KR20110052565A

KR20110052565A - 자기기록매체 제조장치

Info

Publication number: KR20110052565A
Application number: KR1020117000443A
Authority: KR
Inventors: 쓰토무 니시하시; 다다시 모리타; 가즈히로 와타나베; 겐지 사토; 다쿠야 우즈마키; 쓰토무 다나카
Original assignee: 가부시키가이샤 알박
Priority date: 2008-07-22
Filing date: 2009-07-21
Publication date: 2011-05-18
Also published as: US20110186225A1; CN102150208A; JP2010027157A; WO2010010687A1; KR101530557B1; CN102150208B

Abstract

이온 밀링에 의해서 자기 기록층을 가지는 기판 표면이 소실하는 일이 없이, 또 대기의 영향을 받는 일이 없이 자기기록매체를 제조한다. 자기 기록층을 가지는 기판(71)에 이온빔을 주입한 후, 이 이온빔 주입후의 자기 기록층을 가지는 기 판(80)의 표면을 애싱에 의해 제거해 자기기록매체(70)을 제조 하는 자기기록매체 제조장치(10)이며, 레지스트막(76) 또는 메탈 마스크가 도포된 자기 기록층을 가지는 기판(71)에 이온빔을 주입하는 이온 주입실(20)과, 레지스트막(76) 또는 메탈 마스크가 도포된 자기 기록층을 가지는 기판(71)의 레지스트막(76) 또는 메탈 마스크를, 플라스마에 의해 애싱해 제거하는 애싱실(30)을 가지고, 이온 주입실(20)과 애싱실(30)은, 진공 상태로 연결됨과 동시에, 이온빔 주입후의 기판(80)을 이온 주입실(20)으로부터 애싱실(30)에 반송하는 기판 반송기(60)을 구비한다.

Description

자기기록매체 제조장치{MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING DEVICE}

본 발명은, 고밀도의 자기기록매체를 제조하기 위한 자기기록매체 제조장치(MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING DEVICE)에 관한 것이다.

종래부터의 자기기록매체의 제조 방법에서는, 우선, 자성층상에 형성된 레지스트 패턴(resist pattern)에 따라서, 그 자성층을 플라스마 또는 이온빔을 이용해 에칭(etching)하고, 그 에칭된 자성층의 구(溝)에 비자성 재료를 충전(充塡)시킨다. 다음에, 이온빔 에칭 또는 연마등의 평탄화 처리에 의해서, 표면을 평탄화한 후, 그 표면에 보호막을 형성하고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

그렇지만, 특허 문헌 1에 개시되어 있는 자기기록매체의 제조방법을 이용하면, 정보 기록 영역 이외의 부분을 에칭 가공해 제거한 후, 비자성 재료를 충전해 평탄화 가공할 필요가 있어, 제조 공정이 복잡한 것이 된다. 그 결과, 제조 코스트도 증대한다고 하는 문제가 생긴다.

이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로서, 이온을 자성막에 국소적(局所的) 으 로 주입해 자화 상태(磁化狀態)를 변화시키고, 그 후, 자성막전면을 열처리 하는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).

일본공개특허 2003-16621호 공보(도 3) 일본공개특허 2005-228817호 공보(도 1)

그렇지만, 특허 문헌 2에 개시되어 있는 자기기록매체의 제조방법에서는, 자 성막중의 원자의 구성 비율을 변화시킬수 있도록, 1×10¹⁶이온/cm² 이상 1×10¹⁹ 이온/cm² 이하의 고농도의 이온을 주입할 필요가 있다. 이 때문에, 레지스트 및 보호막이 소실하는 위험성이 있고, 게다가, 이온빔 밀링에 의해서 자성막이 소실하는 위험성도 존재한다. 또, 자기기록매체의 제조 과정에서, 기판은, 각 공정으로 이동 할 때, 외부에 반출된다. 이 때문에, 기판이 대기에 접촉해, 품질의 열화를 일으킨 다고 하는 문제가 있다.

