KR20110114401A - 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체 - Google Patents

저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20110114401A
KR20110114401A KR1020100043230A KR20100043230A KR20110114401A KR 20110114401 A KR20110114401 A KR 20110114401A KR 1020100043230 A KR1020100043230 A KR 1020100043230A KR 20100043230 A KR20100043230 A KR 20100043230A KR 20110114401 A KR20110114401 A KR 20110114401A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
block
storage device
bad
memory
storage areas
Prior art date
Application number
KR1020100043230A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101614950B1 (ko
Inventor
강보경
고정완
최수환
황성희
이병래
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to AU2011241319A priority Critical patent/AU2011241319B2/en
Priority to JP2013504812A priority patent/JP5639709B2/ja
Priority to EP11769043.8A priority patent/EP2558942A4/en
Priority to US13/085,052 priority patent/US9136010B2/en
Priority to PCT/KR2011/002553 priority patent/WO2011129577A2/en
Priority to CN201180018640.XA priority patent/CN102844746B/zh
Publication of KR20110114401A publication Critical patent/KR20110114401A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101614950B1 publication Critical patent/KR101614950B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/00086—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy
    • G11B20/00094—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy involving measures which result in a restriction to authorised record carriers
    • G11B20/00115—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy involving measures which result in a restriction to authorised record carriers wherein the record carrier stores a unique medium identifier
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
    • G11B20/00086—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy
    • G11B20/0092—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy involving measures which are linked to media defects or read/write errors
    • G11B20/00963—Circuits for prevention of unauthorised reproduction or copying, e.g. piracy involving measures which are linked to media defects or read/write errors wherein said defects or errors are not generated on purpose, e.g. random defect patterns occurring during the normal manufacture
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/20—Initialising; Data preset; Chip identification
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/38—Response verification devices
    • G11C29/42—Response verification devices using error correcting codes [ECC] or parity check
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7209—Validity control, e.g. using flags, time stamps or sequence numbers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B2220/00—Record carriers by type
    • G11B2220/60—Solid state media
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C2029/4402—Internal storage of test result, quality data, chip identification, repair information

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

본 발명에 따른, 복수의 저장 영역들을 갖는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법은, 상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용되는 기준 저장 영역들의 수에 대한 정보를 획득하는 단계와; 상기 기준 저장 영역들의 개수와 임계치를 비교하는 단계와; 상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용하기 위해, 상기 비교 결과에 대응하는 개수의 보조 저장 영역들을 생성하는 단계와; 상기 기준 및 보조 저장 영역들에 대한 위치 분포 정보를 생성하는 단계와; 상기 위치 분포 정보를 상기 저장 장치에 저장하는 단계를 포함한다.

Description

저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체{METHOD FOR GENERATING PHYSICAL IDENTIFIER IN STORAGE DEVICE AND MACHINE-READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은 대상 장치를 식별 또는 인증하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 저장 장치의 인증을 위한 물리적 식별자의 생성 장치 및 방법에 관한 것이다.
콘텐츠 보호를 위해 디지털 저작권 관리(Digital Rights Management: DRM), 복사 방지(copy protection) 등의 기술이 요구되는 바와 같이, 이러한 콘텐츠를 저장하는 SSD(Solid State Disk), 플래시 메모리 카드(flash memory card)와 같은 비휘발성 메모리(Non- Volatile Memory: NVM) 장치 등을 포함하는 저장 장치를 인증하기 위한 기술이 요구되고 있다. 즉, 콘텐츠 자체의 암호화 기술은 물론, 저장 장치의 하드웨어(hardware: H/W) 측면의 적합성을 검증하는 기술이 요구되고 있다.
DRM 기술, SD(Secure Digital) 카드를 위한 CPRM(Content Protection for Recordable Media) 기술 및 블루레이(Blue-ray) 디스크를 위한 AACS(Advanced Access Content System) 기술에서는 공개 키 기반 구조(Public Key Infrastructure: PKI) 또는 다른 암호 기술(cryptographic technology)을 이용한 장치 인증 방법을 제공하지만, 저장 장치 자체의 복제에 대한 해결책이 되기는 어렵다.
기존의 칩(chip) 설계에 있어, H/W 측인 칩에 워터마크(watermark) 혹은 지문(fingerprint)을 삽입하여 문제가 발생한 H/W를 식별하는 기술은 있었으나, 이러한 기술은 사후(事後)에 보안 침해(security piracy)를 추적하기 위한 것이고, 복제를 사전에 방지하지 못하고, 대량 생산에서 비효율적이며, 장치의 적합성을 트랜잭션(transaction) 시점에 검증하는 방법으로 사용되기 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 이러한 문제점들은, 콘텐츠 제공자(Contents Provider)가 플래시 메모리 카드 등을 통해 콘텐츠를 배급하는 비즈니스에 소극적인 태도를 취하는 큰 이유가 된다.
본 발명의 특정 실시 예들의 목적은 종래기술과 관련된 문제점들 및/또는 단점들 중의 적어도 하나를 적어도 부분적으로 해결, 경감 또는 제거하는 것이다.
본 발명의 목적은 복제를 사전에 방지하고, 대량 생산에서 효율적이며, 장치의 적합성을 트랜잭션(transaction) 시점에서 검증할 수 있는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 일 측면에 따른, 복수의 저장 영역들을 갖는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법은, 상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용되는 기준 저장 영역들의 수에 대한 정보를 획득하는 단계와; 상기 기준 저장 영역들의 개수와 임계치를 비교하는 단계와; 상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용하기 위해, 상기 비교 결과에 대응하는 개수의 보조 저장 영역들을 생성하는 단계와; 상기 기준 및 보조 저장 영역들에 대한 위치 분포 정보를 생성하는 단계와; 상기 위치 분포 정보를 상기 저장 장치에 저장하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 상기 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기계로 읽을 수 있는 저장 매체가 제공된다.
본 발명은 아래와 같은 이점들을 갖는다.
첫째, OTP 영역의 위치 또는 셀 패턴을 물리적 식별자로서 활용함으로써, 제품 공정의 성숙도에 상관없이 물리적 식별자의 생성 방법을 일관적으로 전 제품 라인에서 적용할 수 있다.
　둘째, 제품마다 상이하게 선택된 랜덤 영역을 사용하므로, 물리적 식별자의 충돌 확률을 현저하게 낮출 수 있다.
　　셋째, 생성된 OTP 영역을 특정 정보를 저장하는 데 활용하는 경우에, 제품마다 상이한 영역을 활용하므로 암호 정보의 경우, 공격 복잡도를 증가시켜 안전성을 강화할 수 있다.
