KR20110130346A

KR20110130346A - 투명 도전성기재

Info

Publication number: KR20110130346A
Application number: KR1020110048616A
Authority: KR
Inventors: 쇼조 카와조에; 히데토모 니시가키; 타카히코 모리우치
Original assignee: 메이한 신꾸 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2010-05-27
Filing date: 2011-05-23
Publication date: 2011-12-05
Also published as: JP2011248629A; US20110291968A1; TW201212048A

Abstract

ITO등의 투명 도전막과 금속 전극 및 플라스틱 시트 또는 필름기재와 투명 도전막과의 밀착력이 뛰어난 것이어, 투명한 플라스틱기재, 투명 도전막, 금속 전극이 이 순서로 형성된 투명 도전성기재를 제공한다.
투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 면에, 투명 도전막이 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상인 투명 도전성기재.

Description

투명 도전성기재{TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE}

본 발명은, 투명 도전성기재에 관계되어, 특히 투명한 플라스틱 필름 또는 시트상에, 투명 도전막을 형성해, 게다가 그 위에 금속 전극을 형성한 금속 전극 첨부 투명 도전성기재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

액정표시장치의 부재등에 각종 광학용기재가 많이 이용되어 CRT, LCD, 유기 EL, PDP등의 디스플레이용 필름의 수요가 늘고 있다. 이것들에는 필름상의 전극이나 필름상에 형성된 회로가 필요하고, 최근에는 금속 산화물(ITO, ZnO외) 막이 사용되고 있다.

예를 들면 터치 패널용의 ITO막은 손가락등으로 몇번이나 변위가 더해지기 (위해)때문에, 베이스 필름과의 매우 높은 밀착성이 요구된다. 더욱 터치 패널의 사용되는 환경이 자동차안, 옥외등에서 열악하고, 내습, 내열, 내광(내UV) 성 등도 요구된다.

폴리에스테르 필름기재에 투명 금속 산화층을 형성해 되는 투명 도전성 필름의 기재와 투명 금속 산화층과의 접착력은(테이프 박리에 의한 시험에서는 문제 없겠지만) 200 g/cm이하이며, 밀착력이 약하고 장기 안정성이 불충분해, 용도에 따라서는 투명 도전층이 기재로부터 박리 해 사용 할 수 없었다.

상기 문제점을 개량하기 위해서, 투명기재에 투명한 층(역접착층)을 도포해 그 위에 투명 도전막을 형성한 것이 제안되고 있지만, 접착력은 300 g/cm정도이며, 아직 불충분한 것이었다.

또, ITO막을 이용한 회로의 형성은 에칭 방법이 많은 경우 이용되어 베이스 필름에는 내(산/알칼리) 에칭성(에칭시에 기재와 ITO막이 벗겨지고가 발생하는, 대책은 기재와 ITO막의 접착력 향상이 필요하다)이 요구된다.

기재 필름으로서 많이 이용되는 폴리에스테르 필름은, 상기의 기능층과의 밀착성이 부족하기 때문에, 일반적으로는 폴리에스테르 필름의 표면에 폴리에스텔 수지, 아크릴 수지나 우레탄 수지를 이용한 역접착층을 적층하는 것이나(특허 문헌 1, 2), 아르곤 가스를 적어도 50 %함유 하는 분위기중에서 고주파 스팩터 에칭 처리를 가하는 것(특허 문헌 3)가 제안되고 있지만, 밀착력은 불충분한 것이었다.

또, 상기 투명 도전막의 리드용 전극으로서는(Ag, Au, Cu, C등의) 금속 페이스트가 이용되어 있어 이하의 문제점이 있었다.

1) 금속가루를 바인더 수지(절연물)에 분산한 페이스트이기 때문에 전기 비저항이 높고, 전극으로서의 저저항을 얻기 위해서(때문에)는 두께를 두껍게 하는, 전극의 폭을 넓게 하는 등의 궁리가 필요해, 표시(투명) 부가 되는 투명 도전층 부분의 면적이 전극의 면적 증대에 수반해 감소한다. 또, 이것들 페이스트는 휨에 약하고, 휨시, 전극에 크랙, 투명 도전층으로부터의 전극이 벗겨지고 등이 생기기 (위해)때문에 휨사용에 대한 용도가 한정되고 있었다. 또 ITO와 Ag페이스트간의 밀착력이 약하고 장기 신뢰성이 부족하다(밀착력은 높을 정도 좋지만, 일반적으로는 0.5 Kg/cm이상, 바람직하지는 1 Kg/cm이상 필요하게 된다).

2) 금속 페이스트 전극의 도전 메카니즘은, 일반적으로는 수~수십 미크론 정도의 금속가루끼리의 점접촉이며 접촉 면적이 작은 것으로부터 전기 저항이 높고, 또, 바인더 수지의 팽창 수축등으로부터 전기 저항이 불안정, 신뢰성(장기 안정성)이 나쁜 등의 결점을 가지고 있었다.

3) 일반적으로 금속 전극의 형성은 투명 도전막상에 금속 페이스트를 스크린 인쇄법으로 패턴 인쇄해, 그 후 장시간의 가열(150~180℃×30분 정도) 건조시키고 있었다. 해당 공정을 위해서(때문에) 기재는 단판에 절단 할 필요가 있어, 배치처리이기 때문에 다공정수가 되어 생산성도 현저하게 저하시키고 있었다. 또, 상기 고온 가열에 의해 기재로부터 모노머, 이물등이 뿜어 나오는 것으로 기재의 백화, 헤이즈의 상승등에 의해 시인성이 현저하게 저하하고 있었다. 더욱, 기재의 열수축 및 HC(하드 코트) 층과 기재의 열수축의 차이에 의해, 상기 고온 가열에 의해, 기재가 수축, 변형, 컬 하는 등 형상(치수) 변화에 의한 문제도 있었다. 상기 배치 공정시에는 수작업이 많아, 인쇄물의 더러운, 작업시의 기재 접혀 상처, 이물 부착등에 의한 제품 불량이 많이 발생해, 제품 비율을 크게 저하시키는 공정이 되고 있었다.

