KR20110084644A - Susceptor and apparatus for chemical vapor deposition including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A susceptor and a chemical vapor deposition device with the same are provided to stably and effectively rotate a receiving object in which a deposited object is mounted using energy generated by a gas flow, thereby uniformly growing a thin film on the deposited object. CONSTITUTION: A rotating object(32) rotates by a rotating shaft connected to a driving device. A receiving groove is placed on the rotating object and is opened upward. A gas flowing path(35) is placed along with the inside of the rotating object so that the gas flowing path is located in the lower part of the receiving groove. A driving gas moves into the receiving groove through the bottom surface of the receiving groove. A driving gas supply path is placed in the rotating shaft. A satellite(50) comprises a disc and a plurality of driving grooves. The driving groove is formed along with the main circumference from the bottom surface of the disc.

Description

서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치{SUSCEPTOR AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION INCLUDING THE SAME}Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same {SUSCEPTOR AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION INCLUDING THE SAME}

본 발명은 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서셉터에 수용되는 피증착체에 실질적으로 균일한 박막이 성장할 수 있도록 하는 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same, and more particularly, to a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same, which allows a substantially uniform thin film to be grown on the vapor-deposited body accommodated in the susceptor. It is about.

일반적으로 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Depostion: CVD) 장치는 화학 반응을 이용하여 피증착체(일반적으로 반도체 웨이퍼 등의 기판을 포함한다)에 박막을 형성하는 장치로서, 진공으로 이루어진 챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 반응가스를 보내어 그 반응가스의 막을 기판에 성장시키도록 하는 장치이다.In general, a chemical vapor deposition (CVD) apparatus is a device for forming a thin film on a deposit (generally including a substrate such as a semiconductor wafer) by using a chemical reaction, and is heated in a vacuum chamber. It is a device that sends a reaction gas having a high vapor pressure to the substrate to grow a film of the reaction gas on the substrate.

최근에는 한 번에 다수의 기판에 증착을 일으키도록 챔버와 서셉터의 크기가 커짐에 따라 다수의 피증착체에 박막을 균일하게 성장시키도록 하는 것이 핵심 기술이 되고 있다.In recent years, as the size of the chamber and susceptor increases so as to cause deposition on a plurality of substrates at one time, it has become a key technology to uniformly grow a thin film on a plurality of deposits.

상기한 바와 같이 피증착체에 대한 박막의 균일한 성장을 위해서는 피증착체를 수용하고 있는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라 피증착체를 수용하고 있는 포켓도 회전하도록 하는 것이 필요하다.As described above, in order to uniformly grow the thin film with respect to the deposited object, it is necessary to not only rotate the susceptor itself containing the deposit but also rotate the pocket containing the deposit.

즉 피증착체는 반응가스에 노출되는 동안 공전과 자전을 함으로써 박막 성장이 실질적으로 균일하게 이루어질 수 있는 것이다.In other words, the deposited material can be substantially uniformly grown by rotating and rotating while being exposed to the reaction gas.

그러나, 종래의 화학 기상 증착 장치는 피증착체가 공전뿐만 아니라 자전까지 하도록 하기 위해 기어 등의 동력전달장치를 사용하기 때문에, 서셉터나 화학 기상 증착 장치의 구조가 복잡하고 제작이 매우 어려웠으며, 증착 과정에서 파티클(particle) 등이 동력전달장치에 침투할 경우 오작동이나 고장 등을 일으킬 우려가 있는 문제점이 있었다.
However, the conventional chemical vapor deposition apparatus uses a power transmission device such as a gear to allow the vapor deposition body to rotate as well as the revolution, so that the structure of the susceptor or chemical vapor deposition apparatus is complicated and difficult to manufacture. Particles (particles) in the process when there is a problem that may cause a malfunction or failure, such as penetrating the power transmission device.

본 발명은 소정의 가스 유동에 의한 에너지를 이용하여 피증착체가 탑재된 수용체를 안정적이고 효과적으로 회전시키도록 함으로써 피증착체에 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 하는 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
The present invention provides a susceptor and a chemical gaseous phase having the growth of a thin film on the deposit to be made substantially uniform by rotating the receptor on which the deposit is mounted using energy by a predetermined gas flow. Provided is a deposition apparatus.

본 발명의 실시예에 따른 서셉터는 구동장치와 연결되는 회전축을 통해 회전하는 회전체; 상기 회전체의 상면에 구비되어 상부로 개방되는 적어도 하나의 수용홈; 상기 수용홈의 하부에 위치하도록 상기 회전체의 내부를 따라 구비되며, 상기 수용홈의 바닥면을 통해 상기 수용홈의 내부로 구동가스가 공급되도록 하는 가스유로; 상기 회전축 내에 구비되며, 상기 가스유로와 연결되어 외부에서 공급되는 상기 구동가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 구동가스 공급유로; 및 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 하부면에서 주연(周緣)을 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 구동가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전하도록 하는 복수의 구동홈을 구비하는 새틀라이트;를 포함할 수 있다.Susceptor according to an embodiment of the present invention is a rotating body that rotates through a rotating shaft connected to the drive device; At least one receiving groove provided on an upper surface of the rotating body and opened upward; A gas flow path provided along the inside of the rotating body so as to be positioned below the accommodating groove, such that a driving gas is supplied into the accommodating groove through a bottom surface of the accommodating groove; A driving gas supply passage provided in the rotation shaft and connected to the gas passage to allow the driving gas supplied from the outside to flow into the gas passage; And a disk which is rotatably accommodated in the receiving groove and accommodates an object to be deposited, and is formed along a periphery of the lower surface of the disk and is driven by a pressure of a driving gas supplied through the gas flow path. And a satellite having a plurality of driving grooves to be provided.

또한, 상기 구동홈은 상기 디스크의 하부면으로부터 내부로 소정 기울기로 하향 경사지도록 함몰형성될 수 있다.In addition, the driving groove may be recessed to be inclined downward by a predetermined inclination from the lower surface of the disk.

또한, 상기 구동홈은, 상기 디스크의 하부면으로부터 그 내부로 함몰되어 경사지도록 형성되는 경사면과, 상기 경사면의 끝단에서 상기 디스크의 하부면으로 수직하게 형성되는 단차면을 포함하며, 각 구동홈의 단차면이 시계방향 또는 반시계방향으로 배열될 수 있다.The driving groove may include an inclined surface formed to be inclined and inclined from the lower surface of the disk, and a stepped surface formed vertically from the end of the inclined surface to the lower surface of the disk. The stepped surface may be arranged clockwise or counterclockwise.

