KR20110067409A - 인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 질화물층 반도체 층 상부의 게이트 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 깊이까지 식각하는 단계; 상기 식각된 부분과 상기 제2 질화물 반도체층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이와 같은 본 발명을 제공하면, 게이트 영역의 하부의 원천적으로 2DEG를 봉쇄하여 노말리 오프(normally off) 인헨스먼트 소자를 용이하게 구현할 수 있는 방법을 제공하고, HEMT 소자에 있어서 인헨스먼트 노말리 오프(Enhancement Normally off) 전력 반도체 소자로서 고효율의 구동회로가 간단한 반도체 소자를 제공할 수 있게 된다.
2DEG, 노말리 오프(normally off), HEMT, 질화물 반도체, 밴드갭
Description
본 발명은 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 선택적 식가과 마스킹 장벽을 이용하여 용이하게 인헨스먼트 노말리 오프 질화물 반도체 소자를 제조할 수 있는 방법 및 그 소자에 관한 것이다.
고 전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 전통적인 전력 반도체 소자의 한 예이다. HEMT는 Ⅲ족 질화물 반도체를 사용하여 제작되는데, 이 반도체는 본 명세서에 언급된 대로, GaN, AlGaN, InGaN 또는 그와 같은 AlInGaN 계(system)로부터의 반도체 합금을 의미한다.
전통적으로 알려진 기술에 의하면, HEMT는 예를 들어 도핑되지 않은 GaN으로 구성되는 제 1 Ⅲ족 질화물 반도체 바디와, 제 1 Ⅲ족 질화물 반도체 바디 위에 배치되며 예를 들어 AlGaN으로 구성되는 제 2 Ⅲ족 질화물 반도체 바디를 포함한다.
잘 알려진 대로, 제 1 Ⅲ족 질화물 반도체 바디와 제 2 Ⅲ족 질화물 반도체 바디의 이종접합부(heterojunction)는 일반적으로 이차원 전자가스(2DEG)로 언급되는 전도 성 영역을 형성하게 된다. 전형적인 HEMT는 또한 적어도 2 개의 전력 전극들(power electrodes)을 포함한다. 전류는 이 2개의 전력 전극들 사이에서 2DEG를 통하여 전도된다.
HEMT는 또한 게이트 장치(gate arrangement)를 포함하는데, 이 게이트 장치는 원하는 바에 따라 2DEG를 작동 가능하게 하거나 억제하도록 작동되며, 이에 의해 소자를 온(ON) 시키거나 오프(OFF) 시킬 수 있다. 결과적으로, HEMT는 전계효과 트랜지스터(FET)처럼 작동될 수 있다. 사실, 이러한 소자는 때로는 이종접합 전계효과 트랜지스터(HFET)로서 언급된다.
높은 전류 운반 능력 및 높은 절연 파괴 전압(breakdown voltage) 성능을 갖는 Ⅲ족 질화물계의 이종접합 전력반도체 소자는 그것의 낮은 손실로 인하여 전력 어플리케이션에 적합하다. 그러나, 많은 Ⅲ족 질화물 반도체 소자들은 노멀리온(normally ON) 소자인 바, 이는 소자를 오프시키려면 게이트에 바이어스를 걸어주는 것이 요구됨을 의미한다.
노멀리 온 소자들은 전력 어플리케이션에 있어서는 덜 바람직한데, 그 이유는 a) 이러한 소자들은 노멀리 오프 소자보다 덜 효율적으로 작동되고, b) 노멀리 온 소자를 위한 구동 회로가 더욱 복잡하고 그로 인하여 더욱 비싸기 때문이다. 그래서, 노멀리 오프의 Ⅲ족 질화물 전력 반도체 소자를 제공하는 것이 요망된다.
AlGaN/GaN 이종 구조는 고출력 전계 효과 트랜지스터로 사용되는 것으로 AlGaN/GaN 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG)를 이용하여 소스-드레인 전류의 흐름을 게이트 전압을 통하여 제어시킨다. 이러한 2차원 전자 가스는 AlGaN 표면 아래에 양의 전하에 반대되는 것이 생성되는 분극 현상으로 인하여 생성되는 것이다. 이러한 양의 전하는 주변 환경에 매우 민감하여 소스-드레인 전류에 요동을 가져오게 만든다.
