KR20110126716A - 방사선 검출기 - Google Patents

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KR20110126716A
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Abstract

본 발명의 방사선 검출기에 의하면, 면형상으로 형성된 판재로서 도판(5a)을 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)과 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 접속한다. 공통 전극(3) 위에 리드선(4)이 직접 접속되지 않고, 도판(5a)이 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체(2)에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 도판(5a)이 면형상으로 형성되어 있으므로, 비록 저항값이 높은 도전 페이스트를 이용했다고 하여도, 접속 저항을 낮출 수 있어, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도가 된다. 즉, 도전 페이스트의 선택의 폭이 넓어지게 된다. 또한, 절연성의 받침대를 사용하지 않고 접속이 가능하여, 성능 저하를 회피할 수 있다. 그 결과, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.

Description

방사선 검출기{RADIATION DETECTOR}
본 발명은, 방사선의 입사에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형의 반도체를 구비하고 있으며, 의료 분야, 공업 분야, 또한, 원자력 분야 등에 이용되는 방사선 검출기에 관한 것이다.
종래, 이런 종류의 방사선(예를 들면 X선) 검출기에는, 방사선(예를 들면 X선)의 입사에 의해 빛을 일단 생성하고, 그 빛으로부터 전하를 생성함으로써, 방사선에서 전하로 간접적으로 변환하여 방사선을 검출하는 「간접 변환형」의 검출기와, 방사선의 입사에 의해 전하를 생성함으로써, 방사선에서 전하로 직접적으로 변환하여 방사선을 검출하는 「직접 변환형」의 검출기가 있다. 또한, 방사선 감응형의 반도체가 전하를 생성한다.
직접 변환형의 방사선 검출기는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판(51)과, 방사선의 입사에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형의 반도체(52)와, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(53)을 구비하고 있다. 액티브 매트릭스 기판(51)은, 방사선의 입사면측에 복수의 수집 전극(도시 생략)을 형성하고, 각 수집 전극으로 수집되는 전하의 축적·독출용 전기 회로(도시 생략)를 배설하여 구성되어 있다. 각 수집 전극에 관해서는 방사선 검출 유효 에리어(SA) 내에서 2차원형상 매트릭스 배열로 설정하고 있다.
이 액티브 매트릭스 기판(51)의 수집 전극의 입사면측에 반도체(52)를 적층하고, 그 반도체(52)의 입사측에 공통 전극(53)을 면형상으로 형성하여 적층하고 있다. 그리고, 공통 전극(53)의 입사면에 바이어스 전압 급전용의 리드선(54)을 접속하고 있다.
방사선 검출기에 의해서 방사선을 검출할 때, 바이어스 공급 전원(도시 생략)으로부터 바이어스 전압을, 바이어스 전압 급전용의 리드선(54)을 통해 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(53)으로 인가한다. 바이어스 전압을 인가한 상태에서, 방사선의 입사에 수반하여 방사선 감응형의 반도체(52)에서 전하를 생성한다. 이 생성된 전하를 수집 전극으로 일단 수집한다. 콘덴서나 스위칭 소자 및 전기 배선 등으로 이루어지는 축적·독출용 전기 회로에 의해서, 수집된 전하를 각 수집 전극 마다의 방사선 검출 신호로서 꺼낸다.
2차원상 매트릭스 배열의 각 수집 전극은, 방사선 화상의 각 화소에 대응하는 전극(화소 전극)에 각각 대응하고 있다. 방사선 검출 신호를 꺼냄으로써, 방사선 검출 유효 에리어(SA)에 투영되는 방사선의 2차원 강도 분포에 따른 방사선 화상을 작성할 수 있다.
그러나, 도 8에 나타내는 종래의 방사선 검출기의 경우에는, 공통 전극(53)에 리드선(54)을 접속하는 것에 기인하여 성능 저하가 발생한다는 문제가 있다. 즉, 바이어스 전압 급전용의 리드선(54)에는 구리선 등의 딱딱한 금속선이 이용되므로, 리드선(54)을 공통 전극(53)에 접속할 때에, 방사선 감응형의 반도체(52)의 손상이 발생한다. 이 손상에 의해서, 내압 불량 등의 성능 저하를 일으킨다.
특히, 반도체(52)가 어모퍼스 셀렌이나 CdTe, CdZnTe, PbI2 , HgI2 , TlBr 등의 비셀렌계 다결정 반도체인 경우에는, 진공 증착에 의해 대면적이며 후막인 방사선 감응형의 반도체(52)를 용이하게 형성할 수 있다. 그 반면, 이들 어모퍼스 셀렌이나 비셀렌계 다결정 반도체는 비교적 부드러워서 상처가 나기 쉽다.
또한, 어모퍼스 셀렌은 40℃ 부근에 유리 전이점을 가지며, 그 이상의 온도에서는 어모퍼스 셀렌의 막의 결정화가 촉진되어, 막의 저저항화를 진행시켜, 바이어스 전압의 인가에 의해 방전이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 도전 페이스트를 이용하여 실온에서 리드선(54)을 공통 전극(53)에 직접 접속 고정하는 방법이 채용되지만, 이것에도 문제가 있다.
(1) 예를 들면, 도전 페이스트로서 은을 주성분으로 하는 은페이스트를 이용하고 있다. 은의 경우에는 어모퍼스 셀렌으로의 확산이 크기 때문에, 어모퍼스 셀렌의 전기 저항을 저하시키고, 바이어스 전압의 인가에 의해 어모퍼스 셀렌의 막의 관통 방전이 생기기 쉽다. 또한, 상술한 바와 같이 (2) 리드선(54)을 공통 전극(53)에 접속할 때에, 반도체(52)를 형성하는 어모퍼스 셀렌에 상처가 나기 쉽다.
이 때문에, 도전 페이스트를 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트로 바꾸는 방법도 생각할 수 있지만, 이들 페이스트의 경우에는 (3) 은페이스트에 비하여 접속 저항이 커진다. 게다가, 마찬가지로 리드선(54)을 공통 전극(53)에 접속할 때에, 반도체(52)를 형성하는 어모퍼스 셀렌에 상처가 나기 쉽다는 (2)의 문제를 없앨 수 없다.
그래서, 공통 전극(53)에 리드선(54)을 접속하는 것에 기인하는 성능 저하를 회피하기 위해서, 발명자들은, 도 9에 나타내는 발명을 제안하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 도 9(특허문헌 1의 도 2에 상당)에 나타내는 바와 같이, 방사선 검출 유효 에리어(SA) 외에 반도체(52)의 입사면에 절연성의 받침대(55)를 배설하고 있다. 공통 전극(53)이 그 받침대(55)의 일부를 적어도 덮도록 형성하여, 리드선(54)이 공통 전극(53)의 입사면 중 받침대(55)에 위치하는 개소에 접속되도록 형성하고 있다.
이러한 받침대(55)를 배설함으로써, 리드선(54)을 공통 전극(53)에 접속할 때에 가해지는 충격을 받침대(55)가 완화시킨다. 그 결과, 내압 불량의 원인이 되는 방사선 감응형의 반도체의 손상을 방지할 수 있으며, 내압 불량 등의 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 받침대(55)는 방사선 검출 유효 에리어(SA) 외에 배설되어 있으므로, 받침대를 배설하는 것에 의해서 방사선 검출 기능이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 은페이스트의 사용으로 저저항으로의 접속이 가능하다.
