KR20180010712A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20180010712A
KR20180010712A KR1020160093272A KR20160093272A KR20180010712A KR 20180010712 A KR20180010712 A KR 20180010712A KR 1020160093272 A KR1020160093272 A KR 1020160093272A KR 20160093272 A KR20160093272 A KR 20160093272A KR 20180010712 A KR20180010712 A KR 20180010712A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
susceptor
contact support
support member
disk
Prior art date
Application number
KR1020160093272A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102548533B1 (en
Inventor
김지훈
신승철
유진혁
조병하
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020160093272A priority Critical patent/KR102548533B1/en
Publication of KR20180010712A publication Critical patent/KR20180010712A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102548533B1 publication Critical patent/KR102548533B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Disclosed is a substrate processing apparatus. According to the present invention, when a substrate is loaded and supported in a susceptor, a contact support member is contracted by the substrate and the contact support member is firmly in contact with the lower surface of the substrate by an elastic force of the contracted contact support member. Accordingly, it prevents the substrate from being moved on the susceptor by centrifugal force generated by the susceptors rotation. When the substrate is loaded and supported on the susceptor, the space between the substrate and the susceptor is closed, thus maintaining low pressure. When a processing gas is injected in a chamber to process the substrate, the chamber becomes a relatively high-pressure state. Then, due to the pressure difference between the relatively high pressure of the chamber and the relatively low pressure of the space between the substrate and the susceptor, the lower surface of the substrate is firmly in contact with the contact support member. Accordingly, the substrate is prevented from moving on the susceptor by the centrifugal force generated by the rotation of the susceptor. When unloading the substrate, the contact support member is not separated from the susceptor by the substrate, thus providing an effect of enhancing reliability of a product.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS [0002]

본 발명은 공전 및 자전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus which prevents a substrate mounted on and supported by a rotating and rotating susceptor from flowing on a susceptor.

반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.A semiconductor device, a flat panel display device, or a solar cell may be a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate such as a silicon wafer or glass, a photolithography process for exposing or concealing a selected region of thin films deposited using a photosensitive material, And removing the thin film of the selected region and patterning it as desired.

박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있으며, 박막증착공정은 기판에 증착하고자 하는 박막의 특성에 적합한 기판처리장치에서 수행된다.The thin film deposition process includes a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, and an atomic layer deposition method. In the thin film deposition step, Is performed in a suitable substrate processing apparatus.

일반적으로, 원형의 기판을 처리하는 기판처리장치는 기판이 투입되어 처리되는 챔버, 상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크, 상기 디스크에 방사상으로 복수개 설치되며 기판이 각각 탑재 지지되는 서셉터를 포함한다. 이때, 상기 서셉터는, 상기 디스크가 회전함에 따라, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다.In general, a substrate processing apparatus for processing a circular substrate includes a chamber into which a substrate is inserted and processed, a disk rotatably installed in the chamber, and a susceptor mounted radially on the disk, do. At this time, as the disc rotates, the susceptor rotates together with the disc, revolving about the center of the disc, and rotating about its own center.

그리하여, 상기 챔버의 일측 및 타측으로 소스가스 및 반응가스를 각각 분사하면, 상기 서셉터에 지지된 기판은 순차적으로 소스가스가 분사되는 영역 및 반응가스가 분사되는 영역에 위치된다. 그러면, 기판 상에 소스가스 및 반응가스가 각각 분사되고, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판에 박막이 증착된다.Thus, when the source gas and the reactive gas are injected to one side and the other side of the chamber, the substrate supported by the susceptor is sequentially positioned in the region where the source gas is injected and the region where the reactive gas is injected. Then, the source gas and the reactive gas are respectively injected onto the substrate, and the thin film is deposited on the substrate by the action of the source gas and the reactive gas.

상기 서셉터는 회전하는 상기 디스크에 대하여 자전가능하게 설치되고, 기판은 상기 서셉터에 탑재 지지되어 상기 서셉터와 함께 운동하므로, 상기 디스크의 회전 및 상기 서셉터의 자전시 발생하는 원심력에 의하여 상기 기판이 상기 서셉터 상에서 유동할 수 있다.Since the susceptor is rotatably mounted on the rotating disk and the substrate is mounted on the susceptor and moves together with the susceptor, the rotation of the disk and the centrifugal force generated upon rotation of the susceptor cause the susceptor A substrate may flow over the susceptor.

그런데, 종래의 기판처리장치에는 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 유동하려는 기판이 유동하지 못하도록 방지하는 아무런 수단이 없다. 이로 인해, 기판이 상기 서셉터 상에서 유동할 수 있으므로, 기판의 유동에 의하여 기판이 손상되거나, 기판에 불균일한 박막이 형성되는 단점이 있다.However, the conventional substrate processing apparatus has no means for preventing the substrate from flowing due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates. As a result, since the substrate can flow on the susceptor, there is a disadvantage that the substrate is damaged by the flow of the substrate, or a thin film is formed on the substrate.

기판처리장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 제10-2010-0044960호(2010.05.03) 등에 개시되어 있다.Prior art relating to a substrate processing apparatus is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2010-0044960 (2010.05.03).

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of solving all the problems of the prior art as described above.