또한, 인위적으로 생성된 기준 영역 내에 특정 셀 패턴(예를 들어, 불량 셀 패턴 등)을 형성함으로써, 메모리 장치의 지문(Finger Print)으로서 하드웨어 레벨의 인증에 활용할 수 있다.
도 1 및 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 물리적 식별자의 생성 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 저장 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,
도 4는 소거 테스트에 따라 메모리에 저장된 상태 데이터의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 프로그램 테스트에 따라 메모리에 저장된 상태 데이터의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 배드 블록 내 불량 셀 패턴을 설명하기 위한 도면,
도 7은 임계치 K를 설정하는 방법을 예시하기 위한 도면.
이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능, 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
고부가 가치를 가진 콘텐츠를 저장 장치 또는 메모리 장치를 이용하여 판매/대여(Sell/Rent) 하는 시나리오에 있어서, 가장 기본적으로 제공되어야 하는 보안 기술은 대량의 불법적인 H/W 복제가 불가능한 복제 방지(anti-cloning) 기술이다. H/W 복제 공격의 복잡도(complexity)를 높이기 위해서는 각 저장 장치가 가진 고유한, 즉 충돌(collision) 확률이 낮은 물리적 성질 또는 특성을 활용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 이러한 물리적 성질은 배드 블록(bad block)과 같은 물리적 결함(physical defect), 불량 셀(fail cell or bad cell) 등이 될 수 있다.
하지만, 저장 장치의 제조 공정이 발전함에 따라서, 배드 블록의 발생 빈도는 점차 줄어들고 있고, 배드 블록이 없는 제품도 출시되고 있다.
본 발명은 저장 장치가 가진 고유한 물리적 성질을 활용하기 위해 물리적 식별자(예를 들어, 배드 블록 또는 불량 셀의 위치 분포)를 생성하는 방법과, 원 타임 프로그래머블(One time programmable: OTP) 영역들 또는 블록들을 활용하여 물리적 식별자를 생성하는 방법을 제공한다. 후술하는 바와 같이, 본 발명은 OTP 영역들을 이용하여 의사 물리적 식별자를 생성한다. 이하 상세히 설명하는 바와 같이, 물리적 식별자는 기본적으로 각 저장 장치를 고유하게 식별할 수 있는 표시를 말하는 것이고, 본 발명에서는 인위적인 물리적 결함, 랜덤한 OTP 영역들 또는 이들의 조합을 통해 물리적 식별자를 생성한다. 의사 물리적 식별자는 각 저장 장치를 고유하게 식별할 수 있는 표시이지만 물리적 결함은 아닌 표시를 말하고, 이하 물리적 식별자는 의사 물리적 식별자를 포함하는 의미로 사용된다. 또한, 이러한 의사 물리적 식별자는 물리적 결함과 결합할 수 있고, 예를 들어, 상기 의사 물리적 식별자는 물리적 결함에 대한 정보(예를 들어, 불량 셀 패턴 또는 위치 분포)를 포함할 수 있다.
도 1 및 2는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 물리적 식별자의 생성 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
상기 물리적 식별자의 생성 방법은, 저장 장치를 제조하는 단계(S100)와, 변수를 초기화하는 단계(S110)와, 변수 I를 증가시키는 단계(S120)와, 프로그램/소거 테스트를 수행하는 단계(S130)와, 프로그램/소거의 상태 데이터를 확인하는 단계(S140)와, 변수 N을 증가시키는 단계(S170)와, 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트를 수행하는 단계(S150)와, ECC 허용 기준을 비교하는 단계(S160)와, 블록 번호를 확인하는 단계(S180)와, 배드 블록의 발생 비율을 산출하는 단계(S190)와, 임계치 K를 산출하는 단계(S200)와, 배드 블록의 발생 확률을 비교하는 단계(S210)와, OTP 영역들의 수를 산출하는 단계(S220)와, 블록들을 선택하는 단계(S230)와, 선택된 블록에 특정 정보를 기록 또는 저장하는 단계(S240)와, OTP 영역 또는 배드 블록을 생성하는 단계(S250)와, 배드 블록 및 불량 셀의 위치 정보 생성 단계(S260)와, 생성된 블록 및 불량 셀의 위치 정보 생성 단계(S270)와, 물리적 식별자 생성 단계(S280)를 포함한다.
상기 저장 장치를 제조하는 단계(S100)에서, 다수의 메모리 칩 또는 장치를 갖는 웨이퍼(wafer)가 제공되고, 이하의 단계들은, 웨이퍼 제조 장치에 따라서, 상기 웨이퍼 상의 각 저장 장치에 대해 개별적, 순차적으로 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다. 상기 저장 장치의 예들은 SSD(Solid State Disk), 플래시 메모리 카드(flash memory card)와 같은 비휘발성 메모리(Non- Volatile Memory: NVM)를 포함한다. 이하 본 발명의 실시 예들은 낸드(Nand) 플래시 메모리를 위주로 하여 설명되지만, 이에 한정되지 않고, 상기 저장 장치의 예들은, 플로피 디스크(floppy disk), 플렉서블 디스크(flexible disk), 하드 디스크, 자기 테이프, 시디롬(compact disc read-only memory: CD-ROM), 광학 디스크, 블루레이(Blue-ray) 디스크, 램, 피롬(Programmable Read-Only Memory: PROM), 이피롬(Erasable PROM: EPROM) 및 플래시-이피 롬(FLASH-EPROM)을 포함한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 저장 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 3에는 상기 저장 장치(100)의 예로서 낸드(Nand) 플래시 메모리가 도시되어 있다. 예를 들어, 상기 저장 장치(100)는 호스트 장치인 퍼스널 컴퓨터의 메모리 슬롯(memory slot)에 장착될 수 있다. 본 예에서, 상기 저장 장치(100)는 상기 물리적 식별자의 생성 방법을 수행하는 호스트 장치와 데이터 통신을 수행한다.
상기 저장 장치(100)는 동일한 크기의 단위 저장 영역들을 갖는 메모리(200)와, 상기 호스트 장치와 데이터 통신을 수행하며, 상기 호스트 장치로부터의 요청에 대한 응답을 제공하며, 상기 메모리(200)로 특정 저장 영역에 대한 읽기, 쓰기(즉, 프로그램) 또는 소거와 같은 제어 명령을 출력하는 메모리 제어부(110)를 포함한다. 상기 메모리 제어부(110)는 상기 메모리(200)로부터 독취된 데이터에 포함된 에러를 검출 및 정정하기 위한 에러 정정 코드(Error Correcting Code: ECC) 블록(120)과, 상기 메모리(200)로부터 독취된 데이터 또는 호스트로부터 제공되는 데이터를 임시로 저장하기 위한 버퍼 램(130)(예를 들어, SRAM(static random access memory))과, 상기 메모리(200)의 OTP 영역들을 관리하기 위한 OTP 펌웨어(140)를 포함한다.
