KR100978569B1 - Susceptor and apparatus for chemical vapor deposition including the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 서셉터는, 상부 면에 형성된 적어도 하나의 수용홈; 상기 수용홈의 측면을 통해 소정의 가스가 공급되도록 하는 가스유로; 및 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며, 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 측면 둘레를 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전되도록 하는 복수개의 구동홈을 구비하는 새틀라이트를 포함한다.Susceptor according to the present invention, at least one receiving groove formed on the upper surface; A gas passage through which a predetermined gas is supplied through a side surface of the receiving groove; And a plurality of drives rotatably accommodated in the receiving groove, the disks receiving the vapor deposition body, and formed along a side circumference of the disks to rotate the disks under pressure of a gas supplied through the gas flow path. Satellites with grooves.

Description

서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치{SUSCEPTOR AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION INCLUDING THE SAME}Susceptor and chemical vapor deposition apparatus having the same {SUSCEPTOR AND APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION INCLUDING THE SAME}

본 발명은 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 서셉터에 수용되는 피증착체에 실질적으로 균일한 박막이 성장할 수 있도록 하는 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same, and more particularly, to a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same, which allows a substantially uniform thin film to be grown on the vapor-deposited body accommodated in the susceptor. It is about.

일반적으로 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Depostion: CVD) 장치는 화학 반응을 이용하여 피증착체(일반적으로 반도체 웨이퍼 등의 기판을 포함한다)에 박막을 형성하는 장치로서, 진공으로 이루어진 챔버 내에서 가열된 기판에 증기압이 높은 반응가스를 보내어 그 반응가스의 막을 기판에 성장시키도록 하는 장치이다.In general, a chemical vapor deposition (CVD) apparatus is a device for forming a thin film on a deposit (generally including a substrate such as a semiconductor wafer) by using a chemical reaction, and is heated in a vacuum chamber. It is a device that sends a reaction gas having a high vapor pressure to the substrate to grow a film of the reaction gas on the substrate.

최근에는 한 번에 다수의 기판에 증착을 일으키도록 챔버와 서셉터의 크기가 커짐에 따라 다수의 피증착체에 박막을 균일하게 성장시키도록 하는 것이 핵심 기술이 되고 있다.In recent years, as the size of the chamber and susceptor increases so as to cause deposition on a plurality of substrates at one time, it has become a key technology to uniformly grow a thin film on a plurality of deposits.

상기한 바와 같이 피증착체에 대한 박막의 균일한 성장을 위해서는 피증착체를 수용하고 있는 서셉터 자체가 회전할 뿐만 아니라 피증착체를 수용하고 있는 포켓도 회전하도록 하는 것이 필요하다.As described above, in order to uniformly grow the thin film with respect to the deposited object, it is necessary to not only rotate the susceptor itself containing the deposit but also rotate the pocket containing the deposit.

즉 피증착체는 반응가스에 노출되는 동안 공전과 자전을 함으로써 박막 성장이 실질적으로 균일하게 이루어질 수 있는 것이다.In other words, the deposited material can be substantially uniformly grown by rotating and rotating while being exposed to the reaction gas.

그러나, 종래의 화학 기상 증착 장치는 피증착체가 공전뿐만 아니라 자전까지 하도록 하기 위해 기어 등의 동력전달장치를 사용하기 때문에, 서셉터나 화학 기상 증착 장치의 구조가 복잡하고 제작이 매우 어려웠으며, 증착 과정에서 파티클(particle) 등이 동력전달장치에 침투할 경우 오작동이나 고장 등을 일으킬 우려가 있는 문제점이 있었다.However, the conventional chemical vapor deposition apparatus uses a power transmission device such as a gear to allow the vapor deposition body to rotate as well as the revolution, so that the structure of the susceptor or chemical vapor deposition apparatus is complicated and difficult to manufacture. Particles (particles) in the process when there is a problem that may cause a malfunction or failure, such as penetrating the power transmission device.

본 발명은 소정의 가스 유동에 의한 에너지를 이용하여 피증착체가 탑재된 수용체를 안정적이고 효과적으로 회전시키도록 함으로써 피증착체에 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 하는 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.The present invention provides a susceptor and a chemical gaseous phase having the growth of a thin film on the deposit to be made substantially uniform by rotating the receptor on which the deposit is mounted using energy by a predetermined gas flow. Provided is a deposition apparatus.

본 발명에 따른 서셉터는, 상부 면에 형성된 적어도 하나의 수용홈; 상기 수용홈의 측면을 통해 소정의 가스가 공급되도록 하는 가스유로; 및 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며, 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 측면 둘레를 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전되도록 하는 복수개의 구동홈을 구비하는 새틀라이트를 포함한다.Susceptor according to the present invention, at least one receiving groove formed on the upper surface; A gas passage through which a predetermined gas is supplied through a side surface of the receiving groove; And a plurality of drives rotatably accommodated in the receiving groove, the disks receiving the vapor deposition body, and formed along a side circumference of the disks to rotate the disks under pressure of a gas supplied through the gas flow path. Satellites with grooves.

