KR20110019439A - Apparatus for reclaiming glass substrate - Google Patents

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šœ스케 나카니시
히로유키 치노네
미츠루 스즈키
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Abstract

본 발명의 유리 기판 재생 장치 (10)은 거의 수평으로 지지된 상태로 반송 장치에 의해서 반송되는 기판에 대하여 재생 처리를 행하는 장치로서, 불량 기판의 반송 방향으로 순서대로, 제1 알칼리액 처리부 (12)와, 산액 처리부 (14)와, 제2 알칼리액 처리부 (16)을 구비하며, 제1 알칼리액 처리부 (12)는 기판 반입부 (11)로부터 반입된 불량 기판에 대하여 알칼리액을 분사하여, 최상층의 수지층을 박리한다. 산액 처리부 (14)는 수세 린스부 (13)에 의해서 린스된 불량 기판에 산액을 분사하여, 중간층의 금속층을 박리한다. 제2 알칼리액 처리부 (16)은 수세 린스부 (15)에 의해서 린스된 불량 기판에 대하여 알칼리액을 분사하여, 최하층의 수지층을 박리한다. 유리 기판 재생 장치 (10)에 따르면, 단시간에 유리 기판 (2)의 재생 처리를 완료할 수 있고, 유리 기판 (2)의 손상도 억제된다.The glass substrate regeneration device 10 of the present invention is a device that regenerates a substrate to be conveyed by a conveying device in a substantially horizontally supported state, the first alkaline liquid processing portion 12 in order in the conveying direction of a defective substrate. ), An acid liquid processing unit 14, and a second alkaline liquid processing unit 16, wherein the first alkaline liquid processing unit 12 sprays an alkaline liquid onto a defective substrate brought in from the substrate loading unit 11, The resin layer of the uppermost layer is peeled off. The acid solution processing unit 14 injects the acid solution to the defective substrate rinsed by the water rinsing unit 13 to peel off the metal layer of the intermediate layer. The 2nd alkaline liquid process part 16 injects alkaline liquid with respect to the defective board | substrate rinsed by the water rinse part 15, and peels the resin layer of a lowermost layer. According to the glass substrate regeneration apparatus 10, the regeneration process of the glass substrate 2 can be completed in a short time, and the damage of the glass substrate 2 is also suppressed.

Description

유리 기판 재생 장치{APPARATUS FOR RECLAIMING GLASS SUBSTRATE}Glass substrate recycling apparatus {APPARATUS FOR RECLAIMING GLASS SUBSTRATE}

본 발명은 액정 표시 장치 등에 이용되는 컬러 필터의 제조 공정에서 발생한 불량 기판(품질 기준을 만족시키지 않는 기판)으로부터 유리 기판을 재생하는 유리 기판 재생 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate reproducing apparatus for reproducing a glass substrate from a defective substrate (substrate that does not satisfy the quality standard) generated in the manufacturing process of a color filter used in a liquid crystal display device or the like.

도 15는 컬러 액정 표시 장치에 이용되는 컬러 필터의 일례를 도시하는 단면도이다.It is sectional drawing which shows an example of the color filter used for a color liquid crystal display device.

컬러 필터 (1)은 유리 기판 (2)와, 그 위에 형성된 블랙 매트릭스(BM) (3)과, 적색의 착색 화소(R 화소) (4R)과, 녹색의 착색 화소(G 화소) (4G)와, 청색의 착색 화소(B 화소) (4B)(이하, RGB의 각 화소를 더불어 「착색 화소 (4)」라 함)와, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 전극 (5)와, 포토스페이서(PS)와, 버티컬 얼라인먼트(VA) (7)을 구비한다. 이러한 구조의 컬러 필터 (101)의 제조 방법으로서는 포토리소그래피법, 인쇄법, 잉크젯법이 알려져 있다.The color filter 1 comprises a glass substrate 2, a black matrix (BM) 3 formed thereon, a red colored pixel (R pixel) 4R, and a green colored pixel (G pixel) (4G). And a blue colored pixel (B pixel) 4B (hereinafter referred to as “colored pixel 4” together with each pixel of RGB), a transparent electrode 5 such as indium tin oxide (ITO), and a photo The spacer PS and the vertical alignment VA 7 are provided. As a manufacturing method of the color filter 101 of such a structure, the photolithographic method, the printing method, and the inkjet method are known.

도 16은 포토리소그래피법의 각 공정을 나타내는 플로우차트이다.Fig. 16 is a flowchart showing each step of the photolithography method.

우선, 유리 기판 상에 BM을 형성한다(S101). 다음으로, 유리 기판을 세정하고(S102), 유리 기판 상에 RGB 중 어느 하나의 착색 포토레지스트를 도포하고 예비 건조시킨 후(S103), 기판 상의 착색 포토레지스트를 건조, 경화시키기 위해서 프리베이킹을 행한다(S104). 다음으로, 포토마스크를 이용하여 기판 상의 착색 포토레지스트를 노광하고(S105), 현상 처리를 행한 후(S106), 패터닝된 착색 포토레지스트를 경화시킨다(S107). 상기한 (S102) 내지 (S107)의 처리는 유리 기판 상에 R·G·B의 3색의 화소가 형성될 때까지 반복한다(S108). 그 후, 착색 화소 상에 투명 전극을 성막한 후(S109), 투명 전극 상에 PS, VA를 형성한다(S110). 이상의 공정을 거쳐 도 15에 도시된 컬러 필터가 제조된다.First, BM is formed on a glass substrate (S101). Next, after cleaning a glass substrate (S102), apply | coating any colored photoresist of RGB on a glass substrate, and predrying (S103), prebaking is performed in order to dry and harden a colored photoresist on a board | substrate. (S104). Next, the colored photoresist on a substrate is exposed using a photomask (S105), and after developing (S106), the patterned colored photoresist is hardened (S107). The above-described processes of (S102) to (S107) are repeated until the pixels of three colors of R, G, and B are formed on the glass substrate (S108). Thereafter, a transparent electrode is formed on the colored pixel (S109), and then PS and VA are formed on the transparent electrode (S110). Through the above process, the color filter shown in FIG. 15 is manufactured.

또한, 유리 기판 상에의 BM의 형성은 예를 들면, 유리 기판 상에 금속 박막을 형성하고, 금속 박막 상에 포토레지스트를 도포한 후에 포토리소그래피법에 의해서 노광, 현상, 에칭을 행하여, BM 형상의 패턴을 형성하는 방법을 채용할 수 있다. 또는 유리 기판 상에 흑색의 포토레지스트를 도포하고, 이 흑색의 포토레지스트를 포토리소그래피법에 의해서 노광 및 현상을 행하여 BM 형상을 갖는 패턴(소위 수지 BM)을 형성하는 방법이 채용된다.In addition, formation of BM on a glass substrate, for example, forms a metal thin film on a glass substrate, and after apply | coating photoresist on a metal thin film, exposure, development, and etching are performed by the photolithographic method, and BM shape The method of forming the pattern of can be employ | adopted. Or a black photoresist is apply | coated on a glass substrate, this black photoresist is exposed and developed by the photolithographic method, and the method of forming the pattern (so-called resin BM) which has a BM shape is employ | adopted.

또한, 컬러 필터용 유리 기판의 대형화에 따라, 금속 박막으로 이루어지는 BM의 채용이 회피되는 경향이 있다. 이것은 크롬 등의 금속을 이용하여 진공 장치에 의해서 금속 박막을 형성하는 것보다도, 흑색의 수지 포토레지스트를 이용하여 포토리소그래피법을 행하는 쪽이 가격면 및 환경면의 양쪽에서 유리하기 때문이다.Moreover, with the enlargement of the glass substrate for color filters, adoption of BM which consists of a metal thin film tends to be avoided. This is because the photolithography method using the black resin photoresist is advantageous in terms of price and environment rather than forming a metal thin film by a vacuum apparatus using a metal such as chromium.

상기한 컬러 필터에는 높은 신뢰성이 필요한데, 도 16에 도시한 바와 같이, 그의 제조를 위해서는 많은 공정을 거칠 필요가 있고, 그 도중에 먼지나 수지 찌꺼기 등의 이물의 부착이나 혼입, 핀홀, 패턴 이지러짐 등의 결함이 생길 수 있다. 이러한 결함이 생긴 기판은 품질 기준을 만족시키지 못하는 불량 기판으로서, 수율을 저하시킨다. 또한, 최근의 대화면 액정 텔레비젼의 보급에 따라, 컬러 필터용 유리 기판이 대형화되고 있고, 두께가 1 mm 이하에서 1변의 길이가 1 내지 2 m나 되는 유리 기판이 사용되고 있다. 이러한 유리 기판은 파손되기 쉽기 때문에, 불량 기판의 폐기 작업 그 자체에 위험이 따른다.Although the above-described color filter requires high reliability, as shown in FIG. 16, it is necessary to go through a number of processes for its manufacture, and in the meantime, adhesion or mixing of foreign matter such as dust or resin residue, pinholes, pattern distortion, etc. May cause defects. Such a defective substrate is a defective substrate that does not satisfy the quality standard, and lowers the yield. Moreover, with the recent spread of the big screen liquid crystal television, the glass substrate for color filters is enlarged, and the glass substrate whose length of one side is 1 to 2 m in thickness is 1 mm or less is used. Since such glass substrates are easy to break, there is a risk in the disposal of the defective substrate itself.

따라서, 품질 기준을 만족시키지 않는 불량 기판으로부터 유리 기판을 재생할 수 있는 유리 기판 재생 장치가 요구되고 있다. 유리 기판 재생 장치에 의해서 재생된 유리 기판은 제조 공정에 재투입할 수 있다.Therefore, there is a demand for a glass substrate regeneration apparatus capable of regenerating a glass substrate from a defective substrate that does not satisfy the quality standards. The glass substrate regenerated by the glass substrate regeneration apparatus can be reinserted into a manufacturing process.

도 17은 컬러 필터용 유리 기판의 재생 처리를 나타내는 플로우차트이다.It is a flowchart which shows the reproduction process of the glass substrate for color filters.

PS·VA 형성 공정 이후에 발생한 불량 기판(도 15의 컬러 필터와 동일 적층 구조를 가짐)을 재생하는 경우, 우선, 제1 알칼리액 처리(S201), 브러시 세정(S202) 및 수세 린스(S203)를 순서대로 행하고, 유리 기판의 최상층에 있는 PS, VA막을 박리한다. 다음으로, 산액 처리(S204) 및 수세 린스(S205)를 행하여, 중간층인 투명 전극을 박리한다. 다음으로, 제2 알칼리액 처리(S206), 브러시 세정(S207), 수세 린스(S208)를 순서대로 행하여, 유리 기판 표면의 BM, R 화소, G 화소, B 화소를 박리한다. 그 후, 브러시 세정(S209)에 의해 유리 기판 상에 미량으로 잔존하는 세정 잔사를 제거하고, 탈수에 의해서 유리 기판을 건조시킨다(S210).When reproducing a defective substrate (having the same laminated structure as the color filter of FIG. 15) generated after the PS / VA forming process, firstly, the first alkaline liquid treatment (S201), brush cleaning (S202), and water rinse (S203). Are carried out in order, and the PS and VA films in the uppermost layer of a glass substrate are peeled off. Next, an acid solution process (S204) and a water rinse (S205) are performed, and the transparent electrode which is an intermediate | middle layer is peeled off. Next, 2nd alkaline liquid process (S206), brush cleaning (S207), and water rinse (S208) are performed in order, and BM, R pixel, G pixel, and B pixel of the glass substrate surface are peeled. Thereafter, the cleaning residue remaining in a small amount on the glass substrate is removed by brush cleaning (S209), and the glass substrate is dried by dehydration (S210).

도 18은 종래의 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.18 shows a conventional glass substrate recycling apparatus.

유리 기판 재생 장치 (90)은 불량 기판 (1) 표면의 수지막(PS, VA, BM, 착색 화소)을 박리하기 위한 알칼리액 처리(도 17의 (S201), (S206))를 행하는 것으로서, 저류조 (91)과, 펌프 (92)와, 노즐 (93)과, 알칼리액 보충 탱크 (94)와, 박리액 보충 탱크 (95)와, 회수 팬 (96)을 구비한다.The glass substrate regeneration apparatus 90 performs alkali liquid treatment (S201, FIG. 17 (S206) of FIG. 17) for peeling the resin film (PS, VA, BM, colored pixel) of the defective substrate 1 surface, The storage tank 91, the pump 92, the nozzle 93, the alkaline liquid replenishment tank 94, the peeling liquid replenishment tank 95, and the recovery fan 96 are provided.

저류조 (91)에는 알칼리액 및 박리액을 포함하며, 미리 각각의 조성과 농도가 조정된 처리액이 저류되어 있다. 저류조 (91) 내의 처리액은 펌프 (92)에 의해서 배관 (97)을 통해 토출 노즐 (93)에 공급되고, 토출 노즐 (93)으로부터 불량 기판 (1)로 토출된다. 처리액의 토출과 병행하여, 도시하지 않은 세정 브러시에 의해서 불량 기판 표면이 세정되어, PS, VA 등의 수지막이 박리된다. 불량 기판 (1)은 도시하지 않은 반송 장치(conveyor)에 의해서 일정 속도로 소정 방향으로 반송되면서, 처리액 및 세정 브러시에 의한 박리 처리를 받는다.The storage tank 91 contains an alkali liquid and a stripping liquid, and stores a treatment liquid in which respective compositions and concentrations have been adjusted in advance. The processing liquid in the storage tank 91 is supplied to the discharge nozzle 93 through the pipe 97 by the pump 92, and is discharged from the discharge nozzle 93 to the defective substrate 1. In parallel with the discharge of the processing liquid, the defective substrate surface is cleaned by a cleaning brush (not shown), and resin films such as PS and VA are peeled off. The defective board | substrate 1 receives peeling process by a process liquid and a cleaning brush, conveying in a predetermined direction at a fixed speed by the conveyer which is not shown in figure.

불량 기판 (1)에 토출된 처리액 및 박리된 수지(예를 들면, PS, VA 형성에 이용된 수지)는 회수 팬 (96)으로부터 배관 (100)을 통하여 저류조 (91)에 회수된다. 회수된 수지는 저류조 (91) 내에서 침전시킨 후에 배관 (102)로부터 외부로 배출된다. 또는 저류조 (91) 내에 필터를 설치하여 수지를 분리시킬 수도 있다.The processing liquid discharged to the defective substrate 1 and the exfoliated resin (for example, the resin used to form PS and VA) are recovered from the recovery fan 96 to the storage tank 91 through the pipe 100. The recovered resin is discharged from the pipe 102 to the outside after being precipitated in the storage tank 91. Alternatively, a filter may be provided in the storage tank 91 to separate the resin.

저류조 (91) 내의 알칼리액 농도 및 박리액 농도는 일정 시간마다 측정된다. 농도 부족이 생긴 경우에는 알칼리액 및 박리액이 알칼리액 보충 탱크 (94) 및 박리액 보충 탱크 (95)로부터, 각각 배관 (98) 및 배관 (99)를 통하여 저류조 (91)에 보충된다.The alkali liquid concentration and the peeling liquid concentration in the storage tank 91 are measured at regular time intervals. In the case where concentration deficiency occurs, the alkaline liquid and the stripping liquid are replenished to the storage tank 91 from the alkaline liquid replenishing tank 94 and the stripping liquid replenishing tank 95 through the pipe 98 and the pipe 99, respectively.

상기한 도 17 및 18에 도시된 유리 기판 재생 방법 외에, 몇가지의 방법이 제안되어 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는 수용성 유기 아민 화합물과 무기 알칼리 금속 화합물을 함유하는 수용액에 불량 기판을 침지시킴으로써 유리 기판을 재생하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는 농도 98%의 진한 황산에 불량 기판을 10분 침지시킨 후에 수세하고, 55℃로 가온한 알킬디올과 글리콜에테르를 함유하는 알칼리 수용액에 침지시키고, 필요에 따라서 스폰지 러빙(손으로 문지르기)을 행하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는 일차 산액 처리와 이차 산액 처리를 행하여 ITO막, RGB 화소 및 BM을 박리하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 4에는 무기산을 함유하는 전처리액으로 불량 기판을 전처리하는 공정과, 알칼리를 함유하는 박리액으로 불량 기판을 후처리하는 공정으로 이루어지는 2단계의 처리에 의해서 RGB 화소 및 BM을 박리하는 방법이 기재되어 있다. In addition to the glass substrate regeneration method shown in FIGS. 17 and 18 described above, several methods have been proposed. For example, Patent Document 1 describes a method of regenerating a glass substrate by immersing a defective substrate in an aqueous solution containing a water-soluble organic amine compound and an inorganic alkali metal compound. In Patent Literature 2, a poor substrate was dipped in concentrated sulfuric acid at a concentration of 98% for 10 minutes, washed with water, immersed in an aqueous alkali solution containing alkyldiol and glycol ether heated to 55 ° C, and rubbed with a sponge (hand rubbed if necessary). The method of performing a) is described. Patent Literature 2 describes a method of peeling an ITO film, an RGB pixel, and a BM by performing a primary acid solution treatment and a secondary acid solution treatment. Patent Document 4 discloses a method of peeling an RGB pixel and a BM by a two-step process comprising a step of pretreating a defective substrate with a pretreatment liquid containing an inorganic acid and a step of posttreating the defective substrate with a stripping solution containing an alkali. It is described.