상기 메모리(200)는 셀들((비트, 바이트, 워드 등))이 모여 페이지를 이루고, 페이지들이 모여 블록을 이루고, 블록들이 모여 전체 메모리를 이루는 것과 같은 계층 구조를 갖는다. 본 명세서에서 사용하는 "저장 영역"이라는 용어는, 상기 저장 장치(100)를 구성하며, 통상적으로 구분 가능한 동일한 크기의 저장 영역, 예를 들면 블록, 페이지 또는 셀(비트, 바이트, 워드 등)을 말한다.
상기 메모리(200)는 다수의 블록들(210, 220)로 구성되며, 각 블록은 64Kbyte~512Kbyte의 크기를 갖고, 블록 단위로만 삭제가 가능하다. 하나의 블록은 다수의 페이지로 구성되고, 각 페이지는 512byte~8Kbyte의 크기를 갖고, 읽기 및 쓰기의 기본 단위가 된다. NOR 플래시 메모리는 byte 또는 워드 단위로 읽고 쓸 수 있다. 각 페이지는 수 ~ 수백 바이트 정도 크기의 OOB(Out Of Band), 스페어(spare) 영역 또는 버퍼 영역으로 불리는 추가 데이터 영역을 갖는다. 상기 스페어 영역은 배드 블록 마킹(marking), ECC 데이터, 파일 시스템 정보 등을 기록하는데 사용된다. 상기 메모리(320)는 상기 메모리(320)의 전체 블록들의 상태를 기록한 배드 블록 테이블(Bad Block Table: BBT)을 가질 수 있으며, 각 블록은 "양호(good)", "불량(bad)" 또는 "예약(reserved)" 상태를 갖는다. 본 발명에서 "예약" 상태란 상기 저장 장치의 제조자 이외에 다른 사용자가 프로그램 및 소거를 할 수 없고, 상기 사용자는 읽기만이 가능한 블록을 지칭한다.
상기 메모리(200)는 i~m 블록들(210, 220)을 포함하고, 각 블록(210, 220)은 다수의 페이지로 이루어진 메인 영역(230)과, 페이지들 각각에 후속하는 스페어 영역(240)을 갖는다. i~m 블록들 중 k 블록(220)은 상기 메모리(200)의 물리적 성질 정보로 활용되고, 상기 저장 장치(100)를 고유하게 식별하는데 사용되는 기준 저장 영역을 나타낸다.
에러 검출 및 정정 기술들은 다양한 원인으로 인해 손상되는 데이터의 효율적인 복구를 제공한다. 예를 들면, 메모리에 데이터를 저장하는 과정에서 다양한 원인으로 인해서 데이터가 손상될 수 있고, 소스(source)에서 목적지(destination)로 데이터가 전송되는 데이터 전송 채널의 불안(perturbations)에 의해서 데이터가 손상될 수 있다. 손상된 데이터를 검출하고 보정하기 위해서 다양한 방법들이 제안되어 오고 있다. 잘 알려진 에러 검출 기술들은 RS 코드(Reed-Solomon code), 헤밍 코드(Hamming code), BCH(Bose-Chaudhuri-Hocquenghem) 코드, CRC(Cyclic Redundancy Code) 코드 등이 있다. 이러한 코드들을 이용하여 손상된 데이터를 발견하고 보정하는 것이 가능하다. 불휘발성 메모리 장치가 사용되는 대부분의 응용 분야에 있어서, 호스트 장치로부터의 소스 데이터는 ECC 데이터와 함께 메모리에 저장된다. ECC 데이터는 메모리의 읽기 동작시 발생하는 에러를 정정하기 위한 것으로, ECC 데이터를 이용하여 정정 가능한 에러 비트 수는 제한되어 있다.
상기 변수를 초기화하는 단계(S110)에서, 상기 물리적 식별자의 생성 방법에서 반복 실행되는 루프를 구현하기 위한 변수들, 즉 블록 번호 I와, 배드 블록의 수 N이 0으로 각각 설정된다.
상기 변수 I를 증가시키는 단계(S120)에서, 블록 번호 I는 1만큼 증가한다.
상기 프로그램/소거 테스트를 수행하는 단계에(S130)서, 상기 메모리 제어부(110)는 블록 단위의 프로그램/소거 테스트를 수행한다. 상기 프로그램/소거의 상태 데이터를 확인하는 단계(S140)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 테스트 결과가 실패 또는 성공(즉, 통과)인지를 상기 메모리에 저장된 상태 데이터를 통해 확인한다. 상기 변수 N을 증가시키는 단계(S170)에서, 상기 테스트 결과가 실패인 경우 해당 블록은 배드 블록으로 마킹되고(예를 들어, 스페어 영역에 000h와 같은 예약어가 표시됨), 배드 블록의 수 N은 1만큼 증가한다.
상기 메모리(200)는 통상적으로 액세스 회로(access circuit)라고도 불리는 페이지 버퍼(page buffer)를 포함하고, 상기 페이지 버퍼는 메모리 동작, 즉 프로그램(쓰기) 동작, 읽기 동작 또는 소거 동작의 수행 결과로서 발생하는 상태 데이터를 저장하고 있다. 상기 상태 데이터는 다수의 비트들, 예컨대 페이지 단위에 해당하는 비트들을 포함할 수 있다.
상기 메모리 제어부(110)는 상기 메모리(200)에 저장된 상태 데이터로부터 불량 셀의 위치를 검출할 수 있고, 상기 불량 셀을 포함하는 블록을 배드 블록으로 마킹한다. 각 배드 블록과 상기 배드 블록 내 불량 셀의 위치 정보를 포함하는 별도의 테이블을 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태인 블록) 내에 저장할 수 있다.
이하, 먼저 소거 테스트에 대해 설명하면 아래와 같다.
도 4는 소거 테스트에 따라 메모리에 저장된 상태 데이터의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위하여, 소거 동작이 시작되기 전에 상기 상태 데이터의 각 비트 값은 0으로 설정되어 있었다고 가정한다. 상기 상태 데이터의 각 비트 값은 해당 메모리 셀의 상태(0 또는 1의 값)를 나타내는 것이다. 소거 동작은 하나의 블록을 구성하는 다수의 페이지 각각에 포함된 각 메모리 셀의 상태를 1로 만드는 메모리 동작이다. 이러한 소거 동작에서 발생하는 불량 셀은 1 상태로 변경되지 않고, 0 상태로 남아있는 셀을 말한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 상태 데이터를 구성하는 모든 비트들 중 여섯 번째 비트만이 0 상태로 남아있고, 나머지 비트들은 모두 1 상태로 변경된 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 메모리(200)에 저장된 상태 데이터의 비트 값들로부터 불량 셀의 위치를 검출할 수 있다.
