KR20110026563A - 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치 및 그 방법 - Google Patents

메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치 및 그 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, RS-232 또는 시스템 관리 버스를 통해, 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하며, 테스트 시스템 로직모듈의 옵셋 저항 값 또는 SDRAM 모듈로부터 피드백되는 저항 값을 조정하기 위한, 저항변경 명령을 수신하며, 디지털 가변 저항부를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출하며, 디지털 가변 저항부를 통해 조정된 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템의 SDRAM 모듈로부터 출력된 전압을 A/D 변환부를 통해 인가받는 제어부; I2C 통신을 통해 상기 제어부로부터 입력되는 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템의 로직모듈의 옵셋 저항 값 또는 SDRAM 모듈로부터 피드백되는 저항 값을 조정하는 디지털 가변 저항부; 및 상기 SDRAM 모듈과 연결되어, SDRAM의 공급 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부로 인가하는 A/D 변환부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실장 테스트, SDRAM, 공급 전압 조절

Description

메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치 및 그 방법{THE APPARATUS FOR CONTROLLING SUPPLY VOLTAGE OF MEMORY MODULE AND METHOD THEREFOR}
본 발명은 SDRAM과 같은 메모리 모듈의 테스트 시, 안정적이고 빠른 가변이 가능하도록 하는 기술로서, 더욱 상세하게는 컴퓨터의 메인보드에 장착된 SDRAM 전압 제어기에 공급 컨트롤러의 조정 저항을 가변함으로써 SDRAM에 공급되는 전압을 가변하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로, SDRAM이라 불리는 메모리 테스트 공정에서 양/불의 검출(스크린)기능을 강화시키기 위해 메모리에 공급되는 전압을 가변하면서 테스트를 진행하게 된다. 이 때 가변은 외부전원을 사용하는 방법과 메인보드에 장착된 모듈 전압 공급 칩의 오프셋 저항 또는 Feedback 저항 단을 이용하여 가변하게 하는데 이 때 가변을 가능하게 하는 것이 자동 전압 조절 장치이다.
기존의 자동 전압 조절장치는, 외부에서 전원 소스(Source)를 사용하여 SDRAM에 전압을 공급하거나 메인보드에 장착된 PWM 칩에 Feedback 저항을 조절하여 사용 하였으나 외부 전원 소스의 경우 메인보드의 특성과 무관한 정류된 전압의 공급으로 양/불을 검출(스크린)하는 기능이 다소 실제 장치와 동떨어져 신뢰성을 얻 을 수 없었으며, PWM칩을 조절하는 방법은 메인보드마다 저항 특성이 상이하므로 정확한 저항 입력이 어려워 설정 값 대비 조절 값이 상이한 특성을 보였다.
더욱이, PWM칩을 조절하는 전압 조절 장치는 전압 대비 저항의 표를 사용자가 전압 조절기에 프로그래밍 하게 되어 있는데 메인보드의 종류가 바뀌어 특성이 변화하거나 외부의 요인에 의해 전압 조절기의 디지털 저항 값이 변화되면 설정 값을 추종하지 못해 생기는 메인보드 파손이나 SDRAM의 인가전압이 변화되는 특성을 보였다. 또한 메인보드가 바뀔 때마다 전압 조절기 내부의 프로그램을 변경하는 Firmware을 특정 보드마다 재 프로그래밍 하여야 하는 불편함이 따른다. 덧붙여 실장 시스템은 다종이며 대량으로 구성되어 양산되므로 그 변경 점에 대해 1:1의 대응이 다소 어려운 것이 현실이다.
