KR20110121443A - Ｃｉｇｓ층 형성장치 - Google Patents

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Abstract

CIGS층 형성장치가 개시된다. 본 발명에 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 복수개의 기판(10)에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버(100); 챔버(100)의 일측에 배치되어 기판(10)의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어(200); 챔버(100)의 내측에 배치되고 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트(400); 복수개의 기판(10)에 열을 가하는 히터(300); 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부(500); 및 챔버(100) 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부를 포함하며, 챔버(100)는 내부 챔버(110) 및 내부 챔버(110)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버(120)로 구성되는 이중 챔버 구조이며, 도어(200)는 내부 도어(210) 및 내부 도어(210)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어(220)로 구성되는 이중 도어 구조인 것을 특징으로 한다.

Description

ＣＩＧＳ층 형성장치{APPARATUS FOR FORMING A CIGS LAYER}
본 발명은 CIGS층 형성장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, CIGS층 형성 공정에 이용되는 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 CIGS층 형성장치에 관한 것이다.
전 세계 각 국에서는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 환경에 악영향을 끼치지 않으면서도 고갈될 염려도 없는 새로운 에너지원인 대체 에너지 및 청정 에너지에 대한 연구 및 개발이 활발히 진행 중이다.
한때, 원자력 발전이 현실성 있는 대체 에너지로 개발되어 높은 기여도를 보이기도 하였지만, 불안정성과 사고로 인한 심각한 피해 등의 문제가 제기됨으로써, 점차 이에 대한 의존도를 줄이는 추세이며, 그 대신 청정의 무한한 에너지원이라는 측면에서 태양 에너지를 현실적으로 활용할 수 있는 방안이 더욱 각광받고 있다.
종래에는 이러한 태양에너지를 활용할 수 있는 방법 중 하나로써, 태양전지(Solar Cell)와 같은 반도체 소자를 이용하여, 태양광을 수광하고, 이를 다시 전기 에너지로 변환하는 방법이 주를 이루었으나, 최근에는 이보다 태양광 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비도 절감할 수 있는 CIGS 태양전지가 등장하였다.
이러한 CIGS 태양전지에는 CIGS층이 사용되는데, 이의 재료인 CIGS[Cu(In1-xGax)Se2]는 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se2)으로 조성된 4원계 화합물로서, 에너지 밴드갭이 대략 1.04 eV 정도로 이상적인 값에 가깝고, 광흡수 계수가 높으며, 안정성이 뛰어나, 태양전지의 소재로서 커다란 응용 잠재력을 가지는 재료이다.
일반적으로 진공 스퍼터링법을 기반으로 한 CIGS층의 제조 공정은 크게 두 가지의 단계를 거친다. 먼저, 첫 번째 단계로 몰리브덴 전극이 입혀진 유리 위에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하는 전구체 형성 공정을 거친다. 이어서, 두 번째 단계로 이와 같이 증착된 전구체에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소의 적정 조성 비율을 갖는 CIGS층을 형성할 수 있게 된다.
그러나, 셀렌화 공정시에 이용되는 셀렌화 수소는 지독한 냄새가 나는 무색의 기체로서, 외부로 누설되는 경우 심각한 환경상의 피해를 유발하는 문제점이 있다. 더욱이, 셀렌화 수소는 부식성이 강하여 셀렌화 공정이 수행되는 CIGS층 형성장치의 오염을 야기하는 문제점이 있다.
따라서, CIGS층 형성을 위한 셀렌화 공정시에, 셀렌화 수소의 외부 누설을 방지하면서 셀렌화 수소에 의한 부식을 최소화할 수 있는 CIGS층 형성장치에 대한 개발이 요구되고 있는 실정이다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, CIGS층 형성 공정에 이용되는 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수개의 기판 상에 동시에 CIGS층을 형성하여 CIGS층 형성 공정의 생산성을 극대화할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 복수개의 기판 상에 CIGS층을 균일하게 형성할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 셀렌화 수소에 의한 챔버의 부식을 최소화할 수 있는 CIGS층 형성장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 복수개의 기판에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어; 상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 상기 복수개의 기판에 열을 가하는 히터; 상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및 상기 챔버 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부를 포함하며, 상기 챔버는 내부 챔버 및 상기 내부 챔버와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버로 구성되는 이중 챔버 구조이며, 상기 도어는 내부 도어 및 상기 내부 도어와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어로 구성되는 이중 도어 구조인 것을 특징으로 한다.
상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간에는 소정의 희석가스가 충진될 수 있다.
상기 희석가스는 질소 가스일 수 있다.
상기 희석가스의 압력을 측정하는 압력 측정부를 더 포함할 수 있다.
