KR20110059075A

KR20110059075A - 반도체 발광소자

Info

Publication number: KR20110059075A
Application number: KR1020090115694A
Authority: KR
Inventors: 전수근; 박은현; 김종원; 박준천
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2009-11-27
Filing date: 2009-11-27
Publication date: 2011-06-02
Also published as: KR101069362B1

Abstract

본 개시는 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판; 기판의 제1 면 측에 위치하는 복수의 반도체층;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 위에 뻗어 있는 가지 전극; 그리고, 기판의 제2 면 측에 위치하며, 가지 전극과 전기적으로 연통하는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.

반도체, 발광소자, 칩, 수직구조, 가지 전극, 비아홀, 가지, 질화물

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 가지 전극을 이용하여 광취출효율을 높인 반도체 발광소자에 관한 것이다.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 서도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물롤 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(300), n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(500), p형 3족 질화물 반도체층(500) 위에 형성되는 p측 전극(600), p측 전극(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), p형 3족 질화물 반도체층(500)과 활성층(400)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 전극(800), 그리고 보호막(900)을 포함한다.

기판(100)은 동종기판으로 GaN계 기판이 이용되며, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다. SiC 기판이 사용될 경우에 n측 전극(800)은 SiC 기판 측에 형성될 수 있다.

기판(100) 위에 성장되는 3족 질화물 반도체층들은 주로 MOCVD(유기금속기상성장법)에 의해 성장된다.

버퍼층(200)은 이종기판(100)과 3족 질화물 반도체 사이의 격자상수 및 열팽창계수의 차이를 극복하기 위한 것이며, 미국특허 제5,122,845호에는 사파이어 기판 위에 380℃에서 800℃의 온도에서 100Å에서 500Å의 두께를 가지는 AlN 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,290,393호에는 사파이어 기판 위에 200℃에서 900℃의 온도에서 10Å에서 5000Å의 두께를 가지는 Al(x)Ga(1-x)N (0≤x<1) 버퍼층을 성장시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/154454호에는 600℃에서 990℃의 온도에서 SiC 버퍼층(씨앗층)을 성장시킨 다음 그 위에 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1) 층을 성장시키는 기술이 기재되어 있다. 바람직하게는 n형 3족 질화물 반도체층(300)의 성장에 앞서 도핑되지 않는 GaN층이 성장되며, 이는 버퍼층(200)의 일부로 보아도 좋고, n형 3족 질화물 반도체층(300)의 일부로 보아도 좋다.

n형 3족 질화물 반도체층(300)은 적어도 n측 전극(800)이 형성된 영역(n형 컨택층)이 불순물로 도핑되며, n형 컨택층은 바람직하게는 GaN로 이루어지고, Si으로 도핑된다. 미국특허 제5,733,796호에는 Si과 다른 소스 물질의 혼합비를 조절함으로써 원하는 도핑농도로 n형 컨택층을 도핑하는 기술이 기재되어 있다.

활성층(400)은 전자와 정공의 재결합을 통해 광자(빛)를 생성하는 층으로서, 주로 In(x)Ga(1-x)N (0<x≤1)로 이루어지고, 하나의 양자우물층(single quantum well)이나 복수개의 양자우물층들(multi quantum wells)로 구성된다.

p형 3족 질화물 반도체층(500)은 Mg과 같은 적절한 불순물을 이용해 도핑되며, 활성화(activation) 공정을 거쳐 p형 전도성을 가진다. 미국특허 제5,247,533호에는 전자빔 조사에 의해 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제5,306,662호에는 400℃ 이상의 온도에서 열처리(annealing)함으로써 p형 3족 질화물 반도체층을 활성화시키는 기술이 기재되어 있고, 미국공개특허공보 제2006/157714호에는 p형 3족 질화물 반도체층 성장의 질소전구체로서 암모니아와 하이드라진계 소스 물질을 함께 사용함으로써 활성화 공정없이 p형 3족 질화물 반도체층이 p형 전도성을 가지게 하는 기술이 기재되어 있다.