그 외에도, 상술한 특허문헌 1을 더 개량한 도 10에 나타내는 발명을 발명자들은 제안하고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 도 10(특허문헌 2의 도 2에 상당)에 나타내는 바와 같이, 반도체(52)의 입사측에 직접적으로 접촉하여 면형상으로 형성된 제1 공통 전극(53a)을 구비하고, 그 제1 공통 전극(53a)의 일부를 덮도록 제1 공통 전극(53a)의 입사측에 형성된 절연성의 받침대(55)를 배설하고 있다. 그 받침대(55)의 적어도 일부를 덮도록 받침대(55)의 입사측에 제2 공통 전극(53b)을 형성하여, 그 제2 공통 전극(53b)을 제1 공통 전극(53a)에 접속한다. 이 경우도, 받침대를 배설함으로써 방사선 검출 기능이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 은페이스트의 사용으로 저저항으로의 접속이 가능하다.
특허문헌 1: 일본국 특허공개공보 2005-86059호(제1, 2, 4-12 페이지, 도 1, 2, 6-9)
특허문헌 2: 국제 공개 제WO2008-143049호
그러나, 상술한 특허문헌 1, 2와 같이 절연성의 받침대를 배설하는 경우에도 문제점이 있다. 즉, (4) 받침대를 형성하는 수지의 성분에 의해서 어모퍼스 셀렌의 막이 결정화하여, 암전류가 발생한다. 또한 (5) 받침대를 형성하는 수지의 성분에 의해서 증착 장치가 오염되어 버린다. (5)의 문제점에 있어서, 특히 받침대를 형성한 후에 공통 전극을 증착에 의해서 형성하는 경우에는, 공통 전극을 형성할 때에 증착 장치가 오염되어 버린다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있는 방사선 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다.
즉, 본 발명의 방사선 검출기는, 방사선을 검출하는 방사선 검출기로서, 방사선의 입사에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형의 반도체와, 그 반도체의 상기 입사측에 면형상으로 형성된 바이어스 전압 인가용의 공통 전극과, 바이어스 전압 급전용의 리드선과, 면형상으로 형성된 도전성의 판재를 구비하며, 상기 판재를 개재시켜, 상기 공통 전극과 상기 리드선을 접속하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 방사선 검출기에 의하면, 면형상으로 형성된 도전성의 판재를 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극과 바이어스 전압 급전용의 리드선을 접속한다. 공통 전극 위에 리드선이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 판재가 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 판재가 면형상으로 형성되어 있으므로, 비록 저항값이 높은 도전 페이스트를 이용했다고 하여도, 접속 저항을 낮출 수 있어, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도가 된다. 즉, 도전 페이스트의 선택의 폭이 넓어지게 된다. 또한, 절연성의 받침대를 사용하지 않고 접속이 가능하여, 성능 저하를 회피할 수 있다. 그 결과, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
상술한 본 발명의 방사선 검출기의 접속에 있어서의 일례(최초의 일례)는, 도전 페이스트에 의해서 판재와 공통 전극을 접속하는 것이고, 다른 접속에 있어서의 일례(다음의 일례)는, 도전 테이프에 의해서 판재와 공통 전극을 접속하는 것이며, 새로운 다른 접속에 있어서의 일례(마지막 일례)는, 최초의 일례와 마지막 일례를 조합한 것이고, 도전 테이프 및 그 위에 형성된 도전 페이스트에 의해서 판재와 공통 전극을 접속하는 것이다. 도전 페이스트에 비하여 도전 테이프에서는 저항율이 높아지는 일이 있지만, 상술한 마지막 일례에서는, 도전 테이프 위에 도전 페이스트를 병용하여 형성하고 있으므로, 저항을 낮출 수 있다.
상술한 최초의 일례에서는, 판재가, 도전 페이스트가 들어가는 관통공을 가져도 된다. 이러한 관통공을 판재가 가지며, 도전 페이스트에 의해서 판재와 공통 전극을 접속할 때에, 그 도전 페이스트가 관통공으로 들어가므로, 기계적 강도가 증가하여, 접속 저항을 보다 한층 낮출 수 있다. 또한, 최초의 일례에서는, 도전 페이스트는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것이 바람직하다. 도전 페이스트가 은페이스트인 경우에는, 접속 저항은 낮지만, 어모퍼스 셀렌으로 대표되는 반도체로의 확산이 크고, 반도체의 저항까지 저하시켜 버려, 바이어스 전압의 인가에 의한 반도체의 관통 방전이 발생한다. 도전 페이스트가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트인 경우에는, 은페이스트와 비교하여 반도체로의 확산이 작아, 반도체의 관통 방전이 발생하기 어렵다. 또한, 도전 페이스트가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트인 경우에는, 접속 저항은 높아지지만, 판재가 면형상으로 형성되어 있으므로, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
도전 페이스트와 마찬가지로, 상술한 다음의 일례에서는, 도전 테이프는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것이 바람직하다. 도전 테이프가 카본 또는 니켈을 함유한 것인 경우에는, 반도체의 관통 방전이 발생하기 어렵고, 판재가 면형상으로 형성되어 있으므로, 은을 함유한 테이프를 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
도전 페이스트와 마찬가지로, 상술한 마지막 일례에서는, 판재가, 도전 페이스트가 들어가는 관통공을 가져도 된다. 이러한 관통공을 판재가 가지고, 도전 페이스트에 의해서 판재와 공통 전극을 접속할 때에, 그 도전 페이스트가 관통공에 들어가므로, 기계적 강도가 증가하여, 접속 저항을 보다 한층 낮출 수 있다. 도전 페이스트나 도전 테이프와 마찬가지로, 도전 페이스트 또는 도전 테이프는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것이 바람직하다. 도전 페이스트 또는 도전 테이프가 카본 또는 니켈을 함유한 것인 경우에는, 반도체의 관통 방전이 발생하기 어렵고, 판재가 면형상으로 형성되어 있으므로, 은을 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
본 발명과 관련되는 방사선 검출기에 의하면, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극 위에 바이어스 전압 급전용의 리드선이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 도전성의 판재가 접속되므로, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
도 1은, (a)는 실시예 1과 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, (b)는 (a)의 A-A선 단면도이며, (c)는 (b)의 공통 전극 주변의 확대도이다.
도 2는, 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 액티브 매트릭스 기판의 등가 회로를 나타내는 블럭도이다.
도 3은, 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 액티브 매트릭스 기판의 개략 단면도이다.
도 4는, (a)~(c)는, 캐리어 선택성의 고저항 반도체층인 중간층의 조합을 각각 나타낸 개략 단면도이다.
도 5는, (a)는 실시예 2와 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, (b)는 관통공을 가진 도판의 확대 평면도이며, (c)는 심선(芯線)을 접속했을 때의 도판의 확대 평면도이며, (d)는, 도전 페이스트로 접속했을 때의 도판의 확대 평면도이며, (e)는, 공통 전극 주변의 A-A선 표시 점선의 단면의 확대도이다.
도 6은, (a)는 실시예 3과 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, (b)는 방사선 검출 유효 에리어와 공통 전극 외주의 사이에 공간적인 스페이스에 여유가 있을 때의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, (c)는 (a)의 공통 전극 주변의 확대도이다.
도 7은, (a)는 실시예 4와 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, (b)는 (a)의 공통 전극 주변의 확대도이다.
도 8은, 종래의 방사선 검출기의 개략 단면도이다.
도 9는, 도 8과는 다른 받침대를 설치한 종래의 방사선 검출기의 개략 단면도이다.
도 10은, 도 9와는 다른 받침대를 설치한 종래의 방사선 검출기의 개략 단면도이다.
