板可以使用透光率良好的高分子树脂，这种透光率良好的高分子树脂主要使用道康宁公司的Sylgard(R)184 siliconeelastomer kit(下文中称为PDMS)或MINS。
下述图1为示意性地表示现有的压印光刻用模板的制作方法的工序流程图。
首先，如图1所示，将没有固化的高分子树脂102a注入到原板铸模101中，固化后，使原板铸模101的图案得到转印。
接着，将固化后的高分子树脂模102b从所述原板铸模101上分离下来。
形成图案后，在高分子树脂模102b的背面安上用于防止高分子树脂模102b收缩和松懈的背面支持体103，由此可以制作粘结或粘合有背面支持体的模板104。作为这种背面支持体的原料(素材)，使用玻璃基板(裸玻璃)、COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)、环氧树脂(Epoxy Resin)及其化合物等透光率良好的原料。如此制作出的粘结或粘合有背面支持体的模板104能够确保图案的均匀度。
下述图2为示意性地表示根据已有方式利用模板形成图案的方法的工序流程图。
首先，图2中，在玻璃基板105上涂布用于形成图案的聚合物106a后，将用于形成图案的聚合物106a压在形成有图案的模板104上，使粘结或粘合有背面支持体的中间模板104的图案转印在用于形成图案的聚合物106a上。
然后，照射紫外线(UV)，以使用于形成图案的聚合物106a固化后，将粘结或粘合有背面支持体的模板104分离开，从而在基板上得到形成了图案的聚合物106b。
但是，大部分高分子树脂102b的原料属于非导体。粘结或粘合有背面支持体的光刻用模板104与用于形成图案的聚合物106a相互接触时，带负电的电子在两种原料的分子之间自由移动，当相接触的光刻用高分子树脂铸模与用于形成图案的聚合物分离开时，一侧的原料获得电子带负电，另一侧的原料失去电子带正电。由于非导体中电子难于移动，一旦带电后，静电很难消除。因此，粘结或粘合有背面支持体的光刻用模板104的表面上滞留的静电引起放电，成为导致用于形成图案的聚合物106a下面的基板105的硅氧化膜和金属电路损伤的不良原因。并且，静电使杂质吸附在粘结或粘合有背面支持体的模板104的表面上，随着工序的进行，各种尘埃不断地流入并蓄积。
因此，在利用模板的压印光刻工序中，需要一种能够去除和屏蔽静电的方法。
发明内容
为了解决上述现有技术的问题点，本发明的目的在于提供一种压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法，所述模板在反复进行压印光刻工序时也能去除或屏蔽静电，能够防止杂质的附着，防止图案的损毁。
为了实现上述目的，本发明提供一种压印光刻用模板，其特征在于，该压印光刻用模板中包括：
在一面形成有用于形成图案的凹凸的高分子树脂模；以及
具有透光性和传导性的背面支持体，其附着于所述高分子树脂模的与形成有凸凹的一面相反的面上。
并且，本发明提供一种压印光刻方法，其特征在于，所述压印光刻方法包括：
采用感光性物质在基板上形成被加工层的步骤；
准备所述压印光刻用模板的步骤；
使所述压印光刻用模板与所述被加工层接触的步骤；
进行光照射，使所述被加工层固化的步骤；以及
将所述压印光刻用模板与所述被加工层分离的步骤。
根据本发明的压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法，可以去除并防止利用压印光刻用模板的压印工序中产生的静电，具有抑制压印光刻用模板表面上吸附或产生杂质的效果，可以防止由于蓄积的静电电压产生的放电所导致的基板的金属电路或图案的损伤，具有提高工序效率的效果。
附图说明
图1是示意性地表示现有的压印光刻用模板的制作方法的工序流程图。
图2是示意性地表示利用现有的压印光刻用模板形成图案的压印光刻方法的工序流程图。
图3是示意性地表示本发明的压印光刻用模板的制作方法的工序流程图。
图4是针对于本发明的压印光刻用模板的一个实施方式显示截面的附图。
图5是表示利用本发明的压印光刻用模板来形成图案的方法的工序流程图。
具体实施方式
下面参照附图详细地对本发明进行说明。
本发明涉及压印光刻用模，其中，压印光刻用模板通过包含高分子树脂模102b和背面支持体而构成，所述高分子树脂模102b在一面形成有用于形成图案的凹凸，所述背面支持体附着于所述高分子树脂模的与形成有凸凹的一面相反的面上，并具有透光性和传导性。
下面参照附图详细地对本发明进行说明。
图3是示意性地表示关于本发明的压印光刻用模板的制作方法的一个实施方式的工序流程图，如图3所示，向原板铸模101上注入未固化的高分子树脂102a并固化，以使原板铸模101的图案得到转印。接着，将固化后的高分子树脂(下文中称为高分子树脂)102b从所述原板铸模101上分离下来。在形成有图案的高分子树脂模102b的背面安装用于防止高分子树脂模102b收缩和松懈的背面支持体103，由此可以制作压印光刻用模板104。如图3所示，这种所述背面支持体103是通过在背面支持体的上部和下部涂布或蒸镀透光率高且导电率高的原料而完成的背面支持体。由此制成的压印光刻用模板具有图4所示的结构。但是，这只不过给出了本发明的压印光刻用模板的一个实施方式。