p측 전극(600)은 p형 3족 질화물 반도체층(500) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비되는 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 p형 3족 질화물 반도체층의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며 p형 3족 질화물 반도체층(500)과 오믹접촉하 고 Ni과 Au로 이루어진 투광성 전극(light-transmitting electrode)에 관한 기술이 기재되어 있으며, 미국특허 제6,515,306호에는 p형 3족 질화물 반도체층 위에 n형 초격자층을 형성한 다음 그 위에 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 투광성 전극을 형성한 기술이 기재되어 있다.

한편, p측 전극(600)이 빛을 투과시키지 못하도록, 즉 빛을 기판 측으로 반사하도록 두꺼운 두께를 가지게 형성할 수 있는데, 이러한 기술을 플립칩(flip chip) 기술이라 한다. 미국특허 제6,194,743호에는 20nm 이상의 두께를 가지는 Ag 층, Ag 층을 덮는 확산 방지층, 그리고 확산 방지층을 덮는 Au와 Al으로 이루어진 본딩 층을 포함하는 전극 구조에 관한 기술이 기재되어 있다.

p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)은 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 것이며, 미국특허 제5,563,422호에는 n측 전극을 Ti과 Al으로 구성한 기술이 기재되어 있다.

보호막(900)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.

한편, n형 3족 질화물 반도체층(300)이나 p형 3족 질화물 반도체층(500)은 단일의 층이나 복수개의 층으로 구성될 수 있으며, 최근에는 레이저 또는 습식 식각을 통해 기판(100)을 3족 질화물 반도체층들로부터 분리하여 수직형 발광소자를 제조하는 기술이 도입되고 있다.

도 2는 미국특허 제5,563,422호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 발광소자의 코너에서 대각 방향으로 위치해 있으며, 발광소자 내에서 가장 먼 곳에 위치함으로써 전류 확산을 개 선하고 있다.

도 3은 미국공개특허공보 제2007-0096115호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 직사각형 형상(예를 들어, 가로/세로가 600um/300um)의 발광소자에 있어서 전류 확산의 도모를 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800) 각각에 가지 전극(710)과 가지 전극(810)이 구비되어 있다.

도 4는 미국특허 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자가 대면적화됨(예를 들어, 가로/세로가 1000um/1000um)에 따라, p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)에 등간격을 가지는 가지 전극을 구비함으로써, 전류 확산을 개선하고 있으며, 더하여 충분한 전류 공급을 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 각각 두개씩 마련되어 있다.

이들 발광소자에 있어서, 전류의 확산을 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)을 멀리 위치시키거나, 가지 전극(710,810)을 도입하거나, 이에 더하여 복수의 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)을 도입하지만, 이들은 활성층(400)에서 발생되는 빛을 흡수하므로 발광소자의 광취출효율의 관점에서 개선의 여지를 가진다.

도 5는 종래의 수직형 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 1에 도시된 발광소자와 마찬가지로 n형 3족 질화물 반도체층(300), 활성층(400), p형 3족 질화물 반도체층(500)이 성장된 다음, 기판(100) 측이 제거되고, p형 3족 질화물 반도체층(500)에 p측 전극(600)과 p측 본딩 패드(700)가 형성되어 있으며, n형 3족 질화물 반도체층(300)에 n측 전극(800)이 형성되어 있다. 수직형 발광소자를 형성 함으로써, 도 1에 도시된 발광소자에 비해 발광소자 내의 전류확산을 보다 원활히 할 수 있는 이점과 와이어 본딩을 줄일 수 있는 이점이 있다. 그러나 기판(100)의 분리에 레이저가 이용되므로, 기판(100)의 분리 과정 또는 레이저의 조사의 과정에서 질화물 반도체층(300,400,500)이 손상될 우려가 있다.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 면과 제2 면을 포함하는 기판; 기판의 제1 면 측에 위치하는 복수의 반도체층;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 위에 뻗어 있는 가지 전극; 그리고, 기판의 제2 면 측에 위치하며, 가지 전극과 전기적으로 연통하는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).

