KR20110112591A

KR20110112591A - Ｒｆ 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법 및 그 방법에 따라 제조된 고순도의 탄탈륨 분말

Info

Publication number: KR20110112591A
Application number: KR1020100031768A
Authority: KR
Inventors: 임성철; 이상민; 권혁천; 최한신; 김경훈; 김영석; 양승호; 홍길수; 강문수; 김현민; 임용덕; 윤원규
Original assignee: 한국생산기술연구원; 희성금속 주식회사
Priority date: 2010-04-07
Filing date: 2010-04-07
Publication date: 2011-10-13
Also published as: KR101190270B1

Abstract

본 발명은 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시키는 제1단계; 상기 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하는 제2단계; 상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명에 의하면, 입자가 구상화되고 HDH 공정 중에 취화된 수소가 제거되어 고순도로 정련된 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.

Description

ＲＦ 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법 및 그 방법에 따라 제조된 고순도의 탄탈륨 분말{REFINING METHOD OF TANTALLUM POWDER USING RF PLASMA AND TANTALLUM POWDER THEREOF}

본 발명은 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 HDH 방법 등에 의해 제조된 탄탈륨 분말에 대해 RF 플라즈마를 이용하여 고순도 정련 및 구상화를 이룰 수 있게 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법 및 그 방법에 따라 제조된 고순도의 탄탈륨 분말에 관한 것이다.

탄탈륨(Ta) 소재는 융점이 2996℃, 밀도가 16.6g/cm³인 5A족의 금속으로써 높은 전하량과 낮은 저항온도 계수, 연성과 내식성 등 우수한 기계적, 물리적 특징으로 인해, 전기 전자를 비롯하여 기계, 화공, 의료뿐만 아니라 우주, 군사 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되고 있는 금속이다. 특히 고밀도 탄탈륨은 주로 TaC, TaN, Ta2O5 등의 화합물 박막 형태로 응용 분야가 급증하는 추세이며, 특히 박막을 제조하기 위한 타겟 재료로서의 사용이 급증하고 있다.

한편, 국내에서는 이러한 탄탈륨 재료의 대부분을 수입에 의존하고 있는 상황이라, 이미 사용했던 탄탈륨을 재활용 사용할 수 있는 기술이 중요하게 부각되고 있다. 예를 들어, 스퍼터링 공정 등에 사용되었던 폐 스퍼터링 탄탈륨 타겟을 분말 형태로 분쇄한 후, 다시 소결 공정을 통해 고순도의 탄탈륨 타겟으로 제조하여 재활용할 수 있는 기술의 개발이 요구된다.

스퍼터링 타겟의 제조방법은 크게 주조 용해를 이용한 Ingot Metallurgy 방법과 분말 소결을 이용한 Powder Metallurgy 방법으로 구분될 수 있고, 특히 고부가가치형 고품질의 스퍼터링 타겟에 대한 제조방법으로는 분말 소결을 이용한 Powder Metallurgy 방법이 현재 가장 일반적으로 사용되고 있다.

이러한 Powder Metallurgy 방법에 의한 스퍼터링 타겟의 제조 공정은 고순도 원료 분말의 제조, 분말 제조 후 고밀도 타겟(소결체)의 제조 및 기계 가공 공정으로 크게 나누어지는데, 본 발명은 그 중에서도 고순도의 분말 제조 공정에 관한 것이다.

이러한 원료 분말 제조 공정은 스퍼터링 타겟 제조에서 매우 중요한 핵심 공정으로 분류되는데, 이는 저가로 구매한 폐 타겟으로부터 고가의 고순도 원료 분말을 제조하는 것이 스퍼터링 타겟 제품의 수익화에서 매우 높은 비중을 차지하기 때문이다. 또한 원료 분말의 특성에 따라서 후공정 타겟(소결체)의 특성이 대부분 결정되기 때문에, 고순도 분말을 제조하는 공정은 타겟의 특성을 좌우하는 매우 중요한 부분이라 할 수 있다.

현재 대부분의 선진국에서 보유하고 있는 원료 분말 제조 공정은 화학공정을 기반으로 한 Wet Process를 기반으로 하고 있다. 이러한 Wet Process는 극 미세 분말 제조 등에서는 장점이 있으나, 제조기간이 길고, 고가 및 환경 유해성의 화학 약품을 필수적으로 사용해야 한다는 단점도 있다.