본 발명은, 관련 문제에 감안해서 실시된 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 이온 빔 밀링에 의해서 레지스트, 보호막 또는 자성막이 소실하는 일이 없이, 또 대기의 영향을 받는 일이 없이 자기기록매체를 제조하는 것이 가능한 자기기록매체 제조 장치를 제공하려고 하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 자기 기록층을 가지는 기판에 이온 빔을 주입한 후, 이 이온빔 주입후의 자기 기록층을 가지는 기판의 표면의 레지 스트막 또는 메탈 마스크를 애싱에 의해 제거해 자기기록매체를 제조하는 자기기 록매체 제조장치이며, 이온을 생성하는 이온원으로부터 소망한 이온종을 꺼내, 소 망한 에너지에 가속하여, 레지스트막 또는 메탈 마스크가 도포된 자기 기록층을 가지는 기판에 이온빔을 주입하는 이온 주입실과, 플라스마를 발생 및 확산시키는 플라스마 발생장치를 구비하며,레지스트막 또는 메탈 마스크(metal mask)가 도 포된 자기 기록층을 가지는 기판중의 적어도 레지스트막 또는 메탈 마스크를, 플라스마 발생장치에 의해서 확산된 플라스마에 의해 애싱해 제거하는 애싱실을 가지고, 이온 주입실과 애싱실은, 진공 밸브를 개재시켜 진공 상태로 연결됨과 동시 에, 이온빔 주입후의 기판을 이온 주입실로부터 애싱실에 반송하는 기판 반송기를 구비하고 있는 것이다.

이와 같이 구성했을 경우에는, 이온 주입실과 애싱실이 진공 밸브를 개재시켜 진공 상태로 연결되어 있기 때문에, 이온 주입 및 애싱의 공정간에서, 자기 기록층을 가지는 기판이 외기에 접하는 일이 없이 연속 처리하는 것이 가능해진다. 따라서, 대기의 나쁜 영향을 받아, 자기기록매체가 품질 열화하는 것을 방지할 수 있 다.

또, 상술의 발명에 가하여 더욱, 평행 평판 전극 또는 유도 결합형 안테나에 고주파 전력을 인가해 플라스마를 발생시켜, 애싱 후의 자기 기록층을 가지는 기 판의 표면에 박막을 형성하는 CVD실을 가지고, 애싱실과 CVD실은 진공 밸브를 개재시켜 진공 상태로 연결됨과 동시에, 애싱 후의 자기 기록층을 가지는 기판은, 기판 반송기에 의해 애싱실로부터 CVD실에 반송되는 것이 바람직하다.

이와 같이 구성했을 경우에는, 기판의 표면에 보호막을 형성할 수 있기 때문에, 자기기록매체의 상처에 의한 손상을 방지하는 것이 가능해짐과 동시에, 대기의 나쁜 영향을 받아, 자기기록매체가 품질 열화하는 것을 방지할 수 있다.

게다가, 상술의 발명에 가하여 더욱, 기판 반송기는, 기판을 유지하기 위한 기 판 홀더와, 기판 홀더를 구동시키는 구동 기구를 가지는 것이 바람직하다.

이와 같이 구성했을 경우에는, 자기 기록층을 가지는 기판을 다음의 처리실에 순조롭게 반송하는 것이 가능해진다.

본 발명에 의하면, 이온 밀링에 의해서 자기 기록층을 가지는 기판 표면이 소실하는 일이 없이, 또한 대기의 영향을 받는 일이 없이 자기기록매체를 제조하는 것이 가능해지며, 게다가, 특허 문헌 1에 기재되어 있는 제조 방법과 비교해서 제조공정이 간소화되어 저코스트화를 달성할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 일 실시의 형태와 관련되는 자기기록매체 제조장치의 개략 구성을 설명하기 위한 측면도이다.
도 2는, 도 1중의 A-A선으로 절단한 자기기록매체 제조장치의 단면도이다.
도 3은, 도 1중의 기판 반송기의 구성을 나타내는 도이며, (A)는, 그 측면도이고, (B)는, (A) 중의 B-B선으로 절단한 단면도이다.
도 4는, 도 1중의 C-C선에 따라서 절단한 이온 주입실의 단면도이다.
도5는, 도 1중의 D-D선에 따라서 절단한 애싱실의 단면도이다.
도 6은, 도 1중의 E-E선에 따라서 절단한 CVD실의 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시의 형태와 관련되는 자기기록매체 제조장치를 이용해 자기기록매체를 제조하는 공정을 설명하는 도이며, (A)는, 이온 주입을 설명하기 위한 단면도이고, (B)는, 이온 주입후의 레지스트막이 붙은 기판의 단면도이며, (C)는, 애싱 처리 후의 자기 기록층을 가지는 기판의 단면도이고, (D)는, 자기기록 매체의 단면도이다.

이하, 본 발명의 일 실시의 형태와 관련되는 자기기록매체 제조장치(10)에 대해서,도면을 참조하면서 설명한다. 또, 이하의 설명에서는, 도1~도6에 나타내는 화살표 X₁방향을 전, 화살표X₂방향을 후, 이 X₁방향,X₂방향과 수평 방향에서직교 하는 방향이 되는 화살표 Y₁방향을 왼쪽, 화살표Y₂방향을 오른쪽, 이 XY평면과 직교 하는방향의 화살표 Z₁방향을 위,및 화살표 Z₂방향을 아래로 각각 규정한다.