본 발명의 공정 단계는 완전 시계열적 순서에 의한 것이라고 한정하는 것은 아니고, 일반적인 반도체고 공정에 적용하는 순서에 따라 발명을 이해하기 쉽게 기재한 것으로, 발명의 공정 순서는 필요에 따라 변경 또는 수정 가능함은 물론이다. 그리고, 질화물 반도체라 함은 질화물을 포함하는 다양한 반도체를 의미하며 상기 실시예에서 적용한는 반도체에 한정하는 것은 아니다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 과제는 밴드갭이 서로 다른 질화물 반도체층 사이의 계면 부근에 생성되는 2차원 전자 가스(2DEG)에 의해 비효율적이고, 구동회로가 복잡하며, 제조단가가 비싼 노말리 온 소자가 아닌 노말리 오프 질화물 전력 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있는 제조방법을 제공하기 위함이다.
상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 제1 특징은 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제2 질화물층 반도체 층 상부의 게이트 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 깊이까지 식각하는 단계; 상기 식각된 부분과 상기 제2 질화물 반도체층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 제1 질화물 반도체 층은 고 저항성(highly resistive) GaN 층인 것이 바람직하고, 상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것이 바람직하며, 상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법으로 형성하는 것 이 바람직하다. 더하여, 바람직하게는 상기 절연막은 Al2O3 , HfO2 및 SiO2 중 어느 하나를 재질로 하는 것일 수 있다.
또한, 상기 식각한는 단계는, 상기 게이트 영역의 상기 제2 질화물 반도체 층을 완전히 제거하고, 상기 제1 질화물 반도체 층이 식각되어 리세스 되는 깊이에 따라서 문턱전압(Threshold voltage)을 조절하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 특징은 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 제1 질화물 반도체 층 상부의 게이트 영역에 마스킹 장벽을 패터닝하는 단계; 상기 마스킹 장벽을 사이에 두고 측면의 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계; 상기 마스킹 장벽을 제거하는 단계; 상기 제2 질화물 반도체 층 및 상기 마스킹 장벽이 제거된 층 상부에 절연막을 형성하는 단계; 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 제1 질화물 반도체 층은 고 저항성(highly resistive) GaN 층인 것이 바람직하고, 상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것이 바람직하며, 상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 절연막은 Al2O3 , HfO2 및 SiO2 중 어느 하나를 재질로 하는 것이 바람직하고, 상기 마스킹 장벽은 Al2O3 를 재질로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 본 발명의 또 다른 특징으로 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자로서, 상술한 방법으로 제조된 것일 수 있다.
이와 같은 본 발명을 제공하면, 게이트 영역의 하부에 선택적 식각이나 마스킹 장벽으로 헤테로접합층을 제거함으로써, 원천적으로 2DEG를 봉쇄하여 노말리 오프(normally off) 인헨스먼트 소자를 용이하게 구현할 수 있는 방법을 제공하게 된다. 또한, 본 발명은 용이하게 인헨스먼트 노말리 오프(Enhancement Normally off) 전력 반도체 소자로서, 구동회로가 간단한 반도체 소자를 제공할 수 있다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1(도 1a 내지 도 1e)은 본 발명에 따른 실시예로서, 노말리 오프(normally-off) 질화물 전력 반도체 소자의 제조공정을 예시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노말리 오프 질화물 반도체 소자의 제조공정의 흐름도를 예시한 것으로 이하 같이 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명의 공정은 전체적으로, 기판(10)에 버퍼층(20)을 형성하는 단 계(S100); 상기 버퍼층(20) 상부에 제1 질화물 반도체 층(30)을 형성하는 단계(S200); 상기 제1 질화물 반도체 층(30) 상부에 제1 질화물 반도체 층(40)을 형성하는 단계(S300); 상기 제2 질화물 반도체 층(40) 상부의 게이트 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층(30) 깊이까지 식각하는 단계(S400); 상기 식각된 부분과 상기 제2 질화물 반도체층 상부에 절연막(45)을 형성하는 단계(S500); 소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막(45)을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극(50,60)을 형성하는 단계(S600); 및 상기 게이트 영역의 절연막(45) 상부에 게이트 전극(70)을 형성하는 단계(S700)를 포함하여 구성한다.
