KR20180009451A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a substrate processing apparatus. According to the substrate processing apparatus of the present invention, the upper surface of a substrate facing a gas injection unit is located at the same height as the upper surface of a disk facing the gas injection unit or at a higher position than the upper surface of the disk with respect to the height direction of a chamber. Therefore, since reaction gas and by-products of the process gas are quickly discharged without being stagnated on the upper surface of the substrate on which source gas of the process gas is deposited, the reaction gas and by-products of the process gas do not affect the upper surface of the substrate. Accordingly, the film quality of the substrate can be improved. In addition, since the distance from the gas injection unit to the upper surface of the substrate is narrower than the distance from the gas injection unit to the upper surface of the disk, the reaction gas and by-products of the process gas are not stagnated on the upper surface of the substrate on which the source gas of the process gas is deposited. Therefore, the reaction gas and by-products of the process gas do not affect the upper surface of the substrate, thereby improving the film quality of the substrate.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS}[0001] SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS [0002]

본 발명은 공정가스의 반응가스 및 기판의 처리시 발생하는 부산물이 기판의 상면측에서 정체되는 것을 방지한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus which prevents a reaction gas of a process gas and by-products generated during processing of the substrate from being stagnated on the upper surface side of the substrate.

반도체소자, 평판표시소자 또는 태양전지 등은, 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 증착된 박막들 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각공정 등에 의하여 제조된다.A semiconductor device, a flat panel display device, or a solar cell may be a thin film deposition process for depositing a raw material on a substrate such as a silicon wafer or glass, a photolithography process for exposing or concealing a selected region of thin films deposited using a photosensitive material, And removing the thin film of the selected region and patterning it as desired.

박막증착공정에는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)법, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)법 또는 원자층증착(Atomic Layer Deposition)법 등이 있으며, 박막증착공정은 기판에 증착하고자 하는 박막의 특성에 적합한 기판처리장치에서 수행된다.The thin film deposition process includes a physical vapor deposition method, a chemical vapor deposition method, and an atomic layer deposition method. In the thin film deposition step, Is performed in a suitable substrate processing apparatus.

도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 1b는 도 1a의 "A"부 확대도로서, 이를 설명한다.Fig. 1A is a schematic sectional view of a conventional substrate processing apparatus, and Fig. 1B is an enlarged view of an "A"

도시된 바와 같이, 종래의 기판처리장치는 기판(S)이 투입되어 처리되는 챔버(11)를 구비한다. 챔버(11)의 내부에는 디스크(13)가 회전가능하게 설치되고, 디스크(13)의 상면(13a)에는 기판(S)이 각각 탑재 지지되는 복수의 서셉터(15)가 설치된다. 서셉터(15)는 디스크(13)와 함께 회전하며, 디스크(13)의 회전시, 디스크(13)의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전한다.As shown, a conventional substrate processing apparatus has a chamber 11 in which a substrate S is introduced and processed. A plurality of susceptors 15 are mounted on the upper surface 13a of the disk 13 so that the substrates S are mounted and supported on the disks 13, respectively. The susceptor 15 rotates together with the disk 13 and rotates with respect to the center of the disk 13 while revolving around the center of the disk 13 when the disk 13 rotates.

그리고, 디스크(13) 상측의 챔버(11)의 내부에는 공정가스를 기판(S)측으로 분사하는 가스분사유닛(17)이 설치된다. 가스분사유닛(17)에서 기판(S)측으로 분사된 공정가스는 디스크(13)의 테두리면측으로 유동하여 챔버(11)의 외부로 배출된다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함하며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질이다.A gas ejection unit 17 for ejecting the process gas toward the substrate S is provided in the chamber 11 above the disk 13. The process gas injected from the gas injection unit 17 toward the substrate S flows toward the edge surface side of the disk 13 and is discharged to the outside of the chamber 11. [ The process gas includes a source gas and a reactive gas, the source gas is a substance deposited on the substrate S, and the reactive gas is a substance that facilitates deposition of the source gas on the substrate S.

서셉터(15)는 공전 및 자전한다. 이로 인해, 서셉터(15)가 안정되게 디스크(13)에 설치되어 안정되게 공전 및 자전할 수 있도록, 디스크(13)의 상면(13a)에는 서셉터(15)가 안치되는 안치홈(13b)이 하측으로 함몰 형성된다. 이때, 서셉터(15)에 탑재된 기판(S)은 디스크(13)의 상면(13a) 하측에 위치되어 안치홈(13b)의 내부에 위치된다.The susceptor 15 revolves and revolves. The upper surface 13a of the disk 13 is provided with the recess 13b in which the susceptor 15 is placed so that the susceptor 15 can be stably installed on the disk 13 and can stably rotate and rotate. Is formed downward. At this time, the substrate S mounted on the susceptor 15 is positioned below the upper surface 13a of the disk 13 and positioned inside the placement groove 13b.

