KR20110013288A - 유리 재료 및 장치를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

유리 재료 및 장치를 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

유리 재료를 제조하기 위한 방법 및 장치가 제공된다. 그 장치는 유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 측정하도록 구성된 레벨 센서; 레벨 센서에 동작가능하게 연결된 레벨 콘트롤러; 소정량의 배치 재료의 특성을 측정하도록 구성된 배치 재료 센서; 배치 재료 센서에 동작가능하게 연결된 추정기; 속도 코멘드를 산출하도록 구성된 배치 충만율 콘트롤러; 및 유리 용융로를 채우도록 구성된 배치 전송장치를 포함한다. 상기 방법은 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함한다. 상기 콘트롤하는 단계는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율과 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함한다.

Description

유리 재료 및 장치를 제조하기 위한 방법{METHODS FOR MAKING A GLASS MATERIAL AND APPARATUS}
본 출원은 2009년 7월 29일자로 출원된 미국특허출원 제12/511,306호에 대한 우선권을 주장한다.
본 발명은 통상 유리 재료 및 장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 특히 유리 용융로에 들어가는 배치 재료(batch material)의 실제 배치 충만률을 콘트롤하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
통상 유리 재료를 제조하기 위한 방법 및 장치는 소정량의 용융 유리를 생성하기 위해 유리 용융로 내에 배치 재료를 도입하는 단계를 포함한다. 그 후 그 용융 유리는 유리시트로 형성될 수 있다. 여러 공정 기술들이 그 형성된 유리시트의 특성 및/또는 공정의 효율성에 영향을 미치도록 조절될 수 있다.
본 발명은 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만률을 콘트롤하기 위한 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상세한 설명에 기술된 몇몇 예시 형태들의 기본적인 이해를 제공하기 위해 이하와 같이 간단히 요약된다.
한 예의 형태에 있어서, 유리 재료의 제조방법이 제공된다. 그 방법은 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하기 위한 단계를 포함한다. 상기 콘트롤 단계는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율과 그 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 더 포함한다.
다른 예의 형태에 있어서, 유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 콘트롤하는 방법이 제공된다. 이 방법은 유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 모니터링하는 단계, 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 모니터된 용융 유리의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하는 단계, 시간에 따른 소정량의 배치 재료의 특성 변경을 결정함으로써 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율과 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함한다.
또 다른 예의 형태에 있어서, 유리 용융로가 제공된다. 그 유리 용융로는 유리 용융로 내에 용융 유리의 레벨을 측정하도록 구성된 레벨 센서 및 이 레벨 센서에 동작가능하게 연결된 레벨 콘트롤러를 포함한다. 상기 레벨 콘트롤러는 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 레벨 센서에 의해 모니터된 융융 유리의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하도록 구성된다. 또한, 유리 용융로는 소정량의 배치 재료의 특성을 측정하도록 구성된 배치 재료 센서, 및 이 배치 재료 센서에 동작가능하게 연결된 추정기를 포함한다. 상기 추정기는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하기 위해 배치 재료 센서로부터의 정보를 수신하도록 구성된다. 상기 유리 용융로는 레벨 콘트롤러로부터의 미리 결정된 배치 충만율과 추정기로부터의 추정된 배치 충만율간 차이에 기초하여 속도 코멘드(speed command)를 산출하도록 구성된 배치 충만율 콘트롤러, 및 이 배치 충만율 콘트롤러로부터의 속도 코멘드에 따라 실제 배치 재료 충만율로 유리 용융로에 배치 재료를 채우도록 구성된 배치 전송장치를 더 포함한다.
상기와 같이 이루어진 본 발명에 의하면, 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만률을 콘트롤하기 위한 장치 및 방법을 제공할 수 있다.
상기 형태들 및 다른 형태들은 수반되는 도면들을 참조하여 이하의 상세한 설명이 설명될 때 보다 잘 이해될 수 있다.
도 1은 유리 재료를 제조하기 위한 장치의 개략도이다.
도 2는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하기 위한 개략 공정도이다.
도 3은 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하기 위한 개략 공정도이다.
도 4는 시간 주기에 따라 소정량의 배치 재료에 추가의 배치 재료가 추가되는 경우를 검출하는 예를 나타낸다.
도 5는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하기 위한 예의 개략 공정도이다.
이하 실시예가 도시된 수반되는 도면들을 참조하여 보다 충분히 기술될 것이다. 가능하다면, 도면 전반에 걸쳐 동일한 도면참조부호들이 동일한 부분에 사용된다. 그러나, 상기와 같은 실시 형태들은 많은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며, 여기에 기술된 실시예들로 한정되도록 구성되지 않을 것이다.