다음으로, 프로그램 테스트에 대해 설명하면 아래와 같다.
도 5는 프로그램 테스트에 따라 메모리에 저장된 상태 데이터의 일 예를 나타내는 도면이다.
설명의 편의를 위하여, 프로그램 동작이 시작되기 전에 상기 상태 데이터의 각 비트 값은 1로 설정되어 있었다고 가정한다. 프로그램 동작은 하나의 블록 또는 페이지에 포함된 전체 메모리 셀들 중 적어도 일부를 소스 데이터에 따라 0 상태로 만드는 메모리 동작이다. 또한, 프로그램 테스트에서는, 전체 메모리 셀들의 모두를 0 상태로 만들 수 있다. 이러한 프로그램 동작에서 발생하는 불량 셀은 0 상태로 변경되지 않고, 1 상태로 남아있는 셀을 말한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 상태 데이터를 구성하는 모든 비트들 중 여섯 번째 비트만이 1 상태로 남아있고, 나머지 비트들은 모두 0 상태로 변경된 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 메모리(200)에 저장된 상태 데이터의 비트 값들로부터 불량 셀의 위치를 검출할 수 있다.
상기 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트를 수행하는 단계에서, 상기 메모리 제어부(110)는 페이지 또는 블록 단위의 읽기 테스트를 수행한다.
메모리 제어부(110)는 읽기 동작이 수행되도록 상기 메모리를 제어한다. 상기 메모리 제어부(110)는 읽기 명령 및 어드레스를 정해진 타이밍에 따라 상기 메모리(200)로 전송하며, 상기 메모리(200)는 상기 읽기 명령에 응답하여 상기 어드레스에 대응하는 메모리 블록의 페이지로부터 데이터를 독취한다. 상기 독취된 데이터는 상기 버퍼 램 또는 상기 ECC 블록(120)으로 전송된다. 상기 ECC 블록(120)은 상기 페이지의 스페어 영역에 저장된 ECC 데이터를 이용하여 상기 독취된 데이터에 대한 읽기 에러를 검출한다. 상기 ECC 블록(120)은 에러 비트(즉, 불량 셀)의 수 및 에러가 발생한 위치(즉, 불량 셀의 위치)를 나타내는 에러 위치 정보(예를 들면, 어드레스 정보)를 내부의 레지스터에 저장한다.
상기 ECC 허용 기준을 비교하는 단계(S160)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 ECC 블록(120)에 저장된 정보에 따라 불량 셀의 수가 기설정된 ECC 허용 기준(즉, 허용된 불량 셀의 수) 이상인지를 판별한다. 읽기 에러가 발생하지 않은 경우에, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 블록 번호를 확인하는 단계(S180)로 진행한다. 불량 셀의 수가 기설정된 ECC 허용 기준을 초과한 경우에, 상기 변수 N을 증가시키는 단계(S170)에서, 해당 블록은 배드 블록으로 마킹되고, 배드 블록의 수 N은 1만큼 증가한다. 불량 셀의 수가 기설정된 ECC 허용 기준을 초과하지 않는 경우에, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 블록 번호를 확인하는 단계(S190)로 진행한다.
상기 리드 디스터번스 테스트에서 불량 셀이 발생한 경우에, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 ECC 블록(120)에 저장된 정보로부터 불량 셀의 위치를 검출할 수 있고, 상기 배드 블록 내 불량 셀의 위치 정보를 포함하는 테이블을 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태인 블록) 내에 저장할 수 있다.
도 6은 배드 블록 내 불량 셀 패턴을 설명하기 위한 도면이다. 도 6은 특정 페이지의 불량 셀 패턴을 나타내고, 예시된 6*6 셀 어레이(410, 420)에서 물리적 결함을 갖는 불량 셀(420)은 "F"로 표시되어 있다.
상기 블록 번호를 확인하는 단계(S180)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 블록 번호 I의 값이 상기 메모리의 전체 블록의 수와 일치하는지의 여부를 판별한다. 전체 블록들에 대한 테스트가 완료된 경우에, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 배드 블록의 발생 비율을 산출하는 단계로 진행한다. 전체 블록들에 대한 테스트가 완료되지 않은 경우에, 상기 메모리 제어부는 상기 변수 I를 증가시키는 단계로 진행한다.
상기 배드 블록의 발생 비율을 산출하는 단계(S190)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 배드 블록의 발생 비율 P = N/I를 산출한다. 즉, 상기 발생 비율은 배드 블록의 수를 전체 블록의 수로 나눈 값으로 정해진다. 한편, 본 실시 예에서, 전체 블록들의 수(즉, 전체 메모리 용량)를 고려한 적정한 수의 OTP 영역들을 설정하기 위하여, 상기 배드 블록의 발생 비율을 산출하는 것을 예시하고 있으나, 상기 발생 비율 또는 OTP 영역들의 수는 임의로 설정될 수 있다. 또한, 배드 블록 및 OTP 영역들의 전체 수를 미리 설정하고, 상기 전체 수에서 발생한 배드 블록의 수를 뺀 값을 물리적 식별자용 OTP 영역들의 수로 설정할 수도 있다.
상기 임계치 K를 산출하는 단계(S200)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 임의의 두 제조된 저장 장치들의 대응되는 한 쌍의 영역들이 동일한 블록 또는 셀 패턴(즉, 위치 분포)을 가질 확률을 고려하여 상기 임계치 K를 산출한다. 본 실시 예와 다르게, 상기 임계치 K는 임의로 설정된 값(예를 들어, 1%)일 수 있다.
도 7은 임계치 K를 설정하는 방법을 예시하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 상기 임계치 K를 산출하는데 사용되는 수학식 1은 아래와 같다.
Figure pat00001
상기 수학식 1에서, CR은 평균적인 충돌 비율(즉, 임의의 두 제조된 저장 장치들의 대응되는 한 쌍의 영역들 x 및 y(각각 N bits임)가 동일한 패턴을 가질 확률이고, P(x=y)는 x의 i번째 비트와 y의 i번째 비트가 동일할 확률이고, p는 비트 에러율(bit error rate: BER)이고, q=1-p이다. 본 예에서, 셀은 하나의 비트에 대응된다.
또한, 상기 수학식 1과 관련하여 아래와 같은 근사적인 수학식 2가 성립한다.