그리하여, 디스크(13) 및 서셉터(15)를 회전시키면서, 공정가스를 기판(S)측으로 분사하면, 공정가스의 소스가스가 서셉터(15)에 탑재 지지된 기판(S)에 증착되어 박막이 형성된다.Thus, when the process gas is injected toward the substrate S while rotating the disk 13 and the susceptor 15, a source gas of the process gas is deposited on the substrate S mounted on the susceptor 15, .

상기와 같은 종래의 기판처리장치는 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체된다.In the conventional substrate processing apparatus, the reaction gas of the process gas and the by-product generated during the processing of the substrate S are stagnated around the substrate S.

상세히 설명하면, 서셉터(15)가 디스크(13)의 안치홈(13b)에 삽입 설치되고, 기판(S)은 안치홈(13b)의 내부에 위치된다. 이때, 기판(S)의 상면은 디스크(13)의 상면(13a) 하측에 위치된다. 그러면, 가스분사유닛(17)에서 분사된 공정가스가 안치홈(13b)의 내부까지 분사되므로, 안치홈(13b) 내부로 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 안치홈(13b)의 외부로 신속하게 배출되지 못하고, 안치홈(13b)의 내부에서 정체하여 기판(S)의 주위에 머무르게 된다.More specifically, the susceptor 15 is inserted into the mounting groove 13b of the disk 13, and the board S is positioned inside the mounting groove 13b. At this time, the upper surface of the substrate S is positioned below the upper surface 13a of the disk 13. Since the process gas injected from the gas injection unit 17 is injected into the interior of the interior groove 13b, the reaction gas of the process gas injected into the interior groove 13b and the by- Is not quickly discharged to the outside of the mounting groove 13b, and stays in the mounting groove 13b and stays around the board S.

그러면, 기판(S)의 처리에 참여하지 못하면서 기판(S)의 주위에 정체된 공정가스의 반응가스 및 부산물로 인하여, 기판(S)에 증착되는 공정가스의 소스가스가 영향을 받게 된다. 이로 인해, 막질이 저하되는 단점이 있다.Then, the source gas of the process gas that is deposited on the substrate S is affected by the reaction gas and by-products of the stagnant process gas around the substrate S while not participating in the process of the substrate S. As a result, the film quality is deteriorated.

본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 기술의 모든 문제점들을 해결할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of solving all the problems of the prior art as described above.

본 발명의 다른 목적은 공정가스의 반응가스 및 기판의 처리시 발생하는 부산물이 기판의 상측에서 정체되는 것을 방지하여, 막질을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것일 수 있다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing a reaction gas of a process gas and by-products generated during processing of a substrate from stagnating on a substrate, thereby improving a film quality.

상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크; 상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a chamber for providing a space in which a substrate is processed; A disk rotatably installed in the chamber, and having a lower recessed recess formed on an upper surface thereof; A susceptor mounted on the mounting groove, mounted on a substrate, rotatable about the center of the disc, and rotating about the center of the disc; And a gas injection unit which is disposed in the chamber above the disk and injects a process gas onto an upper surface side of the substrate, wherein an upper surface of the substrate facing the gas injection unit is located on the upper side of the chamber, May be located at the same height as the top surface of the disc.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크; 상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면 보다 높은 위치에 위치될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a chamber for providing a space in which a substrate is processed; A disk rotatably installed in the chamber, and having a lower recessed recess formed on an upper surface thereof; A susceptor mounted on the mounting groove, mounted on a substrate, rotatable about the center of the disc, and rotating about the center of the disc; And a gas injection unit which is disposed in the chamber above the disk and injects a process gas onto an upper surface side of the substrate, wherein an upper surface of the substrate facing the gas injection unit is located on the upper side of the chamber, May be located at a position higher than the top surface of the disc.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버에 회전가능하게 설치된 디스크; 상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터; 상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 상기 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며, 상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁을 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including: a chamber for providing a space in which a substrate is processed; A disk rotatably installed in the chamber; A susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, rotating with the disk, and rotating about a center of the disk relative to a center of the disk; Wherein a gap between the gas injection unit and an upper surface of the substrate is smaller than a distance from the gas injection unit to an upper surface of the disk, May be narrower than the interval.