또한, 상기 수용홈의 내주면과 상기 회전체의 외주면을 연결하도록 관통형성되어 상기 가스유로를 통해 상기 수용홈의 내부로 공급되는 구동가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a gas exhaust part configured to penetrate the inner circumferential surface of the receiving groove and the outer circumferential surface of the rotating body so that the driving gas supplied into the receiving groove through the gas flow path is discharged to the outside.

또한, 상기 새틀라이트는 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함할 수 있다.In addition, the satellite may further include a shaft connecting the center of the disk and the center of the receiving groove to form a rotation center of the disk.

또한, 상기 수용홈은, 상기 수용홈의 바닥면을 관통하여 상기 가스유로와 연통하는 복수개의 노즐과, 상기 수용홈의 바닥면에 마련되어 상기 노즐과 연결되며, 상기 노즐을 통해 공급되는 구동가스가 시계방향 또는 반시계방향의 유동흐름을 형성하도록 안내하는 가이드홈을 구비할 수 있다.The accommodation groove may include a plurality of nozzles passing through the bottom surface of the accommodation groove and communicating with the gas flow path, and provided on the bottom surface of the accommodation groove to be connected to the nozzle, and driving gas supplied through the nozzle may be provided. It may be provided with a guide groove for guiding to form a flow flow in a clockwise or counterclockwise direction.

또한, 상기 가이드홈은 상기 노즐과 대응되는 개수로 복수개 구비되어 상기 노즐과 각각 연결되며, 상기 노즐과 연결되는 밑면이 상기 수용홈의 바닥면을 향해 소정 기울기로 상향 경사지게 구비되어 시계방향 또는 반시계방향으로 배열될 수 있다.In addition, the guide grooves are provided in plural numbers corresponding to the nozzles, respectively, and are connected to the nozzles, and the bottom surface connected to the nozzles is provided to be inclined upward with a predetermined inclination toward the bottom surface of the receiving groove. Can be arranged in a direction.

또한, 상기 노즐과 상기 가이드홈은 상기 수용홈 내에 수용되는 상기 새틀라이트의 상기 구동홈과 서로 마주하도록 배치될 수 있다.In addition, the nozzle and the guide groove may be disposed to face each other with the driving groove of the satellite accommodated in the receiving groove.

한편, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 일정 크기의 내부공간을 형성하는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체를 밀봉하여 기밀을 유지하도록 하는 챔버 덮개를 구비하는 반응 챔버; 상기 챔버 본체 내에 구비되며, 구동장치와 연결되는 회전축을 통해 회전하는 회전체를 구비하는 서셉터; 상기 회전체의 상면에 구비되어 상부로 개방되는 적어도 하나의 수용홈; 상기 수용홈의 하부에 위치하도록 상기 회전체의 내부를 따라 구비되며, 상기 수용홈의 바닥면을 통해 상기 수용홈의 내부로 구동가스가 공급되도록 하는 가스유로; 상기 회전축 내에 구비되며, 상기 가스유로와 연결되어 외부에서 공급되는 상기 구동가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 구동가스 공급유로; 및 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 하부면에서 주연(周緣)을 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 구동가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전하도록 하는 복수의 구동홈을 구비하는 새틀라이트;를 포함할 수 있다.On the other hand, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, the reaction chamber having a chamber body for forming an internal space of a predetermined size, and a chamber cover for sealing the chamber body to maintain the airtight; A susceptor provided in the chamber body, the susceptor including a rotating body rotating through a rotating shaft connected to a driving device; At least one receiving groove provided on an upper surface of the rotating body and opened upward; A gas flow path provided along the inside of the rotating body so as to be positioned below the accommodating groove, such that a driving gas is supplied into the accommodating groove through a bottom surface of the accommodating groove; A driving gas supply passage provided in the rotation shaft and connected to the gas passage to allow the driving gas supplied from the outside to flow into the gas passage; And a disk which is rotatably accommodated in the receiving groove and accommodates an object to be deposited, and is formed along a periphery of the lower surface of the disk and is driven by a pressure of a driving gas supplied through the gas flow path. And a satellite having a plurality of driving grooves to be provided.

또한, 상기 반응 챔버의 측면에 구비되어 외부로부터 반응가스를 도입하여 상기 반응영역으로 반응가스를 공급하는 가스도입부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a gas introduction part provided at a side of the reaction chamber to introduce a reaction gas from the outside to supply the reaction gas to the reaction region.

또한, 상기 회전축의 중심부에 구비되며, 상기 반응영역으로 공급되는 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출유로를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a discharge passage provided at the center of the rotating shaft to discharge the reaction gas supplied to the reaction region to the outside.

또한, 상기 회전축은, 중심부에 상기 배출유로가 형성되도록 하는 배출관과, 상기 배출관과의 사이에 상기 구동가스 공급유로가 형성되며 상기 배출관을 내부에 구비하는 가스공급관을 더 포함할 수 있다.The rotation shaft may further include a discharge pipe configured to form the discharge flow path at a central portion thereof, and a gas supply pipe formed between the discharge pipe and the drive gas supply flow path having the discharge pipe therein.

또한, 상기 서셉터의 회전축 중심부에 구비되며, 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출관과, 소정의 구동가스 공급원과 연결되며, 상기 구동가스 공급원으로부터 공급되는 구동가스를 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급관을 더 포함할 수 있다.In addition, the discharge shaft is provided in the center of the rotation shaft of the susceptor, the reaction gas supplied through the gas introducing unit is discharged to the outside, and connected to a predetermined driving gas supply source, the driving gas supplied from the driving gas supply source It may further include a gas supply pipe to flow to the gas flow path.

또한, 상기 구동홈은 상기 디스크의 하부면으로부터 내부로 소정 기울기로 하향 경사지도록 함몰형성될 수 있다.In addition, the driving groove may be recessed to be inclined downward by a predetermined inclination from the lower surface of the disk.

또한, 상기 수용홈의 내주면과 상기 회전체의 외주면을 연결하도록 관통형성되어 상기 가스유로를 통해 상기 수용홈의 내부로 공급되는 구동가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a gas exhaust part configured to penetrate the inner circumferential surface of the receiving groove and the outer circumferential surface of the rotating body so that the driving gas supplied into the receiving groove through the gas flow path is discharged to the outside.