도 1a 나타낸 바와 같이, 먼저 기판(10)에 질화물 반도체 층을 성장하기 위해 계면 스트레스를 낮추기 위한 완충층으로 AlN 을 재질로 하는 버퍼층(20)을 형성한다.(S100) 물론 저온의 GaN층도 역시 가능하다. 그리고 나서, 상기 버퍼층(20) 상부에 MOCVD 법을 사용하여 제1 반도체층인 질화갈륨(GaN)(30) 층을 성장시킨다.(S200)
여기서 질화갈륨(GaN) 층은 고 저항성(Highly resistive)인 반도체 층이고, 이는 제1 질화물 반도체 층(40)을 다시 상부에 성장하여 2차원 전가 가스(35)층을 형성하기 위함이다.
그리고, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 고 저항성(Highly resistive)인 질화갈륨 층(30) 상부에 밴드갭이 서로 다른 제2 질화갈륨 반도체 층(40)인 알루미늄을 포함하는 AlGaN 층(40)을 헤테로접합(heterojunction)한다.(S300) 상이한 밴드갭 에너지를 갖는 두 반도체 물질의 헤테로접합(heterojunction)에서 2차원 전가 가 스(35)(2DEG:two-dimensional electron gas)가 형성되기 때문이다.
여기서 GaN 층(30)과 AlGaN 층(40)은 연속하여 MOCVD 법을 이용하여 에피 성장하는 것이 바람직한데, MOCVD법은 유기금속화합물과 수소화합물의 가스 열분해 반응에 의하여 반도체 박막을 기판(10)위에 성장시키는 에피탁시 방법으로 1968년 GaAs 박막 성장을 시작으로 발전되어 많은 반도체의 성장에 응용되고 있다. 특히 1982년 MOCVD를 이용하여 제조한 수십 나노크기의 저차원 물질에서 일반 벌크구조와는 다른 독특한 특성이 발견된 이래, MOCVD법은 3차원 에피탁시 공정 이외에도 다양한 저차원 나노구조체의 합성에도 응용되고 있다.
MOCVD를 이용한 GaN의 에피성장은 Si, SiC, sapphire 등과 같은 기판(10)과의 격자부정합을 해결하기 위해서 상술한 바와 같이, 사파이어(sapphire)기판(10) 위에 GaN 버퍼층(buffer layer)(AlN)(20)을 성장하고 다시 그 위에 GaN 에피층(30)을 성장시키는 2단 성장법이 사용된다.
2단 성장법은 에피층 성장온도 이상(1100℃)에서 열 에칭(Thermal etching)을 한 후 550℃ 근처에서 GaN 버퍼층(AlN)(20)을 성장하고 1050℃ 이상에서 GaN 에피층(30)을 성장시키는 방법이다. 이처럼 MOCVD법은 박막형성 반응에 사용되는 반응가스의 공급원이 유기금속전구체로 낮은 온도에서 공급원의 분압이 높고 분해가 잘되는 장점이 있으므로 박막 증착시 반응가스의 공급을 원활하게 할 수 있다. 또한, 고순도로 정제된 공급원을 사용할 수 있어 성장되는 박막의 특성을 우수하게 할 수 있다.
또한, 2DEG(35)는 도핑되지 않은(Undoped) 더 작은 밴드갭 물질 내의 축적층 이고 매우 높은 과잉 쉬트 전자(sheet electron) 농도를 가질 수 있다. 또한 더 넓은 밴드갭 반도체에서 나온 전자는, 이온화된 불순물의 산란(scattering)이 감소되기 때문에 높은 전자이동도를 보이며 2DEG(35)로 이동한다.
