KR20070090378A - Device for washing substrate and method to supply washing solution - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 기판세정장치의 개략적인 일실시 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate cleaning apparatus.
도 2는 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제1실시 구성도이다.Figure 2 is a schematic first embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.
도 3은 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제2실시 구성도이다.Figure 3 is a schematic second embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.
도 4는 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제3실시 구성도이다.Figure 4 is a schematic third embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
100 : 분사부 110 : 최초 분사부100: injection unit 110: the first injection unit
120 : 중간 분사부 130 : 최종 분사부120: intermediate injection unit 130: the final injection unit
131 : 제1노즐부 132 : 제2노즐부131: first nozzle unit 132: second nozzle unit
200 : 저장부 201, 202 : 순환라인200:
210 : 제1저장부 220 : 제2저장부210: first storage unit 220: second storage unit
300 : 기판이송부 400 : 세정수 공급원300: substrate transfer unit 400: washing water supply source
410 : 공급라인 420 : 분기라인410: supply line 420: branch line
500 : 주재생부 501 : 회수조500: main regeneration unit 501: recovery tank
502 : 1차필터 503 : 폴리셔502: primary filter 503: polisher
504 : 2차필터 510 : 재생라인504: secondary filter 510: playback line
520 : 배출라인 530 : 비저항계520: discharge line 530: resistivity meter
540, 550 : 보조재생부 600 : 건조구간540, 550: auxiliary regeneration unit 600: dry section
S : 기판 P1, P2 : 펌프S: Substrate P1, P2: Pump
M1, M2 : 밸브 M1, M2: Valve
본 발명은 기판세정장치 및 세정수 공급방법에 관한 것으로, 특히 일방향으로 이송되는 기판에 대하여 복수회 세정수를 분사하여 세정하는 기판세정장치 및 세정수 공급방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate cleaning apparatus and a washing water supplying method, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus and a washing water supplying method for spraying and washing a plurality of times with respect to a substrate conveyed in one direction.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 또는 평판 디스플레이(FPD; flat panel display) 기판 등은 다양한 제조공정을 거쳐 제조되고, 이러한 제조공정 중 표면처리공정은 기판에 세정수, 에칭액 또는 현상액 등의 처리액을 처리하여 기판을 세정(cleaning), 에칭(etching), 현상(developing) 또는 스트립핑(stripping)하는 공정이다.In general, a semiconductor wafer or a flat panel display (FPD) substrate is manufactured through various manufacturing processes, and the surface treatment process of such a manufacturing process is performed by treating a substrate with a treatment liquid such as washing water, etching solution or developer. Is a process of cleaning, etching, developing or stripping.
즉, 상기 표면처리공정에서는 콘베이어 등의 이송수단에 의하여 일정한 속도로 수평이송되는 기판의 상면, 하면 또는 상하 양면에 상기 처리액을 처리하는 것으로 기판 표면을 세정, 에칭, 현상 또는 스트립핑한다.That is, in the surface treatment process, the surface of the substrate is cleaned, etched, developed or stripped by treating the treatment liquid on the upper surface, the lower surface, or the upper and lower surfaces of the substrate which are horizontally transferred at a constant speed by a conveying means such as a conveyor.
그리고, 기판이 상기 표면처리공정을 포함하여 다양한 제조공정을 거치다 보면 그 표면이 파티클 및 오염물질에 의해 오염되므로, 이를 제거하기 위하여 일부 제조공정의 전/후로 상기 세정공정이 수행된다.In addition, when the substrate undergoes various manufacturing processes including the surface treatment process, the surface is contaminated by particles and contaminants, so that the cleaning process is performed before and after some manufacturing processes to remove the substrate.
이와 같이, 세정공정은 기판 표면의 청정화를 위한 공정으로서, 일례로 습식 세정공정의 경우 약액처리공정과 린스공정과 건조공정으로 이루어지고, 기판 표면의 파티클 및 오염물질의 제거를 위하여 베쓰(bath) 내부에서 일방향으로 이송되는 기판에 탈이온수(deionized water)나 케미칼(chemical)등의 세정수를 처리한다.As such, the cleaning process is a process for cleaning the surface of the substrate. For example, the wet cleaning process includes a chemical liquid treatment process, a rinsing process, and a drying process, and a bath for removing particles and contaminants on the substrate surface. Cleaning water such as deionized water or chemical is treated to the substrate transferred in one direction from the inside.