또한, 상기 수용홈은, 상기 수용홈의 바닥면을 관통하여 상기 가스유로와 연통하는 복수개의 노즐과, 상기 수용홈의 바닥면에 마련되어 상기 노즐과 연결되며, 상기 노즐을 통해 공급되는 구동가스가 시계방향 또는 반시계방향의 유동흐름을 형성하도록 안내하는 가이드홈을 구비할 수 있다.The accommodation groove may include a plurality of nozzles passing through the bottom surface of the accommodation groove and communicating with the gas flow path, and provided on the bottom surface of the accommodation groove to be connected to the nozzle, and driving gas supplied through the nozzle may be provided. It may be provided with a guide groove for guiding to form a flow flow in a clockwise or counterclockwise direction.

또한, 상기 가이드홈은 상기 노즐과 대응되는 개수로 복수개 구비되어 상기 노즐과 각각 연결되며, 상기 노즐과 연결되는 밑면이 상기 수용홈의 바닥면을 향해 소정 기울기로 상향 경사지게 구비되어 시계방향 또는 반시계방향으로 배열될 수 있다.In addition, the guide grooves are provided in plural numbers corresponding to the nozzles, respectively, and are connected to the nozzles, and the bottom surface connected to the nozzles is provided to be inclined upward with a predetermined inclination toward the bottom surface of the receiving groove. Can be arranged in a direction.

또한, 상기 노즐과 상기 가이드홈은 상기 수용홈 내에 수용되는 상기 새틀라이트의 상기 구동홈과 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
In addition, the nozzle and the guide groove may be disposed to face each other with the driving groove of the satellite accommodated in the receiving groove.

본 발명에 따른 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치는 소정의 가스 유동에 의한 에너지를 이용하여 피증착체가 탑재된 새틀라이트를 안정적이고 효과적으로 회전시키도록 하며, 적은 양의 가스로도 효율적으로 새틀라이트가 회전되도록 할 수 있어 피증착체에 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 하는 효과를 갖는다.
The susceptor and the chemical vapor deposition apparatus having the same according to the present invention use the energy of a predetermined gas flow to stably and effectively rotate the satellite on which the vapor-deposited body is mounted, and efficiently with a small amount of gas. May be rotated so that the growth of the thin film on the deposit is made substantially uniform.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 측단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 화학 기상 증착 장치의 서셉터를 확대한 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 상부 단면을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 서셉터에서 새틀라이트를 분리한 상태의 수용홈을 나타낸 도면이다.
도 5는 도 1의 새틀라이트를 나타낸 도면이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus illustrated in FIG. 1.
3 is a diagram illustrating an upper cross section of the susceptor shown in FIG. 2.
4 is a view illustrating a receiving groove in a state in which a satellite is separated from the susceptor illustrated in FIG. 3.
FIG. 5 is a diagram illustrating the satellite of FIG. 1. FIG.

본 발명의 실시예에 따른 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 사항을 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. Details of the susceptor and the chemical vapor deposition apparatus including the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.Therefore, the shape and size of the components shown in the drawings may be exaggerated for more clear description, components having substantially the same configuration and function in the drawings will use the same reference numerals.

먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 관하여 개략적으로 설명한다.First, a chemical vapor deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 측단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치(1)는 반응 챔버(10), 가스도입부(20), 그리고 서셉터(30)를 포함하여 이루어진다. As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus 1 according to the exemplary embodiment includes a reaction chamber 10, a gas introduction unit 20, and a susceptor 30.

상기 반응 챔버(10)는 일정 크기의 내부공간을 형성하는 챔버 본체(11)와 상기 챔버 본체(11)를 밀봉하여 기밀을 유지하도록 하는 챔버 덮개(12)를 포함하며, 상기 챔버 덮개(12)가 상기 챔버 본체(11)에 대해 개폐 가능한 구조로 구비된다. 그리고, 상기 챔버 덮개(12)와 결합하는 상기 챔버 본체(11)의 상단부에는 확실한 기밀을 유지하기 위해 오링(O-ring)과 같은 밀봉부재를 구비할 수 있다. 이러한 반응 챔버(10)는 내마모성 및 내부식성이 우수한 메탈 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.The reaction chamber 10 includes a chamber body 11 forming an inner space of a predetermined size and a chamber cover 12 for sealing the chamber body 11 to maintain airtightness, and the chamber cover 12. Is provided with a structure that can be opened and closed with respect to the chamber body (11). In addition, the upper end of the chamber body 11 coupled with the chamber cover 12 may be provided with a sealing member such as an O-ring to maintain reliable airtightness. The reaction chamber 10 is preferably made of a metal material excellent in wear resistance and corrosion resistance.

상기 가스도입부(20)는 상기 반응 챔버(10)의 측면에 구비되며 외부로부터 소정의 반응가스가 도입되어 일시 저장되도록 하는 리저버(22)와, 상기 리저버(22)에 저장된 반응가스가 반응 챔버(10) 내의 반응영역(12)으로 분사되도록 하는 분사노즐(21)을 포함한다. 여기서, 반응영역(12)은 추후 설명하는 서셉터(30)의 상부영역에 해당한다.The gas introduction part 20 is provided at the side of the reaction chamber 10 and introduces a reservoir 22 to temporarily store a predetermined reaction gas from the outside, and the reaction gas stored in the reservoir 22 includes a reaction chamber ( And a spray nozzle 21 for spraying to the reaction zone 12 in the 10). Here, the reaction region 12 corresponds to the upper region of the susceptor 30 described later.

그리고, 상기 리저버(22)는 외부에 마련되는 소정의 반응가스 공급원(미도시)으로부터 상기 리저버(22)로 반응가스가 공급되도록 하는 공급라인(23)과 연결된다.In addition, the reservoir 22 is connected to a supply line 23 through which a reaction gas is supplied to the reservoir 22 from a predetermined reaction gas supply source (not shown).

따라서, 외부의 반응가스 공급원(미도시)으로부터 공급라인(23)을 통해 리저버(22)에 반응가스가 공급되고, 리저버(22)에 공급된 반응가스는 분사노즐(21)을 통해 반응영역(12)으로 분사된다.Therefore, the reaction gas is supplied to the reservoir 22 through the supply line 23 from an external reaction gas supply source (not shown), and the reaction gas supplied to the reservoir 22 is supplied through the injection nozzle 21 to the reaction zone ( 12) is sprayed.

