KR102548533B1 - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

기판처리장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판처리장치는, 서셉터에 기판이 탑재 지지되면, 기판에 의하여 접촉지지부재가 수축되고, 수축된 접촉지지부재의 탄성력에 의하여 접촉지지부재가 기판의 하면에 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 방지될 수 있다. 그리고, 기판이 서셉터에 탑재 지지되면, 기판과 서셉터 사이의 공간은 밀폐되므로 저압을 유지한다. 그리고, 기판의 처리를 위하여, 챔버로 공정가스가 분사되면, 챔버는 상대적으로 고압의 상태가 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버의 압력과 상대적으로 저압인 기판과 서셉터 사이의 공간의 압력 차로 인하여 기판의 하면은 접촉지지부재에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 더욱 방지될 수 있다. 그리고, 기판의 언로딩시, 접촉지지부재가 기판에 의하여 서셉터로부터 빠지지 않으므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.A substrate processing apparatus is disclosed. In the substrate processing apparatus according to the present invention, when a substrate is mounted and supported on the susceptor, the contact support member is contracted by the substrate, and the contact support member is firmly contacted with the lower surface of the substrate by the elastic force of the contracted contact support member. Due to this, it is possible to prevent the substrate from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates. Also, when the substrate is mounted and supported on the susceptor, the space between the substrate and the susceptor is sealed to maintain a low pressure. In addition, when process gas is injected into the chamber to process the substrate, the chamber is in a relatively high-pressure state. Then, due to a pressure difference between a relatively high-pressure chamber and a relatively low-pressure space between the substrate and the susceptor, the lower surface of the substrate is more firmly brought into contact with the contact support member. Due to this, the flow of the substrate on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates can be further prevented. In addition, since the contact support member is not separated from the susceptor by the substrate during unloading of the substrate, reliability of the product may be improved.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}Substrate treatment device {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}

본 발명은 공전 및 자전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus that prevents a substrate mounted and supported on a susceptor that rotates and rotates from flowing on the susceptor.

반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.For semiconductor devices, flat panel displays, solar cells, etc., a thin film deposition process of depositing raw materials on a substrate such as a silicon wafer or glass, a photolithography process of exposing or concealing a selected area among thin films deposited using a photosensitive material, It is manufactured by an etching process in which a thin film of a selected area is removed and patterned as desired.

박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있으며, 박막증착공정은 기판에 증착하고자 하는 박막의 특성에 적합한 기판처리장치에서 수행된다.The thin film deposition process includes physical vapor deposition, chemical vapor deposition, or atomic layer deposition. The thin film deposition process depends on the characteristics of the thin film to be deposited on the substrate. It is performed in a suitable substrate processing apparatus.

일반적으로, 원형의 기판을 처리하는 기판처리장치는 기판이 투입되어 처리되는 챔버, 상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크, 상기 디스크에 방사상으로 복수개 설치되며 기판이 각각 탑재 지지되는 서셉터를 포함한다. 이때, 상기 서셉터는, 상기 디스크가 회전함에 따라, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다.In general, a substrate processing apparatus for processing a circular substrate includes a chamber in which a substrate is input and processed, a disk rotatably installed inside the chamber, and a plurality of radially installed susceptors on the disk to mount and support the substrates, respectively. do. At this time, as the disk rotates, the susceptor rotates together with the disk, revolves around the center of the disk, and at the same time rotates around its own center.

그리하여, 상기 챔버의 일측 및 타측으로 소스가스 및 반응가스를 각각 분사하면, 상기 서셉터에 지지된 기판은 순차적으로 소스가스가 분사되는 영역 및 반응가스가 분사되는 영역에 위치된다. 그러면, 기판 상에 소스가스 및 반응가스가 각각 분사되고, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판에 박막이 증착된다.Thus, when the source gas and the reaction gas are injected to one side and the other side of the chamber, respectively, the substrate supported by the susceptor is sequentially located in the area where the source gas is sprayed and the area where the reaction gas is sprayed. Then, the source gas and the reaction gas are respectively sprayed onto the substrate, and a thin film is deposited on the substrate by the action of the source gas and the reaction gas.

상기 서셉터는 회전하는 상기 디스크에 대하여 자전가능하게 설치되고, 기판은 상기 서셉터에 탑재 지지되어 상기 서셉터와 함께 운동하므로, 상기 디스크의 회전 및 상기 서셉터의 자전시 발생하는 원심력에 의하여 상기 기판이 상기 서셉터 상에서 유동할 수 있다.Since the susceptor is installed to be able to rotate with respect to the rotating disk, and the substrate is mounted and supported on the susceptor and moves together with the susceptor, the centrifugal force generated during rotation of the disk and rotation of the susceptor causes the rotation of the susceptor. A substrate may flow on the susceptor.

그런데, 종래의 기판처리장치에는 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 유동하려는 기판이 유동하지 못하도록 방지하는 아무런 수단이 없다. 이로 인해, 기판이 상기 서셉터 상에서 유동할 수 있으므로, 기판의 유동에 의하여 기판이 손상되거나, 기판에 불균일한 박막이 형성되는 단점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus, there is no means for preventing the substrate to be flowed from flowing due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates. Due to this, since the substrate can flow on the susceptor, there is a disadvantage in that the substrate is damaged or a non-uniform thin film is formed on the substrate due to the flow of the substrate.