실시예 1
이하, 도면을 참조하여 발명의 실시예 1을 설명한다. 도 1(a)는, 실시예 1과 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(이하, 적당히 「FPD」라고 약기한다)의 개략 평면도이며, 도 1(b)는, 도 1(a)의 A-A선 단면도이며, 도 1(c)는, 도 1(b)의 공통 전극 주변의 확대도이며, 도 2는, 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 액티브 매트릭스 기판의 등가 회로를 나타내는 블럭도이며, 도 3은, 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 액티브 매트릭스 기판의 개략 단면도이다. 후술하는 실시예 2~4도 포함하여, 본 실시예 1에서는, 방사선 검출기로서 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)를 예로 채용하여 설명한다.
본 실시예 1과 관련되는 FPD는, 도 1(a), 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판(1)과, 방사선(실시예 1~4에서는 X선)의 입사에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형의 반도체(2)와, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)을 구비하고 있다. 액티브 매트릭스 기판(1)은, 도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이, 방사선의 입사면측에 복수의 수집 전극(11)을 형성하고, 각 수집 전극(11)으로 수집되는 전하의 축적·독출용 전기 회로(12)를 배설하여 구성되어 있다. 각 수집 전극(11)에 관해서는 방사선 검출 유효 에리어(SA) 내에서 2차원형상 매트릭스 배열로 설정하고 있다. 방사선 감응형의 반도체(2)는, 본 발명에 있어서의 방사선 감응형의 반도체에 상당하며, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)은, 본 발명에 있어서의 바이어스 전압 인가용의 공통 전극에 상당한다.
도 1(a), 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 이 액티브 매트릭스 기판(1)의 수집 전극의 입사면측에 반도체(2)를 적층하고, 그 반도체(2)의 입사측에 공통 전극(3)을 면형상으로 형성하여 적층하고 있다. 그리고, 도 1(a)~도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 공통 전극(3)의 입사면에 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을, 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 예를 들면 구리 등으로 형성된 달걀형의 도판(5a)을 개재시켜 접속하고 있다. 즉, 도판(5a)를 개재시켜, 공통 전극(3)과 구리선 등의 리드선(4)를 접속하고 있다. 도판(5a)에는 표면에 저항값을 더 낮추고, 부식을 막기 위해서, 금(Au) 도금이 실시되어 있다. 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)은, 본 발명에 있어서의 바이어스 전압 급전용의 리드선에 상당하며, 달걀형의 도판(5a)은, 본 발명에 있어서의 도전성의 판재에 상당한다.
리드선(4)의 선단은, 케이블의 절연체를 벗긴 심선(4a)으로 되어 있으며, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 그 심선(4a)과 도판(5a)을, 땜납(6)을 개재하여 접속하고 있다. 한편, 도전 페이스트(7)을 개재시켜, 도판(5a)과 공통 전극(3)을 접속하고 있다. 따라서, 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5a)와 공통 전극(3)을 접속하고 있다. 도전 페이스트(7)는, Ni 아크릴계 페이스트와 같이 니켈을 함유한 것이 채용된다. 또한, 카본을 가지는 카본계 페이스트여도 된다. 안정적으로 접속을 실시하기 위해서, 점도 1000cps 이상, 바람직하게는 점도 10000cps 이상의 도전 페이스트를 이용한다. 도전 페이스트(7)는, 본 발명에 있어서의 도전 페이스트에 상당한다.
도 2, 도 3에 나타내는 바와 같이 액티브 매트릭스 기판(1)은, 상술한 것처럼 수집 전극(11)을 형성하며, 축적·독출용 전기 회로(12)를 배설하고 있다. 축적·독출용 전기 회로(12)는, 콘덴서(12A)나 스위칭 소자로서의 TFT(박막 전계 효과 트랜지스터)(12B) 및 게이트선(12a), 데이터선(12B) 등으로 이루어지며, 각 수집 전극(11) 마다 1개의 콘덴서(12A) 및 1개의 TFT(12B)가 대응되어 접속되어 있다.
또한, 액티브 매트릭스 기판(1)의 축적·독출용 전기 회로(12)의 주위에는 게이트 드라이버(13)와 전하 전압 변환형 증폭기(14)와 멀티플렉서(15)와 A/D변환기(16)를 배설하여 접속하고 있다. 이들 게이트 드라이버(13), 전하 전압 변환형 증폭기(14), 멀티플렉서(15), A/D변환기(16)는, 액티브 매트릭스 기판(1)과는 다른 기판으로 접속되어 있다. 또한, 게이트 드라이버(13), 전하 전압 변환형 증폭기(14), 멀티플렉서(15), A/D변환기(16)의 일부 또는 전부를, 액티브 매트릭스 기판(1)에 내장해도 된다.
FPD에 의해서 X선을 검출할 때, 바이어스 공급 전원(도시 생략)으로부터 바이어스 전압을, 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 개재하여 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)에 인가한다. 리드선(4)의 선단인 심선(4a)과 도판(5a)을, 땜납(6)을 개재하여 접속하고, 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5a)와 공통 전극(3)을 접속하므로, 바이어스 공급 전원(도시 생략)으로부터 바이어스 전압을, 리드선(4), 땜납(6), 도판(5a) 및 도전 페이스트(7)을 개재하여 공통 전극(3)에 인가한다. 바이어스 전압을 인가한 상태에서, 방사선(실시예 1~4에서는 X선)의 입사에 수반하여 방사선 감응형의 반도체(2)에서 전하를 생성한다. 이 생성된 전하를 수집 전극(11)에서 일단 수집한다. 축적·독출용 전기 회로(12)에 의해서, 수집된 전하를 각 수집 전극(11)마다의 방사선 검출 신호(실시예 1~4에서는 X선 검출 신호)로서 꺼낸다.
구체적으로는, 수집 전극(11)으로 수집된 전하가 콘덴서(12A)에 일단 축적된다. 그리고, 게이트 드라이버(13)로부터 게이트선(12a)을 개재하여 독출 신호를 각 TFT(12B)의 게이트에 순서대로 제공한다. 독출 신호를 제공함으로써, 독출 신호가 제공된 TFT(12B)가 OFF에서 ON로 이행한다. 그 이행 한 TFT(12B)의 소스에 접속된 데이터선(12B)이 멀티플렉서(15)에 의해서 순서대로 전환 접속됨에 따라서, 콘덴서(12A)에 축적된 전하를, TFT(12B)로부터 데이터선(12B)를 개재하여 독출한다. 독출된 전하를 전하 전압 변환형 증폭기(14)로 증폭하고, 멀티플렉서(15)에 의해서 각 수집 전극(11)마다의 방사선 검출 신호(실시예 1~4에서는 X선 검출 신호)로서 A/D변환기(16)로 송출하여 아날로그값에서 디지탈값으로 변환한다.
예를 들면, FPD를 X선 투시 촬영 장치에 구비했을 경우에는, X선 검출 신호를 후단의 화상 처리 회로로 보내고, 화상 처리를 실시하여 2차원 X선 투시 화상 등을 출력한다. 2차원 형상 매트릭스 배열의 각 수집 전극(11)은, 방사선 화상(여기에서는 2차원 X선 투시 화상)의 각 화소에 대응하는 전극(화소 전극)에 각각 대응하고 있다. 방사선 검출 신호(실시예 1~4에서는 X선 검출 신호)를 꺼냄으로써, 방사선 검출 유효 에리어(SA)에 투영되는 방사선의 2차원 강도 분포에 따른 방사선 화상(여기에서는 2차원 X선 투시 화상)을 작성할 수 있다. 즉, 후술하는 실시예 2~4도 포함하여, 본 실시예 1과 관련되는 FPD는, 방사선 검출 유효 에리어(SA)에 투영되는 방사선(실시예 1~4에서는 X선)의 2차원 강도 분포를 검출할 수 있는 2차원 어레이 타입의 방사선 검출기이다.