또한, 상기 새틀라이트는, 상기 구동홈이 형성되도록 소정 각도 경사지게 구비되는 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the satellite, characterized in that it comprises a blade which is provided to be inclined at a predetermined angle so that the driving groove is formed.

또한, 상기 새틀라이트는, 상기 구동홈을 형성하며, 임펠러 형상으로 형성되는 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the satellite, the drive groove, characterized in that it comprises a blade formed in the impeller shape.

또한, 소정의 가스 공급원과 연결되어 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The gas supply passage may further include a gas supply passage connected to a predetermined gas supply source to allow the gas supplied from the gas supply to flow into the gas passage.

또한, 상기 가스유로는, 상기 가스공급유로와 연결되고 상기 수용홈의 일측 과 연통되는 가스유로부와, 상기 수용홈의 타측에 마련되어 상기 가스유로부를 통해 공급되는 가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The gas passage may include a gas passage portion connected to the gas supply passage and in communication with one side of the receiving groove, and provided on the other side of the receiving groove so that the gas supplied through the gas passage portion is discharged to the outside. It is characterized by including a wealth.

또한, 상기 새틀라이트는, 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The satellite may further include a shaft which connects the center of the disk and the center of the receiving groove to form a rotation center of the disk.

또한, 상기 수용홈의 바닥에 마련되는 홈부와, 상기 홈부에 수용되어 상기 새틀라이트의 하단과 접촉되며 상기 새틀라이트의 회전을 지지하는 복수개의 볼 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the groove portion provided in the bottom of the receiving groove, and characterized in that it further comprises a plurality of ball members accommodated in the groove portion and in contact with the lower end of the satellite to support the rotation of the satellite.

또한, 상기 가스유로부는, 실질적으로 상기 수용홈의 접선 방향으로 가스를 주입시키도록 소정 각도 경사지게 마련되는 것을 특징으로 한다.In addition, the gas flow path is characterized in that it is provided to be inclined at a predetermined angle to substantially inject the gas in the tangential direction of the receiving groove.

한편, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 피증착체에 대한 증착이 이루어지는 반응로를 구비하는 챔버; 상기 반응로 내에 구비되어 상부 면에 적어도 하나의 수용홈을 구비하는 서셉터; 상기 수용홈의 측면을 통해 소정의 가스가 공급되도록 하는 가스유로; 및 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며, 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 측면 둘레를 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전되도록 하는 복수개의 구동홈을 구비하는 새틀라이트를 포함한다.On the other hand, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention, the chamber having a reactor in which the deposition on the vapor deposition is made; A susceptor provided in the reactor and having at least one receiving groove on an upper surface thereof; A gas passage through which a predetermined gas is supplied through a side surface of the receiving groove; And a plurality of drives rotatably accommodated in the receiving groove, the disks receiving the vapor deposition body, and formed along a side circumference of the disks to rotate the disks under pressure of a gas supplied through the gas flow path. Satellites with grooves.

또한, 상기 챔버의 측면에 구비되어 외부로부터 반응가스를 도입하여 상기 반응로로 반응가스를 공급하는 가스도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the side of the chamber is characterized in that it further comprises a gas inlet for introducing the reaction gas from the outside to supply the reaction gas to the reactor.

또한, 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하며, 소정의 가스 공급원과 연결되어 상기 가스유로를 통해 가스가 공급되도록 하는 유로부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the reaction gas supplied through the gas introducing unit is discharged to the outside, characterized in that it further comprises a flow path member connected to a predetermined gas supply source to supply gas through the gas flow path.

또한, 상기 유로부재는, 상기 챔버의 중심부에 구비되며 상기 반응로로 공급되는 반응가스가 배출되는 배출유로와, 소정의 가스 공급원과 연결되며, 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급유로를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the flow path member is provided in the center of the chamber, the discharge passage for discharging the reaction gas supplied to the reactor and the predetermined gas supply source, the gas supplied from the gas supply flows into the gas passage It characterized in that it comprises a gas supply passage to be.

또한, 상기 유로부재는, 중심부에 상기 배출유로가 형성되도록 하는 배출관과, 상기 배출관과의 사이에 상기 가스공급유로가 형성되며 상기 배출관을 내부에 구비하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The flow path member may further include a discharge pipe configured to form the discharge flow path in the center, and a gas supply pipe formed between the discharge pipe and the discharge pipe disposed therein.