한편, 상기 습식 세정공정에서 기판에 처리된 세정수 중 일부는 베쓰 하부에 마련된 저장부로 회수하여 재사용한다.Meanwhile, some of the washing water treated on the substrate in the wet cleaning process is recovered and reused in a storage unit provided under the bath.
도 1은 종래 기판세정장치의 개략적인 일실시 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate cleaning apparatus.
도 1을 참조하면, 종래 기판세정장치는 기판이송경로상의 초입에 설치되어 이송되는 기판(S)에 대하여 자외선을 조사하는 조사(照射)구간(60)과, 상기 조사구간(60)의 전방으로 기판이송경로를 따라 순차 설치되는 복수의 분사부(10; 11, 12, 13)와, 상기 분사부(10)에서 기판(S)에 분사된 세정수를 회수하여 그 후방의 인접하는 분사부(10)로 공급하는 저장부(20)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional substrate cleaning apparatus includes an
일례로, 기판(S)은 기판이송방향을 따라 설치되는 컨베이어 등의 기판이송부(30)에 의해 일방향으로 수평이송된다.In one example, the substrate S is horizontally transferred in one direction by a
이에 기판(S)은 일방향으로 수평이송되면서 조사구간(60)내에 설치되는 조사부(61)에서 자외선을 받아 그 표면의 유기물이 제거된 후 각 분사부(11, 12, 13)를 차례로 통과하며 세정수에 의해 순차적으로 세정된다.Subsequently, the substrate S is horizontally moved in one direction and receives ultraviolet rays from the irradiating
즉, 상기 분사부(10)는 기판(S)이 적정하게 세정되도록 기판(S)에 복수회 세정수를 분사한다.That is, the
이에, 분사부(10)는 기판이송경로를 따라 제1분사부(11)와 제2분사부(12)와 제3분사부(13)가 순차 설치되고, 제1분사부(11)와 제2분사부(12)와 제3분사부(13)는 그 하측으로 수평이송되는 기판(S)에 순차적으로 세정수를 분사한다.Accordingly, the
이러한 기판세정장치는 각 분사부(11, 12, 13)에 세정수가 각각 공급되어 분사되면 그 소모량이 과도하여 제조비용 측면에서 불리하므로, 세정수 공급원(40)으로부터 직접 공급되는 초순도(ultrapure)의 세정수를 파이널린스(final rinse)구간인 제3분사부(13)로 공급하여 분사하고, 제3분사부(13)에서 기판(S)에 분사된 세정수를 회수하여 제2분사부(12)와 제1분사부(11)에 순환공급한다.Since the substrate cleaning apparatus is supplied with the washing water to each of the
이에, 상기 저장부(20; 21, 21)는 제3분사부(13)에서 기판(S)에 분사된 세정수를 회수하여 제2분사부(12)로 공급하는 제1저장부(21)와, 제2분사부(12)에서 기판(S)에 분사된 세정수를 회수하여 제1분사부(11)로 공급하는 제2저장부(22)를 포함한다.Thus, the storage unit 20 (21, 21) is the
이와 같이, 종래 기판세정장치는 세정수 사용량을 줄이기 위하여 제3분사부(13)에서 기판에 분사된 세정수를 회수하여 제2분사부(12)와 제1분사부(11)에 재공급하고 최종적으로 배출라인(50)을 통하여 배출한다. As such, the conventional substrate cleaning apparatus recovers the washing water sprayed onto the substrate from the
그러나, 종래 기판세정장치는 갈수록 기판의 크기가 대형화되어 세정수 사용량이 대폭 증가하는 것에 적절하게 대응하지 못할 뿐만 아니라 최종 단계에서 세정수가 폐수로 배출되므로 세정수 재활용 측면에서 불리하다는 단점이 있었다.However, the conventional substrate cleaning apparatus has a disadvantage in that the size of the substrate is gradually increased so that the amount of the washing water is not adequately increased, and the washing water is discharged to the waste water at the final stage, which is disadvantageous in terms of washing water recycling.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은, 이송되는 기판에 복수회 세정수를 분사하면서도 세정수 사용량은 최소화할 수 있는 기판세정장치 및 세정수 공급방법을 제공함에 그 목적이 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a substrate cleaning apparatus and a washing water supply method capable of minimizing the amount of washing water while spraying the washing water a plurality of times.
