KR20210079781A - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate processing device, which comprises: a process chamber having a processing space for processing a substrate; a substrate support provided to be rotatable in the processing space, and having a plurality of the substrate seated on an upper surface thereof; and a gas injection unit disposed on an upper portion of the processing space to face the substrate support, and injecting a processing gas toward the substrate support. The substrate support includes: a susceptor formed with a plurality of pocket groove units disposed at regular intervals in a circumferential direction on an upper surface in a disk shape; a shaft connected to a lower portion of the susceptor, and rotatably driven while supporting the susceptor; and a satellite seated in at least one of the pocket groove units, floating and rotating by a rotation driving gas introduced from a rotation driving gas inlet hole formed in each of the pocket groove units, and having the substrate seated on an upper surface thereof. The susceptor can be formed with a particle discharge unit for discharging particles generated or introduced between the satellite and the pocket groove units to the circumference of a side surface of the susceptor.

Description

기판 처리 장치{Apparatus for processing substrate}Substrate processing apparatus {Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 상에 박막을 증착하기 위한 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for depositing a thin film on a substrate.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 소자 혹은 태양전지를 제조하기 위해서는 진공 분위기의 공정 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에서 각종 공정이 수행된다. 예컨대, 공정 챔버 내에 기판을 로딩하고 기판 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다. 이때, 기판은 공정 챔버 내에 설치된 기판 지지대에 지지되며, 기판 지지대와 대향되도록 기판 지지대의 상부에 설치되는 샤워 헤드를 통해 공정 가스를 기판으로 분사할 수 있다.In general, in order to manufacture a semiconductor device, a display device, or a solar cell, various processes are performed in a substrate processing apparatus including a process chamber in a vacuum atmosphere. For example, a process such as loading a substrate into the process chamber and depositing a thin film on the substrate or etching the thin film may be performed. In this case, the substrate is supported on a substrate support installed in the process chamber, and a process gas may be sprayed to the substrate through a shower head installed on the substrate support to face the substrate support.

이때, 기판에 균일한 박막의 성장을 위해서는 기판이 안착되는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라, 기판을 수용하고 있는 포켓홈부도 회전하도록 하는 것이 필요할 수 있다. 즉, 기판이 반응 가스에 노출되는 동안 자전을 함으로써 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 유도할 수 있는 것이다. 이를 위한, 기판 처리 장치는, 상면에 기판을 지지할 수 있는 새틀라이트(Satellite)가 포켓홈부에 안착되며, 새틀라이트에 중심축을 기준으로 반원 방향의 가스 그루브 홈을 형성하여, 분사되는 가스 유동을 통해 기판을 회전시킬 수 있다.At this time, in order to uniformly grow the thin film on the substrate, it may be necessary to rotate the susceptor itself, on which the substrate is seated, as well as the pocket groove for accommodating the substrate. That is, it is possible to induce the growth of the thin film to be substantially uniform by rotating the substrate while it is exposed to the reaction gas. To this end, in the substrate processing apparatus, a satellite capable of supporting the substrate on the upper surface is seated in the pocket groove portion, and a gas groove is formed in a semicircular direction based on the central axis in the satellite to prevent the gas flow being injected. The substrate can be rotated through

그러나, 이러한 종래의 기판 처리 장치는, 서셉터가 구동부에 의하여 공전 회전하고, 서셉터의 상면에서 새틀라이트가 자전 회전하는 설비에에서 새틀라이트의 리프팅과 회전을 하나의 가스 홀에서 공급되는 가스로 구동되어, 초기 구동시 리프팅이 충분하지 못한 상태에서 회전이 되기 때문에 서셉터와 새틀라이트의 물리적 마찰로 인하여 파티클이 발생되는 문제점이 있었다.However, in this conventional substrate processing apparatus, the susceptor rotates orbitally by the driving unit, and the lifting and rotation of the satellite in a facility in which the satellite rotates on the upper surface of the susceptor is performed by using a gas supplied from one gas hole. Since it is driven and rotates in a state where lifting is insufficient during initial operation, there is a problem in that particles are generated due to physical friction between the susceptor and the satellite.

또한, 리트팅과 회전을 별개로 제어하기 위하여 리프팅 가스 홀과 회전 가스 홀에서 별개로 가스를 공급하여도 새틀라이트를 정지 시에 관성에 의하여 회전되는 동안 서셉터와 새틀라이트의 물리적 마찰로 인하여 파티클이 발생되는 문제점이 있었다.In addition, even if gas is separately supplied from the lifting gas hole and the rotating gas hole in order to control lifting and rotation separately, particles are caused by physical friction between the susceptor and the satellite while the satellite is rotated by inertia when stopped. There was a problem that this occurred.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 기판의 처리 공정 중 기판 지지대의 포켓홈부에 안착된 새틀라이트와 서셉터의 물리적 마찰로 발생되는 파티클을 서셉터 외부로 배출할 수 있도록 하여, 기판에 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the above problems, and it is possible to discharge particles generated by physical friction between the susceptor and the satellite seated in the pocket groove of the substrate support during the processing of the substrate to the outside of the susceptor. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of more uniformly growing a thin film on a substrate. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 처리 공간을 가지는 공정 챔버; 상기 처리 공간에 회전 가능하도록 구비되며, 상면에 복수의 상기 기판이 안착되는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 처리 공간 상부에 배치되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부;를 포함하고, 상기 기판 지지대는, 원판 형상으로 상면에 원주 방향을 따라 일정 거리 이격 배치되는 복수의 포켓홈부가 형성되어 있는 서셉터; 상기 서셉터 하부에 연결되어 상기 서셉터를 지지하며 회전 구동하는 샤프트; 및 적어도 하나 이상의 상기 포켓홈부에 안착되어 상기 포켓홈부 각각에 형성된 회전 구동 가스 유입홀부로부터 유입된 회전 구동 가스에 의해 부유 회전하며 상면에 상기 기판이 안착되는 새틀라이트;를 포함하고, 상기 서셉터는, 상기 새틀라이트와 상기 포켓홈부 사이에서 발생하거나 유입된 파티클을 상기 서셉터 측면 둘레로 배출하는 파티클 배출부가 형성될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus may include: a process chamber having a processing space capable of processing a substrate; a substrate support provided to be rotatable in the processing space and on which the plurality of substrates are seated; and a gas injection unit disposed above the processing space to face the substrate support and spraying the processing gas toward the substrate support, wherein the substrate support has a disk shape and is spaced apart by a predetermined distance along a circumferential direction on an upper surface of the substrate support. a susceptor having a plurality of pocket grooves disposed thereon; a shaft connected to a lower portion of the susceptor to support the susceptor and to rotate; and a satellite seated in at least one of the pocket grooves, floating and rotating by the rotation driving gas introduced from the rotation driving gas inlet hole formed in each of the pocket grooves, and the substrate is seated on an upper surface of the satellite. , a particle discharge unit for discharging particles generated or introduced between the satellite and the pocket groove to the circumference of the susceptor side surface may be formed.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 파티클 배출부는 각각의 상기 포켓홈부가 상기 서셉터 외측 둘레와 연통되도록 각각의 상기 포켓홈부의 내측면과 상기 서셉터 외측 둘레를 관통하는 관통공으로 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the particle discharge portion may be formed with a through hole penetrating the inner surface of each pocket groove portion and the outer circumference of the susceptor so that each of the pocket groove portions communicates with the outer circumference of the susceptor. .

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 서셉터는, 상기 포켓홈부의 바닥면을 형성하며 상기 바닥면에는 상기 회전 구동 가스 유입홀부가 형성되는 하부 몸체; 상기 하부 몸체의 상부에 상기 하부 몸체와 대응되도록 배치되며, 내측에는 상기 포켓홈부를 형성하는 관통부가 형성된 상부 몸체; 및 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체 사이에 상기 파티클 배출부가 형성되도록 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체가 이격 배치되게 형성되는 이격 부재;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the susceptor may include: a lower body forming a bottom surface of the pocket groove portion and having the rotation driving gas inlet hole formed on the bottom surface; an upper body disposed on an upper portion of the lower body to correspond to the lower body, an upper body having a penetrating portion formed therein to form the pocket groove; and a spacer member formed to be spaced apart from the upper body and the lower body so that the particle discharge portion is formed between the upper body and the lower body.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 파티클 배출부는 상기 서셉터의 측면 둘레에 한바퀴 둘러서 한정될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the particle discharging portion may be limited by one round around the side surface of the susceptor.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 이격 부재는, 중앙이 관통된 도넛 형상으로 형성되어 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체의 중심부를 연결하는 중심 지지부; 및 상기 중심 지지부 주위에는 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체를 연결하는 복수의 보조 지지부들;을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the spacer member may include: a central support part formed in a donut shape having a center through it and connecting the central parts of the upper body and the lower body; and a plurality of auxiliary support parts connecting the upper body and the lower body around the central support part.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 회전 구동 가스 유입홀부는, 상기 포켓홈부의 중앙 영역에 형성된 리프팅 가스 홀부; 및 상기 리프팅 가스 홀부로부터 분사된 가스가 상기 새틀라이트의 목표 회전 방향으로 유동되도록 상기 리프팅 가스 홀부로부터 연장되어 형성되는 유동 홈부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the rotation driving gas inlet hole portion, a lifting gas hole portion formed in the central region of the pocket groove portion; and a flow groove extending from the lifting gas hole so that the gas injected from the lifting gas hole flows in a target rotational direction of the satellite.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 유동 홈부는, 상기 리프팅 가스 홀부로부터 상기 포켓홈부 가장자리 방향으로 나선형으로 연장 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the flow groove portion may be formed to extend spirally from the lifting gas hole portion toward the edge of the pocket groove portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 회전 구동 가스 유입홀부는, 상기 포켓홈부의 중앙 영역에 형성된 리프팅 가스 홀부; 및 상기 포켓홈부의 가장자리 영역에 형성된 운동 가스 홀부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the rotation driving gas inlet hole portion, a lifting gas hole portion formed in the central region of the pocket groove portion; and a motion gas hole formed in an edge region of the pocket groove portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 운동 가스 홀부는 상기 포켓홈부에 형성된 바닥면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the motion gas hole portion may be formed to be inclined with respect to a bottom surface formed in the pocket groove portion.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 새틀라이트는, 상기 운동 가스 홀부에 대응되는 하면의 가장자리를 따라 상기 운동 가스 홀부로부터 분사된 상기 운동 가스에 의하여 상기 새틀라이트에 회전력을 전달하는 회전 패턴부가 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the satellite, a rotation pattern portion for transmitting a rotational force to the satellite is formed by the movement gas injected from the movement gas hole portion along an edge of a lower surface corresponding to the movement gas hole portion can be

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 기판 지지대는, 상기 서셉터와 상기 새틀라이트 사이에 배치되어 상기 회전 구동 가스 유입홀부로부터 유입된 상기 회전 구동 가스를 상기 새틀라이트 저면으로 고르게 확산시키도록 형성되는 가스 유동 패널;을 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate support is disposed between the susceptor and the satellite to evenly diffuse the rotation driving gas introduced from the rotation driving gas inlet hole to the bottom of the satellite. It may include a gas flow panel.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 유동 패널은, 하면에 상기 회전 구동 가스 유입홀부를 통해 공급되는 상기 회전 구동 가스를 상기 포켓홈부의 중심 영역으로부터 원주 방향으로 확산시키는 패널 확산 홈부; 및 상면에 상기 패널 확산 홈부를 통해서 확산된 상기 회전 구동 가스를 상기 새틀라이트의 목표 회전 방향 또는 상기 목표 회전 방향의 접선 방향으로 유동시키는 패널 유동 홈부;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the gas flow panel may include: a panel diffusion groove for diffusing the rotation driving gas supplied through the rotation driving gas inlet hole on a lower surface in a circumferential direction from a central region of the pocket groove; and a panel flow groove on the upper surface of which the rotation driving gas diffused through the panel diffusion groove flows in a target rotation direction of the satellite or a tangential direction to the target rotation direction.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 가스 유동 패널의 직경은 상기 새틀라이트의 직경보다 더 작은 것을 특징으로 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a diameter of the gas flow panel may be smaller than a diameter of the satellite.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 새틀라이트는, 상기 새틀라이트 둘레를 따라 가장자리 부분에 하향 돌출된 돌출부가 형성될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, in the satellite, a protrusion protruding downwardly may be formed at an edge portion along the circumference of the satellite.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지대 및 기판 처리 장치에 따르면, 기판의 처리 공정 시 서셉터를 분리시켜, 서셉터와 새틀라이트의 물리적 마찰로 인하여 발생되는 파티클을 서셉터 사이의 공간으로 배출 시킬 수 있으며, 파티클이 상부의 기판 또는 처리 공간으로 이동하는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate support and substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention made as described above, the susceptor is separated during the processing of the substrate, and particles generated due to physical friction between the susceptor and the satellite are separated between the susceptor. It can be discharged into the space of , and it can prevent particles from moving to the upper substrate or processing space.

이에 따라, 기판의 처리 공정 중 발생되는 파티클의 배기를 안정적으로 이루어지도록 하여, 기판에 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 유도함으로써, 기판의 처리 품질을 높이고 공정 수율을 증가시키는 효과를 가지는 기판 지지대 및 기판 처리 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Accordingly, by stably evacuating particles generated during the processing process of the substrate, and inducing the growth of the thin film on the substrate more uniformly, the substrate support having the effect of improving the processing quality of the substrate and increasing the process yield and a substrate processing apparatus. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 서셉터에 형성된 운동 가스 홀부에서 새틀라이트의 회전 패턴부에 운동 가스가 분사되는 것을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 4의 새틀라이트를 나타내는 사시도들이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 7에 따른 기판 지지대에 형성되는 서셉터, 새틀라이트, 가스 유동 패널 및 기판을 개략적으로 나타내는 분해 사시도이다.
도 9는 도 8의 서셉터에 안착되는 가스 유동 패널을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 10은 도 8의 서셉터에 안착되는 가스 유동 패널의 후면을 나타내는 후면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 11의 새틀라이트를 나타내는 사시도들이다.
도 13은 도 11에 따른 기판 지지대의 서셉터 및 새틀라이트를 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대의 상부 몸체와 하부 몸체 사이에서 파티클이 배기되는 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 기판 지지대를 실험한 실험 사진이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to another exemplary embodiment of the present invention.
3 is a perspective view schematically illustrating a substrate support of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a perspective view schematically illustrating a substrate support of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating that the kinetic gas is injected into the rotation pattern portion of the satellite from the kinetic gas hole formed in the susceptor according to another embodiment of the present invention.
6 is a perspective view illustrating the satellite of FIG. 4 .
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate support of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is an exploded perspective view schematically illustrating a susceptor, a satellite, a gas flow panel, and a substrate formed on the substrate support according to FIG. 7 .
9 is a perspective view schematically illustrating a gas flow panel seated on the susceptor of FIG. 8 .
FIG. 10 is a rear view showing the rear surface of the gas flow panel seated on the susceptor of FIG. 8 .
11 is a cross-sectional view schematically illustrating a substrate processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
12 is a perspective view illustrating the satellite of FIG. 11 .
13 is a cross-sectional view illustrating a susceptor and a satellite of the substrate support according to FIG. 11 .
14 is a diagram schematically illustrating a system in which particles are exhausted between an upper body and a lower body of a substrate support according to another embodiment of the present invention.
15 is an experimental photograph of a substrate substrate supporter according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, several preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.Examples of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art, and the following examples may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is as follows It is not limited to an Example. Rather, these embodiments are provided so as to more fully and complete the present disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In addition, in the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated for convenience and clarity of description.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically illustrating ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the illustrated shape can be expected, for example depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the inventive concept should not be construed as limited to the specific shape of the region shown in the present specification, but should include, for example, changes in shape caused by manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3은 도 2에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대(1000)를 개략적으로 나타내는 사시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a substrate according to FIG. It is a perspective view schematically showing the substrate support 1000 of the processing apparatus.

먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 크게 기판 지지대(1000), 공정 챔버(2000) 및 가스 분사부(3000)를 포함할 수 있다.First, as shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may largely include a substrate support 1000 , a process chamber 2000 , and a gas injection unit 3000 .

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(1000)는 서셉터(100)와, 새틀라이트(200) 및 샤프트(400)를 포함할 수 있으며, 자세한 설명은 후술하기로 한다.1 and 2 , the substrate support 1000 may include a susceptor 100 , a satellite 200 , and a shaft 400 , which will be described in detail later.

도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(2000)는, 기판(S)을 처리할 수 있는 처리 공간이 형성되는 챔버 몸체(2200)를 포함할 수 있다. 챔버 몸체(2200)는 내부에 원형 또는 사각 형상으로 형성되는 처리 공간이 형성될 수 있다. 상기 처리 공간에서는 상기 처리 공간에 설치된 기판 지지대(1000)에 지지되는 기판(S) 상에 박막을 증착하거나 박막을 식각하는 등의 공정이 진행될 수 있다.As shown in FIG. 1 , the process chamber 2000 may include a chamber body 2200 in which a processing space capable of processing a substrate S is formed. The chamber body 2200 may have a processing space formed in a circular or rectangular shape therein. In the processing space, a process such as depositing a thin film or etching the thin film on the substrate S supported by the substrate support 1000 installed in the processing space may be performed.

또한, 챔버 몸체(2200)의 하측에는 기판 지지대(1000)를 둘러싸는 형상으로 복수의 배기 포트(4000)가 설치될 수 있다.In addition, a plurality of exhaust ports 4000 in a shape surrounding the substrate support 1000 may be installed under the chamber body 2200 .

배기 포트(4000)는 상기 처리 공간 내부의 처리 가스 및 기판 지지대(1000)에서 발생되는 파티클(P)을 배기할 수 있도록 공정 챔버(2000)의 하부 일측에 형성될 수 있다.The exhaust port 4000 may be formed at one lower side of the process chamber 2000 to exhaust the processing gas inside the processing space and the particles P generated from the substrate support 1000 .

배기 포트(4000)는, 배기관을 통하여 공정 챔버(2000) 외부에 설치된 메인 진공 펌프(6000)와 연결될 수 있다. 배기 포트(4000)는 공정 챔버(2000)의 처리 공간 내부의 공기를 흡입함으로써, 처리 공간 내부의 각종 처리 가스를 배기시키거나 처리 공간 내부에 진공 분위기가 형성될 수 있도록 진공 펌프(6000)와 연통될 수 있다.The exhaust port 4000 may be connected to the main vacuum pump 6000 installed outside the process chamber 2000 through an exhaust pipe. The exhaust port 4000 communicates with the vacuum pump 6000 so that various processing gases in the processing space are exhausted or a vacuum atmosphere is formed in the processing space by sucking air in the processing space of the process chamber 2000 . can be

도시되진 않았지만, 챔버 몸체(2200)의 측면에는 기판(S)을 상기 처리 공간으로 로딩 또는 언로딩할 수 있는 통로인 게이트가 형성될 수 있다. 아울러, 상방이 개방된 챔버 몸체(2200)의 상기 처리 공간은 탑 리드(2100)에 의해 폐쇄될 수 있다.Although not shown, a gate, which is a passage for loading or unloading the substrate S into the processing space, may be formed on a side surface of the chamber body 2200 . In addition, the processing space of the upper open chamber body 2200 may be closed by the top lid 2100 .

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(1000)는, 기판(S)을 지지할 수 있도록 공정 챔버(2000)의 중심축을 기준으로 상기 처리 공간에서 회전 가능하도록 구비되며, 상면에 복수의 상기 기판(S)이 안착되어 설치될 수 있다. 예컨대, 기판 지지대(1000)는, 기판(S)을 지지할 수 있는 서셉터나 테이블 등을 포함하는 기판 지지 구조체일 수 있다.As shown in FIG. 1 , the substrate support 1000 is provided to be rotatable in the processing space with respect to the central axis of the process chamber 2000 to support the substrate S, and a plurality of the substrates are disposed on the upper surface of the substrate support 1000 . (S) can be seated and installed. For example, the substrate support 1000 may be a substrate support structure including a susceptor or a table capable of supporting the substrate S.

이때, 가스 분사부(3000)는 기판 지지대(1000)와 대향되도록 공정 챔버(2000)의 상부에 구비되어, 기판 지지대(1000)를 향해 처리 가스를 분사할 수 있으며, 또한, 기판 지지대(1000)와 대향되도록 공정 챔버(2000)의 상부에 형성되어, 상기 공정 가스가 하부의 복수의 기판들(S)을 향하여 상기 공정 가스가 낙하하도록 분사할 수 있다.In this case, the gas ejection unit 3000 is provided on the process chamber 2000 to face the substrate supporter 1000 , and may inject a processing gas toward the substrate supporter 1000 , and also the substrate supporter 1000 . It is formed in the upper portion of the process chamber 2000 to face the . The process gas may be sprayed so that the process gas falls toward the plurality of substrates S thereunder.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대(1000)를 더욱 구체적으로 설명한다.The substrate support 1000 of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

도 1에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(1000)는 서셉터(100), 새틀라이트(200) 및 샤프트(400)를 포함할 수 있다.1 , the substrate support 1000 may include a susceptor 100 , a satellite 200 , and a shaft 400 .

새틀라이트(200)는 적어도 하나 이상의 포켓홈부(10)에 안착되어 포켓홈부(10) 각각에 형성된 회전 구동 가스 유입홀부(H)로부터 유입된 회전 구동 가스에 의해 부유 회전하며 상면에 상기 기판이 안착될 수 있다.The satellite 200 is seated in at least one or more pocket grooves 10 and floats and rotates by the rotation driving gas introduced from the rotation driving gas inlet hole H formed in each of the pocket groove portions 10, and the substrate is seated on the upper surface. can be

구체적으로, 새틀라이트(200)는 서셉터(100)를 통해 공급되는 가스의 압력에 의해 부유 된 상태로 회전되어, 상면에 안착된 각각의 기판들(S)을 자전시킬 수 있도록, 포켓홈부의 내부에 각각 안착되는 원판 형상으로 형성될 수 있다.Specifically, the satellite 200 is rotated in a suspended state by the pressure of the gas supplied through the susceptor 100, so that each of the substrates S seated on the upper surface can be rotated, the pocket groove portion It may be formed in the shape of a disk seated therein, respectively.

샤프트(400)는 서셉터(100)에 연결되고, 서셉터(100)를 회전 구동시켜 복수의 기판(S)을 공전시키도록 구동부(M)로부터 회전력을 전달받을 수 있다. 샤프트(200)는 서셉터(100)의 하부에 회전축과 일치하는 중심축을 가지도록 형성되어 서셉터(100)를 지지할 수 있으며, 구동부(M)로부터 서셉터(100)를 회전시키는 동력을 전달하여 서셉터(100)와 함께 회전될 수 있다.The shaft 400 may be connected to the susceptor 100 , and may receive rotational force from the driving unit M to rotate the susceptor 100 to make the plurality of substrates S orbit. The shaft 200 may be formed to have a central axis coincident with the rotation axis at the lower portion of the susceptor 100 to support the susceptor 100 , and transmit power to rotate the susceptor 100 from the driving unit M Thus, it can be rotated together with the susceptor 100 .

서셉터(100)는 원판 형상으로 상면에 원주 방향을 따라 일정 거리 이격 배치되는 복수의 포켓홈부(10)가 형성될 수 있다.The susceptor 100 may be formed with a plurality of pocket grooves 10 spaced apart from each other by a predetermined distance along the circumferential direction on the upper surface in the shape of a disk.

더욱 구체적으로, 서셉터(100)는, 복수개의 기판(S)을 한번에 처리할 수 있도록 상면에 복수개의 포켓홈부(10)가 회전축을 중심으로 방사상으로 등각 배치되고, 하부에 상기 회전축과 일치하는 중심축을 가지도록 형성되어 서셉터(100)를 지지하고, 내부에 유동 가스가 유입되는 가스 유로가 형성될 수 있다.More specifically, the susceptor 100, a plurality of pocket groove portions 10 on the upper surface to be able to process a plurality of substrates (S) at once is radially conformal about the rotation axis, and the lower portion coincides with the rotation axis It is formed to have a central axis to support the susceptor 100 , and a gas flow path through which a flowing gas is introduced may be formed.

서셉터(100)는, 새틀라이트(200)와 포켓홈부(10) 사이에서 발생하거나 유입된 파티클(P)을 서셉터(100) 측면 둘레로 배출하는 파티클 배출부(20)가 형성될 수 있다.The susceptor 100 may include a particle discharge unit 20 for discharging particles P generated or introduced between the satellite 200 and the pocket groove portion 10 to the circumference of the susceptor 100 side surface. .

구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른, 파티클 배출부(20)는, 각각의 포켓홈부(10)가 서셉터(100) 외측 둘레와 연통되도록 각각의 포켓홈부(10)의 내측면과 서셉터(100) 외측 둘레를 관통하는 관통공(21)으로 형성될 수 있다.Specifically, as shown in Figure 1, according to an embodiment of the present invention, the particle discharge portion 20, each pocket groove portion 10 so that each pocket groove portion 10 communicates with the outer periphery of the susceptor 100, each pocket groove portion It may be formed as a through hole 21 passing through the inner surface of the 10 and the outer circumference of the susceptor 100 .

예컨대, 포켓홈부(10) 내측의 적어도 일부분과 서셉터(100) 외측의 적어도 일부분이 연통되는 관통공(21)이 형성되어 포켓홈부(10) 내부에서 서셉터(100)와 새틀라이트(200)로 인하여 발생된 파티클(P)이 포켓홈부(10)에 머무르지 않고, 관통공(21)을 따라서 서셉터(10) 외부로 배출될 수 있다.For example, a through hole 21 through which at least a portion of the inside of the pocket groove portion 10 and at least a portion of the outside of the susceptor 100 communicates is formed, and the susceptor 100 and the satellite 200 are formed inside the pocket groove portion 10 . The generated particles P do not stay in the pocket groove portion 10 , but may be discharged to the outside of the susceptor 10 along the through hole 21 .

이때, 관통공(21)은 개수와 형상은 한정되지 않는다.In this case, the number and shape of the through-holes 21 are not limited.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 서셉터(100)는 하부 몸체(110), 상부 몸체(120) 및 이격 부재(150)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 2 , the susceptor 100 of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may include a lower body 110 , an upper body 120 , and a spacer 150 .

하부 몸체(110)는 포켓홈부(10)의 바닥면을 형성하며 상기 바닥면에는 상기 회전 구동 가스 유입홀부(H)가 형성되고, 상부 몸체(120)는 하부 몸체(110)의 상부에 하부 몸체(110)와 대응되도록 배치되며, 내측에는 포켓홈부(10)를 형성하는 관통부가 형성될 수 있다.The lower body 110 forms a bottom surface of the pocket groove portion 10 , the rotation driving gas inlet hole H is formed on the bottom surface, and the upper body 120 is the lower body on the upper part of the lower body 110 . It is disposed to correspond to 110 , and a penetrating portion forming the pocket groove portion 10 may be formed inside.

상부 몸체(120)는 새틀라이트(200)가 수용될 수 있도록 관통되어 상기 포켓홈부의 측면을 형성하고, 하부 몸체(110)의 적어도 일부와의 사이에 파티클 배출부(20)가 형성될 수 있다.The upper body 120 is penetrated so that the satellite 200 can be accommodated to form a side surface of the pocket groove, and a particle discharge part 20 may be formed between at least a part of the lower body 110 and the lower body 110 . .

구체적으로, 서셉터(100)는, 원판 형상으로 형성되는 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)로 형성되어, 두 개의 원형 형상의 플레이트가 적층되어 쌓여있는 형태일 수 있다. 이때, 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110) 사이에는 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)를 연결하는 상기 지지부가 형성되어 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)는 소정 간격 이격되어 파티클 배출부(20)가 형성될 수 있다.Specifically, the susceptor 100 may be formed of an upper body 120 and a lower body 110 formed in a circular plate shape, and two circular plates may be stacked and stacked. At this time, the support portion connecting the upper body 120 and the lower body 110 is formed between the upper body 120 and the lower body 110 so that the upper body 120 and the lower body 110 are spaced apart by a predetermined distance. A particle discharge unit 20 may be formed.

파티클 배출부(20)는 서셉터(100)와 새틀라이트(200) 사이의 파티클(P)이 서셉터(100)의 외부로 배출될 수 있도록, 새틀라이트(200) 및 서셉터(100)의 사이로부터 하부 몸체(110)와 상부 몸체(120) 사이를 통해서 새틀라이트(200) 측면으로 연장될 수 있다.The particle discharging unit 20 includes the satellite 200 and the susceptor 100 so that the particles P between the susceptor 100 and the satellite 200 can be discharged to the outside of the susceptor 100 . It may extend from between the lower body 110 and the upper body 120 to the side of the satellite 200 .

예컨대, 파티클 배출부(20)는 새틀라이트(200)의 측면 둘레에 한바퀴 둘러서 형성되는 것으로, 구체적으로, 서셉터(100)의 측면 둘레를 따라 하부 몸체(110)와 상부 몸체(120) 사이가 이격되고, 새틀라이트(200)가 안착되는 포켓홈부(10)의 주변부 둘레를 따라 하부 몸체(110)와 상부 몸체(120) 사이가 이격되어, 서셉터(100)의 측면의 이격된 부분과 포켓홈부(10)의 주변부 둘레의 이격된 부분이 서로 연통될 수 있다.For example, the particle discharge unit 20 is formed around the periphery of the side surface of the satellite 200 , and specifically, between the lower body 110 and the upper body 120 along the periphery of the side of the susceptor 100 . Spaced apart and spaced apart between the lower body 110 and the upper body 120 along the periphery of the periphery of the pocket groove portion 10 on which the satellite 200 is seated, the spaced portion and the pocket on the side of the susceptor 100 Spaced portions around the periphery of the groove portion 10 may communicate with each other.

즉, 하부 몸체(110)와 상부 몸체(120) 사이가 이격되어 포켓홈부(10)의 내측에 형성된 틈부와, 서셉터(100)의 측면에 형성된 틈부가 서로 연통되어 파티클 배출부(20)가 형성되고, 파티클 배출부(20)를 통하여 서셉터(100)와 새틀라이트(200) 사이의 파티클(P)이 외부로 배출될 수 있는 것이다.That is, the gap between the lower body 110 and the upper body 120 is spaced apart, and the gap formed inside the pocket groove 10 and the gap formed on the side of the susceptor 100 communicate with each other so that the particle discharge part 20 is formed, and the particles P between the susceptor 100 and the satellite 200 may be discharged to the outside through the particle discharge unit 20 .

이격 부재(150)는 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110) 사이에 파티클 배출부(20)가 형성되도록 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)가 이격 배치되게 형성될 수 있다.The spacer member 150 may be formed so that the upper body 120 and the lower body 110 are spaced apart so that the particle discharge part 20 is formed between the upper body 120 and the lower body 110 .

구체적으로, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 이격 부재(150)는 중심 지지부(151) 및 보조 지지부들(152)을 포함할 수 있다Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3 , the spacer 150 may include a central support 151 and auxiliary supports 152 .

중심 지지부(151)는 중앙이 관통된 도넛 형상으로 형성되어 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)의 중심부를 연결할 수 있다. 또한, 중심 지지부(151)의 중앙이 관통되어 상부 몸체(120) 및 하부 몸체(110)가 연결부를 통하여 샤프트(400)에 결합될 수 있으며, 중앙부로는 파티클(P)이 유입되지 않도록 할 수 있다.The central support part 151 may be formed in a donut shape having a penetrating center to connect the central portions of the upper body 120 and the lower body 110 . In addition, the center of the central support part 151 is penetrated so that the upper body 120 and the lower body 110 can be coupled to the shaft 400 through the connection part, and the particle P cannot be introduced into the central part. have.

중심 지지부(150) 주위에는 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110)를 연결하는 보조 지지부(151)가 형성되어 새틀라이트(200)가 안착되는 복수의 상기 포켓홈부 이외의 소정의 위치를 지지할 수 있다.An auxiliary support 151 connecting the upper body 120 and the lower body 110 is formed around the central support 150 to support predetermined positions other than the plurality of pocket grooves in which the satellite 200 is seated. can

포켓홈부(10)에는 상부에 형성되는 새틀라이트(200)를 회전시키기 위하여 포켓홈부(10)에 회전 구동 가스 유입홀부(H)가 형성될 수 있다.In the pocket groove portion 10 , a rotation driving gas inlet hole H may be formed in the pocket groove portion 10 to rotate the satellite 200 formed thereon.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지대(1000)의 포켓홈부(10)에 형성된 회전 구동 가스 유입홀부(H)를 나타내는 사시도이다.3 is a perspective view showing a rotation driving gas inlet hole H formed in the pocket groove portion 10 of the substrate support 1000 according to another embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 회전 구동 가스 유입홀부(H)는 리프팅 가스 홀부(131) 및 유동 홈부(160)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3 , the rotation driving gas inlet hole H may include a lifting gas hole 131 and a flow groove 160 .

회전 구동 가스 유입홀부(H)는, 포켓홈부(10)의 중앙 영역에 형성된 리프팅 가스 홀부(131) 및 리프팅 가스 홀부(131)로부터 분사된 가스가 새틀라이트(200)의 목표 회전 방향으로 유동되도록 리프팅 가스 홀부(131)로부터 연장되어 형성되는 유동 홈부(160)를 포함할 수 있다.The rotation driving gas inlet hole (H) is configured such that the lifting gas hole portion 131 formed in the central region of the pocket groove portion 10 and the gas injected from the lifting gas hole portion 131 flow in the target rotation direction of the satellite 200 . It may include a flow groove portion 160 extending from the lifting gas hole portion 131 .

구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 유동 홈부(160)는 하부 몸체(110) 내부에 형성된 리프팅 가스 유로(130)를 통해 공급되는 상기 리프팅 가스를 포켓홈부(110)의 중심 영역으로부터 원주 방향으로 확산시키는 홈부가 형성될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 3 , the flow groove part 160 receives the lifting gas supplied through the lifting gas flow path 130 formed inside the lower body 110 in the circumferential direction from the central region of the pocket groove part 110 . A groove portion to diffuse into may be formed.

또한, 유동 홈부(160)를 통해서 확산된 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(300)의 목표 회전 방향, 즉, 자전 방향으로 유동되어, 새틀라이트(300)를 부유 및 회전 시킬 수 있도록 포켓홈부(10)의 상면에 형성될 수 있다.In addition, the lifting gas diffused through the flow groove portion 160 flows in the target rotational direction of the satellite 300, that is, the rotation direction, and the pocket groove portion 10 so that the satellite 300 can float and rotate. may be formed on the upper surface of

서셉터(100)의 포켓홈부(10)에는 리프팅 가스 패스, 유동 홈부(160) 및 위치 고정 돌기(180)가 형성될 수 있다.A lifting gas path, a flow groove portion 160 and a position fixing protrusion 180 may be formed in the pocket groove portion 10 of the susceptor 100 .

상기 리프팅 가스 패스는 포켓홈부(10)에 안착된 새틀라이트(200)를 부유시킬 수 있으며, 복수개의 유동 홈부(160)를 연결시킬 수 있도록 링 형상으로 형성되어, 리프팅 가스 홀부(131)를 통해 배출되는 상기 리프팅 가스를 확산시킬 수 있다.The lifting gas path can float the satellite 200 seated in the pocket groove portion 10 and is formed in a ring shape to connect the plurality of flow groove portions 160 , through the lifting gas hole portion 131 . It is possible to diffuse the lifting gas discharged.

유동 홈부(160)는 포켓홈부(10) 상면의 중심부 일부분에서 가장자리부 일부분까지 곡선으로 연장되는 그루브가 복수개 형성되고, 상기 리프팅 가스가 새틀라이트(200)의 목표 회전 방향으로 회전될 수 있도록 유동시킬 수 있다.A plurality of grooves extending from the central portion of the upper surface of the pocket groove portion 10 to a portion of the edge portion are formed in the flow groove portion 160, and the lifting gas flows so that it can be rotated in the target rotation direction of the satellite 200. can

따라서, 서셉터(100)의 내부에 형성된 리프팅 가스 유로(130)로 유입된 상기 리프팅 가스는, 상기 리프팅 가스 패스를 통하여 유동 홈부(160)를 지나 새틀라이트(200)가 자전하는 방향 또는 자전 방향의 접선 방향으로 분사됨으로써, 새틀라이트(200)의 회전 방향으로 가스 유동압을 발생시키고, 새틀라이트(200)의 부유 및 회전이 이루어지도록 할 수 있다.Accordingly, the lifting gas introduced into the lifting gas flow path 130 formed in the susceptor 100 passes through the flow groove 160 through the lifting gas path and the satellite 200 rotates or rotates in the rotation direction. By spraying in the tangential direction of the satellite 200 , a gas flow pressure is generated in the rotation direction of the satellite 200 , and floating and rotation of the satellite 200 can be made.

이때, 유동 홈부(160)는 리프팅 가스 홀부(131)로부터 포켓홈부(10) 가장자리 방향으로 나선형으로 연장 형성될 수 있다.At this time, the flow groove portion 160 may be formed to extend spirally from the lifting gas hole portion 131 toward the edge of the pocket groove portion 10 .

또한, 도시되지 않았지만, 리프팅 가스 홀부(131) 및 유동 홈부(160)를 포함하는 회전 구동 가스 유입홀부(H)가 형성된 기판 차리 장치에서, 서셉터(100)에 형성되는 파티클 배출부(20)가 각각의 포켓홈부(10)의 내측면과 서셉터(100) 외측 둘레를 관통하는 관통공(21)으로 형성될 수 있다.In addition, although not shown, in the substrate setting device in which the rotation driving gas inlet hole H including the lifting gas hole 131 and the flow groove 160 is formed, the particle discharge portion 20 formed in the susceptor 100 . may be formed as a through hole 21 penetrating the inner surface of each pocket groove portion 10 and the outer periphery of the susceptor 100 .

위치 고정 돌기(180)는 서셉터(100) 내부에 안착되는 각각의 새틀라이트(200)와 결합될 수 있으며, 새틀라이트(200)가 회전 시 새틀라이트(200)의 위치를 고정시킬 수 있다.The position fixing protrusion 180 may be coupled to each of the satellites 200 seated inside the susceptor 100 , and when the satellite 200 rotates, the position of the satellite 200 may be fixed.

이에 따라, 복수의 새틀라이트(200)가 위치 고정 돌기(180)가 삽입된 위치 고정 돌기 홈부(220)를 중심으로 부유 및 회전 운동을 함으로써, 복수의 새틀라이트(200)의 회전 운동이 안정적으로 이루어질 수 있도록 가이드할 수 있다.Accordingly, the plurality of satellites 200 float and rotate around the position fixing protrusion groove 220 in which the position fixing protrusion 180 is inserted, so that the rotational movement of the plurality of satellites 200 is stable. We can guide you to make it happen.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(1000)의 포켓홈부(10)에 형성된 회전 구동 가스 유입홀부(H)를 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4의 서셉터(100)에 형성된 운동 가스 홀부(141)에서 새틀라이트(200)의 회전 패턴부(240)에 운동 가스가 분사되는 것을 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 4의 새틀라이트(200)를 나타내는 사시도들이다.4 is a perspective view illustrating a rotation driving gas inlet hole H formed in the pocket groove portion 10 of the substrate support 1000 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a susceptor 100 of FIG. It is a cross-sectional view showing that the kinetic gas is injected from the formed kinetic gas hole portion 141 to the rotation pattern portion 240 of the satellite 200 , and FIG. 6 is a perspective view illustrating the satellite 200 of FIG. 4 .