본 실시예에 따른 기판처리장치는, 챔버의 높이 방향을 기준으로, 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면이 가스분사유닛을 향하는 디스크의 상면과 동일 높이에 위치되거나, 디스크의 상면 보다 더 높은 위치에 위치된다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에 정체되지 않고 신속하게 배출되므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 이로 인해, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present embodiment is arranged such that the upper surface of the substrate facing the gas injection unit is positioned at the same height as the upper surface of the disk facing the gas injection unit or at a position higher than the upper surface of the disk . Then, the reactive gas and the by-product of the process gas are not stagnant and quickly discharged to the top surface side of the substrate on which the source gas of the process gas is deposited, so that the reactive gas and the byproduct of the process gas do not affect the top surface of the substrate. Therefore, the film quality of the substrate can be improved.

또한, 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 가스분사유닛에서 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판의 상면측에는 정체되지 않는다. 그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판의 상면에 영향을 끼치지 못하므로, 기판의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.In addition, since the gap from the gas injection unit to the upper surface of the substrate is narrower than the gap from the gas injection unit to the upper surface of the disk, the reaction gas and the byproduct of the process gas are not stagnated on the upper surface side of the substrate on which the source gas of the process gas is deposited . Then, since the reaction gas and the by-product of the process gas do not affect the top surface of the substrate, the film quality of the substrate can be improved.

도 1a는 종래의 기판처리장치의 개략 단면도.
도 1b는 도 1a의 "A"부 확대도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.
도 3은 도 2의 "B"부 확대도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판처리장치의 요부 단면도.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도.FIG. 1A is a schematic cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus. FIG.
FIG. 1B is an enlarged view of a portion "A" in FIG. 1A.
2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is an enlarged view of a portion "B" in FIG.
4A to 4C are cross-sectional views of main parts of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.

한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.Meanwhile, the meaning of the terms described in the present specification should be understood as follows.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.The word " first, "" second," and the like, used to distinguish one element from another, are to be understood to include plural representations unless the context clearly dictates otherwise. The scope of the right should not be limited by these terms.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the terms "comprises" or "having" does not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목 각각 뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 및 제3항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "at least one" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "at least one of the first item, the second item and the third item" means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item and the second item among the first item, Means any combination of items that can be presented from more than one.

"및/또는"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1항목, 제2항목 및/또는 제3항목"의 의미는 제1항목, 제2항목 또는 제3항목뿐만 아니라 제1항목, 제2항목 또는 제3항목들 중 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.It should be understood that the term "and / or" includes all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of "first item, second item and / or third item" may include not only the first item, the second item or the third item but also two of the first item, Means a combination of all items that can be presented from the above.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결된다 또는 설치된다"고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 설치될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결된다 또는 설치된다"라고 언급된 때에는 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "∼사이에"와 "바로 ∼사이에" 또는 "∼에 이웃하는"과 "∼에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected or installed" to another element, it may be directly connected or installed with the other element, although other elements may be present in between. On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected or installed" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. On the other hand, other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

이하에서는, 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리장치에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도이고, 도 3은 도 2의 "B"부 확대도이다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged view of a portion "B" in FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 실리콘 웨이퍼 또는 글라스 등과 같은 기판(S)이 투입되어 처리되는 공간이 형성된 챔버(110)를 포함할 수 있다. 챔버(110)는 상면이 개방된 본체(111)와 본체(111)의 개방된 상단면(上端面)에 결합된 리드(115)를 포함할 수 있다.As shown in the figure, the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a chamber 110 in which a space is formed in which a substrate S such as a silicon wafer or glass is processed and processed. The chamber 110 may include a main body 111 having an opened upper surface and a lead 115 coupled to an opened upper end surface of the main body 111.

본체(111)와 리드(115)가 상호 결합되어 상대적으로 하측과 상측에 각각 위치되므로, 챔버(110)의 하면이 본체(111)의 하면에 해당하고, 챔버(110)의 상면이 리드(115)에 해당함은 당연하다.The lower surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the main body 111 and the upper surface of the chamber 110 corresponds to the lower surface of the lead 115 ).

챔버(110)의 내부 하면측에는 디스크(120)가 회전가능하게 설치될 수 있고, 디스크(120)는 모터(131)에 의하여 회전하는 구동축(133)에 의하여 회전할 수 있다.The disk 120 may be rotatably installed on the inner bottom surface of the chamber 110 and the disk 120 may be rotated by the driving shaft 133 rotated by the motor 131.

상세히 설명하면, 구동축(133)의 상단부는 디스크(120)의 하면에 결합되고, 하측 부위는 챔버(110)의 하면 외측으로 노출되어 동력전달모듈을 매개로 모터(131)의 회전축과 연결된다. 그리하여, 모터(131)의 회전축이 회전하면 구동축(133)이 회전하고, 이로 인해 디스크(120)가 회전한다. 구동축(133)은 승강할 수도 있으며, 디스크(120)와 구동축(133)은 동심을 이루는 것이 바람직하다.The lower end of the drive shaft 133 is exposed to the outside of the lower surface of the chamber 110 and connected to the rotation axis of the motor 131 through the power transmission module. Thus, when the rotating shaft of the motor 131 rotates, the driving shaft 133 rotates, and the disc 120 rotates. The drive shaft 133 may be raised or lowered, and the disk 120 and the drive shaft 133 are preferably concentric.