4) 금속 페이스트 전극은 내생채기성 및 마모에 약하고, 압착 및 반복해 켜지는 부분은, 금속 전극을 인쇄·건조 후에 금속 전극상에 C페이스트를 스크린 인쇄, 가열 건조해 형성하는 공정이 필요해, 한층 더 제품 비율 저하, 코스트 업의 요인이 되고 있었다.

5) 금속 페이스트 전극의 체적 저항율은 3~10×10-5Ω·cm와 높게 전극으로서 이용했을 경우, 전압강하이기 때문에 표시 사이즈를 크게 할 수 없는 결점이 있어, 전극 면적을 크게 하는, 다수의 전극을 끌고 다니는 등 곤란한 대응이 필요하고, 표시 사이즈 확대에도 한계가 있었다.

6) 종래, 터치 패널과 전기 회로의 단자부의 전기적 기계적 접합에는 핸더, 이방도전성 코넥터, 압착 코넥터(소켓) 등이 이용되고 있어 상기 밀착 역부족이기 때문에 구조를 복잡하게 하고 있었다. 또, 터치 패널의 다기능화에 의해 배선의 미세화, 다수화의 경향이 있어, 접속부의 간략화도 포함해 터치 패널 시트 얼굴에 전기 회로, 전기 구동 부품등의 탑재까지 필요해 오고 있어 전극의 도전성 업과 신뢰성 업, 특히 기재와 ITO막 및 ITO막과 전극간의 밀착력 업이 요구되고 있다(특히 밀착력은 현상의 Ag페이스트로는 불충분해, 0.5 Kg/cm이상, 바람직하지는 1 Kg/cm이상 필요하다라고 말해지고 있다).

표면 저항 R＜50(Ω／□)의 저저항 투명 도전막은, 태양전지, 히터, 전파 쉴드(shield)등의 전극으로서 사용되고 있다. 그리고, 투명 전극층(투명하지만 고저항) 위에 Cu, Ag, Al, Au등의 금속층(저저항이지만 불투명)을 형성해, 금속층을 메쉬 형상에 에칭 처리해 R＜10(Ω／□)의 저저항 투명 전극체로 한다고 하는 제안도 있다.

이러한 제품에 있어서의 과제는 투명 전극층과 금속층 및 기재와 투명 도전막과의 밀착 역부족이며, 상기 에칭시에 금속층 및 투명 도전막층이 박리하는, 신뢰성이 나쁜 등의 문제가 있었다.

ITO등의 투명 도전막과 금속 전극 및 플라스틱 시트 또는 필름기재와 투명 도전막과의 밀착력이 뛰어난 것이어, 투명한 플라스틱기재, 투명 도전막, 금속 전극이 이 순서로 형성된 투명 도전성기재를 제공한다

ITO(금속 산화물) 막과 금속(특히 Cu, Al등 ) 막의 밀착력은 약하기 때문에, 이것을 향상시키기 위해서(때문에)는 금속막증착시, 금속을 산화물로서 증착 형성하는.ITO막상에 금속막형성 후, 산소 또는 진공중에서 고온 가열(＞180℃고온(정도)만큼 효과 있어)하는 등의 방법이 제안되고 있지만, 모두 밀착력 향상은 불충분하고, 금속막의 산화가 진행해, 전기 도전성의 저하, 전극의 산화·기계 강도 열화등이 신뢰성에 악영향을 주고 바람직하지 않다.

각종 검토의 결과, 특정의 조건에서의 플라스마 처리법에 의해 ITO층과 금속층과의 밀착력을 금속층의 도전성을 해치는 일 없이 향상할 수 있다고 하는 지견을 얻었다.

또, 플라스틱 필름기재상에 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층을 형성하는 것, 한편 이 역접착층상에 플라스마 처리를 실시하는 것으로 플라스틱 필름기재와 ITO 박막과의 밀착력을 향상할 수 있다고 하는 지견을 얻었다. 한편 플라스틱기재가 상기 항장력을 가지는 것은, 특히 역접착층을 형성할 필요는 없다.

본 발명은, 이것들 지견에 근거해, 더욱 검토를 거듭해 완성된 것이어, 다음의 투명 도전성기재 및 투명 도전성기재의 제조 방법을 제공하는 것이다.

항 1. 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 면에, 투명 도전막이 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상인 투명 도전성기재.

항 2. 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층을 마련한 후, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해역접착층상 및 해투명 도전막상에 플라스마 처리가, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성기재.

항 3. 항장력이 64 MPa 이상의 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해플라스틱기재상 및 해투명 도전막상에 플라스마 처리가, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는, 투명 도전성기재.

항 4. 전기역접착층이 전기 플라스틱 필름기재보다 항장력이 큰 일을 특징으로 하는, 항 2에 기재의 투명 도전성기재.

항 5. 전기 플라스마 처리가 진공도 4×10-4 Torr 이하의 조건으로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는, 항 2~4의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재.

항 6. 전기 플라스틱기재가 수지 성분으로서 폴리에스텔을 포함한, 항 1~4의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재.

항 7. 항 1~6의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재를 갖춘 터치 패널.

항 8. 항 1~6의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재를 갖춘 태양전지.

항 9. 항 1~6의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재를 갖춘 전자 페이퍼.

항 10. 항 1~6의 어느쪽이든 일항에 기재의 투명 도전성기재를 갖춘 투명 히터.