도 1은, 본 발명의 일 실시의 형태와 관련되는 자기기록매체 제조장치(10)의 개략구성을 설명하기 위한 측면도이다. 도2는, 도1중의 A-A선으로 절단한 자기 기록매체 제조장치(10)의 단면도이다.

도1 및 도2에 나타내듯이, 자기기록매체 제조장치(10)은, 이온 주입실(20), 애싱실(ashing chamber)(30) 및 CVD실(40)(이하, 이온 주입실(20),애싱실(30) 및 CVD실(40)을 합쳐 칭호 하는 경우에는, 단지 처리실(20, 30, 40)으로 칭호한다.)이 일렬에 연결되고, 그들의 외측을 반송 통로(50)으로 연결한 무종단(無終端) 의 인라인식의 장치이다. 또, 자기기록매체 제조장치(10)은, 자기 기록층을 가지는 기판(이하, 각 처리실(20, 30, 40)에서 처리되는 전후의 기판을 총칭해 기판(52)라 고 한다.)을 반송하기 위한 기판 반송기(60)을 구비하고, 시점부(54)에서 들어간 기판(52)가 처리실(20, 30, 40)에서 각 처리가 실시된후, 재차, 시점부(54)에 반송되는 구성으로 되어 있다.

이온 주입실(20)의 후방 및 CVD실(40)의 전방에는, 로드 로크(load lock)(56)이 설치되어 있다. 로드 로크(56)은, 기판 반송기(60)가 대기 환경의 반송 통로(50)으로부터 진공 환경의 각 처리실(20, 30, 40)에 기판(52)를 도입하기 전에, 대기가 각 처리실(20, 30, 40)에 유입하지 않게 예비 배기를 실시한다. 또, 이온 주입실(20), 애싱실(30), CVD실(40), 후술하는 전방종로(前方縱路)(50a), 후술하는 하방횡로(下方橫路)(50d) 및 로드 로크(56)은, 각각 연결부(58)을 개재하여 기밀하 게 연결되어 있다. 도 1에는 도시되어 있지 않지만,각 처리실(20, 30, 40) 및 로드 로크(56)을 연결하는 연결부(58)에는, 진공 밸브로 되는 구분 밸브 가 존재하고 있다.

반송 통로(50)은, 전방종로(50a)와, 후방종로(後方縱路)(50b)와, 상방횡로(上方橫路)(50c)와, 하방횡로(50d)를 가지고 있고, 일방의 로드 로크(56)과 타방의 로드 로크(56)이 무종단이 되도록 환 모양으로 연결되어 있다(도1 참조). 전방종로(50a), 후방종로(50b), 상방횡로(50c) 및 하방횡로(50d)는, 모두 단면 사각형의 통모양을 나타내고 있다. 전방종로(50a)는, CVD실(40)의 전방에 배치되는 로드 로크(56) 보다 더욱 전방에 입설(立設)되어 있다. 전방종로(50a)의 하방부는, 연결부(58)을 개재하여 로드 로크(56)과 연결되어 있다. 후방종로(50b)는, 전방종로(50a)와 대향(對向)하듯이, 이온 주입실(20)의 전방에 입설되어 있다. 시점부(54)는, 예를 들면, 후방종로(50b)의 하방부에 설치되어 있다. 상방횡로(50c)는, 전방종로(50a)와 후 방종로(50b)의 상부를 가로 방향으로 향해 연결하고 있다. 하방횡로(50d)는, 이온 주입실(20)의 후방에 배치되는 로드 로크(56)과 후방종로(50b)의 하방부와의 사이를 가로 방향으로 향해 연결하고 있다. 또, 기판 반송기(60)은, 예를 들면, 각 처리실(20, 30, 40) 및 반송 통로(50)의 내부에 소정의 간격을 두고 복수 배치되어 있다.

다음에, 기판 반송기(60)의 구성에 대해 설명한다.

도 3은, 기판 반송기(60)의 구성을 나타내는 도이며, (A)는, 그 측면도이고, (B)는, (A) 중의 B-B선으로 절단한 단면도이다.