일본 특허 공개 제2001-124916호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-124916 일본 특허 공개 (평)7-230081호 공보Japanese Patent Publication No. 7-230081 일본 특허 공개 제2006-154752호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2006-154752 일본 특허 공개 제2002-179438호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179438 일본 특허 공개 제2003-279915호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-279915 일본 특허 공개 제2005-189679호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-189679

상기한 도 17에서는 도시의 형편상, PS·VA 박리 공정(제1 알칼리액 처리), 투명 전극 박리 공정(산액 처리), RGB 화소·BM 박리 공정(제2 알칼리액 처리)를 일련으로 기재하고 있지만, 이들 각 공정의 처리 시간이 상이하기 때문에, 실제로는 각 공정은 독립한 배치(batch) 처리로 행해진다. 이 때문에, 유리 기판의 재생 처리에 많은 시간이 소비되었다.In FIG. 17 mentioned above, PS-VA peeling process (1st alkaline liquid process), transparent electrode peeling process (acid solution process), and RGB pixel-BM peeling process (2nd alkaline liquid process) are described in series, for convenience of illustration. However, since the processing time of each of these processes is different, in reality, each process is performed by an independent batch process. For this reason, much time was spent on the regeneration process of a glass substrate.

또한, 특허문헌 1 내지 4의 처리 방법에서는 불량 기판을 처리액에 10분 내지 2시간 동안이나 침지시킬 필요가 있기 때문에, 유리 기판이 손상되게 된다는 문제가 있다. 또한, 최하층(유리 기판 표면)의 수지막 잔사가 남기 때문에, 박리 후에 연마 처리를 행하는 것이 일반적이고, 처리 공정수가 증가한다는 문제도 있다.Moreover, in the processing method of patent documents 1-4, since the bad substrate needs to be immersed in a processing liquid for 10 minutes-2 hours, there exists a problem that a glass substrate will be damaged. Moreover, since the resin film residue of the lowest layer (glass substrate surface) remains, it is common to perform a polishing process after peeling, and there also exists a problem that the number of process processes increases.

그 때문에, 본 발명은 컬러 필터용 유리 기판을 손상시키지 않고, 그 위의 수지막 및 금속막을 단시간에 박리할 수 있는 유리 기판 재생 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. Therefore, an object of this invention is to provide the glass substrate regeneration apparatus which can peel the resin film and metal film on it in a short time, without damaging the glass substrate for color filters.

본 발명은 유리 기판 상에 수지 및 금속 중 어느 하나로 이루어지는 1 이상의 층이 형성된 불량 기판을 반송하면서, 불량 기판으로부터 유리 기판을 재생하는 유리 기판 재생 장치에 관한 것이다. 해당 유리 기판 재생 장치는 알칼리액으로 불량 기판을 처리하여, 불량 기판의 표면에 있는 제1 수지층을 박리하는 제1 알칼리액 처리부와, 제1 알칼리액 처리부의 하류에 설치되고, 산액으로 불량 기판을 처리하여, 불량 기판의 표면에 있는 금속막을 박리하는 제1 산액 처리부와, 산액 처리부의 하류에 설치되고, 알칼리액으로 불량 기판을 처리하여, 유리 기판의 표면에 있는 제2 수지층을 박리하는 제2 알칼리액 처리부를 구비한다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the glass substrate regeneration device which regenerates a glass substrate from a defective substrate, conveying the defective substrate in which the 1 or more layer which consists of either of resin and a metal was formed on the glass substrate. The glass substrate reproducing apparatus is provided downstream of the first alkaline liquid processing unit and the first alkaline liquid processing unit for treating the defective substrate with an alkaline liquid to peel off the first resin layer on the surface of the defective substrate, and the defective substrate with an acid solution. And a first acid liquid treatment portion for separating the metal film on the surface of the defective substrate and downstream of the acid liquid treatment portion, and treating the defective substrate with an alkaline liquid to peel the second resin layer on the surface of the glass substrate. A second alkaline liquid treatment part is provided.

본 발명에 따른 유리 기판 재생 장치에 따르면, 기판을 반송하면서 순서대로 박리 처리를 행하기 때문에, 단시간에 유리 기판을 재생할 수 있다. 또한, 처리 시간이 짧아짐으로써 유리 기판의 손상을 방지하는 것이 가능해진다. According to the glass substrate reproducing apparatus which concerns on this invention, since peeling process is performed in order, conveying a board | substrate, a glass substrate can be reproduced in a short time. Moreover, it becomes possible to prevent damage to a glass substrate by shortening processing time.

도 1a는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 1b는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 다른 일례를 도시하는 단면도이다.
도 1c는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 다른 일례를 도시하는 단면도이다.
도 1d는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 다른 일례를 도시하는 단면도이다.
도 1e는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 다른 일례를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 개략적 구성을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 5a는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 개략적 구성을 도시한 도면이다.
도 5b는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 알칼리액 처리부의 개략적 구성을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 알칼리액 처리부의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 반송 장치의 일부를 도시하는 사시도이다.
도 10은 도 9의 IX-IX 라인에서 본 도면이다.
도 11은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.
도 12는 도 11에 도시되는 투과형 광 센서의 개략적 구성을 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.
도 14는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 에칭액 관리부의 다른 일례를 도시한 도면이다.
도 15는 컬러 액정 표시 장치에 이용되는 컬러 필터의 일례를 도시하는 단면도이다.
도 16은 포토리소그래피법의 각 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 17은 컬러 필터용 유리 기판의 재생 처리를 나타내는 플로우차트이다.
도 18은 종래의 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.
It is sectional drawing which shows an example of the defective board | substrate which arises in a color filter manufacturing process.
It is sectional drawing which shows another example of the defective board | substrate which arises at the color filter manufacturing process.
1C is a cross-sectional view showing another example of a defective substrate produced in a color filter manufacturing process.
1D is a cross-sectional view showing another example of the defective substrate produced in the color filter manufacturing process.
1E is a cross-sectional view showing another example of the defective substrate produced in the color filter manufacturing process.
It is a flowchart which shows the glass substrate regeneration method which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
3 is a diagram showing a schematic configuration of a glass substrate reproducing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
It is a flowchart which shows the glass substrate recycling method which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
It is a figure which shows schematic structure of the glass substrate regeneration device which concerns on 2nd Embodiment of this invention.
FIG. 5B is a diagram showing another example of the glass substrate reproducing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG.
6 is a diagram showing another example of the glass substrate reproducing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
It is a figure which shows schematic structure of the alkaline liquid process part which concerns on 3rd Embodiment of this invention.
8 is a diagram showing another example of the alkaline liquid processing unit according to the third embodiment of the present invention.
It is a perspective view which shows a part of conveyance apparatus which concerns on 4th Embodiment of this invention.
FIG. 10 is a view seen along the line IX-IX of FIG. 9. FIG.
It is a figure which shows the glass substrate recycling apparatus which concerns on 5th Embodiment of this invention.
FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of the transmissive optical sensor shown in FIG. 11.
It is a figure which shows the glass substrate regeneration device which concerns on 6th Embodiment of this invention.
It is a figure which shows another example of the etching liquid management part which concerns on 6th Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows an example of the color filter used for a color liquid crystal display device.
Fig. 16 is a flowchart showing each step of the photolithography method.
It is a flowchart which shows the reproduction process of the glass substrate for color filters.
18 shows a conventional glass substrate recycling apparatus.

도 1a 내지 1e는 컬러 필터 제조 공정에서 생기는 불량 기판의 예를 도시하는 단면도이다.1A to 1E are cross-sectional views showing examples of defective substrates produced in the color filter manufacturing process.

여기서, 불량 기판이란 포토리소그래피법의 각 공정에서 발생한 품질 기준을 만족시키지 않는 기판으로서, 유리 기판 상에 수지막(BM, R 화소, G 화소, B 화소, PS, VA) 및 금속막(투명 전극)의 한쪽 또는 양쪽이 형성된 상태의 기판을 말한다.Here, the defective substrate is a substrate that does not satisfy the quality standards generated in each step of the photolithography method, and includes a resin film (BM, R pixel, G pixel, B pixel, PS, VA) and a metal film (transparent electrode) on the glass substrate. The board | substrate of the state in which one or both sides of () were formed.

도 1a에 도시되는 불량 기판 (1a)는 PS·VA 형성 공정 후의 검사에서 발견된 것이고, 유리 기판 (2) 상에 BM (3)과, RGB의 착색 화소 (4)와, ITO 등의 금속막으로 이루어지는 투명 전극 (5)와, PS (6)과, VA (7)이 형성된 것이다.The defective substrate 1a shown in FIG. 1A was found by the inspection after the PS-VA formation process, and the BM 3, the RGB colored pixels 4, and metal films such as ITO were formed on the glass substrate 2. It consists of the transparent electrode 5 which consists of PS, the PS6, and VA7.

또한, 컬러 필터의 제조 공정에서는 검사에서 발견된 불량 기판을 이용하여, 투명 전극용 금속막의 성막 조건 도출이 행해진다.Moreover, in the manufacturing process of a color filter, film-forming conditions of the metal film for transparent electrodes are derived using the defective board | substrate discovered by the test | inspection.

도 1b에 도시되는 불량 기판 (1b)는 도 1a에 도시되는 불량 기판을 이용하여 금속막의 성막 조건 도출을 행한 결과로서 생긴 것으로, PS (6), VA (7)의 위에 ITO 등의 금속막 (8)을 더 갖는다.The defective substrate 1b shown in FIG. 1B is a result of derivation of the film forming conditions of the metal film using the defective substrate shown in FIG. 1A. The defective substrate 1b is formed of a metal film (such as ITO) on the PS 6 and the VA 7. 8) have more.

도 1c에 도시되는 불량 기판 (1c)는 금속막의 형성 공정 이후로서 PS·VA 형성 공정 전에 발견된 불량 기판을 이용하여 금속막의 성막 조건 도출을 행한 결과로서 생긴 것으로, 유리 기판 (2)의 이면(BM (3) 및 착색 화소 (4)의 형성면과 반대측의 면)에 ITO 등의 금속막 (9)를 갖는다.The defective substrate 1c shown in FIG. 1C is a result of deriving the deposition conditions of the metal film using the defective substrate found after the metal film forming step and before the PS / VA forming step. The back surface of the glass substrate 2 ( The metal film 9, such as ITO, is provided in the BM 3 and the surface on the opposite side to the formation surface of the colored pixel 4).

도 1d에 도시되는 불량 기판 (1d)는 착색 화소 (4) 상에 형성된 오버 코팅층 (33)과, 유리 기판 (2)의 이면에 형성된 투명 전극 (34)를 갖는다. 도 1e에 도시되는 불량 기판 (1e)는 도 1d에 도시되는 불량 기판 (1d)의 오버 코팅층 (33) 상에, PS (6) 및 VA (7)을 더 갖는다. 오버 코팅층 (33)은 착색 화소 (4) 상의 평탄화나, 착색 화소 (4) 중의 성분의 유출 방지, 착색 화소 (4)의 보호 목적으로 설치되는 것이다.The defective substrate 1d shown in FIG. 1D has an overcoat layer 33 formed on the colored pixel 4 and a transparent electrode 34 formed on the back surface of the glass substrate 2. The defective substrate 1e shown in FIG. 1E further has a PS 6 and a VA 7 on the overcoating layer 33 of the defective substrate 1d shown in FIG. 1D. The overcoat layer 33 is provided for the purpose of planarization on the colored pixel 4, prevention of the outflow of components in the colored pixel 4, and protection of the colored pixel 4.

또한, 불량 기판은 포토리소그래피법(도 15)에 나타낸 어떤 공정에서도 발생될 수 있다. 따라서, 도 1a 내지 1e에 도시된 불량 기판 외에, 유리 기판 (2) 상에 BM (3) 및 착색 화소 (4)(R 화소, G 화소, B 화소)의 적어도 1개가 형성된 불량 기판이나, 유리 기판 (2) 상에 BM (3), 착색 화소 (4), 투명 전극 (5)만이 형성된 불량 기판도 존재한다.Also, a defective substrate can be generated in any process shown in the photolithography method (Fig. 15). Therefore, in addition to the defective substrates shown in FIGS. 1A to 1E, a defective substrate or glass on which the at least one of the BM 3 and the colored pixels 4 (R pixel, G pixel, B pixel) is formed on the glass substrate 2. There is also a defective substrate on which only the BM 3, the colored pixel 4, and the transparent electrode 5 are formed on the substrate 2.

이하, 필요에 따라서 도 1a 내지 1e를 참조하면서, 각 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 설명한다.Hereinafter, the glass substrate regeneration device which concerns on each embodiment is demonstrated, referring FIGS. 1A-1E as needed.

(제1 실시 형태)(1st embodiment)

도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법을 나타내는 플로우차트이다.It is a flowchart which shows the glass substrate regeneration method which concerns on the 1st Embodiment of this invention.

도 2에 도시된 유리 기판 재생 방법은 도 1a의 구조를 갖는 불량 기판 (1a)에서 유리 기판을 재생하는 데 적합하다. 구체적으로, 본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법은 최상층의 수지막(PS (6), VA (7))을 박리하는 제1 알칼리액 처리 공정(S11)과, 중간층의 금속막(투명 전극 (5))을 박리하는 산액 처리 공정(S12)과, 최하층의 수지막(BM (3), 착색 화소 (4))을 박리하는 제2 알칼리액 처리 공정(S13)을 구비한다. 이들 각 공정 (S11) 내지 (S13)은 독립한 배치 처리로서 행해지는 것은 아니고, 반송 장치에 의해서 반송되는 불량 기판에 대하여 연속하여 행해진다. 또한, 제2 알칼리액 처리 공정(S13) 후에는 최종 수세 처리 공정(S14)이 행하여져, 유리 기판의 재생이 완료된다.The glass substrate regeneration method shown in FIG. 2 is suitable for regenerating the glass substrate in the defective substrate 1a having the structure of FIG. 1A. Specifically, the glass substrate regeneration method according to the present embodiment includes the first alkaline liquid treatment step (S11) for peeling the resin films (PS (6), VA (7)) of the uppermost layer, and the metal film (transparent electrode ( 5)) and acid solution processing process (S12) which peels off, and 2nd alkali liquid processing process (S13) which peels the resin film (BM (3) and colored pixel 4) of the lowest layer. Each of these steps (S11) to (S13) is not performed as an independent batch process, but is successively performed on the defective substrate to be conveyed by the conveying device. In addition, after the 2nd alkaline liquid process S13, the final washing process S14 is performed, and regeneration of a glass substrate is completed.

도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.3 is a view showing a glass substrate reproducing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

유리 기판 재생 장치 (10)은 거의 수평으로 지지된 상태로 반송 장치에 의해서 반송되는 기판에 대하여 재생 처리를 행하는 장치로서, 불량 기판의 반송 방향으로 순서대로, 제1 알칼리액 처리부 (12)와, 산액 처리부 (14)와, 제2 알칼리액 처리부 (16)을 구비한다.The glass substrate regeneration apparatus 10 is an apparatus which performs a regeneration process with respect to the board | substrate conveyed by a conveying apparatus in the state supported substantially horizontally, The 1st alkaline-liquid process part 12 and the order in the conveyance direction of a defective board | substrate, The acid liquid processing part 14 and the 2nd alkaline liquid processing part 16 are provided.

또한, 제1 알칼리액 처리부 (12)의 상류에는 기판 반입부 (11)이 배치되어 있다. 제1 알칼리액 처리부 (12), 산액 처리부 (14) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)의 바로 뒤에는 수세 린스부 (13), (15) 및 (17)이 각각 배치되어 있다. 또한, 수세 린스부 (17)의 하류에는 최종 수세 처리부 (18)과 유리 기판 반출부 (19)가 이 순으로 배치되어 있다.Moreover, the board | substrate loading part 11 is arrange | positioned upstream of the 1st alkaline liquid process part 12. Moreover, as shown in FIG. Immediately after the first alkaline liquid processing unit 12, the acid liquid processing unit 14, and the second alkaline liquid processing unit 16, the water rinsing rinsing units 13, 15, and 17 are disposed, respectively. Further, downstream of the water rinse portion 17, the final water treatment portion 18 and the glass substrate transporting portion 19 are arranged in this order.