도 6 및 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 사파이어와 같은 절연성 물질로 된 기판(10), 기판(10)의 상면 위에 순차로 적층되는 n형 반도체층(30), 활성층(40) 그리고 p형 반도체층(50)을 포함한다. 바람직하게는 n형 반도체층(30)의 성장에 앞서 버퍼층(미도시)이 형성되고, ITO와 같은 투광성 물질로 된 p측 전극(60)이 구비될 수 있다. 플립칩인 경우에 p측 전극(60)은 반사판으로 구비될 수 있다. p측 전극(60) 위에 p측 본딩 패드(70)가 구비되어 있으며, n측 전극(80)이 기판(10)의 후면에 구비되어 있다. n측 전극(80)은 기판(10)의 후면 전체에 구비되어 반사판으로 기능할 수 있다. n측 전극(80)이 기판(10)의 후면에 구비됨으로써, 반도체 발광소자는 수직형 발광소자를 형성한다. n측 전극(80)으로부터 n형 반도체층(30)으로 전류를 공급하기 위해, 기판(10)과 n형 반도체층(30)을 관통하여 홀(11)이 형성되어 있으며, 홀(11)에 도전성 물질(89)이 위치하고 있고, n형 반도체층(30)에 가지 전극(91)이 구비되어 있다. 따라서 n형 반도체층(30)에 본딩 패드를 두지 않고도 대면적 칩으로 전류를 원활히 공급할 수 있게 된다. 도전성 물질(89)과 접촉하는 가지 전극(91)의 단부(92)를 확장함으로써 도전성 물질(89)과의 접촉을 확실히 할 수 있다. 단부(92)에 의한 빛의 흡수를 줄이기 위해, 단부(92)는 일반적인 본딩 패드보다 작은 크기를 가지는 것이 바람직하다.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예 및 이를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 먼저 기판(10)에 n형 반도체층(30), 활성층(40) 그리고 p형 반도체층(50)을 형성한다.

다음으로, 식각 공정을 통해, 기판(10)을 노출시킨다. 도 6에서와 같이, n형 반도체층(30)의 일부 영역(31)의 높이까지 노출시켜도 좋지만, 후술하는 레이저 공정에서 발생하는 열에 의해 반도체층(30,40,50)이 손상되는 것을 확실히 방지하기 위해서 기판(10)을 완전히 노출시키는 것도 좋다. 식각은 RIE, RIBE, ICP 등의 건식 식각을 통해 행해질 수 있다.

다음으로, 기판(10)에 홀(11)을 형성한다. 홀(11)은 레이저 가공을 통해 형성될 수 있다. 사용되는 레이저는 diode-pumped(UV) laser가 적당하며, 홀(11)의 크기는 10~40um정도가 적당하고, 그 깊이는 60um ~ 300um 정도가 적당하다.

다음으로, 식각을 통해 n형 반도체층(30)의 일부 영역(31)을 노출시킨다. 이는 레이저 가공에 앞서 행해질 수도 있다.

바람직하게는, 홀(11)을 형성한 다음, 홀(11)의 입구를 확장하여, 확장부(11a)를 형성한다. 이를 위해 마스크(1; 예: SiO₂)를 형성한 다음, 예를 들어 인산용액을 200도 이상의 온도로 올린 후, 5분 정도 식각을 함으로써 확장부(11a)를 형성할 수 있다. 이는 도전성 물질(89)과 반도체층(30,40,50) 간의 전기적 연결을 확실히 하기 위함이다.

다음으로, 금속막(83)을 증착한다. 금속막(83)은 Ti, Al, Ni, Au, Cr 과 같은 물질이나 이들의 조합으로 이루어질 수 있으며, 이는 후에 진행될 도금 공정에 서 씨앗(seed)으로 기능하거나 전기를 공급시켜 주는 역할을 하게 된다. 증착에는 이빔(E-beam) 증착, 스퍼터(sputter) 증착, 열(thermal) 증착 등의 방법이 이용될 수 있다.

