KR20120006893A - 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟 - Google Patents

엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟 Download PDF

Info

Publication number
KR20120006893A
KR20120006893A KR1020100067612A KR20100067612A KR20120006893A KR 20120006893 A KR20120006893 A KR 20120006893A KR 1020100067612 A KR1020100067612 A KR 1020100067612A KR 20100067612 A KR20100067612 A KR 20100067612A KR 20120006893 A KR20120006893 A KR 20120006893A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
support tube
sputtering
female screw
female
Prior art date
Application number
KR1020100067612A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101266200B1 (ko
Inventor
알 심슨 웨인
한순석
Original Assignee
플란제 에스이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 플란제 에스이 filed Critical 플란제 에스이
Priority to KR1020100067612A priority Critical patent/KR101266200B1/ko
Publication of KR20120006893A publication Critical patent/KR20120006893A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101266200B1 publication Critical patent/KR101266200B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟에 관한 것으로, 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 함으로써 로터리 타겟의 제조과정을 단순화시켜 제조를 보다 용이하게 할 수 있도록 함에 그 목적이 있다. 이를 위해 구성되는 본 발명은 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟에 있어서, 일정길이의 원통형으로 형성되어지되 양단 각각의 내주면에 일정깊이로 나사산이 형성된 암나사부와 암나사부 각각의 끝단에 형성된 단턱이 구비되어 고전압을 인가하는 타겟; 타겟의 암나사부에 대응하는 숫나사부가 일단에 형성되어 타겟의 암나사부 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정되는 백킹 플레이트의 기능을 하는 원통형의 지지관; 및 타겟의 암나사부에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관의 선단과 타겟의 단턱에 삽입 위치되어지되 암나사부 상에 체결되는 지지관의 체결력에 의해 고정되어 타겟의 암나사부와 지지관 사이에 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하는 수밀부재의 구성으로 이루어진다.