도 1은 유리 재료를 제조하기 위한 장치(110)의 개략도를 나타낸다. 그 장치(110)는 홀딩 빈(116; holding bin)으로부터 배치 재료(114)를 수용하도록 구성된 유리 용융로(112)를 포함할 수 있다. 로드 셀(119)을 포함하는 배치 재료 센서(118)는 홀딩 빈(116)에 연결되고, 그 홀딩 빈(116) 내의 소정량의 배치 재료(114)의 하나 또는 그 이상의 특성들을 측정하도록 구성될 수 있다. 홀딩 빈(116) 내의 배치 재료(114)는 실제 배치 충만율로 배치 전송장치(120)에 의해 유리 용융로(112)에 도입될 수 있다. 배치 전송장치(120)는 홀딩 빈(116)에서 유리 용융로(112)로 배치 재료(114)를 전송하도록 구성된 다양한 기계적인 장치(예컨대, 스크류 피더(screw feeder), 컨베이어)를 포함할 수 있다. 콘트롤러(122)는 또한 배치 전송장치(120)를 구동시키도록 제공될 수 있다. 일단 배치 재료가 도입되면, 유리 용융로(112)는 소정량의 용융 유리(124)를 생성하기 위해 배치 재료(114)를 감소시키도록 열을 제공할 수 있다. 장치(110)의 일부분 내의 용융 유리(124)의 레벨을 측정하도록 레벨 센서(126)가 구성될 수 있다. 도시한 바와 같이, 레벨 센서(126)는 이 레벨 센서(126)가 다른 예에서 장치(110)의 다른 부분에 연결될 수 있을 지라도 제1연결 튜브(140)에 연결될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 콘트롤러(122)는 레벨 콘트롤러(128), 미리 결정된 용융 유리의 레벨을 제공하기 위한 유닛(130), 추정기(132), 및 배치 충만율 콘트롤러(134)를 포함할 수 있다. 레벨 콘트롤러(128)는 미리 결정된 용융 유리의 레벨을 제공하기 위한 레벨 센서(126) 및 유닛(130)에 동작가능하게 연결될 수 있다. 레벨 콘트롤러(128)는 유닛(130)에 의해 제공된 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 레벨 센서(126)에 의해 모니터된 용융 유리(124)의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로(112)에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하도록 구성된다. 미리 결정된 용융 유리의 레벨은 수학식에 의한 계산, 선행 경험에 의한 예측, 룩업 테이블로부터의 조사 등의 방식으로 일정하게 또는 가변가능하게 제공될 수 있다. 더욱이, 배치 충만율 콘트롤러(134)는 레벨 콘트롤러(128), 추정기(132), 및 배치 전송장치(120)에 동작가능하게 연결될 수 있다. 배치 충만 콘트롤러(134)는 레벨 콘트롤러(128)로부터의 미리 결정된 배치 충만율과 추정기(132)로부터의 추정된 배치 충만율간 차이에 기초하여 배치 전송장치(120)에 대한 속도 코멘드를 산출하도록 구성된다. 추정기(132)는 배치 재료 센서(118) 및 배치 충만율 콘트롤러(134)에 동작가능하게 연결될 수 있고, 유리 용융로(112)에 들어가는 배치 재료(114)의 배치 충만율을 추정하기 위해 배치 재료 센서(118)로부터의 정보를 수신하도록 구성된다. 홀딩 빈(116) 내의 소정량의 배치 재료(114)의 무게, 질량, 부피, 레벨, 밀도, 및 기타 다른 특성들과 같은 배치 재료(114)의 여러 정보가 추정기(132)에 의해 수신될 수 있다.
콘트롤러(122)는 전자 콘트롤러일 수 있으며, 프로세서를 포함할 수 있다. 콘트롤러(122)는 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서, 마이크로콘트롤러, DSP(digital signal processor), ASIC(application specific integrated circuit), FPGA(field-programmable gate array), 이산 로직 회로 등을 포함할 수 있다. 더욱이, 콘트롤러(122)는 메모리를 포함하여, 그 콘트롤러(122)가 여기에 기술된 기능을 제공하게 하는 프로그램 명령들을 저장할 수 있다. 상기 메모리는 ROM(read-only memory), RAM(random access memory), EEPROM(electrically-erasable programmable ROM), 플레쉬 메모리 등과 같은 하나 또는 그 이상의 휘발성, 불휘발성, 자기, 광학, 또는 전기 매체를 포함할 수 있다. 더욱이, 콘트롤러(122)는 이 콘트롤러에 대한 여러 아날로그 입력들을 처리하기 위한 하나 또는 그 이상의 아날로그-디지털(A/D) 변환기를 포함할 수 있다. 청구된 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형 및 변경들이 이루어질 수 있다는 것은 당업자들에게는 자명하다.
더욱이, 장치(110)는 제1연결 튜브(136), 파이너(138; 예컨대 파이너 튜브(finer tube)), 및 제2연결 튜브(140)를 포함할 수 있다. 제1연결 튜브(136)는 유리 용융로(112)와 파이너(138)간 유체 통로를 제공할 수 있다. 제2연결 튜브(140)는 파이너(138)와 다른 다운스트림 구성요소(도시하지 않음)간 유체 통로를 제공할 수 있다.
