KR20110111363A - 연료 게이지 회로 및 배터리팩 - Google Patents

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Abstract

전지(1)의 충방전을 보호하는 보호 회로(40)와 함께 기판(20)상에 배열설치되고, 전지의 잔량을 검출하는 연료 게이지 회로로서, 기판의 정의 전원 단자(21)에 대향하는 한 변에 설치되고 기판의 정의 전원 단자(21)에 접속됨과 아울러 회로 내부의 전압 센서(31)에 접속되는 전압 모니터 단자(T1)와, 기판의 정의 전원 단자(21)에 대향하는 한 변과는 반대측의 보호 회로에 대향하는 한 변에 설치되고 보호 회로의 전압 모니터 단자(T11)에 접속되는 전압 스루 단자(T6)와, 연료 게이지 회로의 전압 모니터 단자(T1)와 전압 스루 단자(T11)간을 회로 내부에서 접속하는 배선(32)을 가지는 것을 특징으로 한다.

Description

연료 게이지 회로 및 배터리팩{FUEL GAUGE CIRCUIT AND BATTERY PACK}
본 발명은 연료 게이지 회로 및 배터리팩에 관한 것으로, 특히 전지의 잔량을 검출하는 연료 게이지 회로, 및 연료 게이지 회로를 탑재한 배터리팩에 관한 것이다.
최근, 리튬이온전지를 사용한 배터리팩이 디지털카메라 등의 휴대 기기에 탑재되어 있다. 리튬이온전지는 일반적으로 그 전압에 의해 전지 잔량을 검출하는 것이 어렵게 되어 있다. 이 때문에, 마이크로컴퓨터 등에 의해 리튬이온전지의 충방전 전류를 검출하고, 검출한 충방전 전류를 적산함으로써 전지 잔량을 검출하는 방법이 채용되어 있다.
이 때, 리튬이온전지는 휴대 기기로부터 분리했을 때에도 전류가 소비되기 때문에, 리튬이온전지의 충방전 전류를 적산하여 전지 잔량을 검출하는 연료 게이지 IC(반도체 집적 회로)는 레귤레이터 기능을 가지는 보호 IC와 함께 프린트 기판상에 탑재되고, 리튬이온전지와 함께 케이스에 수용됨으로써 배터리팩으로서 제공된다.
도 4는 배터리팩의 일례의 외관을 나타내는 사시도이며, 도 5는 종래의 배터리팩의 회로부의 일례를 나타내는 평면도이다. 도 4에 있어서, 각형의 리튬이온전지(1)의 상면에는 프린트 기판(2)이 고정되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 전지 잔량을 검출하는 연료 게이지 IC(3)와, 레귤레이터 기능을 가지는 보호 IC(4)가 프린트 기판(2)의 중앙부에 고정되어 있다. 또, 프린트 기판(2)의 단부에는 정부의 전원 단자(5, 6)와, 통신 단자(7)가 설치되어 있다.
전원 단자(5, 6)는 프린트 기판(2)의 스루홀을 통하여 리튬이온전지(1)의 정부의 전극에 접속되어 있고, 이 전원 단자(5, 6)가 휴대 기기(도시하지 않음)의 정부의 전원 단자에 접속된다. 또, 통신 단자(7)는 휴대 기기의 통신 단자에 접속되어 연료 게이지 IC(3)와 휴대 기기 사이에서 전지 잔량 등의 정보의 송수신을 행한다.
또한, 특허문헌 1에는, 리튬이온전지를 보호하는 보호 회로와 리튬이온전지의 충방전을 제어하는 충방전 회로를 설치한 회로 모듈이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 2008-103219호 공보
연료 게이지 IC(3) 및 보호 IC(4)에 리튬이온전지(1)로부터의 동작 전류를 공급하기 위해서, 프린트 기판(2)의 정부의 전원 단자(5, 6)는 스루홀을 통하여 연료 게이지 IC(3) 및 보호 IC(4)의 정부의 전원 단자에 각각 접속되어 있다. 또, 연료 게이지 IC(3)와 보호 IC(4)에 있어서, 리튬이온전지(1)의 전원 전압(단자(5)의 전압)을 모니터하기 위한 배선을 설치할 필요가 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 종래의 배터리팩에서는, 연료 게이지 IC(3)와 보호 IC(4)에 있어서 전원 전압을 모니터하기 위해서, 프린트 기판(2)상에 배선(8)을 설치하고 있다. 이 배선(8)에 의해, 프린트 기판(2)상의 전원 단자(5)와, 연료 게이지 IC(3)의 전원 전압 모니터용 단자와, 보호 IC(4)의 전원 전압 모니터용 단자를 접속하고 있다.