상기과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판이송경로를 따라 이송되는 기판에 대하여 세정수를 최초 분사하는 최초 분사부와 세정수를 최종 분사하는 최종 분사부를 포함하는 분사부와, 상기 최종 분사부에서 기판에 분사된 세정수를 회수하여 그 후방의 상기 최초 분사부까지 순환라인을 통해 순환공급하는 저장부와, 상기 최초 분사부에서 기판에 분사된 세정수를 회수 및 재생하여 상기 최종 분사부로 공급하는 주재생부를 포함한다.The present invention for achieving the above object, an injection unit including an initial injection unit for the first injection of the cleaning water and the final injection unit for the final injection of the cleaning water to the substrate transported along the substrate transfer path, and the final injection unit Collects and recycles the washing water sprayed onto the substrate through the circulation line to the first spraying unit, and recovers and recycles the washing water sprayed on the substrate from the initial spraying to the final spraying unit. And a main reproducing unit.
된또한 본 발명은, (a) 기판이송경로상의 최초 분사부에서 분사되어 배출되는 세정수를 회수하는 단계와, (b) 상기 (a)단계에서 회수된 세정수를 재생하는 단계와, (c) 상기 (b)단계에서 재생된 세정수를 기판이송경로상의 최종 분사부로 공급하는 단계와, (d) 상기 (c)단계에서 상기 최종 분사부에 공급되어 기판에 분사된 세정수를 상기 최초 분사부까지 순환공급하는 단계를 포함한다.In addition, the present invention, (a) recovering the washing water discharged from the first injection portion on the substrate transfer path, (b) regenerating the washing water recovered in the step (a), and (c (B) supplying the washing water regenerated in step (b) to the final jetting part on the substrate transfer path, and (d) the washing water supplied to the final jetting part in step (c) and injected onto the substrate for the first time. Circulating supply to the dead part.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 실시 예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention configured as described above are as follows.
<실시예 1><Example 1>
도 2는 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제1실시 구성도이다.Figure 2 is a schematic first embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 기판세정장치의 제1실시예는 기판이송경로 상의 초입에 설치되어 이송되는 기판(S)에 대하여 자외선을 조사하는 조사(照射)구간(700), 상기 조사구간(700)의 전방으로 기판이송경로를 따라 순차 설치되어 이송되는 기판(S)에 대하여 세정수를 차례로 분사하는 최초 분사부(110)와 중간 분사부(120)와 최종 분사부(130)를 포함하는 분사부(100)와, 상기 최종 분사부(130)에서 기판(S)에 분사되어 배출되는 세정수를 회수하여 상기 중간 분사부(120)로 공급하는 제1저장부(210) 및 중간 분사부(120)에서 기판(S)에 분사되어 배출되는 세정수를 회수하여 상기 최초 분사부(110)로 공급하는 제2저장부(220)를 포함하는 저장부(200), 최초 분사부(110)에서 기판(S)에 분사되어 배출되는 세정수를 회수 및 재생하여 최종 분사부(130)로 공급하는 주재생부(500)를 포함한다.2, the first embodiment of the substrate cleaning apparatus according to the present invention is an
상기 기판(S)은 기판이송방향을 따라 설치되는 컨베이어 등의 기판이송부(300)에 의해 일방향으로 수평이송된다.The substrate S is horizontally transferred in one direction by a