Description

엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟{Encap type of rotary target}
본 발명은 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 한 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟에 관한 것이다.
일반적으로 스퍼터링(Sputtering)이란 목적물 표면에 막의 형태로 부착하는 기술을 말하는 것으로, 이러한 스퍼터링은 세라믹이나 반도체 소재 등에 전자 회로를 만들기 위해 고진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막(Thin film)이나 후막(Thick film)을 형성하는 경우에 사용된다.
다시 말해서, 전술한 바와 같은 스퍼터링(Sputtering)은 진공 중에 불활성가스(주로 아르곤 가스(Ar gas))를 도입시키면서 기판과 타겟(Target : 부착 되어지는 물질 Cr·Ti 등) 사이에 직류전압을 가하여 이온화시킨 아르곤을 타겟에 충돌시켜서 타겟 물질을 기판에 막 형성시키는 방법이다. 또한, 아르곤 가스와 같이 미량의 O2·N2가스를 넣는 것에 의해　반응성 스퍼터링(ITO·TiN 등)을 행할 수 있다.
전술한 바와 같은 스퍼터링은 건식도금법으로 분류되어 코팅하는 대상물을 액체나 고온기체에 노출시키지 않고 도금처리가 된다. 그에 따라, 여러 가지 기반재료(수지·Glass·Ceramic·기타)의 판재물·성형품에 예를 들면, 전극·실드(Shield)·마스킹(Masking)으로써 사용되어지고 있다.
한편, 전술한 바와 같이 코팅이나 박막과 같은 도금처리를 하는 스퍼터링 장비에서 고전압을 인가하는 전극으로써 로터리 타겟이 사용된다. 이러한 스퍼터링용 로터리 타겟은 원통형의 백킹 플레이트와 백킹 플레이트의 외주면으로 결합 구성되는 원통형의 타겟으로 이루어지되 타겟은 인듐(Indium)의 용융 결합에 의한 접합에 의해 백킹 플레이트의 외주면 상에 결합되어 일체화된다.
전술한 바와 같은 인듐(Indium)은 주기율표 13족인 붕소족에 속하는 희유금속 원소로, 1863년에 페르디난드 라이크와 테오도르 리히터가 아연광석에서 밝은 은백색 광택이 나는 인듐을 발견해 독특한 남색(indigo)의 스펙트럼선을 내놓는다고 해서 인듐이라고 명명하였다.
그리고, 전술한 바와 같은 인듐(Indium)은 녹으면 깨끗한 유리 및 다른 표면에 달라붙거나 적시는 특이한 성질이 있기 때문에 유리·금속·석영·세라믹·대리석 사이를 용접 밀봉(鎔接密封)하는데 쓰이며, 내식성(耐蝕性)을 증가시키고 표면에 접착성 유막(油膜)을 형성하기 때문에 항공기용 엔진 베어링을 도장(塗裝)하는 데에도 쓰인다.
그러나, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐(Indium)은 희귀금속에 속하여 고가라는 점에서 스퍼터링용 로터리 타겟의 제조에 따른 생산단가의 상승이 따르게 되는 문제가 있다.
아울러, 전술한 바와 같이 스퍼터링용 로터리 타겟을 구성하는 원통형의 백킹 플레이트의 외주면 상에 원통형의 타겟을 용융 결합되도록 하는 인듐(Indium)은 희귀금속으로 그 공급량이 많지 않기 때문에 시장의 가격이 매우 불안정하여 수급에 문제가 따르는 문제가 있다.
본 발명은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 함으로써 로터리 타겟의 제조과정을 단순화시켜 제조를 보다 용이하게 할 수 있도록 한 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 기술의 다른 목적은 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 하여 로터리 타겟의 구조를 단순화시킴으로써 원가의 절감을 통해 생산단가를 낮출 수 있도록 함에 있다.
아울러, 본 발명에 따른 기술은 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킨 구조의 로터리 타겟을 제조함으로써 로터리 타겟의 하중을 대폭적으로 줄일 수 있도록 함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위해 구성되는 본 발명은 다음과 같다. 즉, 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타켓은 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟에 있어서, 일정길이의 원통형으로 형성되어지되 양단 각각의 내주면에 일정깊이로 나사산이 형성된 암나사부와 암나사부 각각의 끝단에 형성된 단턱이 구비되어 고전압을 인가하는 타겟; 타겟의 암나사부에 대응하는 숫나사부가 일단에 형성되어 타겟의 암나사부 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정되는 백킹 플레이트의 기능을 하는 원통형의 지지관; 및 타겟의 암나사부에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관의 선단과 타겟의 단턱에 삽입 위치되어지되 암나사부 상에 체결되는 지지관의 체결력에 의해 고정되어 타겟의 암나사부와 지지관 사이에 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하는 수밀부재의 구성으로 이루어진다.
전술한 바와 같은 본 발명의 구성에서 수밀부재는 오링(O-ring) 또는 가스켓으로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 구성에는 타겟의 암나사부 내주면과 지지관의 숫나사부 외주면 상에 도포되어 타겟의 암나사부에 지지관의 나사 결합시 타겟의 암나사부 내주면과 지지관의 숫나사부 외주면의 접합이 이루어지도록 하는 접합용제가 더 구성될 수 있다.
전술한 바와 같은 접합용제는 용융 접합되는 인듐(Indium) 또는 접착제인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)로 이루어질 수 있다.
본 발명의 기술에 따르면 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 함으로써 로터리 타겟의 제조과정을 단순화시켜 제조를 보다 용이하게 할 수가 있다.
또한, 본 발명에 따른 기술은 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킬 수 있도록 하여 로터리 타겟의 구조를 단순화시킴으로써 원가의 절감을 통해 생산단가를 낮출 수가 있다.