이와 같이, 프린트 기판(2)상에서 X방향으로 연장되는 배선(8)을 설치함으로써, 전원 단자(5)와, 연료 게이지 IC(3)의 전원 전압 모니터용 단자와, 보호 IC(4)의 전원 전압 모니터용 단자를 접속하기 때문에, 종래의 배터리팩에서는 프린트 기판(2)의 폭(Y방향의 치수)이 커진다. 리튬이온전지(1)를 박형화(Y방향 치수의 축소화)하는 경우에, 종래의 배터리팩에서는 대응하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 치수를 작게 할 수 있고, 전지의 박형화에 대응할 수 있는 연료 게이지 회로 및 배터리팩을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 연료 게이지 회로는, 전지의 충방전을 보호하는 보호 회로와 함께 기판상에 배열설치되고, 상기 전지의 잔량을 검출하는 연료 게이지 회로로서, 상기 기판의 정의 전원 단자에 대향하는 한 변에 설치되고 상기 기판의 정의 전원 단자에 접속됨과 아울러 회로 내부의 전압 센서에 접속되는 전압 모니터 단자와, 상기 기판의 정의 전원 단자에 대향하는 한 변과는 반대측의 상기 보호 회로에 대향하는 한 변에 설치되고 상기 보호 회로의 전압 모니터 단자에 접속되는 전압 스루 단자와, 상기 연료 게이지 회로의 전압 모니터 단자와 상기 전압 스루 단자간을 회로 내부에서 접속하는 배선을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 연료 게이지 회로 및 배터리팩에 의하면, 기판의 치수를 작게 할 수 있어, 전지의 박형화에 대응할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 배터리팩의 회로부를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태의 연료 게이지 회로의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태의 보호 회로의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 배터리팩의 일례의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 5는 종래의 배터리팩의 회로부의 일례를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서, 첨부 도면과 함께 설명한다.
<배터리팩의 회로부>
도 1은, 본 발명의 일 실시형태의 배터리팩의 회로부를 나타내는 평면도이다. 도 1에 나타내는 프린트 기판(20)은 도 4에 나타내는 각형의 리튬이온전지(1)의 상면에 고정되어 사용된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 전지 잔량을 검출하는 연료 게이지 IC(30)와, 레귤레이터 기능을 가지는 보호 IC(40)가 프린트 기판(20)의 중앙부에 배열설치되어, COB(Chip On Board) 구조의 회로부를 구성하고 있다. 또, 프린트 기판(20)의 단부에는 정부의 전원 단자(21, 22)와, 통신 단자(23)가 설치되어 있다.
전원 단자(21, 22)는 프린트 기판(20)의 스루홀(TH)을 통하여 리튬이온전지(1)의 정부의 전극에 각각 접속되어 있고, 이 전원 단자(21, 22)가 휴대 기기의 정부의 전원 단자에 접속된다. 또, 통신 단자(23)는 휴대 기기의 통신 단자에 접속된다.
전원 단자(21)에 대향하는 연료 게이지 IC(30)의 한 변에는 단자(T1~T5)가 설치되고, 보호 IC(40)에 대향하는 연료 게이지 IC(30)의 반대측의 한 변에는 단자(T6~T10)가 설치된다. 단자(T1)는 전압 모니터 단자이며, 단자(T1)는 저항(R11)을 통하여 프린트 기판(20)의 전원 단자(21)에 접속된다. 또, 단자(T1)는 연료 게이지 IC(30)내에 있어서 전압 센서(31)에 접속됨과 아울러, 배선(예를 들면 금속 배선)(32)에 의해 단자(T6)에 접속되어 있다.
단자(T2)는 정의 전원 단자이며, 프린트 기판(20)의 스루홀(25a, 25b)을 통하여 보호 IC(40)의 단자(T22)에 접속되어 있고, 연료 게이지 IC(30)는 보호 IC(40)를 통하여 동작 전류가 공급된다.
단자(T3, T4)는 전류 모니터용 단자이며, 연료 게이지 IC(30)내의 전류 센서에 접속되어 있다. 단자(T5)는 부의 전원 단자이며, 프린트 기판(20)의 스루홀(25c, 25d, 25e)을 통하여 보호 IC(40)의 부의 전원 단자(T16) 및 프린트 기판(20)의 전원 단자(22)에 접속되어 있다.