이때, 분사노즐(21)을 통해 분사되는 반응가스는 서셉터(30)에 수용된 피증착체(2)를 지나게 되고, 피증착체(2)의 표면에서는 상기 반응가스에 의한 화학 반응으로 박막이 성장하게 된다. 그리고, 상기 피증착체(2)를 지나면서 화학 반응을 일으킨 후 반응가스는 상기 서셉터(30)의 중심부에 구비되는 배출유로(61)를 통해 외부로 배출된다.At this time, the reaction gas injected through the injection nozzle 21 passes through the deposition target 2 accommodated in the susceptor 30, and the thin film is formed on the surface of the deposition target 2 by a chemical reaction by the reaction gas. Will grow. After the chemical reaction occurs while passing through the vapor deposition body 2, the reaction gas is discharged to the outside through the discharge passage 61 provided at the center of the susceptor 30.

상기 서셉터(30)는 피증착체(2)를 수용하여 상기 반응영역(12)에 노출되도록 하는 장치로서 상기 챔버 본체(11) 내에 구비되고, 미도시된 구동장치와 연결되는 회전축(31)을 통해 회전하는 회전체(32)를 구비하여 회전가능하도록 구비될 수 있다. 그러나, 이에 한정하지 않고 고정되어 구비되는 것도 가능하다.The susceptor 30 is a device for accommodating the vapor deposition body 2 to be exposed to the reaction region 12, which is provided in the chamber body 11 and is connected to a driving device not shown. It may be provided to be rotatable with a rotating body 32 to rotate through. However, the present invention is not limited thereto and may be fixed.

상기 서셉터(30), 구체적으로 상기 회전체(32)에는 적어도 하나의 새틀라이트(50)가 구비되는데, 상기 새틀라이트(50)는 그 상단에 포켓(52)을 구비하여 피증착체(2)를 수용한다.The susceptor 30, specifically, the rotor 32, is provided with at least one satellite 50, and the satellite 50 has a pocket 52 at an upper end thereof. Accept.

상기 서셉터(30)는 상기 새틀라이트(50)를 수용하도록 수용홈(33)을 구비하며, 상기 수용홈(33)에 상기 새틀라이트(50)가 회전 가능하도록 장착된다. The susceptor 30 includes an accommodation groove 33 to accommodate the satellite 50, and the satellite 50 is rotatably mounted in the accommodation groove 33.

이때, 상기 새틀라이트(50)를 회전시키도록하는 구동 에너지를 공급하는 것은 소정의 가스이다. 즉, 구동가스가 유동하면서 그 유동 에너지가 상기 새틀라이트(50)를 회전시키는 구동력을 제공하는 것이다.At this time, it is a predetermined gas for supplying driving energy to rotate the satellite 50. That is, while the driving gas flows, the flow energy provides a driving force for rotating the satellite 50.

여기서, 상기 새틀라이트(50)를 회전시키는 구동력을 제공하는 가스는 반응영역(12)으로 분사되어 배기되는 반응가스와는 전혀 별개의 가스이며, 질소가스 등을 사용하여 새틀라이트(50)를 회전시킬 수 있다.Here, the gas providing the driving force for rotating the satellite 50 is a gas completely different from the reaction gas injected into the reaction zone 12 and exhausted, and rotates the satellite 50 using nitrogen gas or the like. You can.

박막 성장을 위한 반응가스와 새틀라이트 구동을 위한 가스를 구분하기 위하여 이하에서는 전자를 '반응가스'라 하고, 후자를 '구동가스'라 하기로 한다.In order to distinguish the reaction gas for thin film growth from the gas for satellite driving, the former will be referred to as a 'reaction gas' and the latter will be referred to as a 'drive gas'.

따라서, 반응영역(12)으로부터 반응가스가 배출되도록 하는 유로와 새틀라이트(50)를 구동시키는 구동가스의 유로는 서로 구분되어 각각 별개로 마련되도록 해야 한다.Therefore, the flow path for discharging the reaction gas from the reaction zone 12 and the flow path of the driving gas for driving the satellite 50 should be provided separately from each other.

이와 같은 반응가스의 배출을 위한 유로와 새틀라이트(50)의 구동을 위해 구동가스가 공급되는 유로에 대하여 도 1에 도시된 실시예에서는 하나의 회전축(31)내에 상기 두가지 유로를 모두 구비한 것에 관하여 나타내고 있으나, 이에 한정하지 않고 상기 두 가지 유로가 각각 따로 마련되는 것도 가능하다.In the embodiment shown in FIG. 1 with respect to the flow path for discharging the reaction gas and the drive gas supplied for driving the satellite 50, the two flow paths are provided in one rotation shaft 31. In this regard, the present invention is not limited thereto, and the two flow paths may be separately provided.

도 1에 도시된 바와 같이 회전축(31)은 내부에 반응영역으로 공급되는 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출유로(61)와, 상기 새틀라이트(50)의 구동을 위한 구동가스의 유로를 형성하는 구동가스 공급유로(65)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the rotary shaft 31 has a discharge passage 61 for discharging the reaction gas supplied to the reaction zone to the outside, and a flow path of the driving gas for driving the satellite 50. It may include a drive gas supply passage (65).

이러한 배출유로(61)는 배출관(63)에 의해 형성되고, 상기 구동가스 공급유로(65)는 가스공급관(66)에 의해 형성된다. 그리고, 상기 가스공급관(66)은 상기 배출관(63)과의 사이에 상기 구동가스 공급유로(65)가 형성되도록 상기 배출관(63)을 내부에 구비하되 소정 간격으로 이격되도록 구비한다.The discharge passage 61 is formed by the discharge pipe 63, the drive gas supply passage 65 is formed by the gas supply pipe (66). In addition, the gas supply pipe 66 is provided with the discharge pipe 63 therein to be spaced at predetermined intervals so that the driving gas supply passage 65 is formed between the discharge pipe 63 and the discharge pipe 63.

즉, 상기 회전축(310은 가스공급관(66)과 상기 가스공급관(66)의 내부에 구비되는 배출관(63)으로 이루어지는 2중 관의 구조로 구성된다.That is, the rotary shaft 310 is composed of a double pipe structure consisting of a gas supply pipe 66 and a discharge pipe 63 provided in the gas supply pipe 66.

구체적으로, 상기 회전축(31)은 중심부에 상기 배출유로(61)가 형성되도록 하는 배출관(63)이 구비되어 상기 가스도입부(20)를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하며, 가스공급관(66)은 상기 배출관(63)과의 사이에 상기 구동가스 공급유로(65)가 형성되도록 상기 배출관(63)을 그 내부에 구비한다.Specifically, the rotary shaft 31 is provided with a discharge pipe 63 to form the discharge passage 61 in the center so that the reaction gas supplied through the gas introduction portion 20 is discharged to the outside, the gas supply pipe ( 66 includes the discharge pipe 63 therein so that the driving gas supply passage 65 is formed between the discharge pipe 63.