아울러, 본 발명에 따른 기술은 고전압의 인가가 이루어지는 원통형의 타겟 양단 내주면 상에 백킹 플레이트 기능을 수행하는 원통형의 지지관을 나사 결합을 통해 일체화시킨 구조의 로터리 타겟을 제조함으로써 로터리 타겟의 하중을 대폭적으로 줄일 수가 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도.
도 2 는 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도.
도 3 은 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 분리하여 보인 단면 구성도.
도 4 는 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 결합하여 보인 단면 구성도.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타켓을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 분리 사시도, 도 2 는 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 보인 결합 사시도, 도 3 은 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 분리하여 보인 단면 구성도, 도 4 는 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟을 결합하여 보인 단면 구성도이다.
도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)은 백킹 플레이트의 외주면 상에 타겟이 접합 조성물에 의해 접합된 구조의 종래 기술에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟과는 전혀 다른 구조의 기술을 제고하고 있다.
다시 말해서, 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)은 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 고전압을 인가하는 일정길이의 원통형으로 이루어진 타켓(110)의 양단 각각의 내측에 지지관(120)이 나사 결합된 구조로 이루어진다.
본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 보다 상세하기 설명하면 일정길이의 원통형으로 형성되어지되 양단 각각의 내주면에 일정깊이로 나사산이 형성된 암나사부(112)와 암나사부(112) 각각의 끝단에 형성된 단턱(114)이 구비되어 고전압을 인가하는 타겟(110), 타겟(110)의 암나사부(112)에 대응하는 숫나사부(122)가 일단에 형성되어 타겟(110)의 암나사부(112) 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정되는 백킹 플레이트의 기능을 하는 원통형의 지지관(120) 및 타겟(110)의 암나사부(112)에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관(120)의 선단과 타겟(110)의 단턱(114)에 삽입 위치되어지되 암나사부(112) 상에 체결되는 지지관(120)의 체결력에 의해 고정되어 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120) 사이에 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하는 수밀부재(130)의 구성으로 이루어진다.
전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)은 고전압을 인가하는 타겟(110)의 양단 내측에 각각 형성된 암나사부(112) 상의 단턱(114)에 수밀부재(130)를 삽입 설치한 상태에서 지지관(120)의 숫나사부(122)를 타겟(110) 양단 각각의 암나사부(112) 상에 나사 결합을 통해 체결 고정함으로써 제조되어진다.
한편, 전술한 바와 같이 고전압을 인가하는 타겟(110) 양단의 암나사부(112) 상의 단턱(114)에 수밀부재(130)를 삽입 설치한 상태에서 지지관(120)의 숫나사부(122)를 타겟(110) 양단 각각의 암나사부(112) 상에 나사 결합을 통해 체결 고정하게 되면 지지관(120)의 체결력에 의해 단턱(114)과 지지관(120) 선단면에 의해 수밀부재(130)가 밀착 고정된다.
따라서, 전술한 바와 같이 지지관(120)의 나사 결합에 따른 체결력에 의해 단턱(114)과 지지관(120) 선단면 사이에 수밀부재(130)가 밀착 고정됨으로써 일측 지지관(120)을 통해 유입되는 냉각수가 타겟(110)과 타측 지지관(120)을 경유하여 배출되는 경우 타겟(110)과 지지관(120) 사이에는 수밀과 고진공이 이루어진다.
전술한 바와 같은 타겟(110), 지지관(120) 및 수밀부재(130)로 이루어진 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)에는 보다 확실한 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하기 위한 접합용제(140)가 더 구성될 수 있다.
다시 말해서, 본 발명에 따른 구성에는 타겟(110)의 암나사부(112) 내주면과 지지관(120)의 숫나사부(122) 외주면 상에 도포되어 타겟(110)의 암나사부(112)에 지지관(120)의 나사 결합시 타겟(110)의 암나사부(112) 내주면과 지지관(120)의 숫나사부(122) 외주면의 접합이 이루어지도록 하는 접합용제(140)가 더 구성될 수 있다.
전술한 바와 같은 접합용제(140)의 구성은 수밀부재(130)의 노후나 이상으로 인하여 수밀 및 고진공의 기능이 저하되는 경우 보다 확실한 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 함은 물론, 이러한 접합용체(140)의 구성은 접합용제(140)를 통해 타겟(110)의 암나사부(112) 내주면과 지지관(120)의 숫나사부(122) 외주면의 접합이 이루어질 수 있도록 함으로써 타겟(110)으로부터 지지관(120)의 분리가 방지되도록 한다.
본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)을 구성하는 각각의 구성요소에 대하여 상세하게 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 타겟(110)은 고전압의 인가가 이루어지는 것으로, 이러한 타겟(110)은 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 일정길이의 원통형으로 형성되어지되 양단 각각의 내주면에 일정깊이로 나사산이 형성된 암나사부(112)와 암나사부(112) 각각의 끝단에 형성된 단턱(114)이 형성된 구성으로 이루어진다.