이에 기판(S)은 일방향으로 수평이송되면서 조사구간(700)내에 설치되는 조사부(701)에서 자외선을 조사받아 그 표면의 유기물이 제거된 후 각 분사부(110, 120, 130)를 차례로 통과하며 각 분사부(110, 120, 130)에서 분사되는 세정수에 의해 순차적으로 세정된다.Subsequently, the substrate S is horizontally moved in one direction and irradiated with ultraviolet rays from the
상기 조사구간(700) 내에 설치되는 조사부(701)는 수은등(Mercury Lamp) 또는 엑시머레이저(Eximer Laser) 등이 될 수 있다.The
상기 분사부(100)는 이송되는 기판(S)에 복수회 세정수를 분사하도록 최초 분사부(110)와 최종 분사부(130)를 필수적으로 포함하고, 최초 분사부(110)와 최종 분사부(130)의 사이에는 단일 또는 복수의 중간 분사부(120)가 더 설치되는 것이 바람직하다.The
일례로, 각 분사부(110, 120, 130)는 홀샤워타입 노즐을 복수 구비하여 세정수를 분사한다.For example, each of the
상기 저장부(200)는 최종 분사부(130)와 중간 분사부(120)에서 기판(S)에 분사되어 배출되는 세정수를 함께 회수하도록 단일하게 구성되는 것도 고려될 수 있으나, 상술한 바와 같이 최종 분사부(130)에서 분사된 세정수를 회수하는 제1저장부(210)와 중간 분사부(120)에서 분사된 세정수를 회수하는 제2저장부(220)로 각각 구분 설치되는 바람직하다.The
따라서, 각 분사부(110, 120, 130)에는 기판이송방향을 따라 점점 더 고순도의 세정수가 차등 공급된다.Therefore, each of the
즉, 최초 분사부(110)에서 분사되어 주재생부(500)로 회수 및 재생된 고순도의 세정수는 최종 분사부(130)로 공급되어 분사되고, 최종 분사부(130)에서 분사되어 제1저장부(210)에 회수된 중순도의 세정수는 중간 분사부(120)로 공급되어 분사되며, 중간 분사부(120)에서 분사되어 제2저장부(220)에 회수된 저순도의 세정수는 최초 분사부(110)로 공급되어 분사된다.That is, the high-purity washing water injected from the
상기 주재생부(500)는 최초 분사부(110)에서 분사되어 배출되는 세정수를 회수하는 회수조(501)와, 상기 회수조(501)에 회수된 세정수 내에 포함된 비교적 큰 이물질을 제거하는 1차필터(502)와, 상기 1차필터(502)를 통과한 세정수 내에 포함된 박테리아 등을 제거하기 위하여 세정수를 조사구간(700)으로 경유시켜 자외선 조사받도록 하는 재생라인(510)과, 상기 재생라인(510)을 경유한 세정수 내에 포함 된 이온을 제거하는 폴리셔(503; polisher)와, 상기 폴리셔(503)를 통과한 세정수 내에 포함된 미세 이물질을 제거하는 2차필터(504)를 포함한다.The
특히, 주재생부(500)는 세정수 내에 포함된 박테리아 등을 제거하기 위한 자외선 조사장치를 직접 구비할 수도 있으나, 전체 기판세정공정에 사용되는 조사라인(700)측으로 세정수를 경유시킴으로써 그 내부에 조사장치를 생략가능하여 장치의 소형화 및 제작비용을 절감할 수 있다는 장점이 있다.In particular, the
구체적으로, 상기 재생라인(510)의 조사구간(700)을 통과하는 부위는 유리소재 등의 투명관을 사용하여 세정수가 자외선에 의해 조사될 수 있도록 구성하는 것이 바람직할 것이다.Specifically, the portion passing through the
이와 같이 주재생부(500)는 각 분사부(110, 120, 130)에서 순환 사용되어 이물질이 포함되고 순도가 저하된 세정수를 기설정된 기준치 이상으로 보상하여 재생라인(510)을 통해 최종 분사부(130)로 공급한다.As such, the
상기와 같은 구성에 의해 분사부(100)는 기판이송방향을 따라 점점 더 고순도의 세정수를 분사하는데 특히, 기판(S)에 대하여 파이널 린스(final rinse)를 수행하는 최종 분사부(130)에는 주재생부(500)에서 재생된 고순도의 세정수가 공급된다.By the above configuration, the
그리고, 세정수는 최종 분사부(130)와 제1저장부(210)와 중간 분사부(120)와 제2저장부(220)와 최초 분사부(110)와 주재생부(500)로 이루어진 순환계를 연속하여 순환하므로 각종 부품에 잔류되거나 자연적으로 감소되어 부족현상이 발생될 수 있고, 이러한 부족현상 발생시 그 부족분이 세정수 공급원(400)에서 상기 순환계로 보충공급되어야 한다.The rinsing water is composed of a
일례로, 상기 세정수 공급원(400)은 주재생부(500) 또는 저장부(200)에 초순도의 세정수를 공급할 수 있으나, 본 실시예에서는 주재생부(500)로 세정수가 공급되는 것을 예시한다.For example, although the washing
즉, 세정수는 일정횟수 이상 연속하여 순환사용되면 기판(S)과의 세정작용에 의해 금속이온의 함유량이 증가되어 그 순도 및 세정능력이 저하된다. 이에, 주재생부(500)에서 세정수의 순도를 보상하여 재생하는 데에도 한계가 발생되고, 더욱이 주재생부(500)는 순도가 극히 저하된 세정수를 그 수용량을 초과하여 지속적으로 재생하다보면 그 자체의 수명도 단축될 수 있다.That is, when the rinsing water is circulated and used continuously for a predetermined number of times or more, the content of metal ions is increased by the washing action with the substrate S, and the purity and washing ability thereof are lowered. Thus, there is a limit in compensating and regenerating the purity of the washing water in the