另外，对于所述背面支持体，使背面支持体具有透光性和传导性便于图案形成和电荷放电的各种结构也包括于其中，通过所述背面支持体使滞留于高分子树脂模中的静电放电，作为优选的所述背面支持体，可以举出：a)在550nm波长下的透过率至少为80％的材料中含有具有透光性和传导性的物质的支持体；或b)在550nm波长下的透过率至少为80％的材料上涂布或以膜形态附着具有透光性和传导性的物质的支持体；或c)在所述a)上涂布或以膜形态附着具有透光性和传导性的物质的支持体。即，为了保障上述在550nm波长下的透过率至少为80％的材料在压印时的曝光过程中能够进行适当固化，透过率以所述范围为宜，并且，所述传导性只要具有能够排出背面支持体的静电荷的传导性即可，作为与此相关的具体的范围，以比电阻为0.1Ωm以下为宜。
进一步优选所述具有透光性和传导性的物质为传导性高分子或传导性金属氧化物，作为与此相关的具体例，所述传导性高分子可以举出PEDOT(聚乙撑二氧噻吩)、PODET、聚乙炔(Polyacetylene)、聚苯胺(Polyaniline)或聚吡咯(Polypyrrole)等，所述传导性金属氧化物可以举出ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IZTO(氧化铟锡锌)等。由此可以快速进行电荷的转移。
并且，所述在550nm波长下的透过率至少为80％的材料可以举出玻璃、COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)或环氧树脂(Epoxy Resin)原料的化合物且为透明的材料。
对于与此相关的具体例分别举例如下。
首先，作为a)在550nm波长下的透过率至少为80％的材料中含有具有透光性和传导性的物质的支持体，其具体例可以举出含有所述传导性高分子(PEDOT、PODET、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯等)或传导性金属氧化物(ITO(氧化铟锡))、IZO(氧化铟锌)或IZTO(氧化铟锡锌))的玻璃(裸玻璃)、COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)或环氧树脂(Epoxy Resin)原料的化合物。对于所述具有透光性和传导性的物质的混合比率，可以在具有适当的传导性的范围内自由变化，作为与此相关的具体例，本领域技术人员可以在0.01重量％～99.99重量％的范围内任意调节。
作为使背面支持体含有所述具有透光性和传导性的物质的方法，可以应用包括单纯的混合、以线(wire)状插入、层叠等的公知的各种方法。
接着，作为b)在550nm波长下的透过率至少为80％的材料上涂布或以膜形态附着具有透光性和传导性的物质的支持体的具体例，可以举出如下制成的支持体：在由玻璃(裸玻璃)、COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)或环氧树脂(EpoxyResin)原料的化合物构成的板上，也即，在图4所示那样的上板或下板上涂布或以膜形态附着所述传导性高分子(PEDOT、PODET、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯等)或传导性金属氧化物(ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)或IZTO(氧化铟锡锌))。特别是在所述传导性金属化合物的情况中，所述涂布优选以蒸镀或溅射的方式进行，在传导性高分了的情况中，不仅可以涂布，也可以以膜形态附着。
作为与此相关的具体例，可以举出：1)将与所述高分子树脂模粘合和粘结的背面支持体横放时，在背面支持体的下部整个面涂布ITO(氧化铟锡)的玻璃；2)将与所述高分子树脂粘合和粘结的背面支持体横放时，在部分或全部的背面支持体上涂布ITO的玻璃；3)在所述背面支持体上部分或全部涂布透光率高且导电率高的传导性高分子的玻璃；或4)在由非传导性透明材料构成的板上涂布或以膜形态附着传导性物质的板。
即，首先，1)将所述形成有图案的高分子树脂模与背面支持体横放时，在背面支持体的下部粘合和粘结蒸镀有ITO的部分来构成背面支持体的情况中，可以如图5所示的工序流程图所示进行工序，该流程图给出了通过使用在本发明的压印光刻用模板制造过程中在具有图案形状的高分子树脂的背面蒸镀有ITO的背面支持体来形成图案的方法。
首先，图5中，在玻璃基板105上涂布用于形成图案的聚合物106a后，将与形成有图案的高分子树脂102b粘合和粘结的背面支持体横放，以由在背面支持体的下部103a上全面涂布有ITO的背面支持体103构成的模板104按压用于形成图案的聚合物106a，以使压印光刻用模板104的图案转印在聚合物106a上。此时，蒸镀在所述背面支持体103的下部103a上的ITO诱导静电，将静电除去。
然后，利用光线照射进行固化工序，UV固化工序结束后，将压印光刻用模板104与形成有图案的聚合物106b分离开。此时，蒸镀在所述背面支持体103的下部103a上的ITO诱导静电，将静电除去。由此防止图案的损毁，防止模上附着杂质。