항 11. 투명한 플라스틱기재상의 한편의 면에, 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층, 및 투명 도전막이 이 순서로 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며,

해투명 도전막을 형성하기 전의 해역접착층상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 하는, 제조 방법.

항 12. 항장력이 64 MPa 이상의 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며,

　해투명 도전막을 형성하기 전의 해플라스틱기재상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 하는, 제조 방법.

본 발명의 투명 도전성기재는, 투명 도전막과 금속 전극 및 플라스틱기재와 투명 도전막과의 밀착력이 높고, 해플라스틱기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상이라고 하는 뛰어난 특성을 가지고 있다. 더욱, 금속 전극의 표면 저항은 낮고, 투명 도전막과 전극간의 접촉 저항의 장기 안정성, 및 180번 휨성에도 우수하다.

　본 발명의 제조 방법에 의하면, 투명 도전막과 금속 전극 및 플라스틱 필름기재와 투명 도전막과의 밀착력이 뛰어난, 투명한 플라스틱 필름기재, 투명 도전막, 금속 전극이 이 순서로 형성된 투명 도전성기재를 제조할 수가 있다.

도 1은 본 발명의 투명 도전성기재의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 투명 도전성기재의 단면도이다.
도 3은 저항막식 터치 패널의 일례의 단면을 나타내는 모식도이다.　
도 4는 저항막식 터치 패널의 일례의 단면을 나타내는 모식도이다

이하, 본 발명의 투명 도전성기재 및 투명 도전성기재의 제조 방법에 대해 상세하게 설명한다.

본 발명의 투명 도전성기재는, 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 면에, 투명 도전막이 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해플라스틱기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 투명 도전성기재의 제조 방법은, 투명한 플라스틱기재상의 한편의 면에, 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층, 및 투명 도전막이 이 순서로 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며, 해투명 도전막을 형성하기 전의 해역접착층상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하의 조건으로 실시하는 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명의 투명 도전성기재의 제조 방법은, 항장력이 64 MPa 이상의 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며, 해투명 도전막을 형성하기 전의 해기재상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 투명 도전성기재의 일례를 도 1및 2에 나타낸다. 도 1은 플라스틱기재의 항장력이 64 MPa 미만의 경우, 도 2는 플라스틱기재의 항장력이 64 MPa 이상의 경우이다.

플라스틱기재

본 발명에 대해 플라스틱기재로서는, 투명성을 가지는 각종의 플라스틱기재를 사용할 수 있어 예를 들면 수지 성분으로서 폴리에스텔, 폴리카보네이트(polycarbonate), 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리오레핀(polyolefin), 폴리염화비닐, 폴리 염화 비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리비닐 알코올, 폴리 아크릴레이트, 폴리아릴레이트, 폴리페닐렌 설파이드등을 포함하는 것을 들 수 있다. 이러한 그 중에서, 폴리카보네이트(polycarbonate), 아크릴, 폴리에스텔등이 특히 바람직하고, 폴리에스텔 중(안)에서는 폴리에틸렌 테레프탈레이트가 특히 바람직하다.

플라스틱기재의 두께는 특히 한정되지 않고, 제품 특성에 응해 설정할 수 있지만, 통상 6μm~5 mm, 바람직하지는 20μm~2 mm정도이며, 형체는 시트(판) 장 또는 필름상 머지않아에서도 좋다. 플라스틱기재로서 아크릴, 폴리카보네이트(polycarbonate)등을 시트상으로 해 사용하는 경우는, 항장력이 64 MPa 이상이 되어, 역접착층을 사용할 필요가 없다.

역접착층의 밀착성을 향상시키기 (위해)때문에, 플라스틱기재상에 역접착층을 형성하기 전에 예비 처리로서 플라스틱기재 표면에 코로나 처리, 화염 처리, 플라스마 처리등의 물리 처리를 가해도 좋다. 또, 투명 도전막을 형성하는 면의 반대의 면에 하드 코트층을 형성한 것이어도 좋다. 역접착층을 형성하기 전에, 필요에 따라서 용제 세정이나 초음파 세정등에 의해 제진, 세정화해도 좋다.

역접착층

본 발명에 대해 역접착층은, 항장력(파단력)(JIS K 7133：플라스틱의 인장 시험법)가 64 MPa 이상, 바람직하지는 68~236 MPa이며, 특히 플라스틱기재의 항장력이 64 MPa 이하의 경우에, 기재보다 항장력이 큰 일을 특징으로 한다. 본 발명에 대해 역접착층은 필수의 것은 아니고, 플라스틱기재의 항장력이 64 MPa 이상인 경우는, 역접착층을 적층할 필요는 없다.

이하에 PET(미연신)(53~63)보다 강한 항장력을 가지는, 각종 플라스틱 재료와 항장력(단위；MPa) 치를 나타낸다.

우레탄 수지(68~88), 아크릴 수지(76), PC(폴리카보네이트(polycarbonate))(73.6), 에폭시 수지(70~80), PES(폴리 에테르 설폰)(77~140), PPS(폴리페닐렌 설파이드)(85~211), PAR(폴리아릴레이트)(60~70), PEEK(폴리 에테르 에테르 케톤)(97~236), LCP(액정 폴리머)(127~144), PI(폴리이미드)(92), PA(폴리아미드)(73.6), PAI(폴리 아미드이미드)(152), PEI(포리에이테르이미드)(105), GFRTP(유리 섬유 강화 열가소성 수지)(185) 및 CFRTP(카본 섬유 강화 복합재)(118~167)와 같이 상기 플라스틱 재료중에 유리 섬유 또는 카본을 혼합해 항장력을 향상한 재료, 상기 재료를 적당하게 혼합해 항장력을 향상한 재료등. 또, 투명 도전막과의 접착력 향상을 목적으로 상기역접착층이 가교 구조를 가지는 성분을 함유하고 있어도 좋다.

