KR20110100698A - Processing chamber and apparatus for manufacturing semiconductor including the same - Google Patents

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KR20110100698A
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이명진
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

본 발명은 기판 상에 재료를 증착하는 공정 챔버의 개폐 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 지지대가 내부에 구비된 바디; 상기 바디의 측면에 구비되고, 상기 바디로부터 기설정된 폭만큼 돌출된 기판 출입부; 및 상기 기판 출입부와 면접하여 상기 바디를 개폐하는 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버를 제공한다.
따라서, 챔버의 기판 출입부가 돌출된 구조로 형성되고 밸브 하우징이 기판 출입부를 감싸며 블레이드가 기판 출입부의 돌출된 구조를 완전히 밀봉하여, 챔버가 완전히 진공인 상태에서 기판 상에 재료의 증착 공정이 이루어져서 재료의 이상 증착이나 이상 방전 및 그에 따른 파우더의 적체가 감소된다.The present invention relates to an opening and closing apparatus of a process chamber for depositing a material on a substrate.
The present invention includes a body having a substrate support provided therein; A substrate access part provided on a side surface of the body and protruding from the body by a predetermined width; And a valve which opens and closes the body by interviewing the substrate entrance and exit.
Therefore, the substrate entrance of the chamber is formed into a protruding structure, the valve housing surrounds the substrate entrance, and the blade completely seals the protruding structure of the substrate entrance, so that the deposition process of the material on the substrate is performed while the chamber is completely vacuum. Abnormal deposition of or abnormal discharge and hence the accumulation of powder are reduced.

Description

공정 챔버 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치{Processing chamber and apparatus for manufacturing semiconductor including the same}Process chamber and apparatus for manufacturing semiconductor including the same

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 상에 재료를 증착하는 공정 챔버의 개폐 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an opening and closing apparatus of a process chamber for depositing a material on a substrate.

통상적으로 반도체소자, 평면표시장치, 태양전지 등을 제조하기 위하여 웨이퍼(wafer) 또는 글래스(glass)에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 및 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각 (etching) 공정 등이 필요하다.In general, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a wafer or glass to manufacture a semiconductor device, a flat panel display device, a solar cell, or the like, or using a photosensitive material to expose or select a selected region of the thin film. There is a need for a photolithography process for concealment and an etching process for removing a thin film of a selected region and patterning it as desired.

여기서, 상술한 공정 중 대부분은 기판의 오염을 방지하기 위하여 진공 상태의 공정 챔버의 내부에서 진행된다.Here, most of the processes described above are performed in the vacuum process chamber in order to prevent contamination of the substrate.

그리고, 반도체 제조 장치는 각각 진공 상태로 개폐할 수 있는 공정 챔버 외에, 다수의 인접한 챔버들을 포함하고 있다. 따라서, 공정 챔버들 사이에 기판(웨이퍼 또는 글래스)을 이송하기 위한 밸브가 구비되어 있다. 그리고, 상기 밸브는 선택적으로 개방 또는 폐쇄되어 상술한 공정 챔버들을 개폐할 수 있다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus includes a plurality of adjacent chambers, in addition to a process chamber that can be opened and closed in a vacuum state, respectively. Thus, a valve is provided for transferring the substrate (wafer or glass) between the process chambers. The valve may be selectively opened or closed to open and close the above-described process chambers.

여기서, 통상의 공정 챔버는 바디와 상기 바디의 상부를 밀폐하는 챔버 리드를 포함하여 이루어진다. 그리고, 상기 바디의 내부에는 기판을 지지하는 기판 지지대가 구비되고, 상기 바디의 측면에는 기판 출입부가 형성되어 다른 공정 챔버와의 기판의 출입이 가능하다.In this case, the conventional process chamber includes a body and a chamber lid for sealing an upper portion of the body. In addition, a substrate support for supporting a substrate is provided in the body, and a substrate access part is formed at a side of the body to allow the substrate to enter and exit the other process chamber.

이때, 상기 기판 출입부에는 기판 출입통로를 개폐하는 밸브가 구비된다. 즉, 공정 챔버 내로부터 기판을 출입할 때에는 기판 출입부가 열려야 하나, 기판의 진공 증착 등의 공정에서는 기판 출입부가 밀폐되어야 하므로 밸브가 필요하다.At this time, the substrate access portion is provided with a valve for opening and closing the substrate access passage. That is, the substrate entrance part must be opened when entering and leaving the substrate from the process chamber, but the valve is necessary because the substrate entrance part must be sealed in a process such as vacuum deposition of the substrate.

여기서, 상기 기판 출입부와 밸브 간에 완전한 실링(sealing)이 이루어지지 않으면, 공정 챔버의 진공이 제대로 유지되지 않아서 고정 챔버 내로 이물질이 스며들고 기판 상에 이상 증착 내지 이상 방전을 초래할 수 있다.In this case, if a complete sealing is not performed between the substrate entrance and the valve, the vacuum of the process chamber may not be maintained properly, and foreign matter may enter the fixed chamber and cause abnormal deposition or abnormal discharge on the substrate.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 밸브가 기판 출입부를 완전히 밀봉할 수 있는 공정 챔버 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a process chamber capable of completely sealing a substrate entrance and a semiconductor manufacturing apparatus including the same.

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 기판 지지대가 내부에 구비된 바디; 상기 바디의 측면에 구비되고, 상기 바디로부터 기설정된 폭만큼 돌출된 기판 출입부; 및 상기 기판 출입부와 면접하여 상기 바디를 개폐하는 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention is a substrate support body provided therein; A substrate access part provided on a side surface of the body and protruding from the body by a predetermined width; And a valve which opens and closes the body by interviewing the substrate entrance and exit.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 기판 지지대가 내부에 구비되고, 측면에 기설정된 폭만큼 돌출된 기판 출입부가 형성된 공정챔버 바디; 상기 기판 출입부와 면접하여 상기 바디를 개폐하는 밸브; 및 상기 밸브와 면접하고, 내부에 기판 이송 장치가 구비되며, 상기 기판 출입부와 동일한 높이에 개구부가 형성된 이송 챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.According to another embodiment of the present invention, a substrate support is provided therein, the process chamber body is formed on the side protruding substrate protruding by a predetermined width; A valve which opens and closes the body in interview with the substrate entrance; And a transfer chamber interviewed with the valve and provided with a substrate transfer device, the transfer chamber having an opening formed at the same height as the substrate entrance and exit portion.

여기서, 상기 밸브는 밸브 하우징과 블레이드를 포함하여 이루어지고, 상기 블레이드가 상기 기판 출입부와 면접할 수 있다.The valve may include a valve housing and a blade, and the blade may interview the substrate entrance.

그리고, 상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 수직 방향으로 이동하여 상기 기판 출입부를 개폐할 수 있다.The blade may move in a vertical direction with respect to the substrate access part to open and close the substrate access part.

그리고, 상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 나란한 방향으로 이동하여 상기 출입부를 압착할 수 있다.The blade may move in parallel with the substrate access part to compress the access part.

그리고, 상기 블레이드는 상기 기판 출입부와 면접하는 부위에 구비된 오링을 더 포함할 수 있다.The blade may further include an O-ring provided at a portion where the blade is in contact with the substrate entrance.

