KR20110031911A

KR20110031911A - Ｒｆ 동축 컨넥터

Info

Publication number: KR20110031911A
Application number: KR1020107027522A
Authority: KR
Inventors: 구앙롱 지; 클로드 브로체톤
Original assignee: 라디알
Priority date: 2008-07-22
Filing date: 2009-07-22
Publication date: 2011-03-29
Also published as: CN101330181B; US8016614B2; WO2010010524A1; EP2304852B1; CN101330181A; US20110117778A1; EP2304852A1; KR101604478B1

Abstract

본 발명은 소켓과 어댑터를 포함하는 RF 동축 컨넥터를 개시한다. 소켓은 외부 전도체와 중앙 전도체를 포함한다. 어댑터는 소켓에 삽입될 수 있는 플러그를 포함한다. 또한, 어댑터는 소켓의 외부 전도체 및 중앙 전도체와 각각 접촉할 수 있는 외부 전도체 및 중앙 전도체를 더 포함한다. 덤벨형 제1 절연체는 어댑터의 플러그 안에 배치되고 어댑터의 외부 전도체 및 중앙 전도체 사이에 채워진다. 제1 절연체의 중간부와 어댑터의 외부 커넥터 사이에 환형 갭이 형성되도록 제1 절연체는 2개의 단부들 보다 좁은 중간부를 포함함으로써 플러그와 소켓의 연결 구역들에서 상이한 임피던스 구역들을 형성한다. 따라서, 컨넥터 성능에 대한 높은 임피던스 구역의 역효과를 감소시키고 제품의 전기 및 RF 성능을 향상시키기 위하여 높은 임피던스 구역과 낮은 임피던스 구역은 서로 보상할 수 있다. 종래 기술과 비교할 때, 본 발명의 컨넥터는 더 큰 축방향 오프셋을 허용한다.

Description

ＲＦ 동축 컨넥터{RF COAXIAL CONNECTOR}

본 발명은 RF 동축 컨넥터에 관한 것이다.

RF 동축 컨넥터는 회로기판들 사이, RF 모듈들 사이, 또는 회로기판과 RF 모듈 사이의 상호연결을 제공하기 위해 사용된다. 이러한 응용에 있어서, 요소들의 제조를 용이하게 하고 제조 비용을 경감하기 위하여, 연결된 2개의 요소들의 상대적인 위치 사이에 허용가능한 공차가 증가하는 경향이 있다.

현재, 회로기판들 사이에 축방향 및 반경방향 오프셋을 허용하는 몇몇의 회로기판 상호연결 기술들이 있다. 가장 오래된 기술은 회로기판들을 상호 연결하기 위하여 소켓과 플러그를 구비하는 SMB 및 MCX 컨넥터와 같은 표준 스냅-온(snap-on) 컨넥터에 기반한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이러한 컨넥터에서, 내부 전도체들과 외부 전도체들은 제한된 축방향 오프셋을 허용하는 지그재그형(staggered) 핀 및 삽입 구멍 배열을 갖는다. 내부 전도체와 외부 전도체의 탄성적인 삽입 구멍들은 극도로 작은 축방향 및 반경방향 오프셋만을 허용할 수 있기 때문에 회로기판에 배치되는 컨넥터들의 수가 3쌍을 넘지 않는다. 이러한 단점을 극복하기 위하여, 다른 회로기판 연결 기술은 중간 연결 요소로 시중의 MMBX 및 SMP 시리즈와 같은 어댑터를 사용한다. 어댑터는 회로기판에 고정된 소켓에 대해 약간의 회전을 가질 수 있으므로, Lsin(α)의 반경방향 오프셋을 허용한다. 여기서, "L"은 어댑터의 길이이고, "α"는 어댑터의 회전 각도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 사이의(board-to-board) 최대 거리(H)를 갖는 SMP 컨넥터의 축방향 오프셋 및 반경방향 오프셋 각도는 각각 ±0.3 mm 및 ±4°이고, MMBX 컨넥터의 축방향 오프셋 및 반경방향 오프셋 각도는 각각 ±0.70 mm 및 ±4.5°이다. 상기 컨넥터들의 RF 전기적 성능은 컨넥터들의 상호연결 인터페이스에서 임피던스 정합(match)의 정도에 따라 좌우된다. 연결 인터페이스에서 에어 갭은 그 구역의 높은 임피던스의 원인이 된다.