Figure pat00002
상기 수학식 2에서, X는 생산량이고, C는 평균적인 충돌 확률 기댓값이다. 즉, X개의 생산량에서 임의의 두 저장 장치를 선택했을 때, CR은 C/X로 근사화될 수 있다.
예를 들어, 상기 수학식 1에 C=1/10000, X=108, p=10(-7~-9)를 대입하면, N을 구할 수 있고, N은 상기 임계치 K를 산출하는데 사용된다. 본 예에서, 상기 N은 충돌을 피할 수 있는 불량 셀들의 최소 수를 나타내고, N개의 셀들은 이들을 포함하는 z 개의 페이지들 또는 블록들로 대체될 수 있다(z는 임의의 자연수).
또한, 상기 수학식 1 및 2에서, 비트 단위를 블록 단위로 대체할 수 있으며, 이러한 경우에 상기 N은 충돌을 피할 수 있는 배드 블록들의 최소 수를 나타낸다. 이때, 블록 단위에서 비트 에러율은 블록 에러율로 대체될 수 있다.
본 발명은 저장 장치를 고유하게 식별할 수 있는 물리적 식별자를 생성하는 것을 목적으로 하고, 물리적 성질들이 서로 충돌한다면(즉, 서로 같다면), 물리적 식별에 오류가 발생할 수 있다는 것이므로, 상기 임계치 K는 위에 예시한 바와 같이 충돌 확률을 고려하여 설정된다.
상기 배드 블록의 발생 확률을 비교하는 단계(S210)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 배드 블록의 발생 비율 P를 변수로 하는 배드 블록 발생 확률에 대한 함수의 값 F(P)이 상기 임계치 K 이하인지를 판별한다. 함수 F(P)와 임계치 K는 배드 블록의 발생 비율과 배드 블록들의 최소 수와 각각 대응되거나 이에 근거한 것이다.
상기 F(P)가 상기 임계치 K를 초과하면, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 배드 블록 및 불량 셀의 위치 정보 생성 단계(S260)로 진행한다. 상기 메모리 제어부(110)는 상기 프로그램/소거 테스트와 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트에서 식별된 배드 블록들에 대한 위치 분포 정보를 생성하고, 상기 생성된 정보를 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태를 갖는 블록)에 저장한다. 상기 메모리 제어부(110)는 상기 메모리(200)의 전체 블록들의 상태를 기록한 배드 블록 테이블(Bad Block Table: BBT)을 생성하고, 상기 생성된 테이블을 저장한다. 또한, 상기 ECC 블록(120)에 저장된 데이터를 이용하여 파악되는 불량 셀들에 대한 위치 분포 정보를 생성하고, 상기 생성된 정보를 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태를 갖는 블록)에 저장한다.
상기 F(P)가 상기 임계치 K 이하이면, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 OTP 영역들의 수를 산출하는 단계(S220)로 진행한다.
상기 OTP 영역들의 수를 산출하는 단계(S220)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 F(P)와 상기 임계치 K의 차이에 근거하여 필요한 OTP 영역들의 수 M을 산출한다.
상기 블록들을 선택하는 단계(S230)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 필요한 OTP 영역들(보조 저장 영역에 해당)의 수 M만큼의 블록들을 선택한다. 본 실시 예에서, OTP 영역을 블록 단위로 기술하고 있으나, 상기 OTP 영역은 블록보다 하위의 단위 저장 영역들로 지정될 수 있다. 즉, 상기 OTP 영역은 페이지 단위로 지정될 수도 있다. 즉, 본 발명에서 물리적 성질은 배드 블록 패턴 또는 불량 셀 패턴으로 정의될 수 있고, 물리적 성질이 불량 셀 패턴으로 정의되는 경우 또는 배드 블록 패턴과 불량 셀 패턴의 조합으로 정의되는 경우에는, 상기 OTP 영역이 페이지 단위로 지정될 수도 있다.
또한, 상기 메모리 제어부(110)는 난수 발생기를 이용하여 랜덤하게 블록들을 선택할 수 있다. 이때, 랜덤한 선택은 블록 위치들을 각각 랜덤하게 설정하거나, OTP 영역들의 시작 또는 끝 블록 위치를 랜덤하게 설정하는 것을 포함한다. 또는, 저장 장치마다 서로 다른 시작 또는 끝 블록 위치를 지정할 수도 있으며, 이는 저장 장치의 일련 번호 순서로 시작 또는 끝 블록 위치를 단계적으로 증가 또는 감소하여 지정하는 것에 의해 구현된다.
이와 같이, 랜덤하게 블록 위치를 선택함으로써, 제품마다 상이하게 선택된 랜덤한 블록이 OTP 영역화되므로, 물리적 성질의 충돌 확률을 현격히 낮출 수 있다.
상기 선택된 블록에 특정 정보를 기록 또는 저장하는 단계(S240)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 아래의 동작들 중 적어도 하나를 수행할 수 있다.
첫째, 상기 메모리 제어부(110)는 선택된 블록에 적어도 하나의 인위적인 불량 셀을 포함하는 불량 셀 패턴을 생성할 수 있다. 이러한 불량 셀의 생성은 통상적인 메모리 제조 장치에서 수행될 수 있으며, 예를 들자면, 통상적으로 알려진 레이저 퓨즈(Laser Fuse) 또는 전기 퓨즈(Electrical Fuse: E-fuse)가 사용될 수 있다.
둘째, 상기 메모리 제어부(110)는 선택된 블록에 랜덤한 수(즉, 랜덤하게 설정되는 셀 또는 비트 패턴)을 생성할 수 있다.
셋째, 상기 메모리 제어부(110)는 선택된 블록에 암호 또는 비밀 키와 같은 특정 정보를 저장할 수 있다.
상기 OTP 영역 또는 배드 블록을 생성하는 단계(S250)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 불량 셀 패턴이 기록된 선택 블록을 배드 블록으로 생성하고(즉, 배드 블록으로 마킹함), 데이터가 기록된 선택 블록을 OTP 블록으로 생성한다(예를 들어, 예약 상태 블록으로 지정함). 상기 예약 상태 블록은 프로그램 및 소거가 불가능하고 오직 읽기 동작만이 가능한 블록이다.
상기 생성된 블록 및 불량 셀의 위치 정보 생성 단계(S270)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 상기 프로그램/소거 테스트와 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트에서 식별된 배드 블록들과, 인위적으로 생성된 배드 블록들 및 OTP 영역들에 대한 위치 분포 정보를 생성하고, 상기 생성된 정보를 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태 블록)에 저장한다. 상기 메모리 제어부는 상기 메모리(320)의 전체 블록들의 상태를 기록한 배드 블록 테이블(Bad Block Table: BBT)을 생성하고, 상기 생성된 테이블을 저장한다. 또한, 상기 ECC 블록에 저장된 데이터를 이용하여 파악되는 불량 셀들에 대한 위치 분포 정보를 생성하고, 상기 생성된 정보를 예약 상태를 갖는 임의의 블록(바람직하게는, 예약 상태 블록)에 저장한다.
