KR20120013361A - 노광 방법 및 노광 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피노광체(8)를 화살표 A 방향으로 반송하면서, 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 피노광체(8)의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)을 사용하여 행하는 피노광체(8)의 제1 노광 영역(9)에 대한 노광이 종료되면, 포토 마스크(11)를 피노광체의 반송 속도에 동기시켜 이동하여 제1 마스크 패턴군(12)으로부터 제2 마스크 패턴군(13)으로 전환하고, 포토 마스크(11)의 마스크 패턴군의 전환이 종료되면, 상기 포토 마스크(11)의 이동을 정지하여 제2 마스크 패턴군(13)에 의해 피노광체(8)의 제2 노광 영역(10)에 대한 노광을 실행하고, 피노광체(8)의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴(24, 25)을 형성한다. 이에 의해, 동일한 피노광체에 대한 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 향상시킨다.

Description

노광 방법 및 노광 장치 {EXPOSURE METHOD AND EXPOSURE APPARATUS}
본 발명은, 피노광체를 일방향으로 반송하면서 피노광체 상에 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법 및 노광 장치에 관한 것으로, 상세하게는, 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 향상시키고자 하는 노광 방법 및 노광 장치에 관한 것이다.
종래, 이러한 종류의 노광 방법은, 피노광체를 일방향으로 반송하면서, 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 선택하고 상기 하나의 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 소정의 노광 영역에 하나의 노광 패턴군을 노광 형성하고, 다음에 일단 상기 피노광체를 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시킨 후, 포토 마스크의 마스크 패턴군을 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 그 후 피노광체의 반송을 재개하여 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다른 노광 영역에 다른 노광 패턴군을 노광 형성하도록 되어 있었다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
일본 특허 출원 공개 제2008-310217호 공보
그러나 이와 같은 종래의 노광 방법에 있어서는, 하나의 마스크 패턴군에 의한 노광이 종료될 때마다 피노광체를 일단, 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시키도록 되어 있었으므로, 피노광체에 대한 모든 노광이 종료될 때까지의 피노광체의 총 이동 거리가, 형성하고자 하는 노광 패턴의 종류가 많아질수록 길게 되어 있었다. 따라서 동일한 피노광체 상에 복수종의 노광 패턴을 형성하고자 한 경우에, 노광 패턴의 형성 효율이 나쁘다고 하는 문제가 있었다.
따라서 본 발명은 이와 같은 문제점에 대처하여, 동일한 피노광체에 대한 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 향상시키고자 하는 노광 방법 및 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의한 노광 방법은, 피노광체를 일방향으로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법이며, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 포토 마스크를 상기 피노광체의 반송 속도에 동기시켜 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 단계와, 상기 포토 마스크의 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로의 전환이 종료되면, 상기 포토 마스크의 이동을 정지하여 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 단계를 행하는 것이다.
이와 같은 구성에 의해, 피노광체를 일방향으로 반송하면서, 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 포토 마스크를 피노광체의 반송 속도에 동기시켜 이동하여 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로의 전환이 종료되면, 상기 포토 마스크의 이동을 정지하여 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하고, 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성한다.
또한, 상기 포토 마스크는 상기 피노광체의 반송 방향으로 이동하는 것이다. 이에 의해, 포토 마스크를 피노광체의 반송 방향으로 이동하여 마스크 패턴군의 전환을 한다.
또한, 본 발명에 의한 노광 장치는, 피노광체를 일방향으로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 장치이며, 상기 피노광체를 소정 속도로 반송하는 반송 수단과, 상기 반송 수단의 상면에 대향하여 배치되어, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크를 보유 지지하는 동시에, 상기 반송 수단의 이동에 동기하여 이동 가능하게 형성된 마스크 스테이지를 구비하고, 상기 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는, 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 마스크 스테이지를 이동하여 상기 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 것이다.
이와 같은 구성에 의해, 반송 수단으로 피노광체를 일방향으로 소정 속도로 반송하면서, 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 마스크 스테이지를 피노광체의 이동과 동기시켜 이동하여 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하고, 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성한다.
