KR101317299B1 - 히터 및 이를 사용한 ｃｉｇｓ층 형성장치 - Google Patents
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 83
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 24
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000009422 external insulation Methods 0.000 claims description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
히터 및 이를 사용한 CIGS층 형성장치가 개시된다. 본 발명에 따른 히터는 최외측에 위치되며 일면이 개방된 외부석영관의 개방된 부위가 압착되므로, 외부석영관의 내부가 완전하게 실링된다. 그리고, 히터가 설치된 CIGS층 형성장치의 부위는 3중으로 실링되므로, 챔버 내부의 분위기 가스가 외부로 누설되지 않는다. 따라서, CIGS층 형성 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 히터 및 이를 사용한 CIGS층 형성장치에 관한 것이다.
오늘날, 고갈되어 가는 화석 연료에 대한 의존도를 줄이기 위해, 고갈될 염려가 없을 뿐만 아니라 친환경적인 태양에너지를 활용하는 태양전지(Solar Cell)에 대한 연구 개발이 활발히 진행 중이다.
이러한 연구 개발의 일환으로, 태양광의 흡수율이 높고, 태양광 또는 방사선에 대한 열화 현상이 적으며, 박막화가 가능하고, 제작상 재료비를 절감할 수 있는 CIGS{Cu(In1-xGax)Se2} 층이 형성된 박막형 태양전지가 개발되었다.
박막형 태양전지는 유리 등의 기판, 기판 상에 형성된 금속층으로 이루어진 (+)극인 전극층, 전극층 상에 형성되며 광을 흡수하는 p형의 CIGS층, CIGS층 상에 형성된 n형의 버퍼층 및 버퍼층 상에 형성된 (-)극인 투명 전극층을 포함하는 다층 적층 구조이다.
그리하여, 수광부인 투명 전극층을 통하여 태양광이 입사되면, p-n 접합 부근에서는 대략 1.04 eV 의 밴드갭 에너지를 갖는 여기된 한 쌍의 전자 및 정공이 생성된다. 그리고, 여기된 전자와 정공은 확산에 의해 p-n 접합부에 도달하고, 접합부의 내부 전계에 의해 전자가 n 영역에, 정공이 p 영역에 집합하여 분리된다.
그러면, n 영역은 마이너스로 대전되고, p 영역은 플러스로 대전되며, 각 영역에 형성된 전극 간에는 전위차가 생긴다. 그리고, 전위차를 기전력으로 하여 각 전극 사이를 도선으로 연결하면 광전류가 얻어진다. 이것이 태양전지의 원리이다.
박막형 태양전지의 CIGS층을 형성하는 방법은, 기판에 형성된 전극층 상에 구리, 인듐, 갈륨의 원소를 적정 비율로 진공 스퍼터링하여 전구체막을 형성하는 전구체막 형성 공정과, 이와 같이 증착된 전구체막에 셀렌화 수소(H2Se) 기체를 흘려주면서 기판에 온도를 가하게 되는 셀렌화(selenization) 공정을 거친다. 이러한 일련의 공정에 따라, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 셀레늄(Se) 원소의 적정 조성 비율을 갖는 CIGS층을 형성할 수 있게 된다.
이러한 셀렌화 공정은 전구체막이 형성된 기판을 밀폐된 챔버에 로딩시키고, 챔버를 불활성가스로 치환한 다음, 챔버에 처리가스인 셀렌화 수소(H2Se)을 도입한 후, 챔버를 일정 온도로 승온시켜 일정 시간 유지하여, 셀렌화된 CIGS층을 형성하는 공정이다.
CIGS층 형성장치에는 챔버의 분위기 가스를 가열하기 위한 히터가 설치된다.
히터에는 할로겐 히터 또는 적외선 히터(Infrared Ray Heater) 등이 있는데, 할로겐 히터는 물건을 직접 가열하는 방식이므로 공기를 가열하여 기판을 간접적으로 가열하는 CIGS층 형성장치에 사용하기가 어렵다. 이로 인해, 공기를 가열할 수 있는 적외선 히터(Infrared Ray Heater)를 CIGS층 형성장치의 벽체에 설치하여 사용한다.