다음으로, FPD의 각부 구성에 관하여 보다 구체적으로 설명한다. 액티브 매트릭스 기판(1)에는, 예를 들면 유리 기판이 이용된다. 액티브 매트릭스 기판(1)의 유리 기판은, 예를 들면 0.5mm~1.5mm정도이다. 반도체(2)의 두께는, 통상, 0.5mm~1.5mm전후의 후막이며, 면적은, 예를 들면 세로 20cm~50cm×20cm~50cm 정도의 것이다.
방사선 감응형의 반도체(2)는, 고순도 어모퍼스 셀렌(a-Se), Na 등의 알칼리 금속이나 Cl 등의 할로겐 혹은 As나 Te를 도프한 셀렌 및 셀렌 화합물의 어모퍼스 반도체, CdTe, CdZnTe, PbI2 , HgI2, TlBr 등의 비셀렌계 다결정 반도체 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 어모퍼스 셀렌, 알칼리 금속이나 할로겐 혹은 As나 Te를 도프한 셀렌 및 셀렌 화합물의 어모퍼스 반도체, 비셀렌계 다결정 반도체는, 대면적화 적성 및 후막화(厚膜化) 적성이 뛰어난다. 그 반면, 이들은 모스 경도가 4 이하로 부드러워서 상처가 나기 쉽지만, 리드선(4)을 공통 전극(3)에 접속할 때에 가해지는 충격을 받침대(5)가 완화시켜 상처가 나는 것을 방지할 수 있으므로, 반도체(2)의 대면적화 및 후막화를 용이하게 도모할 수 있다. 특히, 109Ω 이상, 바람직하게는 1011 Ω 이상의 비저항을 가지는 a-Se를 반도체(2)에 이용하면 대면적화 적성 및 후막화 적성이 현저하게 우수하다.
또한, 반도체(2)로서는, 상술한 감응형의 반도체(2) 외에, 그 입사면(도 1(b)에서는 상면) 또는 입사측과 반대측의 면(도 1(b)에서는 하면) 혹은 양면에 형성된 캐리어 선택성의 고저항 반도체층인 중간층과의 조합도 포함한다. 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 반도체(2)와 공통 전극(3)의 사이에 중간층(2a)을 형성하는 것과 동시에, 반도체(2)와 수집 전극(11)(도 3을 참조)의 사이에 중간층(2b)을 형성해도 되며, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 반도체(2)와 공통 전극(3)의 사이에만 중간층(2a)을 형성해도 되며, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 반도체(2)와 수집 전극(11)(도 3을 참조)의 사이에만 중간층(2b)을 형성해도 된다.
이와 같이, 캐리어 선택성의 중간층(2a, 2b)을 설치함으로써 암전류를 저감시킬 수 있다. 여기서 말하는 캐리어 선택성이란 반도체 중의 전하 이동 매체(캐리어)인 전자와 정공으로, 전하 이동 작용에의 기여율이 현저하게 다른 성질을 가리킨다.
반도체(2)와 캐리어 선택성의 중간층(2a, 2b)의 조합 방법으로서는, 다음과 같은 실시예를 들 수 있다. 공통 전극(3)에 정의 바이어스 전압을 인가하는 경우에는, 중간층(2a)에 전자의 기여율이 큰 재료를 사용한다. 이에 의해 공통 전극(3)으로부터의 정공의 주입이 저지되어, 암전류를 저감시킬 수 있다. 중간층(2b)에는 정공의 기여율이 큰 재료를 사용한다. 이에 의해 수집 전극(11)으로부터의 전자의 주입이 저지되어, 암전류를 저감시킬 수 있다.
반대로, 공통 전극(3)에 부의 바이어스 전압을 인가하는 경우에는, 중간층(2a)에 정공의 기여율이 큰 재료를 사용한다. 이에 의해 공통 전극(3)으로부터의 전자의 주입이 저지되어, 암전류를 저감시킬 수 있다. 중간층(2b)에는 전자의 기여율이 큰 재료를 사용한다. 이에 의해 수집 전극(11)으로부터의 정공의 주입이 저지되어, 암전류를 저감시킬 수 있다.
캐리어 선택성의 중간층(2a, 2b)의 두께는, 통상, 0.1㎛~10㎛의 범위가 바람직하다. 중간층(2a, 2b)의 두께가 0.1㎛ 미만에서는 암전류를 충분히 억제할 수 없는 경향이 나타나며, 반대로, 두께가 10㎛를 넘으면 방사선 검출의 방해가 되는 경향(예를 들면 감도가 저하하는 경향)이 나타난다.
또한, 캐리어 선택성의 중간층(2a, 2b)에 이용되는 반도체로서는, Sb2S3, ZnTe, CeO2, CdS, ZnSe, ZnS 등의 다결정 반도체, Na 등의 알칼리 금속이나 Cl 등의 할로겐 혹은 As나 Te를 도프한 셀렌 및 셀렌 화합물의 어모퍼스 반도체가 대면적화 적성이 뛰어난 것으로서 들 수 있다. 이들 반도체는 두께가 얇아서 상처가 나기 쉽지만, 리드선(4)을 공통 전극(3)에 접속할 때에 가해지는 충격을 받침대(5)가 완화시켜 상처가 나는 것을 방지할 수 있으므로, 캐리어 선택성의 중간층(2a, 2b)는 대면적화 적성이 뛰어나다.
중간층(2a, 2b)에 이용되는 반도체 중, 전자의 기여가 큰 것으로서, n형 반도체인 CeO2 , CdS, CdSe, ZnSe, ZnS와 같은 다결정 반도체나, 알칼리 금속이나 As나 Te를 도프하여 정공의 기여율을 저하시킨 어모퍼스 Se 등의 어모퍼스체를 들 수 있다.
또한, 정공의 기여가 큰 것으로서, p형 반도체인 ZnTe와 같은 다결정 반도체나, 할로겐을 도프하여 전자의 기여율을 저하시킨 어모퍼스 Se 등의 어모퍼스체를 들 수 있다.
또한, Sb2S3 , CdTe, CdZnTe, PbI2 , HgI2 , TlBr이나, 논도프의 어모퍼스 Se 또는 Se 화합물의 경우, 전자의 기여가 큰 것과 정공의 기여가 큰 것의 양쪽이 있다. 이들의 경우, 제막조건의 조절로 전자의 기여가 큰 것이라도, 정공의 기여가 큰 것이라도, 선택 형성할 수 있다.
도판(5a)은, 상술한 바와 같이 금 도금이 실시되어 있다. 도판(5a)은 평면 형상이며, 달걀형(타원형상)이다. 도판(5a)의 면적은, 예를 들면, 세로 10mm~15 mm×가로 5mm~10mm 정도이며, 두께 1mm 정도의 것이다.
다음으로, FPD의 공통 전극(3) 주변의 접속 방법에 관하여 설명한다. 여기에서는, 반도체(2)로서, 두께 1.0mm, 면적이 세로 510mm×510mm인 어모퍼스 셀렌의 후막이며, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이 어모퍼스 셀렌의 후막의 상하에 Sb2S3로 형성된 중간층(2a, 2b)을 이용하며, 도판(5a)으로서, 두께가 1mm, 면적이 세로 12 mm×가로 7mm의 도판(5a)에 금 도금을 실시한 것을 이용한다. 공통 전극(3)으로서는, 금(Au)으로 형성된 것을 이용한다. 공통 전극(3)에 대향하는 도판(5a)의 면에 관해서는, 공통 전극(3)을 형성하는 금 전극을 손상시키지 않도록, 가능한 한 평판형, 혹은 다소의 볼록함을 가진 평면형으로 한다.