그리고, 상기 밸브 하우징은 측면에 개구부가 형성되고, 상기 개구부 내에 상기 기판 출입부가 삽입될 수 있다.In addition, an opening may be formed at a side of the valve housing, and the substrate access part may be inserted into the opening.

그리고, 상기 개구부의 두께와 상기 기판 출입부의 두께와 동일할 수 있다.The thickness of the opening may be the same as the thickness of the substrate access part.

그리고, 상기 개구부의 두께는 상기 기판 출입부의 두께보다 두꺼울 수 있다.In addition, the thickness of the opening may be thicker than the thickness of the substrate entrance part.

그리고, 상기 밸브 하우징의 두께는 상기 기판 출입부의 두께와 상기 블레이드의 두께의 합과 동일한 것을 특징으로 The thickness of the valve housing is equal to the sum of the thickness of the substrate entrance and the thickness of the blade.

그리고, 상기 밸브의 상단에는 보강재가 구비되어 상기 밸브 및/또는 상기 기판 출입부에 가해지는 하중을 지지한다.In addition, a reinforcement is provided at an upper end of the valve to support a load applied to the valve and / or the substrate entrance.

그리고, 상기 기판 출입부는 상기 바디로부터 20~30 밀리미터(mm) 돌출될 수 있다.In addition, the substrate access part may protrude from 20 to 30 millimeters (mm) from the body.

그리고, 상기 밸브 하우징은 상기 공정챔버 바디와 상기 이송 챔버에 대향하는 면들에 각각 1개의 개구부가 형성되고, 상기 공정챔버 바디와 대향하는 면에 형성된 개구부 내에 상기 기판 출입부가 삽입될 수 있다.In addition, the valve housing may have one opening in each of the surfaces facing the process chamber body and the transfer chamber, and the substrate entrance may be inserted into the opening formed in the surface facing the process chamber body.

그리고, 상기 이송 챔버와 대향하는 면에 형성된 개구부는 상기 이송 챔버에 형성된 개구부와 개구면이 일치할 수 있다.The opening formed in the surface facing the transfer chamber may coincide with the opening formed in the transfer chamber.

상술한 본 발명에 따른 공정 챔버 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치의 효과를 설명하면 다음과 같다.The effects of the process chamber and the semiconductor manufacturing apparatus including the same according to the present invention described above are as follows.

첫째, 챔버의 기판 출입부가 돌출된 구조로 형성되고 밸브 하우징이 기판 출입부를 감싸며 블레이드가 기판 출입부의 돌출된 구조를 완전히 밀봉한다.First, the substrate entrance of the chamber is formed in a protruding structure, the valve housing surrounds the substrate entrance, and the blade completely seals the protruding structure of the substrate entrance.

둘째, 진공 챔버가 완전히 진공인 상태에서 기판 상에 재료의 증착 공정이 이루어져서, 재료의 이상 증착이나 이상 방전 및 그에 따른 파우더의 적체가 감소된다.Secondly, the deposition process of the material is carried out on the substrate while the vacuum chamber is in full vacuum, thereby reducing abnormal deposition or abnormal discharge of the material and thus accumulation of powder.

셋째, 공정 챔버의 바디에서 기판 출입부가 소정 간격 돌출되므로, 챔버의 내부 공간을 감소시킬 수 있다.Third, since the substrate entrance portion protrudes a predetermined distance from the body of the process chamber, it is possible to reduce the internal space of the chamber.

넷째, 밸브 상부에 보강재가 구비되어, 공정 챔버의 바디에서 돌출된 기판 출입부에 가해지는 하중을 지지할 수 있다.Fourth, the reinforcing member is provided on the upper portion of the valve to support the load applied to the substrate entrance and exit portion protruding from the body of the process chamber.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 밸브의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 밸브의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 3a는 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 3b는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 구성을 나타낸 도면이고,
도 3c는 도 3a의 공정 챔버에서 기판 출입부의 구성을 나타낸 도면이고,
도 4a 및 도 4b는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 구성의 다른 실시예들을 나타낸 도면이고,
도 5는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.1a and 1b is a view showing an embodiment of a valve according to the present invention,
2a and 2b are views showing another embodiment of the valve according to the present invention,
Figure 3a is a view showing an embodiment of a process chamber according to the present invention,
3B is a view showing the configuration of a portion A in the process chamber of FIG. 3A,
3C is a view showing a configuration of a substrate entrance and exit unit in the process chamber of FIG. 3A;
4A and 4B are views showing other embodiments of the configuration of part A in the process chamber of FIG. 3A, and
5 is a view showing another embodiment of a portion A in the process chamber of FIG. 3A,
6 is a view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 밸브의 일실시예들을 나타낸 도면이다. 이하에서 도 1a 및 도 1b를 참조하여 본 발명에 따른 밸브의 일실시예를 설명한다.1A and 1B illustrate one embodiment of a valve according to the present invention. Hereinafter, an embodiment of a valve according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1A and 1B.

도 1a 도시된 바와 같이 밸브(100)는 밸브 하우징(110)과, 상기 밸브하우징(110)의 내부에서 이동하면서 상기 밸브 하우징(110) 상의 개구부(120)를 개폐하는 블레이드(130)를 포함하여 이루어진다.Figure 1a illustrated the valve 100 as described, including a valve housing 110, a blade 130 for opening and closing the opening portion 120 on the valve housing 110, while moving in the interior of the valve housing (110) Is done.

여기서, 개구부(120)는 기판의 출입을 위한 것으로서 통상 160 밀리미터(mm)의 두께를 가지며, 120~200 밀리미터의 두께를 가지면 충분하다Here, the opening 120 is for entering and exiting the substrate, and usually has a thickness of 160 millimeters (mm), and it is sufficient to have a thickness of 120 to 200 millimeters.

여기서, 상기 밸브 하우징(110)의 하부에는 상기 블레이드(130)를 이동시키는 구동 유닛(140)이 구비되고, 상기 구동 유닛(140)의 구동축(145)이 밸브 하우징(110)을 관통하여 상기 블레이드(130)에 연결된다.Here, the lower portion of the valve housing 110 is provided with a drive unit 140 for moving the blade 130, the drive shaft 145 of the drive unit 140 penetrates through the valve housing 110 to the blade 130 is connected.

여기서, 상기 블레이드(130)의 수직 방향의 크기는 상기 개구부(120)의 크기보다 크다. 이때, '수직' 방향이라 함은 상기 블레이드(130)의 이동 방향과 나란한 방향을 의미한다.Here, the size of the blade 130 in the vertical direction is larger than the size of the opening 120. In this case, the term “vertical” refers to a direction parallel to the moving direction of the blade 130.

또한, 상기 블레이드(130)가 상기 밸브 하우징(110)과 접촉하는 면에는 오링(O-ring, 135)이 구비되어, 상기 개구부(120)를 완전히 밀폐할 수 있도록 한다. 여기서, 상기 오링(135)은 상기 개구부(120)의 측면부를 둘러싸고 형성될 수 있다.In addition, an O-ring 135 is provided on a surface of the blade 130 in contact with the valve housing 110 to completely seal the opening 120. Here, the O-ring 135 may be formed surrounding the side portion of the opening 120.

이때, 상기 오링(135)은 실링을 위한 오링 외에 전도성 오링이 별개로 구비될 수도 있다.At this time, the O-ring 135 may be provided with a conductive O-ring in addition to the O-ring for sealing.