이하 장치(110)에 의한 예시의 유리 제조방법이 기술된다. 도 2에 따른, 한 예의 방법은 추정기(132)에 의해 유리 용융로(112)에 들어가는 배치 재료(114)의 배치 충만율(242)을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율(246)과 배치 충만율 콘트롤러(134)에 의해 추정된 배치 충만율(242)간 비교에 기초하여 실제 배치 충만율(244)을 콘트롤하는 단계를 포함한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 제1합산기(248)는 미리 결정된 배치 충만율(246) 및 추정된 배치 충만율(242) 모두를 수신하여 그들간 차이를 결정한다. 다음에, 그 차이는 배치 전송장치(120)를 구동시키기 위한 속도 코멘드(250)를 산출하기 위해 배치 충만율 콘트롤러(134)로 보내진다. 예시의 실시에 있어서, 제로(zero)이거나 그에 가까운 미리 결정된 배치 충만율(246)과 추정된 배치 충만율(242)간 차이를 드라이브하는 소정의 폐-루프 제어가 배치 충만율 콘트롤러(134)에 의해 사용될 수 있다. 예시의 폐-루프 제어 기술은 비례-적분(PI) 제어, 비례-적분-미분(PID) 제어 등을 포함한다. 성능과 단순함의 균형이 이루어지는 예시의 폐-루프 제어 기술은 PI 제어이다.
유리 용융로(112)에 들어가는 실제 배치 충만율(244)이 파이너(138)에서 오는 용융 유리 풀 비율(pull rate)에 가깝게 유지된 후, 용융 유리(124)의 레벨이 비교적 일정하게 유지될 것이다. 용융 유리(124) 응답의 레벨(Level)은 이하의 식으로 나타낸 바와 같이 실제 충만율(244)과 용융 유리 풀 비율간 차이의 적분에 비례하는 것으로 모델될 수 있다:
Figure pat00001
여기서 k m 은 용융 탱크(예컨대, 유리 용융로(112) 및 파이너(138))의 표면 영역에 역비례하는 비례 상수(또는 처리 이득)이다. 이러한 관계는 대응하는 용융 유리 풀 비율보다 높거나 낮은 실제 배치 충만율(244)이 유리 용융로(112) 및 파이너(138)에서의 용융 유리의 질량을 대응적으로 축적시키거나 감소시키므로 명확하다. 따라서, 용융 유리(124)의 레벨은 적절한 시간 주기에 따라 상승 또는 하강하는 실제 배치 충만율(244)을 이동시킨 후 용융 유리 풀 비율을 매치시키기 위해 실제 배치 충만율(244)을 리턴시킴으로써 상승 또는 하강 조절될 수 있다.
유리 용융로(112)에서의 압력 및 온도 변동과 같은 용융 유리(124)의 레벨에 영향을 미칠 수 있는 배치 충만율 제어에 의해 보상되지 않는 다른 방해물들이 있다는 것에 주목하자. 이는 따라서 안정된 용융 유리(124)의 레벨을 달성하기 위해 미리 결정된 배치 충만율(246)을 조절하는 장점이 될 것이다. 도 2에 따른 레벨 콘트롤러(128)는 미리 결정된 배치 충만율(246)이 용융 유리(124)의 모니터된 레벨(252)과 미리 결정된 레벨(254)간 차이에 기초하여 어떻게 조절될 수 있는지를 결정하는데 사용될 수 있다. 제2합산기(256)는 용융 유리(124)의 모니터된 레벨(252)과 미리 결정된 레벨(254) 모두를 수신하여 그들간 차이를 결정한다. 이후 그 차이는 미리 결정된 배치 충만율(246)을 조절하기 위해 레벨 콘트롤러(128)로 보내진다. 이러한 캐스케이드(cascade) 제어 구성은 내부 제어 루프 상의 배치 충만율 보상 및 외부 제어 루프 상의 용융 유리 보상 레벨 모두를 갖는다. 예시의 실시에 있어서, 제로 또는 제로에 가까운 용융 유리(124)의 모니터된 레벨(252)과 미리 결정된 레벨(254)간 차이를 드라이브하는 소정의 폐-루프 제어가 레벨 콘트롤러(128)에 의해 사용될 것이다. 예시의 폐-루프 제어 기술은 IP 제어, PID 제어 등을 포함한다. 성능과 단순함의 균형이 이루어지는 예시의 폐-루프 제어 기술은 PI 제어이다.
다음 예시의 실시에 있어서, 배치 충만율 콘트롤러(134) 및 레벨 콘트롤러(128)에 대한 PI 제어는 폐-루프 안정성을 보장하는데 유용한 내부 모델 접근의 변동에 기초하여 PI 이득(즉, 비례 이득 및 적분 이득)을 선택함으로써 디자인된다. 그 변동은 폐-루프 안정성과 방해 억제간 교환을 시도하여 균형을 맞추도록 충만율 변동에 대한 정보를 포함할 수 있다.
예시의 실시에 있어서, 배치 충만율 콘트롤러(134; 즉, 내부 제어 루프)에 대한 PI 이득은 그 충만율 변동(즉, 방해 d)을 고려함으로써 결정된다. 콘트롤러 디자인은 프로세스의 모델에 기초할 수 있는데, 특히 속도 코멘드(250)에서 실제 배치 충만율(244)까지의 프로세스 이득(k g ), 실제 배치 충만율 응답의 시간 상수(τ), 및 속도 코멘드(250)와 실제 배치 충만율(244)간 지연 시간(θ)을 이용하여 디자인될 수 있다. 이들 값은 이력 데이터에 기초한 프로세스로부터, 또는 예컨대 단계 테스트로부터 결정될 수 있다. 또한, 콘트롤러 디자인은 방해의 주파수 응답 특성을 이용한다. 방해(d)의 최고 주파수(ω)는 프로세스 데이터로부터 얻어진 이들 방해의 주파수 응답을 검사함으로써 선택된다. 원하는 양의 방해 감쇄(α d ) 또한 선택된다. 이 값은 0＜α d ＜1의 범위에서 선택되며, 여기서 0은 제로(zero)% 감쇄에 대응하고, 한편 1은 100% 감쇄에 대응한다. 비례 이득(k p ) 및 적분 이득(k i )은 이하의 식을 이용하여 산출된다:
여기서, T c 는 원하는 폐-루프 시간 상수이다.