또한, 상기 챔버의 중심부에 구비되며 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출관과, 소정의 가스 공급원과 연결되며 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스를 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, a discharge pipe which is provided in the center of the chamber and allows the reaction gas supplied through the gas introduction unit to be discharged to the outside, and a gas connected to a predetermined gas supply source and allowing the gas supplied from the gas supply source to flow into the gas flow path. It further comprises a supply pipe.

또한, 상기 새틀라이트는, 상기 구동홈이 형성되도록 소정 각도 경사지게 구비되는 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the satellite, characterized in that it comprises a blade which is provided to be inclined at a predetermined angle so that the driving groove is formed.

또한, 상기 가스유로는, 상기 가스공급유로와 연결되고 상기 수용홈의 일측과 연통되는 가스유로부와, 상기 수용홈의 타측에 마련되어 상기 가스유로부를 통해 공급되는 가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the gas flow path, the gas flow path connected to the gas supply flow path and in communication with one side of the receiving groove, the gas exhaust is provided on the other side of the receiving groove so that the gas supplied through the gas flow path is discharged to the outside It is characterized by including a wealth.

또한, 상기 새틀라이트는, 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The satellite may further include a shaft which connects the center of the disk and the center of the receiving groove to form a rotation center of the disk.

또한, 상기 수용홈의 바닥에 마련되는 홈부와, 상기 홈부에 수용되어 상기 새틀라이트의 하단과 접촉되며 상기 새틀라이트의 회전을 지지하는 복수개의 볼 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the groove portion provided in the bottom of the receiving groove, and characterized in that it further comprises a plurality of ball members accommodated in the groove portion and in contact with the lower end of the satellite to support the rotation of the satellite.

본 발명에 따른 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치는 소정의 가스 유동에 의한 에너지를 이용하여 피증착체가 탑재된 새틀라이트를 안정적이고 효과적으로 회전시키도록 하며, 적은 양의 가스로도 효율적으로 새틀라이트가 회전되도록 할 수 있어 피증착체에 박막의 성장이 실질적으로 균일하게 이루어지도록 하는 효과를 갖는다.The susceptor and the chemical vapor deposition apparatus having the same according to the present invention use the energy of a predetermined gas flow to stably and effectively rotate the satellite on which the vapor-deposited body is mounted, and efficiently with a small amount of gas. May be rotated so that the growth of the thin film on the deposit is made substantially uniform.

본 발명에 따른 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치의 실시예에 관하여 도면을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명한다.An embodiment of a susceptor and a chemical vapor deposition apparatus having the same according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치에 관하여 개략적으로 설명한다.First, a chemical vapor deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 측단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치 는 내부에 반응로(12)가 구비되는 챔버(10), 상기 챔버(10) 측면쪽에 구비되는 가스도입부(20), 그리고 상기 반응로(12)에 구비되는 서셉터(30)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 1, the chemical vapor deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes a chamber 10 having a reactor 12 therein, a gas introduction part 20 provided at a side of the chamber 10, And a susceptor 30 provided in the reactor 12.

그리고 상기 챔버(10)의 중심부에는 상기 가스도입부(20)에 의해 상기 반응로(12)로 분사되는 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출부(62)가 구비된다.In addition, a discharge part 62 is provided at a central portion of the chamber 10 to discharge the reaction gas injected into the reactor 12 by the gas introduction part 20 to the outside.

상기 반응로(12)는 반응가스가 유동하며 화학 반응을 통해 피증착체(33)에 대한 박막 성장이 일어나는 공간이다.The reactor 12 is a space in which a reaction gas flows and thin film growth on the vapor deposition body 33 occurs through a chemical reaction.

상기 가스도입부(20)는 외부로부터 소정의 반응가스가 도입되어 일시 저장되도록 하는 리저버(22)와, 상기 리저버(22)에 저장된 반응가스가 반응로(12)로 분사되도록 하는 분사노즐(21)을 포함한다.The gas introduction part 20 includes a reservoir 22 for introducing a predetermined reaction gas from the outside to be temporarily stored, and an injection nozzle 21 for injecting the reaction gas stored in the reservoir 22 into the reactor 12. It includes.

그리고 상기 리저버(22)는 외부에 마련되는 소정의 반응가스 공급원(미도시)으로부터 상기 리저버(22)로 반응가스가 공급되도록 하는 공급라인(23)과 연결된다.The reservoir 22 is connected to a supply line 23 through which a reaction gas is supplied to the reservoir 22 from a predetermined reaction gas supply source (not shown).

따라서 외부의 반응가스 공급원(미도시)으로부터 공급라인(23)을 통해 리저버(22)에 가스가 공급되고, 리저버(22)에 공급된 가스는 분사노즐(21)을 통해 반응로(12)로 분사된다.Therefore, gas is supplied to the reservoir 22 from the external reaction gas supply source (not shown) through the supply line 23, and the gas supplied to the reservoir 22 is supplied to the reactor 12 through the injection nozzle 21. Sprayed.