한편, 전술한 바와 같이 고전압을 인가하기 위한 타겟(110)은 Al, Mo, Cu, ITO, W, TiW, AGO, Zn, ZnO, Ag, Si 및 AlSi 등의 재질로 원통형의 형태로 이루어진다. 이때, 원통형의 내경으로는 고전압의 인가시 가열되는 타겟(110)을 냉각시키기 위한 냉각수의 경우가 이루어진다.
본 발명을 구성하는 지지관(120)은 종래의 기술에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 백킹 플레이트와 같은 기능을 하는 것으로, 이러한 지지관(120)은 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 타겟(110)의 암나사부(112)에 대응하는 숫나사부(122)가 일단에 형성되어 타겟(110)의 암나사부(112) 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정된다.
전술한 바와 같은 지지관(120)은 종래의 기술에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟의 백킹 플레이트가 타겟을 관통하여 결합되는 구조와는 완전히 그 구조를 달리하는 것으로, 이러한 지지관(120)은 타겟(110)의 암나사부(112)에 대응하는 숫나사부(122)가 형성되어 타겟(110) 양측의 암나사부(112) 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정된다.
본 발명을 구성하는 수밀부재(130)는 타겟(110) 양측의 암나사부(112) 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정되는 지지관(120)과 타겟(110) 사이에 냉각수의 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하는 것으로, 이러한 수밀부재(130)는 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 타겟(110)의 암나사부(112)에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관(120)의 선단과 타겟(110)의 단턱(114)에 삽입 위치되어지되 암나사부(112) 상에 체결되는 지지관(120)의 체결력에 의해 고정되어 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120) 사이에 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 한다.
전술한 바와 같이 지지관(120)의 선단과 타겟(110)의 단턱(114)에 삽입되어 타겟(110)의 암나사부(112)에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관(120)의 체결력에 의해 밀착 고정되는 수밀부재(130)는 지지관(120)의 선단과 타겟(110)의 단턱(114) 사이를 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 함으로써 타겟(110)과 지지관(120) 사이를 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 한다.
한편, 전술한 바와 같이 구성되는 수밀부재(130)는 오링(O-ring)이나 가스켓과 같은 구조로 이루어진다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 구성 이외에 더 구성되는 접합용제(140)는 수밀부재(130)의 수밀과 고진공을 더욱 보강하는 한편 타겟(110)과 지지관(120)의 체결에 따른 결합 고정이 보다 견고하게 이루어질 수 있도록 하는 것으로, 이러한 접합용제(140)는 도 1 내지 도 4 에 도시된 바와 같이 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120)의 숫나사부(122) 상에 도포되어 타겟(110)의 암나사부(112)에 지지관(120)의 나사 결합시 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120)의 숫나사부(122)가 접합되도록 함으로써 타겟(110)과 지지관(120)의 체결에 따른 결합 고정이 더욱 견고하게 이루어질 수 있도록 한다.
한편, 전술한 바와 같은 접합용제(140)는 인듐(Indium)이나 접착제인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)로 이루어질 수 있다. 이때, 인듐(Indium)을 접합용제(140)로 사용하는 경우에는 용융시킨 상태에서 타겟(110)의 암나사부(112) 또는 지지관(120)의 숫나사부(122) 상에 도포하여 지지관(120)을 결합한 후 냉각을 통해 고화되도록 함으로써 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120)의 숫나사부(122)가 접합되도록 한다.
그리고, 접착제인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)를 접합용제(140)로 사용하는 경우에는 액상의 엘라스토머를 타겟(110)의 암나사부(112) 또는 지지관(120)의 숫나사부(122) 상에 도포하거나 테이프 형태로 제조된 엘라스토머를 타겟(110)의 암나사부(112) 또는 지지관(120)의 숫나사부(122) 상에 접착시켜 타겟(110)의 암나사부(112)와 지지관(120)의 숫나사부(122)가 접합되도록 한다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)은 타겟(110), 지지관(120), 수밀부재(130) 및 접합용제(140)의 구성을 통해 제조할 수 있도록 함으로써 로터리 타겟의 제조과정을 단순화시켜 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟(100)은 원가의 절감을 통한 생산단가를 낮출 수가 있고, 로터리 타겟의 하중을 대폭적으로 줄일 수가 있다.
본 발명은 전술한 실시 예에 국한되지 않고 본 발명의 기술사상이 허용하는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수가 있다.
100. 엔캡방식 로터리 타겟 110. 타겟
112. 암나사부 114. 단턱
120. 지지관 122. 숫나사부
130. 수밀부재 140. 접합용제