단자(T6)는 전압 스루 단자이며, 배선(32)이 접속됨과 아울러, 예를 들면 본딩 와이어 등의 배선(26a)에 의해 서로 대향하는 보호 IC(40)의 단자(T11)에 접속되어 있다. 단자(T7, T8, T9)는 각각 통신 단자이며, 예를 들면 본딩 와이어 등의 배선(26b, 26c, 26d)에 의해 서로 대향하는 보호 IC(40)의 대향하는 단자(T12, T13, T14)에 접속되어 있다. 연료 게이지 IC(30)와 보호 IC(40)는 배선(26b, 26c, 26d)을 사용하여 신호를 서로 통신한다. 예를 들면 배선(26b)은 방전 정지를 지시하는 신호의 송수신용이며, 배선(26c)은 충전 정지를 지시하는 신호의 송수신용이며, 배선(26b)은 제어 신호(이네이블)의 송수신용이다.
단자(T10)는 휴대 기기간 통신 단자이며, 연료 게이지 IC(30)내의 통신부(33)에 접속됨과 아울러, 예를 들면 본딩 와이어 등의 배선(26e)에 의해 서로 대향하는 보호 IC(40)의 대향하는 단자(T15)에 접속되어 있다.
보호 IC(40)는 연료 게이지 IC(30)에 대향하는 한 변에 단자(T11~T16)가 설치되고, 그것과는 반대측의 통신 단자(23)에 대향하는 한 변에 단자(T17~T22)가 설치되어 있다. 단자(T11)는 전압 모니터 단자이며, 배선(26a)에 의해 서로 대향하는 연료 게이지 IC(30)의 단자(T6)에 접속되어 있다.
단자(T12, T13, T14) 각각은 통신 단자이며, 배선(26b, 26c, 26d)에 의해 서로 대향하는 연료 게이지 IC(30)의 대향하는 단자(T7, T8, T9)에 접속되어 있다.
단자(T15)는 휴대 기기간 통신 단자이며, 배선(26e)에 의해 서로 대향하는 연료 게이지 IC(30)의 단자(T10)에 접속됨과 아울러, 보호 IC(40)내의 레벨 시프트 회로(L/S)(41)에 접속되어 있다.
레벨 시프트 회로(41)는 연료 게이지 IC(30)로부터의 통신 신호를 레벨 시프트(강압)하여 휴대 기기간 통신 단자인 단자(T21)에 공급한다. 단자(T21)는 프린트 기판(20)의 통신 단자(23)에 접속되어 있다. 또한, 단자(T21)에는 정전 파괴 방지용의 보호 소자가 설치되어 있다.
단자(T16)는 부의 전원 단자이며, 프린트 기판(20)의 스루홀(25d, 25e)을 통하여 프린트 기판(20)의 전원 단자(22)에 접속되어 있다.
단자(T17)는 정의 전원 단자이며, 프린트 기판(20)의 스루홀(25f, 25g) 및 저항(R12(R11>>R12))을 통하여 정의 전원 단자(21)에 접속되어 있다. 또, 단자(T17)는 보호 IC(40)내에 있어서 레귤레이터(REG)(42)에 접속되어 있다.
단자(T18)는 단락 검출용 단자이며, 도 1에는 나타나지 않는 저항(305)에 접속된다. 단자(T19, T20) 각각은 방전 제어용, 충전 제어용의 제어 단자이며, 도 1에는 나타나지 않는 방전 제어용, 충전 제어용의 MOS 트랜지스터(M11, M12)의 게이트에 접속된다.
레귤레이터(42)로부터 출력되는 안정화한 전원 전압은 정의 전원 단자인 단자(T22)로부터 프린트 기판(20)의 스루홀(25b, 25a)을 통하여 연료 게이지 IC(30)의 단자(T2)에 공급된다.
<연료 게이지 회로>
도 2는, 본 발명의 일 실시형태의 연료 게이지 회로의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는 본 실시형태의 연료 게이지 IC의 회로 구성을 나타내는 도면이며, 각 구성 부분끼리의 위치 관계를 정확하게 나타내는 도면은 아니다. 도 2에 나타내는 연료 게이지 IC(200)는 도 1에 나타내는 연료 게이지 IC(30)에 상당한다. 개략하면, 연료 게이지 IC(200)는 디지털부(210)와 아날로그부(250)로 구성된다.
디지털부(210)내에는 CPU(211), ROM(212), RAM(213), EEPROM(214), 인터럽트 제어부(215), 버스 제어부(216), 통신부(217), 시리얼 통신부(218), 타이머부(219), 파워온 리셋부(220), 레지스터(221), 테스트 포트 상태 설정 회로(222), 테스트 제어 회로(223), 필터 회로(290)가 설치되어 있다. CPU(211), ROM(212), RAM(213), EEPROM(214), 인터럽트 제어부(215), 버스 제어부(216), 통신부(217), 시리얼 통신부(218), 타이머부(219), 및 레지스터(221)는 내부 버스에서 상호 접속되어 있다.