상기 희석가스의 압력이 상압 이상이 되도록 제어하는 압력 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 내부 챔버의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있을 수 있다.
상기 부식 방지 물질은 텅스텐일 수 있다.
상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버는 분리 가능한 구조인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어와 상기 외부 도어 사이의 공간은 진공 상태로 유지될 수 있다.
상기 내부 챔버의 일단에서 연장되고, 상기 외부 챔버와 접촉하면서 배치되어 상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간을 밀폐시키는 챔버 실링부; 및 상기 챔버 실링부와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 외부 도어는 상기 챔버 실링부와 접촉하며, 상기 외부 도어와 상기 챔버 실링부가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제2 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.
상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어는 상기 외부 챔버와 접촉하며, 상기 내부 도어와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제3 챔버 오링을 더 포함할 수 있다.
상기 외부 도어의 외측으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 흐르는 냉각 라인이 설치될 수 있다.
상기 히터는 핫 월(hot-wall) 형태로 배치될 수 있다.
상기 공정가스 공급부는, 상기 내부 챔버로부터 연장되는 제1 공정가스 공급관; 상기 외부 챔버로부터 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면과 일정한 간격을 가지면서 상기 제1 공정가스 공급관 보다 짧은 길이로 연장되는 제2 공정가스 공급관; 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 상기 제2 공정가스 공급관의 일단과 접촉하면서 배치되어 상기 제1 공정가스 공급관과 상기 제2 공정가스 공급관 사이의 공간을 밀폐시키는 공정가스 실링부; 및 상기 제2 공정가스 공급관과 상기 공정가스 실링부가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 공정가스 오링을 포함할 수 있다.
상기 공정가스 실링부는 절곡된 형태를 가지며, 상기 공정가스 공급부는 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 배치되며 상기 공정가스 실링부와는 2면 접촉하는 제2 공정가스 오링을 더 포함할 수 있다.
상기 공정가스 공급부로는 H2Se 가스가 공급될 수 있다.
상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부를 진공화시키는 진공 수단을 더 포함할 수 있다.
상기 챔버 내부로 공급된 공정가스를 분사하는 제1 디퓨저; 및 상기 제1 디퓨저로부터 분사된 공정가스를 흡입하는 제2 디퓨저를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 디퓨저는 상기 챔버 하측에 배치되고 상기 제2 디퓨저는 상기 챔버 상측에 배치되어 공정가스의 흐름이 상기 챔버의 하측에서 상측으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 의하면, 셀렌화 수소의 외부 누설을 획기적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 기판 상에 동시에 CIGS층을 형성하여 CIGS층 형성 공정의 생산성을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 기판 상에 CIGS층을 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 셀렌화 수소에 의한 챔버의 부식을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버, 도어, 보트, 제1 디퓨저 및 제2 디퓨저의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 외부 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버와 도어가 상부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버와 도어가 하부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버와 연결되는 공정가스 공급부 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버와 연결되는 진공 장치 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 도면이다. 보다 구체적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 단면 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100), 도어(200), 보트(400), 제1 디퓨저(700) 및 제2 디퓨저(800)의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
먼저, 본 발명의 CIGS층 형성장치(1)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(10)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판(10)을 상정하여 설명한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 챔버(100)를 포함하여 구성될 수 있다. 챔버(100)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 복수개의 기판(10) 상에 CIGS층이 형성되는 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 챔버(100)는 최적의 공정 조건을 유지하도록 구성되며 형태는 사각형 또는 원형의 형태로 제조될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 챔버(100)는 내부 챔버(110) 및 내부 챔버(110)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버(120)를 포함하여 구성된다. 즉, 본 발명의 챔버(100)는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)로 이루어지는 이중 챔버 구조이다. 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 모두 재질은 스테인리스인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
챔버(100)가 이중 챔버 구조로 구성됨에 따라 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이에는 소정의 공간이 형성될 수 있다. 이러한 소정의 공간에는 희석가스가 충진될 수 있다. 이러한 희석가스는 내부 챔버(110)에 균열이 발생하여 유독한 셀렌화 수소가 상기 소정의 공간에 유입되더라도 외부로는 누설되지 않도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 희석가스로는 질소 가스가 이용되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 일측에는 희석가스 공급부(130)가 설치될 수 있다. 희석가스 공급부(130)는 외부 챔버(120)와 연결되어 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 희석가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 이때에 챔버(100)의 밀폐를 위하여 희석가스 공급부(130)는 여러 가지 실링 수단을 포함하여 구성될 수 있는데, 이에 관해서는 후술하도록 하겠다.