이때 분사노즐(21)을 통해 분사되는 반응가스는 서셉터(30)에 수용된 피증착체(33)를 지나게 되고, 피증착체(33)에서는 상기 반응가스에 의한 화학 반응으로 박막이 성장하게 된다.At this time, the reaction gas injected through the injection nozzle 21 passes through the vapor deposition body 33 accommodated in the susceptor 30, and in the vapor deposition object 33, the thin film is grown by a chemical reaction by the reaction gas. .

상기 피증착체(33)를 지나면서 화학 반응을 일으킨 후 반응가스는 배출 부(62)로 배출되며 배출유로(61)를 통해 외부로 배출된다.After the chemical reaction occurs while passing through the vapor deposition body 33, the reaction gas is discharged to the discharge portion 62 and is discharged to the outside through the discharge passage (61).

그리고, 상기 서셉터(30)는 피증착체(33)를 수용하여 상기 반응로(12)에 노출되도록 하는 장치로서 회전하도록 구비될 수도 있고 고정되어 구비되는 것도 가능하다.In addition, the susceptor 30 may be provided to rotate as a device for accommodating the object to be deposited 33 and exposed to the reactor 12, or may be fixed.

상기 서셉터(30)에는 적어도 하나의 새틀라이트(50)가 구비되는데, 상기 새틀라이트(50)는 그 상단에 포켓(52)을 구비하여 피증착체(33)를 수용한다.The susceptor 30 is provided with at least one satellite 50, the satellite 50 is provided with a pocket 52 on the upper end to accommodate the vapor deposition body (33).

상기 서셉터(30)는 상기 새틀라이트(50)를 수용하도록 수용홈(32)을 구비하며, 상기 수용홈(32)에 상기 새틀라이트(50)가 회전 가능하도록 장착된다.The susceptor 30 has an accommodation groove 32 to accommodate the satellite 50, and the satellite 50 is rotatably mounted in the accommodation groove 32.

이때 상기 새틀라이트(50)를 회전시키도록 하는 에너지를 공급하는 것은 소정의 가스이다.At this time, it is a predetermined gas for supplying energy to rotate the satellite 50.

즉 소정의 가스가 유동하면서 그 유동에너지가 상기 새틀라이트(50)를 회전시키는 구동력을 제공하는 것이다. That is, while a predetermined gas flows, the flow energy provides a driving force for rotating the satellite 50.

여기서 상기 새틀라이트(50)를 회전시키는 구동력을 제공하는 가스는 반응로(12)로 분사되어 배기되는 반응가스와는 전혀 별개의 가스이며, 질소가스 등을 사용하여 새틀라이트(50)를 회전시킬 수 있다.Here, the gas providing the driving force for rotating the satellite 50 is a gas completely different from the reaction gas injected into the reactor 12 and exhausted, and the satellite 50 may be rotated using nitrogen gas or the like. Can be.

박막성장을 위한 반응가스와 새틀라이트 구동을 위한 가스를 구분하기 위하여, 이하에서는 전자를 '반응가스'라 하고 후자를 '가스'라 하기로 한다.In order to distinguish between reactant gas for thin film growth and gas for satellite driving, hereinafter, the former will be referred to as 'reaction gas' and the latter will be referred to as 'gas'.

따라서 반응로(12)로부터 반응가스가 배출되는 유로와 새틀라이트(50)를 구동시키는 가스의 유로는 각각 별개로 마련되도록 하여야 한다.Therefore, the flow path from which the reaction gas is discharged from the reactor 12 and the flow path of the gas driving the satellite 50 should be provided separately.

이와 같은 반응가스의 배출을 위한 유로와 새틀라이트(50) 구동을 위한 가스 의 유로에 대하여 도 1에 도시된 실시예에서는 하나의 유로부재(60)에 상기 두 가지 유로를 모두 구비한 것에 관하여 나타내고 있으나, 반드시 이에 한하지 않고 상기 두 가지 유로가 각각 따로 마련되는 것도 가능하다.The flow path for discharging the reaction gas and the flow path of the gas for driving the satellite 50 are shown in the embodiment shown in FIG. 1 with respect to having the two flow paths in one flow path member 60. However, the present invention is not limited thereto, and the two flow paths may be separately provided.