그런데, CIGS층 형성장치에 사용되는 히터는 일단부측이 벽체에 지지 설치되고 타단부측은 벽체의 내부에 위치되므로, 히터의 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 모두 벽체에 지지된 히터의 일단부측을 통하여 외부로 노출된다.
이로 인해, 종래의 CIGS층 형성장치는 히터를 구성하는 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 히터의 일단부측 부위를 실링하기 어렵고, 히터와 벽체 사이의 부위를 실링하기 어려워 CIGS층 형성 공정의 신뢰성이 저하되는 단점이 있었다.
CIGS층 형성장치와 관련된 기술은 한국공개특허공보 10-2010-0126854호 등에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 히터 자체 및 히터와 벽체 사이를 완전하게 실링함으로써, CIGS층 형성 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 히터 및 이를 사용한 CIGS층 형성장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 히터는, 일면은 개방되고 타면은 밀폐된 외부석영관; 상기 외부석영관의 내부에 설치되며 일면 및 타면이 개방된 내부석영관; 상기 내부석영관의 일면측에서 타면측을 향하여 상기 내부석영관의 내부를 통과한 후, 상기 내부석영관의 타면측에서 일면측을 향하여 나선(螺線) 형태를 이루면서 상기 내부석영관의 외면에 감기며, (+) 및 (-) 리드선은 상기 외부석영관의 일면 외측으로 노출된 코일; 상기 외부석영관의 일면측 내부에 위치되며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 상호 이격된 한쌍의 내부절연부재를 포함하며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 상기 외부석영관의 일면측 부위는 압착되어 실링된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 CIGS층 형성장치는, 복수개의 기판이 상호 간격을 가지면서 로딩되어 처리되는 챔버를 제공하는 벽체(壁體), 상기 벽체의 하면에 승강가능하게 설치되어 상기 챔버를 개폐하는 도어, 상기 벽체의 내면을 따라 하단부측이 상기 벽체의 하면에 지지되어 설치되며 상기 챔버의 분위기 가스를 가열하는 복수의 히터를 포함하는 CIGS층 형성장치로서, 상기 히터는 하면은 개방되어 상기 벽체의 하면 외측에 위치되고 상면은 밀폐되어 상기 벽체의 내부에 위치된 외부석영관; 상기 외부석영관의 내부에 설치되며 하면 및 상면이 개방된 내부석영관; 상기 내부석영관의 하면측에서 상면측을 향하여 상기 내부석영관의 내부를 통과한 후, 상기 내부석영관의 상면측에서 하면측을 향하여 나선(螺線) 형태를 이루면서 상기 내부석영관의 외면에 감기며, (+) 및 (-) 리드선은 상기 외부석영관의 하면 외측으로 노출된 코일; 상기 외부석영관의 하면측 내부에 위치되며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 상호 이격된 한쌍의 내부절연부재를 포함하며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 상기 외부석영관의 하면측 부위는 압착되어 실링된다.
본 발명에 따른 히터는 최외측에 위치되며 일면이 개방된 외부석영관의 개방된 부위가 압착되므로, 외부석영관의 내부가 완전하게 실링된다. 그리고, 히터가 설치된 CIGS층 형성장치의 부위는 3중으로 실링되므로, 챔버 내부의 분위기 가스가 외부로 누설되지 않는다. 따라서, CIGS층 형성 공정의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 CIGS층 형성장치의 일부 절개 사시도로서, 도어측이 하강한 상태를 보인 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 히터 부위의 분해 사시도.
도 4는 도 3의 결합 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 CIGS층 형성장치의 일부 절개 사시도로서, 도어측이 하강한 상태를 보인 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 히터 부위의 분해 사시도.