본 발명에서, 통상의 배드 블록 테이블, 인위적인 배드 블록 및 OTP 영역에 대한 테이블, 불량 셀 분포에 대한 테이블은 하나로 또는 일부 통합되거나, 서로 별개로 유지될 수 있다. 또한, OTP 영역에 대해서는, "예약" 상태 이외에 다른 용어의 상태가 지정될 수도 있다.
전술한 배드 블록, OTP 영역 및 불량 셀 패턴 중 적어도 하나에 대한 정보(예를 들어, 테이블)는 다른 적법한 호스트 장치가 알 수 있는 암호 키(예를 들어, 상기 저장 장치의 라이선스 에이전시로부터 제공된 암호 키)를 이용하여 암호화된 상태로 저장될 수 있다.
상기 물리적 식별자 생성 단계(S280)에서, 상기 메모리 제어부(110)는 전술한 배드 블록, OTP 영역 및 불량 셀 패턴 중 적어도 하나에 대한 정보를 이용하여 상기 저장 장치에 대한 물리적 식별자를 생성한다.
배드 블록 및 OTP 영역의 위치 정보 및 불량 셀 패턴은 다양한 방법으로 표시(Representation)될 수 있으며, 이러한 표시 값과 추가적인 값들에 대해 해시(Hash) 함수 등의 암호화 기법을 적용하여 특정 길이를 갖는 고유한 물리적 식별자를 생성할 수 있다. 물론, 이러한 물리적 식별자가 반드시 고정 길이를 가질 필요는 없으며, 배드 블록 및 OTP 영역의 위치 정보 및 불량 셀 패턴 자체가 물리적 식별자로서 기능을 할 수도 있다.
예를 들어, 불량 셀 패턴이 도 6에 도시된 바와 같다고 하면, 각 불량 셀의 위치는 (3,1), (1,2), (3,3) 등과 같이 x, y 좌표로 표시Representation 할 수 있다. 이러한 좌표들을 테이블 또는 어레이(Arrary)로 저장한 값을 Rep of Cell Pattern이라고 하면, 배드 블록 및 선택된 블록의 위치와, Rep of Cell Pattern 값과, SHA-1, MD5 등과 같은 Hash 함수를 활용하여 아래와 같은 값을 얻을 수 있다.
물리적 식별자 = Hash 함수(블록의 물리적 위치 정보, Rep of Fail Cell Pattern, 기타 정보)
상기 저장 장치(100)가 호스트 장치의 내부 또는 외부에 위치하고, 상기 호스트 장치와 유선 또는 무선으로 연결된 경우에, 이러한 물리적 식별자는 상기 호스트 장치가 상기 저장 장치를 인증하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 호스트 장치는 퍼스널 컴퓨터이고, 상기 저장 장치(100)는 상기 퍼스널 컴퓨터의 메모리 슬롯(memory slot)에 장착된 낸드 플래시 메모리 장치일 수 있다. 이러한 경우에, 상기 호스트 장치 및 저장 장치(100)는 상기 호스트 장치 내 버스를 통해 데이터 통신을 수행한다.
상기 호스트 장치의 예들은, 이에 한정되지 않지만, 컴퓨터, 랩톱(laptop), 이동 장치, 휴대 장치, 인터넷 프로토콜 텔레비전, 휴대 미디어 플레이어 및 휴대 정보 단말기(Personal Digital Assistants: PDA)를 포함한다. 이하의 물리적 식별자는 배드 블록 및 선택된 블록의 패턴과, 불량 셀 패턴을 말한다.
상기 물리적 식별자는 인증 정보로서 사용될 수 있는데, 상기 인증 정보는, 예를 들어, Authentication_Value = (물리적 식별자, Signature = Sign (PK_LicenseAgency, 물리적 식별자))로 표현될 수 있다. 즉, 인증 정보 Authentication_Value는 물리적 식별자와 라이선스 에이전시의 전자 서명 값 Signature로 구성될 수 있고, 상기 전자 서명 값은 물리적 성질의 해시(hash) 값을 라이선스 에이전시의 비밀 키 PK_LicenseAgency로 서명한 값을 말한다. 상기 인증 정보 Authentication_Value는 상기 메모리(320)에 이미 저장되어 있는 데이터이거나, 상기 메모리(320)에 저장된 구성 인자들, 즉 상기 라이선스 에이전시의 비밀 키 PK_LicenseAgency 및 물리적 식별자를 이용하여 상기 메모리 제어부(330)에 의해 생성된 데이터일 수 있다.
상기 호스트 장치는 아래의 1차 및 2차 인증 정보 검증 단계들을 통하여 상기 저장 장치를 인증할 수 있다.
상기 1차 인증 정보 검증 단계는 공개 키 기반 구조(Public Key Infrastructure: PKI)의 소프트웨어 인증 절차이고, 상기 1차 인증 정보 검증 단계에서, 상기 호스트 장치는 상기 전자 서명 값에 이미 알고 있는 라이선스 에이전시의 공개 키를 적용하여 상기 물리적 식별자의 원본 해시 값을 복호하고, 상기 물리적 식별자의 해시 값을 산출하여 양자를 비교함으로써 1차적인 인증을 수행한다. 본 상기 1차 인증 정보 검증 단계(S60)는 생략 가능한 부가적인 단계이고, 본 예에서 공개 키 기반 구조를 예시하였으나, 대칭 키 암호 방식 등 임의의 암호화 방식을 사용할 수 있다.
상기 2차 인증 정보 검증 단계는 하드웨어 인증 절차이고, 상기 호스트 장치는 상기 물리자 식별자의 정보와 상기 저장 장치를 테스트한 결과(즉, 리턴 값들)가 일치 또는 유사한지의 여부를 판단한다.
먼저, 물리적 결함에 근거한 검증 방법은 아래와 같다.
상기 호스트 장치는 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트를 수행하도록 상기 저장 장치를 제어할 수 있고, ECC 블록에 저장된 에러 비트(즉, 불량 셀)의 수 및 에러가 발생한 위치(즉, 불량 셀의 위치)를 나타내는 에러 위치 정보(예를 들면, 어드레스 정보)를 상기 물리적 식별자와 비교함으로써, 상기 테스트 결과가 상기 물리자 식별자의 정보와 일치 또는 유사한지의 여부를 판단할 수 있다.