이러한 Wet Process의 문제점을 해소하기 위해, 본 발명에서는 ICP(Inductively Coupled Plasma) 공정을 이용하여 고순도 분말을 제조한다. 이러한 ICP 공정은 전자기장의 주파수에 의해 DC 플라즈마(Direct Current), RF 플라즈마(Radio frequency, 0.1 ~ 100 MHz), MW 플라즈마(MicroWave, 2.45 GHz)로 구분될 수 있다.

상기 각각의 플라즈마들은 인가되는 전기장에 따라 플라즈마 내의 전자의 가열 기작(plasma heating Mechanism)이 다르기 때문에 특성이 달라지고, 또한 같은 전력원을 사용한다고 해도 전력원의 사용방식, 공정 환경에 따라 상이한 특성을 나타낸다.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점들을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로, HDH(Hydrogenation DeHydrogenation) 방법으로 형성된 탄탈륨 분말에 대해 RF 플라즈마 공정을 수행함으로써, 입자가 구상화되고 HDH 공정 중에 취화된 수소가 제거되어 고순도로 정련된 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 하는 것을 주요한 해결 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법은, 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시키는 제1단계; 상기 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하는 제2단계; 상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명은, 제2단계에서 형성된 탄탈륨 분말이 100㎛ 이하의 입도 범위로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한 본 발명은, 제2단계에서 형성된 탄탈륨 분말이 25 ~ 100㎛의 입도 범위로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.

또한 본 발명은, 제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키기 전에, 탄탈륨 소재를 수소 분위기에서 열처리하여 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 것이 바람직하다.

또한 본 발명에서, 제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키는 공정은, 탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도에서 일정시간 동안 유지하는 제1-1단계; 탄탈륨 소재의 온도를 500 ~ 600℃ 이하로 하강시키는 제1-2단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 한다.

그리고 본 발명에 따른 고순도의 탄탈륨 분말은, 전술한 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법에 의해 제조되어, 입자가 구상화되고, 취화된 수소가 제거되는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, HDH(Hydrogenation DeHydrogenation) 방법에 의해 25 ~ 100㎛ 범위의 입도를 가지는 탄탈륨 분말이 형성되고, 이러한 탄탈륨 분말에 대해 RF 플라즈마 공정을 수행함으로써, 입자가 구상화되고 HDH 공정 중에 취화된 수소가 제거되어 고순도로 정련된 탄탈륨 분말을 효율적으로 제조할 수 있게 된다.

또한 본 발명에 의하면, RF 플라즈마 공정에 의해 함유된 수소가 제거되므로 HDH 공정에서 별도로 탈 수소 과정을 거칠 필요가 없게 된다.

또한 본 발명에 의하면, 스퍼터링 등의 공정에 이미 사용되었던 폐 탄탈륨 소재에 대해 HDH 공정 및 RF 플라즈마 공정을 통해 고순도의 탄탈륨 분말로 제조하여 재활용할 수 있게 함으로써, 전량 수입에 의존했던 고가의 탄탈륨 소재에 대해 수입 대체 효과가 기대된다.

도 1a 및 1b는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 미세조직을 나타내는 사진.
도 2는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 입도를 나타내는 그래프.
도 3a 및 3b는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 미세조직을 나타내는 사진.
도 4는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 입도를 나타내는 그래프.
도 5a 및 5b는 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 미세조직을 나타내는 사진.
도 6은 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 입도를 나타내는 그래프.
도 7a 및 7b는 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 미세조직을 나타내는 사진.
도 8은 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 입도를 나타내는 그래프.
도 9는 본 발명의 실험예 1 및 2에서 RF 플라즈마 공정 전후의 XRD 분석을 나타내는 그래프.

이하에서는, 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법 및 그 방법에 따라 제조된 고순도의 탄탈륨 분말에 대한 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.

도 1a 및 1b, 도 2에는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 미세조직 및 분말 입도가 도시되어 있고, 도 3a 및 3b, 도 4에는 본 발명의 실험예 1에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 미세조직 및 분말 입도가 도시되어 있다. 그리고 도 5a 및 5b, 도 6에는 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 전의 분말 미세조직 및 분말 입도가 도시되어 있고, 도 7a 및 7b, 도 8에는 본 발명의 실험예 2에서 RF 플라즈마 공정 후의 분말 미세조직 및 분말 입도가 도시되어 있다. 또한 도 9에는 본 발명의 실험예 1 및 2에서 RF 플라즈마 공정 전후의 XRD 분석이 도시되어 있다.