CPU(211)는 ROM(212)에 기억되어 있는 프로그램을 실행하여 연료 게이지 IC(200) 전체를 제어하고, 배터리의 충방전 전류를 적산하여 배터리 잔량을 산출하는 처리 등을 실행한다. 이 때에 RAM(213)이 작업 영역으로서 사용된다. EEPROM(214)에는 트리밍 정보 등이 기억된다.
인터럽트 제어부(215)는 연료 게이지 IC(200)의 각 부로부터 인터럽트 요구가 공급되어, 각 인터럽트 요구의 우선도에 따라서 인터럽트를 발생시켜 CPU(211)에 통지한다. 버스 제어부(216)는 각 회로부간에서 경합이 발생하지 않도록, 어느 회로부가 내부 버스를 우선적으로 사용할지를 판별하는 조정 제어를 행한다.
통신부(217)는 포트(230, 231, 232)를 통하여 보호 IC(304)와의 사이에서 통신을 행한다. 시리얼 통신부(218)는 포트(233)를 통하여 보호 IC(304)에 접속되어 있고, 보호 IC(304)를 통하여 휴대 기기와의 사이에서 통신을 행한다.
또한, 도 2에 있어서, 보호 IC(304)는 도 1의 보호 IC(40)에 상당하고, 포트(230, 231, 232)는 도 1의 단자(T7, T8, T9)에 각각 상당하며, 또한 시리얼 통신부(218), 포트(233)는 도 1의 통신부(33), 단자(T10)에 각각 상당한다.
타이머부(219)는 시스템 클록을 카운트하고, 그 카운트값은 CPU(211)에 참조된다. 파워온 리셋부(220)는 필터 회로(290)를 통하여 접속되어 있는 포트(235)에 공급되는 전원 전압(Vdd)이 상승한 것을 검출하여, 리셋 신호를 발생시키고, 연료 게이지 IC(200)의 각 부에 공급한다.
레지스터(221)에는 EEPROM(214)으로부터의 정보가 전송된다. 테스트 포트 상태 설정 회로(222)는 레지스터(221)에 유지된 정보에 따라, 테스트 포트(237, 238)와 테스트 제어 회로(223) 사이를 단락함과 아울러, 테스트 포트(237, 238)에 접속하는 테스트 제어 회로(223)의 입력을 소정의 레벨로 설정한다.
테스트 제어 회로(223)는 테스트 포트(237, 238)의 입력이 공급되면, 그 입력에 따라 내부 회로의 상태를 변화시켜, 연료 게이지 IC(200)의 내부 회로의 테스트가 가능해진다.
아날로그부(250)내에는 발진 회로(251), 수정 발진 회로(252), 선택 제어 회로(253), 분주기(254), 전압 센서(255), 온도 센서(256), 전류 센서(257), 멀티플렉서(258), 델타·시그마 변조기(259)가 설치되어 있다.
발진 회로(251)는 PLL을 가지는 발진기이며, 수MHz의 주파수의 발진 신호를 출력한다. 수정 발진 회로(252)는 포트(271, 272)에 수정 진동자가 외부 부착되어 발진을 행하고, 수MHz의 주파수의 발진 신호를 출력한다. 수정 발진 회로(252)의 발진 주파수는 발진 회로(251)의 발진 주파수에 대하여 고정밀도이다.
선택 제어 회로(253)는 포트(273)로부터 공급되는 선택 신호에 기초하여 발진 회로(251)와 수정 발진 회로(252)의 어느 일방이 출력하는 발진 주파 신호를 선택하고, 시스템 클록으로서 연료 게이지 IC(200)의 각 부에 공급함과 아울러, 분주기(254)에 공급한다. 또, 선택 제어 회로(253)는 리셋 신호(RST)와 제어 신호(CNT)를 생성하고 있다. 그런데, 선택 제어 회로(253)는 포트(273)로부터 선택 신호가 공급되지 않는 경우에는, 예를 들면 발진 회로(251)가 출력하는 발진 주파 신호를 선택한다. 분주기(254)는 시스템 클록을 분주하여 각종 클록을 생성하고, 연료 게이지 IC(200)의 각 부에 공급한다.
전압 센서(255)는 포트(274)에 외부 부착되는 배터리(301)의 전원 전압을 검출하고, 아날로그의 검출 전압을 멀티플렉서(258)에 공급한다. 온도 센서(256)는 연료 게이지 IC(200)의 환경 온도를 검출하고, 아날로그의 검출 온도를 멀티플렉서(258)에 공급한다.
포트(276, 277)에는 전류 검출용의 저항(303)의 양단이 접속되어 있고, 전류 센서(257)는 포트(276, 277) 각각의 전위차로부터 저항(303)을 흐르는 전류를 검출하여 아날로그의 검출 전류를 멀티플렉서(258)에 공급한다.