其次，2)将所述玻璃背面支持体横放时，在i)在上部103b上蒸镀ITO、ii)在上部103a或下部103b的一个面以上蒸镀ITO、iii)在上部103a或下部103b的一个面以上部分蒸镀ITO的情况中，可以利用与上述相同的方法形成图案。
并且，为了获得所述背面支持体的高传导度和放电特性，优选蒸镀ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZTO(氧化铟锡锌)等透光率高且导电率高的物质中的任一种。
另外，在其他的背面支持体中，在3)在所述玻璃背面支持体103的i)上部103a或下部103b的一个面或两个面上全面涂布透光率高且导电率高的传导性高分子、ii)上部103a或下部103b的一个面以上蒸镀传导性高分子、iii)上部103a或下部103b的一个面以上部分蒸镀传导性高分子的情况中，可以利用与上述相同的方法形成图案。
最后，4)在由非传导性透明材料构成的板上涂布或以膜形态附着传导性物质的情况是在由玻璃(裸玻璃)、COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)、环氧树脂(Epoxy Resin)原料的透明材料构成的背面支持体上涂布所述传导性物质来形成板的情况，可以由此利用与上述相同的方法形成图案。并且，为了获得所述背面支持体的高传导度和放电特性，优选蒸镀透光率高且导电率高的ITO、IZO、IZTO类中的任一种，或是涂布或以膜形态附着透光率高且导电率高的传导性高分子。
最后，在c)在所述a)上涂布或以膜形态附着具有透光性和传导性的物质的支持体的情况中，在构成所述a)的形态的支持体上以所述b)的方式涂布或以膜形态附着具有透光性和传导性的物质，作为与此相关的具体例，包括透光率高且导电率高的诸如PEDOT、PODET、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯等传导性高分子，作为具体例，可以举出在由COC(环烯烃共聚物)、PAc(聚丙烯酸酯)、PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES(聚醚砜)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PO(聚烯烃)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PSF(聚砜)、PVA(聚乙烯醇)、PVCi(聚乙烯醇肉桂酸酯)、TAC(三醋酸纤维素)、有机硅聚合物(Poly Silicone)、聚氨酯(Polyurethane)、环氧树脂(Epoxy Resin)原料的透明材料构成的背面支持体上涂布或以膜形态附着传导性物质所形成的板，利用附着有如此构成的背面支持体的高分子树脂模，可以以与上述相同的方法形成图案。并且，此处，对于所述涂布或以膜形态附着的传导性物质，为了如上获得所述背面支持体的高传导度和放电特性，优选蒸镀或溅射透光率高且导电率高的ITO、IZO、IZTO类中的任一种，或是涂布或以膜形态附着透光率高且导电率高的PEDOT、PODET、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯等传导性高分子。
此外，所述背面支持体可以通过进一步包括与其连结的放电板或接地线而构成。由此可以有效地释放残留于背面支持体上的静电。
并且，本发明提供应用这种本发明的压印光刻用模板的压印光刻方法，该方法如图5所示，该压印光刻方法通过包括如下步骤而构成：采用感光性物质在基板上形成被加工层的步骤；准备所述压印光刻用模板的步骤；使所述压印光刻用模板与所述被加工层接触的步骤；进行光照射，使所述被加工层固化的步骤；以及将所述压印光刻用模板与所述被加工层分离的步骤，与此相关的说明如上所述。
下面，为了便于理解本发明，给出优选的实施例，但下述的实施例仅为本发明的示例，本发明的范围不受下述实施例的限定。
<实施例1>
在将所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的玻璃横放的状态下，在背面支持体的下部以1500蒸镀ITO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行压印光刻后，使压印光刻用模板与形成了图案的聚合物分离，然后在与压印光刻用模板隔开1mm的位置利用静电电压测试仪测定静电电压。
<实施例2>
在将所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的玻璃横放的状态下，在背面支持体的上部以1500蒸镀IZO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例3>
在将所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的玻璃横放的状态下，在背面支持体的上部以1500蒸镀ITO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例4>