제1 알칼리액 처리부 (12)는 기판 반입부 (11)로부터 반입된 불량 기판에 대하여 알칼리액을 분사하여, 최상층의 수지층(도 1a의 PS (6), VA (7))을 박리한다. 수세 린스부 (13)은 제1 알칼리액 처리부 (12)에서 불량 기판 표면에 부착된 알칼리액을 수세에 의해 제거한다.The first alkaline liquid treatment part 12 injects the alkaline liquid onto the defective substrate carried in from the substrate carrying-in part 11 to peel off the resin layers (PS 6 and VA 7 in the uppermost layer). The water washing rinse section 13 removes the alkaline liquid adhered to the defective substrate surface by the first alkaline liquid processing section 12 by washing with water.

산액 처리부 (14)는 수세 린스부 (13)에 의해서 린스된 불량 기판에 산액을 분사하여, 중간층의 금속층(도 1a의 투명 전극 (5))을 박리한다. 수세 린스부 (15)는 산액 처리부에서 불량 기판 표면에 부착된 산액을 수세에 의해 제거한다.The acid solution processing unit 14 sprays the acid solution onto the defective substrate rinsed by the water rinsing unit 13 to peel off the metal layer (the transparent electrode 5 in FIG. 1A) of the intermediate layer. The water washing rinse section 15 removes the acid solution adhered to the defective substrate surface by washing with water in the acid solution treatment unit.

제2 알칼리액 처리부 (16)은 수세 린스부 (15)에 의해서 린스된 불량 기판에 대하여 알칼리액을 분사하여, 최하층의 수지층(도 1a의 BM (3), 착색 화소 (4))를 박리한다. 수세 린스부 (17)은 제2 알칼리액 처리부 (16)에서 불량 기판 표면에 부착된 알칼리액을 수세에 의해 제거한다.The second alkaline liquid processing unit 16 sprays the alkaline liquid onto the defective substrate rinsed by the water rinsing unit 15 to peel off the lowermost resin layer (BM 3 and colored pixel 4 in FIG. 1A). do. The water washing rinse section 17 removes the alkaline liquid adhering to the defective substrate surface by the second alkaline liquid processing section 16 by washing with water.

수세 린스부 (17)에 의해서 린스된 유리 기판 (2)는 최종 수세 처리부 (18)에 의해서 재차 수세된 후, 유리 기판 반출부 (19)로부터 배출된다.The glass substrate 2 rinsed by the water rinse portion 17 is washed again by the final water treatment portion 18, and then discharged from the glass substrate carry-out portion 19.

상기한 제1 알칼리액 처리부 (12), 산액 처리부 (14) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)에서는 처리액의 토출 압력이나 액체 온도, 토출 시간, 기판의 반송 속도를 임의로 설정할 수 있다. 이들 항목을 변경 가능하게 함으로써 설계 변경 등으로 유리 기판 (2) 상의 각 층(PS (6), VA (7), 투명 전극 (5), BM (3), 착색 화소 (4))의 재료나 두께가 변경된 경우에도, 각 층의 박리에 최적의 조건을 설정할 수 있다. 또한, 제1 알칼리액 처리부 (12), 산액 처리부 (14) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)에는 기판 상의 층을 박리하기 위한 브러시나 스폰지 롤 등이 필요에 따라서 설치된다. 또한, 산액 처리부 (14)에서는 기판의 양면에 대하여 산액을 토출할 수도 있다.In the first alkaline liquid processing unit 12, the acid liquid processing unit 14, and the second alkaline liquid processing unit 16, the discharge pressure, the liquid temperature, the discharge time, and the conveyance speed of the substrate can be arbitrarily set. By making these items changeable, the material of each layer (PS (6), VA (7), transparent electrode (5), BM (3), colored pixel (4) on the glass substrate 2 by design change, etc.) Even when the thickness is changed, the optimum conditions for peeling of each layer can be set. Moreover, the brush, a sponge roll, etc. for peeling a layer on a board | substrate are provided in the 1st alkaline liquid processing part 12, the acid liquid processing part 14, and the 2nd alkaline liquid processing part 16 as needed. In addition, the acid solution processing unit 14 may discharge the acid solution to both surfaces of the substrate.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

이하, 실시예 1에서 도 3에 도시된 유리 기판 재생 장치 (10)을 이용한 경우의 구체적인 처리 조건을 나타낸다.Hereinafter, the specific processing conditions at the time of using the glass substrate regeneration device 10 shown in FIG. 3 in Example 1 are shown.

알칼리 처리 공정에서 사용되는 알칼리액 및 산액 처리 공정에서 사용되는 산액의 조성의 일례는 이하와 같다. An example of the composition of the alkaline liquid used at an alkali treatment process and the acid liquid used at an acid liquid treatment process is as follows.

(1) 알칼리액(제1 알칼리액 처리부 (12) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)에서 사용): (1) Alkaline liquid (used in the first alkaline liquid processing part 12 and the second alkaline liquid processing part 16):

수산화칼륨 8 중량% 8% by weight potassium hydroxide

모노에탄올아민 12 중량% 12% by weight monoethanolamine

부틸카르비톨 15 중량% Butylcarbitol 15% by weight

벤질알코올 2 중량% Benzyl Alcohol 2% by weight

물 63 중량%63% by weight of water

(2) 산액(산액 처리부 (14)에서 사용): (2) Acid solution (used in acid solution processing unit 14):

염화제2철 35 중량% Ferric Chloride 35 wt%

질산 3 중량% Nitric acid 3% by weight

물 62 중량% 62% by weight of water

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1은 약액의 토출 조건(온도, 토출 시간)을 바꾸어, 박리 처리 후에 있어서의 각 층의 잔사의 유무를 「○: 잔사 없음, ×: 잔사 있음」으로 평가한 결과를 나타낸다. 이 때, 제1 및 제2 알칼리액 처리부에서의 알칼리액의 토출 압력은 모두 0.1 MPa로 하고, 산액 처리부에서의 산액의 토출 압력은 0.15 MPa로 하였다. 또한, 표 중의 상향의 화살표 「↑」는 윗행의 값과 동일한 것을 나타낸다.Table 1 changes the discharge conditions (temperature, discharge time) of the chemical liquid, and shows the result of evaluating the presence or absence of residues in each layer after the peeling treatment as "(circle): no residue and x: residue". At this time, the discharge pressure of the alkaline liquid in the first and second alkaline liquid processing portions was all 0.1 MPa, and the discharge pressure of the acid liquid in the acid liquid processing portion was 0.15 MPa. In addition, the upward arrow "↑" in a table | surface shows the same thing as the value of an upper row.

조건 9 내지 13으로부터 파악되는 바와 같이, 제1 알칼리액 처리에 있어서의 알칼리액의 토출 압력이 0.1 MPa인 경우, 최상층의 수지층(PS, VA)은 액체 온도 40℃, 토출 시간 60초 이상의 조건, 또는 액체 온도 30℃, 토출 시간 90초 이상의 조건에서 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다. 또한, 알칼리액이 유리 기판을 침범하지만, 본 실시 형태에서는 단시간에 박리 처리가 행하여지기 때문에, 유리 기반 상에 알칼리액에 의한 영향은 보이지 않았다.As understood from the conditions 9 to 13, when the discharge pressure of the alkaline liquid in the first alkaline liquid treatment is 0.1 MPa, the resin layers PS and VA of the uppermost layer have a liquid temperature of 40 ° C. and a discharge time of 60 seconds or more. Or completely peeled off under a liquid temperature of 30 ° C. and a discharge time of 90 seconds or more, and no residue was generated. In addition, although an alkali liquid invades a glass substrate, in this embodiment, since peeling process is performed in a short time, the influence by an alkaline liquid on the glass base was not seen.

조건 5 내지 8로부터 파악되는 바와 같이, 산액의 토출 압력 0.15 MPa인 경우, 중간층의 금속막(투명 전극)은 액체 온도 55℃, 토출 시간 180초 이상의 조건, 또는 액체 온도 65℃, 토출 시간 150초 이상의 조건으로 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다.As understood from the conditions 5 to 8, when the discharge pressure of the acid solution is 0.15 MPa, the metal film (transparent electrode) of the intermediate layer has a liquid temperature of 55 ° C., a discharge time of 180 seconds or more, or a liquid temperature of 65 ° C., a discharge time of 150 seconds. It peeled completely on the above conditions, and no residue generate | occur | produced.

조건 1 내지 4로부터 파악되는 바와 같이, 제2 알칼리액 처리에 있어서의 알칼리액의 토출 압력이 0.1 MPa인 경우, 최하층의 수지층(BM, 착색 화소)은 액체 온도 65℃, 토출 시간 240초 이상의 조건에서 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다. 또한, 알칼리액이 유리 기판을 침범하지만, 본 실시 형태에서는 단시간에 박리 처리가 행하여지기 때문에, 유리 기반 상에 알칼리액에 의한 영향은 보이지 않았다.As understood from the conditions 1 to 4, when the discharge pressure of the alkaline liquid in the second alkaline liquid treatment is 0.1 MPa, the resin layer (BM, colored pixel) of the lowermost layer has a liquid temperature of 65 ° C. and a discharge time of 240 seconds or more. It peeled completely in conditions, and no residue generate | occur | produced. In addition, although an alkali liquid invades a glass substrate, in this embodiment, since peeling process is performed in a short time, the influence by an alkaline liquid on the glass base was not seen.

(제2 실시 형태)(2nd embodiment)

도 4는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법을 나타내는 플로우차트이다.It is a flowchart which shows the glass substrate recycling method which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

도 4에 도시된 유리 기판 재생 방법은 도 1a에 도시된 불량 기판 (1a)에 추가로, 도 1b 내지 1e에 도시된 불량 기판 (1b) 내지 (1e)도 재생가능하게 하는 것으로서, 제1 실시 형태에 따른 재생 방법(도 2)에, 제1 산액 처리 공정(S21)을 더 부가한 것이다.The method of regenerating the glass substrate shown in Fig. 4 makes the defective substrates 1b to 1e shown in Figs. 1B to 1E reproducible in addition to the defective substrate 1a shown in Fig. 1A. The first acid solution treatment step S21 is further added to the regeneration method (FIG. 2) according to the form.

보다 구체적으로는 본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 방법은 금속막의 성막 조건 도출에 의해서 형성된 금속막 (8)을 박리하기 위한 제1 산액 처리 공정(S21)과, 최상층의 수지막(PS (6), VA (7))을 박리하는 제1 알칼리액 처리 공정(S22)과, 중간층의 금속막(투명 전극 (5)) 및 이면의 금속막 (9)를 박리하는 제2 산액 처리 공정(S23)과, 최하층의 수지막(BM (3), 착색 화소 (4))을 박리하는 제2 알칼리액 처리 공정(S24)을 구비한다. 이들 각 공정 (S21) 내지 (S24)는 독립한 배치 처리로서 행해지는 것은 아니고, 반송 장치에 의해서 반송되는 불량 기판에 대하여 연속하여 행해진다. 또한, 제2 알칼리액 처리 공정(S24) 후에는 최종 수세 처리 공정(S25)이 행하여진다.More specifically, the glass substrate regeneration method according to the present embodiment includes the first acid solution treatment step S21 for peeling the metal film 8 formed by deriving the film forming conditions of the metal film, and the resin film PS (6) of the uppermost layer. 1st alkaline liquid processing process (S22) which peels off VA (7), and 2nd acid liquid processing process (S23) which peels the metal film (transparent electrode 5) of the intermediate | middle layer, and the metal film 9 of the back surface. And a 2nd alkali liquid processing process (S24) which peels off the resin film (BM (3), colored pixel 4) of a lowermost layer. Each of these steps (S21) to (S24) is not performed as an independent batch process, but is successively performed on the defective substrate to be conveyed by the conveying apparatus. In addition, after the 2nd alkaline liquid process S24, the final water washing process S25 is performed.

도 5a는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 개략적 구성을 도시한 도면이다.It is a figure which shows schematic structure of the glass substrate regeneration device which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

유리 기판 재생 장치 (20a)는 거의 수평으로 지지된 상태로 반송 장치에 의해서 반송되는 기판에 대하여 재생 처리를 행하는 장치로서, 불량 기판의 반송 방향으로 순서대로, 제1 산액 처리부 (22a)와, 제1 알칼리액 처리부 (24)와, 제2 산액 처리부 (26)과, 제2 알칼리액 처리부 (28)을 구비한다. 유리 기판 재생 장치 (20a)는 도 1a 및 1b에 도시된 적층 구조를 갖는 불량 기판 (1a) 및 (1b)를 처리하는데 적합하다.The glass substrate regeneration apparatus 20a is an apparatus which performs a regeneration process with respect to the board | substrate conveyed by a conveying apparatus in the state supported substantially horizontally, The 1st acid-liquid process part 22a and the 1st acid-liquid process part in order in the conveyance direction of a defective substrate, The 1st alkaline liquid process part 24, the 2nd acid liquid process part 26, and the 2nd alkaline liquid process part 28 are provided. The glass substrate reproducing apparatus 20a is suitable for treating the defective substrates 1a and 1b having the laminated structure shown in Figs. 1A and 1B.

또한, 제1 산액 처리부 (22a)의 상류에는 기판 반입부 (21)이 배치되어 있다. 제1 산액 처리부 (21), 제1 알칼리액 처리부 (12), 제2 산액 처리부 (14) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)의 바로 뒤에는 수세 린스부 (23), (25), (27) 및 (29)가 각각 배치되어 있다. 또한, 수세 린스부 (29)의 하류에는 최종 수세 처리부 (30)과 유리 기판 반출부 (31)이 이 순으로 배치되어 있다.Moreover, the board | substrate carrying-in part 21 is arrange | positioned upstream of the 1st acid-liquid process part 22a. Immediately after the first acid liquid treatment unit 21, the first alkaline liquid processing unit 12, the second acid liquid processing unit 14, and the second alkaline liquid processing unit 16, the water rinse rinsing unit 23, 25, and 27 And (29) are disposed respectively. Moreover, downstream of the water rinse rinse part 29, the final water washing process part 30 and the glass substrate carrying-out part 31 are arrange | positioned in this order.

제1 산액 처리부 (22a)는 기판 반입부 (21)로부터 반입된 불량 기판에 대하여 산액을 분사하여, 성막 조건 도출로 형성된 금속막 (8)(도 1b)을 박리한다. 수세 린스부 (23)은 제1 산액 처리부 (21)에서 불량 기판 표면에 부착된 산액을 수세에 의해 제거한다.The first acid treatment unit 22a sprays the acid solution onto the defective substrate carried in from the substrate loading unit 21 to peel off the metal film 8 (FIG. 1B) formed by derivation of the film forming condition. The water washing rinse section 23 removes the acid solution adhering to the defective substrate surface by the first acid treatment unit 21 by washing with water.

제1 알칼리액 처리부 (24)는 최상층의 수지층(PS (6), VA (7))을 박리한다. 수세 린스부 (25)는 제1 알칼리액 처리부 (24)에서 불량 기판 표면에 부착된 알칼리액을 수세에 의해 제거한다.The first alkaline liquid treatment part 24 peels off the resin layers PS 6 and VA 7 of the uppermost layer. The water washing rinse section 25 removes the alkaline liquid adhering to the defective substrate surface by the first alkaline liquid processing section 24 by washing with water.

제2 산액 처리부 (26)은 수세 린스부 (25)에 의해서 린스된 불량 기판의 양면에 산액을 분사하여, 유리 기판 (2)의 양면에 있는 금속층(투명 전극 (5) 및 금속막 (9))을 박리한다. 수세 린스부 (27)은 제2 산액 처리부 (26)에서 불량 기판 표면에 부착된 산액을 수세에 의해 제거한다.The second acid treatment unit 26 sprays the acid solution on both sides of the defective substrate rinsed by the water rinsing unit 25, and the metal layers (transparent electrode 5 and metal film 9) on both sides of the glass substrate 2 are exposed. ) Peel off. The water washing rinse section 27 removes the acid solution adhered to the defective substrate surface by the second acid treatment unit 26 by washing with water.

제2 알칼리액 처리부 (28)은 수세 린스부 (27)에 의해서 린스된 불량 기판에 대하여 알칼리액을 분사하여, 최하층의 수지층(BM (3), 착색 화소 (4))을 박리한다. 수세 린스부 (29)는 제2 알칼리액 처리부 (28)에서 불량 기판 표면에 부착된 알칼리액을 수세에 의해 제거한다.The second alkaline liquid treatment unit 28 sprays the alkaline liquid onto the defective substrate rinsed by the water rinsing unit 27 to peel off the lowermost resin layer (BM 3, colored pixel 4). The water washing rinse portion 29 removes the alkaline liquid adhered to the defective substrate surface by the water washing in the second alkaline liquid processing portion 28.