도 3에 나타내듯이, 기판 반송기(60)은, 기판(52)를 유지하는 기판 홀더(62)와, 기판 홀더(62)를 구동시키는 구동 기구인 구동용 롤러(64)를 가진다.기판 홀더(62)는, 윗쪽에서 좌우에 돌출하는(도3(B) 참조) 철부(凸部)(65)와, 대략 평판 모양의 평판부(66)을 가지고 있고, 그 단면 모양은 대략 T자 모양의 형태를 가지고 있다. 또, 평판부(66)의 대략 중앙에는, 좌우 방향으로 관통하는 3개의 원형 구멍(67)이 설치되어 있다. 이 원형 구멍(67)은, 정삼각형의 3개의 정점에 대응하는 위치에 설치되어 있다. 또, 평판부(66)중의 각 원형 구멍(67)의 외연부(外緣部)에는, 기판(52)를 유지하기 위한 기판 클램프(68)이 설치되어 있다. 기판 클램프(68)은, 원형 구멍(67)의 내벽중의 사각형의 대각(對角)하는 4개의 위치에 설치되어 있다. 원반 모양의 형태를 가지는 기판(52)는, 원형 구멍(67)의 내부에 납입되고 또, 그 외주부 근방이 기판 클램프(68)에 협지(狹持)되는 것에 의해서, 기판 홀더(62)에 유지된다. 기판(52)가 기판 홀더(62)에 유지된 상태에서는, 기판(52)의 표리(表裏)의 면은, 기판 홀더(62)의 ZX평면과 대략 평행되는 면상에 위치한다.

구동용 롤러(64)는, 기판 홀더(62)의 하단부에서 전후에 줄서듯이, 예를 들면, 4개 설치되어 있고, 이 구동용 롤러(64)가 회전하는 것에 의해, 기판 홀더(62)가 전후방향으로 이동한다. 또, 불도시의 제어장치에 의해서 구동용 롤러(64)의 회전 제어를 실시하는 것에 의해, 기판 반송기(60)의 이동이 제어된다.

다음에, 이온 주입실(20)의 구성에 대해서, 도 4에 근거해 설명한다. 도4는,도 1중의 C-C선에 따라서 절단한 이온 주입실의 단면도이다.

도4에 나타내듯이, 이온 주입실(20)은, 프로세스 가스(process gas)를 제어해 분출시키는 MFC(Mass Flow Controller)(21)과, 이온을 생성하고, 생성량을 조절하여 확산시키는 이온 발생장치(23)과, 이온의 퍼짐 및 에너지를 조절하는 가속 전극부(24)와, 기판 반송기(60)이 수납되는 기판 수납부(25)와,기판 반송기(60)을 유지하는 기판 유지부(26)과, 이온 주입실(20)내의 잔류 가스를 외부에 배출하는 진공 배기 펌프(27)을 주로 가진다.

MFC(21), 이온 발생장치(23) 및 가속 전극부(24)는, 기판 수납부(25)의 좌우 에 각각 설치되어 있다. MFC(21)는, 불도시의 프로세스 가스 공급원으로부터 이온 발생장치(23)에 도입되는 프로세스 가스의 량을 조절한다.MFC(21)과 이온 발생 장치(23)는, 튜브(28)에 의해서 접속되고, 이 튜브(28)을 개재시켜 MFC(21)로부터 이온 발생장치(23)에 프로세스 가스가 공급 된다. 이온 발생장치(23)은, 공급된 프 로세스 가스에 근거하여 이온을 발생시키고, 이온량 및 그 공간 분포를 조절한다. 또한, 가속 전극부(24)에서는, 이러한 이온을 예를 들면, 20 kｖ이상 30 kｖ이하의 전압으로 분출해 가속시킨다. 이와 같이 하여, 가속된 이온은, 이온빔(ion beam)으로서 이온 발생장치(23) 및 가속 전극부(24)로부터 기판(52)에 주입된다.

기판 유지부(26)은, 기판 수납부(25)의 상부에서 Y₁Y₂ 방향의 중앙에 설치되어 있다. 기판 유지부(26)의 하단면에는, 윗쪽으로 향해 전후방향에 잘린 계합구부(係合溝部)(26a)가 설치되어 있다. 이 계합구부(26a)에 기판 홀더(62)의 철부(65)가 비접촉으로 계합하는 것에 의해서, 기판 홀더(62)가 이온 주입실(20)의 대략 중앙부에 유지된다. 그리고, 기판 홀더(62)에 유지된 기판(52)에 향해 이온빔을 조사하는 것으로써, 이온 주입이 된다. 또, 이온 주입이 된 후의 기판 수납부(25)내의 가스는, 진공 배기 펌프(27)에 의해서 외부에 배출된다.