본 발명의 다른 목적은 회전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판상에서 유동하는 것을 방지하여, 기판이 손상되는 것을 방지할 수 있음과 동시에 기판에 균일한 박막을 형성할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.Another object of the present invention is to prevent a substrate mounted on a rotating susceptor from flowing on a substrate due to a centrifugal force generated during rotation of the susceptor, thereby preventing damage to the substrate, A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 또 다른 목적은 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 기판의 유동을 방지하는 접촉지지부재가 서셉터로부터 빠지는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is still another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which is provided in a susceptor and in which a substrate is contact-supported, and a contact supporting member for preventing the substrate from flowing out of the susceptor can be prevented.

상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크; 상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 상기 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지하는 탄성을 가진 복수의 접촉지지부재를 포함하며, 기판의 테두리부측은 상기 서셉터에 지지되고, 중앙부측은 상기 접촉지지부재의 상면에 접촉 지지될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a chamber for providing a space in which a substrate is processed; A disk rotatably installed inside the chamber; A susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, rotating with the disk, and rotating about a center of the disk relative to a center of the disk; And a plurality of contact support members provided on the susceptor and abutting on the substrate and having elasticity for preventing the substrate from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates, And the center side can be contactably supported on the upper surface of the contact support member.

본 실시예에 따른 기판처리장치는, 서셉터에 기판이 탑재 지지되면, 기판에 의하여 접촉지지부재가 수축되고, 수축된 접촉지지부재의 탄성력에 의하여 접촉지지부재가 기판의 하면에 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 방지될 수 있다.In the substrate processing apparatus according to this embodiment, when the substrate is supported on the susceptor, the substrate is contracted by the substrate, and the contact supporting member is firmly contacted with the lower surface of the substrate by the elastic force of the contracted contact supporting member . As a result, the substrate can be prevented from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated during rotation of the susceptor.

그리고, 기판이 서셉터에 탑재 지지되면, 기판과 서셉터 사이의 공간은 밀폐되므로 저압을 유지한다. 그리고, 기판의 처리를 위하여, 챔버로 공정가스가 분사되면, 챔버는 상대적으로 고압의 상태가 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버의 압력과 상대적으로 저압인 기판과 서셉터 사이의 공간의 압력 차로 인하여 기판의 하면은 접촉지지부재에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 서셉터 상에서 유동하는 것이 더욱 방지될 수 있다.Then, when the substrate is mounted on the susceptor, the space between the substrate and the susceptor is sealed so that a low pressure is maintained. And, for processing of the substrate, when the process gas is injected into the chamber, the chamber is in a state of relatively high pressure. Then, the lower surface of the substrate is more firmly in contact with the contact supporting member due to the pressure difference between the chamber of relatively high pressure and the space between the substrate and the susceptor which are relatively low in pressure. This makes it possible to further prevent the substrate from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated during rotation of the susceptor.

따라서, 회전하는 서셉터에 탑재 지지된 기판이 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 서셉터 상에서 유동하지 않으므로, 기판이 손상되는 것이 방지되는 효과가 있을 수 있다. 또한, 기판이 서셉터와 함께 안정되게 회전하므로, 전체의 기판에 균일한 박막이 형성될 수 있고, 기판의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성되는 효과가 있을 수 있다.Therefore, since the substrate mounted on the rotating susceptor does not flow on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates, it is possible to prevent the substrate from being damaged. In addition, since the substrate stably rotates together with the susceptor, a uniform thin film can be formed on the entire substrate, and a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate.

그리고, 기판의 언로딩시, 접촉지지부재가 기판에 의하여 서셉터로부터 빠지지 않으므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있을 수 있다.Further, when the substrate is unloaded, the contact support member does not come off the susceptor by the substrate, so that the reliability of the product may be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 일부 분해 사시도.
도 2는 도 1의 "A-A"선 개략 결합 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 접촉지지부재와 기판의 분해 사시도.
도 4는 도 3의 "B-B"선 결합 단면도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.1 is a partially exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
2 is a schematic cross-sectional view taken along the line "AA" in Fig.
3 is an exploded perspective view of the susceptor, contact support member, and substrate shown in FIG. 2;
4 is a cross-sectional view taken along line BB of Fig. 3;
5 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one.

"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "and / or" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "first item, second item and / or third item" may include not only the first item, the second item or the third item but also two of the first item, Means a combination of all items that can be presented from the above.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected or installed" to another element, it may be directly connected or installed with the other element, although other elements may be present in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected or installed" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. On the other hand, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 일부 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 "A-A"선 개략 결합 단면도이다.FIG. 1 is a partially exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line "A-A" of FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(115)를 포함할 수 있다.As shown in the figure, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a chamber 110 in which a space is formed in which a substrate S such as a silicon wafer or glass is processed and processed. The chamber 110 may include a main body 111 having an opened upper surface and a lead 115 coupled to an opened upper end surface of the main body 111.

본체(111)와 리드(115)가 상호 결합되어 상대적으로 하측과 상측에 각각 위치되므로, 챔버(110)의 하면이 본체(111)의 하면에 해당하고, 챔버(110)의 상면이 리드(115)에 해당함은 당연하다.The lower surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the main body 111 and the upper surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the lead 115 ).

챔버(110)의 내부 하면측에는 디스크(121)가 회전가능하게 설치될 수 있고, 디스크(121)는 모터(123)에 의하여 회전하는 구동축(125)에 의하여 회전할 수 있다.The disk 121 may be rotatably installed on the inner lower surface of the chamber 110 and the disk 121 may be rotated by the driving shaft 125 rotated by the motor 123.