그리고 상기 마스크 스테이지는, 상기 피노광체의 반송 방향으로 이동하는 것이다. 이에 의해, 포토 마스크를 피노광체의 반송 방향으로 이동하여 마스크 패턴군의 전환을 한다.
청구항 1 또는 청구항 3에 관한 발명에 따르면, 종래 기술과 달리, 소정의 노광 영역에 대한 노광이 종료될 때마다, 피노광체를 노광 개시 전의 대기 위치까지 복귀시키는 일 없이 피노광체를 연속하여 소정 속도로 이동시키면서, 복수의 노광 영역마다 각각 다른 노광 패턴을 형성할 수 있다. 따라서 모든 노광이 종료될 때까지의 피노광체의 총 이동 거리는, 종래 기술보다도 훨씬 짧아진다. 그로 인해, 동일한 피노광체에 대한 복수종의 노광 패턴의 형성 효율을 종래 기술보다도 향상시킬 수 있다.
또한, 청구항 2 또는 청구항 4에 관한 발명에 따르면, 포토 마스크를 피노광체에 근접 대향시켜 노광하는 프록시미티 노광 장치를 구성할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 노광 장치의 실시 형태를 도시하는 개요도이다.
도 2는 상기 노광 장치에 사용하는 피노광체의 표면에 설정된 노광 영역의 일 설정예를 도시하는 평면도이다.
도 3은 상기 노광 장치에 사용하는 포토 마스크의 일 구성예를 도시하는 평면도이다.
도 4는 상기 노광 장치의 제어 수단의 개략 구성을 도시하는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 노광 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 노광 방법을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명에 의한 노광 장치의 실시 형태를 도시하는 개요도이다. 이 노광 장치는 노광 공정의 실행 중, 상시 피노광체를 일방향으로 반송하면서 피노광체 상에 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 것으로, 반송 수단(1)과, 광원(2)과, 커플링 광학계(3)와, 마스크 스테이지(4)와, 촬상 수단(6)과, 제어 수단(7)을 구비하여 이루어진다.
상기 반송 수단(1)은, 상면(1a)에 피노광체(8)를 적재하여 화살표 A로 나타내는 방향으로 소정의 속도로 반송하는 것으로, 에어를 상면(1a)으로부터 분사하는 동시에 흡인하고, 상기 에어의 분사와 흡인을 균형을 맞추어 피노광체(8)를 소정량만큼 부상시킨 상태에서 도시 생략한 반송 롤러에 의해 피노광체(8)의 양단부 테두리부를 보유 지지하여 반송하도록 되어 있다. 또한, 반송 수단(1)에는, 피노광체(8)의 이동 속도를 검출하는 속도 센서 및 피노광체(8)의 위치를 검출하는 위치 센서(도시 생략)가 구비되어 있다.
여기서 사용하는 피노광체(8)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 노광 패턴군을 형성하고자 하는 제1 노광 영역(9)과, 제2 노광 패턴군을 형성하고자 하는 제2 노광 영역(10)이 반송 방향(화살표 A 방향)으로 간격(W)을 두고 미리 설정된 것으로, 예를 들어 다면 컬러 필터 기판 등이다.
상기 반송 수단(1)의 상방에는, 광원(2)이 설치되어 있다. 이 광원(2)은 광원광(5)으로서 자외선을 방사하는 것으로, 크세논 램프, 초고압 수은 램프, 또는 레이저 광원 등이다.
상기 광원(2)의 광 방사 방향 전방에는, 커플링 광학계(3)가 설치되어 있다. 이 커플링 광학계(3)는 광원(2)으로부터 방사된 광원광(5)을 평행광으로 하여 후술하는 포토 마스크(11)의 마스크 패턴군에 조사시키는 것으로, 포토 인터그레이터나 콘덴서 렌즈 등의 광학 부품을 포함하여 구성되어 있다. 또한, 포토 마스크(11)의 각 마스크 패턴군의 형성 영역의 외형 형상에 맞추어 광원광(5)의 횡단면 형상을 정형하는 마스크도 구비하고 있다.