다음에, 애싱실(30)의 구성에 대해 도 5에 근거해 설명한다. 도5는, 도 1중의 D-D선에 따라서 절단한 애싱실(30)의 단면도이다.

도 5에 나타내듯이, 애싱실(30)은, MFC(21)과, 플라스마를 발생 및 확산시키 는 플라스마 발생장치(32)와, 이온 주입실(20)으로부터 반송되어 오는 기판 반송기(60)을 수납하는 기판 수납부(34)와, 기판 유지부(26)과, 진공 배기 펌프(27)과, 컨덕턴스 가변 밸브(35)를 주로 가진다.

MFC(21) 및 플라스마 발생장치(32)는, 기판 수납부(34)의 좌우에 각각 설치 되어 있다. 플라스마 발생장치(32)에는, MFC(21)에서 제어된 적당량의 프로세스 가스가 불도시의 프로세스 가스 공급원으로부터 공급된다. 애싱용의 프로세스 가스 로서는, 일반적으로 사용되고 있는 산소계 혹은 불소계의 단일 가스 또는, 그들의 혼합 가스를 사용할 수 있다. MFC(21)과 플라스마 발생장치(32)는 튜브(36)에 의해서 접속되고,이 튜브(36)을 개재시켜 MFC(21)로부터 플라스마 발생장치(32)에 프로세스 가스가 공급된다. 플라스마 발생장치(32)에서는, 공급된 프로세스 가스가 고주파에 의해 여기(勵起)되어 플라스마가 생성되고, 생성된 플라스마는 기판 수납부(34)의 중앙으로 향해 확산된다. 이것에 의해, 기판 유지부(26)에 의해서 유지된 기판(52)에 플라스마가 조사되어, 기판(52)상의 레지스트(resist) 등이 애싱된다. 또한, 애싱이 된 후의 기판 수납부(34)내의 가스는, 진공 배기 펌프(27)에 의해서 외부에 배출된다. 또, 진공 배기 펌프(27)과 기판 수납부(34)와의 사이에 컨덕턴스 가변 밸브(35)를 배설(配設)하는 것에 의해, 진공 배기 펌프(27)로부터 배기되는 실효 배기 속도가 제어되어, 기판 수납부(34)내의 분압(分壓)이 제어되고 있다. 또, 애싱실(30)중의 기판 유지부(26)에는, 이 기판 유지부(26)에 유지되는 기판 홀더(62)에 기판 바이어스를 인가(印加)하는 것이 가능한 불도시의 바이어스 인가용 전원이 접속되어 있다. 그리고, 기판 홀더(62)의 기판 바이어스를 제어하는 것에 의해서, 기판(52)에 조사되는 플라스마의 에너지를 제어할 수 있다.

다음에, CVD실(40)의 구성에 대해 도 6에 근거해 설명한다. 도 6은, 도1중 의 E-E선에 따라서 절단한 CVD실(40)의 단면도이다.

도 6에 나타내듯이, CVD실(40)은, MFC(21)과, 기판 수납부(44)내에 설치된 평판 전극(41)과, 애싱실(30)으로부터 반송되어 오는 기판 반송기(60)을 수납하는 기판 수납부(44)와, 기판 유지부(26)과, 진공 배기 펌프(27)과, 컨덕턴스 가변 밸브(35)를 주로 가진다.

MFC(21) 및 평판 전극(41)은, 기판 수납부(44)의 좌우에 각각 설치되어 있다. 평판 전극(41)에는, 불도시의 고주파 전원을 개재시켜 고주파 전력이 각각 인가된다. 또, 기판 수납부(44)에는, MFC(21)에 의해서 제어된 적당량의 프로세스 가스가 불도시의 프로세스 가스 공급원으로부터 공급된다. 게다가, 기판 유지부(26)은 접지 전위(接地電位)에 접속되어 있고, 이 기판 유지부(26)에 유지되는 기판 홀더(62) 에는, 기판 바이어스를 인가하는 것이 가능한 불도시의 바이어스 인가용 전원이 접속되어 있다. 그리고, 기판 홀더(62)의 기판 바이어스를 제어하는 것에 의해서, 성막 성능(成膜性能)을 제어하고 있다. CVD용의 프로세스 가스로서는, 일반적으로 사용되고 있는 탄소계 혼합 가스를 사용할 수 있다. MFC(21)과 기판 수납부(44)는 튜브(46)에 의해서 접속되고,이 튜브(46)을 개재시켜 MFC(21)로부터 기판 수납부(44)에 프로세스 가스가 도입된다. 여기서, 고주파 전력이 평판 전극(41)에 인가 되면, MFC(21)로부터 기판 수납부(44)에 도입된 프로세스 가스가, 기판 홀더(62)와 평판 전극(41)과의 사이에서 방전(放電)하여, 기판 수납부(44)내에서 플라스마화된다. 이 플라스마화된 프로세스 가스가, 기판 유지부(26)에 의해서 기판 수납 부(44)의 중앙에 유지된 기판(52)의 표면에 도달하여, 기판(52)상에 소망한 박막이 형성된다. 또한, 성막 후의 기판 수납부(44)내의 가스는, 진공 배기 펌프(27)에 의해 외부에 배출된다. 또, CVD실(40)중의 기판 유지부(26)에는, 이 기판 유지부(26)에 유지되는 기판 홀더(62)에 기판 바이어스를 인가하는 것이 가능한 불도시의 바이 어스 인가용 전원이 접속되어 있다. 그리고, 기판 홀더(62)의 기판 바이어스를 제어하는 것에 의해서, 기판(52)에 형성되는 박막의 특성을 제어할 수 있다.

