KR20110110112A - 향상된 물리적 및 전기적 특성들을 갖는 고체 조성물 - Google Patents

향상된 물리적 및 전기적 특성들을 갖는 고체 조성물 Download PDF

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Abstract

처리 워시를 제조하는 방법은, 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 아세톤 황동 혼합물에 혼합하는 단계, 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계를 포함한다. 황동 미립자들, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 및 구리 미립자들과 같은 재료들을 처리하는 방법들은, 처리 워시로 상기 재료들을 워싱하는 단계와, 그 후에 상기 재료들을 걸러 내고 건조시키는 단계를 포함한다.

Description

향상된 물리적 및 전기적 특성들을 갖는 고체 조성물{SOLID COMPOSITION HAVING ENHANCED PHYSICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES}
[관련 출원에 대한 상호 참조]
본 출원은, 2009년 11월 6일 출원되고 동시 계류 중인 미국특허출원 일련번호 제 12/613,902 호 및 2008년 11월 10일 출원되고 동시 계류 중인 미국특허출원 일련 번호 제 12/268,315 호에 기초한 우선권을 주장한다.
1. 발명의 분야
본 발명은 향상된 물리적 및 전기적 특성들을 갖는 고체 재료 조성물(solid-material composition)들 뿐만이 아니라, 이 재료를 이용하여 제조된 제품들과 이 재료 및 제품들을 만들기 위한 방법들에 관한 것이다.
2. 종래 기술
습식 야금술 전해 제련(hydrometallurgy electrowinning)(전해 추출: electroextraction)을 위한 전극(electrode)들, 전극 행거(hanger)들, 및 부스 바(bus bar)들과 같은 제품들은 본 분야에 공지되어 있다. 전극들은 보통 납 또는 납 합금들로부터 제조되고, 전극 행거들 및 부스 바들은 보통 구리로 제조된다.
보디 아머(body armor)는 보통, 상이한 재료들로 된 복수의 층을 각각이 포함하는 일련의 플레이트(plate)들로부터 형성된다. 합금된 세라믹들과 같은 재료들은, 보디 아머 플레이트에 성공적으로 사용되어 왔다.
본 발명의 한 양태에 따른 처리 워시(treating wash)는 아세톤, 황동 미립자(brass granule)들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광(iron pyrite) 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함한다. 처리 워시를 만드는 방법은 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계와, 아세톤 황동 혼합물에 은 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 혼합하는 단계와, 남아 있는 고체 재료로부터 액체를 걸러내는(straining) 단계를 포함한다. 황동 미립자들, 황철광 미립자들, 탄소 나노튜브 재료 및 구리 미립자들 등의 재료들을 처리하는 방법은, 처리 워시로 이 재료들을 워싱하는 단계와, 뒤이어 이 재료들을 걸러내고 건조하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 납 전극을 형성하는 방법은, 일단(batch)의 용융된 납을 제공하는 단계와, 고속으로 혼합되고 걸러진, 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액(wash liquid)을 준비하는 단계와, 워시액으로 황동 미립자들을 처리하고, 황동 미립자들을 걸러내고 또한 건조하여 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계와, 워시액으로 황철광 미립자들을 처리하고, 황동 미립자들을 걸러내고 건조하여 처리된 은 미립자들, 황철광 미립자들을 형성하는 단계와, 워시액으로 구리 미립자들을 처리하고, 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계와, 처리된 황동 미립자들, 처리된 황철광 미립자들 및 처리된 구리 미립자들을 용융된 납에 첨가하는 단계와, 황동 미립자들의 얇은 층으로 코팅된 주입 몰드(pour mold) 내에 용융된 납을 붓는 단계와, 납이 잉곳이 되게 고체화하는 것을 허용하고, 이후에 잉곳을 프레셔 롤러 내에서 롤링하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따라서, 구리 전극을 형성하는 방법은, 특정 전극의 크기에 맞추어진 몰드를 제공하는 단계, 제1 처리된 재료 층을 몰드 내에 배치하는 단계, 유리 충전 나일론과 같은 제1 내산성 폴리머(acid resistant polymer) 층을 제1 처리된 재료 층을 커버하기에 충분한 높이로 몰드 내에 배치하는 단계와, 제2 처리된 재료 층을 제1 내산성 폴리머 층 위에 몰드 내에 배치하는 단계, 구리 플레이트를 제2 처리된 재료 층 위에 몰드 내에 배치하는 단계, 제3 처리된 재료 층을 구리 플레이트 위에 몰드 내에 배치하는 단계, 유리 충전 나일론과 같은 제2 내산성 폴리머 층을 제3 처리된 재료 층을 커버하기 충분한 높이로 몰드 내에 배치하는 단계, 제4 처리된 재료 층을 제2 내산성 폴리머 층 위에 몰드 내에 배치하는 단계, 폴리머가 용융하기 시작하기까지 몰드를 가열하는 단계, 오븐으로부터 몰드를 제거하는 단계, 원하는 두께에 도달할 때까지 몰드의 내용물들을 프레싱하는 단계, 및 원하는 최종 크기(finished size)가 되도록 전극을 트리밍(trimming)하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따라서, 전극용의 부스 바 및 행거 바 중의 하나를 형성하는 방법으로서, 한 가닥의 구리 튜빙(a length of copper tubing)을 제공하는 단계, 구리 튜빙의 제1 단부에 제1 플러그를 배치하는 단계, 구리 튜빙의 내부에 구리 스트립을 배치하는 단계, 고속으로 혼합되고 또한 걸러낸 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 준비하는 단계, 워시액으로 황동 미립자들을 처리하고 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계, 워시액으로 자철석(magnetite)을 처리하고 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 자철석을 형성하는 단계, 워시액으로 은 미립자들 및 황철광 미립자들을 처리하고 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계, 워시액으로 구리 미립자들을 처리하고 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계, 처리된 황동 미립자들, 처리된 자철석, 처리된 황철광 미립자들 및 처리된 구리 미립자들을 침투성 오일(penetrating oil)과 혼합하고 이 오일로 코팅하여 충전용 혼합물(fill mixture)을 형성하는 단계, 충전용 혼합물로 구리 튜빙을 채우는 단계, 및 구리 튜빙의 제2 단부에 제2 플러그를 배치하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 보디 아머 플레이트는 제1 처리된 황동 미립자 층, 제1 처리된 유리 충전 폴리머 층, 제1 처리된 황철광 미립자 층, 금속 플레이트, 제2 처리된 황철광 미립자 층, 제2 처리된 유리 충전 폴리머 층, 및 제2 처리된 황동 미립자 층을 포함한다. 보디 아머 플레이트를 제조하는 방법은, 보디 아머 플레이트 몰드를 제공하는 단계, 보디 아머 플레이트 몰드 내에 처리된 황동 미립자 층을 배치하는 단계, 처리된 황동 미립자 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머 층을 배치하는 단계, 처리된 유리 충전 폴리머 층 위에 처리된 황철광 층을 배치하는 단계, 처리된 황철광 층 위에 금속 플레이트를 배치하는 단계, 금속 플레이트 위에 처리된 황철광 층을 배치하는 단계, 처리된 황철광 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머 층을 배치하는 단계, 유리 충전 폴리머 층 위에 처리된 황동 미립자 층을 배치하는 단계, 몰드상에 커버를 배치하는 단계, 몰드를 가열하고 또한 몰드를 프레스 내에 배치하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 또 다른 보디 아머 플레이트는, 황동 미립자들, 구리 미립자들, 및 황철광 미립자들의 혼합물을 포함하는 제1 처리된 재료 층과 처리된 유리 충전 폴리머 층과 황동 미립자들, 구리 미립자들, 및 황철광 미립자들을 포함하는 제2 처리된 재료 층을 포함하는 제1 복합물 층(composite layer), 제1 티타늄 플레이트, 제1 복합물 층과 같은 제2 복합물 층, 제2 티타늄 플레이트, 제1 복합물 층과 같은 제3 복합물 층, 및 스틸(steel) 플레이트를 포함한다. 보디 아머 플레이트를 제조하는 방법은, 보디 아머 플레이트 몰드를 제공하는 단계, 보디 아머 플레이트 몰드 내에 처리된 재료 층을 배치함으로써 제1 복합물 층을 형성하는 단계, 처리된 황동 미립자 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머 층을 배치하는 단계, 처리된 유리 충전 폴리머 층 위에 제2 처리된 재료 층을 배치하는 단계, 제1 복합물 층 위에 제1 티타늄 플레이트를 배치하는 단계, 제1 티타늄 플레이트 위에 제2 복합물 층을 형성하는 단계, 제2 복합물 층 위에 제2 티타늄 플레이트를 배치하는 단계, 제2 티타늄 플레이트 위에 제3 복합물 층을 형성하는 단계, 제3 복합물 층 위에 스틸 플레이트를 배치하는 단계, 몰드상에 커버를 배치하는 단계, 몰드를 가열하고 이 몰드를 프레스 내에 배치하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명의 한 양태에 따라 처리 워시를 제조하는 프로세스를 도해하는 도면.