기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2010-0044960호(2010.05.03) 등에 개시되어 있다.Prior art related to the substrate processing apparatus is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2010-0044960 (May 3, 2010).

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.An object of the present invention may be to provide a substrate processing apparatus capable of solving all the problems of the prior art as described above.

본 발명의 다른 목적은 회전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판상에서 유동하는 것을 방지하여, 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있음과 동시에 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.Another object of the present invention is to prevent a substrate mounted and supported on a rotating susceptor from flowing on the substrate by centrifugal force generated when the susceptor rotates, thereby preventing damage to the substrate and at the same time providing a uniform thin film on the substrate. It may be to provide a substrate processing apparatus capable of forming.

본 발명의 또 다른 목적은 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 기판의 유동을 방지하는 접촉지지부재가 서셉터로부터 빠지는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.Another object of the present invention may be to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a contact support member installed in a susceptor, holding a substrate in contact, and preventing movement of a substrate from falling out of the susceptor.

상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크; 상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 상기 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지하는 탄성을 가진 복수의 접촉지지부재를 포함하며, 기판의 테두리부측은 상기 서셉터에 지지되고, 중앙부측은 상기 접촉지지부재의 상면에 접촉 지지될 수 있다.A substrate processing apparatus according to the present embodiment for achieving the above object includes a chamber providing a space in which a substrate is processed; a disk rotatably installed inside the chamber; a susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, and rotating together with the disk to revolve around the center of the disk and at the same time rotate around its own center; It includes a plurality of contact support members having elasticity installed in the susceptor, supporting the substrate in contact, and preventing the substrate from flowing on the susceptor by centrifugal force generated when the susceptor rotates, and an edge of the substrate. The lower side may be supported by the susceptor, and the central side may be supported in contact with the upper surface of the contact support member.

본 실시예에 따른 기판처리장치는, 서셉터에 기판이 탑재 지지되면, 기판에 의하여 접촉지지부재가 수축되고, 수축된 접촉지지부재의 탄성력에 의하여 접촉지지부재가 기판의 하면에 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 방지될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the present embodiment, when a substrate is mounted and supported on the susceptor, the contact support member is contracted by the substrate, and the contact support member is firmly contacted with the lower surface of the substrate by the elastic force of the contracted contact support member. . Due to this, it is possible to prevent the substrate from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates.

그리고, 기판이 서셉터에 탑재 지지되면, 기판과 서셉터 사이의 공간은 밀폐되므로 저압을 유지한다. 그리고, 기판의 처리를 위하여, 챔버로 공정가스가 분사되면, 챔버는 상대적으로 고압의 상태가 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버의 압력과 상대적으로 저압인 기판과 서셉터 사이의 공간의 압력 차로 인하여 기판의 하면은 접촉지지부재에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 더욱 방지될 수 있다.Also, when the substrate is mounted and supported on the susceptor, the space between the substrate and the susceptor is sealed to maintain a low pressure. In addition, when process gas is injected into the chamber to process the substrate, the chamber is in a relatively high-pressure state. Then, due to a pressure difference between a relatively high-pressure chamber and a relatively low-pressure space between the substrate and the susceptor, the lower surface of the substrate is more firmly brought into contact with the contact support member. Due to this, the flow of the substrate on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates can be further prevented.

따라서, 회전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 서셉터 상에서 유동하지 않으므로, 기판이 손상되는 것이 방지되는 효과가 있을 수 있다. 또한, 기판이 서셉터와 함께 안정되게 회전하므로, 전체의 기판에 균일한 박막이 형성될 수 있고, 기판의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성되는 효과가 있을 수 있다.Therefore, since the substrate supported by the rotating susceptor does not flow on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates, damage to the substrate can be prevented. In addition, since the substrate rotates stably together with the susceptor, a uniform thin film can be formed on the entire substrate, and a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate.

그리고, 기판의 언로딩시, 접촉지지부재가 기판에 의하여 서셉터로부터 빠지지 않으므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.In addition, since the contact support member is not separated from the susceptor by the substrate during unloading of the substrate, reliability of the product may be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 일부 분해 사시도.
도 2는 도 1의 "A-A"선 개략 결합 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 접촉지지부재와 기판의 분해 사시도.
도 4는 도 3의 "B-B"선 결합 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.1 is a partially exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic coupling cross-sectional view along the line "AA" of FIG.
3 is an exploded perspective view of the susceptor, the contact support member, and the substrate shown in FIG. 2;
Figure 4 is a "BB" line coupling cross-sectional view of FIG.
5 is a cross-sectional view of a main part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.In this specification, it should be noted that in adding reference numerals to components of each drawing, the same components have the same numbers as much as possible, even if they are displayed on different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of terms described in this specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.Singular expressions should be understood to include plural expressions unless the context clearly defines otherwise, and terms such as “first” and “second” are used to distinguish one component from another, The scope of rights should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that terms such as "comprise" or "having" do not preclude the presence or addition of one or more other features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term “at least one” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, "at least one of the first, second, and third items" means two of the first, second, and third items as well as each of the first, second, and third items. It means a combination of all items that can be presented from one or more.