수세 린스부 (29)에 의해서 린스된 유리 기판 (2)는 최종 수세 처리부 (30)에 의해서 재차 수세된 후, 유리 기판 반출부 (31)로부터 배출된다.The glass substrate 2 rinsed by the water washing rinse portion 29 is washed again by the final water washing treatment portion 30, and then discharged from the glass substrate carrying out portion 31.

상기한 제1 산액 처리부 (22a), 제1 알칼리액 처리부 (24), 제2 산액 처리부 (26) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)에서는 처리액의 토출 압력이나 액체 온도, 토출 시간, 기판의 반송 속도를 임의로 설정할 수 있다. 이들 항목을 변경 가능하게 함으로써 설계 변경 등으로 유리 기판 (2) 상의 각 층(PS (6), VA (7), 투명 전극 (5), BM (3), 착색 화소 (4), 금속막 (8) 및 (9))의 재료나 두께가 변경된 경우에도, 각 층의 박리에 최적의 조건을 설정할 수 있다. 또한, 제1 산액 처리부 (22a), 제1 알칼리액 처리부 (24), 제2 산액 처리부 (26) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)에는 기판 상의 층을 박리하기 위한 브러시나 스폰지 롤 등이 필요에 따라서 설치된다.In the above-described first acid liquid processing unit 22a, first alkaline liquid processing unit 24, second acid liquid processing unit 26 and second alkaline liquid processing unit 28, the discharge pressure, the liquid temperature, the discharge time of the processing liquid, the substrate The conveyance speed can be arbitrarily set. By making these items changeable, each layer (PS 6, VA 7, transparent electrode 5, BM 3, colored pixel 4, metal film) on the glass substrate 2 may be changed by design change or the like. Even when the material and thickness of 8) and (9)) are changed, the optimum conditions for peeling of each layer can be set. In addition, the 1st acid liquid processing part 22a, the 1st alkaline liquid processing part 24, the 2nd acid liquid processing part 26, and the 2nd alkaline liquid processing part 28 require a brush, a sponge roll, etc. to peel a layer on a board | substrate. It is installed along.

본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치 (20)에서 도 1a 및 1b에 도시된 불량 기판 (1a) 및 (1b)를 처리한 경우, 불량 기판의 적층 구조에 따라서 각 층의 박리 과정이 달라진다.When the defective substrates 1a and 1b shown in Figs. 1A and 1B are treated in the glass substrate reproducing apparatus 20 according to the present embodiment, the peeling process of each layer varies depending on the laminated structure of the defective substrate.

도 1a에 도시된 불량 기판 (1a)를 투입한 경우, 제1 산액 처리부 (22a)에서는 최상층의 PS (6) 및 VA (7)은 박리되지 않고, 노출된 투명 전극 (5)의 일부가 박리된다. 그 후, 제1 실시 형태와 같이, 제1 알칼리액 처리부 (24), 제2 산액 처리부 (26) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)에서 순서대로 각 층이 박리되어 유리 기판 (2)가 재생된다.In the case where the defective substrate 1a shown in FIG. 1A is introduced, the PS 6 and the VA 7 of the uppermost layer are not peeled off in the first acid treatment unit 22a, and a part of the exposed transparent electrode 5 is peeled off. do. Thereafter, as in the first embodiment, each layer is peeled off in order from the first alkaline liquid processing unit 24, the second acid liquid processing unit 26, and the second alkaline liquid processing unit 28, and the glass substrate 2 is regenerated. do.

도 1b에 도시된 불량 기판 (1b)를 투입한 경우, 제1 산액 처리부 (22a)에서, 성막 조건 도출을 위해서 형성된 금속층 (8)이 박리된다. 그 후, 제1 실시 형태와 같이 제1 알칼리액 처리부 (24), 제2 산액 처리부 (26) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)로 순서대로 각 층이 박리되어 유리 기판 (2)가 재생된다.When the defective substrate 1b shown in FIG. 1B is introduced, the metal layer 8 formed to derive the film forming conditions is peeled off in the first acid solution processing unit 22a. Thereafter, as in the first embodiment, each layer is peeled off in order to the first alkaline liquid processing unit 24, the second acid liquid processing unit 26, and the second alkaline liquid processing unit 28, and the glass substrate 2 is regenerated. .

또한, 제2 산액 처리부 (26)에서는 불량 기판의 이면에 대해서도 약액을 분사하지만, 그 액성이 산성이기 때문에, 도 1a 및 1b와 같이 이면에 유리 기판이 노출된 불량 기판에 대하여 손상을 제공하지는 않는다.In addition, although the chemical liquid is sprayed on the back surface of the defective substrate, the second acid liquid processing unit 26 does not provide damage to the defective substrate on which the glass substrate is exposed on the rear surface as shown in FIGS. 1A and 1B. .

도 5b는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 다른 일례를 도시한 도면이다.FIG. 5B is a diagram showing another example of the glass substrate reproducing apparatus according to the second embodiment of the present invention. FIG.

유리 기판 재생 장치 (20b)는 유리 기판 재생 장치 (20a)(도 5a)의 제1 산액 처리부 (22a) 대신에 제1 산액 처리부 (22b)를 설치한 것이다. 제1 산액 처리부 (22b)는 기판 반입부 (21)로부터 반입된 불량 기판 (1)의 양면에 산액을 분사하여 금속막을 박리한다. 유리 기판 재생 장치 (20b)는 도 1a 및 1b에 도시된 적층 구조를 갖는 불량 기판 (1a) 및 (1b)에 추가로, 도 1c 내지 1e를 처리하는데 적합하다.The glass substrate regeneration apparatus 20b is provided with the first acid liquid treatment portion 22b instead of the first acid liquid treatment portion 22a of the glass substrate regeneration apparatus 20a (FIG. 5A). The first acid treatment unit 22b sprays the acid solution on both sides of the defective substrate 1 carried in from the substrate loading unit 21 to peel off the metal film. The glass substrate reproducing apparatus 20b is suitable for processing FIGS. 1C to 1E in addition to the defective substrates 1a and 1b having the laminated structure shown in FIGS. 1A and 1B.

도 1c에 도시된 불량 기판 (1c)을 투입한 경우, 제1 산액 처리부 (22b)에서, 불량 기판 (1c)의 양면에 산액이 분사되어, 표면의 투명 전극 (5)와 이면의 금속막 (9)의 양쪽이 박리된다. 그 후, 제1 알칼리액 처리부 (28)에서 최하층의 수지층이 박리되어 유리 기판 (2)가 재생된다.When the defective substrate 1c shown in Fig. 1C is introduced, the acid solution is injected onto both surfaces of the defective substrate 1c in the first acid solution processing unit 22b, so that the transparent electrode 5 on the surface and the metal film on the back surface ( Both sides of 9) are peeled off. Thereafter, the resin layer of the lowest layer is peeled off from the first alkaline liquid processing unit 28 to regenerate the glass substrate 2.

도 1d 및 1e에 도시된 불량 기판 (1d) 및 (1e)를 투입한 경우, 제1 산액 처리부 (22b)에서, 불량 기판 (1d)의 양면에 산액이 분사되어, 이면의 투명 전극 (34)가 박리된다. 그 후, 제1 알칼리액 처리부 (28)에서 유리 기판 (2) 상의 수지층(PS (6), VA (7), 오버 코팅층 (33), BM (3), 착색 화소 (4))이 박리되어, 유리 기판 (2)가 재생된다.In the case where the defective substrates 1d and 1e shown in FIGS. 1D and 1E are introduced, the acid solution is injected onto both surfaces of the defective substrate 1d by the first acid solution processing unit 22b, so that the transparent electrode 34 on the back surface thereof. Is peeled off. After that, the resin layer (PS 6, VA 7, overcoating layer 33, BM 3, colored pixel 4) on the glass substrate 2 is peeled off in the first alkaline liquid treatment part 28. The glass substrate 2 is regenerated.

도 1c 내지 1e에 도시된 구조에서는 유리 기판 (2)의 이면 상에 직접 금속막(ITO 막)이 형성되어 있다. 이 상태에서 최초로 알칼리 처리를 행하면, 금속막의 다공성상의 결정의 간극에 알칼리 처리액이 침투하여 유리 기판 (2)를 침식시킨다. 유리 기판 (2)의 이면 상에는 본래의 유리 표면 부분과 침식된 부분이 생김으로써 유리 기판 (2)의 표면이 연마 유리상이 되어, 유리 기판 (2)를 기재로서 재사용할 수 없게 되어 버린다. 따라서, 도 5b의 장치에서는 최초에 산액 처리를 행하여, 유리 기판 (2)의 표면에 직접 형성된 금속막을 박리한다. 불량 기판 (1c) 내지 (1e)를 제1 산액 처리부 (22a) 또는 (22b)에 투입한 경우, 재생된 유리 기판 (2)(소(素) 유리의 상태)가 제2 알칼리액 처리부 (28)에서 처리되지만, 그 처리 시간이 짧기 때문에, 유리 기판 (2)의 침식은 억제된다.In the structure shown in FIGS. 1C to 1E, a metal film (ITO film) is formed directly on the back surface of the glass substrate 2. When alkali treatment is performed for the first time in this state, the alkaline treatment liquid penetrates into the gap between the crystals of the porous phase of the metal film and the glass substrate 2 is eroded. Since the original glass surface part and the eroded part generate | occur | produce on the back surface of the glass substrate 2, the surface of the glass substrate 2 will become an abrasive glass phase, and the glass substrate 2 will not be reused as a base material. Therefore, in the apparatus of FIG. 5B, an acid-liquid process is performed initially and the metal film formed directly on the surface of the glass substrate 2 is peeled off. When the defective substrates 1c to 1e are introduced into the first acid solution processing unit 22a or 22b, the recycled glass substrate 2 (the state of the small glass) is the second alkaline liquid processing unit 28. ), But because the processing time is short, erosion of the glass substrate 2 is suppressed.

또한, 도 1c 내지 1e에 도시된 구조의 불량 기판 (1c) 내지 (1e)를 재생하는 경우, 1회의 산액 처리와 1회의 알칼리액 처리로 유리 기판 (2)의 재생이 가능하다. 따라서, 불량 기판 (1c) 내지 (1e)를 제1 산액 처리부 (22a) 또는 (22b)에 투입하는 대신에, 기판 반입부 (21)로부터 제2 산액 처리부 (26)에 투입할 수도 있다. 한편, 불량 기판 (1c) 내지 (1e)를 제2 산액 처리부 (26)에 직접 투입한 경우에는 불필요한 알칼리액 처리가 행하여지지 않기 때문에, 기판의 침식을 최소한으로 억제할 수 있다.In addition, in the case of regenerating the defective substrates 1c to 1e having the structure shown in FIGS. 1C to 1E, the glass substrate 2 can be regenerated by one acid solution treatment and one alkaline solution treatment. Therefore, the defective substrates 1c to 1e may be introduced into the second acid processing unit 26 from the substrate loading unit 21 instead of being introduced into the first acid processing unit 22a or 22b. On the other hand, when the defective substrates 1c to 1e are directly put into the second acid solution processing unit 26, unnecessary alkaline liquid treatment is not performed, and thus erosion of the substrate can be minimized.

또한, 도 5a 및 5b의 구성예에서는 제2 산액 처리부 (26)이 불량 기판의 양면에 산액을 분사하지만, 다음과 같이 제2 산액 처리부를 구성할 수도 있다.In addition, in the structural example of FIGS. 5A and 5B, although the 2nd acid liquid processing part 26 sprays acid liquid on both surfaces of a defective board | substrate, you may comprise a 2nd acid liquid processing part as follows.

도 6은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치의 다른 일례를 도시한 도면이다.6 is a diagram showing another example of the glass substrate reproducing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 6에 도시되는 유리 기판 재생 장치 (20c)는 제1 알칼리액 처리부 (24) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)의 사이에 배치되고, 불량 기판의 한쪽면에만 산액을 분출하는 한쌍의 제2 산액 처리부 (26a) 및 (26b)와, 제2 산액 처리부 (26a) 및 (26b)의 각각의 바로 뒤에 배치되는 한쌍의 수세 린스부 (27a) 및 (27b)를 구비한다. 또한, 수세 린스부 (27a) 및 제2 산액 처리부 (26b)의 사이와, 수세 린스부 (27b) 및 제2 알칼리액 처리부 (28)의 사이에는 불량 기판의 표면과 이면을 반전시키기 위한 도시하지 않은 반전 기구가 설치된다. 이와 같이 구성하더라도, 도 4의 장치와 같이, 유리 기판의 이면에 형성된 금속막 (9)를 박리할 수 있다. 또한, 도 6의 예에 있어서, 제1 산액 처리부 (22a) 대신에 불량 기판의 양쪽면에 산액을 토출하는 제1 산액 처리부 (22b)(도 5b)를 채용할 수도 있다.The glass substrate reproducing apparatus 20c shown in FIG. 6 is disposed between the first alkaline liquid processing unit 24 and the second alkaline liquid processing unit 28, and a pair of second spraying acid solutions only on one side of the defective substrate. And a pair of water rinsing rinses 27a and 27b disposed immediately after each of the liquid acid processing units 26a and 26b and the second liquid acid processing units 26a and 26b. Further, not shown for inverting the surface and the back surface of the defective substrate between the water rinsing portion 27a and the second acid liquid processing portion 26b and between the water rinsing portion 27b and the second alkaline liquid processing portion 28. Reverse mechanism is installed. Even if it is comprised in this way, like the apparatus of FIG. 4, the metal film 9 formed in the back surface of a glass substrate can be peeled. In addition, in the example of FIG. 6, instead of the first acid liquid processing unit 22a, a first acid liquid processing unit 22b (FIG. 5B) for discharging the acid liquid to both surfaces of the defective substrate may be employed.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치 (20a) 및 (20b)에 따르면, 불량 기판의 적층 구조에 상관없이, 다양한 종류의 불량 기판으로부터 유리 기판을 재생하는 것이 가능해진다.As explained above, according to the glass substrate regeneration apparatus 20a and 20b which concerns on this embodiment, it becomes possible to reproduce | regenerate a glass substrate from various kinds of defective substrates, regardless of the laminated structure of a defective substrate.

<실시예 2><Example 2>

이하, 실시예 2로서, 도 5a의 유리 기판 재생 장치 (20a)를 이용하여, 도 1b의 적층 구조를 갖는 불량 기판을 처리한 경우의 구체적인 처리 조건을 나타낸다. 또한, 제1 및 제2 알칼리 처리 공정에서 사용되는 알칼리액 및 제1 및 제2 산액 처리 공정에서 사용되는 산액은 상기한 실시예 1과 동일한 것을 사용하였다.Hereinafter, as Example 2, the specific processing conditions at the time of processing the defective substrate which has the laminated structure of FIG. 1B using the glass substrate regeneration apparatus 20a of FIG. 5A are shown. In addition, the alkaline liquid used at the 1st and 2nd alkali treatment process and the acid liquid used at the 1st and 2nd acid liquid treatment process used the same thing as Example 1 mentioned above.

Figure pct00002
Figure pct00002

표 2는 약액의 토출 조건(온도, 토출 시간)을 바꾸어, 박리 처리 후에 있어서의 각 층의 잔사의 유무를 「○: 잔사 없음, ×: 잔사 있음 」으로 평가한 결과를 나타낸다. 이 때, 제1 및 제2 알칼리액 처리부에서의 알칼리액의 토출 압력은 모두 0.1 MPa로 하고, 제1 및 제2 산액 처리부에서의 산액의 토출 압력은 0.15 MPa로 하였다. 또한, 표 중의 상향의 화살표 「↑」는 윗행의 값과 동일한 것을 나타낸다.Table 2 changes the discharge conditions (temperature, discharge time) of the chemical liquid, and shows the result of evaluating the presence or absence of residue of each layer after the peeling treatment as "(circle): no residue and x: residue". At this time, the discharge pressure of the alkaline liquid in the first and second alkaline liquid processing portions was all 0.1 MPa, and the discharge pressure of the acid liquid in the first and second acid liquid processing portions was 0.15 MPa. In addition, the upward arrow "↑" in a table | surface shows the same thing as the value of an upper row.

조건 9 내지 13으로부터 파악되는 바와 같이, 제1 알칼리액 처리부에서의 알칼리액의 토출 압력이 0.1 MPa인 경우, 최상층의 수지층(PS, VA)은 액체 온도 40℃, 토출 시간 60초 이상의 조건에서, 또는 액체 온도 30℃, 토출 시간 90초 이상의 조건에서 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다.As understood from the conditions 9 to 13, when the discharge pressure of the alkaline liquid in the first alkaline liquid processing unit is 0.1 MPa, the resin layers PS and VA of the uppermost layer are subjected to a liquid temperature of 40 ° C. and a discharge time of 60 seconds or more. Or completely peeled off under a liquid temperature of 30 ° C. and a discharge time of 90 seconds or more, and no residue was generated.