구동축(133)이 통과하는 챔버(110)의 부위와 구동축(133) 사이를 실링하기 위하여, 챔버(110)의 외측으로 노출된 구동축(133)의 부위는 벨로즈(135)에 의하여 감싸일 수 있다.The portion of the drive shaft 133 exposed to the outside of the chamber 110 may be enclosed by the bellows 135 in order to seal between the portion of the chamber 110 through which the drive shaft 133 passes and the drive shaft 133. [ have.

디스크(120)의 상면(121)에는 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(Susceptor)(140)가 설치될 수 있다. 서셉터(140)는, 디스크(120)의 중심을 기준으로, 복수개가 방사상으로 설치될 수 있고, 디스크(120)와 함께 운동할 수 있다. 그러므로, 디스크(120)가 회전하면, 서셉터(140)는 디스크(120)의 중심을 기준으로 공전한다. 따라서, 디스크(120)가 회전하면, 서셉터(140)의 상면에 탑재 지지된 기판(S)도 디스크(120)의 중심을 기준으로 공전함은 당연하다.A susceptor 140 on which the substrate S is mounted can be installed on the upper surface 121 of the disk 120. [ A plurality of susceptors 140 may be installed radially with respect to the center of the disk 120 and may move together with the disk 120. [ Therefore, when the disk 120 rotates, the susceptor 140 revolves with respect to the center of the disk 120. Therefore, when the disk 120 rotates, it is a matter of course that the substrate S mounted and supported on the upper surface of the susceptor 140 also revolves around the center of the disk 120.

서셉터(140)가 디스크(120)의 상면(121)에 안정되게 설치될 수 있도록, 디스크(120)의 상면(121)에는 서셉터(140)가 삽입 안치되는 안치홈(122)이 하측으로 함몰 형성될 수 있다. 안치홈(122)은 서셉터(140)의 수와 동일하게 마련됨은 당연하다.The upper surface 121 of the disk 120 is provided with an insertion groove 122 in which the susceptor 140 is inserted into the disk 120 so that the susceptor 140 can be stably installed on the upper surface 121 of the disk 120, Can be formed. It is a matter of course that the number of the catch grooves 122 is the same as the number of the susceptors 140.

기판(S)에 박막을 증착하기 위해서는, 공정가스가 챔버(110)로 공급되어 분사되어야 한다. 공정가스는 소스가스와 반응가스를 포함할 수 있으며, 소스가스는 기판(S)에 증착되는 물질이고, 반응가스는 소스가스가 기판(S)에 용이하게 증착되도록 도와주는 물질일 수 있다.In order to deposit a thin film on the substrate S, a process gas must be supplied to the chamber 110 to be injected. The process gas may include a source gas and a reactive gas, the source gas is a substance deposited on the substrate S, and the reactive gas may be a substance that facilitates deposition of the source gas on the substrate S.

소스가스 및 반응가스를 챔버(110)로 공급 분사하기 위하여, 챔버(110)의 상면에는 소스가스 및 반응가스를 포함하는 공정가스를 챔버(110)로 공급 분사하는 가스분사유닛(160)이 설치될 수 있고, 가스분사유닛(160)은 샤워헤드로 마련될 수 있다.A gas injection unit 160 for supplying a process gas including a source gas and a reactive gas to the chamber 110 is installed on the upper surface of the chamber 110 in order to inject the source gas and the reaction gas into the chamber 110 And the gas injection unit 160 may be provided as a shower head.

그리하여, 디스크(120)를 회전시켜 서셉터(140)를 회전시키면서, 가스분사유닛(160)을 통하여 공정가스를 기판(S)측으로 분사하면, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.When the process gas is jetted toward the substrate S through the gas injection unit 160 while rotating the susceptor 140 by rotating the disk 120, the substrate S is moved by the action of the source gas and the reactive gas, Lt; / RTI >

서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)은 디스크(120)의 중심을 기준으로 일정한 속도로 공전하므로, 각 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)에는 균일한 박막이 형성될 수 있다. 이때, 각 서셉터(140)가 일정하게 자신의 중심을 기준으로 자전하면, 각 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 전면(全面)에 균일한 박막이 형성될 수 있다.Since the substrate S mounted on the susceptor 140 revolves at a constant speed with respect to the center of the disk 120, a uniform thin film is formed on the substrate S mounted on the susceptor 140 . At this time, if each susceptor 140 is constantly rotated about its own center, a uniform thin film can be formed on the entire surface of the substrate S mounted on the susceptor 140.