또한, 도 2에 있어서, 전압 센서(255), 포트(274)는 도 1의 전압 센서(31), 단자(T1)에 각각 상당하고, 포트(276, 277)는 도 1의 단자(T3, T4)에 각각 상당한다.
멀티플렉서(258)는 아날로그의 검출 전압, 아날로그의 검출 온도, 아날로그의 검출 전류를 순차 선택하여 델타·시그마 변조기(259)에 공급한다. 델타·시그마 변조기(259)는 각 검출값을 델타·시그마 변환함으로써, 펄스 밀도 변조 데이터를 내부 버스를 통하여 CPU(211)에 공급한다. CPU(211)는 디지털 필터 처리를 행하여, 검출 전압, 검출 온도, 검출 전류를 각각 디지털화한다. 또, CPU(211)는 배터리의 충방전 전류를 적산함으로써 배터리 잔량을 산출한다. 이 때에 검출 온도는 온도 보정을 위해서 사용된다.
상기한 연료 게이지 IC(200)는 배터리(301), 전류 검출용의 저항(303), 보호 IC(304), 저항(305) 및 스위치(306)와 함께 광체(310)에 수납되어 배터리팩(300)이 구성되어 있다. 또한, 도 2의 보호 IC(304)는 도 1의 보호 IC(40)에 상당한다.
배터리팩(300)의 단자(311)에 배터리(301)의 정전극 및 보호 IC(304)의 전원 입력 단자가 접속되고, 보호 IC(304)의 전원 출력 단자가 연료 게이지 IC(200)의 전원 전압(Vdd)의 포트(235)에 접속되어 있다. 단자(312)는 저항(305)을 통하여 보호 IC(304)의 접지 단자에 접속됨과 아울러, 스위치(306)를 통하여 전류 검출용의 저항(303)의 포트(277)와의 접속점에 접속되어 있다. 보호 IC(304)는 단자(311, 312) 사이의 전압을 안정화함과 아울러, 이 전압이 소정 범위 밖이 된 경우에 스위치(306)를 차단하여 보호를 행한다.
또, 전류 검출용의 저항(303)의 포트(276)와의 접속점은 연료 게이지 IC(200)의 전원 전압(Vss)의 포트(236)에 접속된다. 배터리팩(300)의 단자(313)에는 보호 IC(304)의 포트가 접속되어 있다. 또한, 도 2의 단자(311, 312, 313)는 도 1의 전원 단자(21, 22), 통신 단자(23)에 각각 상당한다.
<보호 회로>
도 3은, 본 발명의 일 실시형태의 보호 회로의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 3에 나타내는 보호 IC(400)는 도 1에 나타내는 보호 IC(40)에 상당한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 보호 IC(400)에는 포트(401~403), 포트(405~408), 포트(410~414)가 설치되어 있다.
도 3의 포트(401)는 도 1의 휴대 기기간 통신 단자(T15)에 상당하고, 레벨 시프트 회로(415)의 일방의 입출력 단자에 접속되어 있다. 도 3의 레벨 시프트 회로(415)는 도 1의 레벨 시프트 회로(41)에 상당하고, 레벨 시프트 회로(415)의 타방의 입출력 단자는 도 1의 휴대 기기간 통신 단자(T21)에 상당하는 포트(411)에 접속되어 있다. 또한, 포트(411)에는 정전 파괴 방지용의 보호 소자가 설치되어 있다.
도 3의 포트(402)는 도 1의 정의 전원 단자(T17)에 상당하고, 레귤레이터(416)에 접속되어 있다. 레귤레이터(416)는 포트(402)로부터 공급되는 전원 전압을 안정화하여 보호 IC(400)의 각 부에 공급한다. 또, 안정화한 전원 전압을 연료 게이지 IC(30)에 공급하기 위해서, 레귤레이터(416)의 출력 단자는 도 1의 정의 전원 단자(T22)에 상당하는 포트(410)에 접속되어 있다.
도 3의 포트(403)는 도 1의 전압 모니터 단자(T11)에 상당하고, 보호 IC(400)내의 과충전 검출 회로(421)와 과방전 검출 회로(422)에 접속되어 있다.
도 3의 포트(405)는 도 1의 부의 전원 단자(T16)에 상당한다. 도 3의 포트(406, 407)는 도 1의 방전 제어용의 제어 단자(T19), 충전 제어용의 제어 단자(T20)에 각각 상당하고, 외부 부착되는 MOS 트랜지스터(M11, M12)의 게이트에 각각 접속되어 있다.