상기 반송 수단(1)의 상면에 대향하여 마스크 스테이지(4)가 설치되어 있다. 이 마스크 스테이지(4)는 피노광체(8) 상에 형성되는 다른 종류의 제1 및 제2 노광 패턴군에 각각 대응하는 제1 및 제2 마스크 패턴군(12, 13)을, 도 3에 도시한 바와 같이, 피노광체(8) 상에 설정된 제1 및 제2 노광 영역(9, 10)의 간격과 동일한 간격(W)으로, 피노광체(8)의 반송 방향(화살표 A 방향)으로 배열하여 형성한 포토 마스크(11)의 주연부를 보유 지지하는 동시에, 화살표 A로 나타내는 피노광체(8)의 반송 방향과 동일 방향(화살표 B 방향)으로 상기 피노광체(8)의 이동 속도에 동기하여 이동 가능하게 형성되어 있다.
상기 포토 마스크(11)에 의한 노광 위치로부터 반송 방향(화살표 A 방향)과 반대 방향으로 소정 거리만큼 이격된 위치를 촬상 가능하게 촬상 수단(6)이 설치되어 있다. 이 촬상 수단(6)은 피노광체(8)의 표면을 촬상하는 것으로, 반송 수단(1)의 상면에 평행한 면 내에서 반송 방향과 대략 직교하는 방향으로 복수의 수광 소자를 일직선 형상으로 배열한 라인 카메라이다. 촬상 수단(6)은, 구체적으로는 포토 마스크(11)의 마스크 패턴군의 노광 중심 위치를 기준으로 하여 반송 방향과 반대 방향으로 거리(L)만큼 이격된 위치를 촬상하도록 배치되어 있다.
상기 반송 수단(1)과, 광원(2)과, 마스크 스테이지(4)와, 촬상 수단(6)에 전기적으로 결선하여 제어 수단(7)이 설치되어 있다. 이 제어 수단(7)은 반송 수단(1) 및 마스크 스테이지(4)의 이동을 적절하게 제어하는 것으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 화상 처리부(14)와, 메모리(15)와, 연산부(16)와, 비교기(17)와, 반송 수단 구동 컨트롤러(18)와, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(19)와, 광원 구동 컨트롤러(20)와, 제어부(21)를 구비하고 있다.
여기서, 화상 처리부(14)는 촬상 수단(6)에 의해 촬상된 피노광체(8) 표면의 화상을 처리하여 각 노광 영역(9, 10)의 반송 방향 선두측의 위치를 검출하는 것이다. 또한, 메모리(15)는 각 노광 영역(9, 10)의 화살표 A 방향의 치수 및 포토 마스크(11)에 의한 노광 중심 위치와 촬상 수단(6)에 의한 촬상 위치 사이의 거리(L) 등을 기억하는 동시에, 후술하는 연산부(16)에 있어서의 연산 결과를 일시적으로 기억하는 것이다. 또한, 연산부(16)는 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(8)의 이동 거리를 연산하는 것이다. 또한, 비교기(17)는 연산부(16)에서 연산된 반송 수단(1)의 이동 거리와 메모리(15)로부터 판독한 각 치수를 비교하는 것이다. 그리고 반송 수단 구동 컨트롤러(18)는, 피노광체(8)가 소정 속도로 이동하도록 반송 수단(1)의 구동을 제어하는 것이다. 또한, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(19)는 마스크 스테이지(4)를 피노광체(8)의 이동에 동기하여 이동시켜 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)으로부터 제2 마스크 패턴군(13)으로 전환하는 것이다. 또한, 광원 구동 컨트롤러(20)는 광원(2)의 점등 및 소등의 구동을 제어하는 것이다. 그리고 제어부(21)는 상기 각 구성 요소가 적절하게 구동하도록 장치 전체를 통합하여 제어하는 것이다.