이와 마찬가지로, 상기 호스트 장치는 리드 디스터번스(Read Disturbance) 테스트를 수행하도록 상기 저장 장치를 제어할 수 있고, 상기 테스트 결과가 상기 물리자 식별자의 정보와 일치 또는 유사한지의 여부를 판단할 수 있다.
다음으로, 물리적 결함을 갖지 않는 OTP 영역에 근거한 검증 방법에서는, 테스트된 OTP 영역 패턴이 상기 물리자 식별자의 정보와 일치 또는 유사한지의 여부를 판단한다. OTP 영역의 식별은 OTP 영역이 예를 들어 "예약" 상태를 갖는지, OTP 영역에 저장된 데이터 패턴이 기설정된 패턴과 일치하는지 등에 근거하여 구현될 수 있다.
본 발명의 실시 예들은 하드웨어, 소프트웨어 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 조합의 형태로 실현 가능하다는 것을 알 수 있을 것이다. 이러한 임의의 소프트웨어는 예를 들어, 삭제 가능 또는 재기록 가능 여부와 상관없이, ROM 등의 저장 장치와 같은 휘발성 또는 비휘발성 저장 장치, 또는 예를 들어, RAM, 메모리 칩, 장치 또는 집적 회로와 같은 메모리, 또는 예를 들어 CD, DVD, 자기 디스크 또는 자기 테이프 등과 같은 광학 또는 자기적으로 기록 가능함과 동시에 기계로 읽을 수 있는 저장 매체에 저장될 수 있다. 호스트 장치 내에 포함될 수 있는 저장 유닛은 본 발명의 실시 예들을 구현하는 지시들을 포함하는 프로그램 또는 프로그램들을 저장하기에 적합한 기계로 읽을 수 있는 저장 매체의 한 예임을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 본 명세서의 임의의 청구항에 기재된 시스템 또는 방법을 구현하기 위한 코드를 포함하는 프로그램 및 이러한 프로그램을 저장하는 기계로 읽을 수 있는 저장 매체를 포함한다. 또한, 이러한 프로그램은 유선 또는 무선 연결을 통해 전달되는 통신 신호와 같은 임의의 매체를 통해 전자적으로 이송될 수 있고, 본 발명은 이와 균등한 것을 적절하게 포함한다.
110: 메모리 제어부, 120: ECC 블록, 130: 버퍼 램, 140: OTP 펌웨어, 200: 메모리

Claims (8)

  1. 복수의 저장 영역들을 갖는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법에 있어서,
    상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용되는 기준 저장 영역들의 수에 대한 정보를 획득하는 단계와;
    상기 기준 저장 영역들의 개수와 임계치를 비교하는 단계와;
    상기 저장 장치를 고유하게 식별하는데 사용하기 위해, 상기 비교 결과에 대응하는 개수의 보조 저장 영역들을 생성하는 단계와;
    상기 기준 및 보조 저장 영역들에 대한 위치 분포 정보를 생성하는 단계와;
    상기 위치 분포 정보를 상기 저장 장치에 저장하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 및 보조 저장 영역들은 모두 배드 블록들임을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준 저장 영역들은 배드 블록들이고, 상기 보조 저장 영역들은 읽기 전용 저장 블록들임을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기준 및 보조 저장 영역들은 모두 읽기 전용 블록들임을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 정보 획득 단계는,
    상기 복수의 저장 영역들 중 프로그램 또는 소거 에러를 갖는 배드 블록들을 판별하는 단계와;
    상기 복수의 저장 영역들 중 읽기 에러를 갖는 배드 블록들을 판별하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 위치 분포 정보를 암호화하는 단계를 더 포함하고,
    상기 암호화된 위치 분포 정보가 상기 저장 장치에 저장됨을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보조 저장 영역들은 상기 복수의 저장 영역들 중에서 랜덤하게 선택된 저장 영역들임을 특징으로 하는 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기계로 읽을 수 있는 저장 매체.
KR1020100043230A 2010-04-12 2010-05-07 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체 KR101614950B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2011241319A AU2011241319B2 (en) 2010-04-12 2011-04-12 Method for generating physical identifier in storage device and machine-readable storage medium
JP2013504812A JP5639709B2 (ja) 2010-04-12 2011-04-12 記憶装置における物理的識別子を生成する方法及び機械可読記憶媒体
EP11769043.8A EP2558942A4 (en) 2010-04-12 2011-04-12 METHOD FOR GENERATING A PHYSICAL IDENTIFIER IN A MEMORY DEVICE AND MACHINE-READABLE STORAGE MEDIUM
US13/085,052 US9136010B2 (en) 2010-04-12 2011-04-12 Method for generating physical identifier in storage device and machine-readable storage medium
PCT/KR2011/002553 WO2011129577A2 (en) 2010-04-12 2011-04-12 Method for generating physical identifier in storage device and machine-readable storage medium
CN201180018640.XA CN102844746B (zh) 2010-04-12 2011-04-12 用于在存储设备和机器可读的存储介质中生成物理标识符的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100033549 2010-04-12
KR1020100033549 2010-04-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110114401A true KR20110114401A (ko) 2011-10-19
KR101614950B1 KR101614950B1 (ko) 2016-04-25

Family

ID=45029495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100043230A KR101614950B1 (ko) 2010-04-12 2010-05-07 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9136010B2 (ko)
EP (1) EP2558942A4 (ko)
JP (1) JP5639709B2 (ko)
KR (1) KR101614950B1 (ko)
CN (1) CN102844746B (ko)
AU (1) AU2011241319B2 (ko)
WO (1) WO2011129577A2 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201327370A (zh) * 2011-12-28 2013-07-01 Amtran Technology Co Ltd 資源分享系統與方法及其播放裝置
JP6063679B2 (ja) * 2012-09-10 2017-01-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2014091559A1 (ja) * 2012-12-11 2014-06-19 三菱電機株式会社 統合セキュリティ装置および統合セキュリティ装置に用いられる信号処理方法
JP6103958B2 (ja) * 2013-01-25 2017-03-29 株式会社メガチップス 半導体記憶装置
JP6129699B2 (ja) * 2013-09-18 2017-05-17 株式会社東芝 個体識別装置、記憶装置、個体識別システム、その方法、およびプログラム
US10057260B2 (en) * 2015-08-27 2018-08-21 International Business Machines Corporation Electronic device identification
US10572651B2 (en) 2016-02-16 2020-02-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Key generating method and apparatus using characteristic of memory
JP6538908B2 (ja) * 2017-09-12 2019-07-03 力旺電子股▲ふん▼有限公司ｅＭｅｍｏｒｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ． エントロピービットを用いたセキュリティシステム
CN110489351B (zh) * 2018-05-14 2021-03-09 英韧科技(上海)有限公司 芯片指纹管理装置及安全芯片
US11360671B2 (en) * 2020-07-22 2022-06-14 Seagate Technology Llc Region-specific directed offline scan for hard disk drive

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2575989B2 (ja) 1992-03-18 1997-01-29 富士通株式会社 光ディスクのコピー防止方法及び装置