도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 하부에는 희석가스 배기부(140)가 설치될 수 있다. 희석가스 배기부(140)는 외부 챔버(120)와 연결되어 희석가스를 배기하는 기능을 수행할 수 있다. 여기서 희석가스를 배기한다 함은, 충진된 희석가스의 압력을 조절하기 위하여 단순히 희석가스만을 배기하는 경우뿐만 아니라, 내부 챔버(110)에 균열이 발생하여 유독한 셀렌화 수소가 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 유입되었을 때 셀렌화 수소와 희석가스를 함께 배기하는 경우를 포함하는 의미이다. 이렇게 배기된 셀렌화 수소와 희석가스는 외부 환경과는 격리된 소정의 공간으로 이동하여 안전하게 처리될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 챔버(100)의 상부에는 희석가스의 압력을 측정하는 압력 센서(150)가 설치될 수 있다. 희석가스의 압력을 측정할 수 있다면 압력 센서(150)의 구성은 특별하게 한정되지 아니하며 공지의 여러 가지 압력 센서(150)가 본 발명의 압력 센서(150)로 이용될 수 있다. 압력 센서(150)에서 측정된 압력에 관한 정보는 이하에서 설명되는 압력 제어부(미도시)에서 이용될 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시되지는 않았지만, 챔버(100)는 희석가스의 압력을 제어하는 압력 제어부를 포함하여 구성될 수 있다. 압력 제어부는 희석가스의 압력 이상이 소정의 압력 이상이 되도록, 바람직하게는 상압 이상의 압력이 되도록 제어할 수 있다. 이렇게 희석가스의 압력을 조절하는 것은 내부 챔버(110)의 균일이 발생하더라도 희석가스 배기부(140)로 용이하게 희석가스 및 셀렌화 수소가 배기될 수 있도록 하기 위함이다. 이에 따라 보다 효과적으로 셀렌화 수소의 외부 누설을 방지할 수 있게 된다.
희석가스의 압력을 상압 이상으로 제어하기 위하여 앞서 설명된 압력 센서(150)에서 측정된 희석가스의 압력 정보가 이용될 수 있다. 이를 테면, 압력 센서(150)에서 희석가스의 압력을 측정한 결과 희석가스의 압력이 상압 이하인 경우, 압력 제어부는 희석가스 공급부(130)에서 희석가스가 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 공급되도록 제어할 수 있다. 이를 위하여, 공지의 여러 가지 압력 제어 구성 원리가 본 발명의 압력 제어부에 채용될 수 있을 것이다. 한편, 압력 제어부는 챔버(100)의 하측에 배치되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는, 챔버(100)를 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)로 이루어지는 이중 챔버(100) 구조로 구성하고, 또한 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간에 희석가스를 충전시킴에 따라, CIGS층 형성 시에 유독한 셀렌화 수소가 외부로 배출되는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 챔버(100)가 이중 챔버(100) 구조로 구성되는 것을 명확하게 확인할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)는 분리 가능하도록 구성되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 중 어느 하나에 손상이 발생하더라도 손상된 챔버만 수리하거나 교체할 수가 있어서 챔버(100)의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있고 유지 보수 비용을 절감할 수 있게 된다.
다음으로, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 도어(200)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 도어(200)는 기판(10)의 로딩 및 언로딩시에는 개방되어 기판(10)의 이동 통로로서의 역할을 수행하고, CIGS층 형성 공정시에는 폐쇄되어 챔버(100)의 밀폐를 유지시키는 역할을 수행할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 도어(200)는 내부 도어(210) 및 내부 도어(210)와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어(220)를 포함하여 구성된다. 즉, 본 발명의 도어(200)는 내부 도어(210)와 외부 도어(220)로 이루어지는 이중 도어 구조이다. 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 모두 재질은 스테인리스인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
도어(200)가 이중 도어 구조로 구성됨에 따라, 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 사이에는 소정의 공간이 형성될 수 있다. 이러한 소정의 공간은 별도의 가스로 충진될 수도 있으나, 바람직하게는 진공 상태일 수 있다. 이를 위하여, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 내부 도어(210)와 외부 도어(220) 사이의 공간이 진공이 유지될 수 있도록 도와주는 도어 진공 장치(230)가 추가로 설치될 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)의 외부에는 외부 커버부(160)가 더 설치될 수 있다. 외부 커버부(160)는 외부의 충격 등으로부터 CIGS층 형상장치(1)의 각 구성요소를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 외부 커버부(160)는 챔버(100) 전체의 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 도 1 내지 도 2에 도시되지는 않았지만, 내부 챔버(110)의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 이러한 부식 방지 물질의 코팅은 본 발명에서 공정가스로 이용되는 셀렌화 수소가 매우 유독하여 내부 챔버(110)의 부식을 유발할 수 있기 때문에 내부 챔버(110)의 부식을 최소화하기 위하여 이루어진다. 부식 방지 물질은 텅스텐인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)의 외부 구성을 나타내는 도면이다.