도 2는 본 발명의 또 다른 양태에 따라 칼슘-주석 납 전극을 제조하는 프로세스를 도해하는 도면.
도 3은 본 발명의 또 다른 양태에 따라 구리 전극을 제조하는 프로세스를 도해하는 도면.
도 4는 본 발명의 또 다른 양태에 따라 예시적 전극 행거 바의 방사상의 단면을 보여주는 도면.
도 5는 본 발명의 다른 양태에 따른 제2 예시적인 전극 행거 바의 방사상의 단면도를 도시하는 도면.
도 6은 라인 A-A를 따라 취한 도 4 및 5의 두 전극 행거들의 방사상의 단면도를 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 다른 양태에 따른 행거 바 또는 부스 바를 제조하기 위한 프로세스를 도시하는 도면.
도 8a 및 8b는 본 발명의 다른 양태에 따른 보디 아머 플레이트(body-armor plate)를 도시하는 도면들.
도 9는 도 8a 및 8b의 보디 아머 플레이트를 제조하기 위한 프로세스를 도시하는 도면.
도 10a 및 도 10b는 본 발명의 다른 양태에 따른 다른 보디 아머 플레이트를 도시하는 도면들.
도 11은 도 10a 및 10b의 보디 아머 플레이트를 제조하기 위한 프로세스를 도시하는 흐름도.
당업자는 본 발명의 이하의 설명은 단지 예시적인 것이고 어떤 식으로든 제한하는 것이 아니라는 것을 인식할 것이다. 본 발명의 다른 실시예들은 당업자들에게 용이하게 시사될 것이다.
본 발명은 향상된 물리적 및 전기적 특성들을 갖는 고체 재료 조성물(solid-material compositions)들 및 상기 재료를 이용하여 형성된 제품들 및 상기 재료 및 제품들을 제조하기 위한 방법들에 관한 것이다.
본 발명의 조성물을 이용하여 다양한 제품들이 만들어질 수 있다. 본 발명의 일 양태는 조성물을 형성하기 위하여 이용된 원료들(ingredients)을 처리하기 위하여 이용된 워시(wash) 또는 바스(bath)이다. 워시 또는 바스의 볼륨은 특정 실시예에 따라 가변할 것이므로, 1 갤런(gallon)의 아세톤을 이용하여 워시를 만들기 위한 예시적인 예가 주어진다. 당업자는 본 예에서 개시된 원료들의 양이 선형적으로 스케일링되어 더 크거나 더 작은 단들(batches)의 워시를 만들 수 있는 것을 이해할 것이다.
도 1에 도시된 일 예시적인 예에서, 상용 블렌더(commercial blender) 내에서 황동(brass)이 아세톤과 혼합된다(참조 번호 10). 본 예에서는, 고속으로 약 10분 동안 또는 블렌더가 정지될 때 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지 상용 블렌더 내에서 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)이 1 갤런의 아세톤과 혼합된다. 약 2 그램의 은 미립자들(silver granules)이 첨가되고 혼합된다(참조 번호 12). 탄소 나노튜브 재료가 첨가되고 혼합된다(참조 번호 14). 예시적인 예에서, 약 5분 동안 고속으로 약 1 그램의 다중 벽(multi-walled) 탄소 나노튜브 재료가 첨가되고 혼합된다. 황철광(iron pyrite)이 첨가되고 혼합된다(참조 번호 16). 예시적인 예에서, 고속으로 최소 약 3분 동안 약 0.125 인치의 그레인(grain) 사이즈를 갖는 약 33.5 그램의 황철광이 첨가되고 혼합된다. 구리가 첨가되고 혼합된다(참조 번호 18). 예시적인 예에서, 블렌더가 꺼진(turned off) 후 표면상에 슬러리가 형성되기 시작할 때까지 약 8분 동안 고속으로 약 517 그램의 구리(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)가 첨가되고 혼합된다. 탄소 나노튜브 재료, 은, 황철광, 및 구리가 첨가되는 순서는 중요하지 않다.
상기 설명된 바와 같이 원료들이 모두 혼합된 경우, 액체가 걸러지고(strained) 워시 또는 바스로서 이용될 수 있다. 걸러진 고형물(solid matter) 모두는 여기에 개시된 다른 사용을 위해 모두 저장될 수 있다. 재료들이 처리되면, 사용된 워시액은 그것을 워시액의 새로운 단들(batches)에 첨가함으로써 수집되고 재생(recycle)될 수 있다.
워시액이 만들어지면, 제조될 제품들의 구성 재료들은 워시액을 이용하여 워시된다. 끈적거리는 막이 구성 재료들과 병합한다. 구성 재료들은 오븐에서 또는 실온에서 건조 및 가압에 의해 서로 결속(bonded)된다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 상기 조성물(composition)은 배터리들 및 광업에서 수행되는 제련(refining) 프로세스들과 같은 습식 야금술 전해 제련(전해추출)[hydrometallurgy electrowinning (electroextraction)] 프로세싱에의 적용을 위한 칼슘-주석 납 애노드 및 캐소드(calcium-tin lead anode and cathode) 전극들을 제조하는 데에 유용하게 이용된다. 도 2를 참조하여 설명된 애노드 형성을 위한 프로세스의 일 예에 따르면, 일단의 납(a batch of lead)이 용융된다(참조 번호 20). 예시적인 예에서, 공지되어 있는 것과 같이 적절한 양의 칼슘 및 주석을 포함하는 약 635 Kg의 용융된 납이, 약 800℉의 온도에서 적절한 용기 내에 제공된다. 황동은 전술된 워시액으로 처리된다(참조 번호 22). 예시적인 예에서, 약 9 Kg의 황동 미립자들(약 100 메시)은, 미립자들 위에 전술된 워시를 흐르게 함으로써 처리된다. 워시액은 빠지고(drained off) 처리된 황동 미립자들은 건조되도록 허용된다. 약 2.3 Kg의 파우더 황철광 (약 0.025 인치 미립자들)은, 약 2 온스의 파우더 은(약 100 메시)과 함께, 워시액으로 처리된다(참조 번호 24). 구리는 워시액으로 처리된다(참조 번호 26). 예시적인 예에서, 약 4.5 Kg의 구리 미립자들(약 100 메시)은 상기와 같이 처리되고 건조되도록 허용된다. 상기 처리된 황동, 황철광, 및 구리가 용융된 납에 첨가된다(참조 번호 28). 애노드의 원하는 형상의 몰드가 제공된다. 납 주입 몰드 플레이트(lead pour mold plate)의 전체 바닥상에 약 100 메시 황동의 얇은 층이 균일하게 스프링클(sprinkled)되는데, 이것은 납이 주입되고 냉각되는 동안 재료가 꼭대기로부터 바닥까지 균일하게 흐르도록 한다.