在所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的玻璃上，在上下部以1500蒸镀ITO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例5>
在所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的PET上，在下部以1500蒸镀ITO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例6>
在所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的PET上，在下部以1500蒸镀IZO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例7>
在所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的PET上，在上部以1500蒸镀ITO，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<实施例8>
在所述形成有图案的高分子树脂模与作为背面支持体的PET上，在下部蒸镀PEDOT，利用与背面支持体的下部相粘结的压印光刻用模板进行与实施例1相同的操作。
<比较例>
使用粘结有其原料由玻璃(Glass)构成的背面支持体的压印光刻用模板，进行与实施例1相同的操作。
在上述实施例和比较例中测定静电电压的结果如下表1所示。
[表1]
   分类 背面支持体原料   传导性物质 传导性物质位置  静电电压(Kv)
  实施例1     玻璃     ITO     下部     0.1
  实施例2     玻璃     IZO     下部     0.0
  实施例3     玻璃     ITO     上部     0.2
  实施例4     玻璃     ITO     上、下部     0.3
  实施例5     PET     ITO     下部     0.2
  实施例6     PET     IZO     下部     0.1
  实施例7     PET     ITO     上部     0.3
  实施例8     PET     PEDOT     下部     0.2
  比较例1     玻璃     -      -     20.0
如上述表1所示，在实施例1至8中使用了含有传导性物质的背面支持体，从而静电电压测定为0.0Kv～0.3Kv。与此相对，在比较例1中使用粘结了不含有传导性物质的背面支持体的压印光刻用模板的情况下，静电电压测定为20.0Kv。由此可以确认，使用了在全部面或部分面上蒸镀或涂布传导性物质的背面支持体的压印光刻用模板的静电去除能力是优异的。
以上说明的本发明不受上述实施例和附图的限制，勿庸置疑，在不脱离权利要求书所述的本发明的思想和领域的范围内，本领域的技术人员所做的各种修改和变更也包含在本发明的范围内。

Claims (8)

1.一种压印光刻用模板，该压印光刻用模板的特征在于，其包括：
高分子树脂模，所述高分子树脂模在一面形成有用于形成图案的凹凸；以及
具有透光性和传导性的背面支持体，所述背面支持体附着于所述高分子树脂模的与形成有凸凹的一面相反的面上。
2.如权利要求1所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述背面支持体为下述a)或b)或c)所述的支持体，所述a)为在550nm波长下的透过率至少为80％的材料中含有具有透光性和传导性的物质的支持体，所述b)为将具有透光性和传导性的物质涂布至或以膜形态附着至550nm波长下的透过率至少为80％的材料上的支持体，所述c)为将具有透光性和传导性的物质涂布至或以膜形态附着至所述a)上的支持体。
3.如权利要求2所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述具有透光性和传导性的物质为传导性高分子或传导性金属氧化物。
4.如权利要求3所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述传导性高分子为PEDOT、PODET、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯，所述传导性金属氧化物为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟锡锌。
5.如权利要求2所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述550nm波长下的透过率至少为80％的材料是玻璃、环烯烃共聚物、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚烯烃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚砜、聚乙烯醇、聚乙烯醇肉桂酸酯、三醋酸纤维素、有机硅聚合物、聚氨酯或环氧树脂原料。
6.如权利要求2所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述涂布采用旋涂、溅射或蒸镀工序进行。