이 가교 구조를 가지는 성분과는 가교제끼리 혹은 가교제와 고분자가 결합한 성분이다. 이 가교제로서는, 예를 들면 엑폭시 화합물, 오키사조린 화합물, 멜라민 화합물, 이소시아네이트 화합물 및 커플링제를 들 수가 있다.

역접착층을 형성하는 조성물과 화확적으로 불활성인 계면활성제(폴리옥시 에틸렌 알킬 페닐 에테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시 에틸렌-지방산 에스테르외 일반적인 것)를, 역접착층을 형성하는 조성물중에 1~10 중량%포함하게 해 병용 하는 것이 바람직하다.

역접착층의 두께는 특히 한정되지 않고, 통상 0.01~0.3μm, 바람직하지는 0.03~0.1μm후가 되도록(듯이) 도포한다. 이 범위이라고, 필요한 밀착력을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 블로킹을 일으키거나 헤이즈치가 높아지거나 광간섭 효과에 의한 착색·상의 왜곡의 발생등이 없다.

역접착층을 형성하기 위해서 사용하는 방법으로서는 공지의 방법을 적용할 수 있어 예를 들면 롤 코트법, 그라비아 코트법, 롤 브러시법, 스프레이 코트법, 에어 나이프 코트법, 함침법, 커텐 코트법등을 들 수 있다.

이러한 역접착층이 존재하면(자), 기재와 투명 도전막의 밀착력은 최종적으로는, 역접착층의 파단력의 대소로 정해진다.

플라스마 처리(1)

본 발명에 대해, 투명 도전막을 형성하기 전의 역접착층 또는 플라스틱기재상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시한다.

플라스마 처리에 있어서의 도입 가스는, 본 발명의 효과를 얻을 수 있고 것이면 한정되지 않지만, 예를 들면 Ar, Kr, Xe, Ne, He, O2, O3, H2, N2, N2O, NH3등을 들 수 있어 바람직하지는 H2, He, N2, Ne등의 불활성 가스이다. 이러한 가스는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합해 사용해도 자주(잘), 도입 가스에 수증기가 포함되어 있어도 좋다. 플라스마 처리의 처리 기압은 바람직하지는 4×10-4 Torr 이하이다. 이러한 조건으로 플라스마 처리를 실시하는 것으로, 플라스틱기재와 투명 도전막과의 사이에 뛰어난 밀착성을 얻을 수 있다.

방전 처리량은 4~100 W·초/cm2, 바람직하지는 10~60 W·초/cm2 정도가 좋다. 이 범위이면, 기대한 밀착력을 얻을 수 있어 역접착층 또는 플라스틱기재가 황색에 변색해 헤이즈치가 향상한다고 하는 것이 없다. 역접착층 또는 플라스틱기재가 본 발명의 같은 절연 재료의 경우, DC(직류) 방전보다 RF(고주파) 방전 플라스마가 고밀착력을 얻을 수 있다.

투명 도전막

본 발명에 대해, 투명 도전막이 플라스마 처리된 역접착층 또는 플라스틱기재상에 형성된다.

투명 도전막의 재료는, 투명성과 도전성을 가지고 있는 것이면 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 산화 주석을 함유 하는 산화 인지움, 안티몬을 함유 하는 산화 주석, 산화 아연등을 들 수 있어 바람직하지는 투명성 및 도전성이 뛰어나는 ITO(Indium Tin Oxide)이다.

투명 도전막의 형성 방법으로서는, 진공 증착법, 스패터링법, 이온 도금법등의 종래 공지의 기술을 사용할 수가 있다.

　투명 도전막의 두께로서는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 통상 0.005~5μm, 바람직하지는 0.01~0.5μm이다. 이 범위이면 도전성 및 투명성의 양쪽 모두가 뛰어난다. 또, 기재의 팽창 수축, 접어 구부리고 등에 의한, 투명 도전막의 크랙 분열에도 강해진다. 상기 범위를 넘으면(자) 투명 도전막의 응력에 의해 투명 도전성기재에 컬도 발생해, 바람직하지 않다.

플라스마 처리(2)

본 발명에 대해 금속 전극을 형성하기 전의 투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 한다

플라스마 처리에 있어서의 도입 가스는, 본 발명의 효과를 얻을 수 있고 것이면 한정되지 않지만, 예를 들면 Ar, Kr, Xe, Ne, He, O2, O3, H2, N2, N2O, NH3등을 들 수 있어 바람직하지는 H2, He, N2, Ne등의 불활성 가스이다.

이러한 가스는 1종 단독 또는 2종 이상을 혼합해 사용해도 자주(잘), 도입 가스에 수증기가 포함되어 있어도 좋다. 플라스마 처리의 처리 기압은 바람직하지는 4×10-4 Torr 이하이다. 이러한 조건으로 플라스마 처리를 실시하는 것으로, 금속 전극과 투명 도전막과의 사이에 뛰어난 밀착성을 얻을 수 있다.

방전 처리량은 8~200 W·초/cm2, 바람직하지는 15~100 W·초/cm2 정도가 좋다. 이 범위이면, 기대한 밀착력을 얻을 수 있어 투명 도전막이 황색에 변색한다고 하는 것이 없다. 상, DC(직류) 방전보다 RF(고주파) 방전 플라스마가 고밀착력을 얻을 수 있다.

금속 전극

본 발명에 대해, 금속 전극의 재료로서는 금속 페이스트 이외의 것이면 한정되지 않지만, 예를 들면 Cu, Ag, Al, Au, Ni, Ni/Cr, Ti등의 단체 혹은 2종 이상으로부터 되는 합금을 들 수 있다. 그 중에서, 전기 도전성이 낮은, 패턴 에칭, 전기 도금등의 가공성이 뛰어나는, 전극과 회로등의 리드부와의 전기적 기계적 접속성(핸더, 이방도전성 코넥터등 )이 좋은, 휨에 강한, 열전도성이 높은, 염가등이라고 하는 점으로부터 Cu, Al등이 바람직하고, 특히 Cu가 바람직하다.

금속 전극의 두께로서는, 특히 한정되는 것은 아니지만, 통상 0.001~100μm, 바람직하지는 0.01~25μm이다.

금속 전극의 형성에는, 금속 페이스트를 사용하는 방법 이외의 종래 공지의 방법을 사용할 수 있어 숙원 실시예로 가리킨 진공 증착법, 스패터링 증착법으로 형성해도 좋다. 또, 필요에 따라서 그 후 전해·무전해습식 금속 도금등으로 한층 더 막후를 두껍게 해 도전성을 올려도 좋다.

또, 필요에 따라서, 상기 금속 전극의 보호(주로 산화 방지)를 목적으로, 금속 전극아래 및 위에 Ni, Ni/Cr, Cr, Ti, Mo 다른 고융점 금속층 및 이러한 산화물층을 설치해도 좋다.

상, 투명 도전막 및 금속 전극은, 플라스틱기재의 한 면 또는 양면에 형성해도 좋다.

본 발명의 제조 방법에 의해 제작되는 투명 도전성기재는, 투명한 플라스틱 필름기재의 한편 또는 양쪽 모두의 면에, 투명 도전막이 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 플라스틱기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상, 바람직하지는 1.0 Kg/cm이상이다고 하는 뛰어난 밀착력을 가진다.

여기서, 플라스틱기재와 각층의 층간 박리력이란, 금속 전극막의 막후를 20μm(일정)로 해, 가중 측정기(끌어 시험기) 등에 의해, 금속 전극막을 기판과 90о방향이 되는 것처럼 해 일정한 박리 속도로 이끌어, 이 때의 단위폭(1 cm) 근처의 박리력(90о박리력)을 측정해, 이 때의 박리력을 층간 박리력(밀착력 F(Kg/cm))로 한다. 상, 이 때의 박리 속도는 5 mm/min이다. 해당층간박리력은, 실시예에 기재의 밀착력 F의 측정 방법에 의해 측정할 수 있다.

본 발명의 투명 도전성기재는, 터치 패널이나 태양전지, 투명 히터, 전자 페이퍼등의 투명 전극으로서 매우 적합하게 이용할 수가 있다. 구체적으로는, 본 발명의 투명 도전성기재를 저항막방식이나 정전 용량 방식의 터치 패널의 상부 전극 및/또는 하부 전극으로서 이용할 수가 있어 이 터치 패널을 액정 디스플레이의 전면에 배치하는 것으로 터치 패널 기능을 가지는 표시장치를 얻을 수 있다.

도 3은, 본 발명의 투명 도전성기재를 이용한 일반적인 저항막식저반사 터치 패널의 단면을 나타내는 모식도이다.

도 5는 투명 도전성기재를, 도 6은 스페이서를, 도 7은 ITO 유리를 각각 가리킨다.

구동시에는 유저가 투명 도전성기재상의 임의의 위치를 손가락이나 펜으로 압압 하면(자), 해당 압압 위치에서 투명 도전성기재와 ITO 유리가 접촉해 흐르게 해, 각 저항막의 기준 위치로부터 접촉 위치까지의 저항값의 크기로부터 압압 위치가 검출된다. 이것에 의해, 패널 카미노마에기접촉 부분의 좌표를 인식해, 적절한 인터페이스 기능이 꾀해지게 되어 있다. 상, ITO 유리 대신에 본 발명의 투명 도전성기재를 이용해도 괜찮다.

또, 도 4에, 본 발명의 투명 도전성기재를 이용한 일반적인 전극 매트릭스 방식의 저항막식 터치 패널의 모식도를 나타낸다. 도 4는 금속 전극을, 5는 투명 도전성기재를, 도 8은 ITO 패턴을 각각 가리킨다. 단책상에 투명 도전막을 형성해, 그 방향을 90도 바꾼 2매의 투명 도전성기재의 투명 도전막을 서로 마주 보게 하면(자), 면으로서 종횡에 분할되는 부분을 독립한 터치 패널로서 인식할 수 있다.

<실시예>

이하, 본 발명을 더욱 자세하게 설명하기 위해(때문에) 실시예를 든다. 그러나, 본 발명은 이것들 실시예등에 아무런 한정되는 것은 아니다.

＜평가방법＞

1. 밀착력

1) 바둑판눈박리 시험；Cu, Al증착막면 및 Ag페이스트 인쇄면에 1 mm각 100개를 커터로 크로스 절단 해, 24 mm폭의 셀로판 테이프를 붙여 180번의 박리 각도로 박리 시험을 실시해, 박리 하지 않았던 부분의 개수를 표시했다. 또 박리 한 개소를 목시에 의해 판단했다.

2) 밀착력 F：금속(Cu, Al) 증착막면에 Cu의 전기 도금에 의해 20μm의 두께가 되는 모양 Cu도금을 실시해, 미네베야제 가중 측정기(LTS－50N－S50)에 의해 Cu도금막을 기판과 90번 방향으로 이끌어, 이 때의 단위폭(1 cm) 근처의 박리력을 측정해, 이 때의 박리력을 밀착력 F(Kg/cm)로 했다. 상, 박리 속도는 5 mm/min로 했다. 이 밀착력 F가 0.5 Kg/cm이상이면, 실용적으로 충분한 밀착력을 얻을 수 있다.

또, 막간의 박리 개소를 관찰해, 각 막간의 박리력으로 했다.