마지막으로, PID(비례, 미분, 적분) 제어법과 유사하게 전압 변압을 하는 방법이 있으나, PID 제어 방법으로 전압을 가변할 때는 설정 값 주변에서 전압이 설정 값 보다 크게 출력되는 Overshoot 또는 Undershoot 현상이 발생하게 된다. 이 경우는 SDRAM에 전기적인 영향을 주어 SDRAM의 파괴 또는 메인보드의 손상, 전압 가변 시의 과잉 전압에 의해 양/불 판정이 문제를 발생 시킬 수 있다. 그리고 PID Gain을 메인보드에 맞추어 조정하여야 하므로 전자에 서술한 재 프로그래밍과 동일한 경로를 따라야 하는 불편함이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 메인보드의 종류와 주변 환경 특성이 변화하여도 재 프로그래밍을 하지 않도록 하는 방법으로 전압 대비 저항 값을 자동으로 스캐닝하여 저장하여 사용할 수 있으며, 저장된 값을 전압 변경 시 호출하여 사용할 수 있으며, 디지털 저항 값이 변화되었을 때 설정 전압 대비 오차에 대해 자동 보정을 수행하여 변화된 저항 값을 재 갱신하는 장치 및 그 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치에 관한 것으로서, RS-232 또는 시스템 관리 버스를 통해, 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하며, 테스트 시스템 로직모듈의 옵셋 저항 값 또는 SDRAM 모듈로부터 피드백되는 저항 값을 조정하기 위한, 저항변경 명령을 수신하며, 디지털 가변 저항부를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출하며, 디지털 가변 저항부를 통해 조정된 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템의 SDRAM 모듈로부터 출력된 전압을 A/D 변환부를 통해 인가받는 제어부; I2C 통신을 통해 상기 제어부로부터 입력되는 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템의 로직모듈의 옵셋 저항 값 또는 SDRAM 모듈로부터 피드백되는 저항 값을 조정하는 디지털 가변 저항부; 및 상기 SDRAM 모듈과 연결되어, SDRAM의 공급 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부로 인가하는 A/D 변환부; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 컴퓨터의 장치(이하 실장 테스터)를 사용한 SDRAM(메모리 모듈 또는 그래픽 SDRAM) 메모리 테스터에서 사용되는 SDRAM의 공급 전압 조정 장치로, 기존의 상용화된 공급 전압 조정 장치보다 전압 대비 저항의 상관관계를 자동으로 탐지하여 극히 짧은 시간(1ms 이내)내 도달 전압이 Overshoot 및 Undershoot 없이 안정적인 전압 변화가 가능하고, 설정 전압의 도달의 경우 1ms 이내의 빠른 가변을 가능한 효과도 있다.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)에 관하여 도 1 내지 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명에 따른 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)를 개념적으로 도시한 전체 구성도로서, 도시된 바와 같이 제어부(110), 디지털 가변 저항부(120), A/D 변환부(120) 및 저장 테이블(140)을 포함하여 이루어진다.
먼저, 제어부(110)(Micro Control Unit: MCU)는 RS-232(10) 또는 시스템 관 리(SM) 버스(20)를 통해, 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하며, 테스트 시스템(200) 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정하기 위한, 저항변경 명령을 수신한다.
또한, 제어부(110)는 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출하며, 디지털 가변 저항부(120)를 통해 조정된 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템(200)의 SDRAM 모듈(220)로부터 출력된 전압을 A/D 변환부(130)를 통해 인가받는다.
또한, 제어부(110)는 검출된 전압 값에 따른 저항 값과, SDRAM 모듈(220)을 통해 출력되는 저항 값 대비 전압 비교하여, 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단하고, 소정 오차 범위 이내인 경우, 전압 값과 그에 따른 저항 값을 저장 테이블(140)에 저장하며, 소정 오차 범위 이상인 경우, 제어부(110)는 전압 값에 따른 저항 값 검출을 다시 수행한다.
한편, SDRAM 모듈(220)의 공급 전압의 변압에 있어서도, 제어부(110)는 RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, 가변전압 설정신호를 수신하고, 가변전압 신호에 따른 전압 값을 설정한다.
또한, 저장 테이블(140)로부터 설정된 전압 값을 호출하고, 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 값에 대응하는 저항 값을 호출한 뒤, 상기 호출된 전압 값과, 호출된 저항 값에 따른 SDRAM 모듈(220)의 출력 전압 값을 비교하여, 두 전압 값이 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단한다.
판단결과, 소정 오차 범위 이내인 경우, 정상적인 전압 출력명령을 유지하며, 소정 오차 범위 이상인 경우 제어부(110)는 호출된 전압 값을 출력된 전압 값으로 자동보정을 수행한 후, 보정된 전압 값과 그에 따른 저항 값으로 갱신하여 저장 테이블에 저장한다.
또한, 디지털 가변 저항부(120)(Digital Variable Resistor: DVR)는, I2C 통신을 통해 상기 제어부(110)로부터 입력되는 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템(200) 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정한다. 이때, 로직모듈(210)의 저항 값을 입력으로 SDRAM 모듈(220)의 전압 출력이 변경될 수 있다.
또한, A/D 변환부(130)(Analog Digital Converter: ADC)는 SDRAM 모듈(220)과 연결되어, SDRAM의 공급 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부(110)로 인가한다.
한편, 제어부(110)는 전압 값에 따른 저항 값을 검출하는 과정 및 공급전압의 오차를 보정하는 과정 등의 공급 전압 조절 장치의 전반적인 제어를 수행하게 되는 바, 도 2 내지 도 4 의 흐름을 통해 제어부(110)의 기능을 보다 명확히 살피면 다음과 같다.