조건 5 내지 8로부터 파악되는 바와 같이, 제1 및 제2 산액 처리부에서의 산액의 토출 압력이 0.15 MPa인 경우, 투명 전극 및 성막 조건 도출용의 금속막은 액체 온도 55℃, 토출 시간 180초 이상의 조건, 또는 액체 온도 65℃, 토출 시간 150초 이상의 조건에서 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다.As understood from the conditions 5 to 8, when the discharge pressure of the acid solution in the first and second acid solution processing units is 0.15 MPa, the metal film for derivation of the transparent electrode and the film forming condition has a liquid temperature of 55 ° C. and a discharge time of 180 seconds or more. Or completely peeled off under a liquid temperature of 65 ° C. and a discharge time of 150 seconds or more, and no residue was generated.

조건 1 내지 4로부터 파악되는 바와 같이, 제2 알칼리액 처리에 있어서의 알칼리액의 토출 압력이 0.1 MPa인 경우, 최하층의 수지층(BM, 착색 화소)은 액체 온도 65℃, 토출 시간 240초 이상의 조건에서 완전히 박리되고, 잔사도 발생하지 않았다.As understood from the conditions 1 to 4, when the discharge pressure of the alkaline liquid in the second alkaline liquid treatment is 0.1 MPa, the resin layer (BM, colored pixel) of the lowermost layer has a liquid temperature of 65 ° C. and a discharge time of 240 seconds or more. It peeled completely in conditions, and no residue generate | occur | produced.

(제3 실시 형태)(Third embodiment)

도 7은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 알칼리액 처리 유닛의 개략적 구성을 도시한 도면이다.It is a figure which shows schematic structure of the alkaline liquid processing unit which concerns on 3rd Embodiment of this invention.

알칼리액 처리 유닛 (40a)는 불량 기판으로부터 유리 기판을 재생하기 위해서, 유리 기판 상의 수지층(PS (6), VA (7), BM (3), 착색 화소 (4))을 박리하기 위한 장치이다. 알칼리액 처리 유닛 (40a)는 상기한 제1 및 제2 각 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치가 구비하는 제1 및 제2 알칼리액 처리부의 한쪽 또는 양쪽으로서 이용할 수 있다.The alkaline liquid processing unit 40a is an apparatus for peeling the resin layers PS 6, VA 7, BM 3, and colored pixels 4 on the glass substrate in order to regenerate the glass substrate from the defective substrate. to be. The alkaline liquid processing unit 40a can be used as one or both of the first and second alkaline liquid processing units included in the glass substrate reproducing apparatus according to the first and second embodiments described above.

알칼리액 처리 유닛 (40a)는 불량 기판의 반송 방향을 따라서 직렬로 배치되고, 불량 기판에 대하여 독립적으로 박리 처리를 행할 수 있는 한쌍의 처리부 (41a) 및 (41b)와, 알칼리액 보충 탱크 (42)와, 박리액 보충 탱크 (43)과, 회수팬 (44a) 및 (44b)를 구비한다.The alkaline liquid processing unit 40a is disposed in series along the conveying direction of the defective substrate, and has a pair of processing portions 41a and 41b capable of independently peeling the defective substrate and the alkaline liquid replenishment tank 42 ), A peeling liquid replenishment tank 43, and recovery fans 44a and 44b.

처리부 (41a)는 처리액을 저류하는 저류조 (45a)와, 불량 기판에 대하여 처리액을 토출하는 노즐 (46a)와, 배관 (47a)를 통하여 저류조 (45a) 내의 처리액을 노즐 (46a)에 공급하는 펌프 (48a)와, 기판 표면을 문질러 세정하는 세정 브러시(도시하지 않음)를 포함한다. 처리부 (41b)는 처리부 (41a)의 하류에 배치되고, 처리부 (41a)에 설치되는 것과 동일한 저류조 (45b)와, 노즐 (46b)와, 배관 (47b)를 통해 노즐 (46b)에 처리액을 공급하는 펌프 (48b)와, 세정 브러시(도시하지 않음)를 포함한다.The processing section 41a stores the processing liquid in the storage tank 45a through the storage tank 45a for storing the processing liquid, the nozzle 46a for discharging the processing liquid to the defective substrate, and the pipe 47a to the nozzle 46a. A pump 48a for supplying, and a cleaning brush (not shown) for scrubbing the substrate surface. The processing part 41b is arrange | positioned downstream of the processing part 41a, and supplies the processing liquid to the nozzle 46b through the same storage tank 45b, nozzle 46b, and piping 47b which are provided in the processing part 41a. A pump 48b to supply and a cleaning brush (not shown) are included.

처리부 (41a)에서, 저류조 (45a) 내의 처리액은 펌프 (48a)에 의해서 노즐 (46a)에 송액되고, 노즐 (46a)로부터 불량 기판 (1) 표면에 샤워형으로 토출된다. 그리고, 도시하지 않은 세정 브러시에 의해서 불량 기판 (1) 표면을 문지름으로써 수지층의 일부가 박리된다. 불량 기판 (1)의 세정에 이용된 처리액 및 박리 수지는 회수팬 (44a)으로부터 배관 (49a)를 통하여 저류조 (45a)로 회수된다. 박리 수지는 저류조 (45a) 내에서 침전시킨 후, 배관 (50a)로부터 외부로 배출된다. 또는 배관 (49a)의 도중이나 저류조 (45a) 내에 필터 기구를 설치하여 처리액 내의 수지를 제거할 수도 있다.In the processing section 41a, the processing liquid in the storage tank 45a is fed to the nozzle 46a by the pump 48a, and discharged from the nozzle 46a to the bad substrate 1 surface in a shower. Then, a part of the resin layer is peeled off by rubbing the surface of the defective substrate 1 with a cleaning brush (not shown). The processing liquid and the release resin used for cleaning the defective substrate 1 are recovered from the recovery fan 44a to the storage tank 45a through the pipe 49a. The release resin is precipitated in the storage tank 45a and then discharged from the pipe 50a to the outside. Alternatively, the resin in the treatment liquid may be removed by installing a filter mechanism in the middle of the pipe 49a or in the storage tank 45a.

처리부 (41b)에서도 마찬가지로, 저류조 (45b) 내의 처리액이 펌프 (48b)로부터 노즐 (46b)로 송액되고, 노즐 (46b)로부터 불량 기판 (1) 표면에 샤워형으로 토출된다. 도시하지 않은 세정 브러시에 의해서 불량 기판 (1) 표면을 문지름으로써 잔존하고 있는 수지층이 박리된다. 세정에 이용된 처리액 및 박리 수지는 회수팬 (44b)로부터 배관 (49b)를 통하여 저류조 (45b)로 회수된다. 박리 수지는 저류조 (45b) 내에서 침전시킨 후, 배관 (50b)로부터 외부로 배출된다. 또는 배관 (49b)의 도중이나 저류조 (45b) 내에 필터 기구를 설치하여 처리액 내의 수지를 제거할 수도 있다.Similarly, in the processing section 41b, the processing liquid in the storage tank 45b is fed from the pump 48b to the nozzle 46b, and discharged from the nozzle 46b to the surface of the defective substrate 1 in the form of a shower. The remaining resin layer is peeled off by rubbing the surface of the defective substrate 1 with a cleaning brush (not shown). The processing liquid and the peeling resin used for washing are recovered from the recovery fan 44b to the storage tank 45b through the pipe 49b. The release resin is precipitated in the storage tank 45b and then discharged from the pipe 50b to the outside. Alternatively, the resin in the treatment liquid may be removed by installing a filter mechanism in the middle of the pipe 49b or in the storage tank 45b.

저류조 (45a) 및 (45b)에는 미리 소정 농도로 조정된 처리액이 저류되어 있고, 그 내부의 처리액 농도는 도시하지 않은 측정 장치에 의해서 일정 시간마다 모니터되고 있다. 저류조 (45a) 내의 처리액 농도가 저하된 경우, 알칼리액 보충 탱크 (42) 및 박리액 보충 탱크 (43)으로부터 배관 (51a) 및 (52)를 통하여, 저류조 (45a)로 알칼리액 및 박리액을 보충하여 저류조 (45a) 내의 처리액 농도가 조정된다. 한편, 저류조 (45b) 내의 처리액 농도가 저하된 경우, 알칼리액 보충 탱크 (42)로부터 배관 (51b)를 통하여, 저류조 (45b)로 알칼리액을 보충하여 저류조 (45b) 내의 처리액 농도가 조정된다.In the storage tank 45a and 45b, the process liquid adjusted to the predetermined density | concentration is stored, and the process liquid density | concentration inside it is monitored by a measuring device not shown in every fixed time. When the concentration of the processing liquid in the storage tank 45a decreases, the alkaline liquid and the stripping liquid from the alkaline liquid replenishment tank 42 and the stripping liquid replenishment tank 43 to the storage tank 45a through the pipes 51a and 52. By supplementing this, the concentration of the treatment liquid in the storage tank 45a is adjusted. On the other hand, when the process liquid concentration in the storage tank 45b falls, the alkali liquid is replenished from the alkali liquid replenishment tank 42 to the storage tank 45b via the piping 51b, and the process liquid concentration in the storage tank 45b is adjusted. do.

또한, 도 7에 도시된 알칼리 처리 유닛 (40a) 대신에 다음과 같은 구성을 채용할 수도 있다.In addition, the following structure may be employ | adopted instead of the alkali treatment unit 40a shown in FIG.

도 8은 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 알칼리액 처리 유닛의 다른 일례를 도시한 도면이다.8 is a diagram showing another example of the alkaline liquid processing unit according to the third embodiment of the present invention.

알칼리액 처리 유닛 (40b)는 도 7에 도시된 것과 동일한 처리부 (41a) 및 (41b)에 대하여 알칼리액 보충 탱크 (42a) 및 (42b), 박리액 보충 탱크 (43a) 및 (43b)를 각각 설치한 것이다.The alkaline liquid processing unit 40b uses the alkaline liquid supplement tanks 42a and 42b and the peeling liquid supplement tanks 43a and 43b to the same treatment sections 41a and 41b as those shown in FIG. It is installed.

도 8의 알칼리 처리 유닛 (41b)에서는 저류조 (45a) 및 (45b) 내의 처리액 농도가 저하된 경우, 알칼리액 보충 탱크 (42a) 및 (42b)로부터 배관 (51a) 및 (51b)를 통하여, 알칼리액이 저류조 (45a) 및 (45b)로 공급된다. 또한, 박리액 보충 탱크 (43a) 및 (43b)에서 배관 (52a) 및 (52b)를 통하여, 박리액이 저류조 (45a) 및 (45b)로 공급된다.In the alkali treatment unit 41b of FIG. 8, when the concentration of the treatment liquid in the storage tanks 45a and 45b is lowered, from the alkali liquid replenishment tanks 42a and 42b, through the pipes 51a and 51b, An alkaline liquid is supplied to the storage tanks 45a and 45b. In addition, the peeling liquid is supplied to the storage tanks 45a and 45b through the piping 52a and 52b in the peeling liquid replenishment tank 43a and 43b.

도 7 및 8에 도시된 알칼리 처리 유닛 (40a) 및 (40b)에서는 처리부 (41a)와 처리부 (41b)에서 처리액의 조성 또는 농도의 적어도 한쪽이 다르다. 구체적으로는 도 7의 구성에서는 상류측의 처리부 (41a)에서 이용하는 처리액에만 박리액을 혼합함으로써 처리부 (41a) 및 (41b)에서 이용하는 처리액의 조성이 달라진다. 또한, 하류측의 처리부 (41b)에서 이용하는 처리액에 포함되는 알칼리액 농도를 처리부 (41a)와 비교하여 낮게 하거나(도 7 및 도 8), 하류측의 처리부에서 이용하는 처리액에 포함되는 박리액 농도를 처리부 (41a)와 비교하여 낮게 하거나 할 수도 있다(도 8).In the alkali treatment units 40a and 40b shown in Figs. 7 and 8, at least one of the composition or the concentration of the treatment liquid differs between the treatment portion 41a and the treatment portion 41b. In the structure of FIG. 7, the composition of the process liquid used by the process part 41a and 41b changes by mixing a peeling solution only to the process liquid used by the process part 41a of an upstream. Moreover, the alkali liquid concentration contained in the process liquid used by the downstream process part 41b is made low compared with the process part 41a, (FIG. 7 and FIG. 8), or peeling liquid contained in the process liquid used by the process part downstream. The concentration may be lower than that of the processing section 41a (FIG. 8).

이와 같이 상류로부터 하류로 향함에 따라서, 처리액의 농도(알칼리액 농도, 박리액 농도)를 낮게 하면 알칼리액이나 박리액을 효율적으로 사용할 수 있다. 즉, 박리하여야 할 수지량이 가장 많은 알칼리액 처리의 초기 단계에서는 비교적 고농도의 처리액으로 강력하게 박리 처리를 행하고, 박리 처리가 진행하고 수지량이 감소한 후의 단계에서는 저농도의 처리액으로 박리 처리를 행한다. 이 결과, 일정 농도의 처리액을 사용하는 경우와 비교하여, 알칼리액 및 박리액의 사용량을 감소시킬 수 있기 때문에, 유리 기판 재생에 요하는 비용을 삭감할 수 있다. 또한, 처리액의 농도를 서서히 저하시킴으로써, 유리 기판이 고농도의 처리액에 노출되는 시간을 짧게 할 수 있어, 이 결과, 알칼리 성분에 의한 유리 기판의 손상을 방지할 수 있다.In this way, when the concentration of the processing liquid (alkaline liquid concentration, stripping liquid concentration) is lowered from the upstream to the downstream, an alkaline liquid or a stripping liquid can be used efficiently. That is, in the initial stage of the alkaline liquid treatment with the highest amount of resin to be peeled off, the peeling treatment is strongly performed with a relatively high concentration of the treatment liquid, and the peeling treatment is performed with the low concentration treatment liquid in the stage after the peeling treatment proceeds and the resin amount decreases. As a result, since the usage-amount of alkaline liquid and a peeling liquid can be reduced compared with the case of using the process liquid of a fixed density | concentration, the cost required for glass substrate regeneration can be reduced. Moreover, the time which a glass substrate is exposed to a high concentration process liquid can be shortened by gradually decreasing the density | concentration of a process liquid, As a result, the damage of a glass substrate by an alkali component can be prevented.

또한, 상기한 설명에서는 노즐 (46a) 및 (46)으로부터의 처리액의 토출과 세정 브러시에 의한 문지르기의 조합에 의해서 불량 기판을 처리하는 예를 기술했지만, 처리부 (41a) 및 (41b)에서의 수지층의 박리 처리부로서는 모든 구성을 채용할 수 있다. 예를 들면, 불량 기판에 소정 압력으로 처리액을 분사하여 수지막을 어느 정도 박리시킨 후, 스폰지로 표면을 문질러 세정을 행할 수도 있다. 또한, 세정 브러시 대신에 스폰지 롤을 이용할 수도 있다. 또는 불량 기판을 처리액 내에 침지시킨 상태로 반송하고, 그 후, 고압으로 처리액을 불량 기판에 분사하여 수지막을 박리·제거할 수도 있다.In addition, although the above description has described an example in which the defective substrate is processed by a combination of the ejection of the processing liquid from the nozzles 46a and 46 and the scrubbing with the cleaning brush, the processing units 41a and 41b are described. As the peeling treatment part of the resin layer, all the structures can be adopted. For example, after a process liquid is sprayed to a defective board | substrate by predetermined pressure, peeling a resin film to some extent, you may wash | clean by rubbing a surface with a sponge. It is also possible to use a sponge roll instead of the cleaning brush. Alternatively, the defective substrate may be conveyed in a state of being immersed in the processing liquid, and then the processing liquid may be sprayed onto the defective substrate at a high pressure to peel and remove the resin film.

또한, 도 7 및 8의 예에서는 2개의 처리부 (41a) 및 (41b)를 이용하여 알칼리 처리 유닛을 구성한 예를 설명했지만, 복수의 처리부가 직렬로 배치되어 있으면 되고, 처리부의 수는 2 이상이 임의일 수 있다.In the example of FIGS. 7 and 8, an example in which an alkali treatment unit is configured using two treatment portions 41a and 41b has been described. However, a plurality of treatment portions may be arranged in series, and the number of treatment portions is two or more. Can be any.