원하는 폐-루프 시간 상수(T c )는 제어 동작의 적극성(aggressiveness)을 나타내는 값(factor)을 선택함으로써 결정된다. 그 값(factor)은 1≤factor≤100의 범위에서 선택될 수 있으며, 여기서 값 1은 적극적 튜닝(tuning)으로 고려되고, 100은 소극적 튜닝으로 고려된다. 통상 적극적 튜닝은 좀더 양호한 방해 억제를 제공하지만, 감소된 폐-루프 안정성 마진의 비용 및 실제 배치 충만율 산출 에러 증대의 잠재성을 제공한다. 소극적 튜닝은 역효과를 가질 수 있다. 따라서, 그 튜닝 선택의 교환이 필요하다. 한 예로서, factor가 10의 값을 갖는다. 일단 factor값이 선택되면, 원하는 폐-루프 시간 상수(T c )가 이하의 식을 이용하여 선택된다:
만약 factor≥10이면,
Figure pat00003
이고,
만약 factor＜10이면,
Figure pat00004
이다.
여기서, r d =1-α d 이다. 한 예에 있어서, 폐-루프 안정성과 방해 억제를 균형 맞추기 위해, 방해 감쇄(α d )는 0.9이고, r d 는 0.1이다.
또 다른 예시의 실시에 있어서, 레벨 콘트롤러(128; 즉 외부 제어 루프)에 대한 PI 이득은 내부 제어 루프 대역폭 및 식 (1)에서 주어진 레벨 응답의 모델, 특히 비례 상수(k m ; 또는 처리 이득)에 기초하여 결정된다. 내부 제어 루프 대역폭은 미리 결정된 배치 충만율(246)에서 추정된 배치 충만율(242)까지의 전송함수(B i )의 대역폭이다. 이는 주파수(rad /s)로서 정의되며, 여기서 전송함수(B i )는 -3dB로 d.c.값 이하이다. 레벨 콘트롤러(128)의 비례 이득(k po )은 내부 제어 루프 대역폭보다 5~10배 작도록 외부 제어 루프 대역폭을 초기에 설정하도록 선택된다. 이는 이하의 식을 이용하여 산출된다:
Figure pat00005
여기서, χ는 상수이고, χ=10일 때, 적극적 성능 이상의 안정성을 강조하고, 반면 χ=5의 선택은 좀더 적극적인 외부 루프 제어가 주어질 것이다.
레벨 콘트롤러(128)의 적분 이득(k io )은 폐-루프 발진을 피하기 위해 디자인되고, 이하의 식을 이용하여 산출된다:
Figure pat00006
레벨 콘트롤러(128)의 적분 이득(k io )은 보통 외부-루프 대역폭을 증가시킬 것이다. 외부-루프 대역폭은 수치적으로 산출될 수 있고, 그 결과의 값이 내부-루프 대역폭에 비해 너무 크게 결정되면, 파라미터 χ가 증가될 수 있고, 이득 k po 및 k io 가 재산출될 수 있다. 한 예에 있어서, 외부-루프 대역폭은 이하의 식과 같을 경우 상기 선택된 값에 가까워진다:
Figure pat00007
또한, 온라인 프로세스 튜닝이 디자인 파라미터 r d , χ, 또는 factor를 적절하게 조절함으로써 행해질 수 있다. 만약 파라미터 r d 및 χ의 상기한 값이 사용되면, 배치 충만율 콘트롤러(134) 및 레벨 콘트롤러(128)에 대한 PI 이득은 값(factor)을 간단히 선택함으로써 선택 및 튜닝될 수 있다.
배치 충만율의 폐-루프 제어를 실행하기 위해, 실시간 배치 충만율 정보의 피드백이 필요하다. 실제 배치 충만율(244)은 유리 용융로(112)에 들어가는 배치 재료(114)의 비율을 직접 측정하는 소정 센서에 의해 측정될 수 있다. 선택적으로, 유리 용융로(112)에 들어가는 실제 배치 충만율(244)은 시간에 따른 빈(bin)의 무게 손실에 대응되며, 따라서 그 배치 충만율은 시간에 따른 소정량의 배치 재료(114)의 특성 변경에 의해 추정될 수 있다. 그 특성 변경은 소정량의 배치 재료(114)의 무게, 질량, 부피, 레벨, 밀도 등의 변경을 포함할 수 있다.