"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term “and/or” should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, "item 1, item 2, and/or item 3" means not only item 1, item 2, or item 3, but also any two of item 1, item 2, or item 3. It means a combination of all the items that can be presented from above.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.When a component is referred to as “connected to or installed” in another component, it will be understood that it may be directly connected to or installed in the other component, but other components may exist in the middle. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected or installed” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. On the other hand, other expressions describing the relationship between components, ie, "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to" should be interpreted similarly.

이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 일부 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 "A-A"선 개략 결합 단면도이다.1 is a partially exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of FIG. 1 along line “A-A”.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(115)를 포함할 수 있다.As shown, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a chamber 110 having a space in which a substrate S such as a silicon wafer or glass is input and processed. The chamber 110 may include a main body 111 with an open upper surface and a lead 115 coupled to the open upper surface of the main body 111 .

본체(111)와 리드(115)가 상호 결합되어 상대적으로 하측과 상측에 각각 위치되므로, 챔버(110)의 하면이 본체(111)의 하면에 해당하고, 챔버(110)의 상면이 리드(115)에 해당함은 당연하다.Since the main body 111 and the lid 115 are coupled to each other and positioned at relatively lower and upper sides, the lower surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the main body 111, and the upper surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the lid 115 ) corresponds to, of course.

챔버(110)의 내부 하면측에는 디스크(121)가 회전가능하게 설치될 수 있고, 디스크(121)는 모터(123)에 의하여 회전하는 구동축(125)에 의하여 회전할 수 있다.A disk 121 may be rotatably installed on the inner lower surface of the chamber 110 , and the disk 121 may be rotated by a driving shaft 125 rotated by a motor 123 .

상세히 설명하면, 구동축(125)의 상단부는 디스크(121)의 하면에 결합되고, 하측 부위는 챔버(110)의 하면 외측으로 노출되어 동력전달모듈을 매개로 모터(123)의 회전축과 연결된다. 그리하여, 모터(123)의 회전축이 회전하면 구동축(125)이 회전하고, 이로 인해 디스크(121)가 회전한다. 구동축(125)은 승강할 수도 있으며, 디스크(121)와 구동축(125)은 동심을 이루는 것이 바람직하다.In detail, the upper end of the drive shaft 125 is coupled to the lower surface of the disk 121, and the lower part is exposed to the outside of the lower surface of the chamber 110 and is connected to the rotational shaft of the motor 123 via the power transmission module. Thus, when the rotational shaft of the motor 123 rotates, the drive shaft 125 rotates, thereby causing the disk 121 to rotate. The driving shaft 125 may move up and down, and it is preferable that the disk 121 and the driving shaft 125 are concentric.

구동축(125)이 통과하는 챔버(110)의 부위와 구동축(125) 사이를 실링하기 위하여, 챔버(110)의 외측으로 노출된 구동축(125)의 부위는 벨로즈(129)에 의하여 감싸일 수 있다.In order to seal between the drive shaft 125 and the portion of the chamber 110 through which the drive shaft 125 passes, the portion of the drive shaft 125 exposed to the outside of the chamber 110 may be wrapped by the bellows 129. there is.

디스크(121)의 상면에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(130)가 설치될 수 있다. 서셉터(130)는, 디스크(121)의 중심을 기준으로, 복수개가 방사상으로 설치될 수 있고, 디스크(121)와 함께 운동할 수 있다. 그러므로, 디스크(121)가 회전하면, 서셉터(130)는 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전한다. 따라서, 디스크(121)가 회전하면, 서셉터(130)의 상면에 탑재 지지된 기판(S)도 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전함은 당연하다.A susceptor 130 on which the substrate S is mounted and supported may be installed on the upper surface of the disk 121 . A plurality of susceptors 130 may be radially installed based on the center of the disk 121 and may move together with the disk 121 . Therefore, when the disk 121 rotates, the susceptor 130 revolves around the center of the disk 121 . Therefore, when the disk 121 rotates, it is natural that the substrate S mounted and supported on the upper surface of the susceptor 130 also revolves around the center of the disk 121 .

디스크(121)의 상면에는 서셉터(130)가 설치되는 안치홈이 하측으로 함몰 형성될 수 있다.A seating groove in which the susceptor 130 is installed may be recessed downward on the upper surface of the disk 121 .

기판(S)에 박막을 증착하기 위해서는, 공정가스가 챔버(110)로 공급되어 기판(S)의 상면측으로 분사되어야 한다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함할 수 있으며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질일 수 있다.In order to deposit a thin film on the substrate S, a process gas must be supplied to the chamber 110 and sprayed to the top surface of the substrate S. The process gas may include a source gas and a reaction gas, the source gas may be a material deposited on the substrate S, and the reaction gas may be a material that helps the source gas to be easily deposited on the substrate S.

챔버(110)의 상면에는 공정가스를 공급 분사하는 가스분사유닛이 설치될 수 있으며, 상기 가스분사유닛은 제1가스분사유닛(171) 내지 제3가스분사유닛(175)을 포함할 수 있다A gas injection unit for supplying and injecting process gas may be installed on the upper surface of the chamber 110, and the gas injection unit may include a first gas injection unit 171 to a third gas injection unit 175.

제1가스분사유닛(171)과 제2가스분사유닛(173)은 상호 구획되어 설치될 수 있으며, 제1가스분사유닛(171)은 소스가스를 공급 분사할 수 있고, 제2가스분사유닛(173)은 반응가스를 공급 분사할 수 있다. 이때, 제1가스분사유닛(171)에서 분사되는 소스가스는 챔버(110)의 일측인 제1영역(112)을 통하여 기판(S)으로 분사될 수 있고, 제2가스분사유닛(173)에서 분사되는 반응가스는 챔버(110)의 타측인 제2영역(113)을 통하여 기판(S)으로 분사될 수 있다.The first gas injection unit 171 and the second gas injection unit 173 may be mutually partitioned and installed, the first gas injection unit 171 may supply and inject the source gas, and the second gas injection unit ( 173) may supply and inject the reaction gas. At this time, the source gas injected from the first gas injection unit 171 may be injected to the substrate S through the first region 112, which is one side of the chamber 110, and from the second gas injection unit 173 The injected reaction gas may be injected to the substrate S through the second region 113 on the other side of the chamber 110 .

제3가스분사유닛(175)은, 제1가스분사유닛(171)에서 분사되는 소스가스와 제2가스분사유닛(173)에서 분사되는 반응가스가 기판(S)으로 분사되는 도중 혼합되지 않도록, 제1가스분사유닛(171)과 제2가스분사유닛(173)을 구획하는 형태로 설치되어 퍼지가스를 공급 분사할 수 있다. 제3가스분사유닛(175)에서 분사되는 퍼지가스가 에어 커튼의 기능을 하여, 기판(S)으로 분사되는 소스가스와 반응가스가 혼합되지 않는다.The third gas ejection unit 175 prevents the source gas ejected from the first gas ejection unit 171 and the reaction gas ejected from the second gas ejection unit 173 from being mixed while being ejected to the substrate S, It is installed in the form of partitioning the first gas injection unit 171 and the second gas injection unit 173 so that the purge gas can be supplied and injected. The purge gas injected from the third gas injection unit 175 functions as an air curtain, so that the source gas and the reaction gas injected to the substrate S are not mixed.

그리하여, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)은, 디스크(121)가 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스가 분사되는 제1영역(112)에 위치되고, 순차적으로 반응가스가 분사되는 제2영역(113)에 위치된다. 즉, 디스크(121)가 회전함에 따라, 기판(S)이 제1영역(112) 및 제2영역(113)에 위치되어 소스가스 및 반응가스를 공급받으며, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.Thus, the substrate S mounted and supported on each susceptor 130 is positioned in the first region 112 where the source gas is sequentially injected as the disk 121 rotates, and the reaction gas is sequentially injected. It is located in the second area 113 to be. That is, as the disk 121 rotates, the substrate S is positioned in the first region 112 and the second region 113 to receive the source gas and the reaction gas, and by the action of the source gas and the reaction gas A thin film may be deposited on the substrate S.

서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)은 디스크(121)의 중심을 기준으로 일정한 속도로 공전하므로, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)에는 균일한 박막이 형성될 수 있다. 이때, 각 서셉터(130)가 일정하게 자신의 중심을 기준으로 자전하면, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.Since the substrate S mounted and supported by the susceptor 130 revolves at a constant speed based on the center of the disk 121, a uniform thin film can be formed on the substrate S mounted and supported by each susceptor 130. can At this time, when each susceptor 130 constantly rotates about its center, a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate S mounted and supported on each susceptor 130 .

디스크(121)의 회전에 의하여 각 서셉터(130)가 일정하게 자전할 수 있도록, 챔버(110)의 내부에 위치된 구동축(125)의 외주면 및 서셉터(130)의 하면측에는 마그네트(127)(143)가 각각 설치될 수 있다. 마그네트(143)는 서셉터(130)의 하면에서 하측으로 돌출 형성된 지지축(141)의 외주면에 설치될 수 있다.A magnet 127 is provided on the outer circumferential surface of the drive shaft 125 located inside the chamber 110 and the lower surface of the susceptor 130 so that each susceptor 130 can rotate constantly by the rotation of the disk 121. (143) can be installed respectively. The magnet 143 may be installed on an outer circumferential surface of the support shaft 141 protruding downward from the lower surface of the susceptor 130 .

그리하여, 구동축(125)을 회전시켜 디스크(121)를 회전시키면, 마그네트(127)가 구동축(125)과 함께 회전하며, 회전하는 마그네트(127)와의 작용에 의하여 마그네트(143)도 회전한다. 그러면, 지지축(141)이 회전하므로, 서셉터(130)는 지지축(141)을 중심으로 자전한다.Thus, when the disk 121 is rotated by rotating the driving shaft 125, the magnet 127 rotates together with the driving shaft 125, and the magnet 143 also rotates by the action of the rotating magnet 127. Then, since the support shaft 141 rotates, the susceptor 130 rotates around the support shaft 141 .

챔버(110)로 분사된 소스가스와 반응가스를 포함한 공정가스는 일부만이 증착공정에 사용되고, 나머지는 증착공정시 발생하는 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 배출된다. 증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 각각 배출하기 위하여, 가스배기라인(181, 185) 및 배기펌프(191, 195)가 각각 마련될 수 있다.A portion of the process gas including the source gas and the reaction gas injected into the chamber 110 is used for the deposition process, and the rest is discharged to the outside of the chamber 110 together with by-products generated during the deposition process. Gas exhaust lines 181 and 185 and exhaust pumps 191 and 195 may be respectively provided to discharge source gas and reaction gas not used in the deposition process to the outside of the chamber 110 together with by-products.

서셉터(130)는, 디스크(121)의 회전에 의하여, 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다. 그러면, 공전 및 자전하는 서셉터(130)의 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동할 수 있고, 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하면, 기판(S)이 손상되거나, 기판(S)에 균일한 박막이 형성되지 못할 수 있다.The susceptor 130, by the rotation of the disk 121, revolves around the center of the disk 121 and at the same time rotates around its own center. Then, the substrate (S) can flow on the susceptor 130 by the centrifugal force of the orbiting and rotating susceptor 130, and when the substrate (S) flows on the susceptor 130, the substrate (S) It may be damaged, or a uniform thin film may not be formed on the substrate S.

본 실시예에 따른 기판처리장치는, 서셉터(130)의 공전 및 자전을 포함하는 회전에 의하여, 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것을 방지하는 접촉지지부재(150)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a contact support member 150 that prevents the substrate S from flowing on the susceptor 130 by rotation including revolution and rotation of the susceptor 130. can do.

서셉터(130) 및 접촉지지부재(150)에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 접촉지지부재와 기판의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 "B-B"선 결합 단면도이다.The susceptor 130 and the contact support member 150 will be described with reference to FIGS. 1 to 4 . 3 is an exploded perspective view of the susceptor, the contact support member, and the substrate shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line “BB” of FIG.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판처리장치의 서셉터(130)는 받침판(131)과 돌출테(135)를 포함할 수 있다. 받침판(131)은 기판(S)과 대응되는 형상으로 형성되어 디스크(121)의 상기 안치홈에 삽입 설치될 수 있고, 돌출테(135)는 받침판(131)의 테두리부를 따라 상측으로 연장 형성될 수 있다. 이때, 돌출테(135)의 내주면에는 기판(S)의 테두리부측이 탑재 지지되는 계단면(階段面)(135a)이 형성될 수 있다.As shown, the susceptor 130 of the substrate processing apparatus according to the present embodiment may include a support plate 131 and a protrusion frame 135 . The support plate 131 is formed in a shape corresponding to the substrate S and can be inserted into the seating groove of the disk 121, and the protruding frame 135 extends upward along the rim of the support plate 131. can At this time, a stepped surface 135a may be formed on the inner circumferential surface of the protruding frame 135 to mount and support the rim side of the substrate S.

접촉지지부재(150)는 하측 부위는 받침판(131)에 삽입 결합되고, 상측 부위는 받침판(131)의 상측으로 노출될 수 있다. 그리하여, 기판(S)의 테두리부측이 계단면(135a)에 탑재 지지되었을 때, 접촉지지부재(150)의 상면이 기판(S)의 하면 중앙부측과 접촉하여 기판(S)을 지지할 수 있다.A lower portion of the contact support member 150 may be inserted into and coupled to the supporting plate 131 and an upper portion may be exposed to the upper side of the supporting plate 131 . Thus, when the edge side of the substrate S is mounted and supported on the step surface 135a, the upper surface of the contact support member 150 contacts the lower surface of the substrate S to support the substrate S. .

접촉지지부재(150)는 복수개로 마련되어 서셉터(130)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수 있다. 접촉지지부재(150)에 접촉 지지된 기판(S)이 접촉지지부재(150)에 의하여 서셉터(130) 상에서 유동하지 않기 위해서는, 접촉지지부재(150)와 기판(S) 사이에 소정의 마찰력이 작용하여야 한다. 그러므로, 접촉지지부재(150)는 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하지 않을 정도의 낮은 경도를 가지면서 탄성력을 구비하는 것이 바람직하다. 그리고, 접촉지지부재(150)는 서셉터(130)에 설치 고정된 상태를 유지하여야 하므로, 소스가스 및 공정가스에 충분하게 견딜 수 있는 높은 내화학성을 가지는 것이 바람직하다.A plurality of contact support members 150 may be installed radially with respect to the center of the susceptor 130 . In order for the substrate (S) contact-supported by the contact-supporting member 150 not to flow on the susceptor 130 by the contact-supporting member 150, a predetermined frictional force between the contact-supporting member 150 and the substrate (S) this should work Therefore, it is preferable that the contact support member 150 has elasticity while having hardness low enough that the substrate S does not flow on the susceptor 130 . In addition, since the contact support member 150 must be installed and fixed to the susceptor 130, it is desirable to have high chemical resistance that can sufficiently withstand source gas and process gas.

그리하여, 기판(S)의 테두리부측을 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지하면, 접촉지지부재(150)의 상면에 기판(S)의 하면이 접촉 지지된다. 이때, 접촉지지부재(150)는 수축되면서 기판(S)의 하면과 접촉한다. 그러면, 최초의 상태로 복귀하려는 접촉지지부재(150)의 탄성력에 의하여, 접촉지지부재(150)는 기판(S)의 하면에 밀착되는 형태로 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 방지된다.Thus, when the edge side of the substrate S is mounted and supported on the stepped surface 135a of the susceptor 130, the lower surface of the substrate S is contacted and supported on the upper surface of the contact support member 150. At this time, the contact support member 150 contacts the lower surface of the substrate S while contracting. Then, by the elastic force of the contact support member 150 to return to the initial state, the contact support member 150 is firmly contacted in a form of being closely adhered to the lower surface of the substrate (S). Due to this, the substrate S is prevented from flowing on the susceptor 130 by the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

그리고, 서셉터(130)에 기판(S)을 로딩 또는 언로딩할 때에는 챔버(110)는 진공에 가깝게 감압된다. 그런데, 기판(S)이 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지되면, 기판(S)과 접촉지지부재(150)에 의하여 형성되는 공간은 대략 밀폐된 형태가 되므로, 저압 상태를 유지한다. 이러한 상태에서, 챔버(110)로 공정가스를 분사하여 기판(S)을 처리하면, 공정가스로 인하여 챔(110)는 상대적으로 고압이 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버(110)의 압력과 상대적으로 저압인 기판(S)과 서셉터(130)에 의하여 형성되는 공간의 압력 차에 의하여 기판(S)의 하면은 접촉지지부(153)에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 더욱 방지된다.Also, when loading or unloading the substrate S on the susceptor 130, the chamber 110 is depressurized close to vacuum. However, when the substrate S is mounted and supported on the step surface 135a of the susceptor 130, the space formed by the substrate S and the contact support member 150 becomes substantially sealed, so that the low pressure state keep In this state, when the substrate S is processed by injecting process gas into the chamber 110, the chamber 110 becomes relatively high-pressure due to the process gas. Then, the lower surface of the substrate S is contacted by the contact support 153 due to the pressure difference between the pressure of the chamber 110, which is relatively high pressure, and the pressure of the space formed by the substrate S and the susceptor 130, which is relatively low pressure. more firmly in contact. Due to this, the flow of the substrate S on the susceptor 130 by the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates is further prevented.

접촉지지부재(150)가 서셉터(130)의 받침판(131)의 상면에 접착 또는 압입 결합될 경우, 서셉터(130)로부터 기판(S)을 언로딩할 때, 기판(S)에 접촉된 접촉지지부재(150)가 기판(S)과 함께 상승하면서 서셉터(130)로부터 빠질 수 있다.When the contact support member 150 is bonded or press-fitted to the upper surface of the base plate 131 of the susceptor 130, when unloading the substrate S from the susceptor 130, the contact with the substrate S The contact support member 150 may be removed from the susceptor 130 while rising together with the substrate S.

본 발명은 일 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판(S)의 언로딩시, 접촉지지부재(150)가 서셉터(130)로부터 빠지는 것을 방지할 수 있도록 구성된다.The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is configured to prevent the contact support member 150 from being separated from the susceptor 130 during unloading of the substrate S.

상세히 설명하면, 받침판(131)에는 접촉지지부재(150)의 하측 부위가 삽입 결합되는 결합공(131a)이 형성될 수 있다. 이때, 결합공(131a)은 받침판(131)의 하면측에 형성된 제1결합공(131aa), 받침판(131)의 상면측에 형성되어 제1결합공(131aa)과 연통되며 제1결합공(131aa) 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공(131ab)를 포함할 수 있다.In detail, a coupling hole 131a into which a lower portion of the contact support member 150 is inserted and coupled may be formed in the support plate 131 . At this time, the coupling hole 131a is formed on the upper surface side of the first coupling hole 131aa formed on the lower surface side of the support plate 131 and the support plate 131 to communicate with the first coupling hole 131aa, and the first coupling hole ( 131aa) may include a second coupling hole 131ab formed with a smaller diameter.

그리고, 접촉지지부재(150)는 제2결합공(131ab) 보다 큰 직경을 가지면서 제1결합공(131aa)에 삽입 결합되는 몸체부(151), 몸체부(151)의 상면에 형성되어 몸체부(151) 보다 작은 직경을 가지며 제1결합공(131aa)을 관통하여 받침판(151)의 상측으로 돌출되는 접촉지지부(153)를 포함할 수 있다. 이때, 접촉지지부(153)의 상면에 기판(S)의 하면이 접촉 지지됨은 당연하다.In addition, the contact support member 150 has a larger diameter than the second coupling hole 131ab and is formed on the upper surface of the body portion 151 inserted into and coupled to the first coupling hole 131aa, and the body portion 151. A contact support portion 153 having a smaller diameter than the portion 151 and protruding upward from the base plate 151 through the first coupling hole 131aa may be included. At this time, it is natural that the lower surface of the substrate S is contacted and supported on the upper surface of the contact support part 153 .

그러면, 서셉터(130)로부터 기판(S)을 언로딩할 때, 접촉지지부재(150)가 상승하여도, 접촉지지부재(150)의 몸체(151)가 제1결합공(131aa)과 제2결합공(131ab) 의 경계면에 걸리므로, 접촉지지부재(150)가 제2결합공(131ab)을 통하여 결합공(131a)으로부터 빠지는 것이 방지된다.Then, when the substrate (S) is unloaded from the susceptor 130, even if the contact support member 150 rises, the body 151 of the contact support member 150 maintains contact with the first coupling hole 131aa. Since it is caught on the boundary surface of the second coupling hole 131ab, the contact support member 150 is prevented from coming out of the coupling hole 131a through the second coupling hole 131ab.

접촉지지부재(150)가 제1결합공(131aa)을 통하여 결합공(131a)으로부터 빠지는 것을 방지하기 위하여, 제1결합공(131aa)에는 스토퍼(160)가 결합될 수 있다.In order to prevent the contact support member 150 from falling out of the coupling hole 131a through the first coupling hole 131aa, a stopper 160 may be coupled to the first coupling hole 131aa.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 서셉터(130)의 계단면(135a)에 기판(S)이 탑재 지지되면, 기판(S)에 의하여 접촉지지부재(150)가 수축되고, 수축된 접촉지지부재(150)의 탄성력에 의하여 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)가 기판(S)의 하면에 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 방지될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, when the substrate S is mounted and supported on the step surface 135a of the susceptor 130, the contact support member 150 is contracted and contracted by the substrate S. The contact support portion 153 of the contact support member 150 is firmly brought into contact with the lower surface of the substrate S by the elastic force of the contact support member 150. Due to this, it is possible to prevent the substrate S from flowing on the susceptor 130 due to the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

그리고, 기판(S)이 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지되어 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)와 접촉하면, 기판(S)과 서셉터(130) 사이의 공간은 밀폐 되므로 저압을 유지한다. 그리고, 기판(S)의 처리를 위하여 공정가스가 챔버(110)로 분사되면, 챔버(110)는 상대적으로 고압의 상태가 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버(110)의 압력과 상대적으로 저압인 기판(S)과 서셉터(130) 사이의 공간의 압력 차로 인하여 기판(S)의 하면은 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 더욱 방지될 수 있다.Then, when the substrate (S) is mounted and supported on the step surface (135a) of the susceptor 130 and contacts the contact support portion 153 of the contact support member 150, there is a gap between the substrate (S) and the susceptor 130. Since the space is sealed, the low pressure is maintained. And, when the process gas is injected into the chamber 110 for processing the substrate S, the chamber 110 becomes a relatively high-pressure state. Then, due to the pressure difference between the relatively high-pressure chamber 110 and the relatively low-pressure space between the substrate S and the susceptor 130, the lower surface of the substrate S is the contact support portion of the contact support member 150. (153) more firmly in contact. Due to this, the flow of the substrate S on the susceptor 130 due to the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates can be further prevented.

따라서, 회전하는 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판이 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 서셉터(130) 상에서 유동하지 않으므로, 기판(S)이 손상되는 것이 방지된다. 또한, 기판(S)이 서셉터(130)와 함께 안정되게 회전하므로, 전체의 기판(S)에 균일한 박막이 형성될 수 있고, 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.Therefore, since the substrate mounted and supported by the rotating susceptor 130 does not flow on the susceptor 130 due to the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates, damage to the substrate S is prevented. In addition, since the substrate S rotates stably together with the susceptor 130, a uniform thin film can be formed on the entire substrate S, and a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate S. It can be.

그리고, 기판(S)의 언로딩시, 접촉지지부재(150)가 기판(S)에 의하여 서셉터(130)로부터 빠지지 않으므로, 제품의 신뢰성이 향상된다.And, since the contact support member 150 does not fall out of the susceptor 130 by the substrate S during unloading of the substrate S, the reliability of the product is improved.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 4와의 차이점만을 설명한다.5 is a cross-sectional view of main parts of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 4 are described.

도시되 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터(230)의 결합공(231a)은 서셉터(230)의 받침판(231)의 하면측에 형성된 제1결합공(231aa), 받침판(231)의 상면측에 형성되어 제1결합공(231aa)과 연통되며 제1결합공(231aa) 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공(231ab)을 포함할 수 있다.As shown, the coupling hole 231a of the susceptor 230 according to another embodiment of the present invention is a first coupling hole 231aa formed on the lower surface of the support plate 231 of the susceptor 230, the support plate ( 231) may include a second coupling hole 231ab formed on the upper surface side, communicating with the first coupling hole 231aa, and having a smaller diameter than the first coupling hole 231aa.

그리고, 접촉지지부재(250)는 제2결합공(231ab) 보다 큰 직경을 가지면서 제1결합공(231aa)에 삽입 결합되는 몸체부(251), 제2결합공(231ab) 보다 큰 직경을 가지면서 받침판(231)의 상면에 위치되며 기판(S)이 접촉 지지되는 접촉지지부(253) 및 제2결합공(231ab)에 삽입되며 몸체부(251)와 접촉지지부(253)를 연결하는 연결부(255)를 포함할 수 있다.In addition, the contact support member 250 has a larger diameter than the second coupling hole 231ab and a larger diameter than the body portion 251 inserted into and coupled to the first coupling hole 231aa and the second coupling hole 231ab. While having, it is located on the upper surface of the support plate 231 and is inserted into the contact support portion 253 where the substrate S is contact-supported and the second coupling hole 231ab and connects the body portion 251 and the contact support portion 253. (255).