<실시예 3 내지 6><Examples 3 to 6>

이하, 실시예 3 내지 6으로서, 도 7의 알칼리액 처리 유닛 (40a)를 사용한 경우(보다 상세하게는 도 3에 도시된 유리 기판 재생 장치의 제1 알칼리액 처리부 (12) 및 제2 알칼리액 처리부 (16)에 도 7의 알칼리액 처리 유닛 (40a)를 적용한 경우)의 구체적인 처리 조건을 나타낸다. 또한, 비교예로서, 도 18에 도시된 구성의 유리 기판 재생 장치를 이용한 경우의 처리 조건을 나타낸다. 또한, 도 18에 도시된 노즐은 도 7에 도시된 노즐을 직렬로 접속한 것이다.Hereinafter, when the alkali liquid processing unit 40a of FIG. 7 is used as Examples 3-6 (more specifically, the 1st alkaline liquid process part 12 and the 2nd alkaline liquid of the glass substrate regeneration apparatus shown in FIG. 3). The specific process conditions of the alkaline liquid processing unit 40a of FIG. 7 to the process part 16 are shown. Moreover, as a comparative example, the processing conditions in the case of using the glass substrate regeneration device of the structure shown in FIG. 18 are shown. In addition, the nozzle shown in FIG. 18 connects the nozzle shown in FIG. 7 in series.

처리 대상의 기판으로서, 무알칼리 유리로 이루어지는 유리 기판(크기: 2160 mm×2460 mm, 두께: 0.7 mm) 상에, BM, 착색 화소, ITO 투명 전극, PS, VA를 형성한 것을 사용하였다(도 1a).As the substrate to be treated, one having BM, a colored pixel, an ITO transparent electrode, PS, and VA formed on a glass substrate (size: 2160 mm x 2460 mm, thickness: 0.7 mm) made of alkali-free glass was used (Fig. 1a).

알칼리액의 조성은 이하와 같이 하였다. 또한, 제1 알칼리액 처리부 (12)와 제2 알칼리액 처리부 (16)에서 동일한 처리액을 사용하였다.The composition of the alkaline liquid was as follows. The same treatment liquid was used in the first alkaline liquid treatment part 12 and the second alkaline liquid treatment part 16.

(1) 처리액 1(상류측의 처리부 (41a)용): (1) Treatment liquid 1 (for upstream treatment portion 41a):

무기 알칼리(수산화칼륨) 11 중량% Inorganic alkali (potassium hydroxide) 11% by weight

유기 알칼리(모노에탄올아민·트리에탄올아민) 20 중량% 20% by weight of organic alkali (monoethanolamine triethanolamine)

글리콜에테르 28 중량% Glycol ether 28% by weight

벤질알코올 8 중량% Benzyl alcohol 8% by weight

물 33 중량%33% by weight of water

(2) 처리액 2(하류측의 처리부 (41b)용)(2) Processing liquid 2 (for downstream processing part 41b)

무기 알칼리(수산화칼륨) 11 중량% Inorganic alkali (potassium hydroxide) 11% by weight

물 89 중량% 89% by weight of water

제1 및 제2 알칼리액 처리부에서의 처리액의 온도는 다음과 같이 하였다. The temperature of the process liquid in a 1st and 2nd alkaline liquid process part was as follows.

(1) 실시예 3: 55℃(1) Example 3: 55 degreeC

(2) 실시예 4: 45℃(2) Example 4: 45 degreeC

(3) 실시예 5: 60℃(3) Example 5: 60 ° C

(4) 실시예 6: 65℃ (4) Example 6: 65 ° C

또한, 제1 알칼리액 처리부 및 제2 알칼리액 처리부에서의 처리는 다음과 같이 행하였다. 상기한 온도의 처리액을 노즐로부터 토출 압력 0.1 MPa의 샤워로 토출하면서, 브러시에 의해서 처리 대상 기판을 세정하여, 수지조(PS, VA, BM, 착색 화소)를 박리 제거하였다. 기판의 반송 속도는 1000 mm/분으로 하여, 상류측 및 하류측의 처리부에 의한 처리 시간은 모두 90초(합계의 처리 시간은 180초)로 하였다.In addition, the process in the 1st alkaline liquid process part and the 2nd alkaline liquid process part was performed as follows. While discharging the processing liquid of the above temperature from the nozzle to the shower with a discharge pressure of 0.1 MPa, the substrate to be processed was cleaned with a brush, and the resin tanks (PS, VA, BM, colored pixels) were peeled off. The conveyance speed of the board | substrate was 1000 mm / min, and the processing time by the processing part of an upstream and downstream was made into 90 second (total processing time of 180 second).

(비교예)(Comparative Example)

비교예에서는 상기한 처리액 1과 동일 조성의 처리액을 사용하였다. 55℃의 처리액을 노즐로부터 토출 압력 0.1 MPa의 샤워로 토출하면서, 브러시에 의해서 처리 대상 기판을 세정하여, PS, VA를 박리, 제거하였다. 기판의 반송 속도는 1000 mm/분으로 하고, 처리 시간은 180초로 하였다.In the comparative example, the processing liquid of the same composition as the said processing liquid 1 was used. While discharging the treatment liquid at 55 ° C. from the nozzle to the shower at a discharge pressure of 0.1 MPa, the substrate to be treated was washed with a brush to remove and remove the PS and VA. The conveyance speed of the board | substrate was 1000 mm / min, and processing time was 180 second.

또한, 산액 처리 공정에서는 공지된 처리 장치나 처리액을 이용하여 투명 전극막을 박리, 제거하였다.In addition, in the acid-liquid treatment process, the transparent electrode film was peeled and removed using the well-known processing apparatus or process liquid.

실시예 3 내지 6 및 비교예에서 재생한 유리 기판에 대해서, 육안 검사에 의한 잔사의 부착이나 불균일의 유무 확인, 원소 분석에 의한 인듐의 검출, 표면 조도 측정을 행하였다. 실시예 1 내지 4 및 비교예의 어디에서 재생한 유리 기판에 있어서도, 잔사의 부착이나 불균일, 인듐의 검출은 보이지 않았다. 유리 기판의 표면 조도는 실시예 3 내지 6에서는 0.501 nm, 비교예에서는 0.544 nm로서, 모두 유리 기판의 품질 기준을 만족시키고 있었다. 이와 같이, 실시예 3 내지 6에서는 알칼리액 처리부를 상류측의 처리부 및 하류측의 처리부로 2 분할하고, 하류측의 처리부에서 알칼리 농도가 낮은 처리액을 사용했지만, 문제없이 유리 기판의 재생을 할 수 있는 것이 확인되었다.The glass substrates regenerated in Examples 3 to 6 and Comparative Examples were subjected to visual inspection to confirm the presence or absence of non-uniformity, to detect indium by elemental analysis, and to measure surface roughness. Also in the glass substrate reproduced anywhere in Examples 1-4 and a comparative example, the adhesion of a residue, the nonuniformity, and the detection of indium were not seen. The surface roughness of the glass substrate was 0.501 nm in Examples 3 to 6 and 0.544 nm in the comparative example, and all of them satisfied the quality standards of the glass substrate. As described above, in Examples 3 to 6, the alkaline liquid treatment part was divided into two parts, an upstream treatment part and a downstream treatment part, and a treatment liquid having a low alkali concentration was used in the downstream treatment part. It was confirmed that it could.

(제4 실시 형태)(4th embodiment)

도 9는 본 발명의 제4 실시 형태에 따른 반송 장치의 일부를 도시하는 사시도이고, 도 10은 도 9의 IX-IX 라인에서 본 도면이다.FIG. 9 is a perspective view showing a part of the conveying apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view seen from the line IX-IX of FIG. 9.

반송 장치 (60)은 각각의 상단부에서 불량 기판 (1)의 하면을 지지하는 복수의 롤러 (61)과, 롤러 (61)의 각각을 중심축 주위로 회전시키는 구동 기구(도시하지 않음)를 구비한다. 롤러 (61)의 각각은 중심축이 서로 평행하게 되도록 소정 간격마다 배치되어 있고, 구동 기구에 의한 회전에 의해서 각각의 중심축이 연속해있는 방향(도 9 및 10의 좌우 방향)으로 불량 기판 (1)을 반송한다.The conveying apparatus 60 is equipped with the some roller 61 which supports the lower surface of the defective board | substrate 1 in each upper end part, and the drive mechanism (not shown) which rotates each of the rollers 61 around a central axis. do. Each of the rollers 61 is disposed at predetermined intervals such that the central axes are parallel to each other, and the defective substrate (in the direction in which the respective central axes are continuous by the rotation by the drive mechanism (left and right directions in FIGS. 9 and 10). Return 1).

또한, 롤러 (61)의 상단부보다 아래쪽으로는 롤러 (61)에 부착된 액체 (62)를 긁어내기 위한 스퀴지 (62)가 설치되어 있다. 스퀴지 (62)는 롤러 (61)의 축방향으로 신장된 긴 플레이트 형상을 갖고, 그 한쪽이 롤러 (61)의 외면에 접촉한 상태로 고정되어 있다. 스퀴지 (62) 및 롤러 (61)의 접촉 부분의 아래쪽으로는 도 10에 도시된 바와 같이 스퀴지 (62)에 의해서 긁어내어져 낙하하는 액체 (67)을 받기 위한 액체 받이부 (63)이 설치된다. 액체 받이부 (63)에 의해서 받아내어진 액체 (67)은 회수조 (64)에 저류된다.Moreover, below the upper end of the roller 61, the squeegee 62 for scraping off the liquid 62 adhering to the roller 61 is provided. The squeegee 62 has an elongated plate shape extending in the axial direction of the roller 61, and is fixed in a state in which one of the squeegees 62 is in contact with the outer surface of the roller 61. Below the contact portion of the squeegee 62 and the roller 61, a liquid receiving portion 63 for receiving the liquid 67 scraped off by the squeegee 62 and falling down is provided as shown in FIG. . The liquid 67 picked up by the liquid receiving portion 63 is stored in the recovery tank 64.

롤러 (61) 상을 이동하는 불량 기판 (1)을 처리하기 위해서 불량 기판 (1)에는 노즐 (65)로부터 처리액 (66)이 토출된다. 토출된 처리액 및 박리된 각 층의 재료를 포함하는 액체는 불량 기판 (1)의 하면에까지 감돌아 롤러 (61)에 부착된다.In order to process the defective substrate 1 moving on the roller 61, the processing liquid 66 is discharged from the nozzle 65 to the defective substrate 1. The liquid containing the discharged processing liquid and the material of each of the layers to be peeled off is attached to the roller 61 while falling down to the lower surface of the defective substrate 1.

상기한 제1 및 제2 실시 형태에서도 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유리 기판 재생 장치에서는 복수의 불량 기판을 통합하여 처리액에 침지시키는 침지 방식이 아니라, 불량 기판을 1매씩 반송하면서 순차적으로 처리하는 매엽(枚葉) 반송 방식이 채용되고 있다. 이 매엽 반송 방식에서는 재생 처리로 박리된 레지스트나 ITO 등이 롤러 (61)에 부착된 후, 재생 기판에 재전사되어 고착되어 이물화된다는 문제가 있다. 따라서, 종래 수세 공정에서, 기판의 양면에 물을 분사하여 정성들여 세정을 행할 필요가 있었던 것 외에, 짧은 간격으로 반송 장치를 청소할 필요가 있어, 유지 보수성이 좋지 않다는 문제가 있었다.As described in the above-described first and second embodiments, the glass substrate regeneration apparatus according to the present invention is not an immersion method in which a plurality of defective substrates are integrated and immersed in the processing liquid, but sequentially processed while conveying the defective substrates one by one. The single sheet conveying system to be used is employ | adopted. In this single sheet conveying method, there is a problem in that a resist, ITO, or the like peeled off by the regeneration treatment is adhered to the roller 61, and then retransferred and adhered to the regenerated substrate to be foreign material. Therefore, in the conventional water washing step, in addition to necessitating washing by spraying water on both sides of the substrate, it is necessary to clean the conveying apparatus at short intervals, resulting in a problem of poor maintainability.

본 실시 형태에 따른 반송 장치 (60)에서는 스퀴지 (62)가 롤러 (61)의 표면에 접촉되어 있기 때문에, 롤러 (61)의 회전에 수반하여 롤러 (61) 표면에 부착된 액체가 제거된다. 이 결과, 제거물이 유리 기판에 재부착되는 것이 억제되어, 어떤 공정에서의 제거물이 다른 공정에 들어가게 되는 것을 방지할 수 있다. 매엽 반송 방식에 의한 유리 기판 재생 처리에서는 산 처리 및 알칼리 처리가 교대로 행해지기 때문에, 어떤 공정에서의 제거물과 다음 공정의 처리액과의 혼합에 의해서 박리 능력의 저하나 석출물의 발생을 초래하는 경우가 있지만, 본 실시 형태에 따른 반송 장치 (60)에 따르면, 그와 같은 문제점을 방지할 수 있다. 또한, 롤러 (61)로부터 긁어내어진 액체 (67)을 효율적으로 회수할 수 있기 때문에, 반송 장치 (60)의 유지 보수성의 향상이나 필터에의 부하의 경감도 도모할 수 있다. 또한, 수세 시에 사용하는 물의 양을 대폭 삭감하는 것도 가능해진다.In the conveying apparatus 60 which concerns on this embodiment, since the squeegee 62 is in contact with the surface of the roller 61, the liquid adhering to the surface of the roller 61 with the rotation of the roller 61 is removed. As a result, reattachment of a remover to a glass substrate can be suppressed, and it can prevent that the remover in one process enters another process. In the glass substrate regeneration treatment by the sheet conveying method, since the acid treatment and the alkali treatment are alternately performed, mixing of the removed product in one step and the treatment liquid in the next step causes a decrease in peeling capacity and generation of precipitates. In some cases, according to the conveying apparatus 60 which concerns on this embodiment, such a problem can be prevented. Moreover, since the liquid 67 scraped off from the roller 61 can be collect | recovered efficiently, the maintenance property of the conveying apparatus 60 and the load on a filter can also be reduced. In addition, it becomes possible to significantly reduce the amount of water used at the time of washing with water.

또한, 스퀴지 (62)의 재질은 처리액과 반응하지 않는 것이면 되는데, 엘라스토머나, 초고분자량 폴리에틸렌, 폴리아세탈, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 이용할 수 있다. 특히, 스퀴지 (62)는 롤러 (61)에 압박된 상태로 고정되기 때문에, 내마모성이 우수한 재료를 이용하는 것이 바람직하다.The material of the squeegee 62 may be any material that does not react with the treatment liquid. An elastomer, ultra high molecular weight polyethylene, polyacetal, polytetrafluoroethylene, or the like may be used. In particular, since the squeegee 62 is fixed in the pressed state to the roller 61, it is preferable to use a material excellent in wear resistance.

또한, 스퀴지 (62)는 모든 롤러 (61)에 대하여 설치할 수도 있지만, 액체의 감돌기가 많이 발생하는 부분을 중심으로 하여 일부의 롤러 (61)에 대하여 설치하는 것이 효율적이다.In addition, although the squeegee 62 can also be provided with respect to all the rollers 61, it is efficient to provide it with respect to the some roller 61 centering on the part in which a lot of liquid protrusions generate | occur | produce.

또한, 반송 장치 (60)에서는 기판의 하면을 지시하는 롤러 (61)에 추가로, 반송되는 기판을 위로부터 누르는 상부 롤러가 더 설치되는 경우가 있다. 이 상부 롤러에 대해서도 마찬가지로 스퀴지를 부착할 수도 있다. 이와 같이 구성하면, 상부 롤러에 부착된 액체를 제거할 수 있기 때문에, 롤러 (61)에 스퀴지 (62)를 부착한 경우에 얻어지는 효과를 한층 향상시키는 것이 가능해진다.In addition, in the conveying apparatus 60, the upper roller which presses the board | substrate to be conveyed from the top may be further provided in addition to the roller 61 which instruct | indicates the lower surface of a board | substrate. A squeegee can also be attached also to this upper roller. In this way, since the liquid adhered to the upper roller can be removed, the effect obtained when the squeegee 62 is attached to the roller 61 can be further improved.

(제5 실시 형태)(Fifth Embodiment)

도 11은 본 발명의 제5 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이고, 도 12는 도 11에 도시되는 투과형 광 센서의 개략적 구성을 도시한 도면이다. 또한, 도 11에 있어서, 화살표는 기판의 반송 방향을 나타낸다.FIG. 11 is a view showing a glass substrate reproducing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a diagram showing a schematic configuration of a transmissive optical sensor shown in FIG. 11. In addition, in FIG. 11, an arrow shows the conveyance direction of a board | substrate.

본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치는 불량 기판 상에 투명 전극이 있는지 여부를 판정하는 판정부 (70)과, 판정부 (70)에 의한 판정 결과에 기초하여, 불량 기판의 반송처를 분류하는 분류부 (71)을 더 구비한다.The glass substrate reproducing apparatus according to the present embodiment classifies the conveyance destination of the defective substrate on the basis of the determination unit 70 that determines whether or not there is a transparent electrode on the defective substrate and the determination result by the determination unit 70. A classification unit 71 is further provided.