몰드의 바닥은 처리된 재료들의 혼합물로 채워지고 그 후 납이 몰드 내로 주입된다(참조 번호 30). 처리된 납 애노드 잉곳(treated-lead anode ingot)은 냉각되어감에 따라, 몰드로부터 제거되고(참조 번호 32), 잉곳이 약 0.25 인치와 같은 소정의 두께로 롤링되고 약 3 피트×약 4 피트×약 0.25 인치와 같은 소정의 치수들을 가지는 최종 애노드들의 사이즈로 절단되는(참조 번호 34) 롤링 프레스로 이동된다.
본 발명에 따라 형성된 애노드들은 종래의 납 애노드들보다 더 도전성이 좋다. 이 애노드들은 종래의 애노드들보다 더 오래 존속(last)할 것이다.
이제 도 3을 참조해 보면, 본 발명의 다른 양태에 따른 구리 전극 형성 방법은, 특정 전극을 위한 사이즈의 몰드를 제공하는 단계, 처리된 재료의 제1 층을 몰드 내에 배치하는 단계, 유리 충전 나일론(glass-filled nylon)과 같은 내산성 폴리머(acid resistant polymer)의 제1 층을 처리된 재료의 제1 층을 커버할 만큼 충분한 높이로 몰드 내에 배치하는 단계, 내산성 폴리머의 제1 층 위로 몰드 내에 처리된 재료의 제2 층을 배치하는 단계, 처리된 재료의 제2 층 위로 몰드 내에 구리 플레이트를 배치하는 단계, 구리 플레이트 위로 몰드 내에 처리된 재료의 제3 층을 배치하는 단계, 유리 충전 나일론과 같은 내산성 폴리머의 제2 층을 처리된 재료의 제3 층을 커버할 만큼 충분한 높이로 몰드 내에 배치하는 단계, 내산성 폴리머의 제2 층 위로 몰드 내에 처리된 재료의 제4 층을 배치하는 단계, 약 800℉로 약 30 분 동안 또는 폴리머가 용융되기 시작할 때까지 몰드를 가열하는 단계, 몰드를 오븐으로부터 제거하는 단계, 소정의 두께에 도달할 때까지 몰드의 내용물들을 프레싱하는 단계, 및 소정의 최종 사이즈로 전극을 트리밍하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 상기 조성물은 애노드들 및 캐소드들을 지지하고 전류를 공급하기 위하여 이용되는 행거 바들(hanger bars)에서 유용하게 이용된다. 본 발명에 따른 행거 바들의 두 예시적인 예들의 상이한 보기들이 도 4, 5, 및 6에 도시된다. 행거 바를 제조하기 위한 프로세스가 도 7에 예시된다. 본 발명에 따른 행거 바(60)의 예시적인 일 실시예에 따라, 예를 들어 도 4에 도시된 것과 같은 직사각형 단면 또는 도 5에 도시된 것과 같은 원형 단면을 갖는 적절한 길이의 구리 튜빙(copper tubing, 62)이 제공된다(도 7의 참조 번호 80). 예시적인 일 실시예에서, 직사각형 튜빙(rectangular tubing)은, 예를 들어, 약 1.75 인치 ×0.75 인치의 벽(wall) 치수들 및 약 0.125 인치의 벽 두께를 가질 수 있다. 당업자가 이해하는 바와 같이, 벽 두께는 지지될 전극의 무게의 함수(function)로서 선택될 수 있다. 참조 번호 82에서, 튜브의 일 단부는 캡핑(capped)되고, 도 7의 참조 번호 84에서, 행거 바를 실링(seal)하는데 이용될 수 있는 구리 플러그의 길이의 2배 만큼 구리 튜빙의 길이보다 작은 길이를 갖고, 슬립 핏(slip fit)을 튜빙에 제공하도록 선택된 폭을 갖는 도 4-6에 도시된 구리 스트립(64)이 구리 튜빙 내부에 배치된다. 바람직하게는, 도 4-6에 도시된 관통된 스틸 스트립(66)은, 예컨대, 스팟 웰딩(spot welding), 솔더링(soldering), 또는 튜빙에 스트립을 삽입하기 이전의 브레이징(brazing)에 의해 구리 스트립(44)의 한면 또는 양면에 부착된다. 참조 번호 86에서, 튜브는, 전술한 바와 같이 또한 참조 번호 68에 도시된 바와 같이, 황동, 다중 벽 탄소 나노튜브 재료, 황철광(iron pyrite), 및 구리의 혼합물로 채워진다.
도 6에 도시되고, 구리와 같은 재료로 형성된 플러그(70)는, 튜빙을 실링하는데 이용되고, 예컨대, 프레스 피팅, 웰딩, 브레이징 또는 솔더링에 의해 제 위치에(in place) 유지될 수 있다. 약 2 인치의 길이를 갖는 구리 플러그(70)는, 다른 길이가 이용될 수 있음에도 이러한 목적을 충족시키도록 주어진다.
튜빙을 채우기 이전에, 전술한 바와 같은 황동, 황철광 및 구리의 혼합물(68)은 전술한 바와 같이 아세톤 용액을 이용하여 워싱되고, 드레인(drain)된다. 또한, 아세톤 용액을 이용하여 워싱되고 드레인된 약 2gms의 자철석이 혼합물에 부가된다. 드레인된 혼합물은 상표 WD-40으로 판매되는 오일과 같은 침투성 오일로 코팅되고, 그 후에 삽입된 스트립 주위에 튜빙 내로 패킹된다. 도 7의 참조 번호 88에서, 제2 플러그(70)는 튜빙의 다른 단부에 삽입되고, 예컨대, 프레스 피팅, 웰딩, 브레이징 또는 솔더링에 의해 제 위치에 유지될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 부스 바는 행거 바를 형성하는데 이용되는 프로세스와 동일한 프로세스를 이용하여 형성될 수 있다. 중앙 구리 스트립(64)는 관통된 스틸 시트(66) 사이에 놓여지고, 이전의 도 4, 5, 6에 도시된 바와 같이, 적합한 길이의 구리 튜빙(62)에 배치된다. 여기 개시된 바와 같이 처리되는 구리, 황동, 황철광, 및 자철석의 혼합물(참조 번호 68)은 튜빙에 부어지고, 이것은 다음에 각 단부상의 플러그(70)로 캡핑된다. 부스 바의 길이는 응용예마다 변할 수 있고, 특정 길이가 응용예에 적합하도록 선택될 수 있다. 이러한 부스 바를 이용하는 하나의 이점은 더 도전성이 있는 납을 애노드 및 캐소드 모두에 제공할 수 있는 것이며, 이에 따라 더 많은 전류가 흐르게 하고, 셀에 대한 전압 강하가 더 낮아지게 한다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 아연(zinc) 습식 야금술 전해 제련(전해 추출) 프로세스를 위한 애노드 및 캐소드를 포함하는 전극들이 단지 하나만 제외하고 구리 애노드에 이용되는 것과 실질적으로 동일한 혼합 프로세스를 이용하여 형성된다. 그 예외는, 도 2에 도시된 프로세스의 참조 번호 26에서, 구리 대신에 추가적인 황동 및 황철광과 실질적으로 동일한 양의 치환이다. 황동은 구리가 아닌 아연이 높아야 하고, 약 68.5%의 구리, 약 1.5%의 납, 및 약 30%의 아연의 중량비를 갖는 황동 조성물이 이러한 응용예에 적합한 것으로 발견된다. 아연 습식 전극은 납 전극을 형성하는데 이용되는 도 2에 도시된 것과 동일한 프로세스를 이용하여 형성되는데, 여기서 약 0.46%의 은이 칼슘-주석 대신 대체되고, 부가적인 황동 및 황철광을 포함하는 수정된 혼합물이 구리 대신에 이용된다는 것이 예외이다.