다음으로, 리드선(4)의 고전압 케이블을 소정의 길이로 자르고, 선단의 절연체를 벗겨 심선(4a)만으로 한다. 그 심선(4a)과 상술한 금 도금이 실시된 도판(5a)에 대해서 납땜을 실시함으로써, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 도판(5a)를 접속한다.
어모퍼스 셀렌 및 금 전극의 증착까지 종료한 FPD를 준비한다. 도판(5a)의 이면(즉 금 전극측의 면)에 Ni 아크릴계 페이스트를 도포하고, 금 전극의 소정 위치에 설치함으로써, 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5a)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 도전 페이스트(7)가 건조·고화(固化)되는 것을 기다려, 다음의 공정으로 진행한다. 이 때, Ni 아크릴계 페이스트를 도포하는 양을, 금 전극면을 눌렀을 때에 도판(5a)이 금 전극에 직접 접하지 않는 정도로 한다. 도포량이 적으면 도판(5a)이 금 전극면에 직접 닿아, 도판(5a)에 의해서 전극면을 손상시키는 일이 있다. 반대로, 도포량이 많으면 삐져 나오는 것이 많아진다. 이상과 같이, 금 전극의 증착 형성 전에 수지에 의한 받침대를 형성하는 일 없이, 따라서 증착 장치를 오염하는 일 없이, 리드선(4)을 공통 전극(3)에 접속하는 것이 가능하게 된다.
또한, Ni 아크릴계 페이스트가 건조·고화한 후에, 길이 700mm의 고전압 케이블을 접속한 후에, 선단에 위치하는 심선(4a)과, 도 1(a)에 나타내는 저항 측정점(P)의 사이를 디지털 테스터로 측정하면, 저항값이 2.7Ω이었던 것이 확인되고 있다. 종래의 수지로 형성된 받침대 위에 은페이스트의 조건으로 측정된 값이 2~3Ω인 점에서, 본 실시예 1과 관련되는 접속 방법에 의한 접속 저항값도 종래의 받침대를 설치하는 방법과 동등하다고 생각된다.
또한, 도판(5a)에 대한 도금에 관해서는 금으로 한정되지 않으며, 다른 금속의 도금이어도 된다. 또한, 도판(5a)이 알루미늄 등의 금속으로 형성되어 있는 경우에는, 반드시 도금이 필요하지는 않다. 또한, 심선(4a)과 도판(5a)의 접속에 관해서는, 가장 일반적이고 접속이 확실한 납땜을 실시하였다. 납땜의 경우에는, 미리 다수의 케이블을 준비하여 선택할 수 있는 이점이 있다. 물론, 납땜으로 한정되지 않으며, 도전 페이스트에 의해서 접속, 용접에 의해서 접속, 혹은 도판(5a)으로 대표되는 면형상으로 형성된 도전성의 판재의 일부를 가늘게 하여 그 부분에 케이블을 함께 매어 접속해도 된다.
상술한 본 실시예 1과 관련되는 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)에 의하면, 면형상으로 형성된 도전성의 판재(본 실시예 1에서는 도판(5a))를 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)과 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 접속한다. 공통 전극(3) 위에 리드선(4)이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 판재(도판(5a))가 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체(2)에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 판재(도판(5a))가 면형상으로 형성되어 있으므로, 비록 저항값이 높은 도전 페이스트를 이용했다고 하여도, 접속 저항을 낮출 수 있어, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도가 된다. 즉, 도전 페이스트의 선택의 폭이 넓어지게 된다. 또한, 절연성의 받침대를 사용하지 않고 접속이 가능하여, 성능 저하를 회피할 수 있다. 그 결과, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
본 실시예 1에서는, 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(본 실시예 1에서는 도판(5a))와 공통 전극(3)을 접속하고 있다. 바람직하게는, 도전 페이스트(7)는, 카본 또는 니켈을 함유한 것이다. 본 실시예 1에서는 Ni 아크릴계 페이스트를 채용하고 있다. 도전 페이스트(7)가 은페이스트인 경우에는, 접속 저항은 낮지만, 어모퍼스 셀렌으로 대표되는 반도체(2)로의 확산이 크고, 반도체(2)의 저항까지 저하시켜 버려, 바이어스 전압의 인가에 의한 반도체(2)의 관통 방전이 발생한다. 도전 페이스트(7)가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트(본 실시예 1에서는 Ni 아크릴계 페이스트)인 경우에는, 은페이스트와 비교하여 반도체(2)로의 확산이 작고, 반도체(2)의 관통 방전이 발생하기 어렵다. 또한, 도전 페이스트(7)가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트인 경우에는, 접속 저항은 높아지지만, 판재(도판(5a))가 면상으로 형성되어 있으므로, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
실시예 2
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 도 5(a)는, 실시예 2와 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, 도 5(b)는, 관통공을 가진 도판의 확대 평면도이며, 도 5(c)는, 심선을 접속했을 때의 도판의 확대 평면도이며, 도 5(d)는, 도전 페이스트로 접속했을 때의 도판의 확대 평면도이며, 도 5(e)는, 공통 전극 주변의 A-A선 표시 점선의 단면의 확대도이다. 상술한 실시예 1에서 공통되는 개소에 관해서는, 같은 부호를 부여하여 그 설명을 생략함과 동시에 도시를 생략 한다.
본 실시예 2와 관련되는 FPD에서는, 도 5(a)~도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 2개의 관통공(5A, 5B)을 가진 도판(5b)을, 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 채용한다. 이 도판(5b)은 「에그 러그」라고도 불리고 있으며, 시판의 것으로 적용할 수 있다. 통상 「에그 러그」에는 니켈이 도금되어 있으므로 그대로 사용할 수 있다. 2개의 관통공(5A, 5B) 중, 관통공(5A)은, 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5b)과 공통 전극(3)을 접속할 때에, 그 도전 페이스트(7)가 들어가기 위한 구멍이다. 또한, 관통공(5B)은, 케이블의 절연체를 벗긴 심선(4a)과 도판(5b)을, 땜납(6)을 개재하여 접속하기 위한 구멍이다. 또한, 관통공(5A)이 관통공(5B)보다 구멍의 사이즈는 크다. 도판(5b)은, 본 발명에 있어서의 도전성의 판재에 상당하며, 관통공(5A)은, 본 발명에 있어서의 관통공에 상당한다.
도전 페이스트(7)에 관해서는, 실시예 1과 마찬가지로, Ni 아크릴계 페이스트와 같이 니켈을 함유한 것이 채용된다. 물론, 카본을 가지는 카본계 페이스트여도 된다. 안정적으로 접속을 실시하기 위해서, 점도 1000cps 이상, 바람직하게는 점도 10000cps 이상의 도전 페이스트를 이용한다.
다음으로, FPD의 공통 전극(3) 주변의 접속 방법에 관하여 설명한다. 실시예 1과 마찬가지로, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이 어모퍼스 셀렌의 후막의 상하에 Sb2S3 로 형성된 중간층(2a, 2b)을 이용하고, 공통 전극(3)으로서는, 금(Au)으로 형성된 것을 이용한다.
리드선(4)의 고전압 케이블을 소정의 길이로 자르고, 선단의 절연체를 벗겨 심선(4a)만으로 한다. 그 심선(4a)과 상술한 금 도금이 실시된 도판(5b)의 관통공(5B)의 개소에 대해서 납땜를 실시함으로써, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 도판(5b)을 접속한다.