이같은 높은 캐리어 농도와 높은 캐리어 이동도의 결합은 HEMT에 매우 큰 트랜스컨덕턴스를 부여할 수 있고, 고주파 응용에 있어서 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 비하여 더욱 강력한 성능상의 이점을 제공할 수 있다.
그러나, HEMT는 높은 전류 운반 능력 및 높은 절연 파괴 전압(breakdown voltage) 성능을 갖는 Ⅲ족 질화물계의 이종접합 전력반도체 소자는 그것의 낮은 손실로 인하여 전력 어플리케이션에 적합지만, 많은 Ⅲ족 질화물 반도체 소자들은 노멀리온(normally ON) 소자인 바, 이는 소자를 오프시키려면 게이트에 바이어스를 걸어주는 것이어야 하기 때문에 전력면에서 효율이 떨어지는 단점이 있다.
이에 본 발명에서는, 간단한 제조 방법으로 노멀리 오프(normally off) 소자를 상기 질화물 HEMT 소자에서 구현하기 위해서 게이트 전극(70) 하부에 2DEG(35) 형성을 원천적으로 봉쇄함으로써, 게이트 전극(70)에 바이어스를 인가해야만 2DEG(35)를 복구할 수 있도록 하는 구조를 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제안한다.
도 1c에 나타낸 바와 같이, 2DEG(35)는 밴드갭이 서로 다른 이종접합인 GaN 층(30)과 AlGaN 층(40) 계면사이에서 분극현상에 의해 발생되는 것이므로, 제1 질화물 반도체 층(30)인 GaN 층 상부에 에피 성장된 제1 질화물 반도체 층(40)인 AlGaN 층(40)의 게이트 영역 부분 하부의 AlGaN 층(40)을 식각하여 2DEG(35) 형성 을 원천적으로 봉쇄한다.(S400) 이렇게 하면, 계면(interface)에 근처에 형성되는 2DEG(35)는 소스/드레인 전극(50,60) 영역 하부에만 형성되고, 게이트 전극(70) 영역 하부에는 형성되지 않아, 노멀리 오프(normally off)를 갖는 반도체 소자를 형성할 수 있게 된다.
또한, 바람직하게는 상기 식각하는 단계는, 상기 게이트 영역의 상기 제2 질화물 반도체 층인 AlGaN 층을 완전히 제거하고, 상기 제1 질화물 반도체 층인 고저항성 GaN 층이 식각되어 리세스 되는 깊이에 따라서 문턱전압(Threshold voltage)을 조절하는 것이 가능하다. 즉, 본 발명은 상술한 구조를 통하여 질화물 반도체에서 문턱전압을 용이하게 제어하고, 맞춤형 설계가 용이하게 되는 장점이 있다.
그리고 나서, 도 1d에 나타낸 바와 같이, 채널영역 GaN 층(30) 부분과 바이어스를 인가하기 위한 게이트 전극(70)(metal) 물질을 절연하기 위해 절연막(45)을 상기 AlGaN 층(40) 상부와 식각된 GaN 층(30) 상부에 형성한다.(S500) 여기서 절연막(45)은 Al2O3, SiO2, HfO2 등 중 어느 하나인 것이 바람직하지만, 박막을 형성하기 쉽고 절연성이 높은 박막이면 어떤 재질로 사용해도 가능함은 물론이다. 이때 절연막(45)의 두께와 유전율에 따라서 소자의 특성이 달라지고, 두께와 유전율이 높을수록 Gate leakage가 증가하고 게이트 전극(70)에 더 높은 전압 인가할 수 있다.
도 1e에 나타낸 바와 같이, 반도체 소자를 측정하기 위한 소스/드레인 영역 부분을 패터닝하고, 다시 상기 소스/드레인 영역의 AlGaN 층(40) 상부에 증착된 절연막(45)(Al2O3)를 에칭하여 제거한다. 그리고 나서 에칭되어 제거된 소스/드레인 영역에 전극을 형성하게 된다.(S600) 이때 전극으로 사용되는 재질은 전도성이 높은 금속 또는 합금으로서, Ta/Ti/Al/Ni/Au 를 재질로 하여 형성하는 것이 바람직하다.