먼저, 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)의 제어부(110)는 도 2 에 도 시된 바와 같이 RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, SDRAM의 특성에 맞춰 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하며(S10), 제어부(110)는 상기 전압 설정범위 명령에 따른 저항변경 명령을 I2C 통신을 통해 디지털 가변 저항부(120)로 전송한다(S20).
이후, 디지털 가변 저항부(120)는 제어부(110)로부터 입력되는 상기 저항변경 명령에 따라, 테스트 시스템(200) 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)의 전압 값으로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정한다(S30). 이때, 디지털 가변 저항부(120)는 상기 전압 설정범위의 하한부터 상한까지, 소정 전압 레벨만큼 전압을 상승되도록 조정한다.
따라서, 제어부(110)는 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출한다(S40).
뒤이어, 테스트 시스템(200)의 SDRAM 모듈(220)은 조정되는 저항 값에 따라 변경된 전압을 출력하며(S50), A/D 변환부(130)는 SDRAM 모듈(220)의 변경되는 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부(110)로 인가한다(S60).
이후, 제어부(110)는 상기 제S40 단계를 통해 검출된 전압 값에 따른 저항 값과, 제S50 단계를 통해 출력되는 저항 값에 따른 전압 값에서, 두 전압을 비교함으로써, 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단한다(S70).
제S70 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이내인 경우, 제어부(110)는 오차 범위 이내의 전압 값과 그에 따른 저항 값을 기록매체인 저장 테이블(140)에 저장하고(S80), 제S70 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이상인 경우, 제어부(110)는 제S40 단계로 절차를 이행한다.
이와 같은 방법은, 저항 값 대비 전압 값이 도 3 에 도시된 바와 같이 선형적인 직선 구간이 아닌 특정구간에서 기울기가 달라지는 포물선과 같은 구조의 특성에 기인한 것이다.
한편, 도 4 는 저항 값에 의해 구동되는 SDRAM 모듈(220)의 공급 전압의 변압에 관한 흐름도로서, 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)의 제어부(110)는 도시된 바와 같이 RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, 가변전압 설정신호를 수신하고, 수신한 가변전압 신호에 따른 전압 값을 설정한다(S110).
이후, 제어부(110)는 저장 테이블(140)로부터, 제S110 단계를 통해 설정된 전압 값을 호출하고(S120), 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 값에 대응하는 저항 값을 호출한다(S130).
뒤이어, 제어부(110)는 제S120 단계에서 호출된 전압 값과, 제S130 단계에서 호출된 저항 값에 따른 SDRAM 모듈(220)의 출력 전압 값을 비교하여, 두 전압 값이 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단한다(S140).
제S140 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이내인 경우, 제어부(110)는 정상적인 전압 출력명령을 유지하며(S150), 소정 오차 범위 이상인 경우 제어부(110)는 호출된 전압 값을 출력된 전압 값으로 자동보정을 수행한 후(S160), 보정된 전압 값과 그에 따른 저항 값으로 갱신하여 저장 테이블(140)에 저장하고(S170), 제어부(110)는 제S120 단계로 절차를 이행한다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치를 개념적으로 도시한 전체 구성도.
도 2 는 본 발명에 따른 전압 값에 따른 저항 값을 검출하는 방법에 관한 흐름도.
도 3 은 본 발명에 따른 저항 값 대비 전압 값 특성을 보이는 그래프.
도 4 는 본 발명에 따른 저항 값에 의해 구동되는 SDRAM 모듈의 공급 전압의 변압에 관한 흐름도.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100: 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치
110: 제어부 120: 디지털 가변 저항부
130: A/D 변환부 140: 저장 테이블
200: 테스트 시스템 210: 로직모듈
220: SDRAM 모듈 10: RS-232
20: 시스템 관리(SM) 버스

Claims (8)

  1. 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치에 있어서,
    RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하며, 테스트 시스템(200) 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정하기 위한, 저항변경 명령을 수신하며,
    디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출하며, 디지털 가변 저항부(120)를 통해 조정된 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템(200)의 SDRAM 모듈(220)로부터 출력된 전압을 A/D 변환부(130)를 통해 인가받는 제어부(110);
    I2C 통신을 통해 상기 제어부(110)로부터 입력되는 저항 값을 바탕으로, 테스트 시스템(200)의 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정하는 디지털 가변 저항부(120); 및
    상기 SDRAM 모듈(220)과 연결되어, SDRAM의 공급 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부(110)로 인가하는 A/D 변환부(130); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부(110)는,
    검출된 전압 값에 따른 저항 값과, SDRAM 모듈(220)을 통해 출력되는 저항 값 대비 전압 비교하여, 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단하고, 소정 오차 범위 이내인 경우, 전압 값과 그에 따른 저항 값을 저장 테이블(140)에 저장하며, 소정 오차 범위 이상인 경우, 제어부(110)는 전압 값에 따른 저항 값 검출을 다시 수행하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부(110)는, RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, 가변전압 설정신호를 수신하고, 가변전압 신호에 따른 전압 값을 설정하며,
    저장 테이블(140)로부터 설정된 전압 값을 호출하고, 상기 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 값에 대응하는 저항 값을 호출한 뒤, 상기 호출된 전압 값과, 호출된 저항 값에 따른 SDRAM 모듈(220)의 출력 전압 값을 비교하여, 두 전압 값이 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부(110)는,
    상기 두 전압 값이 소정 오차 범위 이내인 경우, 정상적인 전압 출력명령을 유지하며,
    상기 두 전압 값이 소정 오차 범위 이상인 경우, 호출된 전압 값을 출력된 전압 값으로 자동보정을 수행한 후, 보정된 전압 값과 그에 따른 저항 값으로 갱신하여 저장 테이블(140)에 저장하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치.