또한, 축방향 거리(H)에 따른 공차가 최소인 경우 충분히 큰 오프셋 각도를 보장하기 위하여, 중앙 컨넥터들이 각도 오프셋을 가질 때 과도한 응력이 발생하지 않도록 중앙 컨넥터들의 핀과 삽입 구멍 사이의 결합 거리는 가능하면 작아야 하지만, 이는 기판 사이의 거리(H)를 갖는 컨넥터들의 축방향 오프셋의 증가를 제한한다.

상기 단점에 따라, 본 발명의 실시예는 더 큰 축방향 오프셋을 허용하고 우수한 RF 전기성능을 달성하는 RF 동축 컨넥터를 제공한다.

본 발명의 실시예는 소켓과 어댑터를 포함하는 RF 동축 컨넥터를 제공한다. 소켓은 외부 전도체와 중앙 전도체를 포함할 수 있다. 어댑터는 소켓에 삽입될 수 있는 플러그를 포함할 수 있다. 어댑터는 소켓의 외부 전도체 및 중앙 전도체와 각각 접촉하도록 구성되는 외부 전도체 및 중앙 전도체를 더 포함할 수 있다. 덤벨형 제1 절연체는 어댑터의 플러그 안에 배치되고 어댑터의 외부 전도체 및 중앙 전도체 사이에 채워질 수 있으며, 제1 절연체는 2개의 단부들 및 2개의 단부들 보다 좁은 중간부를 포함함으로써 제1 절연체의 중간부와 어댑터의 외부 커넥터 사이에 환형 갭을 형성할 수 있다.

그러한 덤벨형 제1 절연부는 연결 인터페이스에서 에어 갭이 변할 때 임피던스 보상 효과를 달성할 수 있게 하며, 에어 갭의 변화량은, 예를 들면, 0 내지 2 mm이다.

본 발명의 실시예에 의해 제공되는 제1 절연체와 관련된 임피던스는 50Ω보다 훨씬 작을 수 있다.

제1 절연체는 세로축을 따라 연장하고, 상기 세로축에 수직인 미드플레인(midplane)을 선택적으로 구비할 수 있다.

플러그가 소켓에 삽입될 때 제1 절연체의 제1 단부는 소켓을 향하고, 50Ω보다 작은 임피던스, 예를 들면 40Ω 내지 49Ω, 특히 48Ω 내지 49Ω의 임피던스를 가질 수 있다.

제1 절연체의 중간부의 임피던스 값은 50Ω과 실질적으로 동일할 수 있다.

본 발명의 실시예에서, 제1 절연체의 제1 단부는 50Ω보다 작은, 예를 들면, 48Ω 내지 49Ω의 임피던스를 갖고, 제1 절연체의 중간부, 및 플러그가 상기 소켓에 삽입될 때 소켓으로부터 이격되는 제1 절연체의 제2 단부는 약 50Ω의 임피던스 값을 갖는다. 상기 제2 단부는 외부 전도체 및/또는 중앙 전도체의 직경의 함수를 기준으로 50Ω로부터 약간 변화하는 임피던스 값을 가질 수 있다.

제1 절연체의 각각의 단부는 선택적으로 제1 절연체의 세로축을 따라 실질적으로 동일한 길이에 걸쳐 연장할 수 있다.

제1 절연체의 중간부의 길이와 상기 제1 절연체의 단부, 예를 들면, 제1 단부의 길이 사이의 비율은 2 내지 10, 특히 3 내지 7이다.