도판(5b)의 관통공(5A)의 개소에 표리면(表裏面)에 걸쳐서 Ni 아크릴계 페이스트를 도포하고, 금 전극의 소정 위치에 설치한다, 혹은 금 전극의 소정 위치에 Ni 아크릴계 페이스트를 도포하고, 도판(5b)을 그 Ni 아크릴계 페이스트 상에 설치함으로써, 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5b)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 이때, Ni 아크릴계 페이스트로 이루어지는 도전 페이스트(7)가 관통공(5A)으로 들어간다. 또한, 관통공(5A)의 개소도 포함하여 도판(5b)의 이면(즉 금 전극측의 면)에 Ni 아크릴계 페이스트를 도포하고, 금(金) 전극의 소정 위치에 설치한 후에, 관통공(5A)의 개소를 중심으로 표면에도 Ni 아크릴계 페이스트를 도포함으로써, Ni 아크릴계 페이스트로 이루어지는 도전 페이스트(7)가 관통공(5A)으로 들어가도록 해도 된다.
도전 페이스트(7)가 건조·고화되는 것을 기다려, 다음의 공정으로 진행한다. 실시예 1과 마찬가지로, Ni 아크릴계 페이스트를 도포하는 양을, 금 전극면을 눌렀을 때에 도판(5b)이 금 전극에 직접 접하지 않는 정도로 한다. 다만, Ni 아크릴계 페이스트로 이루어지는 도전 페이스트(7)가 관통공(5A)으로 들어가는 분만큼, 본 실시예 2에서는 도포량은 실시예 1 때보다 많아진다.
통상 「에그 러그」라고 불리는 도판(5b)에는 니켈 도금이 실시되어 있으나, 다른 금속의 도금이어도 되며, 반드시 도금할 필요는 없다. 또한, 심선(4a)과 도판(5a)의 접속에 관해서도, 납땜으로 한정되지 않으며, 도전 페이스트에 의해서 접속, 용접에 의해서 접속, 혹은 도판(5b)로 대표되는 면형상으로 형성된 도전성의 판재의 일부를 가늘게 해 그 부분에 케이블을 함께 매어 접속해도 된다.
상술한 본 실시예 2와 관련되는 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)에 의하면, 상술한 실시예 1과 마찬가지로, 면형상으로 형성된 도전성의 판재(본 실시예 2에서는 도판(5b))를 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)과 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 접속한다. 공통 전극(3) 위에 리드선(4)이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 판재(도판(5b))가 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체(2)에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
상술한 실시예 1과 마찬가지로, 본 실시예 2에서는, 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(본 실시예 2에서는 도판(5b))와 공통 전극(3)을 접속하고 있다. 바람직하게는, 도전 페이스트(7)는, 카본 또는 니켈을 함유한 것이다. 본 실시예 2에서도 Ni 아크릴계 페이스트를 채용하고 있다. 도전 페이스트(7)가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트(본 실시예 2에서는 Ni 아크릴계 페이스트)인 경우에는, 은페이스트에 비하여 반도체(2)로의 확산이 작아, 반도체(2)의 관통 방전이 발생하기 어렵다. 또한, 도전 페이스트(7)가 카본 또는 니켈을 함유한 카본계 페이스트나 Ni계 페이스트인 경우에는, 접속 저항은 높아지지만, 판재(도판(5b))가 면상에 형성되어 있으므로, 은페이스트를 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
본 실시예 2에서는, 판재(본 실시예 2에서는 도판(5b))가, 도전 페이스트(7)가 들어가는 관통공(5A)을 가지고 있다. 이러한 관통공(5A)을 판재(도판(5b))가 가지고, 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(도판(5b))와 공통 전극(3)을 접속할 때에, 그 도전 페이스트(7)가 관통공(5A)으로 들어가므로, 기계적 강도가 증가하고, 접속 저항을 보다 한층 낮출 수 있다.
실시예 3
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 3을 설명한다. 도 6(a)는, 실시예 3과 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, 도 6(b)는, 방사선 검출 유효 에리어와 공통 전극 외주의 사이에 공간적인 스페이스에 여유가 있을 때의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, 도 6(c)은, 도 6(a)의 공통 전극 주변의 확대도이다. 상술한 실시예 1, 2와 공통되는 개소에 관해서는, 같은 부호를 부여하여 그 설명을 생략함과 동시에 도시를 생략 한다.
상술한 실시예 1, 2와 관련되는 FPD에서는, 도 1, 도 5에 나타내는 바와 같이, 도판을, 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 채용하였지만, 본 실시예 3과 관련되는 FPD에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, L자형 금속(5c)을, 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 채용한다.
상술한 실시예 1의 도 1(a)나, 상술한 실시예 2의 도 5(a)처럼, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 방사선 검출 유효 에리어(SA)와 공통 전극(3) 외주의 사이에 공간적인 스페이스에 여유가 있는 경우에는, 실시예 1의 도판(5a)이나 실시예 2의 도판(5b)을 설치해도 방사선 검출 유효 에리어(SA) 내까지 도판이 걸리지 않지만, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 방사선 검출 유효 에리어(SA)와 공통 전극(3) 외주의 사이에 공간적인 스페이스에 여유가 없는 경우에는, 실시예 1의 도판(5a)이나 실시예 2의 도판(5b)을 설치하면 방사선 검출 유효 에리어(SA) 내까지 도판이 걸릴 우려가 있다. 또한, 방사선 검출 유효 에리어(SA)는, 화소 전극에 대응한 각 수집 전극(11)(도 2, 도 3을 참조)이 배열 가능한 영역이기도 하다. 따라서, 방사선 검출 유효 에리어(SA)는, 「화소 영역」이라고도 불린다.
그래서, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 방사선 검출 유효 에리어(SA)와 공통 전극(3) 외주의 사이에 공간적인 스페이스에 여유가 없는 경우에는, 실시예 1의 도판(5a)이나 실시예 2의 도판(5b)보다 사이즈가 작은 폭의 가는 판재를 대용한다. 이 때, 전체적으로 공통 전극(3)에 접촉하는 면적을 늘리고, 안정적으로 고정시키기 위해서, 길이 방향을 가능한 한 길게 한다. 따라서, 방사선 검출 유효 에리어(SA)와 공통 전극(3) 외주의 사이에 L자형으로 형성된 L자형 금속(5c)을, 공통 전극(3)의 구석을 따라서 설치한다. L자형 금속(5c)은, 본 발명에 있어서의 도전성의 판재에 상당한다.
다음으로, FPD의 공통 전극(3) 주변의 접속 방법에 관하여 설명한다. 실시예 1, 2와 마찬가지로, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이 어모퍼스 셀렌의 후막의 상하에 Sb2S3으로 형성된 중간층(2a, 2b)을 이용하고, 공통 전극(3)으로서는, 금(Au)으로 형성된 것을 이용한다.
리드선(4)의 고전압 케이블을 소정의 길이에 자르고, 선단의 절연체를 벗겨 심선(4a)으로만 한다. 그 심선(4a)과 L자형 금속(5c)에 대해서 납땜를 실시함으로써, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 L자형 금속(5c)을 접속한다.
L자형 금속(5c)의 이면(즉 금 전극면측의 면)에 Ni 아크릴계 페이스트를 도포하고, 금 전극의 소정 위치에 설치함으로써, 도전 페이스트(7)에 의해서 L자형 금속(5c)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 또한, 후술하는 실시예 4와 같이, L자형 금속(5c)으로서, 양면 접착 혹은 한 면 접착의 도전 테이프를 이용해도 된다. 이 경우에는, 반드시 도전 페이스트를 이용할 필요는 없지만, 도전 페이스트에 의해서 도전 테이프로 형성된 L자형 금속(5c)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속해도 된다.