본 발명은 HDH(Hydrogenation DeHydrogenation) 공정을 이용하여 탄탈륨 소재를 분쇄하여 분말로 형성한 후, 그 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 것을 특징으로 한다.

따라서 우선적으로 HDH 공정을 이용하여 탄탈륨 소재를 분쇄하여 분말로 형성하는 과정을 간략하게 살펴본다.

상기 탄탈륨 분말을 형성하기 위한 HDH 공정은, 크게 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 환원시키는 수소 취화 공정과, 수소 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하는 공정을 포함하여 구성된다.

그리고 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 환원시키는 수소 취화 공정은, 탄탈륨 소재를 수소 분위기에서 일정 시간 동안 열처리하는 과정을 통해 이루어지는데, 예를들어 탄탈륨 소재에 대해 수소 분위기에서 600 ~ 800℃ 온도까지 가열한 후, 그 온도에서 1 ~ 3시간 동안 유지시키고, 다시 탄탈륨 소재의 온도를 500 ~ 600℃ 이하로 하강시키는 과정을 통해 이루어지게 된다.

이처럼 수소 취화 과정에서 탄탈륨 소재를 600 ~ 800℃ 온도에서 일정 시간 동안 유지하게 되면, 탄탈륨 소재 내부의 산화막이 제거되어 수소가 환원될 수 있는 분위기가 만들어지게 된다. 600℃ 이하의 온도에서는 탄탈륨 소재 내부의 산화막이 제거되지 않아서 수소 취화가 어렵다. 한편, 수소 취화는 비교적 저온에서 이루어지기 때문에, 800℃를 초과하는 온도에서도 지나친 고온으로 인해 이후의 수소 취화가 어렵고, 또한 불필요한 에너지 소모로 인해 제조 원가를 상승시키게 된다.

그리고 탄탈륨 소재를 600 ~ 800℃에서 1 ~ 3시간 동안 유지하게 되는데, 시간이 너무 짧으면 산화막이 부분적으로만 제거될 수 있고, 시간이 너무 오래 걸리면 불필요한 에너지 소비가 발생하고, 또한 산화막 형성에 영향을 주거나 불순물에 대한 악영향을 끼칠 수 있다.

또한 온도 상승 후 일정 시간 동안 그 온도를 유지하는 이유는 탄탈륨 소재 내의 산화막을 안정적으로 완전하게 제거하기 위함이고, 또한 수소 취화 공정이 일어나는 장비 내의 온도계가 반응하는 것과 실제 로 내부 온도의 차이를 최소화 하기 위함이다.

이처럼 탄탈륨 소재에 대해 수소 분위기에서 600 ~ 800℃ 온도까지 가열한 후 1 ~ 3시간 동안 유지시키는 과정을 통해 탄탈륨 소재의 산화막이 제거되면, 다시 탄탈륨 소재를 500 ~ 600℃ 이하의 온도로 하강시킴으로써 탄탈륨 소재 내부로 수소가 환원되는 과정을 거치게 된다.

이후, 상기 벌크 형상의 수소 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하는 공정을 거친다. 이때, 탄탈륨 소재 자체는 고강도 및 고연성의 소재여서 본래에는 취성이 약하지만, 상기 수소 취화 과정을 거치면서 탄탈륨 소재 내부에 수소가 주입되어 취성이 강해지기 때문에, 아주 손쉽게 수소 취화된 탄탈륨 벌크 소재를 분쇄할 수 있게 된다.

상기 HDH 공정을 통해 형성된 탄탈륨 분말은, 입자가 구상화되지 못하고 각형으로 이루어지고, 또한 취화된 수소가 남아서 TaH를 이루게 된다. 따라서 이후에 상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하여, 탄탈륨 분말 입자를 구상화시키고, 동시에 취화된 수소를 제거하여 순도를 높이는 공정이 필요하다.

한편, 일반적인 Thermal 플라즈마 공정은 통상 5000℃ 이상의 플라즈마 열원을 이용하여 목적 소재를 기화시키거나 용융시킴으로써, 불순물을 제거하고 표면장력에 의한 구형화를 유도하는 공정이다. 이러한 Thermal 플라즈마 공정의 2가지 주류는 용사나 용접을 기반으로 발전해온 DC 플라즈마와, 분말 고순도화를 초점으로 개발된 RF 플라즈마를 들 수 있다. DC 플라즈마의 경우 저융점의 재료에 대하여 일부 양산화가 적용되고 있을 정도로 생산성 및 장비 가격 등의 측면에서는 큰 장점이 있으나, 전극(W) 및 도가니(Crucible)의 오염 문제와 고가의 희유금속 사용시 포집 수율 향상 등에 있어서는 단점이 있는 현황이다.