다음에, 이와 같이 구성된 노광 장치의 동작 및 상기 노광 장치를 사용하여 행하는 노광 방법에 대해 도 5를 참조하여 설명한다. 여기서는, 피노광체(8)는 그 표면에 다른 노광 패턴이 형성되는 제1 노광 영역(9)과 제2 노광 영역(10)을 반송 방향으로 간격(W)을 두고 설정한 것인 경우에 대해 설명한다.
우선, 스텝 S1에 있어서는, 마스크 스테이지(4)는 대기 위치에 정지하고 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)이 선택되어 있다.
스텝 S2에 있어서는, 반송 수단(1)이 반송 수단 구동 컨트롤러(18)에 의해 제어되어 구동되어, 피노광체(8)를 화살표 A 방향으로 소정 속도로 반송하는 동작을 개시한다.
스텝 S3에 있어서는, 화상 처리부(14)에서 촬상 수단(6)에 의해 촬상된 피노광체(8)의 표면의 화상을 처리하고, 제1 노광 영역(9)의 화살표 A 방향의 전방측 테두리부에서, 예를 들어 제1 노광 영역(9) 내에 미리 형성된 복수의 기준 패턴으로 이루어지는 기준 패턴군이 화살표 A 방향 전방측의 테두리부를 검출한다.
스텝 S4에 있어서는, 연산부(16)에 의해, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 제1 노광 영역(9)의 화살표 A 방향의 전방측 테두리부를 검출한 후 피노광체(8)가 이동하는 거리를 산출하고, 비교기(17)에 의해 상기 산출된 피노광체(8)의 이동 거리와 메모리(15)로부터 판독한 거리(L)를 비교한다. 그리고 양자가 합치되어, 스텝 S4에 있어서 "예" 판정으로 되면, 스텝 S5로 진행한다.
스텝 S5에 있어서는, 광원 구동 컨트롤러(20)가 기동하여 광원(2)을 점등시킨다. 이에 의해, 광원(2)으로부터 방사되어, 커플링 광학계(3)를 거쳐 평행광으로 되고, 또한 횡단면 형상이 마스크 패턴군의 외형 형상에 맞추어 정형된 광원광(5)을 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)에 조사하여, 피노광체(8)의 제1 노광 영역(9)에 제1 노광 패턴(24)이 노광 형성된다[도 6의 (a) 참조].
스텝 S6에 있어서는, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(8)의 이동 거리가 연산부(16)에서 연산되고, 상기 거리와 메모리(15)로부터 판독한 제1 노광 영역(9)의 화살표 A 방향의 치수가 비교기(17)에서 비교되어, 양자가 합치되어 제1 노광 영역(9)에 대한 노광이 종료된 것인지 여부가 판정된다. 여기서, 양자가 합치되어[도 6의 (b) 참조], 스텝 S6에 있어서 "예" 판정으로 되면, 스텝 S7로 진행한다.
스텝 S7에 있어서는, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(19)가 기동하여, 마스크 스테이지(4)를 피노광체(8)의 반송 속도에 동기시켜 화살표 B 방향으로 이동시킨다[도 6의 (c), (d), (e) 참조]. 또한, 도 6의 (c)는 포토 마스크(11)가 피노광체(8)의 이동에 동기하여 화살표 B 방향으로 이동하면서 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)의 화살표 B 방향 후방부측의 부분에서 피노광체(8)의 제1 노광 영역(9)에 대해 노광을 행하고 있는 상태를 도시하고, 도 6의 (d)는 포토 마스크(11)가 더 이동하여, 포토 마스크(11)의 제2 마스크 패턴군(13)의 화살표 B 방향의 전단부가 광원광(5)의 화살표 A(또는 화살표 B) 방향 후단부에 합치된 상태를 도시하고, 도 6의 (e)는 포토 마스크(11)가 더 이동하여 포토 마스크(11)의 제1 마스크 패턴군(12)의 화살표 B 방향 후단부가 광원광(5)의 화살표 A(또는 화살표 B) 방향 전단부에 합치된 상태를 도시하고, 피노광체(8)의 제2 노광 영역(25)에 대한 노광이 개시된 상태를 도시하고 있다.