앞서서 도어(200)가 기판(10)의 로딩 및 언로딩시에는 개방되고 기판(10)의 CIGS층 형성 공정 시에는 폐쇄되는 것에 대하여 언급한 바 있다. 도 4에서는 기판(10)의 CIGS층 형성 공정을 위하여 도어(200)가 폐쇄되어 있는 것을 확인할 수 있으며, 도 5에서는 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위하여 도어(200)가 개방되어 있는 것을 확인할 수 있다. 도 4에서와 같이, 도어(200)가 폐쇄된 때에는 도어(200)가 챔버(100)와 접촉하게 되는데, 이때에는 기판(10) 상에 CIGS층 형성을 위하여 챔버(100) 내부가 완전하게 밀폐될 필요가 있다. 이를 위하여, 본 발명의 CIGS층 형성장치(1)에는 챔버(100)와 도어(200)의 접촉면 부근에 복수개의 가스 실링 수단이 설치될 수 있는데, 이하에서는 이러한 가스 실링 수단에 대하여 살펴보기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100)와 도어(200)가 상부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, CIGS층 형성장치(1)는 챔버 실링부(170)를 포함하여 구성될 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 챔버 실링부(170)는 내부 챔버(110)에서 수직으로 연장되면서 외부 챔버(120)와 접촉하게 되는데, 이에 따라 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 공간이 밀폐될 수 있다. 다시 말하여, 튜브 형태를 가지는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)가 일정 간격으로 이격되어 배치됨에 따라 발생되었던 간격은 챔버 실링부(170)에 의하여 밀폐될 수 있다. 이러한 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120) 사이의 간격으로 희석가스가 공급될 수 있음은 앞서 언급한 바와 같다.
이때, 도 6을 더 참조하면, 챔버 실링부(170)와 외부 챔버(120)가 접촉하는 면을 따라서 외부 챔버(120)의 내주부에 제1 챔버 홈(172)이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이러한 제1 챔버 홈(172)에는 내부 챔버(110)와 외부 챔버(120)의 사이를 실링하는 제1 챔버 오링(174)이 배치될 수 있다.
한편, 도 6을 더 참조하면, 챔버 실링부(170)는 도어(200)가 폐쇄되었을 때 내부 도어(210) 및 외부 도어(220)와도 접촉할 수 있음을 알 수 있다. 다시 말하여, 챔버 실링부(170)는 내부 챔버(110)에서 수직으로 연장되면서 외부 챔버(120) 및 내부 도어(210)와 접촉할 수 있다. 이때에 챔버 실링부(170)와 내부 도어(210)가 접촉하는 면을 따라서 챔버 실링부(170)의 내주부에는 제2 챔버 홈(176)이 형성될 수 있다. 이러한 제2 챔버 홈(176)에는 챔버 실링부(170)와 내부 도어(210) 사이를 실링하는 제2 챔버 오링(178)이 배치될 수 있다. 챔버 실링부(170)가 내부 챔버(110)에서 연장되는 것을 고려할 때, 제2 챔버 오링(178)에 의해서 내부 챔버(110)와 내부 도어(210) 사이는 실링될 수 있다.
또한, 도 6을 더 참조하면, 도어(200)가 폐쇄되었을 때 챔버 실링부(170)의 개입 없이 외부 도어(220)는 외부 챔버(120)와 직접적으로 접촉될 수 있음을 확인할 수 있다. 이때에 외부 챔버(120)와 외부 도어(220)가 접촉하는 면을 따라서 외부 챔버(120)의 내주부에는 제3 챔버 홈(180)이 형성될 수 있다. 이러한 제3 챔버 홈(180)에는 외부 챔버(120)와 외부 도어(220) 사이를 실링하는 제3 챔버 오링(182)이 배치될 수 있다.
앞서 설명한 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)은 동일한 종류인 것이 바람직하나 경우에 따라서는 다른 종류일 수도 있다. 또한, 도어(200)가 닫히었을 때 챔버(100)의 밀폐를 효과적으로 수행할 수 있다면, 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)의 구성은 특별하게 한정되지 아니하며 공지의 여러 가지 오링이 제1, 제2, 제3 챔버 오링(174, 178, 182)으로 채용될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 챔버(100)와 도어(200)가 하부에서 접촉하는 구성을 나타내는 도면이다. 도 7에서도 챔버(100)와 도어(200)가 접촉하면서 앞서 설명된 챔버 실링부(170), 제1 챔버 오링(174), 제2 챔버 오링(178), 제3 챔버 오링(182)이 배치되는 것을 확인할 수 있다.