도 1에 도시된 실시예에서 유로부재(60)는 반응가스의 배출을 위한 배출유로(61)와, 상기 새틀라이트(50) 구동을 위한 가스의 유로를 형성하는 가스공급유로(65)를 포함하여 이루어진다.In the embodiment shown in FIG. 1, the flow path member 60 includes a discharge flow path 61 for discharging reaction gas and a gas supply flow path 65 for forming a flow path of gas for driving the satellite 50. It is done by

상기 배출유로(61)는 배출관(63)에 의해 형성되고, 상기 가스공급유로(65)는 가스공급관(66)에 의해 형성된다.The discharge passage 61 is formed by a discharge pipe 63, and the gas supply passage 65 is formed by a gas supply pipe 66.

상기 가스공급관(66)은 상기 배출관(63)과의 사이에 상기 가스공급유로(65)가 형성되도록 상기 배출관(63)을 내부에 구비하되 소정 간격 이격되도록 구비된다.The gas supply pipe 66 is provided with the discharge pipe 63 therein so as to form the gas supply passage 65 between the discharge pipe 63 and spaced apart from each other by a predetermined interval.

그리고 상기 서셉터(30)에 인접하여 구비되는 가열수단(40)은 피증착체(33)에 박막이 성장하는 동안 소정의 열을 상기 피증착체(33)에 공급하는 역할을 한다.In addition, the heating means 40 provided adjacent to the susceptor 30 serves to supply a predetermined heat to the deposition object 33 while the thin film is grown on the deposition object 33.

한편, 도 2 내지 도 5를 참조하여 도 1에 도시된 화학 기상 증착 장치의 서셉터에 관하여 좀 더 구체적으로 설명한다. Meanwhile, the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus illustrated in FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 도 1에 도시된 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 서셉터를 좀 더 확대하여 나타낸 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 상부 단면을 나타낸 도면이며, 도 4는 서셉터에서 새틀라이트를 분리하여 나타낸 도면이고, 도 5는 새틀라이트를 나타낸 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 3 is a top cross-sectional view of the susceptor shown in FIG. 2, and FIG. The drawing shows the satellite separated from the acceptor, and FIG. 5 shows the satellite.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 서셉터(30)의 수용홈(32)에는 새틀라이 트(50)가 회전 가능하도록 구비된다.2 and 3, the receiving groove 32 of the susceptor 30 is provided so that the satellite 50 is rotatable.

즉 상기 새틀라이트(50)의 회전 중심을 이루는 샤프트(55)가 수용홈(32)의 중심부에 연결되어 상기 샤프트(55)를 중심으로 상기 새틀라이트(50)가 회전할 수 있도록 구비된다.That is, the shaft 55 constituting the rotation center of the satellite 50 is connected to the center of the receiving groove 32 so that the satellite 50 can rotate around the shaft 55.

상기 새틀라이트(50)는 피증착체(33)를 수용하는 포켓(52)을 형성하며 전체 몸체를 이루는 디스크(51)와, 상기 디스크(51)의 둘레를 따라 형성되며 가스공급유로(65)를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크(51)를 회전시키도록 하는 구동홈(53)을 포함하여 이루어진다.The satellite 50 forms a pocket 52 for accommodating the vapor-deposited body 33 and forms a disk 51 constituting the entire body, and is formed along a circumference of the disk 51 and a gas supply passage 65. It comprises a drive groove 53 for rotating the disk 51 under the pressure of the gas supplied through.

상기 구동홈(53)은 디스크(51)의 둘레를 따라 복수개 마련되며 좀 더 바람직하게는 가스의 유동에너지를 받아 디스크(51)를 원활하게 회전시킬 수 있도록 하는 블레이드(54)가 구비되도록 한다.The driving groove 53 is provided in plural along the circumference of the disk 51, and more preferably so that the blade 54 for smoothly rotating the disk 51 by receiving the flow energy of the gas.

즉 상기 구동홈(53)은 단순히 리세스(recess)되어 형성될 수도 있지만, 도 3에 도시된 바와 같이 블레이드(54)에 의해 형성될 수도 있다.That is, the driving groove 53 may be simply recessed, but may be formed by the blade 54 as shown in FIG. 3.

상기 블레이드(54)는 소정 각도 경사지도록 형성되도록 함이 바람직하며, 좀 더 바람직하게는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 새틀라이트(50)의 상기 블레이드(54)는 임펠러 형상을 갖는다.The blade 54 is preferably formed to be inclined at a predetermined angle, more preferably, as shown in FIG. 5, the blade 54 of the satellite 50 has an impeller shape.

한편, 도 2 및 도 3, 그리고 도 4에 도시된 바와 같이 서셉터(30)에는 가스공급유로(65)를 통해 공급되는 가스가 상기 새틀라이트(50)로 안내되도록 하는 가스유로(35)가 형성된다.Meanwhile, as shown in FIGS. 2, 3, and 4, the susceptor 30 includes a gas passage 35 through which the gas supplied through the gas supply passage 65 is guided to the satellite 50. Is formed.