스텝 S8에 있어서는, 마스크 스테이지(4)에 구비하는 도시 생략한 위치 센서에 기초하여 마스크 스테이지(4)의 이동 거리를 검출하고, 마스크 스테이지(4)가 소정 거리만큼 이동하여 포토 마스크(11)의 마스크 패턴군이 제1 마스크 패턴군(12)으로부터 제2 마스크 패턴군(13)으로 완전하게 전환되었는지 여부를 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(19)에서 판정한다. 여기서, 제1 마스크 패턴군(12)으로부터 제2 마스크 패턴군(13)으로의 마스크 패턴군의 전환이 완료되면, 스텝 S8은 "예" 판정으로 되어 스텝 S9로 진행한다.
스텝 S9에 있어서는, 마스크 스테이지 구동 컨트롤러(19)에 의해 마스크 스테이지(4)의 이동을 정지하고, 포토 마스크(11)의 제2 마스크 패턴군(13)에 의해, 계속해서 이동 중인 피노광체(8)의 제2 노광 영역(10)에 대해 노광을 실행하여, 제2 노광 패턴(25)을 형성한다[도 6의 (f) 참조].
스텝 S10에 있어서는, 반송 수단(1)의 위치 센서의 출력에 기초하여 피노광체(8)의 이동 거리가 연산부(16)에서 연산되고, 상기 거리와 메모리(15)로부터 판독한 제2 노광 영역(10)의 화살표 A 방향의 치수가 비교기(17)에서 비교되어, 양자가 합치되어 제2 노광 영역(10)에 대한 노광이 종료된 것인지 여부가 판정된다. 여기서, 양자가 합치되어 "예" 판정으로 되면 노광이 종료된다. 그리고 광원 구동 컨트롤러(20)에 의해 제어되어 광원(2)이 소등되고, 반송 수단 구동 컨트롤러(18)에 의해 제어되어 반송 수단(1)의 구동이 정지된다. 여기서, 복수의 피노광체(8)가 순차 반송되어, 상기 복수의 피노광체(8)에 대해 계속해서 노광이 실행되는 경우에는, 반송 수단(1)은 계속해서 구동된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 피노광체(8)에 설정된 노광 영역이 2개인 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 설정되는 노광 영역은 3개 이상이라도 된다. 이 경우, 포토 마스크(11)에는, 3개 이상의 마스크 패턴군이 피노광체(8)의 반송 방향(화살표 A 방향)으로 배열되어 설치되어 있고, 상기 스텝 S10이 종료되면 스텝 S7로 복귀되어, 모든 노광 영역에 대한 노광이 종료될 때 까지 스텝 S7 내지 S10이 반복해서 실행되게 된다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 포토 마스크(11)를 피노광체(8)에 근접 대향하여 배치한 프록시미티 노광 장치에 적용한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 포토 마스크(11)의 마스크 패턴군을 피노광체(8) 상에 투영하여 노광하는 투영 노광 장치에 적용해도 된다. 이 경우, 포토 마스크(11)의 이동 방향은, 피노광체(8)의 반송 방향과 반대 방향으로 된다.
1 : 반송 수단
4 : 마스크 스테이지
5 : 광원광
8 : 피노광체
9 : 제1 노광 영역
10 : 제2 노광 영역
11 : 포토 마스크
12 : 제1 마스크 패턴군
13 : 제2 마스크 패턴군
24 : 제1 노광 패턴
25 : 제2 노광 패턴

Claims (4)

  1. 피노광체를 일방향으로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 방법이며,
    상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 포토 마스크를 상기 피노광체의 반송 속도에 동기시켜 이동하여 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하는 단계와,
    상기 포토 마스크의 상기 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로의 전환이 종료되면, 상기 포토 마스크의 이동을 정지하여 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 단계를 행하는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토 마스크는 상기 피노광체의 반송 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는, 노광 방법.