도 4는 도 3의 결합 단면도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 및 이를 사용한 CIGS층 형성장치를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 CIGS층 형성장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 CIGS층 형성장치의 일부 절개 사시도로서, 도어측이 하강한 상태를 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 유리 등의 기판(50)이 로딩되어 처리되는 밀폐된 챔버(110a)를 제공하는 스테인리스 스틸로 형성된 벽체(壁體)(110)를 포함한다. 벽체(110)는 수직으로 기립 설치되며, 챔버(110a)가 형성된 내부벽체(111)와 내부벽체(111)의 상면과 측면을 감싸는 형태로 설치되며 내부벽체(111)의 외면과 간격을 가지는 외부벽체(115)를 가진다.
내부벽체(111)의 하면 테두리부측 및 외부벽체(115)의 하면 테두리부측에는 외측 및 내측으로 각각 돌출되어 상호 밀폐 결합되는 플랜지부(112, 116)가 각각 형성된다. 내부벽체(111)와 외부벽체(115) 사이의 공간에는 질소 가스가 유입될 수 있다. 질소 가스는 챔버(110a)로 유입된 후술할 셀렌화 수소(H2Se)가 내부벽체(111)와 외부벽체(115) 사이로 누설되었을 때, 셀렌화 수소를 희석시킨다.
내부벽체(111)의 하면에는 출입구(113)가 형성되고, 내부벽체(111)의 하면 하측에는 도어(121)가 승강가능하게 설치된다. 도어(121)는 내부벽체(111)의 하측에 설치된 모터 또는 실린더 등과 같은 승강수단(미도시)에 의하여 승강하면서 출입구(113)를 개폐하고, 이로 인해 챔버(110a)가 개방 또는 밀폐된다.
도어(121)에 의하여 출입구(113)가 완전하게 실링되도록 도어(121)의 테두리부측에는 실링부재(미도시)가 설치될 수 있다.
상기 실링부재가 내부벽체(111)의 하면에 더욱 밀착되도록 하기 위하여, 도어(121)의 하측에는 지지판(123)이 설치되고, 지지판(123)과 도어(121) 사이에는 스프링 또는 합성수지 등과 같은 탄성부재(125)가 개재된다.
상세히 설명하면, 지지판(123)은 상기 승강수단에 지지되고, 지지판(123)과 도어(121)는 탄성부재(125)를 매개로 상호 연결된다. 그러면, 상기 승강수단에 의하여 지지판(123)이 상승하면, 지지판(123)에 의하여 도어(121)가 상승하고, 도어(121)의 상승에 의하여 도어(121)에 지지된 상기 실링부재가 내부벽체(111)의 하면에 접촉된다. 그런데, 지지판(123)이 상기 승강수단에 지지되어 고정되어 있으므로, 탄성부재(125)의 탄성력에 의하여, 도어(121)는 내부벽체(111)의 하면측으로 탄성 지지된다. 따라서, 상기 실링부재가 내부벽체(111)의 하면에 더욱 밀착되는 것이다.
도어(121)의 상면에는 복수의 단열판(미도시)과 열전달판(미도시) 및 복수의 히터(미도시)가 설치될 수 있다. 상기 히터는 일측이 개방된 링형상을 이루며, 하나의 상기 열전달판에 직경이 상이한 상기 히터들이 동심을 이루면서 배치된다.
상기 열전달판과 상기 히터는 기판(50)을 처리하기 위하여 챔버(110a)로 유입된 분위기 가스를 소정 온도로 가열하고, 상기 단열판은 상기 히터에 의하여 가열된 챔버(110a)의 분위기 가스의 열이 외부로 방출되는 것을 방지한다.
기판(50)은 상하로 기립된 형태로 복수개가 상호 간격을 가지면서 보트(140)에 지지되어 챔버(110a)에 로딩되어 처리된다. 보트(140)는 상하면이 개방되며 내면에는 기판(50)의 테두리부측이 삽입 지지되는 지지홈(미도시)이 형성된다.
지지판(123)과 도어(121)와 보트(140)는 함께 승강한다.