디스크(120)의 회전에 의하여 각 서셉터(140)를 일정하게 자전시키기 위하여, 챔버(110)의 내부에 위치된 구동축(133)의 외주면 및 서셉터(140)의 하면측에는 마그네트(133a)(151a)가 각각 설치될 수 있다. 마그네트(151a)는 서셉터(140)의 하면에서 하측으로 돌출 형성된 지지축(151a)의 외주면에 설치될 수 있다. 그리하여, 구동축(133)을 회전시켜 디스크(120)를 회전시키면, 마그네트(133a)가 구동축(133)과 함께 회전하며, 회전하는 마그네트(133a)와의 작용에 의하여 마그네트(151a)도 회전한다. 그러면, 지지축(151a)이 회전하므로, 서셉터(140)는 지지축(151a)을 중심으로 자전한다.A magnet 133a (see FIG. 1) is provided on the outer circumferential surface of the drive shaft 133 located inside the chamber 110 and the lower surface of the susceptor 140 to rotate the susceptor 140 constantly by the rotation of the disk 120 151a may be respectively installed. The magnet 151a may be installed on the outer circumferential surface of the support shaft 151a protruding downward from the lower surface of the susceptor 140. [ Thus, when the disk 133 is rotated to rotate the disk 120, the magnet 133a rotates together with the drive shaft 133, and the magnet 151a also rotates by the action of the rotating magnet 133a. Then, since the support shaft 151a rotates, the susceptor 140 rotates around the support shaft 151a.

챔버(110)로 분사된 공정가스의 소스가스 중, 기판(S)에 증착되지 않은 소스가스를 포함한 부산물과 반응가스는 챔버(110)의 외부로 배출된다. 반응가스와 부산물을 챔버(110)의 외부로 각각 배출하기 위하여, 챔버(110)에는 가스배기라인(171, 175) 및 배기펌프(172, 176)가 각각 마련될 수 있다.Of the source gas of the process gas injected into the chamber 110, the by-product containing the source gas not deposited on the substrate S and the reactive gas are discharged to the outside of the chamber 110. Gas exhaust lines 171 and 175 and exhaust pumps 172 and 176 may be provided in the chamber 110 in order to discharge the reaction gas and the byproducts to the outside of the chamber 110, respectively.

가스분사유닛(160)에서 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체되면, 기판(S)에 증착되는 공정가스의 소스가스가 영향을 받을 수 있으므로, 막질이 저하될 수 있다.If the reaction gas of the process gas injected from the gas injection unit 160 and the by-product generated during the processing of the substrate S are stagnant around the substrate S, the source gas of the process gas deposited on the substrate S is influenced The film quality may be deteriorated.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치는 가스분사유닛(160)에서 분사된 공정가스의 반응가스 및 기판(S)의 처리시 발생하는 부산물이 기판(S)의 주위에서 정체되지 않고, 신속하게 배출될 수 있도록 마련된다.The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can prevent the reaction gas of the process gas injected from the gas injection unit 160 and the byproducts generated during the processing of the substrate S from stagnating around the substrate S, .

상세히 설명하면, 디스크(120)의 상면(121)은 가스분사유닛(160)의 하면과 대향하고, 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 상면은 가스분사유닛(160)의 하면과 대향한다. 이때, 챔버(110)의 높이 방향을 기준으로, 디스크(120)의 상면(121)과 기판(S)의 상면은 동일 높이에 위치될 수 있다. 즉, 서셉터(140)에 탑재 지지된 기판(S)의 상면이 안치홈(122)의 내부에 위치되지 않을 수 있다.The upper surface 121 of the disk 120 faces the lower surface of the gas injection unit 160 and the upper surface of the substrate S mounted on the susceptor 140 is fixed to the lower surface of the gas injection unit 160. [ . At this time, the upper surface 121 of the disk 120 and the upper surface of the substrate S may be positioned at the same height with respect to the height direction of the chamber 110. That is, the upper surface of the substrate S supported on the susceptor 140 may not be positioned inside the interior groove 122.

그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 서셉터(140) 외측의 안치홈(122)에 정체될 수는 있으나, 기판(S)의 상면측에는 정체되지 않는다. 즉, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에는 정체되지 않고 신속하게 배출될 수 있으므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다. 따라서, 기판(S)의 막질이 향상되는 효과가 있을 수 있다.Then, the reaction gas and the by-products of the process gas can be stagnated in the interior groove 122 outside the susceptor 140, but are not stagnated on the upper surface side of the substrate S. That is, the reaction gas and the by-product of the process gas can be quickly discharged without being stagnated on the upper surface side of the substrate S on which the source gas of the process gas is deposited, so that the reaction gas and the by- It does not affect. Therefore, the film quality of the substrate S may be improved.

