KR20120019620A - 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 서셉터에 매설된 발열체 또는 RF전극판에 전원을 제공하는 파이프의 부식을 방지하는 장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태인 서셉터는 기판이 놓여지는 기판지지플레이트와, 상기 기판지지플레이트의 일면에 결합되어 상기 기판지지플레이트를 상하로 이동시키는 샤프트와, 상기 기판지지플레이트 내부에 매설되는 매설체와, 상기 샤프트의 내부 공간을 관통하여 상기 매설체에 전원을 제공하는 전원파이프와, 상기 샤프트의 내부 공간을 진공상태로 유지시키는 샤프트 진공처리부를 포함한다.

Description

서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{Susceptor and subtrate treating appratus the same}
본 발명은 서셉터 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로, 서셉터에 매설된 발열체 또는 RF전극판에 전원을 제공하는 파이프의 부식을 방지하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자, 유기 소자 그리고 솔라셀 소자는 복수의 박막을 증착하고, 식각하여 원하는 특성의 소자를 제작한다. 이러한 박막을 증착하거나 식각하기 위한 기판 처리 장치의 경우, 고온(약 300℃ 이상)의 진공 분위기에서 처리된다. 진공 분위기의 기판 처리 장치에서 기판을 처리하기 위하여, 공정 챔버 내측에는 기판이 유입되고, 기판을 고온으로 가열하는 서셉터가 위치한다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 서셉터의 측단면도이다.
서셉터(200)는 웨이퍼가 안착되는 기판지지플레이트(210)와, 기판지지플레이트(210)를 지지하는 샤프트(220)를 포함한다.
기판이 안치되는 기판지지플레이트(210)는, 몸체 내에 삽입 장착되어 상기 기판지지플레이트(210)를 가열하는 발열체(212)와, RF 바이어스를 걸기 위한 RF전위나 RF바이어스에 대향하는 접지전위를 제공하는 RF전극판(211)을 포함한다.
발열체(212)를 이용하여 기판지지플레이트(210) 몸체를 가열함으로써, 상기 기판지지플레이트 몸체 상부에 안착된 기판을 일정 온도로 가열할 수 있다. RF전극판(211)은 공정 챔버(100) 내에 플라즈마를 형성하기 위한 RF전위 또는 RF 바이어스에 대향하는 접지전위를 기판지지플레이트(210)에 제공한다.
상기 발열체(212) 및 RF전극판(211)은 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)를 통해 외부로부터 전원을 제공받는다. 상기 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)는 샤프트(220)의 내부 공간을 각각 관통하여 기판지지플레이트(210) 내부에 형성된 발열체(212) 및 RF전극판(211)에 각각 연결되어 전원을 제공한다.
상기와 같이, 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)가 서셉터의 샤프트(220) 내부 공간을 관통하여 기판지지플레이트(210)와 연결되는 구조를 가지는 경우, 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)의 외부면이 시간이 지남에 따라 부식되는 문제가 있다.
즉, 도 1에 도시한 바와 같이 샤프트(220)의 상부는 공정 챔버(100)내의 진공 상태에 위치하게 되지만, 샤프트(220)의 하부는 공정 챔버(100) 외부에 위치하여 대기 상태에 놓이게 된다. 따라서 샤프트에 삽입되는 파이프와의 경계면 틈을 따라 대기중의 공기가 샤프트(220)와 파이프(221,222) 사이로 흘러들어가, 이로 인하여 샤프트 내부 공간에 위치한 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)가 부식될 우려가 있다.
나아가, 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)를 발열체(212) 및 RF전극판(211)에 각각 연결할 때, 필러(223,224;filler)와 같은 납성분의 재질로 납땜하는데, 경계면 틈을 따라 샤프트 내부 공간로 흘러들어간 대기 중의 공기로 인해 전원연결체인 필러(223,224)가 부식되어, 결국, 발열체(212) 및 RF전극판(211)에 외부의 전원이 제대로 공급되지 않는 문제가 있다.