즉 상기 가스유로(35)는 가스공급유로(65)와 상기 수용홈(32)의 일측을 연통 시키도록 마련되어 상기 가스공급유로(65)를 통해 공급되는 가스가 상기 수용홈(32)의 일측으로 분사되도록 하여 새틀라이트(50)의 구동홈(53)에 가스의 유동에너지가 전달되도록 구성된다.That is, the gas passage 35 is provided to communicate one side of the gas supply passage 65 and the receiving groove 32 with the gas supplied through the gas supply passage 65 toward one side of the receiving groove 32. It is configured to be injected so that the flow energy of the gas is delivered to the drive groove 53 of the satellite 50.

그리고 수용홈(32)의 타측에는 상기 가스유로(35)를 통해 공급된 가스가 외부로 배출될 수 있도록 가스배기부(36)가 마련된다.And the other side of the receiving groove 32 is provided with a gas exhaust 36 so that the gas supplied through the gas flow path 35 is discharged to the outside.

따라서 소정의 가스공급원(미도시)으로부터 상기 가스공급유로(65)로 유동하는 가스는 가스유로(35)를 통해 새틀라이트(50)로 전달되어 상기 새틀라이트(50)의 구동홈(53)에 압력을 전달하면서 새틀라이트(50)를 회전시키고 가스배기부(36)로 빠져나간다.Therefore, the gas flowing from the predetermined gas supply source (not shown) to the gas supply passage 65 is delivered to the satellite 50 through the gas passage 35 to the driving groove 53 of the satellite 50. While transmitting the pressure, the satellite 50 rotates and exits to the gas exhaust unit 36.

한편, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 상기 수용홈(32)에는 홈부(37)가 마련되고 상기 홈부(37)에 볼 부재(38)가 복수개 구비되도록 함이 바람직하다. 즉 상기 복수개의 볼 부재(38) 위에 새틀라이트(50)가 놓여지도록 함이 바람직하다. Meanwhile, as shown in FIGS. 2 and 4, the receiving groove 32 is preferably provided with a groove portion 37 and a plurality of ball members 38 are provided in the groove portion 37. That is, it is preferable that the satellite 50 is placed on the plurality of ball members 38.

상기 볼 부재(38)는 상기 새틀라이트(50)와 수용홈(32) 사이의 마찰을 최대한 감소시켜 상기 새틀라이트(50)가 원활하게 회전할 수 있도록 한다.The ball member 38 reduces the friction between the satellite 50 and the receiving groove 32 as much as possible to allow the satellite 50 to rotate smoothly.

즉 새틀라이트(50)가 회전할 때 상기 볼 부재(38)가 홈부(37)에서 회전하면서 상기 새틀라이트(50)가 원활하게 회전할 수 있도록 한다.That is, when the satellite 50 rotates, the ball member 38 rotates in the groove 37 so that the satellite 50 can rotate smoothly.

상기 홈부(37)는 상기 수용홈(32)의 가장자리 쪽 둘레를 따라 형성되도록 하는 것이 바람직한데, 도 4에 도시된 바와 같이 홈부(37)가 연속적으로 마련될 수도 있고 각각의 볼 부재(38)를 수용하도록 수용홈(32)의 둘레를 따라 볼 부재(38)의 개수만큼 소정의 간격으로 복수개 마련되는 것도 가능하다.Preferably, the groove portion 37 is formed along the circumference of the edge of the receiving groove 32. As shown in FIG. 4, the groove portion 37 may be continuously provided and each ball member 38 may be provided. A plurality of ball members 38 may be provided at predetermined intervals along the circumference of the accommodating groove 32 so as to accommodate the same.

상기한 바와 같이 볼 부재(38)는 새틀라이트(50)와 점접촉되도록 하여 마찰력을 감소시키고 새틀라이트(50)가 기울어지지 않고 정확하게 수평을 유지하도록 할 수도 있다.As described above, the ball member 38 may be brought into point contact with the satellite 50 to reduce the friction force and to allow the satellite 50 to be accurately leveled without inclination.

따라서 적은 양의 가스로도 상기 새틀라이트(50)를 충분히 회전시킬 수 있는 장점이 있다.Therefore, there is an advantage that the satellite 50 can be sufficiently rotated even with a small amount of gas.

한편, 도 3 및 도 4에서는 가스유로(35)의 구조에 관하여 도시하고 있는데, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 가스유로(35)는 수용홈(32)에 대해 거의 접선 방향으로 가스가 공급되도록 소정 각도 경사지도록 마련되는 것이 바람직하다.3 and 4 illustrate the structure of the gas flow passage 35. As shown in FIGS. 3 and 4, the gas flow passage 35 has a gas in a substantially tangential direction with respect to the receiving groove 32. It is preferable to be inclined at a predetermined angle so as to be supplied.