도 4에 도시된 바와 같이, 회전 구동 가스 유입홀부(H)는 리프팅 가스 홀부(131) 및 운동 가스 홀부(141)을 포함하고, 새틀라이트(200)는 회전 패턴부(240)가 형성될 수 있다.As shown in FIG. 4 , the rotation driving gas inlet hole H includes a lifting gas hole 131 and a motion gas hole 141 , and the satellite 200 may have a rotation pattern portion 240 formed therein. have.

리프팅 가스 홀부(131)는 포켓홈부(10)의 중앙 영역에 형성되고, 하부 몸체(110) 내부에 형성된 리프팅 가스 유로(130)로 연통될 수 있다.The lifting gas hole part 131 may be formed in the central region of the pocket groove part 10 and may communicate with the lifting gas flow path 130 formed inside the lower body 110 .

리프팅 가스 유로(130)는 리프팅 가스 홀부(131)를 통하여 리프팅 가스가 공급되어 새틀라이트(200)를 부유시킬 수 있도록, 리프팅 가스 유로(130)의 적어도 일구간이 서셉터(100)에 대하여 수직방향으로 형성될 수 있다. 즉, 리프팅 가스 유로(130)에서 공급되는 리프팅 가스는 새틀라이트(200)에 대하여 각각 수직 방향으로 공급될 수 있다.In the lifting gas flow path 130 , at least one section of the lifting gas flow path 130 is perpendicular to the susceptor 100 so that the lifting gas is supplied through the lifting gas hole 131 to float the satellite 200 . direction can be formed. That is, the lifting gas supplied from the lifting gas flow path 130 may be supplied in a vertical direction with respect to the satellite 200 .

리프팅 가스 유로(130)는 서셉터(100)의 하면에서 복수의 리프팅 가스 홀까지 내부로 관통될 수 있다. 이때, 리프팅 가스 유로(130)는, 각각의 포켓홈부(10)에서 연장되는 복수의 유로가 결합되어 서셉터(100)의 하면 중심부로 연통될 수 있다.The lifting gas flow path 130 may penetrate from the lower surface of the susceptor 100 to the plurality of lifting gas holes. In this case, the lifting gas flow path 130 may be coupled to a plurality of flow paths extending from each pocket groove portion 10 to communicate with the central portion of the lower surface of the susceptor 100 .

즉, 리프팅 가스 유로(130)는 서셉터(100) 하부에서부터 여러 갈래로 분개되어 형성되는 유로로서, 예컨대, 리프팅 가스가 서셉터(100)의 하면에 형성된 하나의 유입구에서 유입되어, 복수의 포켓홈부(10)에 형성된 복수의 리프팅 가스 홀(131)로 각각 공급될 수 있다.That is, the lifting gas flow path 130 is a flow path formed by being divided into several branches from the lower portion of the susceptor 100 , and for example, lifting gas is introduced from one inlet formed on the lower surface of the susceptor 100 , and a plurality of pockets Each of the plurality of lifting gas holes 131 formed in the groove portion 10 may be supplied.

상기 리프팅 가스는 샤프트(400)를 통하여 각각의 리프팅 가스 유로(130)에 모두 유입될 수 있다. 유입된 상기 리프팅 가스는 각각의 리프팅 가스 홀(131)에서 각각의 새틀라이트(200)를 향하여 공급된다.The lifting gas may be introduced into each of the lifting gas passages 130 through the shaft 400 . The introduced lifting gas is supplied from each lifting gas hole 131 toward each satellite 200 .

여기서, 상기 리프팅 가스는 새틀라이트(200)를 부유할 수 있도록 압력을 제공하는 가스로서, 질소 가스와 같은 불활성 가스를 리프팅 가스로 이용할 수 있다.Here, the lifting gas is a gas that provides pressure to float the satellite 200, and an inert gas such as nitrogen gas may be used as the lifting gas.

운동 가스 홀부(141)는 포켓홈부(10)의 가장자리 영역에 형성되고, 하부 몸체(110) 내부에 형성된 제 1 운동 가스 유로(140)로 연통될 수 있다.The motion gas hole part 141 may be formed in an edge region of the pocket groove part 10 and may communicate with the first motion gas flow path 140 formed inside the lower body 110 .

제 1 운동 가스 유로(140)는 운동 가스 홀부(141)를 통하여 운동 가스를 공급하여 새틀라이트(200)를 회전시킬 수 있다. 운동 가스 홀부(141)는 포켓홈부(10)에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.The first motion gas flow path 140 may supply the motion gas through the motion gas hole part 141 to rotate the satellite 200 . The motion gas hole 141 may be inclined with respect to the pocket groove 10 .

도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 운동 가스 홀부(141)는 포켓홈부(10)의 일측에 형성된다. 이때, 복수의 운동 가스 홀부(141)는 운동 가스가 공급되어 복수의 새틀라이트(200)를 회전시킬 수 있도록 포켓홈부(10)에 형성된 바닥면에 대하여 경사지게 형성될 수 있다.As shown in FIG. 5 , a plurality of motion gas hole portions 141 are formed on one side of the pocket groove portion 10 . In this case, the plurality of motion gas hole portions 141 may be formed to be inclined with respect to the bottom surface formed in the pocket groove portion 10 so that the motion gas is supplied to rotate the plurality of satellites 200 .

구체적으로, 제 1 운동 가스 유로(140)는 포켓홈부(10)에서 분사되는 상기 운동 가스가 새틀라이트(200)의 접선방향으로 유입되어 새틀라이트(200)를 회전 시킬 수 있도록, 포켓홈부(10)에서 서셉터(100) 내부의 소정 거리까지 새틀라이트(200)의 접선과 평행한 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.Specifically, the first motion gas flow path 140 has the pocket groove part 10 so that the motion gas injected from the pocket groove part 10 flows in a tangential direction of the satellite 200 to rotate the satellite 200 . ) to a predetermined distance inside the susceptor 100 may be formed to be inclined in a direction parallel to the tangent of the satellite 200 .

복수의 운동 가스 홀부(141)에서는 일정한 압력의 가스가 유입될 수 있다. 포켓홈부(10)의 상부에 상기 리프팅 가스로 인하여 부유되어 있는 새틀라이트(200)가 포켓홈부(10)에서 이탈하지 않고 회전할 수 있도록, 새틀라이트(200)의 하부 가장자리 영역으로 상기 운동 가스가 유입될 수 있다. 이때, 유입되는 운동 가스의 압력으로 인하여 부유된 상태의 새틀라이트(200)가 회전될 수 있는 것이다.A gas having a constant pressure may be introduced into the plurality of motion gas holes 141 . The kinetic gas flows into the lower edge area of the satellite 200 so that the satellite 200 suspended in the upper portion of the pocket groove 10 due to the lifting gas can rotate without leaving the pocket groove 10 . can be imported. At this time, the satellite 200 in a suspended state may be rotated due to the pressure of the flowing kinetic gas.

제 1 운동 가스 유로(140)는 샤프트(400)의 상면에서 복수의 운동 가스 홀(141)까지 서셉터(100) 내부로 연결될 수 있다. 또한, 복수의 운동 가스 홀부(141)로부터 소정 거리까지의 연장된 경사 구간은 새틀라이트(200)에 대하여 접선 방향으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 운동 가스가 제 1 운동 가스 유로(140)에서 새틀라이트(200)에 접선 방향으로 유입되어, 복수의 새틀라이트(200)를 회전시킬 수 있다.The first motion gas flow path 140 may be connected to the inside of the susceptor 100 from the upper surface of the shaft 400 to the plurality of motion gas holes 141 . In addition, an inclined section extending from the plurality of motion gas holes 141 to a predetermined distance may be formed in a tangential direction with respect to the satellite 200 . Accordingly, the kinetic gas may flow in a tangential direction from the first kinetic gas flow path 140 to the satellite 200 to rotate the plurality of satellites 200 .

이때, 샤프트(400)의 내부에 리프팅 가스 유로들 및 운동 가스 유로들이 형성되어, 리프팅 가스 유로(130)는 샤프트(400)의 상면에서 하면까지 내부로 관통된 리프팅 가스 유로와 연통되고, 운동 가스 유로(140)는 샤프트(400)의 상면에서 측면까지 내부로 관통된 운동 가스 유로와 연통될 수 있다.At this time, lifting gas flow paths and motion gas flow paths are formed inside the shaft 400 , and the lifting gas flow path 130 communicates with the lifting gas flow path penetrating inside from the upper surface to the lower surface of the shaft 400 , and the motion gas The flow path 140 may communicate with the kinetic gas flow path penetrating inward from the upper surface to the side surface of the shaft 400 .

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(200)는 상면에 상기 기판(S)이 안착되는 기판 안착부(210), 위치 고정 돌기 홈부(220) 및 회전 패턴부(240)를 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 6 , the satellite 200 may include a substrate seating part 210 on which the substrate S is mounted on the upper surface, a position fixing protrusion groove part 220 and a rotation pattern part 240 . can

위치 고정 돌기 홈부(220)는 하부 몸체(110)의 중심에 형성된 위치 고정 돌기(180)의 적어도 일부분이 삽입되도록 하면 중심축에 오목하게 형성될 수 있다.The position fixing protrusion groove 220 may be concavely formed on the central axis when at least a portion of the position fixing projection 180 formed in the center of the lower body 110 is inserted.

회전 패턴부(240)는 운동 가스 홀부(141)에 대응되는 하면의 가장자리를 따라 운동 가스 홀부(141)로부터 분사된 상기 운동 가스에 의하여 새틀라이트(200)에 회전력을 전달할 수 있다.The rotation pattern unit 240 may transmit a rotational force to the satellite 200 by the motion gas injected from the motion gas hole part 141 along the edge of the lower surface corresponding to the motion gas hole part 141 .