따라서, 주재생부(500)는 그 내부에 회수된 세정수의 순도가 기설정된 기준치 이하로 저하되면 세정수 공급원(400)에서 초순도(ultrapure)의 세정수를 보충공급받아 그 내부에 회수된 세정수의 순도를 증가시키는 것이 바람직하다.Therefore, when the purity of the washing water recovered therein falls below a predetermined reference value, the
구체적으로, 주재생부(500)의 회수조(501)는 세정수 공급원(400)과 공급라인(410)에 의해 연결되고, 상기 공급라인(410)에는 세정수 공급원(400)에서 회수조(501)로의 세정수 공급을 단속하는 밸브(M1)가 설치된다.Specifically, the
이러한, 밸브(M1)는 상기 순환계 내에서 세정수가 원활하게 순환될 수 있도록 초기 스탠바이(standby)시 개방되어 저장부(200) 및 회수조(501)에 세정수를 충만시킨후 폐쇄되지만, 상기한 바와 같이 세정수 부족현상이 발생할 경우 또는 세정수의 순도가 저하될 경우는 회수조(501)로 세정수가 공급되도록 개방된다.The valve M1 is opened at an initial standby so that the washing water can be circulated smoothly in the circulation system and closed after filling the
상기의 구성에서, 주재생부(500)는 세정수의 순도를 측정하는 비저항계(530) 를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the above configuration, the
즉, 주재생부(500)는 그 내부에 회수된 세정수의 순도가 기준치 이하로 저하된 것으로 측정되면 세정수 공급원(400)에서 초순도의 세정수를 공급받도록 구성된다.That is, the
이러한 비저항계(530)는 세정수의 순도가 높을 경우 비저항값이 큰 값으로 측정되고 순도가 낮을 경우 비저항값이 작은 값으로 측정된다.The
상기의 구성에서, 주재생부(500)는 재생라인(510)상에 재생완료된 세정수의 순도를 측정하는 비저항계(560)를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the above configuration, the
즉, 주재생부(500)는 그 내부의 필터(502, 504) 또는 폴리셔(503) 등에 문제가 발생되거나 사용수명이 다 한 경우에 세정수를 충분하게 재생시키지 못한다.That is, the
이와 같이 세정과정에 사용되기에 부족한 상태로 재생된 세정수는 재생라인(510)을 통하여 최종 분사부(130)로 공급되기 전에 상기 비저항계(560)에서 순도가 기준치 이하인 것으로 측정된다.Thus, the washing water recycled in a state insufficient for the cleaning process is measured to have a purity lower than a reference value in the
이에 사용자는 주재생부(500)의 재생과정에 문제가 발생된 것으로 판단하고, 주재생부(500) 내의 해당 구성부품을 교체할 수 있다.Accordingly, the user may determine that a problem occurs in the regeneration process of the
상기와 같이 비저항계(560)에서 세정수의 순도가 기준치 이하로 측정될 시에 사용자에게 시각 또는 청각 등으로 통보하는 알림수단(미도시)을 부가하는 것도 고려될 수 있을 것이다.As described above, it may be considered to add a notification means (not shown) for notifying the user by visual or auditory sound when the purity of the washing water in the
일례로, 주재생부(500)는 회수된 세정수가 각 필터(502, 504)와 폴리셔(503)와 조사구간(700)을 거쳐 최종 분사부(130)로 원활하게 공급되도록 그 내부에 펌프 (P3)를 포함하는 것이 바람직하다.For example, the
상기한 바와 같이, 본 발명 기판세정장치의 제1실시예는 최종 분사부(130)에서 분사된 세정수가 저장부(200)로 회수되어 최초 분사부(110)까지 순환공급되고, 최초 분사부(110)에서 분사 후 주재생부(500)로 회수되어 최종 분사부(130)로 재공급되는 일련의 순환과정이 반복되므로, 배출라인(520)을 통하여 배출되는 세정수가 최소화되어 전체 세정수 사용량을 월등히 절감할 수 있다는 장점이 있다.As described above, in the first embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention, the washing water injected from the