본 발명의 기술적 과제는 서셉터를 지지하는 샤프트의 내부 공간을 진공 또는 불활성가스 충진상태로 유지하는 데 있다. 또한, 샤프트 내부 공간에 위치하는 기구물(발열체전원파이프 또는 RF전원파이프)의 부식을 방지하는데 있다. 또한, 본 발명의 기술적 과제는 기판지지플레이트의 발열체나 RF전극판에 연결되는 전원연결체의 부식을 방지하는데 있다. 또한, 본 발명의 기술적 과제는 서텝터를 지지하는 샤프트의 내부 공간의 내부면 부식을 방지하는데 있다.
본 발명의 실시 형태인 서셉터는 기판이 놓여지는 기판지지플레이트와, 상기 기판지지플레이트의 일면에 결합되어 상기 기판지지플레이트를 상하로 이동시키는 샤프트와, 상기 기판지지플레이트 내부에 매설되는 매설체와, 상기 샤프트의 내부 공간을 관통하여 상기 매설체에 전원을 제공하는 전원파이프와, 상기 샤프트의 내부 공간을 진공상태로 유지시키는 샤프트 진공처리부를 포함한다.
또한, 상기 서셉터는, 상기 샤프트의 내부 공간에 불활성가스를 주입하는 불활성가스 주입부를 포함한다. 상기 매설체는, 상기 기판지지플레이트를 가열시키는 발열체, 상기 기판지지플레이트에 전위를 제공하는 RF전극판을 포함한다. 상기 RF전극판은 공정챔버 내에 RF전위를 제공하는 RF전위판, 또는, 플라즈마 접지전위를 제공하는 RF접지판으로 구현된다.
상기 전원파이프는, 상기 발열체에 전원을 제공하는 발열체전원파이프, 상기 RF전극판에 RF전위 또는 접지전위를 제공하는 RF전원파이프를 포함한다.
상기 샤프트 진공처리부는, 상기 샤프트 내부 공간과 연결되어 상기 내부 공간을 진공상태로 형성하는 진공 펌프와, 상기 내부 공간과 상기 진공 펌프 사이에 위치하여 상기 진공 펌프의 펌핑 강도를 조절하는 진공밸브를 포함한다.
상기 서셉터는, 상기 샤프트를 상하로 이동시키는 구동부를 더 포함하며, 상기 구동부에 연결되는 플랜지가 상기 샤프트의 외부면에 형성된다. 상기 플랜지가 다수의 단위 플랜지 결합체일 경우, 단위 플랜지 결합체의 틈 사이에 밀봉재가구비된다.
본 발명의 실시예들에 따르면 샤프트 내부 공간에 발열체전원파이프 또는 RF전원파이프의 부식을 방지할 수 있다. 또한, 기판지지플레이트의 발열체나 RF전극판에 연결되는 전원연결체의 부식을 방지함으로써, 안정적으로 전원이 발열체나 RF전극판에 제공될 수 있다. 또한, 기판처리장치의 기구물 부식을 방지함으로써, 기구물 교체 수명이 길어져 비용 절감이 될 수 있다.
도 1은 종래의 기판처리장치의 서셉터의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 측단면을 도시한 그림이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따라 기판지지플레이트의 발열체나 RF전극판에 연결되는 전원연결체의 모습을 도시한 그림이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 진공처리 및 불활성가스 처리하는 밸브 조작 모습을 도시한 그림이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터의 단면을 더욱 상세히 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 측단면을 도시한 그림이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는 가스처리 공정이 이루어지는 공간을 가지는 공정챔버(100), 서셉터(200) 상측에 대응 배치되어 기판(S) 상에 기판 처리 공정가스 원료를 공급하는 공정가스 공급부(300), 공정챔버(100) 내에 위치하여 기판(S)을 지지 가열하는 서셉터(200)를 포함한다.
이밖에, 공정챔버(100) 외부로 돌출된 샤프트(220)의 하부에 연결되어 상기 샤프트(220)에 승하강 및 회전 동력을 제공하는 구동부(400), 공정챔버(100) 외부에 배치되어 기판지지플레이트(210)에 전원을 공급하는 전원 공급부(500)를 포함한다. 또한, 도시되지는 않았지만, 공정챔버(100) 내부의 압력을 일정하게 유지시키는 압력 유지부, 공정챔버(100) 내부의 부산물 및 미반응 물질들을 배기하는 배기부를 포함한다.