한편, 도 6을 다시 참조하면, 내부 챔버(110)에서 연장되는 고정부(260)가 챔버 실링부(170)를 관통하여 외부 챔버(120)로 삽입되어 있는 것을 확인할 수 있다. 고정부(260)는 CIGS층 형성 공정시에 도어(200)와 챔버(100)가 견고하게 고정될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 챔버 실링부(170)에는 고정부(260)가 관통될 수 있는 관통홀(미도시)이 형성될 수 있으며, 외부 챔버(120)에는 고정부(260)가 삽입되는 삽입홈(262)이 형성될 수 있다.
또한, 도 1, 도 2 및 도 6을 참조하면, 외부 도어(220)의 외측으로는 외부 도어(220)의 전면을 커버하는 도어 커버부(240)가 더 형성될 수 있다. 도어 커버부(240)는 외부의 충격으로부터 도어(200)를 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
또한, 도 1 및 도 6을 더 참조하면, 도어(200)의 외측으로는 도어 커버부(240)의 외주부를 따라 냉각 라인(250)이 설치될 수 있다. 냉각 라인(250)으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 공급될 수 있으며, 냉각수 또는 냉각 가스는 챔버(100)를 냉각시키는 기능을 수행할 수 있다.
한편, 후술하는 바와 같이, 본 발명의 히터(300)는 핫-월(hot-wall) 방식으로 배치되는 것이 바람직하다. 이러한 의미에서 도어(200)에는 복수개의 히터(300)가 배치될 수 있다. 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 내부 도어(210)의 내면에 히터(300)가 복수개 배치되어 있는 것을 확인할 수 있다. 또한, 내부 도어(210)와 도어 커버부(240) 사이의 공간에는 히터(300)를 커버하면서 외부로 열이 유출되는 것을 방지하는 도어 단열부(310)가 더 배치될 수 있다.
한편, CIGS층 형성시에는 복수개의 기판(10)이 소정의 온도 이상[바람직하게는, 500℃ 내지 700℃ 이상]으로 유지될 필요가 있다. 이러한 의미에서, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 히터(300)를 포함하여 구성된다. 히터(300)는 복수개의 기판(10)에 열을 가하는 기능을 수행할 수 있다. 히터(300)의 재질은 칸탈(Kanthal)인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 아니한다.
히터(300)는 챔버(100) 내부의 기판(10)만을 가열하는 콜드-월(cold-wall) 방식으로 배치될 수도 있으나, 챔버(100) 전체를 가열하는 핫-월(hot-wall) 방식으로 배치되는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 챔버(100)는 핫-월 타입의 챔버(100)로 구성되는 것이 바람직하다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 챔버(100)를 핫-월 타입의 챔버(100)로 구성하기 위하여, 챔버(100) 외측에 복수개의 히터(300)가 챔버(100)를 감싸면서 배치되고 있는 것을 확인할 수 있다.
히터(300)를 콜드-월(cold-wall) 방식으로 배치하는 경우에는 임의의 기판(10)에 열이 편중되게 공급될 수 있으나, 본 발명에 의하면 히터(300)를 핫-월 방식으로 배치함에 따라 복수개의 기판(10)을 균일하게 처리할 수 있게 된다. 이에 따라, CIGS층 형성 공정의 신뢰성은 향상될 수 있게 된다.
한편, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)와 외부 커버부(160) 사이에는 챔버 단열부(320)가 설치될 수 있다. 챔버 단열부(320)는 히터(300)에서 기판(10)으로 인가된 열이 외부로 전달되는 것을 방지함으로써 보다 효율적인 열처리가 이루어질 수 있도록 한다. 이러한 의미에서 챔버 단열부(320)는 챔버(100) 외부의 전체 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 챔버 단열부(320)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 세라믹 재질, 특히 고온에서의 내열성이 매우 우수한 세라믹 재질을 이용하여 챔버 단열부(320)를 제조하는 것이 바람직하다.
또한, CIGS층 형성 공정이 완료된 이후에는 가열된 기판(10)을 냉각할 필요가 있다. 이러한 의미에서, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 열을 배기할 수 있는 열 배기부(330)가 더 설치될 수 있다. 열 배기부(330)에는 도시되지는 않았지만 보다 용이하게 열 배기를 하기 위하여 블로워(blower)가 연결될 수 있다. 열 배기부(330)와 관련된 구성은 본 기술 분야에서 공지의 구성에 해당하므로 더 이상의 상세한 설명은 생략한다.
다음으로, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 보트(400)를 포함하여 구성된다. 보트(400)는 챔버(100) 내부에 배치되어 CIGS층 형성이 이루어지는 동안 복수개의 기판(10)을 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 이때 보트(400)에는 기판(10)이 직립 상태로 로딩되며 보트(400)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다. 보트(400)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 바람직하게는 석영일 수 있다.