제1 절연체의 제1 단부 및 중간부는 동일한 내경을 가질 수 있다.

제1 절연체의 제2 단부는 중간부의 내경 보다 작은 내경을 가질 수 있으며, 이는 상기 제2 단부가 더 작은 외경을 갖는 중앙 전도체의 일부분을 수용할 수 있게 한다.

제1 절연체는 플러그의 외부 전도체를 넘어 축방향으로 연장할 수 없으며, 이는 제1 절연체가 소켓의 표면과 접하지 못하게 함으로써 제1 절연체를 보호한다.

제1 절연체의 제2 단부는 전체적으로 플러그의 외부 전도체 안에 위치될 수 있으므로, 예를 들면 과도한 반경방향 힘(radial force)에 대해서 중앙 전도체를 보호할 수 있다.

플러그의 중앙 전도체는 제1 절연체의 양쪽 단부들을 따라 연장하며 상기 제1 절연체의 중간부를 따라 연장할 수 있다.

중앙 전도체는 소켓을 향해 제1 절연체를 넘어 연장할 수 없다.

소켓의 외부 전도체는 내부 구멍을 구획하는 관형 위치(position)를 포함할 수 있다. 쇼울더부는 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍 안에 배치되고 내부 구멍의 중앙을 향해 연장할 수 있다.

또한, 제2 절연체는 소켓의 후단에 배치되고 소켓의 외부 전도체와 중앙 전도체 사이에 채워질 수 있으며, 제2 절연체의 전단 표면은 쇼울더부의 전단 표면과 동일 평면일 수 있다.

본 발명의 실시예에 있어서, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B)은 3.65 mm 내지 4.05 mm이고, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 깊이(I)는 2.3 mm 내지 3.3 mm이며, 쇼울더부의 내부 구멍의 직경(G)은 2.3 mm 내지 2.7 mm이고, 쇼울더부의 너비(E)는 0.2 mm 내지 0.6 mm이며, 소켓의 중앙 전도체의 직경(A)은 0.66 mm 내지 1.06 mm이고, 어댑터의 외부 전도체의 내경(D)은 3.0 mm 내지 3.4 mm이고, 어댑터의 내부 전도체의 외경(C)은 1.07 mm 내지 1.47 mm이며, 제1 절연체의 단부들의 너비(F)는 0.6 mm 내지 1.0 mm이고, 제1 절연체의 중간부의 외경(J)은 1.6 mm 내지 2.0 mm이다.

특히, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B)은 3.85 mm이고, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 깊이(I)는 2.8 mm이며, 쇼울더부의 내부 구멍의 직경(G)은 2.5 mm이고, 쇼울더부의 너비(E)는 0.4 mm이며, 소켓의 중앙 전도체의 직경(A)은 0.86 mm이고, 어댑터의 외부 전도체의 내경(D)은 3.2 mm이고, 어댑터의 내부 전도체의 외경(C)은 1.27 mm이며, 제1 절연체의 단부들의 너비(F)는 0.8 mm이고, 제1 절연체의 중간부의 외경(J)은 1.8 mm일 수 있다.

본 발명은 아래의 유리한 효과들을 달성할 수 있다. 덤벨형 제1 절연체가 어댑터의 플러그 안에 배치될 때, 플러그와 소켓의 연결 구역들에서 상이한 임피던스 구역들이 형성될 수 있다. 연결 요소들 사이에 커다란 축방향 오프셋 거리가 존재할 때, 연결 인터페이스에 더 큰 에어 갭이 나타남으로써 높은 임피던스 구역을 형성할 수 있다. 한편, 제1 절연체의 단부는 낮은 임피던스 구역을 형성하고, 제1 절연체의 중간부와 어댑터의 외부 전도체 사이의 환형 갭은 정상 임피던스 구역을 형성할 수 있다. 높은 임피던스 구역과 낮은 임피던스 구역은 서로 보상할 수 있기 때문에, 컨넥터 성능에 대한 높은 임피던스 구역의 역효과가 경감되고 제품의 전기 및 RF 성능이 향상될 수 있다. 따라서, 종래 기술과 비교할 때, 본 발명의 RF 동축 컨넥터는 더 큰 축방향 오프셋(> 1 mm)을 허용하고, 연결 인터페이스에서 에어 갭으로 인한 임피던스 부정합(mismatch)을 감소시키며, 0 내지 6 GHz의 주파수 범위에 걸쳐 바람직한 RF 전기 성능을 달성할 수 있다.