7.如权利要求1～6任一项所述的压印光刻用模板，其特征在于，所述模板进一步包含与所述背面支持体连结的放电板或接地线。
8.一种压印光刻方法，所述压印光刻方法的特征在于，其包括下述步骤：
采用感光性物质在基板上形成被加工层的步骤；
准备权利要求1～6任一项所述的压印光刻用模板的步骤；
使所述压印光刻用模板与所述被加工层接触的步骤；
进行光照射，使所述被加工层固化的步骤；以及
将所述压印光刻用模板与所述被加工层分离的步骤。
CNA200710187100XA 2006-11-24 2007-11-23 压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法 Pending CN101187777A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060116764A KR101322133B1 (ko) 2006-11-24 2006-11-24 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피 방법
KR1020060116764 2006-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101187777A true CN101187777A (zh) 2008-05-28

Family

ID=39480219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200710187100XA Pending CN101187777A (zh) 2006-11-24 2007-11-23 压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101322133B1 (zh)
CN (1) CN101187777A (zh)
TW (1) TWI440974B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090246309A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Ryuta Washiya Fine structure imprinting machine
CN102361013A (zh) * 2011-11-08 2012-02-22 无锡瑞威光电科技有限公司 一种适用于晶圆级倒装芯片的金凸点制作方法
CN102508410A (zh) * 2011-10-27 2012-06-20 南京大学 一种三明治结构复合纳米压印模板及其制备方法
CN103360709A (zh) * 2013-06-25 2013-10-23 辅讯光电工业（苏州）有限公司 多功能光学膜及其组成物、多功能光学板及其制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101603222B1 (ko) * 2009-07-28 2016-03-15 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 장비
KR101515180B1 (ko) * 2012-05-18 2015-04-24 주식회사 휴템 유체압을 이용한 기판접합 장치 및 기판접합 방법
KR101399440B1 (ko) 2012-06-20 2014-05-28 한국기계연구원 플라즈모닉 나노리소그래피 장치용 스탬프 제조방법 및 플라즈모닉 나노리소그래피 장치
JP7027099B2 (ja) * 2017-09-29 2022-03-01 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990010876A (ko) * 1997-07-18 1999-02-18 김영귀 차량의 콘솔 박스 개폐장치
EP1512048B1 (en) * 2001-05-16 2007-03-07 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
KR100943561B1 (ko) * 2003-06-03 2010-02-22 엘지전자 주식회사 파장 필터 제조 방법
KR100601263B1 (ko) * 2003-09-18 2006-07-14 주식회사 미뉴타텍 급속 가열 나노 몰딩을 이용한 미세 패턴 형성 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090246309A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Ryuta Washiya Fine structure imprinting machine
CN102508410A (zh) * 2011-10-27 2012-06-20 南京大学 一种三明治结构复合纳米压印模板及其制备方法