판정부 (70)은 불량 기판 상의 복수의 점에서의 소정 파장의 광의 투과율을 검출하는 광 투과형 센서 (72)를 포함한다. 광 투과형 센서 (72)는 제1 파장의 광을 출사하는 광원 (73a)와, 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 출사하는 광원 (73b)와, 제1 파장의 광의 강도를 검출하는 광 센서 (74a)와, 제2 파장의 광의 강도를 검출하는 광 센서 (74b)를 갖는다. 판정부 (70)은 광 투과형 센서 (72)를 이용하여, 불량 기판 (1) 중, 소 유리 부분(BM 및 착색 화소에 덮여져 있지 않은 부분) 상의 복수점의 투과율을 센싱하여 투명 전극 (5)의 유무를 판정한다.The determination unit 70 includes a light transmissive sensor 72 that detects a transmittance of light of a predetermined wavelength at a plurality of points on the defective substrate. The light transmissive sensor 72 detects the light source 73a for emitting light of the first wavelength, the light source 73b for emitting light of a second wavelength different from the first wavelength, and the intensity of light of the first wavelength. The optical sensor 74a and the optical sensor 74b which detect the intensity of the light of a 2nd wavelength are provided. The determination part 70 senses the transmittance | permeability of several points on the small glass part (part not covered by BM and colored pixel) among the defective board | substrates 1 using the light transmissive sensor 72, and transparent electrode 5 ) Is determined.

구체적으로는 제1 파장 및 제2 파장으로서, 청색 영역의 450 nm 및 녹색 영역의 600 nm를 이용한다. 이들 파장의 광원으로부터 출사되어 유리 기판 (2)만을 투과한 광의 투과율을 100%로 하면, 투명 전극 (5) 및 유리 기판 (2)의 양쪽을 투과한 광의 투과율은 92 내지 95%가 된다. 따라서, 불량 기판 (1) 상의 복수의 점에서 이 2파장의 투과율을 검출하면, 투명 전극의 유무를 판정할 수 있다.Specifically, 450 nm in the blue region and 600 nm in the green region are used as the first wavelength and the second wavelength. When the transmittance of the light emitted from the light sources having these wavelengths and transmitted only through the glass substrate 2 is 100%, the transmittance of the light transmitted through both the transparent electrode 5 and the glass substrate 2 is 92 to 95%. Therefore, the presence or absence of a transparent electrode can be judged when the transmittance | permeability of these 2 wavelengths is detected in several points on the defective board | substrate 1.

불량 기판 상에 투명 전극이 존재한다고 판정부 (70)이 판정한 경우, 분류부 (71)은 불량 기판을 제1 알칼리액 처리부 (12)에 투입한다. 따라서, 이 경우, 투입된 불량 기판은 제1 알칼리액 처리부 (12), 산액 처리부 (14), 제2 알칼리액 처리부 (16)을 거쳐서 순서대로 각 층이 박리되어, 유리 기판이 재생된다. 한편, 불량 기판 상에 투명 전극이 존재하지 않는다고 판정부 (70)이 판정한 경우, 분류부 (71)은 불량 기판을 제2 알칼리액 처리부 (16)에 투입한다. 따라서, 이 경우, 투입된 불량 기판은 제2 알칼리액 처리부 (16)에서만 박리 처리가 행하여져, 유리 기판이 재생된다.When the determination unit 70 determines that a transparent electrode exists on the defective substrate, the classification unit 71 feeds the defective substrate into the first alkaline liquid processing unit 12. Therefore, in this case, each layer is peeled off in order through the first alkaline liquid processing part 12, the acid liquid processing part 14, and the 2nd alkaline liquid processing part 16, and the glass substrate is regenerated in this case. On the other hand, when the determination part 70 determines that a transparent electrode does not exist on a defective board | substrate, the classifying part 71 throws a defective board | substrate into the 2nd alkaline liquid process part 16. As shown in FIG. Therefore, in this case, the inserted defective substrate is subjected to the peeling treatment only on the second alkaline liquid treatment part 16, and the glass substrate is regenerated.

상술한 바와 같이, 컬러 필터의 제조 공정에서는 다양한 적층 구조를 갖는 불량 기판이 발생한다. 한편, 유리 기판 재생 처리의 공정은 수지 레지스트를 박리하는 알칼리액 처리와, 금속막(투명 전극)을 박리하는 산 처리로 대별된다. 금속막이 없는 불량 기판, 즉, 유리 기판 상에 BM·착색 화소의 일부 또는 전부가 형성된 불량 기판은 제2 알칼리액 처리를 행하는 것만으로 유리 기판의 재생이 가능한데, 모든 종류의 기판을 동일하게 취급하면, 본래 필요하지 않은 제1 알칼리액 처리나 산액 처리를 쓸데없이 행할 필요가 있다.As described above, in the manufacturing process of the color filter, a defective substrate having various laminated structures occurs. On the other hand, the process of a glass substrate regeneration process is roughly divided into the alkali liquid process which peels a resin resist, and the acid process which peels a metal film (transparent electrode). A defective substrate having no metal film, i.e., a defective substrate in which part or all of the BM-colored pixels are formed on the glass substrate can be regenerated by simply performing a second alkaline liquid treatment. It is necessary to perform the first alkaline liquid treatment or the acid liquid treatment that are not originally necessary.

본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치에 따르면, 불량 기판 상의 투명 전극의 유무에 주목하여 불량 기판을 구분하여, 산 처리의 필요가 없는 불량 기판의 재생 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 투명 기판이 없는 불량 기판에 불필요한 산 처리를 행하지 않음으로써 산액 처리부로부터 제2 알칼리액 처리부로 불필요하게 산액이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 제2 알칼리액 처리부의 처리액의 열화 속도를 늦출 수 있다.According to the glass substrate regeneration device according to the present embodiment, the retardation process of the retardation substrate which does not require acid treatment can be efficiently performed by dividing the retardation substrate by paying attention to the presence or absence of the transparent electrode on the retardation substrate. In addition, by not performing unnecessary acid treatment on the defective substrate without a transparent substrate, it is possible to suppress the acid solution from being unnecessarily introduced into the second alkaline liquid treatment unit. Therefore, the degradation rate of the process liquid of a 2nd alkaline liquid process part can be slowed down.

또한, 본 실시 형태에서는 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치에 판정부 (70) 및 분류부 (71)을 부가한 예를 설명했지만, 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치에 대해서도 동일하게 판정부 (70) 및 분류부 (71)을 부가하는 것도 가능하다.In addition, although this embodiment demonstrated the example which added the determination part 70 and the fractionation part 71 to the glass substrate regeneration apparatus which concerns on 1st Embodiment, it is similarly true about the glass substrate regeneration apparatus which concerns on 2nd Embodiment. It is also possible to add the determination unit 70 and the classification unit 71.

(제6 실시 형태)(6th Embodiment)

도 13은 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치를 도시한 도면이다.It is a figure which shows the glass substrate regeneration device which concerns on 6th Embodiment of this invention.

본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치는 제1 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치 (10)에 추가로, 에칭액 관리부 (75a)와, 에칭액 공급배출부 (81)을 더 구비한다.In addition to the glass substrate regeneration device 10 according to the first embodiment, the glass substrate regeneration device according to the present embodiment further includes an etching solution management portion 75a and an etching solution supply discharge portion 81.

에칭액 관리부 (75a)는 불량 기판 표면의 투명 전극의 막 두께를 측정하기 위한 접촉식 표면 형상 측정부 (76)과, 측정한 막 두께의 누계를 산출하는 누계 산출/판정부 (77)을 포함한다.The etching liquid management unit 75a includes a contact surface shape measuring unit 76 for measuring the film thickness of the transparent electrode on the defective substrate surface, and a cumulative calculation / determination unit 77 for calculating the total of the measured film thicknesses. .

접촉식 표면 형상 측정부 (76)은 처리 대상 기판 상의 투명 전극막 표면을 접촉식의 바늘로 주사하고, 유리 기판과 투명 전극막 표면과의 단차에 기초하여 투명 전극막의 막 두께를 측정한다. 이 측정 시의 침압은 약 3 mg, 주사 속도는 약 50 ㎛/초이다.The contact surface shape measuring unit 76 scans the transparent electrode film surface on the substrate to be treated with a contact needle, and measures the film thickness of the transparent electrode film based on the step between the glass substrate and the transparent electrode film surface. The needle pressure during this measurement is about 3 mg and the injection rate is about 50 μm / sec.

누계 산출/판정부 (77)은 접촉식 표면 형상 측정부 (76)이 측정한 각 기판 상의 투명 전극막의 막 두께를 적산하여, 누계 막 두께를 산출한다. 누계 산출/판정부 (77)은 에칭액의 보충이나 교체 시기의 기준이 되는 누계 막 두께를 나타내는 기준값(미리 설정된 값임)과, 산출한 누계 막 두께를 비교하여, 산출한 누계 막 두께가 기준값을 초과하였는지 여부를 판정한다. 산출한 누계 막 두께가 기준값을 초과한 경우에는 누계 산출/판정부 (77)은 전송로 (80)을 통하여, 산액 처리부 (14) 및 에칭액 공급배출부 (81)에 에칭액의 보충이나 교체를 지시한다.The cumulative calculation / determination unit 77 calculates the cumulative film thickness by integrating the film thickness of the transparent electrode film on each substrate measured by the contact surface shape measuring unit 76. The cumulative calculation / determination unit 77 compares the reference value (the preset value) indicating the cumulative film thickness serving as a reference for replenishment or replacement of the etching solution with the cumulative film thickness calculated, and the calculated cumulative film thickness exceeds the reference value. It is determined whether or not. If the calculated cumulative film thickness exceeds the reference value, the cumulative calculation / determination unit 77 instructs the acid liquid treatment unit 14 and the etching liquid supply and discharge unit 81 to replenish or replace the etching liquid via the transfer path 80. do.

에칭액 공급배출부 (81)은 배관을 통해 이 순으로 접속되는 필터 (82), 펌프 (83), 중계 탱크 (84), 전자 밸브 (85), 유량계 (86)을 구비한다. 필터 (82)는 배관 (89)를 통해 산액 처리부 (14) 내의 저류조 (79)에 접속되어 있다. 유량계 (86)에는 에칭액 공급용 배관 (87)이 접속되고, 중계 탱크 (84)에는 폐액 배출용 배관 (88)이 접속되어 있다.The etching liquid supply discharge part 81 is provided with the filter 82, the pump 83, the relay tank 84, the solenoid valve 85, and the flowmeter 86 connected in this order through piping. The filter 82 is connected to the storage tank 79 in the acid solution processing unit 14 via a pipe 89. The etchant supply pipe 87 is connected to the flowmeter 86, and the waste tank discharge pipe 88 is connected to the relay tank 84.

산액 처리부 (14)에 에칭액의 공급을 행할 때에는 배관 (87)을 통하여 공급되는 에칭액을 중계 탱크 (84)에 일시적으로 저류한 후, 펌프 (83)을 이용하여 중계 탱크 (84) 내의 에칭액을 저류조 (79)로 송출한다. 한편, 산액 처리부 (14)의 에칭액을 배출할 때에는 저류조 (79) 내의 에칭액을 일단 중계 탱크 (84)에 배출한 후, 배관 (88)을 통하여 중계 탱크 (84)로부터 외부로 배출한다.When supplying etching liquid to the acid liquid processing unit 14, the etching liquid supplied through the pipe 87 is temporarily stored in the relay tank 84, and then the etching liquid in the relay tank 84 is stored using the pump 83. Send to (79). On the other hand, when the etching liquid of the acid solution processing unit 14 is discharged, the etching liquid in the storage tank 79 is once discharged to the relay tank 84, and then discharged from the relay tank 84 to the outside through the pipe 88.

ITO 등의 투명 전극을 박리하기 위한 에칭액으로서는 예를 들면, 염산과 질산의 혼합액이나, 염화제2철과 염산의 혼합액이나, 희염산 등의 산액이 이용된다. 에칭액은 박리 처리를 행할 때마다 즉시 피로해지기 때문에, 적당한 시점에 보충 또는 교체를 행할 필요가 있다. 컬러 필터 제조 공정에서 생긴 불량 기판 상의 투명 전극의 막 두께는 통상 140 nm 정도이다. 따라서, 모든 불량 기판의 투명 전극의 막 두께가 거의 일정하면, 산액 처리부에 투입한 불량 기판의 매수를 카운트함으로써, 이 에칭액의 보충 또는 갱신의 시기를 산정할 수 있다.As etching liquid for peeling transparent electrodes, such as ITO, the mixed liquid of hydrochloric acid and nitric acid, the mixed liquid of ferric chloride and hydrochloric acid, and acid solutions, such as dilute hydrochloric acid, are used, for example. Since the etching solution is immediately fatigued every time the peeling treatment is performed, it is necessary to replenish or replace at an appropriate time. The film thickness of the transparent electrode on the defective board | substrate which arose in the manufacturing process of a color filter is about 140 nm normally. Therefore, when the film thickness of the transparent electrode of all the defective board | substrates is substantially constant, the time of replenishment or update of this etching liquid can be calculated by counting the number of the defective board | substrate put into an acid-processing part.

그러나, 실제로는 처리 대상 기판 중에는 투명 전극의 막 두께가 통상의 제조 공정에서 형성되는 두께보다도 매우 큰 것이 존재한다.However, in reality, some substrates to be processed have a film thickness of the transparent electrode that is much larger than the thickness formed in a normal manufacturing process.

보다 상세하게는 투명 전극막을 형성하기 위한 스퍼터 장치를 유지 보수 등으로 일시적으로 정지시킨 후, 재가동시킬 때에는 사전에 성막 조건 도출용 유리 기판(이하, 「더미 기판」이라 함)을 이용하여 성막 조건을 확인한다. 이 더미 기판은 성막 조건 도출을 위해서 반복하여 이용된 후, 적층된 투명 전극막의 박리 처리에 제공되어 유리 기판이 재생된다.In more detail, when the sputtering device for forming the transparent electrode film is temporarily stopped for maintenance or the like, and then restarted, the film forming conditions are set in advance by using a glass substrate for deriving film forming conditions (hereinafter referred to as a "dummy substrate"). Check it. This dummy substrate is repeatedly used for deriving film forming conditions, and is then subjected to the peeling treatment of the laminated transparent electrode films to regenerate the glass substrate.

더미 기판 상의 투명 전극막의 두께는 통상의 막 두께의 수배 내지 수십배이다. 따라서, 더미 기판을 산액 처리부에 투입하면, 투입 매수에 관계 없이 에칭액의 피로가 매우 빠르게 진행한다. 이 결과, 산액 처리부에 의한 처리 능력이 저하되어, 투명 전극막의 제거 불량을 발생시킬 가능성이 있다.The thickness of the transparent electrode film on the dummy substrate is several times to several tens of the usual film thickness. Therefore, when the dummy substrate is placed in the acid solution processing unit, the fatigue of the etching solution proceeds very quickly regardless of the number of sheets. As a result, the processing capability by the acid solution treatment unit may be lowered, which may cause a defective removal of the transparent electrode film.

따라서, 본 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치는 에칭액 관리부 (75a)에 의해서, 산액 처리부에 투입되는 기판 상에 형성된 투명 전극막의 실제 두께에 기초하여 에칭액의 피로 정도를 관리하여, 적절한 타이밍에 에칭액의 보충이나 교체를 행한다.Therefore, the glass substrate reproducing apparatus according to the present embodiment manages the degree of etching of the etching solution based on the actual thickness of the transparent electrode film formed on the substrate fed into the acid treatment unit by the etching solution management unit 75a, and at the appropriate timing. Replenish or replace.

어떤 일정량의 에칭액(소정의 조성을 가짐)으로 박리 가능한 투명 전극막의 최대량(부피)은 대략 일정하다. 따라서, 처리 대상 기판 및 투명 전극막의 면적이 일정한 경우, 투명 전극막의 면적과, 에칭액의 조성 및 양을 알고 있으면, 에칭액의 에칭 능력(기준값)을 투명 전극막의 두께로 표현할 수 있다. 따라서, 접촉식 표면 형상 측정부 (76)을 이용하여 측정한 두께를 누계 산출/판정부 (77)이 누계함으로써 적절한 에칭액의 보충·교체 타이밍을 파악할 수 있다.The maximum amount (volume) of the transparent electrode film that can be peeled off with a certain amount of etching liquid (having a predetermined composition) is approximately constant. Therefore, when the area of the substrate to be processed and the transparent electrode film is constant, if the area of the transparent electrode film and the composition and amount of the etching solution are known, the etching ability (reference value) of the etching solution can be expressed by the thickness of the transparent electrode film. Therefore, the cumulative calculation / determination 77 accumulates the thickness measured using the contact surface shape measuring unit 76, so that the timing of replenishment and replacement of the appropriate etching solution can be grasped.