도 1b는 도 1a와는 달리 밀봉된 상태의 밸브(100)를 도시하고 있다. 즉, 구동 유닛(140)에 의하여 블레이드(130)가 하강하여 상기 개구부(120)를 오픈(open)한 상태를 나타내고 있다.FIG. 1B shows the valve 100 in a sealed state unlike FIG. 1A. That is, the blade 130 is lowered by the driving unit 140 to open the opening 120.

도 1a와 1b에서 밸브 하우징(110)의 서로 대향하는 면에 개구부(120)가 도시되어 있으나, 그 중 하나의 개구부(120)와 대응하여서만 블레이드(130)가 구비되어 있다.In FIGS. 1A and 1B, openings 120 are shown on opposite surfaces of the valve housing 110, but blades 130 are provided only corresponding to one of the openings 120.

이는 후술하는 바와 같이 블레이드(130)가 개구부(120)를 밀봉하는 방향에는 진공 챔버가 구비되고, 블레이드가 형성되지 않은 방향의 개구부는 이송 챔버가 면접하기 때문이다. 즉, 밸브의 양 방향에 진공 챔버가 구비되면, 상기 밸브의 양 방향 모두에 블레이드가 형성될 수 있을 것이다.This is because the vacuum chamber is provided in the direction in which the blade 130 seals the opening 120 as described below, and the transfer chamber is interviewed for the opening in the direction in which the blade is not formed. That is, when the vacuum chamber is provided in both directions of the valve, blades may be formed in both directions of the valve.

도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 밸브의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 2a 및 2b를 참조하여 본 발명에 따른 밸브의 다른 실시예를 설명한다.2a and 2b show another embodiment of a valve according to the invention. In the following, another embodiment of a valve according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

본 실시예는 기본적으로 도 1a 및 1b에 도시된 실시예와 동일하나, 블레이드(130)의 크기가 상이하다. 즉, 본 실시예에서 블레이드(130)의 수직 방향의 크기는 상기 개구부(120)의 크기와 동일하다. 이때, '수직' 방향이라 함은 상기 블레이드(130)의 이동 방향과 나란한 방향을 의미한다.This embodiment is basically the same as the embodiment shown in Figures 1a and 1b, but the size of the blade 130 is different. That is, in this embodiment, the size of the blade 130 in the vertical direction is the same as the size of the opening 120. In this case, the term “vertical” refers to a direction parallel to the moving direction of the blade 130.

그리고, 상기 블레이드(130)의 크기가 상기 개구보(120)의 폭보다 더 작게 형성되어서는 아니되며, 이유는 도 3a 등에 도시된 바와 같이 기판 출입부와 밀봉되기 위함이다.In addition, the size of the blade 130 should not be smaller than the width of the opening beam 120, the reason is to be sealed with the substrate entrance as shown in Figure 3a.

또한, 상기 블레이드(130)가 상기 개구부(120)와 접촉하는 면에는 오링(135)이 구비되어, 상기 개구부(120)를 완전히 밀폐할 수 있도록 한다. 여기서, 상기 오링(135)은 상기 개구부(120)의 측면부를 둘러싸고 형성될 수 있다.In addition, an O-ring 135 is provided on the surface where the blade 130 is in contact with the opening 120 to completely seal the opening 120. Here, the O-ring 135 may be formed surrounding the side portion of the opening 120.

상술한 실시예들에서 블레이드(130)는 수직 방향으로만 이동하게 구비되어 있으나, 수평 방향으로 이동할 수 있도록 구비될 수도 있다. 이때, 상기 구동 유닛(140)과 별개의 제 2 구동 유닛(도시되지 않음)이 구비되어, 수평 방향의 이동을 구동할 수도 잇다.In the above-described embodiments, the blade 130 is provided to move only in the vertical direction, but may also be provided to move in the horizontal direction. In this case, a second driving unit (not shown) separate from the driving unit 140 may be provided to drive the movement in the horizontal direction.

여기서, 블레이드(130)가 수직 이동 외에 수평 방향의 이동을 하면, 하기의 기판 출입부(215)를 압착하여 공정 챔버의 밀봉을 극대화할 수 있다.In this case, when the blade 130 moves in a horizontal direction in addition to the vertical movement, the sealing of the process chamber may be maximized by compressing the substrate entrance and exit portions 215 below.

도 3a는 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 구성을 나타낸 도면이고, 도 3c는 도 3a의 공정 챔버에서 기판 출입부의 구성을 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여 본 발명에 따른 공정 챔버의 일실시예를 설명한다.Figure 3a is a view showing an embodiment of a process chamber according to the present invention, Figure 3b is a view showing the configuration of the portion A in the process chamber of Figure 3a, Figure 3c is a configuration of the substrate entrance in the process chamber of Figure 3a The figure shown. Hereinafter, an embodiment of a process chamber according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3C.

본 실시예에 따른 공정 챔버는 반도체소자, 평면표시장치, 태양전지 등을 제조하기 위한 것이며, 주로 기판 상에 특정 재료를 박막으로 증착하는데 사용된다.The process chamber according to the present embodiment is for manufacturing a semiconductor device, a flat panel display, a solar cell, and the like, and is mainly used for depositing a specific material as a thin film on a substrate.

도시된 바와 같이, 공정 챔버는 바디(200)와 밸브(100)가 면접하여 이루어지며, 밸브(100)의 구성은 상술한 실시예들과 같다.As shown, the process chamber is made by the body 200 and the valve 100 in an interview, the configuration of the valve 100 is the same as the above-described embodiments.

바디(200)는 프레임(210)과 상기 프레임(210)의 상부를 밀폐하는 챔버리드(220)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 프레임(210)은 알루미늄 등으로 제조되는데, 단일 알루미늄 블록을 절삭 가공하여 제조하거나 바닥판과 다수의 측판을 용접하여 제조하거나 또는 바닥판과 다수 측판의 경계면에 오링(225) 등을 개재한 후에 볼트로 결합하여 제조할 수도 있다. 이때, 오링(225) 또는 볼트를 통한 결합은 바디(200) 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 것임은 당연하다. The body 200 includes a frame 210 and a chamber lead 220 sealing the upper portion of the frame 210. Here, the frame 210 is made of aluminum or the like, manufactured by cutting a single aluminum block or by welding the bottom plate and the plurality of side plates or through the O-ring 225 or the like on the interface between the bottom plate and the plurality of side plates. It can also be manufactured by bolting. At this time, the coupling through the O-ring 225 or the bolt is of course to form the inside of the body 200 in a vacuum state.

그리고, 상기 챔버 리드(220)도 상기 프레임(210)과 동일한 재질로 이루어질 수 있으며, 후술하는 바와 같이 RF(Radio frequency) 전원이 연결되어 RF 전극의 역할도 수행할 수 있다 .In addition, the chamber lead 220 may also be made of the same material as the frame 210, and as described later, an RF (Radio frequency) power source may be connected to serve as an RF electrode.

그리고, 상기 프레임(210)의 내부에는 기판(S)을 지지하는 기판지지대(230)이 구비되어 있고, 프레임(210)의 일측면에는 기판출입부(215)가 형성되어 있다.In addition, a substrate support 230 supporting the substrate S is provided in the frame 210, and a substrate access part 215 is formed at one side of the frame 210.