다음으로, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 공정가스 공급부(500)를 포함하여 구성될 수 있다. 공정가스 공급부(500)는 CIGS층 형성 공정에 필요한 가스를 챔버(100) 내부로 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 여기서 CIGS층 형성 공정에 필요한 가스는 셀렌화 수소(H2Se)일 수 있다.
도 1 및 도 2를 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)가 챔버(100) 하부로 공정가스를 공급하게 되는 것을 알 수 있는데, 이는 가스의 흐름을 하측에서 상측으로 유도하기 위함이다. 이에 대해서는 후술하도록 하겠다.
도 1 및 도 2를 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)가 외부로 돌출되어 있는 것을 확인할 수 있으며, 공정가스 공급부(500)가 내부 챔버(110)에 연결되는 것을 확인할 수 있다. 이처럼, 공정가스 공급부(500)가 내부 챔버(110)와 연결되어 외부 챔버(120)를 관통하면서 배치되기 때문에, 챔버(100) 내부를 완전하게 밀폐하기 위하여 외부 챔버(100)와 공정가스 공급부(500)가 접촉하는 부근에는 가스 실링 수단이 배치될 필요가 있다. 이러한 의미에서 이하에서는 가스 실링 수단을 포함한 공정가스 공급부(500) 주변의 구성에 대하여 살펴보기로 한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버(110)와 연결되는 공정가스 공급부(500) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 공정가스 공급부(500)는 내부 챔버(110)로부터 연장되는 제1 공정가스 공급관(510)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 공정가스 공급관(510)의 내부로는 공정가스가 이동될 수 있으며, 이에 따라 챔버(100) 내부로 공정가스가 공급될 수 있게 된다.
도 8을 더 참조하면, 공정가스 공급부(500)는 외부 챔버(120)로부터 연장되되 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면과 일정한 간격을 가지면서 연장되는 제2 공정가스 공급관(520)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 공정가스 공급관(510)과 제2 공정가스 공급관(520) 사이의 공간에는 앞서 설명된 희석가스가 충진될 수 있다.
도 8을 더 참조하면, 제2 공정가스 공급관(520)은 제1 공정가스 공급관(510) 보다 짧은 길이로 연장되는 것을 확인할 수 있다. 이에 따라, 제2 공정가스 공급관(520)이 제1 공정가스 공급관(510)의 내부로부터 돌출될 수 있는데, 돌출된 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라서는 제2 공정가스 공급관(520)의 일단과 접촉하는 공정가스 실링부(530)가 배치될 수 있다. 공정가스 실링부(530)는 제1 공정가스 공급관(510)과 제2 공정가스 공급관(520) 사이의 공간을 밀폐시키는 기능을 수행할 수 있다.
도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)와 제2 공정가스 공급관(520)이 접촉하는 면을 따라서는, 공정가스 실링부(530)와 제2 공정가스 공급관(520) 사이를 실링하는 제1 공정가스 오링(532)이 배치될 수 있다. 이를 위하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 공정가스 공급관(520)의 일단에는 제1 공정가스 홈(534)이 형성될 수 있다.
도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)가 절곡된 형태를 가지는 것을 확인할 수 있다. 보다 구체적으로, 공정가스 실링부(530)는 측면에서 절단하여 바라보았을 때, 절곡점을 두 개 가지는 선이 마주보고 있는 형태일 수 있다. 이에 따라, 공정가스 실링부(530) 부근을 측면에서 절단하여 바라보면, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 공정가스 공급관(510)과 공정가스 실링부(530)가 접촉하는 부근에서 ‘ㄷ’자 형상을 가지는 영역이 형성될 수 있게 된다. 여기서, ‘ㄷ’자 형상의 상부 가로획과 세로획은 공정가스 실링부(530)를 나타내며, ‘ㄷ’자 형상의 하부 가로획은 제1 공정가스 공급관(510)을 나타낸다. 이러한 ‘ㄷ’자 영역으로는 제1 공정가스 공급관(510)과 공정가스 실링부(530)를 실링하는 제2 공정가스 오링(536)이 배치될 수 있다. 결과적으로, 제2 공정가스 오링(536)은 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라서 형성되게 되며 공정가스 실링부(530)와는 2면 접촉하게 된다.