이제 도 8a 및 8b를 참조하면, 본 발명의 다른 양태에 따라 보디 아머(body armor)에 이용될 수 있는 플레이트(90)를 형성하기 위해 조성물이 유용하게 이용된다. 도 8a는 본 발명에 따라 보디 아머 플레이트의 전면 및 예시적인 저면도를 도시한다. 도 8a에 도시된 예시적인 저면도는 플레이트(90)가 커브라는 것을 나타내지만, 당업자는 플레이트(90)가 응용예에 따라 평형할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
이제 도 8b를 참조하면, 플레이트(90)의 단면도가 도시된다. 보디 아머 프레이트(90)는 처리된 황동 미립자의 제1 층(92), 처리된 유리-충전 폴리머의 제1 층(94), 처리된 황철광 미립자의 제1 층(96), 금속 플레이트(98), 처리된 황철광 미립자의 제2 층(100), 처리된 유리-충전 폴리머의 제2 층(102), 및 처리된 황동 미립자의 제2 층(104)을 포함한다.
이제 도 9를 참조하면, 본 발명에 따라 보디 아머를 제조하는 프로세스의 일례에 따르면, 아머 플레이트의 몰드가 제공된다. 참조 번호 110에서, 몰드는 몰드 릴리스 에이전트(mold release agent)로 스프레이된다. 참조 번호 112에서, 상부 및 하부 몰드 플레이트가 황동 파우더(약 100 메시)로 완전하게 덮힌다. 약 0.03125 인치의 깊이가 만족할만하다. 참조 번호 114에서, 유리-충전 나일론 폴리머의 층이 워시액을 이용하여 워싱되고, 황동 미립자 위에 위치된다. 약 0.125 인치의 깊이가 만족할만하다. 참조 번호 116에서, 황철광의 층이 유리-충전 폴리머 위에 배치된다. 약 0.125 인치의 깊이가 만족할만하다. 참조 번호 118에서, 티타늄(예컨대, 약 0.125 인치 두께) 또는 탄소 스틸(약 0.0625 인치 두께)과 같은 재료로 형성된 플레이트가 황철광층 위에 배치된다. 프로세스는 다음에 반전(reversed)되고, 참조 번호 120에서, 황철광의 층이 플레이트위에 배치된다. 약 0.125 인치의 깊이가 만족할만하다. 참조 번호 122에서, 워시액을 이용하여 워싱된 유리-충전 나일론 폴리머의 층이 황철광의 층 위에 배치된다. 약 0.125 인치의 깊이가 만족할만하다. 참조 번호 124에서, 황동 미립자(약 100 메시 또는 더 미세함)의 층이 유리-충전 나일론 폴리머의 층 위에 배치된다. 약 0.0625 인치의 깊이가 만족할만하다.
참조 번호 126에서, 커버가 몰드상에 배치되고, 몰드는 약 15분 간격으로 또는 유리-충전 나일론 폴리머가 용융되기 시작할 때까지, 예컨대, 800℉의 온도로 오븐내에 배치된다. 참조 번호 128에서, 이후에 몰드는 오븐에서 제거되고, 약 50-100톤 정격의 프레스에 즉각 배치되고, 여기서 몰드 커버는 재료가 약 140℉의 온도로 냉각될 때 까지 몰드내로 균일하게 가압된다. 참조 번호 130에서, 이후에 완성된 플레이트는 몰드로부터 릴리스 된다.
이제 도 10a 및 10b를 참조하면, 본 발명의 다른 양태에 따라 보디 아머(body armor)에 이용될 수 있는 플레이트(140)를 형성하기 위해 조성물이 유용하게 이용된다. 도 8a는 본 발명에 따라 보디 아머 플레이트의 전면 및 예시적인 저면도를 도시한다. 도 8a에 도시된 예시적인 저면도는 보디 아머 플레이트(140)가 커브라는 것을 나타내지만, 당업자는 보디 아머 플레이트(140)가 응용예에 따라 평형할 수도 있다는 것을 알 수 있을 것이다.
이제 도 10b를 참조하면, 플레이트(140)의 단면도가 도시된다. 보디 아머 플레이트(140)는, 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자의 혼합물을 포함하는 처리된 재료의 층(142)을 포함하는 제1 복합물 층, 처리된 유리-충전 폴리머의 제2 층(144), 및 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자를 포함하는 처리된 재료의 제2 층(146), 제1 티타늄 플레이트(148), 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자의 혼합물을 포함하는 처리된 재료의 제1 층(150)을 포함하는 제1 복합물 층과 같은 제2 복합물 층, 처리된 유리-충전 폴리머의 층(152), 및 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자를 포함하는 처리된 재료의 제2 층(154), 제2 티타늄 플레이트(156), 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자의 혼합물을 포함하는 처리된 재료의 제1 층(158)을 포함하는 제1 복합물 층과 같은 제3 복합물 층, 처리된 유리-충전 폴리머의 층(160), 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자를 포함하는 처리된 재료의 제2 층(162), 스틸 플레이트(164), 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자의 혼합물을 포함하는 처리된 재료의 제1 층(166)을 포함하는 제1 복합물 층과 같은 제4 복합물 층, 처리된 유리-충전 폴리머의 층(168), 황동 미립자, 구리 미립자 및 황철광 미립자를 포함하는 처리된 재료의 제2 층(170)을 포함하는 플레이트를 포함한다.
이제 도 11을 참조하면, 도 10a 및 10b의 보디 아머 플레이트를 제조하는 방법의 흐름도가 도시된다. 방법은 먼저, 참조 번호 180에서, 원하는 컨투어(contour) 형상(예컨대, 평평하거나 굽어진)을 갖는 보디 아머 플레이트 몰드를 제공하는 단계를 포함한다. 참조 번호 182에서, 본 발명에 따라 처리된 재료의 층은 단지 몰드의 표면을 커버하는데 충분한 깊이로 보디 아머 플레이트 몰드내에 배치된다. 다음으로, 참조 번호 184에서, 처리된 유리 충전 폴리머의 층은, 처리된 황동 미립자들의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 186에서, 처리된 재료의 제2 층이 처리된 유리 충전 폴리머의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 188에서, 예를 들어 약 0.125인치의 두께를 갖는 티타늄 플레이트일 수 있는 제1 금속 플레이트가 처리된 재료의 층 위에 배치된다.
참조 번호 190에서, 본 발명에 따른 처리된 재료의 층이 제1 금속 플레이트 위에서 보디 아머 플레이트 몰드(body-armor plate mold)에 배치된다. 다음으로, 참조 번호 192에서, 처리된 유리 충전 폴리머의 층이 처리된 황동 미립자들의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 194에서, 처리된 재료의 제2 층이 처리된 유리 충전 폴리머의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 196에서, 예를 들어 약 0.125인치의 두께를 갖는 티타늄 플레이트일 수 있는 제2 금속 플레이트가, 처리된 재료의 층 위에 배치된다.