한편, 상기에서 최종 분사부(130)를 통과한 기판(S)은 건조구간(600)으로 진입하여 세정공정이 완료된다.On the other hand, the substrate (S) passing through the
한편, 미설명된 도면부호 P1, P2는 저장부(210, 220)에서 분사부(110, 120)로 세정수를 공급하는 각 순환라인(201, 202)에 설치되는 펌프이다.Meanwhile, reference numerals P1 and P2 which are not described are pumps installed in the
<실시예 2><Example 2>
도 3은 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제2실시 구성도이다. 여기서 앞서 도시된 도면에서와 동일한 도면부호는 동일한 기능을 하는 부재를 가리킨다.Figure 3 is a schematic second embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention. Here, the same reference numerals as in the above-described drawings indicate members having the same function.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판세정장치의 제2실시예는 상기 제1실시예의 구성에서, 제1저장부(210)에 회수되어 중간 분사부(120)로 공급되는 세정수를 재생하는 보조재생부(540)와, 제2저장부(220)에 회수되어 최초 분사부(110)로 공급되는 세정수를 재생하는 보조재생부(550)를 더 포함한다.Referring to FIG. 3, the second embodiment of the substrate cleaning apparatus according to the present invention regenerates the washing water recovered in the
상기 보조재생부(540)는 제1저장부(210)와 중간 분사부(120)를 연결하는 순환라인(201)에 설치되어 중간 분사부(120)로 공급되는 세정수를 재생통과시켜 중간 분사부(120)로 공급하고, 상기 보조재생부(550)는 제2저장부(220)와 최초 분사부(110)를 연결하는 순환라인(202)에 설치되어 최초 분사부(110)로 공급되는 세정수를 재생통과시켜 최초 분사부(110)로 공급한다.The
이와 같이 각 분사부(110, 120, 130)로 공급되는 세정수는 각 재생부(500, 540, 550)를 재생 통과하므로 더욱 순도가 향상되어 기판세정력이 증가된다.As such, the washing water supplied to each of the spraying
<실시예 3><Example 3>
도 4는 본 발명 기판세정장치의 개략적인 제3실시 구성도이다. 여기서 앞서 도시된 도면에서와 동일한 도면부호는 동일한 기능을 하는 부재를 가리킨다.Figure 4 is a schematic third embodiment of the substrate cleaning apparatus of the present invention. Here, the same reference numerals as in the above-described drawings indicate members having the same function.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 기판세정장치의 제3실시예는 상기 제1실시예의 구성에서, 최종 분사부(130)가 주재생부(500)에서 공급되는 세정수를 공급받는 제1노즐부(131)와, 기판이송방향을 따라 상기 제1노즐부(131)의 전방으로 상기 세정수 공급원(400)에서 직접 초순도의 세정수를 공급받는 제2노즐부(132)를 포함한다.Referring to FIG. 4, in the third embodiment of the substrate cleaning apparatus according to the present invention, in the configuration of the first embodiment, the first nozzle in which the
구체적으로, 상기 제1노즐부(131)는 주재생부(500)와 연결된 재생라인(510)에서 세정수를 공급받고, 상기 제2노즐부(132)는 공급라인(410)에서 분기되는 분기라인(420)에서 초순도의 세정수를 직접 공급받는다.Specifically, the first nozzle unit 131 receives the washing water from the
따라서, 최종 분사부(130)를 통과하는 기판(S)은 먼저 제1노즐부(131)에서 분사되는 고순도의 세정수에 의해 1차 세정되고, 제2노즐부(132)에서 분사되는 초순도의 세정수에 의해 2차 세정되어 더욱 완벽하게 세정된다.Therefore, the substrate S passing through the
한편, 공급라인(410)에 설치되는 밸브(M1)는 세정수 공급원(400)에서 주재생부(500)로 공급되는 세정수를 단속하고, 분기라인(420)에 설치되는 밸브(M2)는 세정공정이 진행되는 동안 개방상태를 유지하여 제2노즐부(131)에 지속적으로 초순도의 세정수가 공급되도록 한다.On the other hand, the valve M1 installed in the