도 8을 더 참조하면, 공정가스 실링부(530)의 외측으로는 제1 공정가스 공급관(510)의 외주면을 따라 형성되는 공정가스 커버부(540)가 더 배치될 수 있다. 공정가스 커버부(540)는 공정가스 실링부(530)의 외측으로 배치되어 상술한 ‘ㄷ’자 영역을 ‘ㅁ’자 영역으로 구성되게 한다. 이러한 경우, 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 공정가스 오링(536)은 제1 공정가스 공급관(510)과 및 공정가스 커버부(540)와는 일면 접촉하게 되며, 공정가스 실링부(530)와는 2면 접촉하게 된다.
다음으로, 도 1 및 도 2에 도시되지는 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 공정가스 배기부(500)를 포함하여 구성될 수 있다. 공정가스 배기부(500)는 챔버(100) 내부로 공급된 공정가스를 배기하는 기능을 수행할 수 있다. 공정가스 배기부와 챔버(100)가 연결되는 부근에는 위에서 설명된 가스 실링 수단이 동일하게 적용될 수 있을 것이다.
다음으로, 도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 진공 장치(600)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 진공 장치(600)는 챔버(100)의 상측에 배치되어 챔버(100) 내부를 진공화시키는 기능을 수행할 수 있다.
여기서 진공 장치(600)가 챔버(100)의 상측에 배치되는 것에 주목할 필요가 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 공정가스 공급부(500)는 챔버(100)의 하측에 배치될 수 있는데, 이와 같이 공정가스 공급부(500)는 챔버(100)의 하측에, 진공 장치(600)는 챔버(100)의 상측에 배치되는 경우, 공정가스의 흐름은 챔버(100)의 하측에서 상측으로 이루어진다. 이처럼 공정가스의 흐름을 챔버(100)의 하측에서 상측으로 이루어지게 하는 것은, 본 발명의 공정가스로 이용되는 셀렌화 수소의 비중이 높은 관계로 셀렌화 수소를 상측에서 하측으로 흐르게 하는 것이 바람직하기 때문이다.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 챔버(110)와 연결되는 진공 장치(600) 주변의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 진공 장치(600)는 제1 진공관(610), 제2 진공관(620), 진공 실링부(630), 제1 진공 오링(632), 제1 진공 홈(634), 제2 진공 오링(636), 진공 커버부(640)을 포함하여 구성될 수 있다. 이는 앞서 설명된 제1 공정가스 공급관(510), 제2 공정가스 공급관(520), 공정가스 실링부(530), 제1 공정가스 오링(532), 제1 공정가스 홈(534). 제2 공정가스 오링(536), 공정가스 커버부(540)와 동일한 구성을 가지므로, 이에 관한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
한편, 도 1 내지 도 3을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 두 개의 디퓨저(700, 800)를 포함하여 구성될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치(1)는 챔버(100)의 하측[바람직하게는, 보트(400)의 하측]에 배치되어 공정가스 공급부(500)와 연결되는 제1 디퓨저(700)와 챔버(100)의 상측[바람직하게는 보트(400)의 상측]에 배치되어 진공 장치(600)와 연결되는 제2 디퓨저(800)를 포함하여 구성될 수 있다.
제1 디퓨저(700)와 제2 디퓨저(800)에는 다수의 홀이 형성되어 공정가스를 내부 전체로 확산시키고 공정가스의 균일한 흐름을 유도하는 기능을 수행할 수 있다. 이에 따라, 복수개의 기판(10)에 균일하게 공정가스를 공급할 수 있게 되며, 복수개의 기판(10)에 균일한 CIGS층을 형성할 수 있게 된다.