전극층과 적정 원소 비율로 형성된 구리, 인듐, 갈륨으로 이루어진 전구체막이 형성된 기판(50)을 보트(140)에 지지시킨 다음, 보트(140)를 도어(121)의 상측에 탑재 지지시킨다. 그 후, 지지판(123)을 상승시키면, 보트(140)가 챔버(110a)에 위치되고, 챔버(110a)는 밀폐된다. 이러한 상태에서, 챔버(110a)에 질소 가스를 유입한 다음, 셀렌화 가스((H2Se)를 주입하여 소정 온도에서 CIGS층을 형성하고, CIGS층 형성한 다음에는 또 다른 소정 온도에서 황화 가스(H2S)를 주입하여 기판(50)에 형성된 CIGS층을 처리한다.
CIGS층을 형성할 때, 챔버(110a)의 분위기 가스가 복수의 기판(50)으로 균일하게 전달되도록 함과 동시에, 하나의 기판(50)의 전체면에 균일하게 전달되도록 하기 위하여 도어(121)측에는 팬(151)과 확산판(155)이 설치된다.
따라서, 팬(151)에서 배출되는 챔버(110a)의 분위기 가스는 난류를 형성하지 않고 내부벽체(111)의 측면측으로 균일하게 배출된다. 그리고, 팬(151)에 의하여 내부벽체(111)의 측면측으로 배출된 챔버(110a)의 분위기 가스는 내부벽체(111)의 측면을 타고 상승한다.
내부벽체(111)의 내부에는 챔버(110a)의 분위기 가스를 소정 온도로 가열하는 바 형상의 히터(160)가 설치된다. 히터(160)는 내부벽체(111)의 하면에 하단부측이 지지되고, 상부측은 내부벽체(111)의 내부에 위치된다. 그리고, 히터(160)는 내부벽체(111)의 내면을 따라 보트(140)를 감싸는 형태로 설치되어, 챔버(110a)의 분위기 가스를 가열한다.
내부벽체(111)의 내면은 챔버(110a)의 분위기 가스와 접촉하므로, 챔버(110a)의 분위기 가스에 의하여 내부벽체(111)의 내면이 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 내부벽체(111)의 내면은 코팅된다.
상기 히터와 히터(160)에 의하여 챔버(110a)의 분위기 가스가 가열되면, 내부벽체(111)가 열팽창된다. 그런데, 내부벽체(111)의 외면과 내면이 상이하게 열팽창되면, 내부벽체(111)의 내면에 형성된 상기 코팅이 손상될 수 있으므로, 내부벽체(111)와 외부벽체(115)의 사이에도 히터(미도시)가 설치될 수 있다.
히터(160)의 상부측이 내부벽체(111)의 내부에 위치되므로, 히터(160)를 구성하는 코일(165)(도 4 참조)의 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)(도 4 참조)은 히터(160)의 하측 부위를 통하여 외부로 노출되어야 한다. 그러면, 그 구조상 히터(160) 자체를 실링하기가 어렵고, 히터(160)와 내부벽체(111) 사이를 실링하기 어렵다.
본 실시예에 따른 히터(160) 및 이를 사용한 CIGS층 형성장치는 히터(160) 자체를 완전하게 실링하고, 히터(160)와 내부벽체(111) 사이를 완전하게 실링할 수 있도록 구성된다. 이를 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 히터 부위의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 결합 단면도이다.
도시된 바와 같이, 히터(160)는 외부석영관(161), 내부석영관(163), 코일(165), 내부절연부재(167) 및 외부절연부재(169)를 포함할 수 있다.
도시된 바와 같이, 히터(160)는 외부석영관(161), 내부석영관(163), 코일(165), 내부절연부재(167) 및 외부절연부재(169)를 포함할 수 있다.
외부석영관(161)은 하면은 개방되어 내부벽체(111)의 하면 외측에 위치되고 상면은 밀폐되어 내부벽체(111)의 내부에 위치된다. 그러므로, 외부석영관(161)의 하측 부위는 내부벽체(111)를 관통한다. 내부석영관(163)은 외부석영관(161)의 내부에 설치되며 하면 및 상면이 개방된다.