상세히 설명하면, 구동축(125)의 상단부는 디스크(121)의 하면에 결합되고, 하측 부위는 챔버(110)의 하면 외측으로 노출되어 동력전달모듈을 매개로 모터(123)의 회전축과 연결된다. 그리하여, 모터(123)의 회전축이 회전하면 구동축(125)이 회전하고, 이로 인해 디스크(121)가 회전한다. 구동축(125)은 승강할 수도 있으며, 디스크(121)와 구동축(125)은 동심을 이루는 것이 바람직하다.The lower end of the drive shaft 125 is exposed to the outside of the lower surface of the chamber 110 and connected to the rotation shaft of the motor 123 via the power transmission module. Thus, when the rotation shaft of the motor 123 rotates, the drive shaft 125 rotates, and the disk 121 rotates. The drive shaft 125 may move up and down, and the disk 121 and the drive shaft 125 may be concentric.

구동축(125)이 통과하는 챔버(110)의 부위와 구동축(125) 사이를 실링하기 위하여, 챔버(110)의 외측으로 노출된 구동축(125)의 부위는 벨로즈(129)에 의하여 감싸일 수 있다.The portion of the drive shaft 125 exposed to the outside of the chamber 110 may be enclosed by the bellows 129 to seal between the portion of the chamber 110 through which the drive shaft 125 passes and the drive shaft 125. [ have.

디스크(121)의 상면에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(130)가 설치될 수 있다. 서셉터(130)는, 디스크(121)의 중심을 기준으로, 복수개가 방사상으로 설치될 수 있고, 디스크(121)와 함께 운동할 수 있다. 그러므로, 디스크(121)가 회전하면, 서셉터(130)는 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전한다. 따라서, 디스크(121)가 회전하면, 서셉터(130)의 상면에 탑재 지지된 기판(S)도 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전함은 당연하다.A susceptor 130 on which the substrate S is mounted can be installed on the upper surface of the disk 121. A plurality of susceptors 130 may be provided radially with respect to the center of the disk 121 and may move together with the disk 121. [ Therefore, when the disk 121 rotates, the susceptor 130 revolves around the center of the disk 121. [ Therefore, when the disk 121 rotates, it is a matter of course that the substrate S mounted and supported on the upper surface of the susceptor 130 also revolves around the center of the disk 121.

디스크(121)의 상면에는 서셉터(130)가 설치되는 안치홈이 하측으로 함몰 형성될 수 있다.The upper surface of the disc 121 may be recessed downwardly with an installation groove in which the susceptor 130 is installed.

기판(S)에 박막을 증착하기 위해서는, 공정가스가 챔버(110)로 공급되어 기판(S)의 상면측으로 분사되어야 한다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함할 수 있으며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질일 수 있다.In order to deposit a thin film on the substrate S, a process gas must be supplied to the chamber 110 to be sprayed toward the upper surface side of the substrate S. The process gas may include a source gas and a reactive gas, the source gas is a substance deposited on the substrate S, and the reactive gas may be a substance that facilitates deposition of the source gas on the substrate S.

챔버(110)의 상면에는 공정가스를 공급 분사하는 가스분사유닛이 설치될 수 있으며, 상기 가스분사유닛은 제1가스분사유닛(171) 내지 제3가스분사유닛(175)을 포함할 수 있다A gas injection unit for injecting a process gas into the chamber 110 may be provided on the upper surface of the chamber 110. The gas injection unit may include a first gas injection unit 171 to a third gas injection unit 175

제1가스분사유닛(171)과 제2가스분사유닛(173)은 상호 구획되어 설치될 수 있으며, 제1가스분사유닛(171)은 소스가스를 공급 분사할 수 있고, 제2가스분사유닛(173)은 반응가스를 공급 분사할 수 있다. 이때, 제1가스분사유닛(171)에서 분사되는 소스가스는 챔버(110)의 일측인 제1영역(112)을 통하여 기판(S)으로 분사될 수 있고, 제2가스분사유닛(173)에서 분사되는 반응가스는 챔버(110)의 타측인 제2영역(113)을 통하여 기판(S)으로 분사될 수 있다.The first gas injection unit 171 and the second gas injection unit 173 can be partitioned and arranged so that the first gas injection unit 171 can supply the source gas and the second gas injection unit 173 can supply and discharge the reaction gas. At this time, the source gas injected from the first gas injection unit 171 may be injected into the substrate S through the first region 112, which is one side of the chamber 110, and the source gas injected from the second gas injection unit 173 The reactive gas to be injected may be injected into the substrate S through the second region 113, which is the other side of the chamber 110.

제3가스분사유닛(175)은, 제1가스분사유닛(171)에서 분사되는 소스가스와 제2가스분사유닛(173)에서 분사되는 반응가스가 기판(S)으로 분사되는 도중 혼합되지 않도록, 제1가스분사유닛(171)과 제2가스분사유닛(173)을 구획하는 형태로 설치되어 퍼지가스를 공급 분사할 수 있다. 제3가스분사유닛(175)에서 분사되는 퍼지가스가 에어 커튼의 기능을 하여, 기판(S)으로 분사되는 소스가스와 반응가스가 혼합되지 않는다.The third gas injection unit 175 is arranged so that the source gas injected from the first gas injection unit 171 and the reaction gas injected from the second gas injection unit 173 are not mixed during the injection into the substrate S, The first gas injection unit 171 and the second gas injection unit 173 are provided to partition the purge gas. The purge gas injected from the third gas injection unit 175 functions as an air curtain so that the source gas and the reactive gas injected into the substrate S are not mixed.