또한, 쇼울더부 구역에 낮은 임피던스 구역이 형성될 수 있다. 따라서, 높은 임피던스 구역의 양측에 낮은 임피던스 구역이 형성됨으로써 보상 효과를 향상시킬 수 있다.

도 1은 종래의 스냅-온 동축 컨넥터의 구조를 나타낸다.
도 2는 어댑터를 구비한 종래의 동축 컨넥터의 구조를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 따른 동축 컨넥터의 구조를 나타낸다.
도 4는 본 발명에 따른 제1 절연체의 구조를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 동축 컨넥터에서 상이한 임피던스의 구역별 분포를 나타낸다.
도 6은 종래 컨넥터의 VSWR(전압 정재파 비) 곡선을 나타낸다.
도 7은 본 발명에 따른 컨넥터의 VSWR 곡선(매개변수 최적화 전)을 나타낸다.
도 8은 본 발명에 따른 컨넥터의 VSWR 곡선(매개변수 최적화 후)을 나타낸다.

아래의 실시예는 본 발명을 설명하기 위해 제공되며, 이 명세서의 내용을 읽어 본 후 여기의 장점 및 효과 뿐만 아니라 기타 장점 및 효과들도 당업자에게 분명해질 것이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 RF 동축 컨넥터는 소켓(1) 및 어댑터(2)를 포함한다. 소켓(1)은 외부 전도체(11) 및 중앙 전도체(12)를 포함한다. 어댑터(2)는 어댑터(2)의 하나의 끝단에 위치되며 소켓(1)에 삽입될 수 있는 플러그(20)를 포함한다. 어댑터(2)는 외부 전도체(21) 및 중앙 전도체(22)를 더 포함한다. 플러그(20)가 소켓(1)에 삽입될 때, 어댑터(2)의 외부 전도체(21) 및 중앙 전도체(22)는 소켓(1)의 외부 전도체(11) 및 중앙 전도체(12)와 각각 접촉한다.

세로축(X)을 따라 연장하는 덤벨형 제1 절연체(4)는 어댑터의 플러그(20) 안에 위치된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 절연체(4)는 제1 단부(41a), 제2 단부(41b), 및 2개의 단부들(41a)(41b) 보다 좁은 중간부(42)를 포함한다. 제1 절연체의 중간부와 어댑터의 외부 전도체 사이에 환형 갭(5)이 형성되도록 제1 절연체(4)는 소켓의 외부 전도체(11)와 중앙 전도체(12) 사이에 채워지며, 환형 갭(5)은 정상 임피던스 구역(도 5의 V 구역)을 형성한다.

쇼울더부(13)는 소켓의 외부 전도체(11)의 내부 구멍 안에 배치되고 내부 구멍의 중앙을 향해 연장한다. 플러그(20)가 소켓(1)에 삽입될 때, 외부 전도체(21)의 끝단 표면이 쇼울더부(13)의 전단 표면에 밀접하게 부착되지 않으면, 쇼울더부(13)와 플러그의 끝단 표면(제1 절연체(4)의 끝단 표면 포함) 사이에 에어 갭이 형성되고, 에어 갭은 컨넥터 성능에 악영향을 끼치는 높은 임피던스 구역(도 5의 T구역)을 형성하는 반면, 제1 절연체의 단부가 위치되는 구역은 낮은 임피던스 구역(도 5의 U구역)을 형성한다. 높은 임피던스 구역(T)과 낮은 임피던스 구역(U)이 서로 인접하므로, 임피던스 부정합을 감소시키고 연결 성능을 향상시키기 위하여 이들 구역들은 서로 보상할 수 있다.