가스분사유닛(160)이 디스크(120) 및 기판(S)의 수직 상측이 아니라, 디스크(120) 및 기판(S)의 외측 상측에 위치될 수 있다. 이때에는, 디스크(120)의 상면(121) 및 기판(S)의 상면이 가스분사유닛(160)의 하면측을 향한다.The gas injection unit 160 may be located on the upper side of the disk 120 and the substrate S, rather than the upper side of the disk 120 and the substrate S. [ At this time, the upper surface 121 of the disk 120 and the upper surface of the substrate S face the lower surface side of the gas injection unit 160.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 기판처리장치의 요부 단면도로서, 이를 설명한다.4A to 4C are cross-sectional views of main parts of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 서셉터(240)가 안치되는 디스크(220)의 안치홈(222)의 부위 중, 서셉터(240) 외측의 디스크(220)의 안치홈(222)의 부위에는 배출공(224)이 형성될 수 있다. 이때, 배출공(224)은 서셉터(240)의 테두리면을 따라 복수개 형성될 수 있다.4A, of the portions of the disk-shaped grooves 222 of the disk 220 on which the susceptor 240 is placed, portions of the disk-shaped grooves 222 of the disk 220 outside the susceptor 240 An exhaust hole 224 may be formed. At this time, a plurality of discharge holes 224 may be formed along the rim surface of the susceptor 240.

그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 안치홈(222)에 정체되지 않고, 안치홈(222)으로부터 신속하게 배출될 수 있다. 따라서, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다.Then, the reaction gas and the by-product of the process gas can be quickly discharged from the mounting groove 222 without stagnation in the mounting groove 222. Therefore, the reaction gas and the by-product of the process gas do not affect the upper surface of the substrate S.

도 4a에 도시된 기판처리장치의 그 이외의 구성은 도 2 및 도 3에 도시된 기판처리장치의 구성과 동일 또는 유사할 수 있다.Other configurations of the substrate processing apparatus shown in Fig. 4A may be the same or similar to those of the substrate processing apparatus shown in Figs.

도 4b에 도시된 바와 같이, 챔버(110)(도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 기판(S)의 상면은 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치될 수 있다.The upper surface of the substrate S may be positioned higher than the upper surface 321 of the disk 320 with reference to the height direction of the chamber 110 (see FIG. 2), as shown in FIG. 4B.

더 구체적으로 설명하면, 기판(S)이 탑재 지지되는 서셉터(340)의 상면(341)은 가스분사유닛(360)의 하면과 대향할 수 있고, 챔버(110)(도 2 참조)의 높이 방향을 기준으로, 서셉터(340)의 상면(341)은 디스크(320)의 상면(321)과 동일 높이에 위치될 있다. 그러면, 기판(S)의 상면이 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치된다. 그리고, 서셉터(340)가 안치되는 디스크(320)의 안치홈(322)의 부위 중, 서셉터(340) 외측의 디스크(320)의 안치홈(322)의 부위에는 배출공(324)이 형성될 수 있다.More specifically, the upper surface 341 of the susceptor 340 on which the substrate S is mounted is opposed to the lower surface of the gas injection unit 360, and the height of the chamber 110 (see FIG. 2) The upper surface 341 of the susceptor 340 is positioned at the same height as the upper surface 321 of the disk 320. [ Then, the upper surface of the substrate S is located at a position higher than the upper surface 321 of the disk 320. A discharge hole 324 is formed in a part of the mounting groove 322 of the disk 320 on the outer side of the susceptor 340 among the parts of the mounting groove 322 of the disk 320 on which the susceptor 340 is placed .

그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에는 더욱 정체되지 않을 뿐만 아니라, 안치홈(322)에 정체되지 않고, 신속하게 배출될 수 있다. 따라서, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치지 못한다.Then, the reaction gas and the by-product of the process gas are not more stagnant on the upper surface side of the substrate S on which the source gas of the process gas is deposited, but also can be quickly discharged without stagnation in the mounting groove 322. Therefore, the reaction gas and the by-product of the process gas do not affect the upper surface of the substrate S.

서셉터(340)의 상면(341)이 디스크(320)의 상면(321) 보다 높은 위치에 위치될 수도 있음은 당연하다.It is natural that the upper surface 341 of the susceptor 340 may be positioned higher than the upper surface 321 of the disk 320. [

도 4b에 도시된 기판처리장치의 그 이외의 구성은 도 4a에 도시된 기판처리장치의 구성과 동일 또는 유사할 수 있다.Other configurations of the substrate processing apparatus shown in Fig. 4B may be the same or similar to those of the substrate processing apparatus shown in Fig. 4A.