그리하여, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)은, 디스크(121)가 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스가 분사되는 제1영역(112)에 위치되고, 순차적으로 반응가스가 분사되는 제2영역(113)에 위치된다. 즉, 디스크(121)가 회전함에 따라, 기판(S)이 제1영역(112) 및 제2영역(113)에 위치되어 소스가스 및 반응가스를 공급받으며, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.The substrate S mounted and supported on each susceptor 130 is positioned in the first region 112 in which the source gas is sequentially injected as the disk 121 rotates, As shown in FIG. That is, as the disk 121 rotates, the substrate S is positioned in the first region 112 and the second region 113 and is supplied with the source gas and the reactive gas. By the action of the source gas and the reactive gas, A thin film can be deposited on the substrate S.

서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)은 디스크(121)의 중심을 기준으로 일정한 속도로 공전하므로, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)에는 균일한 박막이 형성될 수 있다. 이때, 각 서셉터(130)가 일정하게 자신의 중심을 기준으로 자전하면, 각 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.Since the substrate S mounted on the susceptor 130 revolves at a constant speed with respect to the center of the disk 121, a uniform thin film is formed on the substrate S mounted on the susceptor 130 . At this time, if each susceptor 130 constantly rotates about its own center, a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate S supported on each susceptor 130.

디스크(121)의 회전에 의하여 각 서셉터(130)가 일정하게 자전할 수 있도록, 챔버(110)의 내부에 위치된 구동축(125)의 외주면 및 서셉터(130)의 하면측에는 마그네트(127)(143)가 각각 설치될 수 있다. 마그네트(143)는 서셉터(130)의 하면에서 하측으로 돌출 형성된 지지축(141)의 외주면에 설치될 수 있다.A magnet 127 is disposed on the outer circumferential surface of the drive shaft 125 and the lower surface of the susceptor 130 located inside the chamber 110 so that each susceptor 130 can rotate constantly by the rotation of the disk 121. [ (Not shown). The magnet 143 may be installed on the outer circumferential surface of the support shaft 141 protruded downward from the lower surface of the susceptor 130.

그리하여, 구동축(125)을 회전시켜 디스크(121)를 회전시키면, 마그네트(127)가 구동축(125)과 함께 회전하며, 회전하는 마그네트(127)와의 작용에 의하여 마그네트(143)도 회전한다. 그러면, 지지축(141)이 회전하므로, 서셉터(130)는 지지축(141)을 중심으로 자전한다.Thus, when the disk 121 is rotated by rotating the drive shaft 125, the magnet 127 rotates together with the drive shaft 125, and the magnet 143 also rotates by the action of the rotating magnet 127. Then, since the support shaft 141 rotates, the susceptor 130 rotates about the support shaft 141. [

챔버(110)로 분사된 소스가스와 반응가스를 포함한 공정가스는 일부만이 증착공정에 사용되고, 나머지는 증착공정시 발생하는 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 배출된다. 증착공정에 사용되지 않은 소스가스 및 반응가스를 부산물과 함께 챔버(110)의 외부로 각각 배출하기 위하여, 가스배기라인(181, 185) 및 배기펌프(191, 195)가 각각 마련될 수 있다.Only a part of the process gas including the source gas and the reactive gas injected into the chamber 110 is used for the deposition process and the remainder is discharged to the outside of the chamber 110 together with the byproducts generated during the deposition process. Gas exhaust lines 181 and 185 and exhaust pumps 191 and 195 may be respectively provided to discharge the source gas and the reactive gas not used in the deposition process to the outside of the chamber 110 together with the byproduct.

서셉터(130)는, 디스크(121)의 회전에 의하여, 디스크(121)의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다. 그러면, 공전 및 자전하는 서셉터(130)의 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동할 수 있고, 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하면, 기판(S)이 손상되거나, 기판(S)에 균일한 박막이 형성되지 못할 수 있다.The susceptor 130 revolves with respect to the center of the disk 121 by the rotation of the disk 121 and rotates about the center of the disk 121 at the same time. The substrate S can then flow on the susceptor 130 by the centrifugal force of the rotating and rotating susceptor 130 so that when the substrate S flows on the susceptor 130, Or a uniform thin film may not be formed on the substrate S.

본 실시예에 따른 기판처리장치는, 서셉터(130)의 공전 및 자전을 포함하는 회전에 의하여, 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것을 방지하는 접촉지지부재(150)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes a contact support member 150 for preventing the substrate S from flowing on the susceptor 130 by rotation including revolution and rotation of the susceptor 130 can do.

서셉터(130) 및 접촉지지부재(150)에 대하여 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3은 도 2에 도시된 서셉터와 접촉지지부재와 기판의 분해 사시도이고, 도 4는 도 3의 "B-B"선 결합 단면도이다.The susceptor 130 and the contact supporting member 150 will be described with reference to Figs. 1 to 4. Fig. 3 is an exploded perspective view of the susceptor, contact support member, and substrate shown in Fig. 2, and Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line B-B of Fig.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판처리장치의 서셉터(130)는 받침판(131)과 돌출테(135)를 포함할 수 있다. 받침판(131)은 기판(S)과 대응되는 형상으로 형성되어 디스크(121)의 상기 안치홈에 삽입 설치될 수 있고, 돌출테(135)는 받침판(131)의 테두리부를 따라 상측으로 연장 형성될 수 있다. 이때, 돌출테(135)의 내주면에는 기판(S)의 테두리부측이 탑재 지지되는 계단면(階段面)(135a)이 형성될 수 있다.As shown, the susceptor 130 of the substrate processing apparatus according to the present embodiment may include a support plate 131 and a protrusion 135. The support plate 131 may be formed in a shape corresponding to the substrate S and may be inserted into the recess of the disc 121 and the protrusion 135 may extend upward along the edge of the support plate 131 . At this time, a stepped surface 135a on which the rim of the substrate S is mounted can be formed on the inner circumferential surface of the protruding frame 135.