또한, 제2 절연체(3)는 소켓의 후단에 배치되고 소켓의 외부 전도체(11)와 중앙 전도체(12) 사이에 채워진다. 이때, 제2 절연체(3)의 전단 표면은 쇼울더부(13)의 전단 표면과 동일 평면이다. 따라서, 소켓의 단부에 외부 전도체(11)와 중앙 전도체(12) 사이에 정상 임피던스 구역(도 5의 R구역)이 형성되고, 쇼울더부(13)의 내부 구멍과 중앙 전도체(12) 사이에 낮은 임피던스 구역(도 5의 S구역)이 형성된다. 또한, 낮은 임피던스 구역(S구역)은 높은 임피던스 구역(T구역)과 인접하므로, 연결 성능을 향상시키기 위하여 이들 구역들은 서로 보상할 수 있다. 즉, 상호연결 요소들 사이에 더 큰 축방향 오프셋이 존재하면, 연결 인터페이스에서 에어 갭에 의해 형성된 높은 임피던스 구역(T)이 그에 인접한 낮은 임피던스 구역들(S)(U)에 의해 보상되거나 오프셋될 수 있으므로, 축방향 오프셋이 더 큰 경우 임피던스 정합 및 컨넥터의 연결 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 R, S, T, U 및 V는 상이한 임피던스 구역들의 축방향 범위를 나타낸다. 임피던스 구역의 반경 방향 범위는 외부 전도체들과 내부 전도체들 사이에 위치된다.

바람직한 임피던스 정합 성능을 달성하기 위하여, 소켓의 중앙 전도체의 외경(A), 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B), 어댑터의 중앙 전도체의 삽입 구멍의 외경(C), 어댑터의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(D), 쇼울더부의 너비(E), 제1 절연체의 단부들의 너비(F), 및 쇼울더부의 내부 구멍의 직경(G) 및 너비(H)와 같은 매개변수는 최적화될 수 있다. 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B) 및 소켓의 내부 전도체의 외경(A)이 결정된 후, 높은 임피던스 구역의 임피던스 값이 결정될 수 있으며, 높은 임피던스 구역은 유도(inductive) 임피던스를 나타낸다. 최적화된 매개변수들은, 예를 들면, 다음과 같다. 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B)은 3.65 mm 내지 4.05 mm이고, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 깊이(I)는 2.3 mm 내지 3.3 mm이며, 쇼울더부의 내부 구멍의 직경(G)은 2.3 mm 내지 2.7 mm이고, 쇼울더부의 너비(E)는 0.2 mm 내지 0.6 mm이며, 소켓의 중앙 전도체의 직경(A)은 0.66 mm 내지 1.06 mm이고, 어댑터의 외부 전도체의 내경(D)은 3.0 mm 내지 3.4 mm이고, 어댑터의 내부 전도체의 외경(C)은 1.07 mm 내지 1.47 mm이며, 제1 절연체의 단부들의 너비(F)는 0.6 mm 내지 1.0 mm이고, 제1 절연체의 중간부의 외경(J)은 1.6 mm 내지 2.0 mm이다. 높은 임피던스 구역과 낮은 임피던스 구역이 상이한 길이와 형상을 갖고, 2개의 낮은 임피던스 구역들(용량(capacitive) 임피던스를 나타냄)이 상이한 임피던스 값을 가질 때, 3개의 임피던스 구역들의 용량 임피던스 및 유도 임피던스의 보상 뿐만 아니라 지연의 보상이 계산된다. 따라서, 최적의 보상이 도달될 때, 임피던스 구역들의 해당 길이와 형상으로부터 최적화된 매개변수들이 얻어질 수 있다.