도 3의 포트(408)는 도 1의 단락 검출용 단자(T18)에 상당하고, 외부 부착되는 저항(R20)에 접속되어 있다. 또한, 도 3의 MOS 트랜지스터(M11, M12)는 도 2의 스위치(306)에 상당하고, 도 3의 저항(R20)은 도 2의 저항(305)에 상당한다.
도 3의 포트(412, 413, 414)는 도 1의 통신 단자(T12, T13, T14)에 각각 상당하고, 보호 IC(400)내의 통신 회로(417)에 접속되어 있다. 통신 회로(417)는 도 2의 통신부(217)와의 사이에서 통신을 행한다.
보호 IC(400)는 과충전 검출 회로(421), 과방전 검출 회로(422), 충전 과전류 검출 회로(423), 방전 과전류 검출 회로(424), 단락 검출 회로(604)를 내장하고 있다. 과충전 검출 회로(421)는 포트(403)의 전압으로부터 리튬이온전지(1)의 과충전을 검출하여 검출 신호를 발진기(426), 논리 회로(428)에 공급한다. 과방전 검출 회로(422)는 포트(403)의 전압으로부터 리튬이온전지(1)의 과방전을 검출하여 검출 신호를 발진기(426), 논리 회로(430)에 공급한다.
충전 과전류 검출 회로(423)는 포트(408)의 전압으로부터 MOS 트랜지스터(M11), MOS 트랜지스터(M12)에 흐르는 전류가 과대가 되는 과전류를 검출하여 검출 신호를 발진기(426), 논리 회로(428)에 공급한다. 방전 과전류 검출 회로(424)는 포트(408)의 전압으로부터 MOS 트랜지스터(M11), MOS 트랜지스터(M12)에 흐르는 전류가 과대가 되는 과전류를 검출하여 검출 신호를 발진기(426), 논리 회로(430)에 공급한다. 단락 검출 회로(604)는 포트(408)의 전압으로부터 포트(402, 408) 사이의 단락을 검출하여 검출 신호를 지연 회로(431)로부터 논리 회로(430)에 공급한다.
카운터 회로(427)는 발진기(426)로부터 클록 신호가 공급되어 카운트하고, 카운터 회로(427)가 출력하는 신호는 논리 회로(428, 430)에 공급된다. 여기서, 충전시(MOS 트랜지스터(M11, M12)가 온)에, 과충전 검출 회로(421) 또는 충전 과전류 검출 회로(423)가 검출 신호를 출력하면, 발진기(426)가 발진하여 클록 신호를 출력하고, 카운터 회로(427)에서 클록 신호를 소정값만큼 카운트한 시점에서 논리 회로(428)에 하이 레벨 출력을 공급한다.
논리 회로(428)는 상기 검출 신호가 공급된 후, 카운터 회로(427)의 하이 레벨 출력이 공급되면, 충전 정지하기 위해서 MOS 트랜지스터(M12)의 게이트에 공급하는 제어 신호를 로우 레벨로 하고, 이 제어 신호를 레벨 시프트 회로(429)에서 소정값만큼 저하시키는 레벨 시프트를 행하여 포트(407)로부터 MOS 트랜지스터(M12)의 게이트에 공급한다. 이것에 의해, 리튬이온전지(1)의 충전이 정지된다. 또한, 이 레벨 시프트는 포트(405)에 대하여 포트(408)에 일단이 접속된 저항(R20)의 타단이 전위가 낮아지기 위해서 행하고 있다.
또, 방전시(MOS 트랜지스터(M11, M12)가 온)에, 과방전 검출 회로(422) 또는 방전 과전류 검출 회로(424)가 검출 신호를 출력하면, 발진기(426)가 발진하여 클록 신호를 출력하고, 카운터 회로(427)에서 클록 신호를 소정값만큼 카운트한 시점에서 논리 회로(430)에 하이 레벨 출력을 공급한다. 논리 회로(430)는 상기 검출 신호가 공급된 후, 카운터 회로(427)의 하이 레벨 출력이 공급되면, 방전 정지하기 위해서 MOS 트랜지스터(M11)의 게이트에 공급하는 제어 신호를 로우 레벨로 하고, 이 제어 신호를 포트(406)로부터 MOS 트랜지스터(M11)의 게이트에 공급한다.
또한, 단락 검출 회로(604)의 검출 신호는 지연 회로(431)에서 카운터 회로(427)에 의한 지연과 마찬가지로 지연되어 논리 회로(430)에 공급되고, 논리 회로(430)는 방전 정지하기 위해서 MOS 트랜지스터(M11)의 게이트에 공급하는 제어 신호를 로우 레벨로 하고, 이 제어 신호를 포트(406)로부터 MOS 트랜지스터(M11)의 게이트에 공급한다. 이것에 의해, 리튬이온전지(1)의 방전이 정지된다.