일반적으로 FET 소자에서의 소스/드레인 전극(50,60)은 질화갈륨 층(GaN)(30)에 오믹접촉을 위해 합금을 사용하는데, 이것은 접촉되는 양 금속의 일함수(Workfunction)의 차이를 줄이기 때문이다.
오믹접촉(Ohmic Contact)은 반도체 소자에서 금속 결선을 뽑아낼 때 전극 금속이 소자의 특성에 큰 영향을 주지 않도록 하려면 전극 금속과 반도체 간의 접촉 저항치가 작은 옴 접촉을 말한다. 그러나, 일반적으로 불순물 농도가 낮은 반도체에 금속이 접촉되면 접촉면에 전위 장벽이 형성되기 때문에 양호한 옴 접촉을 기대할 수 없다. 원리적으로 전위 장벽의 높이는 금속과 반도체 간의 일함수의 차이로 결정되므로 적당한 금속을 선택함으로써 캐리어(carrier:반도체에서 움직이는 상태에 있는 전도 전자 또는 정공)에 대한 전위 장벽이 형성되지 않도록 해야한다.
금속의 일함수를 fm, 반도체의 일함수를 fs라 했을 때 n형 반도체에 대해서는 fm＜fs, p형 반도체에 대해서는 fm＞fs가 되는 조합을 선택하면 캐리어에 대한 전위 장벽은 생기지 않기 때문에, 본 발명에서는 계면 하부에 일정 깊이의 이온 도핑층을 형성하여 반도체(AlGaN)와 금속간의 전위장벽을 낮출 수 있게 함으로써, 일함수 차이를 줄여 오믹접촉을 가능하게 한다.
최종적으로, 도 1f에 나타낸 바와 같이, 상기 노출된 절연막(45) 상부에 바이어스를 인가하기 위한 게이트 영역을 패터닝하고, 금속(metal)으로 증착하여 게 이트 전극(70)을 최종 완성한다.(s700) 이때 금속은 전도성이 높은 금속 또는 합금을 사용하는 것이 바람직하고, 소스/드레인 전극(50,60)과 달리 쇼트기접촉(Schottky contact)하는 것이 일반적이므로, Ta,Ti,Al,Ni,Au 등 중 적어도 어느 하나를 재질로 하여 사용하는 것이 가능하다.
도 2는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 노말리 오프(normally off) 질화물 반도체 소자의 제조방법의 공정 중 도 1과 다른 공정의 일부를 예시한 도면이고, 나머지 공정은 도 1의 공정과 동일 또는 유사하다. 도 3에 예시된 공정 흐름도와 같이 비교하여 이하 설명하기로 한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 기판(10)에 버퍼층(20) 및 고 저항성인 제1 질화물 반도체 층(30)을 형성한 다음, 게이트 영역 하부에 2DEG(35)의 형성을 원천적으로 봉쇄하기 위해, 마스킹 장벽(33)을 패터닝 하여 형성한다.(도 2의 (a)참조)(S250) 여기서, 마스킹 장벽(33)은 증착하기 쉽고 절연성이 높은 SiO2 를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고 나서, 마스킹 장벽(33)을 사이에 두고, 측면에 위치한 소스/드레인 영역에 제1 질화물 반도체 층(40)인 AlGaN 층(40)을 MOCVD 법을 이용하여 재성장한다.(S350) 마스킹 장벽(33)은 다시 식각(etching)하여 제거한 후에, 도 1d 이후의 공정으로 들어가게 된다. 물론, 식각하지 않는다 하더라도, 마스킹 장벽(33)이 게이트 절연막(45)의 역할을 할 수 있다.
이와 같이, 도 2에 예시된 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자의 제조 공정은 상기 제1 반도체 층 상부의 게이트 영역 부분에 절연물질로 마스킹 장벽(33)을 형성하고, 그 측면에 제2 반도체 층을 형성하게 함으로써, 헤테로접합(Heterojunction)된 두 반도체 층 사이에서 발생하는 2DEG(35)를 부분적으로 원천 봉쇄하게 함으로써, 노말리 오프 질화물 반도체 소자를 손쉽게 구현할 수 있게 된다.