  5. 전압 값에 따른 저항 값을 검출하는 방법에 있어서,
    (a) 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)의 제어부(110)가 RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, SDRAM의 특성에 맞춰 저항 값을 검출하기 위한 전압 설정범위 명령을 수신하는 단계;
    (b) 상기 제어부(110)가 상기 전압 설정범위 명령에 따른 저항변경 명령을 I2C 통신을 통해 디지털 가변 저항부(120)로 전송하는 단계;
    (c) 상기 디지털 가변 저항부(120)가 제어부(110)로부터 입력되는 상기 저항변경 명령에 따라, 테스트 시스템(200) 로직모듈(210)의 옵셋(Offset) 저항 값 또는 SDRAM 모듈(220)의 전압 값으로부터 피드백(Feedback)되는 저항 값을 조정하는 단계;
    (d) 상기 제어부(110)가 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 설정범위 내의 하한부터 상한까지의 각 전압 값에 따른 저항 값을 검출하는 단계;
    (e) 상기 테스트 시스템(200)의 SDRAM 모듈(220)이 조정되는 저항 값에 따라 변경된 전압을 출력하는 단계;
    (f) A/D 변환부(130)가 상기 SDRAM 모듈(220)의 변경되는 전압을 측정하고, 측정된 전압을 SPI 통신을 통해 제어부(110)로 인가하는 단계;
    (g) 상기 제어부(110)가 상기 (d) 단계를 통해 검출된 전압 값에 따른 저항 값과, 상기 (e) 단계를 통해 출력되는 저항 값에 따른 전압 값에서, 두 전압을 비교함으로써, 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단하는 단계; 및
    (h) 상기 (g) 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이내인 경우, 상기 제어부(110)가 오차 범위 이내의 전압 값과 그에 따른 저항 값을 기록매체인 저장 테이블(140)에 저장하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    (i) 상기 (g) 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이상인 경우,
    상기 제어부(110)가 상기 (d) 단계로 절차를 이행하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 방법.
  7. SDRAM 모듈의 공급 전압의 변압 방법에 있어서,
    (a) 메모리 모듈의 공급 전압 조절 장치(100)의 제어부(110)가 RS-232(10) 또는 시스템 관리(SM) 버스(20)를 통해, 가변전압 설정신호를 수신하고, 수신한 가변전압 신호에 따른 전압 값을 설정하는 단계;
    (b) 상기 제어부(110)가 저장 테이블(140)로부터, 상기 (a) 단계를 통해 설정된 전압 값을 호출하는 단계;
    (c) 상기 제어부(110)가 디지털 가변 저항부(120)를 통해 상기 전압 값에 대응하는 저항 값을 호출하는 단계;
    (c) 상기 제어부(110)가 상기 (b) 단계에서 호출된 전압 값과, 상기 (c) 단계에서 호출된 저항 값에 따른 SDRAM 모듈(220)의 출력 전압 값을 비교하여, 두 전압 값이 소정 오차 범위 이내인지 여부를 판단하는 단계; 및
    (d) 상기 (c) 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이내인 경우, 상기 제어부(110)가 정상적인 전압 출력명령을 유지하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    (e) 상기 (c) 단계의 판단결과, 소정 오차 범위 이상인 경우 상기 제어부(110)가 호출된 전압 값을 출력된 전압 값으로 자동보정을 수행한 후, 보정된 전압 값과 그에 따른 저항 값으로 갱신하여 저장 테이블(140)에 저장하는 단계; 및
    (f) 상기 제어부(110)가 상기 (b) 단계로 절차를 이행하는 단계; 를 더 포함 하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈의 공급 전압 조절 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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