예시의 실시에 있어서, 그 추정된 배치 충만율(242)은 도 3에 나타낸 바와 같은 알고리즘에 의해 결정된다. 단계 360에서 무게, 질량, 부피, 레벨, 밀도, 또는 기타 다른 특성들과 같은 소정량의 배치 재료의 특성이 수신될 수 있다. 한 예에 있어서, 하나 또는 그 이상의 배치 재료 센서(118)는 각각의 홀딩 빈의 무게를 측정하도록 구성된 하나 또는 그 이상의 로드 셀(119)을 포함할 수 있으며, 그 무게는 적절한 속도(예컨대, 1초)로 샘플될 것이다. 그 빈 무게 데이터는 단계 364 전에 단계 362에서 고주파 노이즈를 제거하도록 필터링되거나, 또는 필터링 없이 직접 단계 364로 보내질 수 있다. 단계 364에서, 빈 무게의 변경 비율은 소정의 수치 미분 기법에 의해 산출될 수 있다. 단계 364에서 산출된 무게 변경의 비율은 직접 그 추정된 배치 충만율(242)로 사용되거나, 또는 단계 368에서 다시 필터링될 수 있다. 배치 충만율 추정이 빈 무게 손실에 기초하기 때문에, 가장 정확한 배치 충만율 추정은 배치 재료(114)가 홀딩 빈(116)으로부터 제거되는 한편 배치 재료(114)가 홀딩 빈(116) 내로 동시에 들어가지 않을 경우 얻어질 수 있다. 이러한 조건 동안, 결과의 무게 변경 비율은 부정되며, 배치 재료(114)가 홀딩 빈(116)으로부터 제거되는 비율에 대응될 것이다. 그 부정의 결과 시퀀스의 데이터는 홀딩 빈(116)에서 유리 용융로(112)로 들어가는 추정된 배치 충만율(242)에 대응한다. 홀딩 빈이 하나 이상인 경우, 각각의 빈 무게로부터 산출된 배치 충만율의 합은 총 추정된 배치 충만율이다.
갑작스러운 방해에 의해 추정 동안 빈 무게가 변경될 가능성이 있다. 예컨대, 빈 무게 변경이 산출됨과 동시에 추가의 배치 재료(114)가 추가될 수 있다. 그 경우, 무게 변경이 있을 수 있거나 보통은 그 제거 비율에 대응되지 않을 것이다. 이러한 조건 하에서, 결과의 배치 충만율 추정은 부정확해지고, 피드백 제어를 위한 카운터 생성이 있을 수 있다. 따라서, 단계 366에서 선택적으로 시간 주기에 따라 무게 변경을 결정할 때 추가의 배치 재료를 보상하는 장점이 있을 것이다. 갑작스러운 방해로부터의 빈 무게 변경을 보상하는 것은 다양한 방법을 이용하여 달성될 수 있다. 예컨대, 배치 충만율을 추정하는 시간 동안 추가 배치 재료(114)의 추가는 그 추가 배치 재료의 무게를 감함으로써 보상될 수 있다.
다른 예에 있어서, 배치 충만율은 이력의 무게 변경 데이터를 갖는 추가의 배치 재료를 실질적으로 마스킹(masking)함으로써 보상될 수 있다. 예컨대, 도 4는 홀딩 빈(116)에 추가의 배치 재료(114)를 추가할 경우의 검출 예를 제공한다. 도 4에서, 좌측의 Y축(470)은 파운드(pound) 단위의 무게를 나타내고, 우측의 Y축(472)은 인치(inch) 단위의 홀딩 빈(116)에서의 배치 재료(114)의 레벨을 나타내며, X축(474)은 초(second) 단위의 시간을 나타낸다. 제1커브(476)는 추가의 배치 재료를 추가하는 동안 큰 무게의 증가를 나타내는 빈 무게 데이터이다. 그 무게 증가는 빈 무게 변경 편차인 초 커브(478)에서의 스파이크(spike)를 생성한다. 이러한 스파이크가 미리 결정된 임계치를 초과하면, 제3커브(480)로 나타낸 알람을 발생시킨다. 이력 데이터의 평균에 기초한 배치 충만율 값은 알람 주기(통상 5분) 동안 빈 무게 손실을 마스크(mask)하는데 사용될 수 있다. 이러한 평균은 도 4에 나타낸 바와 같이 알람이 발생되는 시간으로부터 오프셋되는 소정 데이터의 길이의 평균을 취함으로써 산출된다. 예컨대, 1초의 샘플 시간, 15개 샘플의 오프셋(482), 20개 샘플의 평균 오프셋(484), 및 50개 샘플의 평균 길이(486)의 경우, 평균치는 알람 전 85초 내지 알람 전 35초에서 시작하는 샘플의 평균과 같아질 것이다. 따라서, 배치 충만율 산출은 오프셋 482와 평균 오프셋 484를 더한 것과 같은 샘플의 수만큼 지연되어야 한다. 이러한 지연은 빈 무게 변경을 예상하는데 필요하고, 보통 프로세스 시간 상수에 비해 매우 짧다.
도 5에 따른 유리 용융로(112)에 들어가는 배치 재료(114)의 배치 충만율을 추정하는 예시의 실시가 제공된다.