US5418852A (en) * 1992-03-18 1995-05-23 Fujitsu Limited Unauthorized use prevention method for optical disks, optical disk having unauthorized use prevention function, and optical disk apparatus
US5412718A (en) 1993-09-13 1995-05-02 Institute Of Systems Science Method for utilizing medium nonuniformities to minimize unauthorized duplication of digital information
US5537585A (en) * 1994-02-25 1996-07-16 Avail Systems Corporation Data storage management for network interconnected processors
US5615061A (en) 1994-09-29 1997-03-25 Singh; Jitendra K. Method of preventng software piracy by uniquely identifying the specific magnetic storage device the software is stored on
ATE225961T1 (de) * 1996-08-16 2002-10-15 Tokyo Electron Device Ltd Halbleiterspeicheranordnung mit fehlerdetektion und -korrektur
US6073209A (en) * 1997-03-31 2000-06-06 Ark Research Corporation Data storage controller providing multiple hosts with access to multiple storage subsystems
US6338115B1 (en) * 1999-02-16 2002-01-08 International Business Machines Corporation Advanced read cache management
JP4352600B2 (ja) * 2000-09-01 2009-10-28 ソニー株式会社 データ改竄チェック装置および方法、ならびに、記録媒体
JP2002278934A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Casio Comput Co Ltd セキュリティ管理装置およびセキュリティ管理方法
JP2003263371A (ja) * 2002-03-07 2003-09-19 Olympus Optical Co Ltd 情報処理装置
US7076622B2 (en) * 2003-09-30 2006-07-11 International Business Machines Corporation System and method for detecting and sharing common blocks in an object storage system
US10007807B2 (en) * 2008-12-30 2018-06-26 Unisys Corporation Simultaneous state-based cryptographic splitting in a secure storage appliance
JP4237157B2 (ja) 2005-03-30 2009-03-11 エルピーダメモリ株式会社 半導体記憶装置および情報読み出し方法
US8255705B2 (en) * 2006-04-27 2012-08-28 Spectra Logic Corp. Encryption moniker in medium auxiliary memory
US7539783B2 (en) * 2006-09-22 2009-05-26 Commvault Systems, Inc. Systems and methods of media management, such as management of media to and from a media storage library, including removable media
JP4656063B2 (ja) * 2007-01-19 2011-03-23 Ｔｄｋ株式会社 メモリカードの特定方法
JP5041516B2 (ja) * 2007-01-22 2012-10-03 力 松田 コンピュータの画面監視用ｕｓｂメモリ
US20080209294A1 (en) * 2007-02-26 2008-08-28 Hakan Brink Built-in self testing of a flash memory
US8837721B2 (en) 2007-03-22 2014-09-16 Microsoft Corporation Optical DNA based on non-deterministic errors
KR100866626B1 (ko) * 2007-07-02 2008-11-03 삼성전자주식회사 스페어 영역을 갖는 비휘발성 메모리 장치 및 그의 블록소거 방법
US8140637B2 (en) * 2007-10-25 2012-03-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Communicating chunks between devices
KR100923832B1 (ko) * 2007-12-28 2009-10-27 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 메모리 장치의 불량 여부 테스트 방법, 블록 관리방법, 소거 방법 및 프로그램 방법
US20090222415A1 (en) * 2008-03-03 2009-09-03 Hitachi, Ltd. Evaluating risk of information mismanagement in computer storage
JP2010079588A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Hitachi Ltd 仮想ボリュームを有する記憶制御装置
US8516343B2 (en) * 2008-11-10 2013-08-20 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for retiring storage regions
US8386798B2 (en) * 2008-12-23 2013-02-26 Unisys Corporation Block-level data storage using an outstanding write list
US20100235605A1 (en) * 2009-02-13 2010-09-16 Nir Perry Enhancement of storage life expectancy by bad block management
TWI409819B (zh) * 2009-03-03 2013-09-21 Silicon Motion Inc 平均地使用一快閃記憶體的複數個區塊之方法以及相關之記憶裝置及其控制器
US8433845B2 (en) * 2009-04-08 2013-04-30 Google Inc. Data storage device which serializes memory device ready/busy signals
US8412909B2 (en) * 2009-04-08 2013-04-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Defining and changing spare space and user space in a storage apparatus
US8281066B1 (en) * 2009-04-30 2012-10-02 Netapp, Inc. System and method for real-time deduplication utilizing an electronic storage medium
US8321727B2 (en) * 2009-06-29 2012-11-27 Sandisk Technologies Inc. System and method responsive to a rate of change of a performance parameter of a memory

Also Published As

Publication number Publication date
AU2011241319A1 (en) 2012-10-11
JP5639709B2 (ja) 2014-12-10
WO2011129577A3 (en) 2012-01-26
US20110252189A1 (en) 2011-10-13
CN102844746A (zh) 2012-12-26
CN102844746B (zh) 2015-11-25
EP2558942A2 (en) 2013-02-20
EP2558942A4 (en) 2014-01-29
KR101614950B1 (ko) 2016-04-25
WO2011129577A2 (en) 2011-10-20
JP2013524378A (ja) 2013-06-17
US9136010B2 (en) 2015-09-15
AU2011241319B2 (en) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101614950B1 (ko) 저장 장치에 물리적 식별자를 생성하는 방법 및 기계로 읽을 수 있는 저장 매체
CN1658314B (zh) 存储数据的方法和记录/重放设备
KR101960036B1 (ko) 비휘발성 저장 장치의 인증 방법 및 장치
KR101506123B1 (ko) 장치 및 그 인증 방법
KR101305639B1 (ko) 복제 방지를 위한 비휘발성 저장 장치 및 그 저장 장치의 인증 방법
KR101517337B1 (ko) 반도체 메모리 장치
KR101517336B1 (ko) 반도체 저장 장치
JP2001297038A (ja) データ記憶装置および記録媒体並びに記録媒体制御方法
KR101698211B1 (ko) 저장 장치의 인증 방법, 기계로 읽을 수 있는 저장 매체 및 호스트 장치
US20060200414A1 (en) Methods of copy protecting software stored on portable memory
KR101553790B1 (ko) 메모리
CN101609492B (zh) 嵌入式设备的加解密方法和系统

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee