KR20110115321A - 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시 예에 따른 발광소자는, 기판; 상기 기판 위에 일부가 노출된 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물 위에 제2전극부; 및 상기 제1도전형 반도체층의 노출된 상면부터 상기 기판의 하면까지 전기적으로 연결된 적어도 하나의 제1전극을 포함한다.
Description
도 2는 도 1의 평면도이다.
도 3은 도 1의 배면도이다.
도 4는 도 1의 홀의 예를 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 10은 도 1의 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 11 내지 도 13은 실시 예에 있어서, 채널 영역에서의 제1전극 또는 홀 형성 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 제2실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 15는 제3실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 16 및 도 17은 제4실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도 및 그 평면도이다.
도 18은 제5실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 19는 제6실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 20은 제7실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 21은 제8실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 22는 제9실시 예에 따른 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 23은 제10실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 측 단면도이다.
도 24는 실시 예에 따른 표시장치를 나타낸 도면이다.
도 25는 실시 예에 따른 표시장치의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 26은 실시 예에 따른 조명 장치를 나타낸 도면이다.
Claims (23)
- 기판;
상기 기판 위에 일부가 노출된 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층, 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 발광 구조물 위에 제2전극부; 및
상기 제1도전형 반도체층의 노출된 상면부터 상기 기판의 하면까지 전기적으로 연결된 적어도 하나의 제1전극을 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층과 상기 기판 사이에 적어도 하나의 화합물 반도체층을 포함하며,
상기 적어도 하나의 제1전극은 상기 제1도전형 반도체층, 상기 화합물 반도체층 및 상기 기판에 관통하여 형성되는 발광소자. - 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 노출된 상면은 상기 발광소자의 외주부에 위치하고,
상기 적어도 하나의 제1전극은 상기 제1도전형 반도체층의 노출된 상면의 채널 영역 상에 형성된 발광소자. - 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1전극은 상부 직경보다 하부 직경이 크게 형성되는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 서로 이격된 복수의 제1전극을 포함하며,
상기 복수의 제1전극의 상단을 서로 연결해 주는 제1전도층을 포함하는 발광소자. - 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1전극은 직선 형태 또는 비 직선 형태로 형성되며, 그 직경은 1~50㎛ 범위를 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1전극은 Cu, Ti, Cr, Ta, Al, In, Pd, Co, Ni, Ge, Ag, Au, 및 상기의 금속들의 선택적인 합금 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자.
- 제5항에 있어서, 상기 복수의 제1전극의 하단을 서로 연결해 주는 전극층 또는 제2전도층을 포함하는 발광소자.
- 제5항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 일부부터 상기 제2도전형 반도체층까지의 둘레는 경사지며,
상기 제1전도층은 상기 제1도전형 반도체층의 경사진 면에 접촉되는 발광소자. - 제1항에 있어서, 상기 기판의 상부 및 하면 중 적어도 하나에 요철 구조를 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1전극은 상기 기판을 관통하는 하부 전극; 및 상기 하부 전극의 상단부터 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지 상기 제1도전형 반도체층의 외측을 따라 연장된 제3전도층을 포함하는 발광소자.
- 제2항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 위 또는 아래에 반사층을 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2전극부는 상기 발광 구조물의 상면에서 암(Arm) 형태를 갖는 제2전극; 및 상기 제2전극에 전기적으로 연결된 패드를 포함하는 발광소자.
- 제14항에 있어서, 상기 제2전극부와 상기 발광 구조물 사이에 전류 확산층을 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 성장 기판 또는 절연 기판을 포함하는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 반도체층의 일부는 1~50㎛의 폭으로 노출된 단차진 상면을 갖는 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 제2전극부 아래에 상기 제2도전형 반도체층과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층을 포함하는 발광소자.
- 기판 위에 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 화합물 반도체층을 형성하는 단계;
제1에칭 프로세스에 의해 상기 제1도전형 반도체층의 일부를 노출시키는 단계;
상기 노출된 제1도전형 반도체층부터 상기 기판의 하면까지 관통되는 적어도 하나의 홀을 형성하는 단계; 및
상기 적어도 하나의 홀에 적어도 하나의 제1전극을 형성하여, 상기 기판 하면부터 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지 상기 전극을 통하여 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법. - 제19항에 있어서, 상기 제1에칭 프로세스의 전 또는 후, 제2에칭 프로세스를 수행하며, 상기 제2에칭 프로세스에 의해 상기 기판 상면을 노출시키는 단계를 포함하며,
상기 홀 및 상기 제1전극은 복수개이며,
상기 기판의 상면, 상기 제1도전형 반도체층, 및 상기 기판의 하면 중 적어도 하나에 상기 복수의 제1전극을 서로 연결해 주는 제1전도층을 형성하는 발광소자 제조방법. - 제19항에 있어서, 상기 기판의 위 및 아래 중 적어도 하나에 요철 구조 및 반사층 중 적어도 하나를 형성하는 발광소자 제조방법.
- 제19항에 있어서, 상기 제1에칭 프로세스에 의해 에칭된 영역은 상기 적어도 하나의 제1전극의 형성 영역에 각각 대응되는 발광소자 제조방법.
- 몸체;
상기 몸체 위에 제1 및 제2리드 전극을 포함하는 복수의 리드 전극;
상기 제1리드 전극 위에 탑재되고 상기 제2리드 전극에 전기적으로 연결된 상기 제1항의 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 커버하는 몰딩부재를 포함하는 발광소자 패키지.
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