접촉지지부재(150)는 하측 부위는 받침판(131)에 삽입 결합되고, 상측 부위는 받침판(131)의 상측으로 노출될 수 있다. 그리하여, 기판(S)의 테두리부측이 계단면(135a)에 탑재 지지되었을 때, 접촉지지부재(150)의 상면이 기판(S)의 하면 중앙부측과 접촉하여 기판(S)을 지지할 수 있다.The lower portion of the contact supporting member 150 may be inserted into the receiving plate 131 and the upper portion thereof may be exposed to the upper side of the receiving plate 131. The upper surface of the contact supporting member 150 can contact the lower center side of the substrate S to support the substrate S when the rim side of the substrate S is supported on the step surface 135a .

접촉지지부재(150)는 복수개로 마련되어 서셉터(130)의 중심을 기준으로 방사상으로 설치될 수 있다. 접촉지지부재(150)에 접촉 지지된 기판(S)이 접촉지지부재(150)에 의하여 서셉터(130) 상에서 유동하지 않기 위해서는, 접촉지지부재(150)와 기판(S) 사이에 소정의 마찰력이 작용하여야 한다. 그러므로, 접촉지지부재(150)는 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하지 않을 정도의 낮은 경도를 가지면서 탄성력을 구비하는 것이 바람직하다. 그리고, 접촉지지부재(150)는 서셉터(130)에 설치 고정된 상태를 유지하여야 하므로, 소스가스 및 공정가스에 충분하게 견딜 수 있는 높은 내화학성을 가지는 것이 바람직하다.The plurality of contact support members 150 may be provided radially with respect to the center of the susceptor 130. In order to prevent the substrate S contact-supported on the contact supporting member 150 from flowing on the susceptor 130 by the contact supporting member 150, a predetermined frictional force Should act. Therefore, it is preferable that the contact supporting member 150 has elasticity with a low hardness such that the substrate S does not flow on the susceptor 130. Since the contact support member 150 should be kept fixed to the susceptor 130, it is preferable that the contact support member 150 has high chemical resistance enough to withstand the source gas and the process gas.

그리하여, 기판(S)의 테두리부측을 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지하면, 접촉지지부재(150)의 상면에 기판(S)의 하면이 접촉 지지된다. 이때, 접촉지지부재(150)는 수축되면서 기판(S)의 하면과 접촉한다. 그러면, 최초의 상태로 복귀하려는 접촉지지부재(150)의 탄성력에 의하여, 접촉지지부재(150)는 기판(S)의 하면에 밀착되는 형태로 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 방지된다.The lower surface of the substrate S is held in contact with the upper surface of the contact support member 150 when the rim side of the substrate S is supported on the stepped surface 135a of the susceptor 130. [ At this time, the contact support member 150 is contracted and comes into contact with the lower surface of the substrate S. Then, the contact supporting member 150 is firmly brought into contact with the lower surface of the substrate S by the elastic force of the contact supporting member 150 to return to the initial state. This prevents the substrate S from flowing on the susceptor 130 due to the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

그리고, 서셉터(130)에 기판(S)을 로딩 또는 언로딩할 때에는 챔버(110)는 진공에 가깝게 감압된다. 그런데, 기판(S)이 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지되면, 기판(S)과 접촉지지부재(150)에 의하여 형성되는 공간은 대략 밀폐된 형태가 되므로, 저압 상태를 유지한다. 이러한 상태에서, 챔버(110)로 공정가스를 분사하여 기판(S)을 처리하면, 공정가스로 인하여 챔(110)는 상대적으로 고압이 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버(110)의 압력과 상대적으로 저압인 기판(S)과 서셉터(130)에 의하여 형성되는 공간의 압력 차에 의하여 기판(S)의 하면은 접촉지지부(153)에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 더욱 방지된다.When the substrate S is loaded or unloaded onto the susceptor 130, the chamber 110 is depressurized to a vacuum. When the substrate S is mounted on the stepped surface 135a of the susceptor 130, the space formed by the substrate S and the contact supporting member 150 is in a substantially airtight state, . In this state, when the substrate S is processed by injecting the process gas into the chamber 110, the chamber 110 is relatively high in pressure due to the process gas. The lower surface of the substrate S is pressed against the contact support portion 153 by the pressure difference between the pressure of the relatively high pressure chamber 110 and the space formed by the substrate S and the susceptor 130, More firmly contacted. As a result, the substrate S is prevented from flowing on the susceptor 130 by the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

접촉지지부재(150)가 서셉터(130)의 받침판(131)의 상면에 접착 또는 압입 결합될 경우, 서셉터(130)로부터 기판(S)을 언로딩할 때, 기판(S)에 접촉된 접촉지지부재(150)가 기판(S)과 함께 상승하면서 서셉터(130)로부터 빠질 수 있다.When the substrate S is unloaded from the susceptor 130 when the contact support member 150 is adhered or press-fitted to the upper surface of the support plate 131 of the susceptor 130, The contact support member 150 can escape from the susceptor 130 while rising together with the substrate S.