이때에, 제1 디퓨저(700)와 제2 디퓨저(800)는 다수개의 확산판을 구비할 수 있으며, 바람직하게는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 두 개의 확산판을 구비할 수 있다. 두 개의 확산판(710, 720)을 포함하는 제1 디퓨저(700)를 통하여 공정가스가 공급되는 과정에 대해서 살펴보면, 먼저 제1 디퓨저(700)로 공급된 공정가스는 제1 하부 확산판(710)의 제1 하부 확산홀(712)을 통하여 제1 디퓨저(700) 내부로 확산되게 되고, 이렇게 제1 디퓨저(700) 내부로 확산된 공정가스는 제1 상부 확산판(720)의 제1 상부 확산홀(722)을 통하여 챔버(100) 내부로 재확산되게 된다. 한편, 제2 디퓨저(800)에서 이루어지는 공정가스의 흐름 역시 제1 디퓨저(700)와 실질적으로 동일하게 이루어지므로, 제2 하부 확산판(810), 제2 상부 확산판(820), 제2 하부 확산홀(812), 제2 상부 확산홀(822)에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
1: CIGS층 형성장치
10: 기판
100: 챔버
110: 내부 챔버
120: 외부 챔버
130: 희석가스 공급부
140: 희석가스 배기부
150: 압력 센서
160: 외부 커버부
170: 챔버 실링부
172: 제1 챔버 홈
174: 제1 챔버 오링
176: 제2 챔버 홈
178: 제2 챔버 오링
180: 제3 챔버 홈
182: 제3 챔버 오링
200: 도어
210: 내부 도어
220: 외부 도어
230: 도어 진공 장치
240: 도어 커버부
250: 냉각 라인
260: 고정부
262: 삽입 홈
300: 히터
310: 도어 단열부
320: 챔버 단열부
330: 열 배기부
400: 보트
500: 공정가스 공급부
510: 제1 공정가스 공급관
520: 제2 공정가스 공급관
530: 공정가스 실링부
532: 제1 공정가스 오링
534: 제1 공정가스 홈
536: 제2 공정가스 오링
540: 공정가스 커버부
600: 진공 장치
610: 제1 진공관
620: 제2 진공관
630: 진공 실링부
632: 제1 진공 오링
634: 제1 진공 홈
636: 제2 진공 오링
640: 진공 커버부
700: 제1 디퓨저
710: 제1 하부 확산판
712: 제1 하부 확산홀
720: 제1 상부 확산판
722: 제1 상부 확산홀
800: 제2 디퓨저
810: 제2 하부 확산판
812: 제2 하부 확산홀
820: 제2 상부 확산판
822: 제2 상부 확산홀

Claims (20)

  1. 복수개의 기판에 대하여 CIGS층 형성 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 일측에 배치되어 상기 기판의 로딩 또는 언로딩을 위하여 개폐되는 도어;
    상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트;
    상기 복수개의 기판에 열을 가하는 히터;
    상기 챔버 내부로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부; 및
    상기 챔버 외부로 공정가스를 배기하는 공정가스 배기부
    를 포함하며,
    상기 챔버는 내부 챔버 및 상기 내부 챔버와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 챔버로 구성되는 이중 챔버 구조이며,
    상기 도어는 내부 도어 및 상기 내부 도어와 일정한 간격을 가지며 배치되는 외부 도어로 구성되는 이중 도어 구조인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간에는 소정의 희석가스가 충진되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 희석가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 희석가스의 압력을 측정하는 압력 측정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 희석가스의 압력이 상압 이상이 되도록 제어하는 압력 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 내부 챔버의 내면은 부식 방지 물질이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 부식 방지 물질은 텅스텐인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버는 분리 가능한 구조인 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어와 상기 외부 도어 사이의 공간은 진공 상태로 유지되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 내부 챔버의 일단에서 연장되고, 상기 외부 챔버와 접촉하면서 배치되어 상기 내부 챔버와 상기 외부 챔버 사이의 공간을 밀폐시키는 챔버 실링부; 및
    상기 챔버 실링부와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 외부 도어는 상기 챔버 실링부와 접촉하며,
    상기 외부 도어와 상기 챔버 실링부가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제2 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 CIGS층의 형성이 진행되는 동안 상기 내부 도어는 상기 외부 챔버와 접촉하며,
    상기 내부 도어와 상기 외부 챔버가 접촉하는 면을 따라서 배치되는 제3 챔버 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 외부 도어의 외측으로는 냉각수 또는 냉각 가스가 흐르는 냉각 라인이 설치되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 히터는 핫 월(hot-wall) 형태로 배치되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 공정가스 공급부는,
    상기 내부 챔버로부터 연장되는 제1 공정가스 공급관;
    상기 외부 챔버로부터 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면과 일정한 간격을 가지면서 상기 제1 공정가스 공급관 보다 짧은 길이로 연장되는 제2 공정가스 공급관;
    상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 상기 제2 공정가스 공급관의 일단과 접촉하면서 배치되어 상기 제1 공정가스 공급관과 상기 제2 공정가스 공급관 사이의 공간을 밀폐시키는 공정가스 실링부; 및
    상기 제2 공정가스 공급관과 상기 공정가스 실링부가 접촉하는 면을 따라 배치되는 제1 공정가스 오링
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 공정가스 실링부는 절곡된 형태를 가지며,
    상기 공정가스 공급부는 상기 제1 공정가스 공급관의 외주면을 따라 배치되며 상기 공정가스 실링부와는 2면 접촉하는 제2 공정가스 오링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 공정가스 공급부로는 H2Se 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 상측에 배치되어 상기 챔버 내부를 진공화시키는 진공 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 챔버 내부로 공급된 공정가스를 분사하는 제1 디퓨저; 및
    상기 제1 디퓨저로부터 분사된 공정가스를 흡입하는 제2 디퓨저
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 디퓨저는 상기 챔버 하측에 배치되고 상기 제2 디퓨저는 상기 챔버 상측에 배치되어 공정가스의 흐름이 상기 챔버의 하측에서 상측으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
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