코일(165)은 내부석영관(163)의 하면측에서 상면측을 향하여 내부석영관(163)의 내부를 통과한 후, 내부석영관(163)의 상면측에서 하면측을 향하여 내부석영관(163)의 외면에 감긴다. 따라서, 내부석영관(163)의 내부에 위치된 코일(165)은 직선형태를 이루고, 내부석영관(163)의 외부에 위치된 코일(165)은 나선(螺線) 형태를 이룬다. 그리고, 외부의 전원측과 접촉되는 코일(165)의 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 외부석영관(161)의 하면 외측으로 노출된다. 여기서, (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 코일(165)의 일단부측 및 타단부측을 말한다.
(+) 리드선(165a)측의 코일(165)과 (-) 리드선(165b)측의 코일(165)은 내부석영관(163)에 의하여 구획되어 있으므로 상호 접속되지 않으나, (+) 리드선(165a)과 (-) 리드선(165b)은 상호 접속될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 외부석영관(161)의 하면측 내부에는 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)이 상호 이격되도록 지지하는 상호 이격된 한쌍의 내부절연부재(167)가 설치된다. 즉, (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 어느 하나 및 다른 하나의 내부절연부재(167)를 각각 통과하여 상호 구획된다.
그리고, (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)이 통과하는 외부석영관(161)의 하면측 부위는 압착되어 실링된다. 따라서, 히터(160)의 외부석영관(161)의 내부는 완전하게 실링되는 것이다.
압착된 외부석영관(161)의 하단부측에는 외부절연부재(169)가 결합된다. 외부석영관(161)의 외부로 노출된 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 상호 이격되어 외부절연부재(169)를 통과하며, 외부절연부재(169)는 압착되어 외부석영관(161)의 하면측 부위에 결합된다. 이로 인해, 외부석영관(161)의 외부로 노출된 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 상호 이격되고, (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)이 통과하는 외부절연부재(169)의 부위는 실링된다. 따라서, 히터(160)의 외부석영관(161)의 내부는 더욱 완전하게 실링된다.
내부벽체(111)의 내부 하면에는 단열재(171)가 설치되고, 내부벽체(111)의 외부 하면에는 쿨링블록(173)이 결합된다. 이때, 외부석영관(161)은 단열재(171) 및 쿨링블록(173)을 관통함은 당연하다. 그리고, 쿨링블록(173)과 내부벽체(111)의 외부 하면 사이에는 외부석영관(161)을 감싸는 형태로 제 1 실링부재(175)가 개재된다.
단열재(171)는 챔버(110a)의 분위기 가스의 열이 외부로 방출되는 것을 방지하고, 제 1 실링부재(175)는 챔버(110a)의 분위기 가스가 외부로 누설되는 것을 방지하며, 쿨링블록(173)은 제 1 실링부재(175)를 냉각시켜 제 1 실링부재(175)가 열에 의하여 손상되는 것을 방지한다.
쿨링블록(173)의 하면에는 외부석영관(161)이 관통 지지되는 지지부재(181)가 결합되고, 쿨링블록(175)과 지지부재(181) 사이에는 외부석영관(161)을 감싸는 형태로 제 2 실링부재(177)가 개재된다. 제 2 실링부재(177)도 챔버(110a)의 분위기 가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다.
외부석영관(161)의 하단부측과 외부절연부재(169)를 감싸는 형태로 보호캡(183)이 결합되고, 보호캡(183)의 상측 부위는 외부석영관(161)과 지지부재(181) 사이에 삽입된다. 이때, 지지부재(181)의 하부측 내면 부위에는 하측으로 갈수록 점점 직경이 넓어지는 형태로 경사진 경사부(181a)가 형성되고, 경사부(181a)가 시작되는 부위에는 외부석영관(161)의 외면을 감싸는 형태로 설치되어 외부석영관(161)과 지지부재(181) 사이를 실링하는 제 3 실링부재(179) 개재된다.