논리 회로(428, 430)는 통신 회로(417)와 접속되어 있고, 논리 회로(428, 430)가 출력하는 충전 정지 또는 방전 정지 신호는 통신 회로(417)로부터 연료 게이지 IC(200)의 통신부(217)에 공급된다. 또 반대로 연료 게이지 IC(200)의 통신부(217)로부터 통신 회로(417)를 통하여 논리 회로(428, 430)에 충전 정지 또는 방전 정지 신호가 공급되는 경우도 있다.
상기 실시형태에 의하면, 연료 게이지 IC(30)내에 있어서 전압 모니터 단자(T1)와 전압 스루 단자(T6) 사이를 배선(32)으로 접속하고 있기 때문에, 프린트 기판(20)상에서 X방향으로 연장되는 배선을 설치할 필요가 없고, 프린트 기판(20)의 폭 치수(Y방향의 치수)를 작게 할 수 있어, 리튬이온전지(1)의 박형화에 대응할 수 있다.
또, 연료 게이지 IC(30)의 통신 단자(T7, T8, T9)와, 보호 IC(40)의 통신 단자(T12, T13, T14)를 연료 게이지 IC(30) 및 보호 IC(40)의 대향하는 각 변에 각각 설치하고, 통신 단자(T7, T8, T9)와 통신 단자(T12, T13, T14)를 각각 대향시키고 있기 때문에, 통신 단자(T7, T8, T9)와 통신 단자(T12, T13, T14)의 사이를 각각 접속하는 배선(26b, 26c, 26d)의 배선 길이를 최단으로 할 수 있다.
마찬가지로, 연료 게이지 IC(30)의 휴대 기기간 통신 단자(T10)와, 보호 IC(40)의 휴대 기기간 통신 단자(T15)를 연료 게이지 IC(30) 및 보호 IC(40)의 대향하는 각 변에 각각 설치하고, 휴대 기기간 통신 단자(T10)와 휴대 기기간 통신 단자(T15)를 대향시키고 있기 때문에, 휴대 기기간 통신 단자(T10)와 휴대 기기간 통신 단자(T15)의 사이를 접속하는 배선(26e)의 배선 길이를 최단으로 할 수 있다.
또, 보호 IC(40)내에 레벨 시프트 회로(41)를 설치함으로써, 신호 전압이 상이한 연료 게이지 IC(30)와 휴대 기기 사이에서 쌍방향 통신을 행할 수 있다. 또한, 보호 IC(40)의 휴대 기기간 통신 단자(T21)에 정전 파괴 방지용의 보호 소자를 설치함으로써 연료 게이지 IC(30)의 정전 파괴를 방지할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세하게 설명했는데, 본 발명은 상기 서술한 실시예에 제한되지 않는다. 본 발명의 주지를 일탈하지 않고, 상기 서술한 실시예에 각종 변형 및 치환을 가할 수 있다.
본 국제출원은 2009년 1월 14일에 출원된 일본 특허 출원 2009-006161호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 일본 특허 출원 2009-006161호의 전 내용을 본 국제출원에 원용한다.
20…프린트 기판 21, 22…전원 단자
23…통신 단자 25a~25g…스루홀
26a~26e…배선 30…연료 게이지 IC
31…전압 센서 32…배선
33…통신부 40…보호 IC
41…레벨 시프트 회로 T1~T22…단자

Claims (4)

  1. 전지의 충방전을 보호하는 보호 회로와 함께 기판상에 배열설치되고, 상기 전지의 잔량을 검출하는 연료 게이지 회로로서,
    상기 기판의 정의 전원 단자에 대향하는 한 변에 설치되고 상기 기판의 정의 전원 단자에 접속됨과 아울러 회로 내부의 전압 센서에 접속되는 전압 모니터 단자와,
    상기 기판의 정의 전원 단자에 대향하는 한 변과는 반대측의 상기 보호 회로에 대향하는 한 변에 설치되고 상기 보호 회로의 전압 모니터 단자에 접속되는 전압 스루 단자와,
    상기 연료 게이지 회로의 전압 모니터 단자와 상기 전압 스루 단자간을 회로 내부에서 접속하는 배선을 가지는 것을 특징으로 하는 연료 게이지 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호 회로에 대향하는 한 변에 설치되고, 상기 보호 회로의 통신 단자와 접속되어 쌍방향 통신을 행하는 통신 단자를 가지는 것을 특징으로 하는 연료 게이지 회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보호 회로에 대향하는 한 변에 설치되고 상기 보호 회로의 휴대 기기간 통신 단자와 접속되는 휴대 기기간 통신 단자를 가지고,
    상기 보호 회로를 통하여 상기 회로 내부의 통신부와 상기 전지가 탑재되는 휴대 기기의 통신부 사이에서 쌍방향 통신을 행하는 것을 특징으로 하는 연료 게이지 회로.