따라서 본 발명에서는 전극 및 도가니로부터 오염 문제가 자유롭고, 고순도화 및 포집 수율에 대하여 장점이 있는 RF 플라즈마 공정을 이용하여 탄탈륨 분말을 정련한다.

한편, 상기 HDH 공정을 통해 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시킨 후, 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하게 되는데, 이때 상기에서 형성된 탄탈륨 분말의 입도에 따라 이후의 RF 플라즈마 공정에서 구상화 및 정련 효율이 달라지게 된다.

즉, HDH 공정을 통해 형성되는 분말의 입도가 너무 크면, RF 플라즈마의 특성상 탄탈륨 분말의 입도 구상화가 일어날 수 있을 정도로 에너지를 받아들이기 힘들게 된다. 반대로, HDH 공정을 통해 형성되는 분말의 입도가 너무 작으면, RF 플라즈마 공정 중에 분말 입자가 증발되는 현상이 발생할 수 있다.

따라서 본 발명에서는 탄탈륨 분말 입자가 RF 플라즈마 공정 중에 입도 구상화가 일어날 수 있을 정도로 에너지를 받아들일 수 있으면서 동시에 증발되지 않도록, HDH 공정을 통해 형성되는 분말의 입도가 25 ~ 100㎛ 범위로 한정되는 것이 바람직하다.

이하에서는, 본 발명에 따른 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법에 관한 실험예를 설명한다.

[실험예 1]

실험예 1에서는 HDH 공정을 거치면서 입도 범위가 0.1 ~ 100㎛이고, 평균 입도가 41㎛로 형성된 탄탈륨 분말에 대해 RF 플라즈마 공정을 수행하였다.

도 1a 및 1b와 도 2에 도시된 바와 같이, 분말 입자들이 구상화를 이루지 못하고 각형 구조로 이루어지며, 입도 범위가 비교적 넓게 분포하고 있다.

이러한 탄타륨 분말의 정련을 위해 하기의 표 1의 조건에 따른 RF 플라즈마 공정을 수행하였다.

Torch Power	플라즈마 가스	Feed rate	산소함량/Phase	Reactor Pressure
60 kW	Sheath Gas Ar-> 85 lpm Central Gas He -> 17 lpm	46 g/min	1270ppm/Ta₂H	101 kPa

상기 표 1에 따른 RF 플라즈마 공정 조건에 따라서 탄탈륨 분말에 대한 정련 공정을 수행한 결과, 도 3a 및 도 3b와 도 4에 도시된 바와 같이 파쇄된 각진 형태를 갖는 미세 분말들은 구상화가 일어나지 않았으며, 일정 크기 이상의 분말에서만 부분적 구형의 분말 입도를 구할 수 있다. 그리고 탄탈륨 분말의 평균 입도는 공정전 41㎛에서 RF 플라즈마 공정 후 50㎛로 증가하였다. 이러한 입도 크기의 증가 이유는 각형 분말은 구상화가 이루어지면서 따라 깎여나가기 때문에 입도 크기가 감소되며, 또한 극 미세 분말들은 증발되어 사라지기 때문에 전체적인 평균 입도가 증가한 것이다.

또한 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 실험예 1에 대한 XRD 분석 결과 수소 취화 전의 탄탈륨(Ta)과 수화물인 Ta₂H가 함께 분석되었다. 이는 RF 플라즈마에 의해 구상화 및 정련되지 않는 미세 분말들의 수소 환원이 이루어지지 않아서 나타난 결과이고, 따라서 RF 플라즈마 공정에서 초기 분말의 입도 제어가 구상화 및 수소 환원 반응에 의한 정련 효과에 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있다. 이처럼 극 미세 분말의 경우 증발이 일어나기 때문에 일정 크기 이하의 미세 분말은 구상화가 일어나지 않음을 알 수 있다.

이러한 실험예 1을 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 초기 탄탈륨 분말의 입도가 100㎛ 이하로 이루어지는 경우, RF 플라즈마 공정을 통해 구상화 및 고순도의 정련 효과가 발생하지만, 너무 작은 분말 입자의 경우에는 RF 플라즈마 공정 중에 증발되면서 구상화 및 정련 효과를 감소시키게 된다.