실시예 1의 도판(5a)이나 실시예 2의 도판(5b)과 마찬가지로, L자형 금속(5c)에 대해서 금속 도금(예를 들면 금 도금)을 실시해도 되며, 반드시 도금할 필요는 없다. 또한, 심선(4a)과 L자형 금속(5c)의 접속에 관해서도, 납땜으로 한정되지 않고, 도전 페이스트에 따라 접속, 용접에 의해서 접속해도 된다.
상술한 본 실시예 3과 관련되는 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)에 의하면, 상술한 실시예 1, 2와 마찬가지로, 면형상으로 형성된 도전성의 판재(본 실시예 3에서는 L자형 금속(5c))를 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)과 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 접속한다. 공통 전극(3) 위에 리드선(4)이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 판재(L자형 금속(5c))가 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체(2)에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
실시예 4
다음으로, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 4를 설명한다. 도 7(a)는, 실시예 4와 관련되는 직접 변환형의 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)의 개략 평면도이며, 도 7(b)는, 도 7(a)의 공통 전극 주변의 확대도이다. 상술한 실시예 1~3에서 공통되는 개소에 관해서는, 같은 부호를 부여하고 그 설명을 생략함과 동시에 도시를 생략한다.
상술한 실시예 1, 2와 관련되는 FPD에서는, 도 1, 도 5에 나타내는 바와 같이, 공통 전극(3)과, 면형상으로 형성된 도전성의 판재(도판)를 접속하는데 도전 페이스트를 이용하였지만, 본 실시예 4와 관련되는 FPD에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 공통 전극(3)과, 면형상으로 형성된 도전성의 판재를 접속하는데 도전 테이프(8)를 이용한다. 본 실시예 4에서는, 실시예 1과 마찬가지로 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 도판(5a)을 채용한다. 물론, 실시예 2와 마찬가지로 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 관통공을 가진 「에그 러그」인 도판(5b)을 채용해도 된다. 도전 테이프(8)는, 본 발명에 있어서의 도전 테이프에 상당한다.
도전 테이프(8)에 관해서는, 카본 또는 니켈을 함유한 것이 채용된다. 도전 테이프(8) 위에 도전 페이스트를 병용하지 않는 경우에는, 리드선(4)에 접속된 도판(5a)과 공통 전극(3)을 접속하기 위해서, 양면 접착의 도전 테이프를 이용한다. 도전 테이프(8) 위에 도전 페이스트를 병용하는 경우에는, 한면 접착의 도전 테이프를 이용해도 되며, 양면 접착의 도전 테이프를 이용해도 된다. 안정적으로 접속을 실시하기 위해서, 점도 1000cps 이상, 바람직하게는 점도 10000cps 이상의 도전 테이프를 이용한다.
다음으로, FPD의 공통 전극(3) 주변의 접속 방법에 관하여 설명한다. 실시예 1~3과 마찬가지로, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 어모퍼스 셀렌의 후막의 상하에 Sb2S3으로 형성된 중간층(2a, 2b)을 이용하며, 공통 전극(3)으로서는, 금(Au)으로 형성된 것을 이용한다.
리드선(4)의 고전압 케이블을 소정의 길이에 자르고, 선단의 절연체를 벗겨 심선(4a)으로만 한다. 그 심선(4a)과 도판(5a)에 대해서 납땜를 실시함으로써, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 도판(5a)를 접속한다.
한편, 금 전극의 소정 위치에 도전 테이프(8)을 첩부하고, 그 첩부된 도전 테이프(8) 상에, 땜납(6)을 개재하여 접속된 심선(4a)과 도판(5a)를 설치함으로써, 도전 테이프(8)에 의해서 도판(5a)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 도전 테이프(8)의 경우에는, 도전 페이스트와 같이 적당량을 도판(5a)에 도포할 필요는 없고, 필요 길이의 테이프를 절단하여 첩부하는 것이면 된다. 또한, 도전 페이스트와 같은 접착제와 같이 고화·건조할때까지의 시간이 거의 제로가 된다. 즉, 곧바로 다음의 공정에 진행될 수 있으므로, 작업시간의 단축도 된다.
또한, 실시예 2와 마찬가지로 면형상으로 형성된 도전성의 판재로서 관통공을 가진 도판(5b)을 채용했을 경우에는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 심선(4a)과 도판(5b)의 관통공(5B)의 개소에 대해서 납땜를 실시함으로써, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 도판(5b)을 접속한다. 그리고, 관통공(5A)의 개소에 도전 페이스트(7)를 도포하고, 공통 전극(3)에 첩부된 도전 테이프(8) 상에, 땜납(6)을 개재하여 접속된 심선(4a)과 도판(5b)을 설치함으로써, 도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5b)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 이와 같이, 도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(여기에서는 도판(5b))와 공통 전극(3)을 접속한다.
그 외에, 심선(4a)과 도판(5a)에 대해서 납땜를 실시함으로써, 땜납(6)을 개재하여 심선(4a)과 도판(5a)를 접속하고, 도판(5a)의 이면에 도전 페이스트(7)를 도포하고, 공통 전극(3)에 첩부된 도전 테이프(8) 상에, 땜납(6)을 개재하여 접속된 심선(4a)과 도판(5a)를 설치함으로써, 도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 도판(5a)과 금 전극으로 형성된 공통 전극(3)을 접속한다. 이와 같이, 도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(여기에서는 도판(5a))와 공통 전극(3)을 접속한다.
상술한 본 실시예 4와 관련되는 플랫 패널형 X선 검출기(FPD)에 의하면, 상술한 실시예 1~3과 마찬가지로, 면형상으로 형성된 도전성의 판재(본 실시예 4에서는 도판(5a))를 개재시켜, 바이어스 전압 인가용의 공통 전극(3)과 바이어스 전압 급전용의 리드선(4)을 접속한다. 공통 전극(3) 위에 리드선(4)이 직접 접속되지 않고, 면형상으로 형성된 판재(도판(5a))가 접속되므로, 방사선 감응형의 반도체(2)에 손상을 주는 것을 방지할 수 있어, 성능 저하를 회피할 수 있다. 또한, 절연성의 받침대를 이용하는 일 없이, 성능 저하를 회피할 수 있다.
본 실시예 4에서는, 실시예 1, 2와 달리, 도전 테이프(8)에 의해서 판재(본 실시예 4에서는 도판(5a))와 공통 전극(3)을 접속하고 있다. 바람직하게는, 도전 테이프(8)는, 카본 또는 니켈을 함유한 것이다. 도전 테이프(8)가 카본 또는 니켈을 함유한 것인 경우에는, 반도체(2)의 관통 방전이 발생하기 어렵고, 판재(도판(5a))가 면상에 형성되고 있으므로, 은을 함유한 테이프를 사용했을 때와 동일한 정도로 접속 저항을 낮출 수 있다.
도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(도판(5a, 5b))와 공통 전극(3)을 접속하는 경우에는, 이하의 작용·효과를 달성한다. 도전 페이스트(7)에 비하여 도전 테이프(8)에서는 저항율이 높아지는 일이 있지만, 도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 접속하는 경우에서는, 도전 테이프(8) 위에 도전 페이스트(7)을 병용하여 형성하고 있으므로, 저항을 낮출 수 있다.
도전 테이프(8) 및 그 위에 형성된 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(도판(5a, 5b))와 공통 전극(3)을 접속하는 경우에는, 상술한 바와 같이, 판재(여기에서는 도판(5b))가, 도전 페이스트(7)가 들어가는 관통공(5A)을 가져도 된다. 이러한 관통공(5A)을 판재(도판(5b))가 가지고, 도전 페이스트(7)에 의해서 판재(도판(5b))와 공통 전극(3)을 접속할 때에, 그 도전 페이스트(7)가 관통공(5A)에 들어가므로, 기계적 강도가 증가하고, 접속 저항을 보다 한층 낮출 수 있다.