다음으로, 마스크(4; 예: 포토리지스트)를 형성한다. 포토리지스트는 스핀 코팅(spin-coating)을 통해 도포되는데, 표면장력에 의해 홀(11) 안으로 들어가지 못하고, 홀(11) 주변에 도면과 같이 형성이 된다. 이와 같이 하면, 별도의 마스크 작업없이 자기 정렬법과 같이 포토리지스트를를 이용할 수 있는 장점이 있다. 이 상태에서, 홀(11)에 도전성 물질(89)을 형성한다. 도전성 물질(89)은 도금을 통해 형성될 수 있다. 도금 물질로는 Cu,Ni,Au,Ag,Al등을 들 수 있으며, 도금 방법으로는 전해 도금, 비전해 도금과 같은 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 구리 전해 도금의 경우에, cuprabase50을 도금액으로 하여, 50mA 전류를 사용하여 도금할 수 있다. 이때 공정시간은 100분정도 소요된다.

다음으로, 금속막(83)과 마스크(4)를 제거한다.

다음으로, 마스크(1)의 일부를 제거하고, ITO와 같은 물질로 된 p측 전극(60)을 형성한 다음, p측 본딩 패드(70)와 가지 전극(91)을 형성한다. 가진 전극(91)은 n형 반도체층(30)과 도전성 물질(89)을 전기적으로 연결한다. 마스크(1)가 도 1에 도시된 보호막(900)의 역할도 함을 알 수 있다.

마지막으로, n측 전극(80)을 형성한다. 또한 n측 전극(80)을 기판(10) 후면 전체에 형성하여 반사판으로 사용할 수 있음은 물론이다. 이때, 기판(10)과 n측 전 극(82) 사이에 SiO₂, TiO₂, CaF, MgF 등과 같은 물질로 된 층(미도시)을 도입함으로써, 발광소자의 광취출효율을 높일 수 있다.

한편, p측 전극(60)을 ITO와 같은 물질로 된 투광성 전극으로 형성하는 대신에, Ag을 포함하는 반사판으로 형성함으로써 플립칩을 만들 수도 있다.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 8에 도시된 발광소자와 달리, n측 전극(80)이 n형 반도체층(30)에 형성되어 있으며, p측에 가지 전극(93)이 형성되어 있고, 가지 전극(93)이 도전성 물질(89)을 통해 기판(10)의 후면으로 전기적으로 연결되어 있다. 기판(10)의 후면에는 반사판(94)이 마련되어 있으며, 반사판(94)과 기판(10) 사이에 SiO₂, TiO₂, CaF, MgF 등과 같은 물질로 된 층(85)이 구비되어 있다.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면으로서, 가지 전극(91a)과 가지 전극(91b)이 구비되어 있으며, 가지 전극(71b)과 연동하여 발광소자 전체로의 전류확산을 용이하게 한다. 도 4에서와 같이 종래의 복수개의 p측 전극(700) 또는 n측 전극(800)을 구비하는 경우에 이들을 연결하는 크로스 암을 필요로 했으며, 이 크로스 암이 빛을 흡수하여 발광소자의 광취출효율을 일부 떨어뜨렸으나, 이 예에서는 가지 전극(91a)과 가지 전극(91b)을 기판(10)의 후면에서 연결시킴으로써 이러한 단점을 해소하고 있다. 도 10에서 크로스 암(80b)을 이용해 가지 전극(91a)과 가지 전극(91b)을 연결하고 있으나, 기판(10)의 후면 전체에 반사판을 형성함으로써 기판(10) 전면 측으로의 빛의 방출을 높일 수 있게 된다.