본 발명은 일 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판(S)의 언로딩시, 접촉지지부재(150)가 서셉터(130)로부터 빠지는 것을 방지할 수 있도록 구성된다.The substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention is configured to prevent the contact support member 150 from being dislodged from the susceptor 130 when the substrate S is unloaded.

상세히 설명하면, 받침판(131)에는 접촉지지부재(150)의 하측 부위가 삽입 결합되는 결합공(131a)이 형성될 수 있다. 이때, 결합공(131a)은 받침판(131)의 하면측에 형성된 제1결합공(131aa), 받침판(131)의 상면측에 형성되어 제1결합공(131aa)과 연통되며 제1결합공(131aa) 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공(131ab)를 포함할 수 있다.In detail, the support plate 131 may be formed with a coupling hole 131a through which the lower portion of the contact support member 150 is inserted. At this time, the coupling hole 131a is formed in the upper surface side of the support plate 131 and is in communication with the first coupling hole 131aa, and the first coupling hole 131aa formed on the lower surface side of the support plate 131, 131aa formed in the first and second engaging holes 131a, 131b.

그리고, 접촉지지부재(150)는 제2결합공(131ab) 보다 큰 직경을 가지면서 제1결합공(131aa)에 삽입 결합되는 몸체부(151), 몸체부(151)의 상면에 형성되어 몸체부(151) 보다 작은 직경을 가지며 제1결합공(131aa)을 관통하여 받침판(151)의 상측으로 돌출되는 접촉지지부(153)를 포함할 수 있다. 이때, 접촉지지부(153)의 상면에 기판(S)의 하면이 접촉 지지됨은 당연하다.The contact support member 150 includes a body portion 151 having a larger diameter than the second engagement hole 131ab and inserted and coupled to the first engagement hole 131aa, And a contact support part 153 having a diameter smaller than that of the first part 151 and protruding above the support plate 151 through the first engagement hole 131aa. At this time, it is natural that the lower surface of the substrate S is held in contact with the upper surface of the contact supporting portion 153.

그러면, 서셉터(130)로부터 기판(S)을 언로딩할 때, 접촉지지부재(150)가 상승하여도, 접촉지지부재(150)의 몸체(151)가 제1결합공(131aa)과 제2결합공(131ab) 의 경계면에 걸리므로, 접촉지지부재(150)가 제2결합공(131ab)을 통하여 결합공(131a)으로부터 빠지는 것이 방지된다.When the substrate S is unloaded from the susceptor 130, even if the contact support member 150 is lifted, the body 151 of the contact support member 150 contacts the first engagement hole 131aa, 2 engagement hole 131ab so that the contact support member 150 is prevented from being disengaged from the engagement hole 131a through the second engagement hole 131ab.

접촉지지부재(150)가 제1결합공(131aa)을 통하여 결합공(131a)으로부터 빠지는 것을 방지하기 위하여, 제1결합공(131aa)에는 스토퍼(160)가 결합될 수 있다.The stopper 160 may be coupled to the first coupling hole 131aa to prevent the contact support member 150 from being disengaged from the coupling hole 131a through the first coupling hole 131aa.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 서셉터(130)의 계단면(135a)에 기판(S)이 탑재 지지되면, 기판(S)에 의하여 접촉지지부재(150)가 수축되고, 수축된 접촉지지부재(150)의 탄성력에 의하여 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)가 기판(S)의 하면에 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 방지될 수 있다.When the substrate S is mounted on the stepped surface 135a of the susceptor 130, the substrate S shrinks the contact support member 150, The contact support member 153 of the contact support member 150 is firmly brought into contact with the lower surface of the substrate S by the elastic force of the contact support member 150. Therefore, the substrate S can be prevented from flowing on the susceptor 130 by the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

그리고, 기판(S)이 서셉터(130)의 계단면(135a)에 탑재 지지되어 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)와 접촉하면, 기판(S)과 서셉터(130) 사이의 공간은 밀폐 되므로 저압을 유지한다. 그리고, 기판(S)의 처리를 위하여 공정가스가 챔버(110)로 분사되면, 챔버(110)는 상대적으로 고압의 상태가 된다. 그러면, 상대적으로 고압인 챔버(110)의 압력과 상대적으로 저압인 기판(S)과 서셉터(130) 사이의 공간의 압력 차로 인하여 기판(S)의 하면은 접촉지지부재(150)의 접촉지지부(153)에 더욱 견고하게 접촉된다. 이로 인해, 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판(S)이 서셉터(130) 상에서 유동하는 것이 더욱 방지될 수 있다.When the substrate S is mounted on the stepped surface 135a of the susceptor 130 and contacts the contact supporting portion 153 of the contact supporting member 150, the distance between the substrate S and the susceptor 130 Since the space is sealed, low pressure is maintained. Then, when the process gas is injected into the chamber 110 for processing of the substrate S, the chamber 110 is in a relatively high-pressure state. The lower surface of the substrate S is pressed against the lower surface of the contact support member 150 by the pressure difference between the pressure of the relatively high pressure chamber 110 and the space between the substrate S and the susceptor 130, (Not shown). This makes it possible to further prevent the substrate S from flowing on the susceptor 130 by the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates.