또한, 유리 기판의 크기가 일정하지 않은 경우에도 에칭액의 관리가 가능해지도록 다음과 같은 구성을 채용할 수도 있다.Moreover, even if the magnitude | size of a glass substrate is not fixed, the following structures can also be employ | adopted so that management of etching liquid can be carried out.

도 14는 본 발명의 제6 실시 형태에 따른 에칭액 관리부의 다른 일례를 도시한 도면이다.It is a figure which shows another example of the etching liquid management part which concerns on 6th Embodiment of this invention.

에칭액 관리부 (75b)는 도 13에 도시된 에칭액 관리부 (75a)의 구성에 추가로, 면적 측정부 (78)을 더 구비한다. 면적 측정부 (78)은 투입되는 기판의 면적을 측정하고, 측정한 면적을 누계 산출/판정부 (77)로 출력한다. 또한, 면적 측정부 (78)에 의한 면적의 측정에는 카메라로 촬영한 화상을 해석하여 면적을 산출하는 방법 등 공지된 다양한 방법을 이용할 수 있다.The etching liquid management unit 75b further includes an area measuring unit 78 in addition to the configuration of the etching liquid management unit 75a shown in FIG. 13. The area measuring unit 78 measures the area of the substrate to be introduced, and outputs the measured area to the cumulative calculation / determination unit 77. In addition, various well-known methods, such as a method of calculating an area by analyzing the image image | photographed with a camera, can be used for the measurement of the area by the area measuring part 78. FIG.

누계 산출/판정부 (77)은 접촉식 표면 형상 측정부 (76)이 측정한 어떤 기판 상의 투명 전극막의 두께에 면적 측정부 (78)에 의해서 측정된 해당 어떤 기판의 면적을 승산한 값을 산출한다. 누계 산출/판정부 (77)은 승산에 의해 얻은 값(부피에 상당)을 적산하여 누계치를 구한다. 또한, 누계 산출/판정부 (77)은 에칭액의 보충이나 교체 시기의 기준을 나타내는 값으로서, 박리 가능한 투명 전극막의 최대량(투명 전극막의 막 두께와 면적을 승산한 값에 대응)을 이용한다. 누계 산출/판정부 (77)은 산출한 누적값이 이 기준값을 초과했다고 판정한 경우에, 전송로 (80)을 통하여 산액 처리부 (14) 및 에칭액 공급배출부 (81)에 에칭액의 보충이나 교체를 지시한다.The cumulative calculation / determination unit 77 calculates a value obtained by multiplying the thickness of the transparent electrode film on any substrate measured by the contact surface shape measuring unit 76 by the area of the substrate of any corresponding substrate measured by the area measuring unit 78. do. The cumulative calculation / decision unit 77 calculates the cumulative value by integrating the value (corresponding to the volume) obtained by multiplication. In addition, the cumulative calculation / determination unit 77 uses a maximum amount (corresponding to a value obtained by multiplying the film thickness and area of the transparent electrode film) of the peelable transparent electrode film as a value indicating a reference for refilling or replacing the etching solution. When the cumulative calculation / determination unit 77 determines that the calculated cumulative value has exceeded this reference value, the etching liquid is replenished or replaced by the acid solution processing unit 14 and the etching liquid supply and discharge unit 81 through the transfer path 80. To indicate.

도 14의 에칭액 관리부 (75b)를 이용하여 유리 기판 재생 장치를 구성하면, 산액 처리부 (14)에 투입되는 불량 기판이나 더미 기판의 크기가 변화하는 경우에도, 에칭액의 보충이나 교체의 시기를 확실하게 판정할 수 있다.When the glass substrate regeneration device is configured by using the etching liquid management unit 75b of FIG. 14, even when the size of the defective or dummy substrate to be injected into the acid solution processing unit 14 changes, the timing of replenishing or replacing the etching liquid is assuredly. It can be determined.

또한, 상기한 도 13 및 14의 구성에 추가로, 산액 처리부 (14)를 다음과 같이 구성하는 것이 바람직하다.In addition to the above-described configuration of FIGS. 13 and 14, it is preferable to configure the acid liquid treatment unit 14 as follows.

일반적으로, 에칭액의 피로에 수반하여 에칭에 요하는 시간이 길어진다. 한편, 에칭의 반응성은 에칭액의 온도를 높임으로써 향상된다.In general, the time required for etching increases with the fatigue of the etching solution. On the other hand, the reactivity of etching is improved by raising the temperature of etching liquid.

따라서, 산액 처리부 (14) 중 어느 하나의 개소에 승온 장치를 설치하고, 에칭액의 피로 정도에 따라서 단계적으로 액체 온도를 상승시킨다. 에칭의 피로 정도는 박리한 투명 전극막의 양(부피)에 의해서 정의하고, 단계적인 복수의 임계값과 임계값의 각각에 대응하는 액체 온도를 설정한다. 그리고, 누계 산출/판정부 (77)이 구한 누계치가 설정된 임계값을 초과하였는지 여부를 판정한다. 구한 누계치가 어떤 임계값을 초과했다고 판정된 경우, 누계 산출/판정부 (77)은 산액 처리부 (14)에 지시하고, 해당 어떤 임계값으로 설정된 액체 온도까지 에칭액의 온도를 상승시킨다.Therefore, a temperature raising device is provided at any one of the acid solution processing sections 14, and the liquid temperature is raised step by step in accordance with the degree of fatigue of the etching liquid. The fatigue degree of etching is defined by the quantity (volume) of the peeled transparent electrode film, and sets the liquid temperature corresponding to each of several threshold value and a threshold value in steps. Then, it is determined whether the cumulative value obtained by the cumulative calculation / determination unit 77 exceeds the set threshold value. When it is determined that the calculated cumulative value has exceeded a certain threshold value, the cumulative calculation / determination unit 77 instructs the acid solution processing unit 14 to raise the temperature of the etching liquid to the liquid temperature set to the predetermined threshold value.

일례로서, 도 13의 구성과 같이, 누계 막 두께로 에칭액을 관리하는 경우, 하기의 표 3과 같이, 복수의 누계 막 두께의 값(임계값)과, 이것에 대응하는 액체 온도를 설정한다. 누계 산출/판정부 (77)에 의해서 산출되는 누계 막 두께가 각 임계값을 초과할 때마다 액체 온도를 상승시킴으로써 처리 시간을 일정하게 유지할 수 있음과 함께, 피로해진 에칭액을 효율적으로 다 사용할 수 있다.As an example, when the etching liquid is managed at the cumulative film thickness as in the configuration of FIG. 13, as shown in Table 3 below, the values (critical values) of the cumulative cumulative film thicknesses and the liquid temperatures corresponding thereto are set. When the cumulative film thickness calculated by the cumulative calculation / determination unit 77 exceeds each threshold value, the processing time can be kept constant by increasing the liquid temperature, and the tired etching solution can be used efficiently.

Figure pct00003
Figure pct00003

또한, 도 14의 구성과 같이, 에칭액을 막 두께와 기판 면적을 승산한 값의 누계에 기초하여 관리하는 경우에는 누계 막 두께 대신에, 박리한 투명 전극막의 양에 상당하는 값(투명 전극막의 막 두께와 면적을 승산한 값에 대응)을 임계값으로서 설정하면 좋다.In addition, when the etching liquid is managed based on the cumulative value of the value multiplied by the film thickness and the substrate area, as shown in the configuration of FIG. Corresponding to a value multiplied by thickness and area) may be set as a threshold value.

또한, 에칭액 관리부 (75a) 및 (75b)는 산출한 누계치가 소정의 기준값을 초과한 경우에는 산액 처리부 (14)의 상류 및 하류에 있는 각 처리부의 동작을 정지시키는 것이 바람직하다. 이 경우, 저류조 (79) 내의 에칭액을 교체할 때에, 상류의 장치로부터 기판이 반송되어 오거나, 산액 처리가 완료되지 않은 기판이 하류의 장치에 반송되는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is preferable that the etching liquid management parts 75a and 75b stop operation | movement of each processing part upstream and downstream of the acid liquid processing part 14, when the calculated total value exceeds the predetermined reference value. In this case, when replacing the etching liquid in the storage tank 79, it can prevent that a board | substrate is conveyed from the upstream apparatus, or the board | substrate which has not completed acid-liquid process is conveyed to a downstream apparatus.

또한, 상기한 각 실시 형태에 따른 구성은 임의로 조합이 가능하다. 즉, 제1 및 제2 실시 형태에 따른 유리 기판 재생 장치에, 제3 실시 형태에 따른 알칼리액 처리 유닛, 제4 실시 형태에 따른 반송 장치, 제5 실시 형태에 따른 분류 기구, 제6 실시 형태에 따른 에칭액(산액) 관리 기구의 임의의 몇가지를 가능하게 조합할 수 있다. In addition, the structure which concerns on each above-mentioned embodiment can be arbitrarily combined. That is, in the glass substrate regeneration apparatus according to the first and second embodiments, the alkaline liquid processing unit according to the third embodiment, the conveying apparatus according to the fourth embodiment, the sorting mechanism according to the fifth embodiment, and the sixth embodiment Any of several etching liquid (acid liquid) management mechanisms can be combined as possible.

본 발명은 액정 표시 장치 등의 컬러 필터 제조 공정에서 생긴 불량 기판으로부터 유리 기판을 재생하는 유리 기판 재생 장치에 이용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a glass substrate reproducing apparatus for reproducing a glass substrate from a defective substrate produced in a color filter manufacturing process such as a liquid crystal display device.

1: 불량 기판
2: 유리 기판
3: 블랙 매트릭스(BM)
4: 착색 화소
5: 투명 전극
6: 포토스페이서(PS)
7: 버티컬 얼라인먼트
8: 금속막
9: 금속막
10: 유리 기판 재생 장치
12: 제1 알칼리액 처리부
14: 산액 처리부
16: 제2 알칼리액 처리부
20: 유리 기판 재생 장치
22: 제1 산액 처리부
24: 제1 알칼리액 처리부
26: 제2 산액 처리부
28: 제2 알칼리액 처리부
40: 알칼리액 처리 유닛
41: 처리부
60: 반송 장치
61: 롤러
62: 스퀴지
70: 판정부
71: 분류부
75: 에칭액 관리부
76: 표면 형상 측정부
77: 누계 산출/판정부
81: 에칭액 공급배출부
1: bad substrate
2: glass substrate
3: black matrix (BM)
4: coloring pixel
5: transparent electrode
6: Photo Spacer (PS)
7: vertical alignment
8: metal film
9: metal film
10: glass substrate regeneration device
12: first alkaline liquid treatment unit
14: acid processing unit
16: 2nd alkaline liquid processing part
20: glass substrate recycling apparatus
22: first acid solution processing unit
24: first alkaline liquid treatment unit
26: second acid processing unit
28: second alkaline liquid treatment unit
40: alkaline liquid processing unit
41: processing unit
60: conveying device
61: roller
62: squeegee
70: judgment unit
71: classification
75: etching solution management unit
76: surface shape measurement unit
77: Cumulative Output / Decision
81: etching liquid supply discharge part

Claims (6)

유리 기판 상에 수지 및 금속 중 어느 하나로 이루어지는 1 이상의 층이 형성된 불량 기판을 반송(conveying)하면서, 상기 불량 기판으로부터 상기 유리 기판을 재생하는 유리 기판 재생 장치로서,
알칼리액으로 상기 불량 기판을 처리하여, 상기 불량 기판의 표면에 있는 제1 수지층을 박리하는 제1 알칼리액 처리부와,
상기 제1 알칼리액 처리부의 하류에 설치되고, 산액으로 상기 불량 기판을 처리하여, 상기 불량 기판의 표면에 있는 금속막을 박리하는 제1 산액 처리부와,
상기 산액 처리부의 하류에 설치되고, 알칼리액으로 상기 불량 기판을 처리하여, 상기 유리 기판의 표면에 있는 제2 수지층을 박리하는 제2 알칼리액 처리부를 적어도 구비하는 유리 기판 재생 장치.
A glass substrate regeneration device for reproducing the glass substrate from the defective substrate while conveying a defective substrate having at least one layer made of any one of resin and metal on the glass substrate,
A first alkaline liquid processing unit for treating the defective substrate with an alkaline liquid to peel the first resin layer on the surface of the defective substrate;
A first acid liquid processing unit disposed downstream of the first alkaline liquid processing unit and treating the defective substrate with an acid solution to peel a metal film on the surface of the defective substrate;
It is provided downstream of the said acid-liquid treatment part, The glass substrate regeneration apparatus provided with at least the 2nd alkaline liquid process part which processes the said bad substrate with alkaline liquid, and peels off the 2nd resin layer on the surface of the said glass substrate.
제1항에 있어서, 상기 제1 알칼리액 처리부의 상류에 설치되고, 산액으로 상기 불량 기판을 처리하여, 상기 불량 기판의 표면에 있는 금속층을 박리하는 제2 산액 처리부를 더 구비하는 유리 기판 재생 장치. The glass substrate reproducing apparatus according to claim 1, further comprising a second acid liquid treatment portion provided upstream of the first alkaline liquid treatment portion to treat the defective substrate with an acid solution to peel a metal layer on the surface of the defective substrate. . 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 알칼리액 처리부의 적어도 한쪽에는 상기 알칼리액으로 상기 기판을 처리하는 복수의 처리 수단이 직렬로 설치되는 유리 기판 재생 장치. The glass substrate regeneration device according to claim 1, wherein a plurality of processing means for treating the substrate with the alkaline liquid are provided in series on at least one of the first and second alkaline liquid processing portions. 제1항에 있어서, 각각의 상단부에서 상기 불량 기판의 하면을 지지하며, 각각이 중심축 주위로 회전함으로써 상기 불량 기판을 반송하는 복수의 롤러를 포함하는 반송 기구를 구비하며,
상기 롤러의 상기 상단부보다 아래쪽으로 배치되고, 상기 롤러의 외면에 접하여 상기 롤러 표면의 액체를 제거하는 스퀴지가 설치되는 유리 기판 재생 장치.
2. A conveyance mechanism as set forth in claim 1, further comprising a conveying mechanism including a plurality of rollers supporting a lower surface of the defective substrate at each upper end portion, each conveying the defective substrate by rotating about a central axis,
And a squeegee disposed below the upper end of the roller and contacting an outer surface of the roller to remove liquid from the surface of the roller.
제1항에 있어서, 상기 불량 기판을 상기 유리 기판 재생 장치에 투입하기 전에, 상기 불량 기판 상의 복수점에서의 소정 파장의 광의 투과율을 검출하고, 검출 결과에 기초하여 상기 불량 기판 상에 상기 금속층이 있는지 여부를 판정하는 판정부와,
상기 불량 기판 상에 상기 금속층이 있다고 상기 판정부에 의해서 판정된 경우에는 상기 불량 기판을 상기 제1 알칼리액 처리부에 투입하고, 상기 불량 기판 상에 상기 금속층이 없다고 상기 판정부에 의해서 판정된 경우에는 상기 불량 기판을 상기 제2 알칼리액 처리부에 투입하는 분류부를 더 구비하는 유리 기판 재생 장치.
The method according to claim 1, wherein before transmitting the defective substrate to the glass substrate reproducing apparatus, a transmittance of light having a predetermined wavelength at a plurality of points on the defective substrate is detected, and the metal layer is formed on the defective substrate based on a detection result. A judging section for judging whether there is any;
When it is determined by the determining unit that the metal layer is on the defective substrate, the defective substrate is put into the first alkaline liquid processing unit, and when it is determined by the determining unit that there is no metal layer on the defective substrate. And a fractionation unit for introducing the defective substrate into the second alkaline liquid processing unit.
제1항에 있어서, 상기 제1 산액 처리부에 투입되는 상기 불량 기판의 각각에 대해서, 표면에 있는 상기 금속층의 두께를 측정하는 접촉식 표면 형상 측정부와,
상기 접촉식 표면 형상 측정부에 의해서 측정된 금속층의 두께를 적산하여 누계 막 두께를 산출하고, 산출된 누계 막 두께에 따라서 상기 제1 산액 처리부에 의한 처리 시간 및 처리 온도를 제어하고, 산출된 누계 막 두께가 소정값을 초과한 경우에, 상기 제1 산액 처리부의 상류측 및 하류측의 처리부를 정지시키는 누계 산출/판정부를 더 구비하는 유리 기판 재생 장치.
The contact surface shape measurement part of Claim 1 which measures the thickness of the said metal layer on a surface with respect to each of the said bad substrates put into a said 1st acid-liquid treatment part,
The cumulative film thickness is calculated by integrating the thickness of the metal layer measured by the contact surface shape measuring unit, and the treatment time and the treatment temperature by the first acid treatment unit are controlled according to the calculated cumulative film thickness, and the calculated cumulative total thickness is calculated. And a cumulative calculation / determination unit for stopping the upstream and downstream processing sections of the first acid-liquid treatment section when the film thickness exceeds a predetermined value.
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