즉 가스유로(35)가 정확하게 수용홈(32)의 접선 방향과 일치하지는 않더라도 상기 가스유로(35)가 상기 수용홈(32)의 중심을 지나는 가상선과 소정의 각도를 이루도록 마련되어 상기 가스유로(35)를 통해 공급되는 가스가 실질적으로 수용홈(32)의 내면 측벽을 따라 분사될 수 있도록 함이 바람직하다.That is, although the gas flow path 35 does not exactly match the tangential direction of the accommodation groove 32, the gas flow path 35 is provided to have a predetermined angle with an imaginary line passing through the center of the accommodation groove 32. It is preferable to allow the gas supplied through) to be sprayed along the inner sidewall of the receiving groove 32 substantially.

따라서 상기한 바와 같은 구조의 가스유로(35)를 통해 분사되는 가스가 새틀라이트(50)의 측면 둘레에 형성된 구동홈(53)에 작용하여 새틀라이트(50)가 회전할 수 있도록 한다.Therefore, the gas injected through the gas passage 35 having the structure as described above acts on the driving groove 53 formed around the side surface of the satellite 50 so that the satellite 50 can rotate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 측단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 실시예에 따른 화학 기상 증착 장치의 서셉터를 좀 더 확대하여 나타낸 도면이다.FIG. 2 is an enlarged view of the susceptor of the chemical vapor deposition apparatus according to the embodiment shown in FIG. 1.

도 3은 도 2에 도시된 서셉터의 상부 단면을 나타낸 도면이다.3 is a diagram illustrating an upper cross section of the susceptor shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터에서 새틀라이트를 분리한 상태를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a state in which the satellite is separated from the susceptor according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터의 새틀라이트를 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a satellite of the susceptor according to an embodiment of the present invention.

Claims (18)