그 방법은 T초마다 샘플된 빈 무게 데이터로 시작한다. 이 데이터는 샘플링 전 또는 후에 필터될 것이다. 샘플 상수(kT)에서 빈 무게 데이터는 BW(k)로 나타내며, 여기서 k=0,1,2,...,이다. 샘플 상수에서 무게 변경 ΔBW(k)는 단계 502에서 이하의 식으로 주어진다:
Figure pat00008
k offset + k avg _ offset 수의 샘플로 지연된 무게 변경의 러닝 평균(running average) Δ BW avg (k)는 도 4에 나타낸 바와 같이 k avg _ len 수의 샘플(평균 길이 486)을 버퍼링함으로써 산출된다. 그 산출은 단계 504에서 이하의 식을 이용한다:
Figure pat00009
여기서,
Figure pat00010
는 단계 514에서 식 (14)에 의해 산출되는 필터된 수정된 무게 변경이다. 식 (10)은 필터된 수정된 무게 변경
Figure pat00011
에 대한 제로(zero) 또는 이력 데이터를 이용하여 초기화될 수 있다. k offset 값은 샘플이 빈 무게 변동을 충분히 검출할 수 있게 설정된다. 도 4에 나타낸 바와 같이, k avg _ offset 은 평균화의 시점을 결정하고, k avg _ len 은 평균화된 샘플의 수를 결정한다. 이들 파라미터에 대한 예시의 값은 k offset =15이고, k avg _ offset =20이며, k avg_offset =50이다.
단계 506은 이하의 식에 의해 주어진 무게 변경 편차를 비교함으로써 각 샘플 지점에서 추가하는 추가의 배치 재료(114)와 같은 어떠한 갑작스러운 빈 무게 변동을 검출한다:
Figure pat00012
여기서 Δ BW threshold 는 일정한 임계치이다. 그 임계치는 갑작스러운 빈 무게 변동 동안 무게 변경 편차를 수량화하기 위해 프로세스 데이터를 검사함으로써 결정될 수 있다. 한 예에 있어서, 그 임계치는 0.2이다.
만약 식 (11)의 조건 관계가 FALSE이면, 비필터의 수정된 무게 변경 ΔBW mod (k)는 단계 508에서 이하의 식을 이용하여 산출된 바와 같이 k offset 에 의해 지연된 무게 변경과 동일하게 설정된다:
Figure pat00013
만약 식 (11)의 조건 관계가 TRUE이면, 타이머에 의해 설정된 시간 주기 동안 FALSE에서 TRUE로의 변이의 단계 510로 진행한다. 그 변이의 주기는 타이머에 의해 설정된 알람 주기와 관련되고, 예컨대 5분보다 길 수 있다.
단계 510에서 타이머에 의해 설정된 알람 주기 동안, 비필터의 수정된 무게 변경 Δ BW mod (k)가 단계 512에서 이하의 식을 이용하여 산출된다:
Figure pat00014
여기서, 무게 변경의 평균 Δ BW avg (k)는 샘플 k offset 에 의해 지연된다.
이하의 이산-시간 필터를 이용하여 비필터의 수정된 무게 변경 Δ BW mod (k)을 필터하기 위해 단계 514에서 저역통과필터가 사용된다:
Figure pat00015
여기서,
Figure pat00016
파라미터 ε은 필터 대역폭을 설정하고, α1 및 α2는 주파수 응답의 형태를 설정한다. 한 예에 있어서, 값 ε은 200이고, α1은 2이며, α2는 1이다. 필터는 이하의 식을 이용하여 시간 k=0에서 초기화될 수 있다.
Figure pat00017
샘플 상수 k로 단계 514에서 필터된 수정된 무게 변경 Δ BW mod (k)은 다음 샘플 상수 k+1로 식 (10)을 이용하여 무게 변경의 평균 Δ BW avg (k+1)을 산출하기 위해 단계 504로 보내질 수 있다.
실제로, lbs/hour 단위의 샘플 상수 k( FR (k))로 추정된 배치 충만율(242)은 단계 516에서 이하의 식을 이용하여 산출된다:
Figure pat00018
예시의 방법은 바람직한 표준 편차를 갖는 실제 배치 충만율(244)을 제공할 것이다. 한 예에 있어서, 그 표준 편차는 시간에 따른 홀딩 빈(116) 내의 배치의 무게에 따라 실제 배치 충만율의 상대적 변경으로 측정될 수 있다. 예컨대, 실제 배치 충만율(244)의 상대적 표준 편차는 홀딩 빈(116) 내의 배치 재료 무게의 2.32% 이하일 수 있다. 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 상대적 표준 편차는 홀딩 빈 내의 배치 재료 무게의 약 1.94% 이하일 수 있다. 또 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 상대적 표준 편차는 홀딩 빈 내의 배치 재료 무게의 약 1.67% 이하, 예컨대 홀딩 빈 내의 배치 재료 무게의 약 1.61%일 수 있다. 여기서 예시의 방법이 홀딩 빈(116) 내의 다양한 양의 배치 재료에 의해 광범위한 프로세스에 사용될 수 있다. 예컨대, 만약 홀딩 빈이 1800파운드의 배치 재료를 포함하면, 실제 배치 충만율(244)의 표준 편차는 41.8 lbs/hr 이하일 수 있다. 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 표준 편차는 약 35 lbs/hr 이하일 수 있다. 또 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)은 약 30 lbs/hr 이하, 예컨대 28.9 lbs/hr일 수 있다.