따라서, 회전하는 서셉터(130)에 탑재 지지된 기판이 서셉터(130)의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 서셉터(130) 상에서 유동하지 않으므로, 기판(S)이 손상되는 것이 방지된다. 또한, 기판(S)이 서셉터(130)와 함께 안정되게 회전하므로, 전체의 기판(S)에 균일한 박막이 형성될 수 있고, 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.Therefore, the substrate S mounted on the rotating susceptor 130 does not flow on the susceptor 130 due to the centrifugal force generated when the susceptor 130 rotates, so that the substrate S is prevented from being damaged. Since the substrate S stably rotates together with the susceptor 130, a uniform thin film can be formed on the entire substrate S, and a uniform thin film is formed on the entire surface of the substrate S .

그리고, 기판(S)의 언로딩시, 접촉지지부재(150)가 기판(S)에 의하여 서셉터(130)로부터 빠지지 않으므로, 제품의 신뢰성이 향상된다.When the substrate S is unloaded, the contact support member 150 is not detached from the susceptor 130 by the substrate S, thereby improving the reliability of the product.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 도 4와의 차이점만을 설명한다.5 is a cross-sectional view of a main part of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 4 are described.

도시되 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 서셉터(230)의 결합공(231a)은 서셉터(230)의 받침판(231)의 하면측에 형성된 제1결합공(231aa), 받침판(231)의 상면측에 형성되어 제1결합공(231aa)과 연통되며 제1결합공(231aa) 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공(231ab)을 포함할 수 있다.As shown in the drawing, the coupling hole 231a of the susceptor 230 according to another embodiment of the present invention includes a first coupling hole 231aa formed on the lower surface side of the receiving plate 231 of the susceptor 230, And a second coupling hole 231ab formed on the upper surface side of the first coupling hole 231 and communicating with the first coupling hole 231aa and having a smaller diameter than the first coupling hole 231aa.

그리고, 접촉지지부재(250)는 제2결합공(231ab) 보다 큰 직경을 가지면서 제1결합공(231aa)에 삽입 결합되는 몸체부(251), 제2결합공(231ab) 보다 큰 직경을 가지면서 받침판(231)의 상면에 위치되며 기판(S)이 접촉 지지되는 접촉지지부(253) 및 제2결합공(231ab)에 삽입되며 몸체부(251)와 접촉지지부(253)를 연결하는 연결부(255)를 포함할 수 있다.The contact supporting member 250 has a larger diameter than the second coupling hole 231ab and a larger diameter than the second coupling hole 231ab which is inserted into the first coupling hole 231aa A contact support 253 which is positioned on the upper surface of the support plate 231 and which is inserted into the second engagement hole 231ab and in which the substrate S is contactably supported and which is connected to the body 251 and the contact support 253, (255).

접촉지지부재(250)는 탄성력을 가지므로, 접촉지지부재(250)의 몸체부(251)를 수축시킨 다음, 제2결합공(231ab)을 통과시켜 제1결합공(231aa)에 삽입하면, 연결부(255)가 제2결합공(231ab)가 삽입된다. 그러면, 몸체부(251) 및 접촉지지부(253)로 인하여, 접촉지지부재(250)가 결합공(231a)에서 빠지는 것이 방지된다.When the body 251 of the contact support member 250 is contracted and then inserted into the first engagement hole 231aa through the second engagement hole 231ab, And the second coupling hole 231ab is inserted into the connection portion 255. [ Then, due to the body portion 251 and the contact support portion 253, the contact support member 250 is prevented from coming off the engagement hole 231a.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 챔버
130: 서셉터
150: 접촉지지부재
160: 스토퍼110: chamber
130: susceptor
150: contact supporting member
160: Stopper

Claims (6)