Claims (4)

  1. 스퍼터링용 챔버에 회전 가능하게 설치되어 구동모터의 구동에 의해 회전되는 가운데 고전압을 인가하는 스퍼터링용 로터리 타겟에 있어서,
    일정길이의 원통형으로 형성되어지되 양단 각각의 내주면에 일정깊이로 나사산이 형성된 암나사부와 상기 암나사부 각각의 끝단에 형성된 단턱이 구비되어 고전압을 인가하는 타겟;
    상기 타겟의 암나사부에 대응하는 숫나사부가 일단에 형성되어 상기 타겟의 암나사부 각각에 나사 결합을 통해 체결 고정되는 백킹 플레이트의 기능을 하는 원통형의 지지관; 및
    상기 타겟의 암나사부에 나사 결합을 통해 체결되는 지지관의 선단과 상기 타겟의 단턱에 삽입 위치되어지되 상기 암나사부 상에 체결되는 상기 지지관의 체결력에 의해 고정되어 상기 타겟의 암나사부와 지지관 사이에 수밀과 고진공이 이루어질 수 있도록 하는 수밀부재를 포함한 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 수밀부재는 오링(O-ring) 또는 가스켓인 것을 특징으로 하는 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 타겟의 암나사부 내주면과 지지관의 숫나사부 외주면 상에 도포되어 상기 타겟의 암나사부에 지지관의 나사 결합시 상기 타겟의 암나사부 내주면과 지지관의 숫나사부 외주면의 접합이 이루어지도록 하는 접합용제가 더 구성된 것을 특징으로 하는 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 접합용제는 용융 접합되는 인듐(Indium) 또는 접착제인 엘라스토머(elastomer, 탄성중합체)로 이루어진 것을 특징으로 하는 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟.
KR1020100067612A 2010-07-13 2010-07-13 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟 KR101266200B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100067612A KR101266200B1 (ko) 2010-07-13 2010-07-13 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100067612A KR101266200B1 (ko) 2010-07-13 2010-07-13 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120006893A true KR20120006893A (ko) 2012-01-19
KR101266200B1 KR101266200B1 (ko) 2013-05-21

Family

ID=45612455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100067612A KR101266200B1 (ko) 2010-07-13 2010-07-13 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101266200B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190073899A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 한국생산기술연구원 알루미늄 압출 프로파일 코팅용 지그, 상기 지그를 이용한 크롬코팅방법 및 상기 방법으로 코팅된 알루미늄 압출 프로파일

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2913054B2 (ja) * 1989-11-10 1999-06-28 東ソー株式会社 円筒形状のｉｔｏターゲットの製造法
JPH11189870A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Nisshin Steel Co Ltd スパッタリング用ターゲットおよびその冷却方法
JP2000303171A (ja) * 1999-04-16 2000-10-31 Kojundo Chem Lab Co Ltd スパッタリングターゲット
DE102004058316A1 (de) * 2004-12-02 2006-06-08 W.C. Heraeus Gmbh Rohrförmiges Sputtertarget
KR101456718B1 (ko) * 2005-10-03 2014-10-31 플란제 에스이 기다란 원통형 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190073899A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 한국생산기술연구원 알루미늄 압출 프로파일 코팅용 지그, 상기 지그를 이용한 크롬코팅방법 및 상기 방법으로 코팅된 알루미늄 압출 프로파일

Also Published As

Publication number Publication date
KR101266200B1 (ko) 2013-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5593082A (en) Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby
WO1996015283A1 (en) Method of bonding targets to backing plate member
US8368205B2 (en) Metallic thermal joint for high power density chips
JP6000293B2 (ja) ハウジング及びその製造方法
KR20120006893A (ko) 엔캡 방식의 스퍼터링용 로터리 타겟
JPH09306647A (ja) 透明面状ヒーター、電磁波シールド体、および液晶装置
JP5826857B2 (ja) 回転式ターゲットの分離方法
CN207678068U (zh) 一种超高导热型陶瓷基板
CN206057767U (zh) 一种防雾片和一种摄像头
JP2010026307A (ja) 液晶表示素子およびその製造方法
CN102310602B (zh) 铝塑复合结构及其制作方法
KR101502513B1 (ko) 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이의 제조방법
CN109396586B (zh) 一种环氧树脂器件与pcb印刷电路板基材的钎焊方法
CN103985806B (zh) 一种led芯片p面电极及p面电极制备方法
CN109742008B (zh) 高寿命电极棒
JP2014086682A (ja) 収納ケースおよびその製造方法
CN203527991U (zh) 一种镀有含银复合膜层的前反射玻璃光学元件
CN104553149A (zh) 一种复合背板及其制作方法
CN1932071A (zh) 多层膜金属化的靶材
KR20180097376A (ko) 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 분리장치
CN109263169A (zh) 一种防爆盖板
KR100594585B1 (ko) 반도전성 테이프
KR200383295Y1 (ko) 반도전성 테이프
WO2023108781A1 (zh) 一种微led显示模组及其制造方法及显示面板
CN210050746U (zh) 一种舞台灯防尘透镜

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160504

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170504

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180504

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190502

Year of fee payment: 7