그리고, 상기 기판 출입부(215)는 상기 프레임(210)으로부터 기설정된 폭 만큼 돌출되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 기판 출입부(215)는 상기 프레임(210)으로부터 20~30 밀리미터(mm) 돌출될 수 있다.In addition, the substrate access part 215 may protrude from the frame 210 by a predetermined width. Here, the substrate access portion 215 may protrude from 20 to 30 millimeters (mm) from the frame 210.

즉, 기판 출입부(215)가 바디(200)에서 20~30 밀리미터 돌출되는데, 20 밀리미터 이하로 돌출되면 후술하는 바와 같은 공정 챔버의 공간 감소 효과를 충분히 기대하기 어려우며, 30 밀리미터 이상으로 돌출되면 밸브 하우징(110)의 두께와 관련하여 기판 출입부(215)가 너무 돌출된 형상이 될 수 있다.That is, the substrate entrance portion 215 protrudes 20 to 30 millimeters from the body 200. If the substrate entry part 215 protrudes below 20 millimeters, it is difficult to sufficiently expect the space reduction effect of the process chamber as described below. Regarding the thickness of the housing 110, the substrate entrance 215 may be protruded too much.

그리고, 후술할 실시예에서 밸브 하우징(110)이 체결부를 통하여 결합되면, 밸브 하우징(110)의 두께는 나사 등의 체결부(114)와, 상술한 오링들을 수용할 수 있기에 충분한 두께이어야 함도 당연하다.In addition, when the valve housing 110 is coupled through the fastening part in an embodiment to be described later, the thickness of the valve housing 110 should be a thickness sufficient to accommodate the fastening part 114 such as a screw and the above-described O-rings. Of course.

그리고, 상기 기판 출입부(215)와 면접하여 밸브(100)가 구비되어, 상기 바디(200)를 개폐한다.In addition, the valve 100 is provided in interview with the substrate access part 215 to open and close the body 200.

즉, 도시된 바와 같이 프레임(210)의 일면과 상기 밸브 하우징(110)의 일면이 면접하고 형성된다. 그리고, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 프레임(210)의 일면에서 돌출되어 기판 출입부(215)가 형성되며, 도 3b에 도시된 바와 같이 밸브 하우징(110)이 상기 기판 출입부(215)를 둘러싸고 구비된다.That is, as shown, one surface of the frame 210 and one surface of the valve housing 110 are interviewed and formed. Further, the above projecting from one side of the frame 210 is formed with a substrate entry portion 215, the valve housing 110, the substrate mouth portion 215 as shown in Figure 3b, as shown in Figure 3c It is provided surrounding.

즉, 상술한 밸브의 일실시예들에서 밸브 하우징(110)에 형성된 개구부(120) 내에 기판 출입부(214)가 삽입된 형상이다.That is, in the above-described embodiments of the valve, the substrate entry part 214 is inserted into the opening 120 formed in the valve housing 110.

그리고, 밸브(100)의 구체적인 구성은 상술한 실시예들과 동일하다. 즉, 밸브(100)는 밸브 하우징(110)과, 상기 밸브하우징(110)의 내부에서 이동하면서 상기 기판 출입부(215)를 개폐하는 블레이드(130)를 포함하여 이루어진다.In addition, the specific configuration of the valve 100 is the same as the above-described embodiments. That is, the valve 100 includes a valve housing 110 and a blade 130 that opens and closes the substrate access part 215 while moving inside the valve housing 110.

그리고, 상기 밸브 하우징(110)의 하부에는 상기 블레이드(130)를 이동시키는 구동 유닛(140)이 구비되고, 상기 구동 유닛(140)의 구동축(145)이 밸브 하우징(110)을 관통하여 상기 블레이드(130)에 연결된다.And, through the drive shaft 145. The valve housing 110 of the valve housing lower portion (110) is provided with a driving unit 140 for moving the blades 130, the driving unit 140, the blade 130 is connected.

여기서, 상기 블레이드(130)의 수직 방향의 크기는 상기 개구부(120)의 크기와 동일하며, '수직' 방향이라 함은 상기 블레이드(130)의 이동 방향과 나란한 방향을 의미한다.Here, the size of the vertical direction of the blade 130 is the same as the size of the opening 120, the 'vertical' direction means a direction parallel to the moving direction of the blade 130.

또한, 상기 블레이드(130)가 상기 기판 출입부(215)와 접촉하는 면에는 오링(135)이 상기 기판 출입부(215)를 둘러싸고 형성되어, 상기 기판 출입부(215)와 완전히 밀봉되며 상기 바디(200)를 밀폐할 수 있도록 한다.Further, the blade 130 is the substrate the mouth portion 215, the o-rings 135 surface in contact with the formation surrounding the substrate mouth portion 215, the substrate mouth portion 215 and completely sealed, and the body (200) to be sealed.

여기서, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 블레이드(130)가 수직 방향으로 하강하면, 상기 기판 출입부(215)가 오픈됨도 당연하다. 그리고, 도 3a에서는 상기 밸브(100)의 한쪽 면에만 바디(200)가 형성되어 있는데, 상기 밸브(100)의 양 방향에 바디(200)가 구비되면, 상기 밸브(100)의 양 방향 모두에 블레이드(130)가 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 2B, when the blade 130 descends in the vertical direction, the substrate entrance 215 may be opened. In addition, in FIG. 3A, the body 200 is formed on only one surface of the valve 100. When the body 200 is provided in both directions of the valve 100, the body 200 may be disposed in both directions of the valve 100. The blade 130 may be formed.

그리고, 프레임(210)의 하부에는 가스 분배판(250)이 결합되고, 중앙부에는 가스 공급관(260)이 관통하여 설치된다. 또한, 챔버리드(220)의 중앙부에는 RF 전력을 공급하는 RF전원(270)이 연결된다.In addition, a gas distribution plate 250 is coupled to a lower portion of the frame 210, and a gas supply pipe 260 penetrates the central portion. In addition, an RF power source 270 for supplying RF power is connected to a central portion of the chamber lead 220.

상술한 구조의 공정 챔버의 바디(200) 내부에 기판(S)을 안치한 후에, 가스분배판(250)을 통해 원료물질을 분사하고 챔버리드(220)에 RF전력을 인가하면, 이온과 활성종의 혼합체인 플라즈마가 발생하며, 이온 또는 활성종이 기판(S)에 입사함으로써 박막증착 또는 식각 등의 공정이 진행된다.After placing the substrate (S) in the body 200 of the process chamber of the above-described structure, by spraying the raw material through the gas distribution plate 250 and applying RF power to the chamber lead 220, ions and active species Plasma, which is a mixture of, is generated, and processes such as thin film deposition or etching are performed by the ion or active species incident on the substrate (S).

그리고, 원료물질이나 식각부산물 등(이하 '잔류물질')은 기판(S)의 주변부를 거쳐 기판안치대(240)의 하부로 유동하여 배기구를 통해 배출된다. In addition, raw materials or etching by-products (hereinafter, 'residual materials') flow through the periphery of the substrate S to the lower portion of the substrate stabilizer 240 and are discharged through the exhaust port.

이때, 도 3b에 도시된 바와 같이 기판 출입부(215)가 프레임(210)으로부터 기설정된 거리만큼 돌출되고, 블레이드(130)가 오링(135)과 함께 상기 기판 출입부(215)를 밀봉하므로 바디(200) 내의 진공 상태를 완전히 유지할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 3B, the substrate entry part 215 protrudes from the frame 210 by a predetermined distance, and the blade 130 seals the substrate entrance part 215 together with the O-ring 135. The vacuum in 200 can be maintained completely.