매개변수 최적화 후, 컨넥터의 성능은 상당히 향상될 수 있다. 도 6은 종래 컨넥터의 VSWR(전압 정재파 비) 곡선을 나타낸다. 도 6에 도시된 바와 같이, 연결 인터페이스에서 에어 갭이 증가할 때, 컨넥터의 VSWR도 증가하고 컨넥터의 연결 성능은 상당히 감소한다. 도 7은, 매개변수 최적화 전, 본 발명의 컨넥터의 VSWR 곡선을 나타낸다. 도 7에 도시된 바와 같이, 에어 갭이 0일 때, 컨넥터의 VSWR은 증가한다. 도 8은, 예를 들면, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 직경(B)이 3.85 mm이고, 소켓의 외부 전도체의 내부 구멍의 깊이(I)가 2.8 mm이며, 쇼울더부의 내부 구멍의 직경(G)이 2.5 mm이고, 쇼울더부의 너비(E)가 0.4 mm이며, 소켓의 중앙 전도체의 직경(A)이 0.86 mm이고, 어댑터의 외부 전도체의 내경(D)이 3.2 mm이고, 어댑터의 내부 전도체의 외경(C)이 1.27 mm이며, 제1 절연체의 너비(F)가 0.8 mm이고, 제1 절연체의 중간부의 외경(J)이 1.8 mm로 매개변수의 최적화 후, 본 발명의 컨넥터의 VSWR 곡선을 나타낸다. 도 8에 도시된 바와 같이, 동일한 에어 갭 및 주파수에서 컨넥터의 VSWR은 전체적으로 감소할 수 있다(연결 성능이 증가할 수 있다). 2개의 극단적인 위치(에어 갭이 0이고 최대일 때)에서의 VSWR은 서로 가깝고 다른 위치에서의 VSWR 보다 크며, 이는 바람직한 연결 성능이 대부분의 연결 상태에서 달성될 수 있음을 의미한다.

상기 상세한 실시예의 설명은 본 발명에 따른 바람직한 구현을 설명하고자 할 뿐, 본 발명의 범위를 제한하고자 함이 아니다. 따라서, 당업자에 의한 모든 개량 및 변형은 첨부된 청구 범위에 의해 한정되는 본 발명의 범위 내에 포함되어야 한다.