보호캡(183)의 상단면(上端面)은 제 3 실링부재(179)와 접촉한다. 그리고, 보호캡(183)은 지지부재(181)의 외주면에 내주면이 결합되어 정역회전함에 따라 지지부재(181)를 따라 승강하는 승강부재(185)에 의하여 승강한다. 따라서, 승강부재(185)가 상승하여 보호캡(183)을 상승시키면, 보호캡(183)의 상단면(上端面)에 의하여 제 3 실링부재(179)가 외부석영관(161) 및 지지부재(181)에 밀착되므로, 외부석영관(161)과 지지부재(181) 사이가 안정되게 실링된다.
지지부재(181)의 외주면과 승강부재(185)의 내주면에는 상호 맞물리는 치(齒)가 각각 형성된다.
코일(165)의 (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)은 보호캡(183)을 통과하여 보호캡(183)의 외측으로 노출된다. 그리고, (+) 및 (-) 리드선(165a, 165b)과 보호캡(183) 사이의 간격은 진공용 접착제에 의하여 실링된다.
본 실시예에 따른 CIGS층 형성장치는 내부벽체(111)의 하면과 히터(160) 사이의 틈이 제 1 내지 제 3 실링부재(175, 177, 179)에 의하여 3중으로 실링되므로, 챔버(110a)의 분위기 가스가 외부로 누설되지 않는다. 그리고, 히터(160)가 파손되어도, 보호캡(183) 자체가 실링되어 있고, 지지부재(181)와 보호캡(183) 사이의 틈은 제 3 실링부재(179)에 의하여 실링되므로, 챔버(110a)의 분위가 가스가 외부로 누설되지 않는다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 예로 들어 도시하여 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
110: 벽체
160: 히터
161: 외부석영관
163: 내부석영관
165: 코일
167: 내부절연부재
169: 외부절연부재
160: 히터
161: 외부석영관
163: 내부석영관
165: 코일
167: 내부절연부재
169: 외부절연부재
Claims (12)
- 일면은 개방되고 타면은 밀폐된 외부석영관;
상기 외부석영관의 내부에 설치되며 일면 및 타면이 개방된 내부석영관;
상기 내부석영관의 일면측에서 타면측을 향하여 상기 내부석영관의 내부를 통과한 후, 상기 내부석영관의 타면측에서 일면측을 향하여 나선(螺線) 형태를 이루면서 상기 내부석영관의 외면에 감기며, 자신의 일단부측 및 타단부측인 (+) 및 (-) 리드선은 상기 외부석영관의 일면 외측으로 노출된 코일;
상기 외부석영관의 일면측 내부에 위치되며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 상호 이격된 한쌍의 내부절연부재를 포함하며,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 상기 외부석영관의 일면측 부위는 압착되어 실링된 것을 특징으로 하는 히터. - 제1항에 있어서,
압착된 상기 외부석영관의 일단부측 외면에는 상기 외부석영관의 외부로 노출된 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 외부절연부재가 결합된 것을 특징으로 하는 히터. - 제2항에 있어서,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선은 어느 하나 및 다른 하나의 상기 내부절연부재를 통과하고,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선은 상호 이격되어 상기 외부절연부재를 통과하며,
상기 외부절연부재는 압착되어 상기 외부석영관의 일면측 부위에 결합됨과 동시에 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 부위를 실링하는 것을 특징으로 하는 히터. - 복수개의 기판이 상호 간격을 가지면서 로딩되어 처리되는 챔버를 제공하는 벽체(壁體), 상기 벽체의 하면에 승강가능하게 설치되어 상기 챔버를 개폐하는 도어, 상기 벽체의 내면을 따라 하단부측이 상기 벽체의 하면에 지지되어 설치되며 상기 챔버의 분위기 가스를 가열하는 복수의 히터를 포함하는 CIGS층 형성장치로서,
상기 히터는 하면은 개방되어 상기 벽체의 하면 외측에 위치되고 상면은 밀폐되어 상기 벽체의 내부에 위치된 외부석영관;
상기 외부석영관의 내부에 설치되며 하면 및 상면이 개방된 내부석영관;
상기 내부석영관의 하면측에서 상면측을 향하여 상기 내부석영관의 내부를 통과한 후, 상기 내부석영관의 상면측에서 하면측을 향하여 나선(螺線) 형태를 이루면서 상기 내부석영관의 외면에 감기며, 자신의 일단부측 및 타단부측인 (+) 및 (-) 리드선은 상기 외부석영관의 하면 외측으로 노출된 코일;
상기 외부석영관의 하면측 내부에 위치되며, 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 상호 이격된 한쌍의 내부절연부재를 포함하며,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 상기 외부석영관의 하면측 부위는 압착되어 실링된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제4항에 있어서,