기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 내부에 회전가능하게 설치된 디스크;
상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 서셉터에 설치되고, 기판이 접촉 지지되며, 상기 서셉터의 회전시 발생하는 원심력에 의하여 기판이 상기 서셉터 상에서 유동하는 것을 방지하는 탄성을 가진 복수의 접촉지지부재를 포함하며,
기판의 테두리부측은 상기 서셉터에 지지되고, 중앙부측은 상기 접촉지지부재의 상면에 접촉 지지되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is processed;
A disk rotatably installed inside the chamber;
A susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, rotating with the disk, and rotating about a center of the disk relative to a center of the disk;
And a plurality of contact supporting members provided on the susceptor and abutting on the substrate and having elasticity for preventing the substrate from flowing on the susceptor due to the centrifugal force generated when the susceptor rotates,
Wherein an edge side of the substrate is supported by the susceptor, and a center side of the susceptor is abutted against the upper surface of the contact support member. 제1항에 있어서,
상기 서셉터는,
상기 디스크에 설치되는 받침판;
상기 받침판의 테두리부에서 상측으로 연장 형성되며, 내주면에는 기판의 테두리부측이 탑재 지지되는 계단면(階段面)이 형성된 돌출테를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method according to claim 1,
Wherein the susceptor comprises:
A base plate installed on the disk;
And a protruding frame extending upward from an edge of the support plate and having a stepped surface on which an edge of the substrate is mounted and supported. 제2항에 있어서,
상기 받침판에는 상기 접촉지지부재의 하측 부위가 삽입 결합되는 결합공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the support plate is formed with a coupling hole into which a lower portion of the contact support member is inserted and coupled. 제3항에 있어서,
상기 결합공은 상기 받침판의 하면측에 형성된 제1결합공, 상기 받침판의 상면측에 형성되어 상기 제1결합공과 연통되며 상기 제1결합공 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공을 가지고,
상기 접촉지지부재는 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 제1결합공에 삽입 결합되는 몸체부, 상기 몸체부의 상면에 형성되어 상기 몸체부 보다 작은 직경을 가지고 상기 제1결합공을 관통하여 상기 받침판의 상측으로 돌출되며 기판이 접촉 지지되는 접촉지지부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein the engaging hole has a first engaging hole formed on the lower face side of the receiving plate, a second engaging hole formed on the upper face side of the receiving plate and communicating with the first engaging hole and formed with a smaller diameter than the first engaging hole,
The contact support member includes a body portion having a diameter larger than that of the second engagement hole and inserted and coupled to the first engagement hole, a second engagement hole formed on an upper surface of the body portion and having a diameter smaller than that of the body portion, And a contact support part protruding upward from the support plate and supported by the substrate. 제4항에 있어서,
상기 제1결합공에는 상기 접촉지지부재가 상기 서셉터로부터 빠지는 것을 방지하는 스토퍼가 결합된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.5. The method of claim 4,
Wherein the stopper is coupled to the first engagement hole to prevent the contact support member from being detached from the susceptor. 제3항에 있어서,
상기 결합공은 상기 받침판의 하면측에 형성된 제1결합공, 상기 받침판의 상면측에 형성되어 상기 제1결합공과 연통되며 상기 제1결합공 보다 작은 직경으로 형성된 제2결합공을 가지고,
상기 접촉지지부재는 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 제1결합공에 삽입 결합되는 몸체부, 상기 제2결합공 보다 큰 직경을 가지면서 상기 받침판의 상면에 위치되며 기판이 접촉 지지되는 접촉지지부 및 상기 제2결합공에 삽입되며 상기 몸체부와 상기 접촉지지부를 연결하는 연결부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The method of claim 3,
Wherein the engaging hole has a first engaging hole formed on the lower face side of the receiving plate, a second engaging hole formed on the upper face side of the receiving plate and communicating with the first engaging hole and formed with a smaller diameter than the first engaging hole,
Wherein the contact support member has a larger diameter than the second engagement hole and is inserted into the first engagement hole and has a larger diameter than the second engagement hole and is positioned on the upper surface of the support plate, And a connection portion that is inserted in the second coupling hole and connects the body portion and the contact support portion.
KR1020160093272A 2016-07-22 2016-07-22 Substrate treatment apparatus KR102548533B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160093272A KR102548533B1 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Substrate treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160093272A KR102548533B1 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Substrate treatment apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180010712A true KR20180010712A (en) 2018-01-31
KR102548533B1 KR102548533B1 (en) 2023-06-28

Family

ID=61083358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160093272A KR102548533B1 (en) 2016-07-22 2016-07-22 Substrate treatment apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102548533B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5121518A (en) * 1974-08-19 1976-02-20 Kawasaki Steel Co Jisokumitsudo narabini tojiritsunosugureta reiendenjikotaihanno seizohoho
KR20000077348A (en) * 1999-05-21 2000-12-26 가이자끼 요이찌로 Product holder
KR20040102590A (en) * 2003-05-28 2004-12-08 삼성전자주식회사 Holder for supporting a semiconductor substrate
KR20100083046A (en) * 2009-01-12 2010-07-21 주성엔지니어링(주) Subtrate supporting member and appratus for treatmenting substrate including the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5121518A (en) * 1974-08-19 1976-02-20 Kawasaki Steel Co Jisokumitsudo narabini tojiritsunosugureta reiendenjikotaihanno seizohoho
KR20000077348A (en) * 1999-05-21 2000-12-26 가이자끼 요이찌로 Product holder
KR20040102590A (en) * 2003-05-28 2004-12-08 삼성전자주식회사 Holder for supporting a semiconductor substrate
KR20100083046A (en) * 2009-01-12 2010-07-21 주성엔지니어링(주) Subtrate supporting member and appratus for treatmenting substrate including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR102548533B1 (en) 2023-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120145080A1 (en) Substrate support unit, and apparatus and method for depositing thin layer using the same
KR101786167B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102170612B1 (en) Cleaning method
US11214864B2 (en) Method for reducing metal contamination and film deposition apparatus
US10790182B2 (en) Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same
KR20160089657A (en) Gas injection apparatus and thin film deposition equipment including the same
JP2017022210A (en) Substrate processing apparatus
KR100908987B1 (en) Substrate Support of Thin Film Deposition Equipment
JP2007210875A (en) Vapor phase deposition apparatus and vapor phase deposition method
US11702739B2 (en) Film deposition method and film deposition apparatus
KR101126389B1 (en) Susceptor unit for atomic layer deposition apparatus
US10808315B2 (en) Substrate processing apparatus having exhaust gas decomposer, and exhaust gas processing method therefor
KR20120048879A (en) Semi-batch type atomic layer deposition apparatus having clamp ring
KR20180010712A (en) Substrate treatment apparatus
KR20100044960A (en) Substrate processing apparatus
US11361985B2 (en) Substrate supporting device and substrate processing apparatus
CN112185844A (en) Substrate processing apparatus
KR102545763B1 (en) Substrate treatment apparatus
CN102766850A (en) Film deposition device
KR20170030876A (en) Atomic layer deposition apparatus
KR102529585B1 (en) Substrate treatment apparatus capable of detecting substrate's rotation
KR102242975B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20070038206A (en) Gas injection unit
KR20180009451A (en) Substrate treatment apparatus
US20220186373A1 (en) Substrate processing device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right