Ag페이스트 전극의 밀착력 측정 방법：PET기재상의 ITO막상에 Ag페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄, 큐어-(150℃×30분 ) 해, 폭 10 mm, 두께 10μm의 Ag페이스트 전극을 형성했다. 다음에 Ag페이스트 전극면과 2 mm후의 SUS판을 양면 점착 테이프를 이용해 붙여 맞추었다. 다음에 상기 가중 측정기에 의해, PET기재를 SUS판 및 Ag페이스트 전극층과 90번 방향으로 이끌어, 이 때의 단위폭(1 cm) 근처의 박리력을 측정해, 이 때의 박리력을 밀착력 F(Kg/cm)로 했다. 상, 박리 속도는 5 mm/min로 했다.

이하의 시험은, 각 전극의 두께를 도금에 의해 10μm로 해 갔다.

2. 표면 저항：R0(Ω／□), 전극 간접촉저항 Ra(Ω)：

1) 투명 도전막(ITO), 및 Cu 또는 Ag페이스트 전극막의 표면 저항 R0는 4 단자 측정기를 이용해 측정했다.

2) Cu전극 및 Ag페이스트 전극과 ITO간의 접촉 저항 Ra는, ITO 투명 도전층상 5 cm각의 양단에 Cu 및 Ag페이스트 전극층을 약 5 mm폭×5 cm장에 대향해 형성해, 이전(5 cm)의 전기 저항 R5(5 cm각의 표면 저항)를 2 단자법으로 측정해, Ra = R5 － R0(Ω)로 표시했다.

3. 장기 안정성：

항온조를 이용한 80℃(250시간)에서의 보관 유지, 고온항습조를 이용한 60℃×90%RH(250시간)에서의 보관 유지, 및 60℃순수한 물 딥 시험(10시간)을 실시해, 이 때의 전극의 열화 상태의 관찰 및 투명 도전층과 전극간의 상기 전기 저항 Ra를 측정했다.

4. 휨성：

Cu 및 Ag페이스트 전극면을 외측으로 해 180번 접어 구부렸을 때의 Cu 및 Ag페이스트 전극이 굽히기 전(R1)과 후 (R2)의 전기 저항(R1, R2) 치를 2 단자법으로 측정해, 저항의 증가율을(R2/R1)로 표시해, 전극의 열화 상태에 대해 목시 평가를 실시했다.

＜실시예 및 비교예＞

실시 예 1

한 면에 하드 코트층을 마련한 125μm후PET 필름(전광선 투과율 약89%)의 PET면측에 아크릴 수지를 도포·건조(롤코터법으로 도포해, 110℃으로 건조한)해, 약 0.1μm후의 역접착층(A)을 형성했다.

역접착층(A) 상을 불활성 가스 분위기중, 진공도 4×10-4 Torr, 단위면적당의 플라스마 처리량 20 W·초/cm2로 처리했다.

다음에, 도막(A) 상에 통상의 스팩터법에 의해 표면 저항 500(Ω／□)의 ITO막을 형성했다(전광선 투과율은88%였다. 이후 동일).

다음에, 상기 ITO막상에 불활성 가스 분위기중, 진공도 4×10-4 Torr, 단위면적당의 플라스마 처리량 37 W·초/cm2로 처리했다.

다음에 상기 ITO막상에 통상의 스팩터법에 의해 Cu를 160 nm후로 스팩터 증착 해, Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다(이 때의 Cu막의 표면 저항은 R=0. 2(Ω／□)였다).

실시 예 2

PET면측에 우레탄 수지로 약 0.05μm후의 역접착층(B)을 형성한 이외는 실시예 1과 같은 방법을 이용해, Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다.

실시 예 3

ITO막상의 플라스마 처리 기압을 8×10-4 Torr로 한 이외는 실시예 1과 같은 방법으로 투명 도전성기재를 제작했다.

실시예 4, 5

토오레 PET 양면 언더코트층(역접착) 품(PET후 125μm) U46(실시예 4)와 U48(실시예 5)(어느 쪽의 역접착층도 우레탄 수지 또는 아크릴 수지 또는 이러한 혼합 수지)의 한 면에 HC층을 형성한 것을 플라스틱 필름기재로서 이용한 이외는 실시예 1과 같은 방법으로 Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다(HC층의 반대 측에 ITO 박막을 형성했다).

실시예 6

금속 전극에 Cu에 대신해 Al를 사용한 이외는, 실시예 1과 같은 방법으로 Al전극층부 투명 도전성기재를 제작했다(이 때의 증착 Al막(두께 약 160nm)의 표면 저항은 R=0. 3(Ω／□)이었다).

비교예 1

한 면에 하드 코트층을 마련한 125μm후PET 필름의 PET면측에 직접(아크릴 수지층 없음)에 실시예 1로 같은 방법으로 스팩터법에 의해 표면 저항 500(Ω／□)의 ITO막을 형성했다(플라스마 처리 없음).

다음에 상기 ITO막상에(플라스마 처리 없음) 통상의 스팩터법에 의해 Cu를 160 nm후로 스팩터 증착 해, Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다.

비교예 2

한 면에 하드 코트층을 마련한 125μm후PET 필름의 PET면측에 직접, 실시예 1으로 같은 방법으로 스팩터법에 의해 표면 저항 500(Ω／□)의 ITO막을 형성했다(플라스마 처리 없음).

다음에 상기 ITO막상에 직접, 통상의 스팩터법에 의해 Cu를 160 nm후로 스팩터 증착 해, Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다.

비교예 3(역접착층(A)을 형성하지 않는 이외는 실시예 1으로 같은 방법이다)

한 면에 하드 코트층을 마련한 125μm후PET 필름의 PET면측을 불활성 가스 분위기중, 진공도 4×10-4 Torr, 단위면적당의 플라스마 처리량 20 W·초/cm2로 처리했다.