상기 서셉터(30)에 인접하여 구비되는 가열수단(40)은 피증착체(2)에 박막이 성장하는 동안 소정의 열을 상기 피증착체(2)에 공급하는 역할을 한다. 이러한 가열수단(40)은 전원인가시 열을 발생시키는 전열부재의 일종으로 상기 새틀라이트(50)와 대응하는 영역에 위치하도록 배치하는 것이 바람직하다.
The heating means 40 provided adjacent to the susceptor 30 serves to supply predetermined heat to the deposition target 2 while the thin film is grown on the deposition target 2. The heating means 40 is a kind of heat transfer member that generates heat when power is applied, and is preferably disposed to be located in an area corresponding to the satellite 50.

한편, 도 2 내지 도 5를 참조하여 도 1에 도시된 화학 기상 증착 장치의 서셉터에 관하여 보다 구체적으로 설명한다.Meanwhile, the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus illustrated in FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 도 1에 도시된 화학 기상 증착 장치의 서셉터를 확대한 단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 상부 단면을 나타낸 도면이며, 도 4는 도 3에 도시된 서셉터에서 새틀라이트를 분리한 상태의 수용홈을 나타낸 도면이고, 도 5는 도 1의 새틀라이트를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus shown in FIG. 1, FIG. 3 is a top cross-sectional view of the susceptor shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a view of the susceptor shown in FIG. 3. FIG. 5 is a view illustrating a receiving groove in a state in which a satellite is separated, and FIG. 5 is a view illustrating the satellite of FIG. 1.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터(30)의 수용홈(33)에는 새틀라이트(50)가 회전 가능하도록 구비된다. 즉, 상기 새틀라이트(50)의 회전 중심을 이루는 샤프트(55)가 수용홈(33)의 중심부에 연결되어 상기 샤프트(55)를 중심으로 상기 새틀라이트(50)가 회전할 수 있도록 구비된다.2 and 3, the receiving groove 33 of the susceptor 30 is provided so that the satellite 50 is rotatable. That is, the shaft 55 constituting the rotation center of the satellite 50 is connected to the center of the receiving groove 33 is provided so that the satellite 50 can rotate around the shaft 55.

상기 새틀라이트(50)는 도 5에서처럼 상부면에 피증착체(2)를 수용하는 포켓(52)을 형성하며, 전체 몸체를 이루는 디스크(51)와, 상기 디스크(51)의 하부면 형성되어 구동가스 공급유로(65)를 통해 공급되는 구동가스의 압력을 받아 상기 디스크(51)를 회전시키도록 하는 구동홈(53)을 포함하여 이루어진다.The satellite 50 forms a pocket 52 for accommodating the vapor deposition body 2 on the upper surface as shown in FIG. 5, and has a disk 51 constituting the entire body and a lower surface of the disk 51. It includes a drive groove 53 for rotating the disk 51 under the pressure of the drive gas supplied through the drive gas supply passage (65).

상기 구동홈(53)은 디스크(51)의 하부면에서 외주면을 따라 복수개가 테두리부근에 인접하여 마련되며, 구동가스의 유동 에너지를 받아 디스크(51)를 원활하게 회전시킬 수 있도록 상기 디스크(51)의 하부면으로부터 내부로 소정 기울기로 하향 경사지도록 함몰형성되는 것이 바람직하다.The driving grooves 53 are provided along the outer circumferential surface of the lower surface of the disk 51 and adjacent to the edges thereof, and receive the flow energy of the driving gas to smoothly rotate the disk 51. It is preferable that the recesses are formed to be inclined downward by a predetermined inclination from the lower surface of the bottom surface.

즉, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 구동홈(53)은 상기 디스크(51)의 수평한 하부면으로부터 그 내부로 함몰되어 경사지도록 형성되는 경사면(51a)과, 상기 경사면(51a)의 끝단에서 상기 디스크(51)의 하부면으로 수직하게 형성되는 단차면(51b)을 포함하여 전체적으로 직삼각형의 형상을 가진다. That is, as shown in FIG. 5B, the driving groove 53 is formed on the inclined surface 51a which is formed to be inclined and inclined from the horizontal lower surface of the disk 51 and at the end of the inclined surface 51a. Including a stepped surface (51b) formed perpendicular to the lower surface of the disk 51 has an overall triangular shape.

그리고, 각 구동홈(53)의 단차면(51b)이 모두 동일한 방향을 향하도록 시계방향 또는 반시계방향으로 배열함으로써 구동가스의 압력에 의해 상기 디스크(51)가 시계방향 또는 반시계방향으로 회전되도록 한다.Then, the disc 51 rotates clockwise or counterclockwise by the pressure of the driving gas by arranging clockwise or counterclockwise so that the stepped surfaces 51b of the respective driving grooves 53 all face the same direction. Be sure to

한편, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 서셉터(30)에는 구동가스 공급유로(65)를 통해 공급되는 구동가스가 상기 새틀라이트(50)로 안내되도록 하는 가스유로(35)가 형성된다.On the other hand, as shown in Figures 2 to 4, the susceptor 30 is formed with a gas flow path 35 for driving the drive gas supplied through the drive gas supply flow path 65 to the satellite 50 is formed. do.

상기 가스유로(35)는 상기 수용홈(33)의 하부에 위치하도록 상기 회전체(32)의 내부를 따라 구비되며, 상기 수용홈(33)의 바닥면을 통해 상기 수용홈(33)의 내부로 구동가스가 공급되도록 구성된다.The gas passage 35 is provided along the inside of the rotating body 32 to be positioned below the receiving groove 33, and inside the receiving groove 33 through the bottom surface of the receiving groove 33. The furnace gas is configured to be supplied.

구체적으로, 상기 가스유로(35)는 서셉터(30)의 회전축(31)을 따라 수직하게 구비되는 구동가스 공급유로(65)와 상기 수용홈(33)의 바닥면을 연통시키도록 회전체(32) 내에 수평하게 구비되어 상기 구동가스 공급유로(65)를 통해 공급되는 구동가스가 상기 수용홈(33)의 바닥면을 통해 분사되도록 하여 새틀라이트(50)의 구동홈(53)에 구동가스의 유동 에너지가 전달되도록한다.In detail, the gas passage 35 may include a rotating body to communicate the driving gas supply passage 65 vertically provided along the rotation shaft 31 of the susceptor 30 and the bottom surface of the accommodation groove 33. 32 is provided horizontally in the drive gas supplied through the drive gas supply passage 65 is injected through the bottom surface of the receiving groove 33 to drive gas in the drive groove 53 of the satellite 50 Let the flow energy be transferred.

구동가스가 공급되는 상기 수용홈(33)에는 상기 수용홈(33)의 바닥면을 관통하여 상기 가스유로(35)와 연통하는 복수개의 노즐(37)과, 상기 수용홈(33)의 바닥면에 마련되어 상기 노즐(37)과 연결되며, 상기 노즐(37)을 통해 공급되는 구동가스가 시계방향 또는 반시계방향의 유동흐름을 형성하도록 안내하는 가이드홈(38)이 마련된다.A plurality of nozzles 37 passing through the bottom surface of the accommodation groove 33 and communicating with the gas flow passage 35 are provided in the accommodation groove 33 to which the driving gas is supplied, and the bottom surface of the accommodation groove 33. The guide groove 38 is provided to be connected to the nozzle 37 and to guide the driving gas supplied through the nozzle 37 to form a clockwise or counterclockwise flow.

상기 가이드홈(38)은 상기 노즐(37)과 대응되는 개수로 복수개 구비되어 상기 노즐(37)과 각각 연결되며, 상기 노즐(37)과 연결되는 밑면(38a)이 상기 수용홈(33)의 수평한 바닥면을 향해 소정 기울기로 상향 경사지게 구비될 수 있다. 그리고, 상기 수용홈(33)의 바닥면 테두리를 따라서 시계방향 또는 반시계방향으로 배열된다.The guide grooves 38 are provided in plural numbers corresponding to the nozzles 37 so as to be connected to the nozzles 37, respectively, and a bottom surface 38a connected to the nozzles 37 is formed in the receiving grooves 33. It may be provided to be inclined upward at a predetermined slope toward the horizontal bottom surface. And, it is arranged in a clockwise or counterclockwise direction along the bottom edge of the receiving groove (33).

이 경우, 상기 노즐(37)과 상기 가이드홈(38)은 상기 수용홈(33) 내에 수용되는 상기 새틀라이트(50)의 구동홈(53)과 서로 마주하는 구조로 배치되도록 한다. 따라서, 상기 노즐(37)을 통해 유입되어 상기 가이드홈(38)을 따라 시계방향 또는 반시계방향으로 유동흐름을 형성하며 공급되는 구동가스는 상기 새틀라이트(50)의 구동홈(53)에 직접적으로 유동 에너지를 전달하여 상기 새틀라이트(50)를 회전시키도록 한다. 도면에서는 3개의 노즐(37)과 가이드홈(38)을 구비하는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정하지 않고 보다 많은 개수로 구비할 수도 있다.In this case, the nozzle 37 and the guide groove 38 are arranged to face each other with the driving groove 53 of the satellite 50 accommodated in the receiving groove 33. Accordingly, the driving gas introduced through the nozzle 37 forms a flow flow in the clockwise or counterclockwise direction along the guide groove 38 and is supplied directly to the driving groove 53 of the satellite 50. The flow energy is transmitted to the satellite 50 to rotate. In the drawings, three nozzles 37 and guide grooves 38 are provided, but the present invention is not limited thereto.

그리고, 상기 수용홈(33)의 일측면에는 상기 수용홈(33)의 내주면과 상기 회전체(32)의 외주면을 연결하도록 관통형성되어 상기 가스유로(35)를 통해 상기 수용홈(33)의 내부로 공급되는 구동가스가 외부로 배출될 수 있도록 가스배기부(36)가 마련된다.In addition, one side surface of the receiving groove 33 is formed to connect the inner circumferential surface of the receiving groove 33 and the outer circumferential surface of the rotating body 32 of the receiving groove 33 through the gas flow path 35. The gas exhaust unit 36 is provided to allow the driving gas supplied to the inside to be discharged to the outside.

따라서, 소정의 구동가스 공급원(미도시)으로부터 상기 구동가스 공급유로(65)로 유동하는 구동가스는 가스유로(35)를 통해 새틀라이트(50)로 전달되어 상기 새틀라이트(50)의 구동홈(53)에 압력을 전달하면서 새틀라이트(50)를 회전시키고, 가스배기부(36)로 빠져나간다.Therefore, the driving gas flowing from the predetermined driving gas supply source (not shown) to the driving gas supply passage 65 is transferred to the satellite 50 through the gas passage 35 to drive the groove of the satellite 50. The satellite 50 is rotated while transmitting pressure to the 53 and exits to the gas exhaust unit 36.

이와 같이, 구동가스가 수용홈의 바닥면을 통해 상부로 분사되면서 나선형(spiral) 구조로 공급되도록 함으로써 새틀라이트를 바닥면으로부터 부상시켜 적은 양의 구동가스로도 충분히 회전시킬 수 있다는 장점이 있다.In this way, the driving gas is injected into the upper through the bottom surface of the receiving groove to be supplied in a spiral (spiral) structure has the advantage that can be sufficiently rotated with a small amount of driving gas to rise from the bottom surface.

한편, 상기 새틀라이트(50)와 수용홈(33) 사이의 마찰을 최대한 감소시켜 상기 새틀라이트가 원활하게 회전할 수 있도록 미도시된 볼 부재를 상기 수용홈(33) 내에 구비할 수 있다. 이 경우 상기 볼 부재를 수용하도록 상기 수용홈(33)의 바닥면에는 미도시된 홈 부가 함몰형성될 수 있다. 이러한 볼 부재는 새틀라이트(50)와 점접촉되도록 하여 마찰력을 감소시키고, 새틀라이트(50)가 기울어지지 않고 수평을 유지하도록 지지할 수도 있다.
Meanwhile, a ball member, not shown, may be provided in the accommodation groove 33 to reduce the friction between the satellite 50 and the accommodation groove 33 to allow the satellite to rotate smoothly. In this case, a groove portion (not shown) may be recessed in the bottom surface of the accommodation groove 33 to accommodate the ball member. The ball member may be brought into point contact with the satellite 50 to reduce the frictional force, and may support the satellite 50 to be level without being inclined.

10...... 반응 챔버 11...... 챔버 본체
12...... 챔버 덮개 20...... 가스도입부
21...... 분사노즐 22...... 리저버
30...... 서셉터 31...... 회전축
32...... 회전체 33...... 수용홈
35...... 가스유로 36...... 가스배기부
37...... 노즐 38...... 가이드홈
40...... 가열수단 50...... 새틀라이트
51...... 디스크 52...... 포켓
53...... 구동홈 55...... 샤프트
10 ...... reaction chamber 11 ...... chamber body
12 ...... chamber cover 20 ...... Gas introduction
21 ...... Dispensing nozzle 22 ...... Reservoir
30 ...... Susceptor 31 ...... Spindle
32 ...... Revolving body 33 ...... Receiving groove
35 ...... Gas flow path 36 ...... Gas exhaust
37 ...... Nozzle 38 ...... Guide groove
40 ...... Heating means 50 ...... Satellite
51 ...... Disc 52 ...... Pocket
53 ...... Drive Groove 55 ...... Shaft

Claims (18)

구동장치와 연결되는 회전축을 통해 회전하는 회전체;
상기 회전체의 상면에 구비되어 상부로 개방되는 적어도 하나의 수용홈;
상기 수용홈의 하부에 위치하도록 상기 회전체의 내부를 따라 구비되며, 상기 수용홈의 바닥면을 통해 상기 수용홈의 내부로 구동가스가 공급되도록 하는 가스유로;
상기 회전축 내에 구비되며, 상기 가스유로와 연결되어 외부에서 공급되는 상기 구동가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 구동가스 공급유로; 및
상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 하부면에서 주연(周緣)을 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 구동가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전하도록 하는 복수의 구동홈을 구비하는 새틀라이트;
를 포함하는 서셉터.
A rotating body rotating through a rotating shaft connected to the driving device;
At least one receiving groove provided on an upper surface of the rotating body and opened upward;
A gas flow path provided along the inside of the rotating body so as to be positioned below the accommodating groove, such that a driving gas is supplied into the accommodating groove through a bottom surface of the accommodating groove;
A driving gas supply passage provided in the rotation shaft and connected to the gas passage to allow the driving gas supplied from the outside to flow into the gas passage; And
The disk is rotatably accommodated in the receiving groove and accommodates the vapor deposition body, and formed along the periphery of the lower surface of the disk to receive the pressure of the driving gas supplied through the gas flow path to rotate the disk. A satellite having a plurality of driving grooves;
Susceptor comprising a.
제1항에 있어서,
상기 구동홈은 상기 디스크의 하부면으로부터 내부로 소정 기울기로 하향 경사지도록 함몰형성되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1,
And the driving groove is recessed to be inclined downward by a predetermined slope from the lower surface of the disk to the inside.
제2항에 있어서, 상기 구동홈은,
상기 디스크의 하부면으로부터 그 내부로 함몰되어 경사지도록 형성되는 경사면과, 상기 경사면의 끝단에서 상기 디스크의 하부면으로 수직하게 형성되는 단차면을 포함하며, 각 구동홈의 단차면이 시계방향 또는 반시계방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 2, wherein the driving groove,
An inclined surface formed to be inclined and inclined from the lower surface of the disk, and a stepped surface formed vertically from the end of the inclined surface to the lower surface of the disk, wherein the stepped surface of each driving groove is clockwise or half Susceptor, characterized in that arranged in a clockwise direction.
제1항에 있어서,
상기 수용홈의 내주면과 상기 회전체의 외주면을 연결하도록 관통형성되어 상기 가스유로를 통해 상기 수용홈의 내부로 공급되는 구동가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1,
A susceptor further comprising a gas exhaust portion formed to penetrate the inner circumferential surface of the accommodating groove and the outer circumferential surface of the rotating body so that the driving gas supplied into the accommodating groove through the gas passage is discharged to the outside. .
제1항에 있어서,
상기 새틀라이트는 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1,
The satellite further comprises a shaft connecting the center of the disk and the center of the receiving groove to form a rotation center of the disk.
제1항에 있어서, 상기 수용홈은,
상기 수용홈의 바닥면을 관통하여 상기 가스유로와 연통하는 복수개의 노즐과, 상기 수용홈의 바닥면에 마련되어 상기 노즐과 연결되며, 상기 노즐을 통해 공급되는 구동가스가 시계방향 또는 반시계방향의 유동흐름을 형성하도록 안내하는 가이드홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 1, wherein the receiving groove,
A plurality of nozzles penetrating the bottom surface of the receiving groove and in communication with the gas flow path, and provided to the bottom surface of the receiving groove and connected to the nozzle, the driving gas supplied through the nozzle is clockwise or counterclockwise A susceptor comprising a guide groove for guiding to form a flow flow.
제6항에 있어서,
상기 가이드홈은 상기 노즐과 대응되는 개수로 복수개 구비되어 상기 노즐과 각각 연결되며, 상기 노즐과 연결되는 밑면이 상기 수용홈의 바닥면을 향해 소정 기울기로 상향 경사지게 구비되어 시계방향 또는 반시계방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method of claim 6,
The guide grooves are provided in plural numbers corresponding to the nozzles, and are connected to the nozzles, respectively, and the bottom surface connected to the nozzles is provided to be inclined upward with a predetermined inclination toward the bottom surface of the receiving groove. Susceptor, characterized in that arranged.
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 노즐과 상기 가이드홈은 상기 수용홈 내에 수용되는 상기 새틀라이트의 상기 구동홈과 서로 마주하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 서셉터.
The method according to claim 6 or 7,
And the nozzle and the guide groove are disposed to face each other with the driving groove of the satellite received in the receiving groove.
일정 크기의 내부공간을 형성하는 챔버 본체와, 상기 챔버 본체를 밀봉하여 기밀을 유지하도록 하는 챔버 덮개를 구비하는 반응 챔버;
상기 챔버 본체 내에 구비되며, 구동장치와 연결되는 회전축을 통해 회전하는 회전체를 구비하는 서셉터;
상기 회전체의 상면에 구비되어 상부로 개방되는 적어도 하나의 수용홈;
상기 수용홈의 하부에 위치하도록 상기 회전체의 내부를 따라 구비되며, 상기 수용홈의 바닥면을 통해 상기 수용홈의 내부로 구동가스가 공급되도록 하는 가스유로;
상기 회전축 내에 구비되며, 상기 가스유로와 연결되어 외부에서 공급되는 상기 구동가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 구동가스 공급유로; 및
상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 하부면에서 주연(周緣)을 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 구동가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전하도록 하는 복수의 구동홈을 구비하는 새틀라이트;
를 포함하는 화학 기상 증착 장치.
A reaction chamber having a chamber body forming an internal space of a predetermined size and a chamber cover sealing the chamber body to maintain airtightness;
A susceptor provided in the chamber body, the susceptor including a rotating body rotating through a rotating shaft connected to a driving device;