본 발명은 도 1 및 도 2에서 예시된 실시예 처럼, 밴드갭이 서로 다른 2개의 질화물 반도체 층의 헤테로접합에 의해 발생되는 2차원 전가 가스(35)(2DEG)에 있어서, 게이트 영역의 하부에 선택적 식각이나 마스킹 장벽(33)으로 헤테로접합층을 제거함으로써, 원천적으로 2DEG를 봉쇄하여 노말리 오프(normally off) 인헨스먼트 소자를 용이하게 구현할 수 있는 방법을 제공하게 된다. 그러므로 본발명은 HEMT 소자에 있어서 용이하게 인헨스먼트 노말리 오프(Enhancement Normally off) 소자 및 효율적이고 구동회로가 간단한 전력 반도체 소자와 그 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명 공정의 단계는 완전 시계열적 순서에 의한 것이라고 한정하는 것은 아니고, 일반적인 반도체고 공정에 적용하는 순서에 따라 발명을 이해하기 쉽게 기재한 것으로, 발명의 공정 순서는 필요에 따라 변경 또는 수정 가능함은 물론이다. 그리고, 질화물 반도체라 함은 질화물을 포함하는 다양한 반도체를 의미하며 상기 실시예에서 적용한는 반도체에 한정하는 것은 아니다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1(도 1a 내지 도 1e)은 본 발명에 따른 실시예로서, 노말리 오프(normally-off) 질화물 전력 반도체 소자의 제조공정을 예시한 도면이고,
도 2는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 노말리 오프(normally off) 질화물 반도체 소자의 제조방법의 공정 중 도 1과 다른 공정의 일부를 예시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 노말리 오프 질화물 반도체 소자의 제조공정의 흐름도를 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 상세한 설명>
10: 기판, 20: 버퍼층, 30:GaN 층 또는 제1 질화물 반도체 층,
33: 마스킹 장벽 35: 2차원 전자 가스 또는 2DEG,
40: 제2 질화물 반도체 층 또는 AlGaN 층
50: 소스 전그, 60: 드레인 전극, 70: 게이트 전극
Claims (13)
- 기판에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물 반도체 층 상부에 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계;상기 제2 질화물층 반도체 층 상부의 게이트 영역의 상기 제1 질화물 반도체 층 깊이까지 식각하는 단계;상기 식각된 부분과 상기 제2 질화물 반도체층 상부에 절연막을 형성하는 단계;소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층은 고 저항성(highly resistive) GaN 층인 것을 특징으로 하는 노말리 off(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연막은 Al2O3 , HfO2 및 SiO2 중 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 식각하는 단계는,상기 게이트 영역의 상기 제2 질화물 반도체 층을 완전히 제거하고, 상기 제1 질화물 반도체 층이 식각되어 리세스 되는 깊이에 따라서 문턱전압(Threshold voltage)을 조절하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 기판에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상부에 제1 질화물 반도체 층을 형성하는 단계;상기 제1 질화물 반도체 층 상부의 게이트 영역에 마스킹 장벽을 패터닝하는 단계;상기 마스킹 장벽을 사이에 두고 측면의 제2 질화물 반도체 층을 형성하는 단계;상기 마스킹 장벽을 제거하는 단계;상기 제2 질화물 반도체 층 및 상기 마스킹 장벽이 제거된 층 상부에 절연막을 형성하는 단계;소스/드레인 영역을 패터닝 하고, 상기 소스/드레인 영역의 상기 절연막을 식각하고, 상기 소스/드레인 영역에 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 영역의 절연막 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층은 고 저항성(highly resistive) GaN 층인 것을 특징으로 하는 노말리 off(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체 층은 AlGaN 층인 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층 및 제2 질화물 반도체 층은 MOCVD 법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 절연막은 Al2O3 , HfO2 및 SiO2 중 어느 하나를 재질로 하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 마스킹 장벽은 SiO2을 재질로 하는 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자 제조방법.
- 제1항 또는 제7항의 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 노말리 오프(normally-off) 질화물 반도체 소자.
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