따라서, 진공 챔버 내부의 재료의 이상 증착이나 이상 방전 및 그에 따른 파우더(powder)의 적체가 감소됨을 예상할 수 있다.Thus, it can be expected that the abnormal deposition or abnormal discharge of the material inside the vacuum chamber and hence the accumulation of powder are reduced.

도 3a에 도시된 실시예에서 블레이드(130)의 수직 방향의 크기가 개구부 및 기판 출입부(215)의 크기와 일치하나, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 블레이드(130)의 수직 방향의 크기가 상기 개구부(120)의 크기보다 크게 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 기판 출입부(215)의 크기는 기판 출입부(215)의 내부 공간이 아니라 돌출된 부분까지 포함하는 크기를 뜻하면, 다른 실시예들에서도 동일하다.In the embodiment shown in FIG. 3A, the vertical size of the blade 130 coincides with the size of the opening and the substrate entrance 215, but as shown in FIGS. 1A and 1B, the vertical direction of the blade 130 is illustrated. The size of may be provided larger than the size of the opening 120. Here, the size of the substrate access unit 215 means the size including not only the inner space of the substrate access unit 215 but also the protruding portion, the same in other embodiments.

도 4a 및 도 4b는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 구성의 다른 실시예들을 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 본 발명에 따른 공정 챔버의 다른 실시예들을 설명한다.4A and 4B show other embodiments of the configuration of part A in the process chamber of FIG. 3A. Hereinafter, other embodiments of the process chamber according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.

본 실시예들은 밸브 하우징(110) 내의 개구부에 블레이드(130)가 일부 또는 전부가 삽입되어 기판 출입부(215)와 면접하는 구조이다.In the present exemplary embodiment, the blade 130 is partially or entirely inserted into the opening in the valve housing 110 so as to interview the substrate access part 215.

도 4a에 도시된 실시예에서, 상기 밸브 하우징(110)의 두께는 상기 기판 출입부(215)의 두께보다 크다. 따라서, 상기 기판 출입부(215) 전체를 상기 밸브 하우징(110)이 감싸고 있으며, 상기 블레이드(130)의 일부도 상기 밸브 하우징(110) 내에 삽입되어 있다. 즉, 도 3a에 도시된 실시예에서는 밸브 하우징(100)의 두께와 기판 출입부(215)의 두께가 동일하나, 본 실시예에서는 그러하지 아니하다.In the embodiment shown in FIG. 4A, the thickness of the valve housing 110 is greater than the thickness of the substrate entrance 215. Therefore, the valve housing 110 surrounds the entire board entrance and exit part 215, and a part of the blade 130 is also inserted into the valve housing 110. That is, in the embodiment shown in Figure 3a, the thickness of the valve housing 100 and the thickness of the substrate access portion 215 is the same, but this is not the case.

그리고, 도 4b에 도시된 실시예에서, 밸브 하우징(110)의 두께가 상기 기판 출입부(215)의 두께와 상기 블레이드(130)의 두께의 합과 동일하다. 즉, 상기 기판 출입부(215) 및 블레이딩(13) 전체가 상기 밸브 하우징(110) 내에 삽입된 구조이다.And, in the embodiment shown in Figure 4b, the thickness of the valve housing 110 is equal to the sum of the thickness of the substrate entrance 215 and the thickness of the blade 130. That is, the substrate entrance part 215 and the bladder 13 as a whole are inserted into the valve housing 110.

그리고, 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예들에서는 상기 블레이드(130)가 상기 기판 출입부(215)와 면접하고 밀봉되려면, 밸브 하우징(110) 내에서 수직 방향의 운동 및 수평 방향의 구동 장치를 갖고 이동하여야 함은 당연하다. 밸브 하우징(130)이 수직 방향으로 이동하여 기판 출입부(215)와 면접하는 외에, 수평 방향으로 이동하여 상기 기판 출입부(215)와 압착하여, 공정 챔버를 완전히 밀봉할 수 있다.Further, the embodiments in the blade 130 is the substrate to become an interview with the mouth portion 215 and the sealing, the valve housing 110, drive device for the vertical movement and the horizontal direction in the shown in Fig. 4a and 4b It is natural to move with. The valve housing 130 may move in the vertical direction to interview the substrate inlet 215, and may move in the horizontal direction to compress the substrate inlet 215 to completely seal the process chamber.

도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예들에서, 블레이드(130)가 밸브 하우징(110) 내에 삽입되므로, 다른 실시예들에 비하여 블레이드(130)의 고정 및 밀봉에 더욱 유리하다.In the embodiments shown in FIGS. 4A and 4B, the blade 130 is inserted into the valve housing 110, which is more advantageous for securing and sealing the blade 130 compared to other embodiments.

도 5는 도 3a의 공정 챔버에서 A 부분의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다 이하에서, 도 5를 참조하여 본 발명에 따른 공정 챔버의 다른 실시예를 설명한다.5 is a view showing another embodiment of a portion A in the process chamber of FIG. 3A. Hereinafter, another embodiment of a process chamber according to the present invention will be described with reference to FIG.

본 실시예는 상술한 공정 챔버와 동일하나, 밸브 하우징(110)의 상부에 보강재(116)가 구비되어 있다. 즉, 기판 출입부(215)가 프레임(210)으로부터 돌출되어 형성되고 바디의 공간이 감소하므로, 상대적으로 기판 출입부(215) 또는 밸브에 더 많은 하중이 가해질 수 있다.This embodiment is the same as the above-described process chamber, but the reinforcement 116 is provided on the valve housing 110. That is, since the substrate entrance 215 is formed to protrude from the frame 210 and the space of the body is reduced, more load may be applied to the substrate entrance 215 or the valve.

따라서, 도시된 바와 같이 밸브 하우징(110)의 상부에 보강재(116)가 구비되어 하중을 지지할 수 있다.Thus, as shown in the upper portion of the valve housing 110, the reinforcement 116 is provided to support the load.

그리고, 본 실시예에서는 밸브 하우징(110)이 일체형이 아닌 결합형으로 이루어진다. 즉, 밸브 하우징(110)의 상부면과 하부면에 플레이트(112)가 각각 체결부(114)를 통하여 결합된다. 여기서, 체결부(114)의 일실시예로서 나사가 도시되어 있다.In addition, in the present embodiment, the valve housing 110 is formed of a combined type, not an integrated type. That is, the plates 112 are coupled to the upper and lower surfaces of the valve housing 110 through the fastening portions 114, respectively. Here, a screw is shown as one embodiment of the fastening portion 114.