게다가 또는 선택적으로, 예시의 방법이 바람직한 표준 편차를 갖는 용융 유리(124)의 레벨을 제공할 것이다. 한 예에 있어서, 표준 편차는 용융 유리의 평균 레벨에 따라 용융 유리의 레벨의 상대적 변경으로 측정될 수 있다. 예컨대, 용융 유리(124)의 레벨에 대한 상대적 표준 편차는 용융 유리의 평균 레벨의 0.16% 이하일 수 있다. 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 상대적 표준 편차는 용융 유리의 평균 레벨의 약 0.12% 이하일 수 있다. 또 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 상대적 표준 편차는 용융 유리의 평균 레벨의 약 0.058% 이하, 예컨대 용융 유리의 평균 레벨의 약 0.036%일 수 있다. 여기서 예시의 방법이 용융 유리의 여러 평균 레벨에 의해 광범위한 프로세스에 사용될 수 있다. 예컨대, 만약 용융 유리의 평균 레벨이 유리 용융로(112)에서 33.5인치이면, 용융 유리(124)의 레벨의 표준 편차는 0.54인치 이하일 수 있다. 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 표준 편차는 약 0.04인치 이하일 수 있다. 또 다른 예에 있어서, 실제 배치 충만율(244)의 표준 편차는 약 0.02인치 이하, 예컨대 0.012인치일 수 있다.
다른 예시의 실시에서는 다수의 배치 전송장치 및 홀딩 핀들을 구비함으로써, 다수의 추정된 실제 배치 충만율을 산출하며, 따라서 충만율 제어가 각기 다른 구성으로 설정될 것이다. 예컨대, 다수의 배치 충만율 콘트롤러가 각각의 배치 전송장치를 위해 디자인될 수 있으며, 미리 결정된 배치 충만율이 각각의 배치 충만율 콘트롤러로 분할된다. 각각의 배치 충만율 콘트롤러의 디자인은 대응하는 배치 전송장치의 속도 코멘드에 대한 대응하는 추정된 배치 충만율의 응답에 기초할 수 있다. 선택적으로, 하나의 배치 충만율 콘트롤러가 미리 결정된 배치 충만율 및 총 실제 충만율을 이용하여 모든 배치 전송장치에 디자인될 수 있으며, 그 결과의 속도 코멘드가 각각의 배치 충만율 콘트롤러에 적절하게 분배될 것이다. 이 경우, 콘트롤러 디자인은 속도 코멘드에 대한 총 실제 충만율의 응답에 기초한다.
본 발명은 타이트(tight)한 유체 레벨 및 원래의 배치 충만율이 필요하고, 직접 배치 충만율 측정이 불가능한 곳의 어떠한 프로세스에서도 작업할 수 있다. 타이트한 유체 레벨 및 원래의 배치 충만율을 제공하는 것은 장치에 의해 형성된 유리시트의 품질을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 유리 레벨 및 충만율 가변성을 감소시키는 것은 열, 전기, 및 유리 용융공정의 구성 애스팩트(aspect)의 악영향을 감소시킬 것이다. 따라서, 좀더 타이트한 충만율 및 레벨 제어는 용융 안정성을 향상시키고, 용융 유리의 균일성을 향상시키며, 인가된 전력 변동을 감소시킬 수 있다. 또한, 유리 레벨 변동을 감소시키는 것은 상당한 유리 레벨 변동에 의해 용융 유리 내에 도입되는 이물질을 감소시킬 수 있다. 더욱이, 충만율 변동을 감소시키는 것은 플로우브릿지(flowbridge) 상의 로드를 감소시킬 것이다.
따라서, 본 발명은 다음과 같은 한정하지 않는 형태 및/또는 실시예를 포함한다:
C1. 유리 재료 제조방법은 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율과 그 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함하는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계로 이루어진다.
C2. C1의 방법에 있어서, 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계는 실제 배치 충만율이 미리 결정된 배치 충만율에 근접하도록 폐-루프 제어를 이용하는 단계를 포함한다.
C3. C1 또는 C2의 방법에 있어서, 미리 결정된 배치 충만율은 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 유리 용융로 내의 모니터된 용융 유리의 레벨간 차에 기초한다.
C4. C1 내지 C3 중 어느 한 방법에 있어서, 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계는 실제 용융 유리의 레벨이 미리 결정된 용융 유리의 레벨에 근접하도록 폐-루프 제어를 이용하는 단계를 포함한다.
C5. C1 내지 C4 중 어느 한 방법에 있어서, 추정하는 단계는 시간에 따른 소정량의 배치 재료의 특성 변경을 결정하는 단계를 포함한다.
C6. C5의 방법에 있어서, 특성 변경은 무게 변경을 포함한다.
C7. C1 내지 C6 중 어느 한 방법에 있어서, 추정하는 단계는 수치 미분 기법을 이용하여 무게 변경을 산출하는 단계를 포함한다.
C8. C1 내지 C6 중 어느 한 방법에 있어서, 추정하는 단계는 소정량의 배치 재료의 무게에 대응하는 데이터를 전-필터링(pre-filtering)하는 단계를 포함한다.