접촉지지부재(250)는 탄성력을 가지므로, 접촉지지부재(250)의 몸체부(251)를 수축시킨 다음, 제2결합공(231ab)을 통과시켜 제1결합공(231aa)에 삽입하면, 연결부(255)가 제2결합공(231ab)가 삽입된다. 그러면, 몸체부(251) 및 접촉지지부(253)로 인하여, 접촉지지부재(250)가 결합공(231a)에서 빠지는 것이 방지된다.Since the contact support member 250 has elasticity, when the body portion 251 of the contact support member 250 is contracted and then passed through the second coupling hole 231ab and inserted into the first coupling hole 231aa, The connection part 255 is inserted into the second coupling hole 231ab. Then, due to the body portion 251 and the contact support portion 253, the contact support member 250 is prevented from falling out of the coupling hole 231a.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and it is common in the technical field to which the present invention belongs that various substitutions, modifications, and changes are possible without departing from the technical spirit of the present invention. It will be clear to those who have knowledge of Therefore, the scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts should be construed as being included in the scope of the present invention.

110: 챔버
130: 서셉터
150: 접촉지지부재
160: 스토퍼110: chamber
130: susceptor
150: contact support member
160: stopper

Claims (6)

기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크;
상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 상기 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지하는 탄성을 가진 복수의 접촉지지부재를 포함하며,
기판의 테두리부측은 상기 서셉터에 지지되고, 중앙부측은 상기 접촉지지부재의 상면에 접촉 지지되고,
상기 서셉터는 상기 디스크에 설치되는 받침판을 포함하며,
상기 받침판에는 상기 접촉지지부재의 하측 부위가 삽입 결합되는 결합공이 형성되고,
상기 결합공은 상기 받침판의 하면측에 형성된 제1결합공을 포함하며,
상기 제1결합공에는 상기 접촉지지부재가 상기 서셉터로부터 빠지는 것을 방지하는 스토퍼가 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.a chamber providing a space in which a substrate is processed;
a disk rotatably installed inside the chamber;
a susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, and rotating together with the disk to revolve around the center of the disk and at the same time rotate around its own center;
A plurality of contact support members having elasticity installed in the susceptor, supporting the substrate in contact, and preventing the substrate from flowing on the susceptor by centrifugal force generated when the susceptor rotates,
The rim side of the substrate is supported by the susceptor, and the central side is supported in contact with the upper surface of the contact support member,
The susceptor includes a support plate installed on the disk,
A coupling hole into which a lower portion of the contact support member is inserted and coupled is formed in the support plate,
The coupling hole includes a first coupling hole formed on the lower surface side of the support plate,
A substrate processing apparatus, characterized in that a stopper for preventing the contact support member from falling out of the susceptor is coupled to the first coupling hole. 제1항에 있어서,
상기 서셉터는 상기 받침판의 테두리부에서 상측으로 연장 형성되며, 내주면에는 기판의 테두리부측이 탑재 지지되는 계단면(階段面)이 형성된 돌출테를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the susceptor includes a protruding frame extending upward from the rim of the support plate and having a stepped surface formed on an inner circumferential surface thereof to mount and support the rim side of the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 결합공은 상기 받침판의 상면측에 형성되어 상기 제1결합공과 연통되며 상기 제1결합공 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공을 가지고,
상기 접촉지지부재는 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 제1결합공에 삽입 결합되는 몸체부, 상기 몸체부의 상면에 형성되어 상기 몸체부 보다 작은 직경을 가지고 상기 제1결합공을 관통하여 상기 받침판의 상측으로 돌출되며 기판이 접촉 지지되는 접촉지지부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The coupling hole is formed on the upper surface side of the support plate and communicates with the first coupling hole and has a second coupling hole formed with a smaller diameter than the first coupling hole,
The contact support member has a diameter larger than that of the second coupling hole and is formed on a body portion inserted into and coupled to the first coupling hole and formed on an upper surface of the body portion to have a diameter smaller than that of the body portion and pass through the first coupling hole. and a contact support portion protruding upward from the support plate and contacting and supporting the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 결합공은 상기 받침판의 하면측에 형성된 제1결합공, 상기 받침판의 상면측에 형성되어 상기 제1결합공과 연통되며 상기 제1결합공 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공을 가지고,
상기 접촉지지부재는 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 제1결합공에 삽입 결합되는 몸체부, 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 받침판의 상면에 위치되며 기판이 접촉 지지되는 접촉지지부 및 상기 제2결합공에 삽입되며 상기 몸체부와 상기 접촉지지부를 연결하는 연결부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.According to claim 1,
The coupling hole has a first coupling hole formed on the lower surface side of the support plate and a second coupling hole formed on the upper surface side of the support plate to communicate with the first coupling hole and having a smaller diameter than the first coupling hole,
The contact support member has a body portion having a larger diameter than the second coupling hole and is inserted into and coupled to the first coupling hole, and has a larger diameter than the second coupling hole and is located on the upper surface of the support plate, and the substrate is contacted and supported The substrate processing apparatus characterized in that it has a contact support portion and a connection portion inserted into the second coupling hole and connecting the body portion and the contact support portion.
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