그리고, 상술한 도면들에서는 밸브(100)의 단면이 도시되어 있으며, 실제로는 개구부(120)를 제외하고는 밀폐된 구조를 이룰 수 있다. 또한, 본 실시예에서 밸브 하우징(110)의 두께와 기판 출입부(215)의 두께가 동일한 것으로 도시되어 있으나, 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예와 같이 밸브 하우징(110)의 두께가 기판 출입부(215)의 두께보다 두껍거나, 밸브 하우징(110)의 두께가기 기판 출입부(215)의 두께와 상기 블레이드(130)의 두께의 합과 동일할 수도 있음은 당연하다.In addition, the cross-sectional view of the valve 100 is illustrated in the above-described drawings, and in fact, except for the opening 120, a closed structure may be achieved. Further, the thickness of the valve housing (110) substrate as in this embodiment from, but the thickness of the valve housing 110 is thick and the substrate mouth portion 215 of the illustrated as the same, the embodiments shown in Figures 4a and 4b Example Naturally, the thickness of the valve housing 110 may be equal to or greater than the thickness of the entrance portion 215 or the sum of the thickness of the substrate entrance portion 215 and the thickness of the blade 130.

도 6은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 나타낸 도면이다. 이하에서, 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 일실시예를 설명한다.6 is a view showing an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention. Hereinafter, an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. 6.

본 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 상술한 도 3a에 도시된 공정 챔버에, 이송 챔버(300)가 결합된 구조이다. 그리고, 본 반도체 제조장비는 반도체 소자 외에 평면 표시 소자 및 태양 전지 등의 제조 공정에 사용할 수 있으며, 주로 재료를 기판 상에 진공 증착하는데 이용된다.In the semiconductor manufacturing apparatus according to the present exemplary embodiment, the transfer chamber 300 is coupled to the process chamber illustrated in FIG. 3A. In addition to the semiconductor device, the semiconductor manufacturing equipment can be used for manufacturing processes such as flat panel display devices and solar cells, and is mainly used for vacuum deposition of materials on a substrate.

본 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 밸브(100)를 사이에 두고, 공정 챔버의 바디(200)와 이송 챔버(300)가 구비되어 있다.The semiconductor manufacturing apparatus according to the present exemplary embodiment includes a body 200 and a transfer chamber 300 of a process chamber with a valve 100 interposed therebetween.

먼저, 바디(200) 및 밸브(100)의 구성은 상술한 실시예들과 동일하다.First, the configuration of the body 200 and the valve 100 is the same as the above-described embodiments.

즉, 바디(200)는 프레임(210)과 상기 프레임(210)의 상부를 밀폐하는 챔버리드(220)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 상기 프레임(210)은 알루미늄 등으로 제조되는데, 단일 알루미늄 블록을 절삭 가공하여 제조하거나 바닥판과 다수의 측판을 용접하여 제조하거나 또는 바닥판과 다수 측판의 경계면에 오링(225) 등을 개재한 후에 볼트로 결합하여 제조할 수도 있다. 이때, 오링(225) 또는 볼트를 통한 결합은 바디(200) 내부를 진공 상태로 형성하기 위한 것임은 당연하다.That is, the body 200 includes a frame 210 and a chamber lead 220 sealing the upper portion of the frame 210. Here, the frame 210 is made of aluminum or the like, manufactured by cutting a single aluminum block or by welding the bottom plate and the plurality of side plates or through the O-ring 225 or the like on the interface between the bottom plate and the plurality of side plates. It can also be manufactured by bolting. At this time, the coupling through the O-ring 225 or the bolt is of course to form the inside of the body 200 in a vacuum state.

그리고, 상기 챔버 리드(220)도 상기 프레임(210)과 동일한 재질로 이루어질 수 있으며, 후술하는 바와 같이 RF(Radio frequency) 전원이 연결되어 RF 전극의 역할도 수행할 수 있다 .In addition, the chamber lead 220 may also be made of the same material as the frame 210, and as described later, an RF (Radio frequency) power source may be connected to serve as an RF electrode.

그리고, 상기 프레임(210)의 의 내부에는 기판(S)을 지지하는 기판지지대(230)이 구비되어 있고, 프레임(210)의 일측면에는 기판출입부(215)가 형성되어 있다.In addition, a substrate support 230 supporting the substrate S is provided in the frame 210, and a substrate access part 215 is formed at one side of the frame 210.

그리고, 상기 기판 출입부(215)는 상기 프레임(210)으로부터 기설정된 폭 만큼 돌출되어 형성될 수 있다. 여기서, 상기 기판 출입부(215)는 상기 프레임(210)으로부터 20~30 밀리미터(mm) 돌출될 수 있다.In addition, the substrate access part 215 may protrude from the frame 210 by a predetermined width. Here, the substrate access portion 215 may protrude from 20 to 30 millimeters (mm) from the frame 210.

즉, 기판 출입부(215)가 바디(200)에서 20~30 밀리미터 돌출되는데, 20 밀리미터 이하로 돌출되면 후술하는 바와 같은 공정 챔버의 공간 감소 효과를 충분히 기대하기 어려우며, 30 밀리미터 이상으로 돌출되면 밸브 하우징(110)의 두께와 관련하여 기판 출입부(215)가 너무 돌출된 형상이 될 수 있다.That is, the substrate entrance portion 215 protrudes 20 to 30 millimeters from the body 200. If the substrate entry part 215 protrudes below 20 millimeters, it is difficult to sufficiently expect the space reduction effect of the process chamber as described below. Regarding the thickness of the housing 110, the substrate entrance 215 may be protruded too much.

그리고, 상기 기판 출입부(215)와 면접하여 밸브(100)가 구비되어, 상기 바디(200)를 개폐한다.In addition, the valve 100 is provided in interview with the substrate access part 215 to open and close the body 200.

즉, 도시된 바와 같이 프레임(210)의 일면과 상기 밸브 하우징(110)의 일면이 면접하고 형성된다. 그리고, 도 3c에 도시된 바와 같이 상기 프레임(210)의 일면에서 돌출되어 기판 출입부(215)가 형성되며, 도 3b에 도시된 바와 같이 밸브 하우징(110)이 상기 기판 출입부(215)를 둘러싸고 구비된다.That is, as shown, one surface of the frame 210 and one surface of the valve housing 110 are interviewed and formed. As shown in FIG. 3C, a substrate access part 215 is formed by protruding from one surface of the frame 210, and as shown in FIG. 3B, the valve housing 110 opens the substrate access part 215. It is provided surrounding.

즉, 상술한 밸브의 일실시예들에서 밸브 하우징(110)에 형성된 개구부(120) 내에 기판 출입부(214)가 삽입된 형상이다.That is, in the above-described embodiments of the valve, the substrate entry part 214 is inserted into the opening 120 formed in the valve housing 110.

그리고, 밸브(100)의 구체적인 구성은 상술한 실시예들과 동일하다. 즉, 밸브(100)는 밸브 하우징(110)과, 상기 밸브하우징(110)의 내부에서 이동하면서 상기 기판 출입부(215)를 개폐하는 블레이드(130)를 포함하여 이루어진다.In addition, the specific configuration of the valve 100 is the same as the above-described embodiments. That is, the valve 100 includes a valve housing 110 and a blade 130 that opens and closes the substrate access part 215 while moving inside the valve housing 110.

그리고, 상기 밸브 하우징(110)의 하부에는 상기 블레이드(130)를 이동시키는 구동 유닛(140)이 구비되고, 상기 구동 유닛(140)의 구동축(145)이 밸브 하우징(110)을 관통하여 상기 블레이드(130)에 연결된다.In addition, a lower portion of the valve housing 110 is provided with a drive unit 140 for moving the blade 130, the drive shaft 145 of the drive unit 140 penetrates through the valve housing 110 to the blade. 130 is connected.