Claims

RF 동축 케이블에 있어서,
소켓(1), 및 어댑터(2)를 포함하고,
상기 소켓(1)은 외부 전도체(11) 및 중앙 전도체(12)를 포함하고, 상기 어댑터(2)는 상기 소켓(1)에 삽입될 수 있는 플러그(20)를 포함하며, 상기 어댑터(2)는 상기 소켓의 상기 외부 전도체(11) 및 상기 중앙 전도체(12)와 각각 접촉하도록 구성된 외부 전도체(21) 및 중앙 전도체(22)를 더 포함하고,
덤벨형 제1 절연체(4)는 상기 어댑터의 상기 플러그(20) 안에 배치되고 상기 어댑터의 상기 외부 전도체(21)와 상기 중앙 전도체(22) 사이에 채워지며, 상기 제1 절연체(4)는 2개의 단부들(41a)(41b) 및 상기 2개의 단부들(41a)(41b) 보다 좁은 중간부(42)를 포함함으로써 상기 제1 절연체의 상기 중간부(42)와 상기 어댑터의 상기 외부 커넥터(21) 사이에 환형 갭(5)을 형성하고, 50Ω보다 작은 임피던스를 갖는 상기 제1 절연체(4)의 상기 제1 단부(41a)는 상기 플러그(20)가 상기 소켓(1)에 삽입될 때 상기 소켓(1)을 향하는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
제1항에 있어서,
쇼울더부(13)는 상기 소켓의 상기 외부 전도체(11)의 내부 구멍 안에 배치되고 상기 내부 구멍의 중앙을 향해 연장하는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
제2항에 있어서,
제2 절연체(3)는 상기 소켓(1)의 후단에 배치되고 상기 소켓의 상기 외부 전도체(11)와 상기 중앙 전도체(12) 사이에 채워지고, 상기 제2 절연체의 전단 표면은 상기 쇼울더부(13)의 전단 표면과 동일 평면인 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
제2항에 있어서,
상기 소켓의 상기 외부 전도체의 상기 내부 구멍의 직경(B)은 3.65 mm 내지 4.05 mm이고, 상기 소켓의 상기 외부 전도체의 상기 내부 구멍의 깊이(I)는 2.3 mm 내지 3.3 mm이며, 상기 쇼울더부의 상기 내부 구멍의 직경(G)은 2.3 mm 내지 2.7 mm이고, 상기 쇼울더부의 너비(E)는 0.2 mm 내지 0.6 mm이며, 상기 소켓의 상기 중앙 전도체의 직경(A)은 0.66 mm 내지 1.06 mm이고, 상기 어댑터의 상기 외부 전도체의 내경(D)은 3.0 mm 내지 3.4 mm이고, 상기 어댑터의 상기 내부 전도체의 외경(C)은 1.07 mm 내지 1.47 mm이며, 상기 제1 절연체의 상기 단부들의 너비(F)는 0.6 mm 내지 1.0 mm이고, 상기 제1 절연체의 상기 중간부의 외경(J)은 1.6 mm 내지 2.0 mm인 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
제2항에 있어서,
상기 소켓의 상기 외부 전도체의 상기 내부 구멍의 직경(B)은 3.85 mm이고, 상기 소켓의 상기 외부 전도체의 상기 내부 구멍의 깊이(I)는 2.8 mm이며, 상기 쇼울더부의 상기 내부 구멍의 직경(G)은 2.5 mm이고, 상기 쇼울더부의 너비(E)는 0.4 mm이며, 상기 소켓의 상기 중앙 전도체의 직경(A)은 0.86 mm이고, 상기 어댑터의 상기 외부 전도체의 내경(D)은 3.2 mm이고, 상기 어댑터의 상기 내부 전도체의 외경(C)은 1.27 mm이며, 상기 제1 절연체의 상기 단부들의 너비(F)는 0.8 mm이고, 상기 제1 절연체의 상기 중간부의 외경(J)은 1.8 mm인 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체는 세로축을 따라 연장하며, 상기 세로축에 수직인 미드플레인(midplane)을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체의 각각의 단부는 상기 제1 절연체의 상기 세로축을 따라 실질적으로 동일한 길이에 걸쳐 연장하는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체의 상기 중간부의 길이와 상기 제1 절연체의 상기 단부의 길이 사이의 비율은 2 내지 10, 특히 3 내지 7인 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체의 상기 제1 단부 및 상기 중간부는 동일한 내경을 갖는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플러그가 상기 소켓에 삽입될 때, 상기 소켓으로부터 이격되는 상기 제1 절연체의 상기 제2 단부는 상기 중간부의 내경 보다 더 작은 내경을 갖는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체는 상기 플러그의 상기 외부 전도체를 넘어 축방향으로 연장하지 않는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체의 상기 제2 단부는 상기 플러그의 상기 외부 전도체 내부에 전체적으로 위치되는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 플러그의 상기 중앙 전도체는 상기 제1 절연체의 상기 양쪽 단부들을 따라 연장하며 상기 제1 절연체의 상기 중간부를 따라 연장하는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 절연체의 상기 중간부의 임피던스 값은 50Ω과 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.
전술한 청구항들 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중앙 전도체는 상기 소켓을 향해 상기 제1 절연체를 넘어 연장하지 않는 것을 특징으로 하는 RF 동축 케이블.