[실험 결과]
어모퍼스 셀렌으로 형성된 반도체(2) 위에 세로 60mm 정도×가로 60mm 정도의 금을 증착하여 공통 전극(3)을 형성한 FPD에 있어서의 각 저항값을 측정한 결과를 나타낸다. Ni 도금을 실시한 세로 15mm 정도×가로 10mm 정도의 도판(5a)을 이용하여 저항값을 측정하고 있다.
(A)를, 소량의 은계 도전 페이스트로 접속한 것, (B)를, Ni계 양면 접착 도전 테이프로 접속한 것, (C)를, Ni계 도전 페이스트로 접속한 것으로 한다. 또한, (A)에서는, 은계 양면 접착 도전 테이프의 표면에 은계 도전 페이스트를 도포한 것으로 실시하여, 다른 것과의 비교를 실시할 예정이었지만, 도전 테이프로부터 도전 페이스트가 삐져나와 버리고, 또한, 이 부분에서의 저항값은 작을 것이므로, 소량의 은계 도전 페이스트로 접속한 것으로 대용한다. 또한, 통상에서는 은계 도전 페이스트만으로는 고전압의 바이어스 전압을 인가했을 경우에는, 곧바로 어모퍼스 셀렌의 후막으로 은이 확산하므로, (A)만으로는 사용하지 않는다.
또한, (A)~(C)에서는, 금 전극으로 형성된 반도체 위에 은계 양면 접착 도전 테이프를 첩부한 다음, 은계 도전 페이스트를 전면에 도포하고, 각 저항값을 0.2Ω 정도로 억제하고 있다. 도판(5a)과 리드선의 접속에 관해서는 납땜으로 실시하고 있으므로, 접속 저항값의 차이는 거의 무시할 수 있는 정도이다. 리드선의 케이블은 약 30cm로, 공통 전극과 각 케이블의 선과의 사이를 측정하고 있다. 그 결과, (A)에서는 1.8Ω, (B)에서는 4.3Ω, (C)에서는 1.8Ω이라는 측정 결과가 얻어진다.
이상으로부터, Ni계 도전 페이스트로 접속한 (C)에서는, (A)로의 은계 도전 페이스트를 사용했을 경우의 결과와 거의 같은 결과가 얻어진 것이 확인되고 있다. 또한, Ni계 양면 접착 도전 테이프로 접속한 (B)의 결과로부터 분명한 바와 같이, (A)나 (C)에서의 도전 페이스트 때보다 고저항이 되고 있다. 이 경우에서도 사용은 가능하지만, 도전 페이스트의 병용에 의해서 저항값을 내리는 것이 가능하다.
본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 일 없이, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상술한 각 실시예에서는, 플랫 패널형 X선 검출기로 대표되는 방사선 검출기는, 2 차원 어레이 타입이었지만, 본 발명의 방사선 검출기는, 수집 전극이 1차원형상 매트릭스 배열로 형성되어 있는 1차원 어레이 타입이어도 되며, 방사선 검출 신호 취득용의 전극이 1개뿐인 비어레이 타입이어도 된다.
(2) 상술한 각 실시예에서는, 방사선 검출기로서 X선 검출기를 예에 들어 설명하였지만, X선 이외의 방사선(예를 들면 감마선)을 검출하는 방사선 검출기(예를 들면 감마선 검출기)에도 적용할 수 있다.
(3) 상술한 각 실시예에서는, 연면방전(沿面放電)을 방지하기 위해서, 공통 전극(3)을 반도체(2)보다 안쪽에 형성했지만, 연면방전을 고려하지 않는 경우에는, 공통 전극(3)의 단연부와 반도체(2)의 단연부를 맞추어도 되고, 공통 전극(3)을 반도체(2)보다 외측에 형성해도 된다.
1 … 액티브 매트릭스 기판
2 … (방사선 감응형의) 반도체
3 … (바이어스 전압 인가용의) 공통 전극
4 … (바이어스 전압 급전용의) 리드선
5a, 5b … 도판
5c … L자형 금속
5A … 관통공
7 … 도전 페이스트
8 … 도전 테이프

Claims (9)

  1. 방사선을 검출하는 방사선 검출기로서,
    방사선의 입사에 의해 전하를 생성하는 방사선 감응형의 반도체와,
    그 반도체의 상기 입사측에 면형상으로 형성된 바이어스 전압 인가용의 공통 전극과,
    바이어스 전압 급전용의 리드선과,
    면형상으로 형성된 도전성의 판재를 구비하고,
    상기 판재를 개재시켜, 상기 공통 전극과 상기 리드선을 접속하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    도전 페이스트에 의해서 상기 판재와 상기 공통 전극을 접속하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 판재는, 상기 도전 페이스트가 들어가는 관통공을 가지는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 도전 페이스트는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  5. 제1항에 있어서,
    도전 테이프에 의해서 상기 판재와 상기 공통 전극을 접속하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도전 테이프는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  7. 제1항에 있어서,
    도전 테이프 및 그 위에 형성된 도전 페이스트에 의해서 상기 판재와 상기 공통 전극을 접속하는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 판재는, 상기 도전 페이스트가 들어가는 관통공을 가지는 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 도전 페이스트 또는 도전 테이프는, 카본 또는 니켈을 함유한 것인 것을 특징으로 하는 방사선 검출기.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160137858A (ko) 2015-05-22 2016-12-01 한국원자력연구원 반도체 방사선 검출소자
KR20160147144A (ko) 2015-06-12 2016-12-22 한국원자력연구원 직접 검출형 방사선 검출소자

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110088929B (zh) * 2016-09-27 2022-06-28 伊努鲁有限公司 光电子部件的接触
KR102541822B1 (ko) 2017-01-09 2023-06-12 허큘레스 엘엘씨 모발 섬유를 염색 또는 탈색하는 방법

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320140B1 (en) * 1996-06-14 2001-11-20 Ibiden Co., Ltd. One-sided circuit board for multi-layer printed wiring board, multi-layer printed wiring board, and method of its production
JP3832615B2 (ja) * 1999-08-26 2006-10-11 株式会社島津製作所 放射線検出装置
JP4269859B2 (ja) * 2003-09-10 2009-05-27 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP2005172558A (ja) * 2003-12-10 2005-06-30 Fuji Photo Film Co Ltd 固体検出器およびその製造方法
JP4066972B2 (ja) * 2004-03-30 2008-03-26 株式会社島津製作所 フラットパネル型放射線検出器
KR100914591B1 (ko) * 2004-10-29 2009-08-31 가부시키가이샤 시마즈세이사쿠쇼 방사선 검출기
TWI463615B (zh) * 2004-11-04 2014-12-01 Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd 以奈米管為基礎之具方向性導電黏著
JP2007205935A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出器
CN101390213B (zh) * 2006-02-23 2010-06-16 株式会社岛津制作所 放射线检测器
KR20080023554A (ko) * 2006-09-11 2008-03-14 엘지전자 주식회사 디스플레이모듈 및 이를 구비하는 이동통신 단말기
JP2008286560A (ja) * 2007-05-15 2008-11-27 Hitachi Ltd 結晶素子組み立て体、そのための電気回路、それらを用いた核医学診断装置及び通電制御方法
JP5104857B2 (ja) * 2007-05-21 2012-12-19 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP5090088B2 (ja) * 2007-07-05 2012-12-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160137858A (ko) 2015-05-22 2016-12-01 한국원자력연구원 반도체 방사선 검출소자
KR20160147144A (ko) 2015-06-12 2016-12-22 한국원자력연구원 직접 검출형 방사선 검출소자

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