여기서, 상기 블레이드(130)의 수직 방향의 크기는 상기 개구부(120)의 크기와 동일하며, '수직' 방향이라 함은 상기 블레이드(130)의 이동 방향과 나란한 방향을 의미한다.Here, the size of the vertical direction of the blade 130 is the same as the size of the opening 120, the 'vertical' direction means a direction parallel to the moving direction of the blade 130.

또한, 상기 블레이드(130)가 상기 기판 출입부(215)와 접촉하는 면에는 오링(135)이 상기 기판 출입부(215)를 둘러싸고 형성되어, 상기 기판 출입부(215)와 완전히 밀봉되며 상기 바디(200)를 밀폐할 수 있도록 한다.In addition, an o-ring 135 is formed around the substrate entrance 215 on the surface where the blade 130 is in contact with the substrate entrance 215 to be completely sealed with the substrate entrance 215 and the body. (200) to be sealed.

여기서, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 블레이드(130)가 수직 방향으로 하강하면, 상기 기판 출입부(215)가 오픈됨도 당연하다. 그리고, 도 3a에서는 상기 밸브(100)의 한쪽 면에만 바디(200)가 형성되어 있는데, 상기 밸브(100)의 양 방향에 바디(200)가 구비되면, 상기 밸브(100)의 양 방향 모두에 블레이드(130)가 형성될 수 있다.Here, as shown in FIG. 2B, when the blade 130 descends in the vertical direction, the substrate entrance 215 may be opened. In addition, in FIG. 3A, the body 200 is formed on only one surface of the valve 100. When the body 200 is provided in both directions of the valve 100, the body 200 may be disposed in both directions of the valve 100. The blade 130 may be formed.

그리고, 프레임(210)의 하부에는 가스 분배판(250)이 결합되고, 중앙부에는 가스 공급관(260)이 관통하여 설치된다. 또한, 챔버리드(220)의 중앙부에는 RF 전력을 공급하는 RF전원(270)이 연결된다.In addition, a gas distribution plate 250 is coupled to a lower portion of the frame 210, and a gas supply pipe 260 penetrates the central portion. In addition, an RF power source 270 for supplying RF power is connected to a central portion of the chamber lead 220.

상술한 구조의 공정 챔버의 바디(200) 내부에 기판(S)을 안치한 후에, 가스분배판(250)을 통해 원료물질을 분사하고 챔버리드(220)에 RF전력을 인가하면, 이온과 활성종의 혼합체인 플라즈마가 발생하며, 이온 또는 활성종이 기판(S)에 입사함으로써 박막증착 또는 식각 등의 공정이 진행된다.After placing the substrate (S) in the body 200 of the process chamber of the above-described structure, by spraying the raw material through the gas distribution plate 250 and applying RF power to the chamber lead 220, ions and active species Plasma, which is a mixture of, is generated, and processes such as thin film deposition or etching are performed by the ion or active species incident on the substrate (S).

그리고, 원료물질이나 식각부산물 등(이하 '잔류물질')은 기판(S)의 주변부를 거쳐 기판안치대(240)의 하부로 유동하여 배기구를 통해 배출된다. In addition, raw materials or etching by-products (hereinafter, 'residual materials') flow through the periphery of the substrate S to the lower portion of the substrate stabilizer 240 and are discharged through the exhaust port.

이때, 도 3b에 도시된 바와 같이 기판 출입부(215)가 프레임(210)으로부터 기설정된 거리만큼 돌출되고, 블레이드(130)가 오링(135)과 함께 상기 기판 출입부(215)를 밀봉하므로 바디(200) 내의 진공 상태를 완전히 유지할 수 있다.In this case, as shown in FIG. 3B, the substrate entry part 215 protrudes from the frame 210 by a predetermined distance, and the blade 130 seals the substrate entrance part 215 together with the O-ring 135. The vacuum in 200 can be maintained completely.

따라서, 진공 챔버 내부의 재료의 이상 증착이나 이상 방전 및 그에 따른 파우더(powder)의 적체가 감소됨을 예상할 수 있다.Thus, it can be expected that the abnormal deposition or abnormal discharge of the material inside the vacuum chamber and hence the accumulation of powder are reduced.

그리고, 본 실시예에서 블레이드(130)의 수직 방향의 크기가 개구부(120) 및 기판 출입부(215)의 크기와 일치하나, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 블레이드(130)의 수직 방향의 크기가 상기 개구부(120)의 크기보다 크게 구비될 수도 있다.In addition, in this embodiment, the size of the vertical direction of the blade 130 coincides with the size of the opening 120 and the substrate entrance 215, but as shown in FIGS. 1A and 1B, the vertical of the blade 130 is vertical. The size of the direction may be provided larger than the size of the opening 120.

또한, 본 실시예에서 밸브 하우징(110)의 두께와 기판 출입부(215)의 두께가 동일한 것으로 도시되어 있으나, 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시예와 같이 밸브 하우징(110)의 두께가 기판 출입부(215)의 두께보다 두껍거나, 밸브 하우징(110)의 두께가기 기판 출입부(215)의 두께와 상기 블레이드(130)의 두께의 합과 동일할 수도 있다.In addition, although the thickness of the valve housing 110 and the substrate entrance 215 are shown to be the same in this embodiment, the thickness of the valve housing 110 is the substrate as shown in FIGS. 4A and 4B. It may be thicker than the thickness of the inlet 215, or the thickness of the valve housing 110 may be equal to the sum of the thickness of the substrate inlet 215 and the thickness of the blade 130.

그리고, 이송 챔버(300)는 상기 밸브(100)와 면접하여 형성되고, 상기 이송 챔버(300)의 내부에는 기판 이송 장치가 구비되어 있다. 이송 챔버(300)는 도시된 공정 챔버(200)의 바디(200) 외에 다른 공정 챔버와 연결되어 기판의 이송을 담당할 수도 있다.In addition, the transfer chamber 300 is formed in interview with the valve 100, and a substrate transfer device is provided inside the transfer chamber 300. The transfer chamber 300 may be connected to other process chambers in addition to the body 200 of the illustrated process chamber 200 to perform transfer of the substrate.

그리고, 기판 이송 장치는 이송 로봇(330)이 구비되어 있고, 이송 로봇(330)이 기판(S)을 밸브(100)를 통하여 공정 챔버로 이동시킬 수 있다.In addition, the substrate transfer apparatus includes a transfer robot 330, and the transfer robot 330 may move the substrate S to the process chamber through the valve 100.

그리고, 이송 챔버(300)는 상기 밸브(100)와 면접하는 측면에 개구부(320)가 형성되어 있다. 여기서, 상기 개구부(320)는 밸브(100)에 형성된 개구부(120)와 동일한 높이에 형성되고 동일한 개구폭을 가져서, 이송 챔버(300) 내의 기판(s)이 밸브(100)를 통하여 공정 챔버 내의 바디(100)로 이송될 수 있다. 또한, 기판 상에 특정 재료의 증착 공정이 종료된 후, 기판(s)은 밸브(100)를 통하여 다시 이송 챔버(300)로 이송될 수 있음은 당연하다.In addition, the transfer chamber 300 has an opening 320 formed at a side surface in contact with the valve 100. Here, the opening 320 is formed at the same height as the opening 120 formed in the valve 100 and has the same opening width, so that the substrate s in the transfer chamber 300 passes through the valve 100 in the process chamber. It may be transferred to the body 100. In addition, after the deposition process of the specific material on the substrate is completed, it is obvious that the substrate s may be transferred back to the transfer chamber 300 through the valve 100.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations from such descriptions. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.