회전 패턴부(240)는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 새틀라이트(200)의 후면의 중심축에서 일정거리 이격된 지점에서부터 톱니 형상의 홈으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 운동 가스 유로(140)를 통하여 경사 구간을 지나 운동 가스 홀(141)에서 공급되는 상기 운동 가스가 홈형상의 단턱부에 부딪히는 압력으로 인하여 상부의 새틀라이트(200)가 회전될 수 있다. 여기서, 상기 홈형상의 단턱부는 회전 패턴부(240) 일 수 있다.As shown in FIGS. 5 and 6 , the rotation pattern unit 240 may be formed as a sawtooth-shaped groove from a point spaced a predetermined distance from the central axis of the rear surface of the plurality of satellites 200 . Accordingly, the upper satellite 200 may be rotated due to the pressure that the kinetic gas supplied from the kinetic gas hole 141 through the kinetic gas flow path 140 passes through the inclined section and collides with the groove-shaped step portion. . Here, the groove-shaped step portion may be a rotation pattern portion 240 .

또한, 도시되지 않았지만, 포켓홈부(10) 중앙 영역에 리프팅 가스 홀부(131)와 가장자리 영역에 운동 가스 홀부(141)가 형성된 기판 차리 장치에서, 서셉터(100)에 형성되는 파티클 배출부(20)가 각각의 포켓홈부(10)의 내측면과 서셉터(100) 외측 둘레를 관통하는 관통공(21)으로 형성될 수 있다.In addition, although not shown, in the substrate holding device in which the lifting gas hole 131 in the central region of the pocket groove 10 and the moving gas hole 141 in the edge region are formed, the particle discharge part 20 formed in the susceptor 100 . ) may be formed as a through hole 21 penetrating the inner surface of each pocket groove portion 10 and the outer periphery of the susceptor 100 .

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 지지대(1000)를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 8은 도 7에 따른 기판 지지대(1000)에 형성되는 서셉터(100), 새틀라이트(200), 가스 유동 패널(300) 및 기판(S)을 개략적으로 나타내는 분해 사시도이고, 도 9 및 도 10은 도 8의 서셉터에 안착되는 가스 유동 패널을 나타내는 도면들이다.7 is a cross-sectional view schematically showing a substrate support 1000 of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a susceptor 100 and a satellite formed on the substrate support 1000 according to FIG. 7 . It is an exploded perspective view schematically showing the light 200 , the gas flow panel 300 , and the substrate S, and FIGS. 9 and 10 are views showing the gas flow panel mounted on the susceptor of FIG. 8 .

도 7 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(1000)는 가스 유동패널(300)을 포함할 수 있다.7 to 10 , the substrate support 1000 according to another embodiment of the present invention may include a gas flow panel 300 .

가스 유동 패널(300)은 서셉터(100)와 새틀라이트(200) 사이에 배치되어 회전 구동 가스 유입홀부(H)로부터 유입된 상기 회전 구동 가스를 새틀라이트(200) 저면으로 고르게 확산시키도록 형성될 수 있다.The gas flow panel 300 is disposed between the susceptor 100 and the satellite 200 to evenly diffuse the rotation driving gas introduced from the rotation driving gas inlet hole H to the bottom surface of the satellite 200 . can be

구체적으로, 가스 유동 패널(300)은 패널 확산 홈부(340), 패널 유동 홈부(310), 관통 홀부(320) 및 고정 홀부(330)를 포함할 수 있다.Specifically, the gas flow panel 300 may include a panel diffusion groove portion 340 , a panel flow groove portion 310 , a through hole portion 320 , and a fixing hole portion 330 .

도 10에 도시된 바와 같이, 패널 확산 홈부(340)는 하면에 회전 구동 가스 유입홀부(H)을 통해 공급되는 상기 회전 구동 가스를 포켓홈부(10)의 중심 영역으로부터 원주 방향으로 확산시킬 수 있다.As shown in FIG. 10 , the panel diffusion groove 340 may diffuse the rotation driving gas supplied through the rotation driving gas inlet hole H on the lower surface from the central region of the pocket groove 10 in the circumferential direction. .

패널 확산 홈부(340)는 가스 유동 패널(300)의 하면에 리프팅 가스 홀부(131)와 대응되는 위치를 통과하도록 링 형상으로 형성되어, 리프팅 가스 홀부(131)를 통해 배출되는 상기 리프팅 가스를 확산시킬 수 있는 것이다.The panel diffusion groove portion 340 is formed in a ring shape to pass through a position corresponding to the lifting gas hole portion 131 on the lower surface of the gas flow panel 300 , and diffuses the lifting gas discharged through the lifting gas hole portion 131 . it can be done

또한, 패널 확산 홈부(340)는 중심축을 동축으로 서로 다른 직경으로 복수개로 형성되고, 각각의 패널 확산 홈부(340) 사이에 패널 확산 연결 홈부가 형성되어 복수의 패널 확산 홈부(340)를 연결할 수 있다.In addition, a plurality of panel diffusion grooves 340 are formed with different diameters coaxially with the central axis, and panel diffusion connection grooves are formed between the respective panel diffusion grooves 340 to connect the plurality of panel diffusion grooves 340 . have.

도 9에 도시된 바와 같이, 패널 유동 홈부(310)는 상면에 패널 확산 홈부(340)를 통해서 확산된 상기 회전 구동 가스를 새틀라이트(200)의 목표 회전 방향 또는 상기 목표 회전 방향의 접선 방향으로 유동시킬 수 있다.As shown in FIG. 9 , the panel flow groove 310 transmits the rotation driving gas diffused through the panel diffusion groove 340 on the upper surface in the target rotation direction of the satellite 200 or in a tangential direction to the target rotation direction. can be moved.

패널 유동 홈부(310)는 가스 유동 패널(300)의 상면의 중심 영역 일부분에서 가장자리 영역 일부분까지 곡선으로 연장되는 홈부가 복수개 형성되고, 패널 확산 홈부(340)를 통해 확산된 상기 리프팅 가스를 새틀라이트(200)의 목표 회전 방향 또는 접선 방향으로 회전될 수 있도록 유동시킬 수 있다.The panel flow groove portion 310 is formed with a plurality of groove portions extending in a curve from a portion of the central region of the upper surface of the gas flow panel 300 to a portion of the edge region, and the lifting gas diffused through the panel diffusion groove portion 340 is released by satellite. (200) It can flow so that it can rotate in a target rotational direction or a tangential direction.

관통 홀부(320)는 하면에 형성된 패널 확산 홈부(340)와 상면에 형성된 패널 유동 홈부(310)의 일측이 연통되도록, 가스 유동 패널(300)을 상하로 관통하게 형성될 수 있다.The through-hole part 320 may be formed to penetrate the gas flow panel 300 vertically so that the panel diffusion groove part 340 formed on the lower surface and one side of the panel flow groove part 310 formed on the upper surface communicate with each other.

따라서, 가스 유동 패널(300)의 하면에 형성된 패널 확산 홈부(340)를 통하여 가스 유동 패널(300)의 둘레로 확산된 상기 리프팅 가스는, 복수개의 관통 홀부(320)를 지나 복수개의 패널 유동 홈부(310)를 통해 분사됨으로써, 새틀라이트(200)가 회전되도록 압력을 가할 수 있다.Accordingly, the lifting gas diffused around the gas flow panel 300 through the panel diffusion groove portion 340 formed on the lower surface of the gas flow panel 300 passes through the plurality of through-hole portions 320 to the plurality of panel flow groove portions. By being sprayed through the 310, pressure can be applied to rotate the satellite 200.

도 8에 도시된 바와 같이, 고정 홀부(330)는 가스 유동 패널(300)의 중심을 관통하여 형성될 수 있다. 그리하여, 포켓홈부(10)의 중심에 형성된 위치 고정 돌기(180)의 적어도 일부분이 가스 유동 패널(300)을 통과하여 새틀라이트(200)의 하면 중심축에 형성된 위치 고정 돌기 홈부(220)에 삽입될 수 있다.As shown in FIG. 8 , the fixing hole 330 may be formed through the center of the gas flow panel 300 . Thus, at least a portion of the position fixing protrusion 180 formed in the center of the pocket groove portion 10 passes through the gas flow panel 300 and is inserted into the position fixing projection groove portion 220 formed on the central axis of the lower surface of the satellite 200 . can be

도 8에 도시된 바와 같이, 가스 유동 패널(300)의 직경은 새틀라이트(200)의 직경보다 더 작을 수 있다. 구체적으로, 가스 유동 패널(300)은 포켓홈부(10)의 가장자리 영역에 형성된 운동 가스 홀부(141)에 간섭되지 않도록, 포켓홈부(10)의 중심 축을 기준으로 운동 가스 홀부(141)가 형성된 가장자리 영역까지의 거리보다 더 작은 직경으로 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8 , the diameter of the gas flow panel 300 may be smaller than the diameter of the satellite 200 . Specifically, the gas flow panel 300 is the edge on which the moving gas hole 141 is formed with respect to the central axis of the pocket groove 10 so as not to interfere with the moving gas hole 141 formed in the edge region of the pocket groove 10 . It may be formed with a diameter smaller than the distance to the region.

그리하여, 가스 유동 패널(300)이 포켓홈부(10)에 형성되고, 새틀라이트(200)가 가스 유동 패널(300) 보다 직경이 크게 형성되어, 운동 가스 홀부(141)와 대응되도록 할 수 있는 것이다.Thus, the gas flow panel 300 is formed in the pocket groove portion 10 , and the satellite 200 is formed to have a larger diameter than the gas flow panel 300 , so that it can correspond to the moving gas hole portion 141 . .