도 11은 본 개시에 따른 플립칩 형태의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 주로 Ag를 포함하는 반사판으로 된 p측 전극(60)과 식각을 통해 노출되는 n형 반도체층(30)에 가지 전극(91)을 구비하는 플립칩이 도시되어 있다. 기존의 플립칩의 경우에 두개의 본딩이 기판의 전면 측에서 이루져야 했지만, 본 개시에 따르면, 하나의 본딩은 기판의 후면 측에서 이루어진다. 이때 발광소자의 변과 가지 전극 사이의 간격(a) 및 간격(c)보다 간격(b)을 넓게 함으로써 발광소자 전체의 전류확산을 조절할 수 있다. 특히 가지 전극(91)이 폐루프를 형성하는 경우에 폐루프 내부에 전류 밀집을 해소할 수 있다.

한편 플립칩인 경우에, 광취출효율의 관점에서 볼 때, 기판의 후면으로 빛이 방출되므로, 기판의 후면 측에서 가지 전극(91)을 전기적으로 연결하는 것보다 기판의 전면 측에서 가지 전극(91)을 연결하는 것(예를 들어, 폐루프를 형성)이 바람직하다.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.

(1) 제1 반도체층 위에 가지 전극과 분리되어 뻗어 있으며, 기판의 제2 면 측에서 제1 전극에 의해 가지 전극과 전기적으로 연결되는 추가의 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 이를 통해, 가지 전극을 연결하는 크로스 암이 불필요해지므로, 크로스 암에 의한 광의 흡수를 줄일 수 있게 된다.

(2) 제2 반도체층 위에 반사판으로 된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 이는 본 개시가 플립칩에 적용된 경우이다.

(3) 가지 전극이 폐루프를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

(4) 발광소자의 마주하는 변들을 기준으로 가지 전극과 이 변들 사이의 간격이 폐루프 내부의 간격보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 이를 통해, 전류 확산을 원활히 할 수 있게 된다.

(5) 가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 적어도 기판을 관통하여 형성된 홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

(6) 홀의 상부가 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. 확장부는 기판에 형성될 수도 있지만, 홀이 반도체층에까지 이어진 경우에, 이 반도체층에 형성될 수도 있다.

(7) 가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 홀에 위치되는 도전성 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 본딩 패드 및/또는 가지 전극에 의한 광의 흡수를 줄일 수 있게 된다.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,

도 2는 미국특허 제5,563,422호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,

도 3은 미국공개특허공보 제2007-0096115호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,

도 4는 미국특허 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,

도 5는 종래의 수직형 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,

도 6 및 도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서,

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예 및 이를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면,

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또다른 예를 나타내는 도면,

도 11은 본 개시에 따른 플립칩 형태의 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면.

Claims

제1 면과 제2 면을 포함하는 기판;

기판의 제1 면 측에 위치하는 복수의 반도체층;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;

제1 반도체층 위에 뻗어 있는 가지 전극; 그리고,

기판의 제2 면 측에 위치하며, 가지 전극과 전기적으로 연통하는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 1에 있어서,

제1 반도체층 위에 가지 전극과 분리되어 뻗어 있으며, 기판의 제2 면 측에서 제1 전극에 의해 가지 전극과 전기적으로 연결되는 추가의 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 1에 있어서,

제2 반도체층 위에 반사판으로 된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 3에 있어서,

가지 전극은 폐루프를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 4에 있어서,

발광소자의 마주하는 변들을 기준으로 가지 전극과 이 변들 사이의 간격이 폐루프 내부의 간격보다 좁은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 1에 있어서,

가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 적어도 기판을 관통하여 형성된 홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 6에 있어서,

홀의 상부가 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 6에 있어서,

가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 홀에 위치되는 도전성 물질;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 2에 있어서,

가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 적어도 기판을 관통하여 형 성된 홀;을 포함하며,

홀의 상부가 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
청구항 3에 있어서,

가지 전극과 제1 전극을 전기적으로 연결하도록 적어도 기판을 관통하여 형성된 홀;을 포함하며,

홀의 상부가 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.