At least one receiving groove provided on an upper surface of the rotating body and opened upward;
A gas flow path provided along the inside of the rotating body so as to be positioned below the accommodating groove, such that a driving gas is supplied into the accommodating groove through a bottom surface of the accommodating groove;
A driving gas supply passage provided in the rotation shaft and connected to the gas passage to allow the driving gas supplied from the outside to flow into the gas passage; And
The disk is rotatably accommodated in the receiving groove and accommodates the vapor deposition body, and formed along the periphery of the lower surface of the disk to receive the pressure of the driving gas supplied through the gas flow path to rotate the disk. A satellite having a plurality of driving grooves;
Chemical vapor deposition apparatus comprising a.
제9항에 있어서,
상기 반응 챔버의 측면에 구비되어 외부로부터 반응가스를 도입하여 상기 반응영역으로 반응가스를 공급하는 가스도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
10. The method of claim 9,
And a gas introduction unit provided at a side of the reaction chamber to introduce a reaction gas from the outside to supply the reaction gas to the reaction region.
제9항에 있어서,
상기 회전축의 중심부에 구비되며, 상기 반응영역으로 공급되는 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
10. The method of claim 9,
The chemical vapor deposition apparatus is provided in the center of the rotating shaft, further comprising a discharge passage for discharging the reaction gas supplied to the reaction zone to the outside.
제11항에 있어서, 상기 회전축은,
중심부에 상기 배출유로가 형성되도록 하는 배출관과, 상기 배출관과의 사이에 상기 구동가스 공급유로가 형성되며 상기 배출관을 내부에 구비하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
The method of claim 11, wherein the rotation axis,
And a gas supply pipe formed between the discharge pipe to form the discharge flow path in the center, and the driving gas supply flow path between the discharge pipe and the discharge pipe therein.
제10항에 있어서,
상기 서셉터의 회전축 중심부에 구비되며, 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출관과,
소정의 구동가스 공급원과 연결되며, 상기 구동가스 공급원으로부터 공급되는 구동가스를 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
The method of claim 10,
A discharge tube provided at the center of the rotation shaft of the susceptor and discharging the reaction gas supplied through the gas introduction unit to the outside;
And a gas supply pipe connected to a predetermined driving gas source and configured to flow the driving gas supplied from the driving gas source into the gas passage.
제9항에 있어서,
상기 구동홈은 상기 디스크의 하부면으로부터 내부로 소정 기울기로 하향 경사지도록 함몰형성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
10. The method of claim 9,
And the driving groove is recessed to be inclined downward by a predetermined slope from the lower surface of the disk to the inside.
제9항에 있어서,
상기 수용홈의 내주면과 상기 회전체의 외주면을 연결하도록 관통형성되어 상기 가스유로를 통해 상기 수용홈의 내부로 공급되는 구동가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
10. The method of claim 9,
A chemical vapor phase further comprises a gas exhaust portion formed to penetrate the inner circumferential surface of the receiving groove and the outer circumferential surface of the rotating body so that the driving gas supplied into the receiving groove through the gas passage is discharged to the outside. Deposition apparatus.
제9항에 있어서, 상기 수용홈은,
상기 수용홈의 바닥면을 관통하여 상기 가스유로와 연통하는 복수개의 노즐과, 상기 수용홈의 바닥면에 마련되어 상기 노즐과 연결되며, 상기 노즐을 통해 공급되는 구동가스가 시계방향 또는 반시계방향의 유동흐름을 형성하도록 안내하는 가이드홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
The method of claim 9, wherein the receiving groove,
A plurality of nozzles penetrating the bottom surface of the receiving groove and in communication with the gas flow path, and provided to the bottom surface of the receiving groove and connected to the nozzle, the driving gas supplied through the nozzle is clockwise or counterclockwise Chemical vapor deposition apparatus comprising a guide groove for guiding to form a flow flow.
제16항에 있어서,
상기 가이드홈은 상기 노즐과 대응되는 개수로 복수개 구비되어 상기 노즐과 각각 연결되며, 상기 노즐과 연결되는 밑면이 상기 수용홈의 바닥면을 향해 소정 기울기로 상향 경사지게 구비되어 시계방향 또는 반시계방향으로 배열되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
The method of claim 16,
The guide grooves are provided in plural numbers corresponding to the nozzles, and are connected to the nozzles, respectively, and the bottom surface connected to the nozzles is provided to be inclined upward with a predetermined inclination toward the bottom surface of the receiving groove. Chemical vapor deposition apparatus, characterized in that arranged.
제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 노즐과 상기 가이드홈은 상기 수용홈 내에 수용되는 상기 새틀라이트의 상기 구동홈과 서로 마주하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
The method according to claim 16 or 17,
And the nozzle and the guide groove are disposed to face each other with the driving groove of the satellite accommodated in the receiving groove.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101251404B1 (en) * 2011-10-04 2013-04-05 일진다이아몬드(주) Satilite for susceptor
KR101352886B1 (en) * 2012-09-14 2014-01-20 주식회사 티씨케이 Susceptor for supporting substrates
KR20160051540A (en) * 2014-10-31 2016-05-11 (주)에스아이 Wafer rotating apparatus
KR20170006841A (en) * 2015-07-10 2017-01-18 주식회사 테스 Apparatus for mocvd
KR101885026B1 (en) * 2017-03-22 2018-08-02 오충석 Wafer rotating apparatus
KR20210079781A (en) * 2019-12-20 2021-06-30 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101251404B1 (en) * 2011-10-04 2013-04-05 일진다이아몬드(주) Satilite for susceptor
KR101352886B1 (en) * 2012-09-14 2014-01-20 주식회사 티씨케이 Susceptor for supporting substrates
KR20160051540A (en) * 2014-10-31 2016-05-11 (주)에스아이 Wafer rotating apparatus
KR20170006841A (en) * 2015-07-10 2017-01-18 주식회사 테스 Apparatus for mocvd
KR101885026B1 (en) * 2017-03-22 2018-08-02 오충석 Wafer rotating apparatus
WO2018174444A1 (en) * 2017-03-22 2018-09-27 오충석 Wafer rotating device
KR20210079781A (en) * 2019-12-20 2021-06-30 주식회사 원익아이피에스 Apparatus for processing substrate

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