[실험예 2]

실험예 2에서는 HDH 공정을 거치면서 입도 범위가 25 ~ 100㎛이고, 평균 입도가 63㎛로 형성된 탄탈륨 분말에 대해 RF 플라즈마 공정을 수행하였다.

도 5a 및 5b와 도 6에 도시된 바와 같이, 분말 입자들이 구상화를 이루지 못하고 각형 구조로 이루어지며, 입도 범위가 비교적 넓게 분포하고 있다.

이러한 탄타륨 분말의 정련을 위해 하기의 표 2의 조건에 따른 RF 플라즈마 공정을 수행하였다.

Torch Power	플라즈마 가스	Feed rate	산소함량/Phase	Reactor Pressure
60 kW	Sheath Gas Ar-> 85 lpm Central Gas He -> 17 lpm	46 g/min	942ppm/Ta₂H	101 kPa

상기 표 2에 따른 RF 플라즈마 공정 조건에 따라서 탄탈륨 분말에 대한 정련 공정을 수행한 결과, 도 7a 및 도 7b와 도 8에 도시된 바와 같이 90% 이상의 TaH 분말 입자가 순수 Ta 입자로 환원되고 구상화되었다. 이러한 실험예 2를 통해 분말 입도가 25㎛ 이상의 크기가 되면 구상화가 용이하게 일어난다는 것을 알 수 있다. 또한 입도 크기의 범위가 좁아지는 요인으로 인해 구상화 효율이 증가될 수 있다.

또한 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 실험예 2에 대한 XRD 분석 결과 수화물인 Ta₂H가 나타나지 않고, 수소 환원 반응이 전면에서 나타남으로 인해 원재료인 탄날륨 입자만 나타났다.

이러한 실험예 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 초기 탄탈륨 분말의 입도가 25 ~ 100㎛의 범위로 제한되는 경우, RF 플라즈마 공정을 통해 구상화 및 고순도의 정련 효과가 가장 효율적으로 발생하게 된다.

그리고 전술한 실험예 1 및 2의 RF 플라즈마 공정별 산소 분석 결과가 하기의 표 3에 기재되어 있다.

분말	산소 함량
분말	RF 플라즈마 공정 전	RF 플라즈마 공정 후
실험예 1	1270 ppm	755 ppm
실험예 2	942 ppm	448 ppm

상기 표 3을 참조하면, 실험예 1 및 2의 RF 플라즈마 공정 전 산소 함유량은 각각 1270ppm 및 942ppm으로 나타났다. 따라서 미세 분말의 경우 RF 플라즈마 효율이 낮아져서 상대적으로 산소 함량이 높다는 것을 알 수 있다. 또한 실험예 2의 RF 플라즈마 공정 후의 산소 함량이 448ppm으로 감소함으로써, 탄탈륨 분말의 최종 순도가 99.9% 이상(원시료 2N->3N 이상) 값을 나타내었다. 결국 구상화 효율이 산소 함량의 효율에도 영향을 미치는 것으로 나타났다.

이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.

Claims

탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시켜서 소재의 취성을 증가시키는 제1단계;
상기 수소가 취화된 탄탈륨 소재를 분쇄하여 탄탈륨 분말을 형성하는 제2단계;
상기 탄탈륨 분말을 RF 플라즈마 공정으로 처리하는 제3단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법.
제1항에 있어서,
제2단계에서 형성된 탄탈륨 분말은 100㎛ 이하의 입도 범위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법.
제2항에 있어서,
제2단계에서 형성된 탄탈륨 분말은 25 ~ 100㎛의 입도 범위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법.
제1항에 있어서,
제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키기 전에, 탄탈륨 소재를 수소 분위기에서 열처리하여 탄탈륨 소재의 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법.
제1항에 있어서,
제1단계에서 탄탈륨 소재의 내부에 수소를 취화시키는 공정은,
탄탈륨 소재를 수소 분위기 및 600 ~ 800℃ 온도에서 일정시간 동안 유지하는 제1-1단계;
탄탈륨 소재의 온도를 500 ~ 600℃ 이하로 하강시키는 제1-2단계;
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 RF 플라즈마를 이용한 탄탈륨 분말의 정련방법.
상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 정련방법에 의해 제조되어, 입자가 구상화되고, 취화된 수소가 제거된 고순도의 탄탈륨 분말.