공정가스 공급부(300)는, 공정챔버(100) 내측에 설치되어 기판 처리 원료를 기판처리 공간에 분사하는 원료 분사부(320), 원료 분사부(320)에 기판 처리 원료를 공급하는 원료 저장부(310)를 포함한다. 원료 저장부(310)와 원료 분사부(320)는 별도의 공급 파이프에 의해 연결된다. 그리고 상기 공급 파이프에는 공급되는 원료량을 제어하기 위한 제어수단 예를 들어, MFC가 마련될 수도 있다. 그리고 원료 분사부(320)는 샤워헤드(showerhead) 형태로 제작되는 것이 효과적이다.
물론 이에 한정되지 않고 다양한 형상으로 제작될 수 있다. 기판 처리 원료는 공정챔버(100) 내측에서 수행되는 기판 처리 공정에 따라 다양한 물질을 사용할 수 있다. 이때 원료의 형태로는 가스, 액체 또는 전구체를 사용할 수 있다. 그리고 기판 처리 공정에 따라 원료 공급부로서 금속 타겟을 사용할 수도 있다.
공정챔버(100)는 내부공간을 갖는 통 형상으로 제작된다. 이러한 공정챔버(100)는 도시되지는 않았지만, 챔버 몸체와 챔버 리드로 분리되도록 제작된다. 이를 통해, 공정챔버(100)와 공정챔버(100) 내부에 설치된 장치들을 유지보수할 수 있다. 통 형상의 공정챔버(100)는 이에 한정되지 않고 공정챔버(100)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다. 그리고 도시되지는 않았지만, 공정챔버(100) 일측에는 기판(S)이 출입하는 출입구가 마련되고, 상기 출입구를 개폐하기 위한 별도의 개폐 수단, 예를 들어, 게이트 밸브, 슬랏 밸브가 마련된다. 공정챔버(100)를 관통하는 샤프트(220)의 외벽에는 공정챔버의 밀봉 파괴를 방지하기 위한 벨로우즈(230)가 샤프트(220)의 둘레에 설치될 수 있다.
서셉터(200)는 기판을 지지하는 기판지지플레이트(210), 기판지지플레이트(210)의 하부에 연결되어 상기 기판지지플레이트를 지지하는 샤프트(220)를 포함한다.
기판이 안치되는 기판지지플레이트(210)의 내부에는 기판지지플레이트(210)를 가열하거나 공정챔버(100) 내에 플라즈마를 형성하기 위한 전위를 제공하는 매설체(211,212)가 매설되어 있다. 이러한 매설체는, 기판지지플레이트(210) 내에 삽입 장착되어 상기 기판지지플레이트를 가열하는 발열체(212)와, 상기 기판지지플레이트(210)에 전위를 제공하는 RF전극판(211)으로 이루어진다.
상기 발열체(212)는 열선(heater) 등으로 구현되며, 이러한 발열체를 이용하여 기판지지플레이트(210)를 가열함으로써, 결과적으로 상기 기판지지플레이트(210) 상부에 안착된 기판(S)을 일정 온도로 가열할 수 있다.
상기 RF전극판(211)은 공정 챔버 내에 플라즈마를 형성하기 위한 RF 바이어스를 걸기 위한 RF전위를 제공하거나, 반대로, RF 바이어스에 대향하는 접지전위를 기판지지플레이트(210)에 제공한다. 공정챔버(100)의 상부에서 접지전위가 제공될 경우 기판지지플레이트(210)에 매설된 RF전극판(211)에는 플라즈마 형성을 위한 RF전위가 제공되며, 반대로, 공정챔버(100)의 상부에서 RF전위가 제공될 경우 상기 RF전극판(211)에는 상부의 RF전위에 대향하는 접지전위가 제공된다.
한편, 서셉터(200)는 기판지지플레이트(210)를 공정챔버(100) 내에서 상하 이동시키는 지지축인 샤프트(220;shaft)를 구비한다. 상기 샤프트(220)은 기판지지플레이트(210)과 일면에 결합되어 상기 기판지지플레이트(210)를 상하로 이동시킨다.
본 발명의 실시예에 따른 샤프트(220)는 바닥면이 밀폐된 내부 공간을 갖는 원통축 구조를 갖는다. 이하 본 발명의 실시예에서는 샤프트를 원통축 구조로서 설명하겠지만, 원통축 구조가 아니어도 사각통, 육각통 등과 같이 샤프트의 내부 공간이 비어있는 구조를 가질 경우 그 형상에는 제한이 없음은 자명할 것이다.
샤프트(220)는 바닥면이 밀폐된 원통형 구조를 가지고 있어, 샤프트에 내부 공간이 형성된다. 기판지지플레이트(210)에 매설된 매설체(211,212)에 전원을 제공하는 전원파이프(221,222)가 상기 샤프트(220)의 내부 공간을 관통하여 형성된다.
상기 전원파이프(221,222)는, 발열체(212)에 전원을 제공하는 발열체전원파이프(221), RF전극판(211)에 RF전위 또는 접지전위를 제공하는 RF전원파이프(222)를 포함한다.
샤프트의 내부 공간을 관통하는 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)는 기판지지플레이트(210)의 내부에 매설된 발열체(212) 및 RF전극판(211)과 각각 연결되어 전원을 제공한다.
발열체(212)와 발열체전원파이프(221), RF전극판(211)과 RF전원파이프(222)는 전원연결체(223,224)에 의해 각각 연결된다. 전원연결체(223,224)는 다양한 방식으로 이루어질 수 있는데, 예컨대, 도 3에 도시한 바와 같이, 발열체전원파이프(221)의 끝단과 발열체(212)가 커넥터(223a)를 통해 서로 연결되며 이때 커넥터(223a)는 필러(223b;filler)와 같은 납땜 재질로서 발열체(212) 및 발열체전원파이프(221)간을 연결한다.
한편, 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222)를 통해서, 발열체(212) 및 RF전극판(211)에 전원을 공급하는 전원 공급부(500)는 파이프(221,222)와 분리될 수 있는 구조를 가질 수 있다.
한편, 샤프트(220)의 내부 공간에 공기 등이 흘러올 경우 전원파이프(221,222) 및 전원연결체(223,224)가 부식될 우려가 있다. 이를 방지하기 위하여 본 발명의 실시예는 샤프트의 내부 공간을 진공처리하고 샤프트의 내부 공간을 질소(N2)와 같은 불활성 가스로 채운다. 샤프트의 내부 공간을 진공 처리 후 불활성가스로서 샤프트 내부 공간을 채워넣음으로써, 샤프트 내부 공간에 공기 침입을 방지할 수 있다.
이를 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는 샤프트 내부 공간을 진공 및 불활성가스 상태로 유지하는 샤프트 진공처리부(240) 및 불활성가스 주입부(250)를 구비한다.
샤프트 진공처리부(240)는 샤프트 내부 공간과 연결되어 상기 내부 공간을 진공상태로 형성하는 진공펌프(241) 및 진공밸브(242)를 구비한다. 진공펌프(241) 및 진공밸브(242)의 일단은 도관에 의해 상호 연결되며, 진공밸브의 타단은 샤프트(220)의 내부 공간에 연결된다.
상기 진공밸브(242)는 상기 샤프트(220)의 내부 공간 및 진공펌프(242) 사이에 위치하여, 진공밸브(242) 조절을 통해 진공 펌핑 강도를 조절함으로써 샤프트 내부 공간의 진공 상태를 조절한다. 진공밸브 조절은 진공 펌핑 강도 조절만을 의하는 것이 아니고, 진공밸브 통과/차단 기능도 포함하는 개념으로서, 예컨대, 진공펌프(242)에서 진공펌핑량을 조절하고 진공밸브(242)에서는 조절된 진공펌핑량을 통과(open) 또는 차단(close)시키는 기능만을 수행할 수 있다.
불활성가스 주입부(250)는 진공 처리된 샤프트의 내부 공간을 질소(N2)와 같은 불활성가스로 채워넣음으로서, 외부 대기로부터의 공기 유입을 차단한다. 이를 위하여 불활성가스 주입부(250)는, 불활성가스를 제공하는 불활성가스 소스원(251) 및 불활성가스 조절밸브(252)를 포함한다. 상기 불활성가스 조절밸브(252)는 불활성가스의 공급량을 조절함으로서, 상기 샤프트 내부 공간의 불활성가스 충진 상태를 조절한다. 불활성가스 소스원(251)의 출력단과 및 불활성가스 조절밸브(252)의 입력단은 도관을 통해 연결되며, 불활성가스 조절밸브(252)의 출력단과 연결된 도관은 진공밸브(242)의 도관과 합류하여 샤프트(220)의 내부 공간으로 연결된다.
불활성가스 조절밸브(252)의 가스 충진량 조절 기능은 충진량 조절 기능, 가스 단순 통과/차단 기능을 포함하는 개념이다.
상기와 같이 샤프트 진공처리부(240) 및 불활성가스 주입부(250)를 이용하여, 샤프트의 내부공간을 진공처리 및 불활성가스 충진상태로 유지시킴으로써, 발열체전원파이프(221) 및 RF전원파이프(222) 및 전원연결체(223,224)의 부식을 방지할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 진공처리 및 불활성가스 처리하는 밸브 조작 모습을 도시한 그림이다.
도 4(a)에 도시한 바와 같이 진공펌프(241)를 온(ON)시킨 후 진공밸브(242)를 오픈(open)시켜 샤프트(220)의 내부 공간을 진공처리한다. 진공에 의하여 샤프트의 내부 공간에 위치한 전원파이프(221)의 표면 및 전원연결체(필러)의 부식을 방지할 수 있다.
부식 방지를 더욱 강화시키기 위하여, 진공 처리 후에 불활성가스를 샤프트의 내부 공간으로 채워넣을 수 있다. 즉, 도 4(b)에 도시한 바와 같이 진공밸브(242)를 클로즈(close)하고 불활성가스밸브(252)를 오픈(open)시켜 샤프트(220)의 내부 공간을 불활성 가스인 N2로 충진시킬 수 있다. 이때, 불활성가스밸브(252)의 오픈량을 조절하여 샤프트(220)의 내부 공간으로 충진되는 불활성가스의 양을 조절할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터의 단면을 더욱 상세히 도시한 도면이다.
기판지지플레이트를 상하 이동시키는 샤프트는 하부 외벽이 플랜지(flange)형태로 확장되어 구동부에 연결된다. 만약, 이러한 플랜지가 배선 설계 등의 이유로 다수의 단위 플랜지(510,511)의 결합 구조로 이루어질 경우, 이러한 단위 플랜지 결합체 사이로 틈이 발생될 수 있다. 이러한 단위 플랜지 결합체 구조를 가질 경우, 단위 플랜지 결합체 틈으로 외부 대기중의 공기가 유입될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 단위 플랜지 결합체의 틈 사이에 밀봉재(502)가 구비된다.
도 5를 참고하면, 플랜지가 다수의 단위 플랜지 결합 구조로 되어 있는 경우를 도시한 그림이다. 도 5는 진공펌핑 및 불활성가스 주입이 샤프트의 측벽(도2)이 아닌 하부에서 제공되고 있는 구조이다.
밀봉재(502)를 구비함으로써, 샤프트 내부 공간의 진공상태 또는 불활성가스(N2가스) 충진상태를 오랜동안 유지할 수 있다. 밀봉재의 재질로는 알루미늄 재질, 플루오로 엘라스토머 재질 등이 이용될 수 있으며, 오링, 가스켓 형태로서 구현된다. 경우에 따라 밀봉재의 표면을 추가적으로 코팅하여 밀봉 효율을 증대시킬 수 있다.
한편, RF전원파이프와 발열체전원파이프가 샤프트 내부 공간으로 삽입되는 경계면 역시, 틈이 발생할 수 있다. 이러한 외부면 경계틈(503) 사이로 샤프트의 내부 공간으로 공기가 유입되어 진공상태 또는 불활성가스 충진 상태를 저하시킬 수 있다. 따라서 마찬가지로 경계틈에 밀봉재(502)가 구비되어 외부의 공기가 샤프트 내부 공간로 흘러들어가지 않도록 한다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100:공정챔버 200:서셉터
210:기판지지플레이트 211:RF전극판
212:발열체 220:샤프트
221:발열체전원파이프 222:RF전원파이프
240:샤프트 진공처리부 250:불활성가스주입부
300:공정가스 공급부 310:원료 저장부
320:원료저장부 400:구동부

Claims (15)

  1. 기판이 놓여지는 기판지지플레이트;
    상기 기판지지플레이트의 일면에 결합되어 상기 기판지지플레이트를 상하로 이동시키는 샤프트;
    상기 기판지지플레이트 내부에 매설되는 매설체;
    상기 샤프트의 내부 공간을 관통하여 상기 매설체에 전원을 제공하는 전원파이프; 및
    상기 샤프트의 내부 공간을 진공상태로 유지시키는 샤프트 진공처리부
    를 포함하는 서셉터.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 샤프트의 내부 공간에 불활성가스를 주입하는 불활성가스 주입부를 포함하는 서셉터.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 매설체는, 상기 기판지지플레이트를 가열시키는 발열체, 상기 기판지지플레이트에 전위를 제공하는 RF전극판을 포함하는 서셉터.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 RF전극판은 공정챔버 내에 RF전위를 제공하는 RF전위판, 또는, 플라즈마 접지전위를 제공하는 RF접지판으로 구현되는 서셉터.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 전원파이프는, 상기 발열체에 전원을 제공하는 발열체전원파이프, 상기 RF전극판에 RF전위 또는 접지전위를 제공하는 RF전원파이프를 포함하는 서셉터.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 샤프트 진공처리부는,
    상기 샤프트 내부 공간과 연결되어 상기 내부 공간을 진공상태로 형성하는 진공 펌프;
    상기 내부 공간과 상기 진공 펌프 사이에 위치하여 상기 진공 펌프의 펌핑 강도를 조절하는 진공밸브
    를 포함하는 서셉터.
  7. 청구항 2에 있어서, 상기 불활성가스 주입부는,
    상기 샤프트 내부 공간에 제공되는 불활성가스 소스원;
    상기 불활성가스 소스원의 공급량을 조절하는 불활성가스 조절밸브
    를 포함하는 서셉터.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 서셉터는,
    상기 샤프트를 상하로 이동시키는 구동부를 더 포함하며, 상기 구동부에 연결되는 플랜지가 상기 샤프트의 외부면에 형성되는 서셉터.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 플랜지가 다수의 단위 플랜지 결합체일 경우, 단위 플랜지 결합체의 틈 사이에 밀봉재가 구비되는 서셉터.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 전원파이프가 상기 샤프트 내부 공간으로 삽입되는 외부면 경계틈에 밀봉재가 구비되는 서셉터.
  11. 진공 공간을 형성하는 공정챔버;
    상기 진공 공간에 처리 가스를 공급하는 공정가스 공급부;
    상기 진공 공간에 위치하며 기판이 안착되는 기판지지플레이트;
    상기 기판지지플레이트와 연결되고 상기 공정챔버를 관통하며 내부에 내 부공간이 형성되는 샤프트; 및
    상기 샤프트의 내부 공간과 연결되는 샤프트 진공처리부
    를 포함하는 기판처리장치.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 샤프트의 내부 공간에 불활성가스를 주입하는 불활성가스 주입부를 포함하는 기판처리장치.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 상기 기판지지플레이트 내부에 매설되는 매설체; 및
    상기 샤프트의 내부 공간을 관통하여 상기 매설체에 전원을 제공하는 전원파이프
    를 포함하는 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 매설체는, 상기 기판지지플레이트를 가열시키는 발열체, 상기 기판지지플레이트에 전위를 제공하는 RF전극판을 포함하는 기판처리장치.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 RF전극판은 공정챔버 내에 RF전위를 제공하는 RF전위판, 또는, 플라즈마 접지전위를 제공하는 RF접지판으로 구현되는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190014254A (ko) * 2017-07-31 2019-02-12 세메스 주식회사 가열 유닛
WO2023064299A1 (en) * 2021-10-12 2023-04-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assemblies having internal shaft areas with isolated environments that mitigate oxidation

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