다음에 실시 예 1로 같은 방법으로 스팩터법에 의해 표면 저항 500(Ω／□)의 ITO막을 형성했다.

다음에 상기 ITO막상에 통상의 스팩터법에 의해 Cu를 160 nm후로 스팩터 증착법 해, Cu전극층부 투명 도전성기재를 제작했다.

비교예 4

역접착층(A) 상에 플라스마 처리를 행하지 않았던 이외는, 실시예 1과 같은 방법으로 Cu전극층부 투명 도전성기재를 작성했다.

비교예 5

Cu층을 마련하지 않았던 것 이외는 투명 도전성 필름을 비교예 1과 같은 방법으로 형성해, ITO막상에 Ag페이스트를 스크린 인쇄법으로 인쇄, 큐어-(150℃×30분 ) 해, 폭 10 mm, 두께 10μm의 Ag페이스트 전극을 형성했다.

비교예 6, 7

ITO막상의 플라스마 처리 기압을 비교예 6, 7에 대해 각각 20×10-4, 40×10-4 Torr로 변경한 이외는 실시예 1과 같은 방법으로 투명 도전성기재를 제작했다.

비교예 8, 9

실시예 4, 5로 이용한 기재를 이용해, 역접착층상의 플라스마 처리를 실시하지 않았던 이외는, 실시예 4, 5로 같은 방법으로 Cu전극부 투명 도전성기재를 제작했다(U46：비교예 8, U48：비교예 9).

비교예 10

금속 전극에 Cu 대신에 Al를 사용한 이외는, 비교예 1과 같은 방법으로 Al전극부 투명 도전성기재를 제작했다.

실시예 1~6 및 비교예 1~10으로 얻을 수 있던 투명 도전성기재에 대해, 밀착력, 표면 저항, 전극 간접촉저항, 장기 안정성, 및 휨성에 대해 시험을 실시해, 얻을 수 있던 결과를 표 1에 나타냈다.

에칭성 평가

실시예 4로 작성한 전극부 투명 도전성기재의 에칭성을 평가했다.

포토레지스트(photoresist) 필름을 상기 전극 Cu상에 접착시킬 수 있는 패턴 노광, 현상/박리 해, Cu층을 관동 과학제 Cu-03(황산계 Cu용 에칭액：액체의 온도 20℃)으로 패턴 에칭 했다. 이 때의 에칭 속도는 약 110 nm/min였다. 다음에 포토레지스트(photoresist) 필름을 ITO층상에 접착시킬 수 있는 패턴 노광, 현상/박리 해, ITO층을 관동 과학제 ITO-07 N(슈우산계 ITO용 에칭액：액체의 온도 50℃)로 패턴 에칭 했다. 이 때의 에칭 속도는 약 35 nm/min이며, ITO막의 박리 없고 양호한 패턴 형성을 할 수 있는 것을 확인 할 수 있었다.

또, 종래의 전극 페이스트 고온 가열 큐어-법에서는 기재의 컬, 치수 변화, 백화, 헤이즈치 업등의 각문제제목이 발생했지만, 상기 에칭법에 따르는 전극 형성법에서는 저온 처리(50℃이하)를 위해, 종래의 같은 문제는 발생하지 않았다.

종래법인 비교예 1의 전극부 투명 도전막의 에칭성은 상기와 같은 평가에 대해, Cu에칭시에 Cu막이 전면 박리 해, Cu막의 패턴 에칭은 할 수 없었다.

고찰

1) 실시예 1, 2

실시 예 1, 2보다, 폴리에스테르 필름상에 항장력 76(단위 MPa)의 아크릴 수지, 및 68~88의 우레탄 수지층의 역접착층을 마련해 층상에 불활성 가스압 4×10-4 Torr로 플라스마 처리한 후 ITO막을 형성해, ITO막상에도 상기 조건에서 플라스마 처리를 실시해 Cu전극을 형성하는 것으로써, 밀착력 F가 목표인 0.5 Kg/cm이상의 본 발명품을 할 수 있었다.

본 발명품의 구성으로 밀착력(이후 F로 표시)의 약한 부분은, 상기역접착층(역접착층의 응집 박리)이며, 역접착층의 견인력이 강한 것이 밀착력이 높은 것이 밝혀졌다.

또, Cu전극의 표면 저항은 낮고, ITO와 Cu전극간의 접촉 저항의 장기 안정성, 180번 휨성등에 몹시 뛰어난 투명 도전성기재를 제작 할 수 있는 것이 판명되었다.

2) 실시예 3

실시예 3의 밀착력은 ITO막상의 플라스마 처리 기압을 8×10-4 Torr에 올렸을 경우의 밀착력이며, 실시예 1과 비교하면(자) 밀착력은 내리지만, 0.6 Kg/cm 있어, 필요한 밀착력을 얻을 수 있었다. 이 때의 박리 개소는 ITO막과 Cu간이 되는 것을 알았다.

3) 실시예 4, 5

실시예 4, 5는 언더코트층(아크릴/우레탄 수지 혼합 접착 처리층) 부 시판품을 이용한 예이지만, 본 발명의 방법에 의해 모두 밀착력은 향상(0.5 Kg/cm이상)하는 것이 알았다. 또 박리 개소는 실시예 1, 2로 같은 언더코트층의 응집 파괴인 것이 판명되었다.

4) 실시예 6

Cu전극을 Al전극으로 변경했지만(그 외는 실시예 1으로 같이), 본 발명의 방법으로 밀착력은 목표치를 만족했다. 박리 개소도 Cu전극 같이 아크릴 수지층의 응집 파괴였다.

5) 비교예 1

ITO층상에 플라스마 처리 없이는, 테이프 박리 시험으로 박리 하는 만큼 ITO층과 Cu층간의 계면박리력이 약했다. 따라서, 밀착력을 측정하기 위한 Cu도금도 할 수 없는 것이 판명되었다. 먼저 ITO와 Cu간의 밀착력 향상이 필요하다.