또한, 도시되지 않았지만, 가스 유동 패널(300)을 포함하는 기판 차리 장치에서, 서셉터(100)에 형성되는 파티클 배출부(20)가 각각의 포켓홈부(10)의 내측면과 서셉터(100) 외측 둘레를 관통하는 관통공(21)으로 형성될 수 있다.In addition, although not shown, in the substrate compartment apparatus including the gas flow panel 300 , the particle discharge part 20 formed in the susceptor 100 is formed on the inner surface of each pocket groove part 10 and the susceptor 100 . ) may be formed as a through-hole 21 penetrating the outer periphery.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나내는 단면도이고, 도 12는 도 11의 새틀라이트(200)를 나타내는 사시도들이고, 도 13은 도 11에 따른 기판 지지대(1000)의 서셉터(100) 및 새틀라이트(200)를 나타내는 단면도이다.11 is a cross-sectional view schematically showing a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 12 is a perspective view illustrating the satellite 200 of FIG. 11 , and FIG. 13 is a substrate support 1000 according to FIG. 11 . ) is a cross-sectional view showing the susceptor 100 and the satellite 200.

도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치는 서셉터(100). 새틀라이트(200), 가스 유동 패널(300) 및 샤프트(400)가 형성되는 기판 지지대(1000), 공정 챔버(2000) 및 가스 분사부(3000)를 포함할 수 있다. 11 to 13 , a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a susceptor 100 . The satellite 200 , the gas flow panel 300 , and the shaft 400 may include a substrate support 1000 , a process chamber 2000 , and a gas injection unit 3000 .

서셉터(100)의 포켓홈부(10)에는 가스 유동 패널(300)을 수용할 수 있도록 가스 유동 패널(300)에 대응되는 직경으로 패널 홈부가 형성될 수 있다. 이때, 상기 패널 홈부의 내측에 형성되는 중심영역에는 리프팅 가스 홀부(141)가 형성될 수 있고, 상기 패널 홈부의 외측에 형성되는 가장자리 영역에 운동 가스 홀부(131)가 형성될 수 있다.In the pocket groove portion 10 of the susceptor 100 , a panel groove portion may be formed with a diameter corresponding to the gas flow panel 300 to accommodate the gas flow panel 300 . In this case, a lifting gas hole 141 may be formed in a central region formed inside the panel groove portion, and a motion gas hole portion 131 may be formed in an edge region formed outside the panel groove portion.

이때, 가스 유동 패널(300)은 포켓홈부(10)에 형성되고, 새틀라이트(200)가 안착되도록 형성될 수 있다. 이때, 가스 유동 패널(300)은 포켓홈부(10)의 바닥면 보다 높게 형성되어 파티클(P)이 가스 유동 패널(300) 내측으로 유입되지 못하고, 비교적 낮게 형성된 포켓홈부(10)의 외측으로 배기될 수 있다.In this case, the gas flow panel 300 may be formed in the pocket groove portion 10 and the satellite 200 may be seated therein. At this time, the gas flow panel 300 is formed higher than the bottom surface of the pocket groove portion 10 so that the particles P cannot be introduced into the gas flow panel 300 , and exhausted to the outside of the pocket groove portion 10 formed relatively low. can be

도 12에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(200)는, 상면에 상기 기판(S)이 안착되는 기판 안착부(210), 위치 고정 돌기 홈부(220), 돌출부(230) 및 회전 패턴부(240)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12 , the satellite 200 includes a substrate seating part 210 on which the substrate S is mounted on the upper surface, a position fixing protrusion groove part 220 , a protrusion part 230 , and a rotation pattern part 240 . ) may be included.

위치 고정 돌기 홈부(220)는 하부 몸체(110)의 중심에 형성된 위치 고정 돌기(180)의 적어도 일부분이 삽입되도록 하면 중심축에 오목하게 형성되는 것으로 상술한 바와 같다.As described above, the position fixing protrusion groove 220 is formed concavely on the central axis when at least a portion of the position fixing projection 180 formed in the center of the lower body 110 is inserted.

돌출부(230)는 새틀라이트(200) 둘레를 따라 가장자리 부분에 하향 돌출되어 형성될 수 있다.The protrusion 230 may be formed to protrude downward from the edge portion along the circumference of the satellite 200 .

돌출부(230)는 포켓홈부(10)에 안착될 수 있도록 새틀라이트(200)의 하면 둘레를 따라 소정의 폭을 가지고 하방으로 돌출되고, 가스 유동 패널(300)을 둘러싸도록 형성되어, 새틀라이트(200)가 부유 및 회전 시에 포켓홈부(10)에서 이탈하지 않도록 할 수 있다.The protrusion 230 protrudes downward with a predetermined width along the periphery of the lower surface of the satellite 200 so as to be seated in the pocket groove 10, and is formed to surround the gas flow panel 300, the satellite ( 200) can be prevented from being separated from the pocket groove portion 10 when floating and rotating.

또한, 돌출부(230)가 포켓홈부(10)에 안착되어, 포켓홈부(10)의 일측에 형성된 운동 가스 홀(141)에서 분사되는 상기 운동 가스에 더 가까워져 상기 운동 가스를 최대한 활용할 수 있다.In addition, the protrusion 230 is seated in the pocket groove portion 10, so that the movement gas is closer to the movement gas injected from the movement gas hole 141 formed on one side of the pocket groove portion 10, so that the movement gas can be utilized to the maximum.

돌출부(230)는 리프팅 가스 홀부(141)로부터 유입된 상기 리프팅 가스가 가스 유동 패널(300)과 새틀라이트(200) 사이 공간에서 파티클 배출부(20)로 쉽게 배기되는 것을 저지하여 상기 리프팅 가스가 상기 사이 공간에서 더 오래 머물 수 있다.The protrusion 230 prevents the lifting gas introduced from the lifting gas hole 141 from being easily exhausted from the space between the gas flow panel 300 and the satellite 200 to the particle discharge unit 20 so that the lifting gas is You can stay longer in the space between the above.

즉, 돌출부(230)는 새틀라이트(200)가 꺽임으로써 형성되어, 생성된 상기 사이 공간에 가스 유동 패널(300)을 통하여 분사된 상기 리프팅 가스가 채워져 새틀라이트(200)가 부유 시에 더 많은 힘을 받을 수 있다.That is, the protrusion 230 is formed by bending the satellite 200, and the lifting gas injected through the gas flow panel 300 is filled in the generated space between the satellites 200, so that the satellite 200 increases more when floating. can get power.

도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 지지대(1000)의 상부 몸체(120)와 하부 몸체(110) 사이에서 파티클(P)이 배기되는 시스템을 개략적으로 나타내는 도면이다.14 is a diagram schematically illustrating a system in which particles P are exhausted between the upper body 120 and the lower body 110 of the substrate support 1000 according to another embodiment of the present invention.

도 14에 도시된 바와 같이, 새틀라이트(200)는 리프팅 가스 유로(130)에서 공급되는 상기 리프팅 가스로 인하여 부유되고, 운동 가스 유로(140)에서 공급되는 상기 운동 가스로 인하여 회전 될 수 있다.As shown in FIG. 14 , the satellite 200 is floated by the lifting gas supplied from the lifting gas flow path 130 , and may be rotated by the motion gas supplied from the motion gas flow path 140 .

이때, 서셉터(100)와 새틀라이트(200)의 사이에서 발생되는 파티클(P)은 상기 리프팅 가스가 포켓홈부(10) 외측으로 배기되면서, 하부 몸체(110)와 상부 몸체(120) 사이에 형성된 파티클 배출부(20)로 배기될 수 있다. 또한, 서셉터(200)가 회전하는 공전에 의한 원심력에 의하여 내부의 파티클(P)이 외측으로 배기될 수 있다.At this time, the particle P generated between the susceptor 100 and the satellite 200 is between the lower body 110 and the upper body 120 while the lifting gas is exhausted to the outside of the pocket groove portion 10 . It may be exhausted to the formed particle discharge unit 20 . In addition, the particles P inside the susceptor 200 may be exhausted to the outside by the centrifugal force due to the revolution of the rotation.

도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 기판 지지대(1000)를 실험한 실험 사진이다.15 is an experimental photograph of the substrate substrate support 1000 according to another embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 기판 처리 장치를 통한 실험에서는 서셉터의 상부 몸체와 하부 몸체 사이에 핀으로 4mm의 이격 거리를 형성하여 실험을 진행하였다.In the experiment using the substrate processing apparatus according to the present invention, the experiment was conducted by forming a separation distance of 4 mm with a pin between the upper body and the lower body of the susceptor.

도 15에 도시된 바와 같이, 실험 결과 발생되는 파티클이 웨이퍼 상에는 존재하지 않았으며, 파티클이 상기 갭으로 유동되어 실험1에서는 챔버 벽면에 파티클이 존재하였으며, 실험2에서는 서셉터의 상부 몸체와 하부 몸체 사이에 형성된 파티클 배출부에 파티클이 존재하는 것이 확인되었다.As shown in FIG. 15 , the particles generated as a result of the experiment did not exist on the wafer, and the particles flowed into the gap so that particles were present on the chamber wall in Experiment 1, and in Experiment 2, the upper body and lower body of the susceptor. It was confirmed that particles were present in the particle discharge portion formed between them.