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예들을 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예들에 한정되지 않으며 본 발명의 개념을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다.The present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, but the present invention is not limited to the above-described embodiments and has ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the concept of the present invention. Various changes and modifications are possible by the user.
상기와 같이 본 발명은, 세정수 사용량을 대폭 감소시켜 기판 제조비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 환경오염 감소 측면에서도 유리하다는 효과가 있다.As described above, the present invention can significantly reduce the amount of washing water, thereby reducing the cost of manufacturing the substrate, and it is advantageous in terms of reducing environmental pollution.
또한 본 발명은, 순환사용되는 세정수의 순도가 저하되는 것을 용이하게 감지하고 신속하고 편리하게 세정수의 순도를 보상할 수 있으므로 기기운용효율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the present invention, it is easy to detect the decrease in the purity of the rinsing water used for circulation and can quickly and conveniently compensate for the purity of the washing water has the effect of improving the device operating efficiency.
또한 본 발명은, 세정수 분사가 완료되는 구간에서 기판에 초순도의 세정수를 분사하므로 고도한 세정이 요구되는 세정공정에 적용될 수 있다는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that it can be applied to a cleaning process that requires a high level of cleaning since the injection of the ultra-pure cleaning water to the substrate in the section where the cleaning water injection is completed.
또한 본 발명은, 재생과정 중의 세정수가 전체 기판세정공정에 사용되는 조사라인을 경유하므로, 재생부 내에 별도의 자외선 조사장치를 중복하여 구비하지 않아도 되므로 재생부의 소형화 및 제작비용을 절감할 수 있다는 효과가 있다.In addition, the present invention, since the washing water during the regeneration process via the irradiation line used for the entire substrate cleaning process, it is not necessary to include a separate ultraviolet irradiation device in the regeneration unit, it is possible to reduce the size of the regeneration unit and reduce the production cost There is.
또한 본 발명은, 재생완료된 세정수의 비저항값을 측정하여 재생부의 교체시기를 미연에 알수 있으므로 기기운영효율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, the present invention, it is possible to know the replacement time of the regeneration unit in advance by measuring the specific resistance value of the regenerated washing water has the effect of improving the device operating efficiency.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100873329B1 (en) * | 2007-09-27 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | Apparatus of cleaning a substrate |
KR20170031907A (en) * | 2015-09-14 | 2017-03-22 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating a substrate |
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