  3. 피노광체를 일방향으로 반송하면서 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 설정된 복수의 노광 영역마다 다른 노광 패턴을 형성하는 노광 장치이며,
    상기 피노광체를 소정 속도로 반송하는 반송 수단과,
    상기 반송 수단의 상면에 대향하여 배치되어, 상기 각 노광 패턴에 대응하는 복수종의 마스크 패턴군을 상기 피노광체의 반송 방향으로 소정 간격으로 배열하여 형성한 포토 마스크를 보유 지지하는 동시에, 상기 반송 수단의 이동에 동기하여 이동 가능하게 형성된 마스크 스테이지를 구비하고,
    상기 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군을 사용하여 행하는, 상기 피노광체의 하나의 노광 영역에 대한 노광이 종료되면, 상기 마스크 스테이지를 이동하여 상기 포토 마스크의 하나의 마스크 패턴군으로부터 다른 마스크 패턴군으로 전환하고, 상기 다른 마스크 패턴군에 의해 상기 피노광체의 다음 노광 영역에 대한 노광을 실행하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 마스크 스테이지는 상기 피노광체의 반송 방향으로 이동하는 것을 특징으로 하는, 노광 장치.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5458372B2 (ja) 2009-04-03 2014-04-02 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
JP5709495B2 (ja) * 2010-12-06 2015-04-30 凸版印刷株式会社 露光装置
WO2012175899A1 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Syngenta Limited Herbicidal composition comprising a pyrandione herbicide and a sulfonyl urea herbicide
CN102880012A (zh) * 2012-09-17 2013-01-16 上海华力微电子有限公司 一种可提高工艺套准精度的曝光方法
CN102866592B (zh) * 2012-09-17 2015-07-29 上海华力微电子有限公司 一种提高多层整合光罩工艺套准精度的光刻曝光方法
CN104122756B (zh) * 2013-04-28 2016-12-28 无锡华润上华科技有限公司 判断光刻版套刻精度一致性的方法和光刻机
KR101724640B1 (ko) * 2015-07-21 2017-04-11 주식회사 필옵틱스 레이저 노광 장치
JP6723112B2 (ja) * 2016-08-29 2020-07-15 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光方法
CN107422615B (zh) * 2017-09-25 2019-08-06 武汉华星光电技术有限公司 曝光机控制方法、曝光机控制系统及存储介质
CN217181403U (zh) * 2022-01-26 2022-08-12 宁德时代新能源科技股份有限公司 一种曝光设备
CN116430685B (zh) * 2023-04-28 2023-11-14 广东科视光学技术股份有限公司 全自动曝光方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11212266A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Nikon Corp 走査型露光装置
JPH11237744A (ja) * 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
JP2002099097A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2005345586A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Ono Sokki Co Ltd 配線基板用露光装置
JP2008310217A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Toppan Printing Co Ltd 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3689698B2 (ja) * 2003-01-31 2005-08-31 キヤノン株式会社 投影露光装置、投影露光方法および被露光部材の製造方法
TW591698B (en) * 2003-08-18 2004-06-11 Au Optronics Corp Thin film transistor array substrate and photolithography process and mask design thereof
GB2422679A (en) * 2005-01-28 2006-08-02 Exitech Ltd Exposure method and tool
TWI402918B (zh) * 2007-11-28 2013-07-21 Au Optronics Corp 光罩及薄膜電晶體基板之製造方法
JP5458372B2 (ja) 2009-04-03 2014-04-02 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11237744A (ja) * 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
JPH11212266A (ja) * 1998-01-27 1999-08-06 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2002099097A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Nikon Corp 走査露光方法および走査型露光装置
JP2005345586A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Ono Sokki Co Ltd 配線基板用露光装置
JP2008310217A (ja) 2007-06-18 2008-12-25 Toppan Printing Co Ltd 露光装置及びそれを用いた異種パターンの露光方法

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