  4. 전지의 일면에, 상기 전지의 충방전을 보호하는 보호 회로와 상기 전지의 잔량을 검출하는 제 3 항에 기재된 연료 게이지 회로를 가지는 기판을 배열설치한 배터리팩으로서,
    상기 보호 회로는 상기 연료 게이지 회로의 통신부와 상기 휴대 기기의 통신부 사이에서 통신되는 통신 신호의 레벨 시프트를 행하는 레벨 시프트 회로를 가지는 것을 특징으로 하는 배터리팩.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8436620B2 (en) * 2010-09-02 2013-05-07 Texas Instruments Incorporated Voltage monitoring using bitstream signal processing
US9054528B2 (en) 2010-12-22 2015-06-09 Atmel Corporation Event system and timekeeping for battery management and protection system
US8943335B2 (en) * 2010-12-22 2015-01-27 Atmel Corporation Battery management and protection system using a module in a sleepwalking mode to monitor operational characteristics of a battery
JP2013211974A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Renesas Electronics Corp 電池制御用半導体装置及び電池パック
US20140244193A1 (en) * 2013-02-24 2014-08-28 Fairchild Semiconductor Corporation Battery state of charge tracking, equivalent circuit selection and benchmarking
KR101450221B1 (ko) 2013-04-17 2014-10-15 주식회사 아이티엠반도체 배터리 보호회로 모듈 패키지
DE102014212247A1 (de) 2014-06-26 2015-12-31 Robert Bosch Gmbh Elektrischer Verbinder für ein Batteriemodul
JP6372437B2 (ja) * 2015-07-30 2018-08-15 ミツミ電機株式会社 マルチチップ、電池保護装置及び電池パック
KR102511224B1 (ko) 2015-11-05 2023-03-17 삼성전자주식회사 배터리 전류량을 측정하는 퓨얼 게이지 시스템 및 이를 포함하는 휴대용 전자장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677077A (en) * 1996-02-22 1997-10-14 Compaq Computer Corporation Sensor circuit for providing maximum and minimum cell voltages of a battery
JP2006208152A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 電池監視装置
JP2007240523A (ja) * 2006-02-13 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd 電池パック
JP2008103219A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Mitsumi Electric Co Ltd 回路モジュール
JP2008177424A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03174841A (ja) * 1989-12-04 1991-07-30 Fujitsu Ltd メディアアクセス制御ブリッジにおけるデータ保証方式
US6074775A (en) * 1998-04-02 2000-06-13 The Procter & Gamble Company Battery having a built-in controller
JP2001238358A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Toshiba Battery Co Ltd 二次電池装置
JP3990990B2 (ja) * 2003-01-24 2007-10-17 キヤノン株式会社 充電装置、電子機器、充電装置における電池残量表示制御方法、電子機器における電池残量検出方法
JP4194420B2 (ja) 2003-05-27 2008-12-10 三洋電機株式会社 過電流保護回路を備えるパック電池
US7310766B2 (en) * 2004-10-07 2007-12-18 International Business Machines Corporation End-to-end data integrity protection for PCI-Express based input/output adapter
JP4629775B2 (ja) * 2005-06-21 2011-02-09 エヌエックスピー ビー ヴィ ＰＣＩＥｘｐｒｅｓｓデバイスのデータ完全性の並列検査方法
JP2007240524A (ja) * 2006-02-13 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd 電池残量検出回路
JP4670676B2 (ja) * 2006-02-17 2011-04-13 日本電気株式会社 スイッチ及びネットワークブリッジ装置
US7875378B2 (en) * 2006-03-06 2011-01-25 Lg Chem, Ltd. Voltage sensing member and battery module employed with the same
KR100824905B1 (ko) * 2006-08-24 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 하이브리드 배터리 및 그것의 완전 충전 용량 계산 방법
EP2416436B1 (en) * 2009-04-01 2018-02-21 LG Chem, Ltd. Voltage-detecting member, and battery module including same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677077A (en) * 1996-02-22 1997-10-14 Compaq Computer Corporation Sensor circuit for providing maximum and minimum cell voltages of a battery
JP2006208152A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Hitachi Ulsi Systems Co Ltd 電池監視装置
JP2007240523A (ja) * 2006-02-13 2007-09-20 Mitsumi Electric Co Ltd 電池パック
JP2008103219A (ja) 2006-10-19 2008-05-01 Mitsumi Electric Co Ltd 回路モジュール
JP2008177424A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Toshiba Corp 半導体装置

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