상부 면에 형성된 적어도 하나의 수용홈;At least one receiving groove formed on the upper surface; 상기 수용홈의 측면을 통해 소정의 가스가 공급되도록 하는 가스유로; 및A gas passage through which a predetermined gas is supplied through a side surface of the receiving groove; And 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며, 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 측면 둘레를 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전되도록 하는 복수개의 구동홈을 구비하는 새틀라이트를 포함하는 서셉터.A plurality of driving grooves rotatably accommodated in the accommodation grooves, the disks for receiving an evaporated body, and a plurality of driving grooves formed along a side circumference of the disks to rotate the disks under pressure of a gas supplied through the gas flow path; Susceptor comprising a satellite having a. 제1항에 있어서, 상기 새틀라이트는,The method of claim 1, wherein the satellite, 상기 구동홈이 형성되도록 소정 각도 경사지게 구비되는 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.Susceptor, characterized in that it comprises a blade provided to be inclined at a predetermined angle so that the driving groove is formed. 제1항에 있어서, 상기 새틀라이트는,The method of claim 1, wherein the satellite, 상기 구동홈을 형성하며, 임펠러 형상으로 형성되는 블레이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.Susceptor, characterized in that it comprises a blade forming the drive groove, the impeller shape. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 소정의 가스 공급원과 연결되어 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.And a gas supply passage connected to a predetermined gas supply source to allow gas supplied from the gas supply to flow into the gas flow path. 제4항에 있어서, 상기 가스유로는,The method of claim 4, wherein the gas flow path, 상기 가스공급유로와 연결되고 상기 수용홈의 일측과 연통되는 가스유로부와,A gas passage part connected to the gas supply passage and in communication with one side of the receiving groove; 상기 수용홈의 타측에 마련되어 상기 가스유로부를 통해 공급되는 가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.And a gas exhaust part provided at the other side of the receiving groove to allow the gas supplied through the gas flow path to be discharged to the outside. 제1항에 있어서, 상기 새틀라이트는,The method of claim 1, wherein the satellite, 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.And a shaft that connects the center of the disk and the center of the receiving groove to form a center of rotation of the disk. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수용홈의 바닥에 마련되는 홈부와,A groove provided on the bottom of the receiving groove; 상기 홈부에 수용되어 상기 새틀라이트의 하단과 접촉되며 상기 새틀라이트의 회전을 지지하는 복수개의 볼 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서셉터.And a plurality of ball members accommodated in the groove and in contact with a lower end of the satellite and supporting rotation of the satellite. 제5항에 있어서, 상기 가스유로부는,The method of claim 5, wherein the gas passage portion, 실질적으로 상기 수용홈의 접선 방향으로 가스를 주입시키도록 소정 각도 경사지게 마련되는 것을 특징으로 하는 서셉터.Susceptor, characterized in that provided to be inclined at a predetermined angle to substantially inject gas in the tangential direction of the receiving groove. 피증착체에 대한 증착이 이루어지는 반응로를 구비하는 챔버;A chamber having a reactor in which deposition is carried out on the deposit; 상기 반응로 내에 구비되어 상부 면에 적어도 하나의 수용홈을 구비하는 서셉터;A susceptor provided in the reactor and having at least one receiving groove on an upper surface thereof; 상기 수용홈의 측면을 통해 소정의 가스가 공급되도록 하는 가스유로; 및A gas passage through which a predetermined gas is supplied through a side surface of the receiving groove; And 상기 수용홈에 회전 가능하도록 수용되며, 피증착체를 수용하는 디스크와, 상기 디스크의 측면 둘레를 따라 형성되며 상기 가스유로를 통해 공급되는 가스의 압력을 받아 상기 디스크가 회전되도록 하는 복수개의 구동홈을 구비하는 새틀라이트를 포함하는 화학 기상 증착 장치.A plurality of driving grooves rotatably accommodated in the accommodation grooves, the disks for receiving an evaporated body, and a plurality of driving grooves formed along a side circumference of the disks to rotate the disks under pressure of a gas supplied through the gas flow path. Chemical vapor deposition apparatus comprising a satellite having a. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 챔버의 측면에 구비되어 외부로부터 반응가스를 도입하여 상기 반응로로 반응가스를 공급하는 가스도입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a gas introduction unit provided at a side of the chamber to introduce a reaction gas from the outside to supply the reaction gas to the reactor. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하며, 소정의 가스 공급원과 연결되어 상기 가스유로를 통해 가스가 공급되도록 하는 유로부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a flow path member connected to a predetermined gas supply source to supply the reaction gas supplied through the gas introduction part to the outside, and supplying the gas through the gas flow path. 제11항에 있어서, 상기 유로부재는,The method of claim 11, wherein the flow path member, 상기 챔버의 중심부에 구비되며 상기 반응로로 공급되는 반응가스가 배출되는 배출유로와,A discharge passage provided at the center of the chamber and for discharging the reaction gas supplied to the reactor; 소정의 가스 공급원과 연결되며, 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스가 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급유로를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a gas supply passage connected to a predetermined gas supply source to allow a gas supplied from the gas supply to flow into the gas flow path. 제12항에 있어서, 상기 유로부재는,The method of claim 12, wherein the flow path member, 중심부에 상기 배출유로가 형성되도록 하는 배출관과,A discharge pipe for forming the discharge flow path in a center thereof; 상기 배출관과의 사이에 상기 가스공급유로가 형성되며 상기 배출관을 내부에 구비하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a gas supply pipe formed between the discharge pipe and a gas supply pipe provided therein. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 챔버의 중심부에 구비되며 상기 가스도입부를 통해 공급된 반응가스가 외부로 배출되도록 하는 배출관과,A discharge tube provided at the center of the chamber and discharging the reaction gas supplied through the gas introduction unit to the outside; 소정의 가스 공급원과 연결되며 상기 가스 공급원으로부터 공급되는 가스를 상기 가스유로로 유동하도록 하는 가스공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a gas supply pipe connected to a predetermined gas supply source and configured to flow a gas supplied from the gas supply source into the gas flow path. 제9항에 있어서, 상기 새틀라이트는,The method of claim 9, wherein the satellite, 상기 구동홈이 형성되도록 소정 각도 경사지게 구비되는 블레이드를 포함하 는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.Chemical vapor deposition apparatus comprising a blade provided to be inclined at a predetermined angle so that the driving groove is formed. 제12항에 있어서, 상기 가스유로는,The method of claim 12, wherein the gas flow path, 상기 가스공급유로와 연결되고 상기 수용홈의 일측과 연통되는 가스유로부와,A gas passage part connected to the gas supply passage and in communication with one side of the receiving groove; 상기 수용홈의 타측에 마련되어 상기 가스유로부를 통해 공급되는 가스가 외부로 배출되도록 하는 가스배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a gas exhaust part provided at the other side of the receiving groove to discharge the gas supplied through the gas flow path to the outside. 제9항에 있어서, 상기 새틀라이트는,The method of claim 9, wherein the satellite, 상기 디스크의 중심부와 상기 수용홈의 중심부를 연결하여 상기 디스크의 회전 중심을 이루는 샤프트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a shaft which connects the center of the disk and the center of the accommodation groove to form a center of rotation of the disk. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 수용홈의 바닥에 마련되는 홈부와,A groove provided on the bottom of the receiving groove; 상기 홈부에 수용되어 상기 새틀라이트의 하단과 접촉되며 상기 새틀라이트의 회전을 지지하는 복수개의 볼 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a plurality of ball members accommodated in the groove and in contact with a lower end of the satellite and supporting rotation of the satellite.
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