참조 번호 198에서, 본 발명에 따른 처리된 재료의 층이 제1 금속 플레이트 위에서 보디 아머 플레이트 몰드에 배치된다. 다음으로, 참조 번호 200에서, 처리된 유리 충전 폴리머의 층이 처리된 황동 미립자들의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 202에서, 처리된 재료의 제2 층이, 처리된 유리 충전 폴리머의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 204에서, 예를 들어 16-게이지 스틸 플레이트(16-guage steel plate)일 수 있는 제2 금속 플레이트가 처리된 재료의 층 위에 배치된다.
참조 번호 206에서, 본 발명에 따른 처리된 재료의 층이 제1 금속 플레이트 위에서 보디 아머 플레이트 몰드에 배치된다. 다음으로, 참조 번호 208에서, 처리된 유리 충전 폴리머의 층이, 처리된 황동 미립자들의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다. 다음으로, 참조 번호 210에서, 처리된 재료의 제2 층이, 처리된 유리 충전 폴리머의 층 위에 예를 들어 0.125인치의 깊이로 형성된다.
다음으로, 참조 번호 212에서, 커버가 몰드상에 배치되고, 몰드는 오븐에 배치되고 또한 폴리머가 부드러워지면서 녹기 시작할 때까지 예를 들어 약 800℉의 온도에서 가열된다. 참조 번호 214에서, 몰드는 그 후 오븐으로부터 제거되고 또한 약 50-100톤 정격의 프레스에 즉시 배치되는데, 여기서 몰드 커버는 그 재료가 약 140℉의 온도로 냉각될 때까지 몰드로 균일하게 프레싱된다. 참조 번호 216에서, 최종 보디 아머 플레이트는 몰드로부터 제거되고 필요하다면 에지 트리밍(edge trimmed)된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 구리 합금이 개시된다. 약 1Kg의 총 무게에 대해, 처리된 재료의 약 50그램 및 은 파우더의 약 10그램이 약 960그램의 구리로 녹는다. 와이어(wire)를 제조하기 위해, "ASTM Int'l , ASTM B 49-08a, Standard Specification for Copper Rod Drawing Stock for Electrical Purposes , Table 1"에 개시된 알려진 구리 와이어 믹스가 이용될 수 있는데, 이에 국한되지는 않는다. 합금은 와이어를 드로잉(drawing)하기 위한 와이어 드로잉 로드들(wire drawing rods)로 형성된다. 다른 응용예들에 있어, 합금은 잉곳들로 형성되는데, 이로부터 전기 커넥터들 등과 같은 다른 제품들이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 알루미늄 합금이 개시된다. 약 1Kg의 총 무게에 대해, 처리된 재료의 약 130그램 및 은 파우더의 약 10그램이 약 860그램의 알루미늄으로 녹는다. 합금은 와이어를 드로잉하기 위한 와이어 드로잉 로드들로 형성된다. 다른 응용예들에 있어, 합금은 잉곳들로 형성되는데, 이로부터 다른 제품들이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들 및 응용예들을 보여주고 또한 이에 대해 설명하였지만, 당업자들이라면 본 발명의 개념들을 벗어나지 않고서 전술한 것보다도 더 많은 수정들이 가능하다는 것을 알 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위의 사상에 의해서만 국한되어진다.

Claims (76)

  1. 처리 워시(treating wash)로서,
    아세톤(acetone), 황동 미립자들(brass granules), 탄소 나노튜브 재료(carbon nanotube material), 은 미립자들(silver granules), 황철광 미립자들(iron pyrite granules) 및 구리 미립자들(copper granules)을 포함하는, 처리 워시.
  2. 제1항에 있어서,
    1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동, 약 1 그램의 다중 벽(multi-walled) 탄소 나노튜브 재료, 10 그램의 은, 약 33.5 그램의 황철광(iron pyrite), 및 약 517 그램의 구리를 포함하는, 처리 워시.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 황동 미립자들은 약 100 메시(mesh)이거나 혹은 그보다 더 미세하고, 상기 은은 100 메시이거나 혹은 그보다 더 미세하며, 상기 황철광은 약 0.125 인치의 그레인(grain) 사이즈를 가지며, 상기 구리 미립자들은 약 100 메시이거나 혹은 그보다 더 미세한, 처리 워시.
  4. 처리 워시를 제조하는 방법으로서,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 상기 아세톤 황동 혼합물(mixture)에서 혼합하는 단계; 및
    상기 액체(liquid)를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는(straining) 단계
    를 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 걸러진 고체 재료를 저장하는 단계를 더 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)을 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은, 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 가지며,
    상기 은을 혼합하는 단계는, 약 3분 동안 고속으로 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 약 10 그램의 은 미립자들을 혼합하는 단계를 포함하고,
    상기 구리를 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 517 그램의 구리를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 구리는 상기 블렌더가 꺼진 후에 슬러리(slurry)가 표면에 형성되기 시작할 때까지 약 8분 동안 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 메시 사이즈를 갖는, 처리 워시 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 걸러진 고체 재료를 저장하는 단계를 더 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  8. 납 전극(lead electrode)을 형성하는 방법으로서,
    일단의 용융된 납(a batch of molten lead)을 제공하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황철광 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    은 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 은 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 은 미립자들을 형성하는 단계;
    구리 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 처리된 황동 미립자들, 상기 처리된 은 미립자들, 상기 처리된 황철광 미립자들, 및 상기 처리된 구리 미립자들을 상기 용융된 납에 부가하는 단계;
    얇은 층의 황동 미립자들로 코팅된 주입 몰드(pour mold) 내로 상기 용융된 납을 붓는(pouring) 단계; 및
    상기 납을 잉곳(ingot)으로 고체화시킨 후에, 프레셔 롤러(pressure roller)로 상기 잉곳을 롤링하는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하고;
    상기 워시액을 준비하는 단계는, 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들이 고속으로 혼합되고 걸러지는 단계를 포함하고;
    상기 황동 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 9 Kg의 황동 미립자들을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 0.025 인치 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 2.3 Kg의 파우더 황철광(powdered iron pyrite)을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 은 미립자들을 처리하는 단계는, 100 메시 또는 그보다 더 미세한 약 56 그램의 은 미립자들을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 구리 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 4.5 Kg의 구리 미립자들을 처리하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 워시액을 준비하는 단계는,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    황동 미립자들, 은 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 상기 아세톤 황동 혼합물에 혼합하는 단계; 및
    상기 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)을 혼합하는 단계를 포함하고,
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은, 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 가지며,
    상기 은 미립자들을 혼합하는 단계는, 약 3분 동안 고속으로 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 약 10 그램의 은 미립자들을 혼합하는 단계를 포함하고,
    상기 구리를 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 517 그램의 구리를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 구리는 상기 블렌더가 꺼진 후에 슬러리(slurry)가 표면에 형성되기 시작할 때까지 약 8분 동안 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 메시 사이즈를 갖는, 납 전극 형성 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳이 냉각될 때 프레셔 롤러로 상기 잉곳을 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳을 약 0.25 인치의 두께로 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 잉곳을 최종 사이즈(finished size)로 커팅하는 단계를 더 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 최종 사이즈는 약 3 피트 × 약 4피트인, 납 전극 형성 방법.