다음에, 자기기록매체 제조장치(10)를 이용해 자기기록매체(70)을 제조하는 일련의 공정에 대해 설명한다.

도 7은, 자기기록매체 제조장치(10)를 이용해 자기기록매체(70)을 제조하는 공정을 설명하는 도이며, (A)는, 이온 주입을 설명하기 위한 단면도이고, (B)는, 이 온 주입후의 레지스트막이 붙은 기판(80)의 단면도이며,(C)는, 애싱 처리 후의 자기 기록층을 가지는 기판(84)의 단면도이고,(D)는, 자기기록매체(70)의 단면도 이 다.

우선, 도 7(A)에 나타내는 처리 기판(73)상에 자성막(72), 보호막(74) 및 레지 스트막(76)이 차례로 미리 적층(積層)되어 있는 레지스트막이 붙은 기판(71)을, 도 1에 나타내는 시점부(54)에서, 이재기(移載機)를 이용해 기판 반송기(60)에 세트 한다. 레지스트막이 붙은 기판(71)을 기판 반송기(60)에 세트하는 것은, 상술한 것처럼, 기판 홀더(62)에 레지스트막이 붙은 기판(71)을 유지시키는 것으로 된다. 또한, 레지스트막이 붙은 기판(71)의 외형은, 처리 기판(73)과 같게, 대략 원반 모양의 형태를 가지고 있다. 처리 기판(73)으로서는, 예를 들면, 알루미늄 합금 기판, 실리콘 유리 기판등의 비자성 기판이 이용된다. 또, 자성막(72)는, 자기이방성(磁氣異方性)이 높은 규칙 구조를 가지는 것이 바람직하다. 보호막(74)는, 예를 들 면, 다이아몬드 라이크 카본(diamond like carbon)등을 재료로 하는 코딩막이다. 레지스트막(76)은, 소정의 패턴에 레지스트가 실시된 박막이다.

기판 반송기(60)에 레지스트막이 붙은 기판(71)이 세트되면, 기판 반송기(60)은, 도 1중의 하방횡로(50d)를 통과하여, 로드 로크(56)에 도달한다. 로드 로크(56)내의 기압이 이온 주입실(20)내의 기압에 크게 영향을 주지 않는 압력까지, 진공 배기된 후, 로드 로크(56)이 열린 상태인 경우, 기판 반송기(60)은 로드 로크(56)을 통과하여, 이온 주입실(20)으로 이동한다. 그리고, 기판 반송기(60)은, 이온 주입실(20)내의 기판 유지부(26)에 계합하는 것으로, 이온 주입실(20)의 대략 중앙에 유지된다. 다음에, 이온 발생장치(23)으로부터, 레지스트막이 붙은 기판(71)의 표면에 이온빔(77)을 조사해, 이온 주입을 한다(도7(A) 참조). 레지스트막이 붙은 기판(71)의 표면에 이온 주입이 되면, 도7(B)에 나타내듯이, 레지스트막(76)의 개구 영역(開口領域)을 통과해 이온 주입이 이루어진 주입 부분(注入部分)(78)의 자기력이 감소한다.

다음에, 기판 반송기(60)은, 도 1중의 연결부(58)을 개재하여, 이온 주입실(20)으로부터 애싱실(30)으로 이동한다. 그리고, 기판 반송기(60)은, 애싱실(30)내 의 기판 유지부(26)에 계합하는 것으로, 애싱실(30)의 대략 중앙에 유지된다. 다음에, 플라스마 발생장치(32)로부터, 이온 주입이 이루어진 레지스트막이 붙은 기판(80)의 표면에 플라스마를 조사하여, 레지스트막(76) 및 보호막(74)를 애싱해 제거한다. 그러면, 도 7(C)에 나타내듯이,처리 기판(73)상에 소정의 자기 특성을 가지는 특질 자성막(特質磁性膜)(82)가 적층된, 자기 기록층을 가지는 기판(84)가 형성된다.