도 4c에 도시된 바와 같이, 디스크(420)의 상면에는 안치홈이 형성되지 않을 수 있고, 서셉터(440)는 디스크(420)의 상면에 설치될 수 있다.As shown in FIG. 4C, no recess may be formed on the top surface of the disk 420, and the susceptor 440 may be provided on the top surface of the disk 420.

그리고, 가스분사유닛(460)의 하면에서 기판(S)의 상면 까지의 간격(G1)은 가스분사유닛(460)의 하면에서 디스크(420)의 상면(421) 까지의 간격(G2) 보다 좁을 수 있다. 이때, 가스분사유닛(460)과 기판(S) 사이의 간격(G1)은 17㎜ ∼ 19㎜인 것이 바람직하고, 가스분사유닛(460)과 디스크(420) 사이의 간격(G2)은 26㎜ ∼ 30㎜인 것이 바람직하다.The gap G1 from the lower surface of the gas injection unit 460 to the upper surface of the substrate S is narrower than the gap G2 from the lower surface of the gas injection unit 460 to the upper surface 421 of the disk 420 . At this time, the gap G1 between the gas injection unit 460 and the substrate S is preferably 17 mm to 19 mm, and the gap G2 between the gas injection unit 460 and the disk 420 is 26 mm To 30 mm.

그러면, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 공정가스의 소스가스가 증착되는 기판(S)의 상면측에 정체되지 못하므로, 공정가스의 반응가스 및 부산물이 기판(S)의 상면에 영향을 끼치 못한다.Then, the reaction gas and the by-product of the process gas are not stagnated on the upper surface side of the substrate S on which the source gas of the process gas is deposited, so that the reaction gas and the by-product of the process gas do not affect the upper surface of the substrate S. .

서셉터(440)의 테두리면에 정체되어 있을 수도 있는 공정가스의 반응가스 및 부산물을 신속하게 배출하기 위하여, 서셉터(440) 외측의 디스크(420)의 부위에는 배출공(424)이 형성될 수 있다.A discharge hole 424 is formed in a portion of the disk 420 outside the susceptor 440 in order to rapidly discharge the reaction gas and the by-product of the process gas, which may be stagnated on the rim surface of the susceptor 440 .

도 4c에서는 상기 안치홈이 디스크(420)에는 형성되지 않은 것을 예로 들어 설명하였으나, 디스크(420)의 상면에 상기 안치홈이 형성될 수도 있다.In FIG. 4C, it is described that the audio groove is not formed in the disk 420. However, the audio groove may be formed on the top surface of the disk 420. FIG.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 단면도로서, 도 1과의 차이점만을 설명한다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and only differences from FIG. 1 will be described.

도시된 바와 같이, 공정가스를 분사하는 가스분사유닛(560)은 소스가스를 분사하는 제1가스분사유닛(561), 반응가스를 분사하는 제2가스분사유닛(563) 및 퍼지가스를 분사하는 제3가스분사유닛(565)을 포함할 수 있다.As shown, the gas injection unit 560 for injecting the process gas includes a first gas injection unit 561 for injecting a source gas, a second gas injection unit 563 for injecting a reactive gas, And a third gas injection unit 565.

제1가스분사유닛(561)과 제2가스분사유닛(563)은 상호 구획되어 설치될 수 있으며, 제1가스분사유닛(561)은 챔버(510)의 일측을 통하여 소스가스를 기판(S)측으로 분사할 수 있고, 제2가스분사유닛(563)은 챔버(510)의 타측을 통하여 반응가스를 기판(S)측으로 분사할 수 있다.The first gas injection unit 561 and the second gas injection unit 563 may be separately partitioned and the first gas injection unit 561 may supply the source gas to the substrate S through one side of the chamber 510. [ And the second gas injection unit 563 can inject the reaction gas toward the substrate S through the other side of the chamber 510. [

그리고, 제3가스분사유닛(565)은, 제1가스분사유닛(561)에서 분사되는 소스가스와 제2가스분사유닛(563)에서 분사되는 반응가스가 혼합되는 것을 방지하기 위하여, 제1가스분사유닛(561)과 제2가스분사유닛(563)을 구획하는 형태로 설치되어 퍼지가스를 공급할 수 있다. In order to prevent the source gas injected from the first gas injection unit 561 from mixing with the reaction gas injected from the second gas injection unit 563, the third gas injection unit 565 is configured to inject the first gas And the purge gas can be supplied by dividing the injection unit 561 and the second gas injection unit 563.