  16. 제8항에 있어서,
    일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 용융된 칼슘-주석 납 조성물(molten calcium-tin lead composition)을 제공하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  17. 전극용의 부스 바(bus bar) 및 행거 바(hanger bar) 중의 하나를 형성하는 방법으로서,
    한 가닥의 구리 튜빙(a length of copper tubing)을 제공하는 단계;
    상기 구리 튜빙의 제1 단부에 제1 플러그를 배치하는 단계;
    상기 구리 튜빙의 내부에 구리 스트립을 배치하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러내어 준비하는 단계;
    상기 워시액으로 황동 미립자들을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 자철석(magnetite)을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 자철석을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 황철광 미립자들을 처리하고, 상기 황철광 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 은 미립자들을 처리하고, 상기 은 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 은 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 구리 미립자들을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계;
    용융된 납에, 상기 처리된 황동 미립자들, 상기 처리된 자철석, 상기 처리된 황철광 미립자들 및 상기 처리된 구리 미립자들을 침투성 오일(penetrating oil)과 혼합하고 상기 침투성 오일로 코팅하여 충전용 혼합물(fill mixture)을 형성하는 단계;
    상기 충전용 혼합물로 상기 구리 튜빙을 채우는 단계; 및
    상기 구리 튜빙의 제2 단부에 제2 플러그를 배치하는 단계
    를 포함하는, 부스 바 또는 행거 바 형성 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구리 튜빙 내에 구리 스트립을 배치하는 단계는, 상기 구리 튜빙 내에 2개의 스틸 스트립들 사이에 샌드위치된 구리 스트립을 배치하는 단계를 포함하는, 부스 바 또는 행거 바 형성 방법.
  19. 납 전극을 형성하는 방법으로서,
    용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황철광 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 은 및 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    은 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 은 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 은 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 처리된 황동 미립자들, 상기 처리된 은 미립자들, 황철광 미립자들을 상기 용융된 납에 부가하는 단계;
    얇은 층의 황동 미립자들로 코팅된 주입 몰드(pour mold) 내로 상기 용융된 납을 붓는 단계; 및
    상기 납을 잉곳(ingot)으로 고체화시킨 후에, 프레셔 롤러(pressure roller)로 상기 잉곳을 롤링하는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하고;
    상기 워시액을 준비하는 단계는, 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 은 미립자들, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 고속으로 혼합하고 걸러 내는 단계를 포함하고;
    상기 황동 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 11.25 Kg의 황동 미립자들을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 0.025 인치 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 4.55 Kg의 황철광 파우더를 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 은 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 56 그램의 은 미립자들을 처리하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 중량으로 약 0.46%의 용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 워시액을 준비하는 단계는,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    상기 아세톤 황동 혼합물에 황철광 미립자들을 혼합하는 단계;
    상기 아세톤 황동 혼합물에 은 미립자들을 혼합하는 단계; 및
    상기 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)을 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은, 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 가지며,
    상기 은을 혼합하는 단계는, 약 3분 동안 고속으로 100 메시 또는 그보다 더 미세한 약 10 그램의 은 미립자들을 혼합하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  24. 제19항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳이 냉각될 때 프레셔 롤러로 상기 잉곳을 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳을 약 0.25 인치의 두께로 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  26. 제19항에 있어서,
    상기 잉곳을 최종 사이즈로 커팅하는 단계를 더 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 최종 사이즈는 약 3피트 × 약 4피트인, 납 전극 형성 방법.
  28. 보디 아머 플레이트(body-armor plate)를 제조하는 방법으로서,
    보디 아머 플레이트 몰드를 제공하는 단계;
    상기 보디 아머 플레이트 몰드에 처리된 재료의 제1 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제1 층 위에 유리 충전 폴리머(glass-filled polymer)의 제1 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 제1 층 위에 처리된 재료의 제2 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제2 층 위에 제1 금속 플레이트를 배치하는 단계;
    상기 제1 금속 플레이트 위에 처리된 재료의 제3 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제3 층 위에 유리 충전 폴리머의 제2 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 제2 층 위에 처리된 재료의 제4 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제4 층 위에 제2 금속 플레이트를 배치하는 단계;
    상기 제2 금속 플레이트 위에 처리된 재료의 제5 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제5 층 위에 유리 충전 폴리머의 제3 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 제3 층 위에 처리된 재료의 제6 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제6 층 위에 제3 금속 플레이트를 배치하는 단계;
    상기 제3 금속 플레이트 위에 처리된 재료의 제7 층을 배치하는 단계;
    상기 처리된 재료의 제7 층 위에 유리 충전 폴리머의 제4 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 제4 층 위에 처리된 재료의 제8 층을 배치하는 단계;
    상기 몰드 위에 커버를 배치하는 단계;
    상기 몰드를 가열하는 단계;
    상기 몰드를 프레스에 배치하는 단계
    를 포함하고,
    상기 처리된 재료는, 황동 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 아세톤과 혼합하여 준비한 워시액을 사용하여 처리되는 한편, 남아 있는 고체 재료로부터 상기 워시액을 걸러낸 황동 미립자들, 구리 미립자들 및 황철광 미립자들의 혼합물인, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    유리 충전 폴리머 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 유리 충전 폴리머 미립자들을 형성하는 단계; 및
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황철광 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계
    를 더 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 보디 아머 플레이트 몰드의 처리된 재료의 제1 내지 제8 층들 각각을 배치하는 단계는, 약 0.0125 인치의 깊이로 처리된 층을 상기 몰드에 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 황동 미립자들의 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머의 제1 내지 제4 층들 각각을 배치하는 단계는, 처리된 유리 충전 폴리머의 층을 약 0.125 인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속 플레이트 각각은, 약 0.125 인치의 두께를 갖는 티타늄과 약 0.0625 인치의 두께를 갖는 탄소 스틸(carbon steel) 중 하나로부터 형성되는 플레이트인, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 처리된 재료의 제6 층 위에 제3 금속 플레이트를 배치하는 단계는, 처리된 재료의 제6 층 위에 스틸 플레이트를 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  34. 제29항에 있어서,
    상기 몰드를 가열하는 단계는, 상기 유리 충전 폴리머가 용융되기 시작할 때까지 상기 몰드를 가열하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  35. 제29항에 있어서,
    상기 몰드를 프레스에 배치하는 단계는, 상기 몰드를 약 50-100톤 정격의 프레스에 배치하고, 상기 재료가 약 140℉의 온도로 냉각될 때까지 상기 몰드 커버를 상기 몰드 내로 균일하게 프레싱하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  36. 구리 합금으로서,
    1 킬로그램 당
    약 960 그램의 구리;
    약 50 그램의 처리된 재료; 및
    약 10 그램의 은
    을 포함하고,
    상기 처리된 재료는, 황동 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 아세톤과 혼합하여 준비한 워시액을 사용하여 처리되는 한편, 남아 있는 고체 재료로부터 상기 워시액을 걸러낸 황동 미립자들, 구리 미립자들 및 황철광 미립자들의 혼합물인, 구리 합금.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 구리는 와이어 믹스(wire mix)인, 구리 합금.
  38. 알루미늄 합금으로서,
    1 킬로그램당
    약 860 그램의 알루미늄;
    약 130 그램의 처리된 재료; 및
    약 10 그램의 은
    을 포함하고,
    상기 처리된 재료는, 황동 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 아세톤과 혼합하여 준비한 워시액을 사용하여 처리되는 한편, 남아 있는 고체 재료로부터 상기 워시액을 걸러낸 황동 미립자들, 구리 미립자들 및 황철광 미립자들의 혼합물인, 알루미늄 합금.
  39. 처리 워시로서,
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 포함하는, 처리 워시.
  40. 제39항에 있어서,
    1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동, 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료, 약 33.5 그램의 황철광 및 약 517 그램의 구리를 포함하는, 처리 워시.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 황동 미립자들은 약 100 메시 또는 그보다 더 미세하고, 상기 황철광은 약 0.125 인치의 그래인 사이즈를 가지며, 상기 구리 미립자들은 약 35 메시 또는 그보다 더 미세한, 처리 워시.