다음에, 기판 반송기(60)은, 도1중의 연결부(58)을 개재하여, 애싱실(30)으로 부터 CVD실(40)으로 이동한다. 그리고, 기판 반송기(60)은, CVD실(40)내의 기판 유지부(26)에 계합하는 것에 의해, CVD실(40)의 대략 중앙에 유지된다. 다음에, 평 판 전극(41)에 고주파 전력을 인가시킴과 동시에, 기판 수납부(44)에 프로세스 가 스를 공급하는 것으로, 이 공급된 프로세스 가스를 기판 수납부(44)내에서 플라 스마화시킨다. 이 플라스마화 된 프로세스 가스가 자기 기록층을 가지는 기판(84)에 조사되어, 자기 기록층을 가지는 기판(84)상에 평탄한 표면을 가지는 CVD 보호 막(86)이 형성된다. 이와 같이 하여, 도 7(D)에 나타내 보이는, 자기 기록층을 가지는 기판(84)상에 CVD 보호막(86)이 적층된 자기기록매체(70)이 제조된다.

다음에, 자기기록매체(70)을 유지한 기판 반송기(60)은, 로드 로크(56)내의 압력이 대기압과 동등하게 되면, 로드 로크(56)을 통과하여, 전방종로(50a)로 이동한다. 게다가, 기판 반송기(60)은, 전방종로(50a)로부터 상방횡로(50c)를 개재시켜, 후방종로(50b)로 이동하는 것으로, 자기기록매체(70)이 시점부(54)에 반송된다. 그리고, 시점부(54)에서, 이재기를 이용해 기판 반송기(60)으로부터 자기기록매체(70)을 떼어내는 것으로, 이 자기기록매체(70)을 자기기록매체 제조장치(10)으로 부터 꺼내는 것이 가능해진다.

이상과 같이 구성된 자기기록매체 제조장치(10)에서는, 이온 주입실(20)과 애싱실(30), 및, 애싱실(30)과 CVD실(40)이 진공상태로 연결되어 있기 때문에, 이온 주입, 애싱 및 CVD의 공정을 외기(外氣)에 접촉하는 일이 없이 연속 처리하는 것이 가능해진다. 따라서, 대기의 나쁜 영향을 받아, 자기기록매체(70)이 품질 열화(品質劣化)하는 것을 방지할 수 있다.

또, 자기기록매체 제조장치(10)에서는, 기판(52)의 표면에 CVD 보호막(86)을 형성할 수 있다. 이 때문에, 자기기록매체(70)의 상처(傷)에 의한 손상을 방지하는 것이 가능해짐과 동시에, 대기의 나쁜 영향을 받아, 자기기록매체(70)이 품질 열화하는 것을 확실히 방지할 수 있다.

또, 자기기록매체 제조장치(10)에서는, 기판(52)는, 기판 반송기(60)에 유지된 상태로 처리실(20, 30, 40)에 반송된다. 따라서, 기판(52)는, 진행 방향(進行方向)에 대해서 가로 방향이 기판 홀더(62)에 대해 노출한 상태로 반송된다. 이 때문에, 반송되어 온 기판 반송기(60)을 각 처리실(20, 30, 40)내에서 유지하는 것만으로, 기판(52)를 처리 가능한 상태에 세트 하는것이 가능해진다.

이상, 본 발명의 일 실시의 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 상술의 형태에 한정되는 일 없이, 여러 가지 변형한 형태에서 실시 가능하다.

상술의 실시의 형태에서는, 반송 통로(50)을, 처리실(20, 30, 40)에 대해서 세로 방향의 환 모양이 되듯이 설치했지만, 세로 방향 외에, 예를 들면, 가로 방향의 환 모양으로 설치하도록 해도 좋다. 또, 자기기록매체 제조장치(10)을 환 모양의 인라인식으로 설치하지 않도록 해도 좋다.

또, 상술의 실시의 형태에서는, 기판 반송기(60)을 구동용 롤러(64)에 의해 구동하는 구성으로 했지만, 이러한 구성에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 자기기록매체 제조장치(10)에 라인을 설치하고, 이 라인에 따라서 이동하는 것과 같은 다른 구성이라고 해도 좋다. 또, 상술의 실시의 형태에서는, 기판 반송기(60)에 의해서 한번에 유지되는 기판(52)의 수는 3개이지만, 그 개수는 3개에 한정되는 것이 아니고, 2개 이하라고 해도 좋고, 4개 이상이라고 해도 좋다.