그리하여, 각 서셉터(540)에 탑재 지지된 기판(S)은, 디스크(520)가 회전함에 따라, 순차적으로 소스가스가 분사되는 영역에 위치되고, 순차적으로 반응가스가 분사되는 영역에 위치된다. 즉, 디스크(520)가 회전함에 따라, 기판(S)은 소스가스 및 반응가스를 공급받으며, 소스가스와 반응가스의 작용에 의하여 기판(S)에 박막이 증착될 수 있다.Thus, as the disk 520 rotates, the substrate S mounted and supported on each susceptor 540 is positioned in the region where the source gas is sequentially injected and is sequentially positioned in the region where the reactive gas is injected . That is, as the disk 520 rotates, the substrate S is supplied with the source gas and the reactive gas, and the thin film can be deposited on the substrate S by the action of the source gas and the reactive gas.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Will be clear to those who have knowledge of. Therefore, the scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

110: 챔버
120: 디스크
140: 서셉터
S: 기판110: chamber
120: disk
140: susceptor
S: substrate

Claims (8)

기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크;
상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며,
상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면과 동일 높이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is processed;
A disk rotatably installed in the chamber, and having a lower recessed recess formed on an upper surface thereof;
A susceptor mounted on the mounting groove, mounted on a substrate, rotatable about the center of the disc, and rotating about the center of the disc;
And a gas injection unit installed in the chamber on the upper side of the disk and injecting a process gas onto the upper surface side of the substrate,
Wherein the upper surface of the substrate facing the gas injection unit is positioned at the same height as the upper surface of the disk toward the gas injection unit with respect to the height direction of the chamber. 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버에 회전가능하게 설치되며, 상면에는 하측으로 함몰된 안치홈이 형성된 디스크;
상기 안치홈에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며,
상기 가스분사유닛을 향하는 기판의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 가스분사유닛을 향하는 상기 디스크의 상면 보다 높은 위치에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is processed;
A disk rotatably installed in the chamber, and having a lower recessed recess formed on an upper surface thereof;
A susceptor mounted on the mounting groove, mounted on a substrate, rotatable about the center of the disc, and rotating about the center of the disc;
And a gas injection unit installed in the chamber on the upper side of the disk and injecting a process gas onto the upper surface side of the substrate,
Wherein the upper surface of the substrate facing the gas injection unit is positioned higher than the upper surface of the disk toward the gas injection unit with respect to the height direction of the chamber. 제2항에 있어서,
상기 가스분사유닛을 향하는 상기 서셉터의 상면은, 상기 챔버의 높이 방향을 기준으로, 상기 디스크의 상면과 동일 높이에 위치되거나, 상기 디스크의 상면 보다 높은 위치에 위치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.3. The method of claim 2,
Wherein the upper surface of the susceptor facing the gas injection unit is positioned at the same height as the upper surface of the disk or higher than the upper surface of the disk with respect to the height direction of the chamber. . 제1항 내지 제3항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 서셉터 외측의 상기 디스크의 상기 안치홈의 부위에는 배출공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And a discharge hole is formed in a portion of the disk-shaped recess of the disk outside the susceptor. 기판이 처리되는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버에 회전가능하게 설치된 디스크;
상기 디스크의 상면에 설치되고, 기판이 탑재 지지되며, 상기 디스크와 함께 회전하면서 상기 디스크의 중심을 기준으로 공전함과 동시에 자신의 중심을 기준으로 자전하는 서셉터;
상기 디스크 상측의 상기 챔버에 설치되며, 상기 기판의 상면측으로 공정가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하며,
상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격 보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber for providing a space in which the substrate is processed;
A disk rotatably installed in the chamber;
A susceptor installed on an upper surface of the disk, on which a substrate is mounted and supported, rotating with the disk, and rotating about a center of the disk relative to a center of the disk;
And a gas injection unit installed in the chamber above the disk and injecting a process gas toward the upper surface side of the substrate,
Wherein an interval from the gas injection unit to an upper surface of the substrate is smaller than an interval from the gas injection unit to an upper surface of the disk. 제5항에 있어서,
상기 가스분사유닛에서 기판의 상면 까지의 간격은 17㎜ ∼ 19㎜이고,
상기 가스분사유닛에서 상기 디스크의 상면 까지의 간격은 26㎜ ∼ 30㎜인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
The distance from the gas injection unit to the upper surface of the substrate is 17 mm to 19 mm,
Wherein an interval from the gas injection unit to an upper surface of the disk is 26 mm to 30 mm. 제5항에 있어서,
상기 서셉터 외측의 상기 디스크의 부위에는 배출공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
And a discharge hole is formed in a portion of the disk outside the susceptor. 제5항에 있어서,
상기 디스크의 상면에는 상기 서셉터가 안치되는 안치홈이 하측으로 함몰 형성된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.6. The method of claim 5,
Wherein an upper surface of the disk is recessed downwardly of an installation groove in which the susceptor is housed.
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