6) 비교예 2

ITO막상에 본 발명의 플라스마 처리를 실시하면(그 외는 비교예 1으로 같다), 테이프 박리 시험은 OK가 되는 것도, 밀착력은 0.1 Kg/cm와 낮았다. 이 때의 박리 개소는 PET 표면과 ITO간의 층간(계면박리)이었다. PET 표면과 ITO간의 밀착력 향상이 필요하다. 상, ITO막과 Cu층간의 밀착력은 향상했다.

7) 비교예 3

PET 표면에 본 발명의 플라스마 처리를 실시한 후 ITO막을 형성(그 외는 비교예 2로 동일)했지만, F는 조금 향상하는 것도 0.3 Kg/cm로 목표를 만족 할 수 없는 것이 판명되었다(한층 더 F의 향상이 필요하다). 박리 개소는 PET 표면의 응집 파괴이며, PET 표면의 응집력 향상이 필요한 일이 안다.

8) 비교예 4

PET상에 아크릴 수지를 언더코트 해 역접착 처리층을 형성해(그 외는 비교예 2로 동일) ITO막을 형성했지만 F=0.2 Kg/cm와 낮았다. 박리 개소는 아크릴 수지와 ITO층간의 계면박리인 일에 의해, 응집력의 강한 언더코트층을 마련한 것 만으로는 밀착력은 약하고, 한층 더 언더코트층 표면의 밀착력 향상(플라스마 처리)이 필요한 일이 안다.

9) 비교예 5

Cu층이 없는, 비교예 1의 ITO막상에, 종래의 Ag페이스트 인쇄법으로 전극을 형성했다. 밀착력은 0.03 Kg/cm와 Ag전극과 ITO간에 약하고, 또 Ag전극의 표면 저항이 Cu전극에 비해 높았다. ITO층과 Ag전극간의 접촉 저항의 장기 신뢰성, 180번 휨성등이 나쁜 일등을 알 수 있었다.

10) 비교예 6, 7

ITO상의 플라스마 처리시의 처리 압력을 20×10-4 Torr, 40×10-4 Torr로 하면(자) F는 각각 0.4 Kg/cm, 0.2 Kg/cm와 압력 상승에 수반해 약해져, 실시예 1과 같은 방법에서도 목표의 F를 얻을 수 없는 것이 밝혀졌다.

11) 비교예 8, 9

언더코트층(아크릴/우레탄 수지 혼합역접착 처리층) 부 시판기재를 이용한 2예이지만, 언더코트층상에 본 발명의 플라스마 처리를 실시하지 않으면 언더코트층과 ITO간에 박리 해, F는 0.2 Kg/cm이하로 약한 것이 밝혀졌다.

12) 비교예 10

Cu전극을 Al로 바꾼 이외는 비교예 1과 같은 방법으로 전극부 투명 도전성기재를 작성했다. 역시, 테이프 박리 테스트 레벨로 ITO층과 Al전극간에 박리 했다. Al전극도 Cu전극 같이 ITO층과 F를 향상하기 위해서는, 본 발명의 플라스마 처리법이 필요하다라고 하는 것이 알았다.

　(터치 패널)

　실시 예 1~6의 투명 도전성기재를 사용하는 것으로써, 도 3에 나타내는 구성의 터치 패널을 만들 수가 있다.

1 :　플라스틱 필름기재 　2 :　역접착(언더코트) 층
　3 :　ITO 박막 4 :　금속 전극
　5 :　투명 도전성기재 6 :　스페이서
　7 :　ITO 유리 8 :　ITO 패턴

Claims

투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 면에, 투명 도전막이 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며, 해기재와 각층의 층간 박리력이 0.5 Kg/cm이상인 투명 도전성기재.
제1항에 있어서,
상기 투명성 도전성기재는,
투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층을 마련한 후, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며,
해역접착층상 및 해투명 도전막상에 플라스마 처리가, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 투명 도전성기재.
제1항에 있어서,
상기 투명 도전성기재는,
항장력이 64 MPa 이상의 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에,투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재이며,
해플라스틱기재상 및 해투명 도전막상에 플라스마 처리가, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 투명 도전성기재.
제2항에 있어서,
상기 투명 도전성기재는,
전기역접착층이 전기 플라스틱 필름기재보다 항장력이 큰 일을 특징으로 하는 투명 도전성기재.
제2항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 투명 도전성기재는,
전기 플라스마 처리가 진공도 4×10-4 Torr 이하의 조건으로 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 투명 도전성기재.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 투명 도전성기재는,
전기 플라스틱기재가 수지 성분으로서 폴리에스텔을 포함하는 투명 도전성기재.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항의 투명 도전성기재를 갖춘 터치 패널.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항의 투명 도전성기재를 갖춘 태양전지.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항의 투명 도전성기재를 갖춘 전자 페이퍼.
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항의 투명 도전성기재를 갖춘 투명 히터.
투명한 플라스틱기재상의 한편의 면에, 항장력이 64 MPa 이상인 역접착층, 및 투명 도전막이 이 순서로 형성되어 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며,
해투명 도전막을 형성하기 전의 해역접착층상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.
항장력이 64 MPa 이상의 투명한 플라스틱기재의 한편 또는 양쪽 모두의 얼굴에, 투명 도전막을 형성해, 더욱 그 위에 금속 전극이 형성된 투명 도전성기재의 제조 방법이며,
해투명 도전막을 형성하기 전의 해플라스틱기재상, 및 해금속 전극을 형성하기 전의 해투명 도전막상에 플라스마 처리를, 진공도 8×10-4 Torr 이하로 실시하는 것을 특징으로 하는 제조 방법.