또, 상술의 실시의 형태에서는, 처리실(20, 30, 40)에서, 기판 반송기(60)을 기판 유지부(26)에 계합시켜 유지하고 있지만, 기판 반송기(60)을 각 처리실(20, 30, 40)내에서 유지하는 방법은, 계합 고정에 한정되는 것은 아니고, 다른 방법에 의해서, 유지하도록 해도 좋다.

또, 상술의 실시의 형태에서는, 단원자(單原子)의 이온빔을 채용하고 있지만, 이온빔의 종류는 단원자에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 복수의 원자가 모여 한 덩어리(一塊)가 된 클러스터 이온빔(cluster ion beam)을 채용하도록 해도 좋 다.

또, 상술의 실시의 형태에서는, 이온 주입실(20), 애싱실(30) 및 CVD실(40)이 연속해 연결되고 있지만, 이러한 처리실(20, 30,40)의 사이에, 기판(52)를 전처리 가열(前處理加熱) 또는, 냉각하기 위한 처리실을 설치하도록 해도 좋다. 게다가, 처리실(20, 30, 40)내의 압력을 조정하기 위한 버퍼(buffer)실을 설치하도록 해도 좋 다.

또, 상술의 실시의 형태에서는, CVD실(40)에서, 평판 전극(41)에 고주파 전 력을 인가해 플라스마를 발생시키고 있지만, 평판 전극(41)의 대신에, 루프(loop) 모양의 유도 결합형(誘導結合型) 안테나를 배치하고, 이 안테나에 고주파 전력을 인가하는 것으로써, 유도 결합형의 고주파 플라스마를 생성하도록 해도 좋다.

본 발명의 자기기록매체 제조장치는, 반도체를 사용하는 각종 전자 산업에서 이용할 수 있다.

10:자기기록매체 제조장치
20:이온 주입실
30:애싱실
32:플라스마 발생장치
40:CVD실
41:평판 전극(평행 평판 전극)
60:기판 반송기
62:기판 홀더
64:구동용 롤러(구동 기구)
70:자기기록매체(기판)
71:레지스트막이 붙은 기판(기판)
76:레지스트막
80:레지스트막이 붙은 기판(기판)
86:CVD 보호막(박막)

Claims

자기 기록층을 가지는 기판에 이온빔을 주입한 후, 이 이온빔 주입후의 자기 기록층을 가지는 기판의 표면의 레지스트막 또는 메탈 마스크를 애싱에 의해 제거해 자기기록매체를 제조하는 자기기록매체 제조장치이며,
이온을 생성하는 이온원으로부터 소망한 이온종을 꺼내, 소망한 에너지에 가 속하여, 레지스트막 또는 메탈 마스크가 도포된 자기 기록층을 가지는 기판에 이 온빔을 주입하는 이온 주입실과,
플라스마를 발생 및 확산시키는 플라스마 발생장치를 구비하며, 상기 레지스 트막 또는 메탈 마스크가 도포된 자기 기록층을 가지는 기판중의 적어도 상기 레 지스트막 또는 메탈 마스크를, 상기 플라스마 발생장치에 의해서 확산된 플라스마에 의해 애싱해 제거하는 애싱실을 가지고,
상기 이온 주입실과 상기 애싱실은, 진공 밸브를 개재시켜 진공 상태로 연결 됨과 동시에, 상기 이온빔 주입후의 기판을 상기 이온 주입실로부터 상기 애싱실 에 반송하는 기판 반송기를 구비하는 것을 특징으로 하는 자기기록매체 제조장치.
제1항에 있어서,
게다가, 평행 평판 전극 또는 유도 결합형 안테나에 고주파 전력을 인가해 플라스마를 발생시켜, 전기 애싱 후의 자기 기록층을 가지는 기판의 표면에 박막을 형성하는 CVD실을 가지고,
전기 애싱실과 상기 CVD실은, 진공 밸브를 개재시켜 진공 상태로 연결됨과 동시에, 전기 애싱 후의 자기 기록층을 가지는 기판은 전기 기판 반송기에 의해 전기 애싱실로부터 상기 CVD실에 반송되는 것을 특징으로 하는 자기기록매체 제조장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,
전기 기판 반송기는, 전기 기판을 유지하기 위한 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 구동시키는 구동 기구를 가지는 것을 특징으로 하는 자기기록매체 제조장치.