  42. 처리 워시를 제조하는 방법으로서,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 상기 아세톤 황동 혼합물에 혼합하는 단계; 및
    상기 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계
    를 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 걸러진 고체 재료를 저장하는 단계를 더 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  44. 제42항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)을 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은, 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 가지며,
    상기 구리를 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 517 그램의 구리를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 구리는 상기 블렌더가 꺼진 후에 슬러리(slurry)가 표면에 형성되기 시작할 때까지 약 8분 동안 약 35 메시 또는 그보다 더 미세한 메시 사이즈를 갖는, 처리 워시 제조 방법.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 걸러진 고체 재료를 저장하는 단계를 더 포함하는, 처리 워시 제조 방법.
  46. 납 전극을 형성하는 방법으로서,
    일단의 용융된 납(a batch of molten lead)을 제공하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    구리 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 처리된 황동 미립자들, 상기 처리된 황철광 미립자들, 및 상기 처리된 구리 미립자들을 상기 용융된 납에 부가하는 단계;
    얇은 층의 황동 미립자들로 코팅된 주입 몰드(pour mold) 내로 상기 용융된 납을 붓는 단계; 및
    상기 납을 잉곳(ingot)으로 고체화시킨 후에, 프레셔 롤러(pressure roller)로 상기 잉곳을 롤링하는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  47. 제46항에 있어서,
    상기 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하고;
    상기 워시액을 준비하는 단계는, 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 고속으로 혼합하고 걸러 내는 단계를 포함하고;
    상기 황동 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 9 Kg의 황동 미립자들을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 0.025 인치 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 2.3 Kg의 황철광 파우더를 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 구리 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 4.5 Kg의 구리 미립자들을 처리하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 워시액을 준비하는 단계는,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    황동 미립자들, 황철광 미립자들 및 구리 미립자들을 상기 아세톤 황동 혼합물에 혼합하는 단계; 및
    상기 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  49. 제48항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)을 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은, 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 가지며,
    상기 구리를 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 517 그램의 구리를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 구리는 상기 블렌더가 꺼진 후에 슬러리(slurry)가 표면에 형성되기 시작할 때까지 약 8분 동안 약 35 메시 또는 그보다 더 미세한 메시 사이즈를 갖는, 납 전극 형성 방법.
  50. 제46항에 있어서,
    프레셔 롤러로 상기 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳이 냉각될 때 프레셔 롤러로 상기 잉곳을 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  51. 제46항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳을 약 0.25 인치의 두께로 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  52. 제46항에 있어서,
    상기 잉곳을 최종 사이즈(finished size)로 커팅하는 단계를 더 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  53. 제52항에 있어서,
    상기 최종 사이즈는 약 3 피트 × 약 4피트인, 납 전극 형성 방법.
  54. 제46항에 있어서,
    일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 용융된 칼슘-주석 납 조성물(molten calcium-tin lead composition)을 제공하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  55. 전극용의 부스 바(bus bar) 및 행거 바(hanger bar) 중의 하나를 형성하는 방법으로서,
    한 가닥의 구리 튜빙(a length of copper tubing)을 제공하는 단계;
    상기 구리 튜빙의 제1 단부에 제1 플러그를 배치하는 단계;
    상기 구리 튜빙의 내부에 구리 스트립을 배치하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러내어 준비하는 단계;
    상기 워시액으로 황동 미립자들을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 자철석(magnetite)을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 자철석을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 황철광 미립자들을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 워시액으로 구리 미립자들을 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러내고 건조시켜서 처리된 구리 미립자들을 형성하는 단계;
    용융된 납에, 상기 처리된 황동 미립자들, 상기 처리된 자철석, 상기 처리된 황철광 미립자들 및 상기 처리된 구리 미립자들을 침투성 오일(penetrating oil)과 혼합하고 상기 침투성 오일로 코팅하여 충전용 혼합물(fill mixture)을 형성하는 단계;
    상기 충전용 혼합물로 상기 구리 튜빙을 채우는 단계; 및
    상기 구리 튜빙의 제2 단부에 제2 플러그를 배치하는 단계
    를 포함하는, 부스 바 또는 행거 바 형성 방법.
  56. 제55항에 있어서,
    상기 구리 튜빙 내에 구리 스트립을 배치하는 단계는, 상기 구리 튜빙 내의 2개의 스틸 스트립들 사이에 샌드위치된 구리 스트립을 배치하는 단계를 포함하는, 부스 바 또는 행거 바 형성 방법.
  57. 납 전극을 형성하는 방법으로서,
    용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계;
    상기 처리된 황동 미립자들, 및 상기 처리된 황철광 미립자들을 상기 용융된 납에 부가하는 단계;
    얇은 층의 황동 미립자들로 코팅된 주입 몰드(pour mold) 내로 상기 용융된 납을 붓는 단계; 및
    상기 납을 잉곳(ingot)으로 고체화시킨 후에, 프레셔 롤러(pressure roller)로 상기 잉곳을 롤링하는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  58. 제57항에 있어서,
    상기 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하고;
    상기 워시액을 준비하는 단계는, 아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 고속으로 혼합하고 걸러 내는 단계를 포함하고;
    상기 황동 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 11.25 Kg의 황동 미립자들을 처리하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광 미립자들을 처리하는 단계는, 약 635 Kg의 용융된 납 각각에 대해 약 0.025 인치 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 약 4.55 Kg의 황철광 파우더를 처리하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  59. 제57항에 있어서,
    상기 용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계는, 중량으로 약 0.46%의 용융된 은을 포함하는 일단의 용융된 납을 제공하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  60. 제58항에 있어서,
    상기 워시액을 준비하는 단계는,
    황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계;
    상기 아세톤 황동 혼합물에 황동 미립자들 및 황철광 미립자들을 혼합하는 단계; 및
    상기 액체를 남아 있는 고체 재료로부터 걸러 내는 단계
    를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  61. 제60항에 있어서,
    상기 황동 미립자들을 아세톤과 혼합하는 단계는, 상용 블렌더(commercial blender)에서 고속으로 약 10분 동안 또는 상기 블렌더가 멈췄을 때 상기 아세톤의 표면에 금색(gold color)이 나타날 때까지, 1 갤런의 아세톤 당 약 454 그램의 황동(약 100 메시 또는 그보다 더 미세함)를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계는, 약 5분 동안 고속으로, 1 갤런의 아세톤 당 약 1 그램의 다중 벽 탄소 나노튜브 재료를 혼합하는 단계를 포함하고;
    상기 황철광을 혼합하는 단계는, 1 갤런의 아세톤 당 약 33.5 그램의 황철광을 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 황철광은 고속으로 최소한 약 3분 동안 약 0.125 인치의 평균 그레인 사이즈를 갖는, 납 전극 형성 방법.
  62. 제57항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳이 냉각될 때 프레셔 롤러로 상기 잉곳을 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  63. 제57항에 있어서,
    상기 프레셔 롤러로 잉곳을 롤링하는 단계는, 상기 잉곳을 약 0.25 인치의 두께로 롤링하는 단계를 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  64. 제57항에 있어서,
    상기 잉곳을 최종 사이즈로 커팅하는 단계를 더 포함하는, 납 전극 형성 방법.
  65. 제64항에 있어서,
    상기 최종 사이즈는 약 3피트 × 약 4피트인, 납 전극 형성 방법.