즉, 서셉터와 새틀라이트의 마찰로 인하여 발생되는 파티클은 리프팅 가스의 유동으로 인하여, 하부 몸체와 상부 몸체 사이에 형성된 파티클 배출부로 배기되는 것이다. 이에 따라, 기판의 처리 공정 중 발생되는 파티클의 배기를 안정적으로 이루어지도록 하여, 기판에 박막의 성장이 보다 균일하게 이루어지도록 유도함으로써, 기판의 처리 품질을 높이고 공정 수율을 증가시키는 효과를 가질 수 있는 것이다.That is, the particles generated due to the friction between the susceptor and the satellite are exhausted to the particle discharge unit formed between the lower body and the upper body due to the flow of the lifting gas. Accordingly, by stably evacuating particles generated during the processing process of the substrate, and inducing the growth of the thin film on the substrate to be more uniform, it can have the effect of improving the processing quality of the substrate and increasing the process yield. will be.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

M : 구동부
P : 파티클
S : 기판
10 : 포켓홈부
20 : 파티클 배출부
100 : 서셉터
110 : 하부 몸체
120 : 상부 몸체
130 : 리프팅 가스 유로
140 : 운동 가스 유로
150 : 이격 부재
151 : 중심 지지부
152 : 보조 지지부들
180 : 위치 고정 돌기
200 : 새틀라이트
210 : 기판 안착부
220 : 위치 고정 돌기 홈부
230 : 돌출부
240 : 회전 패턴부
300 : 가스 유동 패널
310 : 유동 홈부
320 : 관통 홀부
330 : 고정 홀부
1000 : 기판 지지대
2000 : 공정 챔버
2100 : 탑 리드
2200 : 챔버 몸체
3000 : 가스 분사부
4000 : 배기 포트
5000 : 운동 가스 공급부
6000 : 메인 진공 펌프M: drive
P: particle
S: substrate
10: pocket groove
20: particle discharge part
100: susceptor
110: lower body
120: upper body
130: lifting gas flow path
140: kinetic gas flow
150: spaced absence
151: center support
152: auxiliary supports
180: position fixing protrusion
200 : satellite
210: substrate seating part
220: position fixing protrusion groove part
230: protrusion
240: rotation pattern unit
300: gas flow panel
310: flow groove
320: through hole
330: fixing hole
1000: substrate support
2000: process chamber
2100 : Top Lead
2200: chamber body
3000: gas injection unit
4000: exhaust port
5000: kinetic gas supply
6000 : main vacuum pump

Claims (14)

기판을 처리할 수 있는 처리 공간을 가지는 공정 챔버;
상기 처리 공간에 회전 가능하도록 구비되며, 상면에 복수의 상기 기판이 안착되는 기판 지지대; 및
상기 기판 지지대와 대향되도록 상기 처리 공간 상부에 배치되어, 상기 기판 지지대를 향해 처리 가스를 분사하는 가스 분사부;
를 포함하고,
상기 기판 지지대는,
원판 형상으로 상면에 원주 방향을 따라 일정 거리 이격 배치되는 복수의 포켓홈부가 형성되어 있는 서셉터;
상기 서셉터 하부에 연결되어 상기 서셉터를 지지하며 회전 구동하는 샤프트; 및
적어도 하나 이상의 상기 포켓홈부에 안착되어 상기 포켓홈부 각각에 형성된 회전 구동 가스 유입홀부로부터 유입된 회전 구동 가스에 의해 부유 회전하며 상면에 상기 기판이 안착되는 새틀라이트;
를 포함하고,
상기 서셉터는,
상기 새틀라이트와 상기 포켓홈부 사이에서 발생하거나 유입된 파티클을 상기 서셉터 측면 둘레로 배출하는 파티클 배출부가 형성되는, 기판 처리 장치.a process chamber having a processing space capable of processing a substrate;
a substrate support provided to be rotatable in the processing space and on which the plurality of substrates are seated; and
a gas injection unit disposed above the processing space to face the substrate support and spraying a processing gas toward the substrate support;
including,
The substrate support is,
a susceptor having a plurality of pocket grooves disposed on the upper surface in a disk shape and spaced apart from each other by a predetermined distance in the circumferential direction;
a shaft connected to a lower portion of the susceptor to support the susceptor and to rotate; and
a satellite seated in at least one of the pocket grooves, floating and rotating by a rotation driving gas introduced from a rotation driving gas inlet hole formed in each of the pocket grooves, and having the substrate seated on an upper surface thereof;
including,
The susceptor is
and a particle discharging unit configured to discharge particles generated or introduced between the satellite and the pocket groove to a circumference of a side surface of the susceptor. 제 1 항에 있어서,
상기 파티클 배출부는
각각의 상기 포켓홈부가 상기 서셉터 외측 둘레와 연통되도록 각각의 상기 포켓홈부의 내측면과 상기 서셉터 외측 둘레를 관통하는 관통공으로 형성되는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The particle discharge unit
and a through hole penetrating the inner surface of each of the pocket grooves and the outer circumference of the susceptor so that each of the pocket grooves communicates with the outer circumference of the susceptor. 제 1 항에 있어서,
상기 서셉터는,
상기 포켓홈부의 바닥면을 형성하며 상기 바닥면에는 상기 회전 구동 가스 유입홀부가 형성되는 하부 몸체;
상기 하부 몸체의 상부에 상기 하부 몸체와 대응되도록 배치되며, 내측에는 상기 포켓홈부를 형성하는 관통부가 형성된 상부 몸체; 및
상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체 사이에 상기 파티클 배출부가 형성되도록 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체가 이격 배치되게 형성되는 이격 부재;
를 포함하는, 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The susceptor is
a lower body forming a bottom surface of the pocket groove portion and having the rotation driving gas inlet hole formed on the bottom surface;
an upper body disposed on an upper portion of the lower body to correspond to the lower body, an upper body having a penetrating portion formed therein to form the pocket groove; and
a spacer member formed to be spaced apart from the upper body and the lower body so that the particle discharge portion is formed between the upper body and the lower body;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 3 항에 있어서,
상기 파티클 배출부는 상기 서셉터의 측면 둘레에 한바퀴 둘러서 한정된, 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The particle discharging portion is defined by one circumference around a side surface of the susceptor. 제 3 항에 있어서,
상기 이격 부재는,
중앙이 관통된 도넛 형상으로 형성되어 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체의 중심부를 연결하는 중심 지지부; 및
상기 중심 지지부 주위에는 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체를 연결하는 복수의 보조 지지부들;
을 포함하는, 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
The spacer member,
a central support part formed in a donut shape through which the center is penetrated and connecting the centers of the upper body and the lower body; and
a plurality of auxiliary supports connecting the upper body and the lower body around the central support;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 회전 구동 가스 유입홀부는,
상기 포켓홈부의 중앙 영역에 형성된 리프팅 가스 홀부; 및
상기 리프팅 가스 홀부로부터 분사된 가스가 상기 새틀라이트의 목표 회전 방향으로 유동되도록 상기 리프팅 가스 홀부로부터 연장되어 형성되는 유동 홈부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.4. The method according to claim 2 or 3,
The rotation driving gas inlet hole portion,
a lifting gas hole formed in the central region of the pocket groove; and
a flow groove portion extending from the lifting gas hole portion so that the gas injected from the lifting gas hole portion flows in a target rotation direction of the satellite;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 6 항에 있어서,
상기 유동 홈부는,
상기 리프팅 가스 홀부로부터 상기 포켓홈부 가장자리 방향으로 나선형으로 연장 형성되는, 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The flow groove portion,
The substrate processing apparatus is formed to extend from the lifting gas hole in a spiral direction toward the edge of the pocket groove. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 회전 구동 가스 유입홀부는,
상기 포켓홈부의 중앙 영역에 형성된 리프팅 가스 홀부; 및
상기 포켓홈부의 가장자리 영역에 형성된 운동 가스 홀부;
를 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 2 or 3,
The rotation driving gas inlet hole portion,
a lifting gas hole formed in the central region of the pocket groove; and
a motion gas hole formed in an edge region of the pocket groove;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 8 항에 있어서,
상기 운동 가스 홀부는 상기 포켓홈부에 형성된 바닥면에 대하여 경사지게 형성되는, 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The motion gas hole portion is formed to be inclined with respect to a bottom surface formed in the pocket groove portion, the substrate processing apparatus. 제 8 항에 있어서,
상기 새틀라이트는,
상기 운동 가스 홀부에 대응되는 하면의 가장자리를 따라 상기 운동 가스 홀부로부터 분사된 상기 운동 가스에 의하여 상기 새틀라이트에 회전력을 전달하는 회전 패턴부가 형성되는, 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The satellite is
and a rotation pattern portion for transmitting rotational force to the satellite by the movement gas injected from the movement gas hole portion is formed along an edge of a lower surface corresponding to the movement gas hole portion. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 기판 지지대는,
상기 서셉터와 상기 새틀라이트 사이에 배치되어 상기 회전 구동 가스 유입홀부로부터 유입된 상기 회전 구동 가스를 상기 새틀라이트 저면으로 고르게 확산시키도록 형성되는 가스 유동 패널;
을 포함하는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 2 or 3,
The substrate support is,
a gas flow panel disposed between the susceptor and the satellite to evenly diffuse the rotation driving gas introduced from the rotation driving gas inlet hole to a bottom surface of the satellite;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 11 항에 있어서,
상기 가스 유동 패널은,
하면에 상기 회전 구동 가스 유입홀부를 통해 공급되는 상기 회전 구동 가스를 상기 포켓홈부의 중심 영역으로부터 원주 방향으로 확산시키는 패널 확산 홈부; 및
상면에 상기 패널 확산 홈부를 통해서 확산된 상기 회전 구동 가스를 상기 새틀라이트의 목표 회전 방향 또는 상기 목표 회전 방향의 접선 방향으로 유동시키는 패널 유동 홈부;
를 포함하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The gas flow panel,
a panel diffusion groove on a lower surface for diffusing the rotation driving gas supplied through the rotation driving gas inlet hole in a circumferential direction from a central region of the pocket groove; and
a panel flow groove portion configured to flow the rotation driving gas diffused through the panel diffusion groove portion on an upper surface in a target rotation direction of the satellite or a tangential direction to the target rotation direction;
A substrate processing apparatus comprising a. 제 11 항에 있어서,
상기 가스 유동 패널의 직경은 상기 새틀라이트의 직경보다 더 작은 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
and a diameter of the gas flow panel is smaller than a diameter of the satellite. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 새틀라이트는, 상기 새틀라이트 둘레를 따라 가장자리 부분에 하향 돌출된 돌출부가 형성되는, 기판 처리 장치.4. The method according to claim 2 or 3,
In the satellite, a protrusion protruding downwardly is formed at an edge portion along a circumference of the satellite.
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