100 : 밸브 110 : 밸브 하우징
112 : 플레이트 114 : 체결부
116 : 보강재 120, 320: 개구부
130 : 블레이드 135 : 오링
140 : 구동 유닛 145 : 구동축
200 : 바디 210 : 프레임
215 : 기판 출입부 220 : 챔버 리드
230 : 기판 지지대 250 : 가스 분배판
260 : 가스 공급관 270 : RF전원
300 : 이송 챔버 330 : 이송 로봇
S : 기판100: valve 110: valve housing
112: plate 114: fastening portion
116: reinforcing material 120, 320: opening
130: blade 135: O-ring
140: drive unit 145: drive shaft
200: body 210: frame
215: substrate entrance 220: chamber lid
230: substrate support 250: gas distribution plate
260: gas supply pipe 270: RF power
300: transfer chamber 330: transfer robot
S: Substrate

Claims (21)

기판 지지대가 내부에 구비된 바디;
상기 바디의 측면에 구비되고, 상기 바디로부터 기설정된 폭만큼 돌출된 기판 출입부; 및
상기 기판 출입부와 면접하여 상기 바디를 개폐하는 밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.A body having a substrate support provided therein;
A substrate access part provided on a side surface of the body and protruding from the body by a predetermined width; And
And a valve which opens and closes the body in interview with the substrate entrance. 제 1 항에 있어서,
상기 밸브는 밸브 하우징과 블레이드를 포함하여 이루어지고, 상기 블레이드가 상기 기판 출입부와 면접하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1,
Wherein said valve comprises a valve housing and a blade, said blade interviewing said substrate entrance. 제 2 항에 있어서,
상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 수직 방향으로 이동하여 상기 기판 출입부를 개폐하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 2,
And the blade moves in a vertical direction with respect to the substrate entrance and exit to open and close the substrate entrance and exit. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 나란한 방향으로 이동하여 상기 출입부를 압착하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method according to claim 2 or 3,
The blades are moved in a direction parallel to the substrate entrance and the process chamber, characterized in that for pressing the entrance. 제 2 항에 있어서,
상기 블레이드는 상기 기판 출입부와 면접하는 부위에 구비된 오링을 더 포함하는 공정 챔버.The method of claim 2,
The blade chamber further comprises an O-ring provided in the portion interviewed with the substrate entrance. 제 2 항에 있어서,
상기 밸브 하우징은 측면에 개구부가 형성되고, 상기 개구부 내에 상기 기판 출입부가 삽입되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 2,
The valve housing is a process chamber, characterized in that the opening is formed in the side, the substrate entry portion is inserted into the opening. 제 6 항에 있어서,
상기 개구부의 두께와 상기 기판 출입부의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method according to claim 6,
And a thickness equal to that of the opening and a thickness of the substrate entrance. 제 6 항에 있어서,
상기 개구부의 두께는 상기 기판 출입부의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method according to claim 6,
And the thickness of the opening is thicker than the thickness of the substrate entrance. 제 6 항에 있어서,
상기 밸브 하우징의 두께는, 상기 기판 출입부의 두께와 상기 블레이드의 두께의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method according to claim 6,
The thickness of the valve housing is the process chamber, characterized in that the same as the sum of the thickness of the substrate entrance and the thickness of the blade. 제 1 항에 있어서,
상기 밸브의 상부에는 보강재가 구비되어, 상기 밸브 및/또는 상기 기판 출입부에 가해지는 하중을 지지하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1,
A reinforcing member is provided on an upper portion of the valve to support a load applied to the valve and / or the substrate entrance. 제 1 항에 있어서,
상기 기판 출입부는 상기 바디로부터 20~30 밀리미터(mm) 돌출된 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The method of claim 1,
The substrate inlet is a process chamber, characterized in that 20 to 30 millimeters (mm) protruding from the body. 기판 지지대가 내부에 구비되고, 측면에 기설정된 폭만큼 돌출된 기판 출입부가 형성된 공정챔버 바디;
상기 기판 출입부와 면접하여 상기 바디를 개폐하는 밸브; 및
상기 밸브와 면접하고, 내부에 기판 이송 장치가 구비되며, 상기 기판 출입부와 동일한 높이에 개구부가 형성된 이송 챔버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.A process chamber body having a substrate support provided therein and having a substrate access part protruding by a predetermined width at a side surface thereof;
A valve which opens and closes the body in interview with the substrate entrance; And
And a transfer chamber in contact with the valve and having a substrate transfer device therein, the transfer chamber having an opening formed at the same height as the substrate entrance and exit portion. 제 12 항에 있어서,
상기 밸브는 밸브 하우징과 블레이드를 포함하여 이루어지고, 상기 블레이드가 상기 기판 출입부와 면접하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 12,
The valve comprises a valve housing and a blade, the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the blade is in contact with the substrate entrance. 제 13 항에 있어서,
상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 수직 방향으로 이동하여 상기 기판 출입부를 개폐하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The method of claim 13,
And the blade moves in a vertical direction with respect to the substrate entrance and exit to open and close the substrate entrance and exit. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 블레이드는 상기 기판 출입부에 대하여 나란한 방향으로 이동하여 상기 출입부를 압착하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The method according to claim 13 or 14,
And the blade moves in parallel with the substrate access part to compress the access part. 제 13 항에 있어서,
상기 밸브 하우징은 상기 공정챔버 바디와 상기 이송 챔버에 대향하는 면들에 각각 1개의 개구부가 형성되고, 상기 공정챔버 바디와 대향하는 면에 형성된 개구부 내에 상기 기판 출입부가 삽입되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The method of claim 13,
The valve housing is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that one opening is formed in each of the surfaces facing the process chamber body and the transfer chamber, the substrate entry portion is inserted into the opening formed in the surface facing the process chamber body. . 제 16 항에 있어서,
상기 이송 챔버와 대향하는 면에 형성된 개구부는, 상기 이송 챔버에 형성된 개구부와 개구면이 일치하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.17. The method of claim 16,
The opening formed in the surface facing the said transfer chamber is a semiconductor manufacturing apparatus characterized by the opening part formed in the said transfer chamber and the opening surface. 제 16 항에 있어서,
상기 개구부의 두께와 상기 기판 출입부의 두께와 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.17. The method of claim 16,
And the thickness of the opening is equal to the thickness of the substrate entrance / exit. 제 16 항에 있어서,
상기 개구부의 두께는 상기 기판 출입부의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.17. The method of claim 16,
The thickness of the opening is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that thicker than the thickness of the substrate entrance. 제 16 항에 있어서,
상기 밸브 하우징의 두께는, 상기 기판 출입부의 두께와 상기 블레이드의 두께의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.17. The method of claim 16,
And a thickness of the valve housing is equal to a sum of the thickness of the substrate entrance and the thickness of the blade. 제 12 항에 있어서,
상기 밸브의 상부에는 보강재가 구비되어, 상기 밸브 및/또는 상기 기판 출입부에 가해지는 하중을 지지하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.The method of claim 12,
A reinforcing member is provided on an upper portion of the valve to support the load applied to the valve and / or the substrate entrance.
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