  66. 보디 아머 플레이트(body-armor plate)를 제조하는 방법으로서,
    보디 아머 플레이트 몰드를 제공하는 단계;
    상기 보디 아머 플레이트 몰드에 황동 미립자들의 층을 배치하는 단계;
    상기 황동 미립자들의 층 위에 유리 충전 폴리머의 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 층 위에 황철광의 층을 배치하는 단계;
    상기 황철광의 층 위에 금속 시트를 배치하는 단계;
    상기 금속 시트 위에 황철광의 층을 배치하는 단계;
    상기 황철광의 층 위에 유리 충전 폴리머의 층을 배치하는 단계;
    상기 유리 충전 폴리머의 층 위에 황동 미립자들의 층을 배치하는 단계;
    상기 몰드 상에 커버를 배치하는 단계;
    상기 몰드를 가열하는 단계;
    상기 몰드를 프레스에 배치하는 단계
    를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  67. 제66항에 있어서,
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    아세톤, 황동 미립자들, 탄소 나노튜브 재료, 황철광 미립자들, 및 구리 미립자들을 포함하는 워시액을 고속으로 혼합하고 걸러 내어 준비하는 단계;
    황동 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황동 미립자들을 형성하는 단계;
    유리 충전 폴리머 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 유리 충전 폴리머 미립자들을 형성하는 단계; 및
    황철광 미립자들을 상기 워시액으로 처리하고, 상기 황동 미립자들을 걸러 내고 건조시켜서 처리된 황철광 미립자들을 형성하는 단계
    를 더 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  68. 제67항에 있어서,
    상기 보디 아머 플레이트 몰드에 처리된 황동 미립자들의 층을 배치하는 단계는, 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 황동 미립자들의 층을 약 0.03125인치의 깊이로 상기 몰드에 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  69. 제67항에 있어서,
    상기 황동 미립자들의 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머의 층을 배치하는 단계는, 처리된 유리 충전 폴리머의 층을 약 0.125인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  70. 제67항에 있어서,
    상기 처리된 유리 충전 폴리머의 층 위에 처리된 황철광의 층을 배치하는 단계는, 처리된 황철광의 층을 약 0.125인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  71. 제67항에 있어서,
    상기 처리된 황철광의 층 위에 금속 시트를 배치하는 단계는, 약 0.125인치의 두께를 갖는 티타늄과 약 0.0625인치의 두께를 갖는 탄소 스틸 중 하나로부터 형성되는 시트를 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  72. 제67항에 있어서,
    상기 금속 시트 위에 처리된 황철광의 층을 배치하는 단계는, 처리된 황철광의 층을 약 0.125인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  73. 제67항에 있어서,
    상기 처리된 황철광의 층 위에 처리된 유리 충전 폴리머의 층을 배치하는 단계는, 처리된 유리 충전 폴리머의 층을 약 0.125인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  74. 제67항에 있어서,
    상기 유리 충전 폴리머의 층 위에 처리된 황동 미립자들의 층을 배치하는 단계는, 약 100 메시 또는 그보다 더 미세한 크기를 갖는 황동 미립자들의 층을 약 0.03125인치의 깊이로 배치하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  75. 제67항에 있어서,
    상기 몰드를 가열하는 단계는, 상기 유리 충전 폴리머가 용융하기 시작할 때까지 상기 몰드를 가열하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
  76. 제67항에 있어서,
    상기 몰드를 프레스에 배치하는 단계는, 상기 몰드를 약 50-100톤 정격의 프레스에 배치하고 상기 재료가 약 140℉의 온도로 냉각될 때까지 상기 몰드 커버를 상기 몰드에 균일하게 프레싱하는 단계를 포함하는, 보디 아머 플레이트 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180012774A (ko) * 2015-05-13 2018-02-06 아쿠아 메탈스 인크. 전착된 납 조성물, 제조 방법 및 용도

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767121B2 (en) 2008-11-10 2010-08-03 Kryron Global, Llc Solid composition having enhanced physical and electrical properties
US8375840B2 (en) 2009-11-06 2013-02-19 Kryron Global, Llc Ballistic strike plate and assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790406A (en) * 1971-12-23 1974-02-05 K Igarashi Method of treating non-conducting and poorly conducting film
US5260018A (en) * 1990-10-10 1993-11-09 Eta Sa Fabriques D'ebauches Conglomerate metallic material
US20040018375A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-29 Koji Banno Transparent electromagnetic wave-shielding laminate for display, process for producing same and display unit
WO2006135735A2 (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Cima Nano Tech Israel Ltd. Enhanced transparent conductive coatings and methods for making them

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1476055A (en) * 1975-03-05 1977-06-10 Imp Metal Ind Kynoch Ltd Eletro-winning metals
JPS5976453A (ja) * 1982-10-19 1984-05-01 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材
US4877647A (en) * 1986-04-17 1989-10-31 Kansas State University Research Foundation Method of coating substrates with solvated clusters of metal particles
US5480706A (en) * 1991-09-05 1996-01-02 Alliedsignal Inc. Fire resistant ballistic resistant composite armor
JP3411353B2 (ja) * 1993-12-14 2003-05-26 大豊工業株式会社 摺動材料
AUPN191395A0 (en) * 1995-03-22 1995-04-27 M.I.M. Holdings Limited Atmospheric mineral leaching process
US20040112486A1 (en) * 1996-03-01 2004-06-17 Aust Karl T. Thermo-mechanical treated lead and lead alloys especially for current collectors and connectors in lead-acid batteries
EP0795918A3 (en) * 1996-03-12 2000-08-23 Lucent Technologies Inc. lead-acid battery with electrode structure, and method of making same
JPH1096087A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Suzuki Motor Corp 表面改質アルミニウム部材及びそれを用いた内燃機関用シリンダー
US6245989B1 (en) * 1996-10-28 2001-06-12 Arb Power Systems Ab Land electrode for a high voltage direct current transmission system
US20060248982A1 (en) * 2001-02-20 2006-11-09 Nanoproducts Corp. Nanomaterials manufacturing methods and products thereof
CA2459410A1 (en) * 2001-09-06 2003-03-20 Rosseter Holdings Ltd Apparatus and method for nanoparticle and nanotube production, and use therefor for gas storage
US20030066677A1 (en) * 2001-10-05 2003-04-10 Hans-Walter Hustadt Busbar system for lights
FI114925B (fi) * 2002-11-07 2005-01-31 Outokumpu Oy Menetelmä hyvän kontaktipinnan aikaansaamiseksi elektrolyysialtaan virtakiskoon ja virtakisko
DE10300751A1 (de) * 2003-01-11 2004-07-22 Chemetall Gmbh Verfahren zur Beschichtung von metallischen Oberflächen, Beschichtungszusammensetzung und derart hergestellte Überzüge
US20060065543A1 (en) * 2003-02-18 2006-03-30 Susumu Arai Metal particles and method for producing same
JP2005015827A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Toshiba Corp アルミニウム摺動部材およびその製造方法
JP4757460B2 (ja) * 2004-07-28 2011-08-24 大豊工業株式会社 耐焼付性に優れたＰｂフリー銅合金複合摺動材
JP4613550B2 (ja) * 2004-08-26 2011-01-19 新神戸電機株式会社 鉛蓄電池集電体及び鉛蓄電池
US20060284338A1 (en) * 2005-01-24 2006-12-21 The Brown Idea Group, Llc Ballistics panel, structure, and associated methods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3790406A (en) * 1971-12-23 1974-02-05 K Igarashi Method of treating non-conducting and poorly conducting film
US5260018A (en) * 1990-10-10 1993-11-09 Eta Sa Fabriques D'ebauches Conglomerate metallic material
US20040018375A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-29 Koji Banno Transparent electromagnetic wave-shielding laminate for display, process for producing same and display unit
WO2006135735A2 (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Cima Nano Tech Israel Ltd. Enhanced transparent conductive coatings and methods for making them

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180012774A (ko) * 2015-05-13 2018-02-06 아쿠아 메탈스 인크. 전착된 납 조성물, 제조 방법 및 용도

Also Published As

Publication number Publication date
EP2376250A4 (en) 2017-06-28
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