CN102361013A (zh) * 2011-11-08 2012-02-22 无锡瑞威光电科技有限公司 一种适用于晶圆级倒装芯片的金凸点制作方法
CN102361013B (zh) * 2011-11-08 2015-05-20 无锡瑞威光电科技有限公司 一种适用于晶圆级倒装芯片的金凸点制作方法
CN103360709A (zh) * 2013-06-25 2013-10-23 辅讯光电工业（苏州）有限公司 多功能光学膜及其组成物、多功能光学板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI440974B (zh) 2014-06-11
KR20080046986A (ko) 2008-05-28
TW200834239A (en) 2008-08-16
KR101322133B1 (ko) 2013-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101187777A (zh) 压印光刻用模板和应用该模板的压印光刻方法
US8012667B2 (en) Soft mold and method of fabricating the same
CN102870193B (zh) 选择性纳米颗粒组装系统和方法
CN101923279B (zh) 纳米压印模板及其制备方法
KR20020073329A (ko) 액체 엠보싱에 의해 정밀하게 형성되는 장치의 제조
JP2016502227A (ja) 熱融着転写を用いた柔軟埋込型電極フィルムの製造方法
JP2002060979A (ja) マイクロコンタクト・プリンティングによるパターン化されたインジウム亜鉛酸化物フィルムおよびインジウムすず酸化物フィルムの形成方法
CN105453001A (zh) 将电子部件粘结到图案化纳米线透明导体
KR102196530B1 (ko) 전도성 입자 또는 강화 필러를 포함하는 신축성 기판의 제조방법 및 그를 포함하는 신축성 전자기기의 제조방법
TW201306273A (zh) 肖特基二極體及其製備方法
CN102508410A (zh) 一种三明治结构复合纳米压印模板及其制备方法
Kusaka et al. Microcontact patterning of conductive silver lines by contact inking and its layer-transfer mechanisms
CN101837951B (zh) 图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置和方法
Sneck et al. Reverse-offset printing of polymer resist ink for micrometer-level patterning of metal and metal-oxide layers
CN1595241A (zh) 液晶显示器图案形成方法及制造tft阵列基板的方法
KR20120020012A (ko) 유기-무기 복합체 및 이로부터 제조된 나노임프린트용 스탬프
KR20190131598A (ko) 어레이 기판, 디스플레이 기판의 제조 방법 및 디스플레이 패널
Giammaria et al. Technological strategies for self-assembly of PS-b-PDMS in cylindrical sub-10 nm nanostructures for lithographic applications
EP1342736B1 (en) Prepolymer material, polymer material, imprinting process and their Use
CN106024810A (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法和显示装置
CN103137267A (zh) 导电膜的制造方法及制造装置以及导电膜
CN105093824B (zh) 一种气电协同的大面积纳米压印光刻方法
Hohenberger et al. Rapid and high throughput fabrication of high temperature stable structures through PDMS transfer printing
Pina-Hernandez et al. Easy duplication of stamps using UV-cured fluoro-silsesquioxane for nanoimprint lithography
Shin et al. Diazoketo-functionalized POSS resists for high performance replica molds of ultraviolet-nanoimprint lithography

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20080528