압착된 상기 외부석영관의 하단부측 외면에는 상기 외부석영관의 외부로 노출된 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 상호 이격되도록 지지하는 외부절연부재가 결합된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제5항에 있어서,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선은 어느 하나 및 다른 하나의 상기 내부절연부재를 통과하고,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선은 상호 이격되어 상기 외부절연부재를 통과하며,
상기 외부절연부재는 압착되어 상기 외부석영관의 일면측 부위에 결합됨과 동시에 상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선이 통과하는 부위를 실링하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제6항에 있어서,
상기 벽체의 내부 하면에는 단열재가 설치되고,
상기 벽체의 외부 하면에는 쿨링블록이 결합되며,
상기 히터는 상기 단열재 및 상기 쿨링블록을 관통하고,
상기 쿨링블록과 상기 벽체의 외부 하면 사이에는 상기 히터를 감싸는 형태로 제 1 실링부재가 개재된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제7항에 있어서,
상기 쿨링블록의 하면에는 히터가 관통 지지되는 지지부재가 결합되고,
상기 쿨링블록과 상기 지지부재 사이에는 상기 히터를 감싸는 형태로 제 2 실링부재가 개재된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제8항에 있어서,
상기 지지부재의 하부측 내면 부위에는 하측으로 갈수록 직경이 넓어지는 형태로 경사진 경사부가 형성되고,
상기 지지부재의 경사진 부위가 시작되는 부위에는 상기 히터를 감싸는 형태로 설치되어 상기 히터와 상기 지지부재 사이를 실링하는 제 3 실링부재 개재된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제9항에 있어서,
상기 외부석영관의 하단부측과 상기 외부절연부재를 감싸는 형태로 보호캡이 결합되고,
상기 보호캡의 상부측은 상기 히터와 상기 지지부재 사이에 삽입되어 상기 제 3 실링부재를 지지하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제10항에 있어서,
상기 지지부재의 외면에는 승강부재가 승강가능하게 결합되고,
상기 보호캡은 상기 승강부재에 의하여 상승하면서 상기 제 3 실링부재를 밀착하는 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치. - 제11항에 있어서,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선은 상기 보호캡을 통과하여 상기 보호캡의 외측으로 노출되고,
상기 코일의 (+) 및 (-) 리드선과 상기 보호캡 사이의 간격은 진공용 접착제에 의하여 실링된 것을 특징으로 하는 CIGS층 형성장치.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020110137204A KR101317299B1 (ko) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 히터 및 이를 사용한 ｃｉｇｓ층 형성장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| KR20130070066A KR20130070066A (ko) | 2013-06-27 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020110137204A KR101317299B1 (ko) | 2011-12-19 | 2011-12-19 | 히터 및 이를 사용한 ｃｉｇｓ층 형성장치 |
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| KR (1) | KR101317299B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| KR20090015385A (ko) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | 후아-쉰 챠이 | 파이프 히터를 둘러싸는 도관 장치 |
| KR20110121443A (ko) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 주식회사 테라세미콘 | Ｃｉｇｓ층 형성장치 |
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