C9. C1 내지 C6 중 어느 한 방법에 있어서,
시간 주기에 따라 소정량의 배치 재료에 추가의 배치 재료를 추가하는 단계; 및
시간 주기에 따라 무게 변경을 결정할 때 추가의 배치 재료를 보상하는 단계를 더 포함한다.
C10. C9의 방법에 있어서, 보상하는 단계는 이력의 무게 변경 데이터를 갖는 추가의 배치 재료를 실질적으로 마스킹하는 단계를 포함한다.
C11. C10의 방법에 있어서, 마스킹 단계는 이하의 식에 의해 발생되며:
Figure pat00019
여기서, Δ BW threshould 는 상수이고, Δ BW (k)는 샘플 상수에서 배치 무게 변경이며, k는 샘플 상수이고, Δ BW avg (k)는 배치 무게 변경의 러닝 평균이다.
C12. C9, C10 또는 C11의 방법에 있어서, 보상하는 단계는 추가의 배치 재료의 무게를 감하는 단계를 포함한다.
C13. C9 내지 C12 중 어느 한 방법에 있어서, 시간 주기에 따라 무게 변경에 대응하는 데이터를 후-필터링(post-filtering)하는 단계를 더 포함한다.
C14. C1 내지 C5 중 어느 한 방법에 있어서,
시간 주기에 따라 소정량의 배치 재료에 추가의 배치 재료를 추가하는 단계; 및
시간 주기에 따라 특성 변경을 결정할 때 추가의 배치 재료를 보상하는 단계를 더 포함한다.
C15. C1 내지 C5의 형태/실시예 중 어느 한 방법에 있어서, 실제 배치 충만율의 표준 편차는 약 35 lbs/hr 이하이다.
C16. 유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 콘트롤하는 방법은:
유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 모니터링하는 단계;
미리 결정된 용융 유리의 레벨과 모니터된 용융 유리의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하는 단계;
시간에 따른 소정량의 배치 재료의 특성 변경을 결정함으로써 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계; 및
미리 결정된 배치 충만율과 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함한다.
C17. C16의 방법에 있어서, 특성 변경은 무게 변경을 포함한다.
C18. C16 또는 C17의 방법에 있어서,
시간 주기에 따라 소정량의 배치 재료에 추가의 배치 재료를 추가하는 단계를 더 포함하는 단계; 및
시간 주기에 따라 특성 변경을 결정할 때 추가의 배치 재료를 실질적으로 마스킹하는 단계를 더 포함한다.
C19. C16 내지 C18 중 어느 한 방법에 있어서, 용융 유리의 레벨의 표준 편차는 약 0.04인치 이하이다.
C20. 유리 용융로는,
유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 측정하도록 구성된 레벨 센서;
레벨 센서에 동작가능하게 연결되고, 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 레벨 센서에 의해 모니터된 용융 유리의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하도록 구성된 레벨 콘트롤러;
소정량의 배치 재료의 특성을 측정하도록 구성된 배치 재료 센서;
배치 재료 센서에 동작가능하게 연결되고, 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하기 위해 배치 재료 센서로부터의 정보를 수신하도록 구성된 추정기;
레벨 콘트롤러로부터의 미리 결정된 배치 충만율과 추정기로부터의 추정된 배치 충만율간 차이에 기초하여 속도 코멘드를 산출하도록 구성된 배치 충만율 콘트롤러; 및
배치 충만율 콘트롤러로부터의 속도 코멘드에 따라 실제 배치 재료 충만율로 유리 용융로에 배치 재료를 채우도록 구성된 배치 전송장치를 포함한다.
C21. C20의 유리 용융로에 있어서, 레벨 콘트롤러는 폐-루프 제어를 포함하도록 구성된다.
C22. C20 또는 C21의 유리 용융로에 있어서, 레벨 콘트롤러는 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 유리 용융로 내의 모니터된 용융 유리의 레벨간 차이에 응답하도록 구성된다.
C23. C20 내지 C22 중 어느 한 유리 용융로에 있어서, 배치 센서는 배치 재료의 무게 변경을 측정하도록 구성된다.
본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 본 발명을 다양하게 변형 및 변경할 수 있다는 것은 당업자들에게는 자명할 것이다. 따라서, 본 발명은 수반된 청구항 및 그와 같은 동등물의 범위 내에서 제공된 본 발명의 변형 및 변경을 커버할 것이다.
112 : 유리 용융로, 114 : 배치 재료,
116 : 홀딩 빈, 118 : 배치 재료 센서,
119 : 로드 셀, 120 : 배치 전송장치,
122 : 콘트롤러, 126 : 레벨 센서.

Claims (9)

  1. 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하는 단계, 및 미리 결정된 배치 충만율과 상기 추정된 배치 충만율간 비교에 기초하여 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계를 포함하는 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    실제 배치 충만율을 콘트롤하는 단계는 실제 배치 충만율이 미리 결정된 배치 충만율에 근접하도록 폐-루프 제어를 이용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    추정하는 단계는 시간에 따른 소정량의 배치 재료의 무게 변경을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  4. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    추정하는 단계는 수치 미분 기법을 이용하여 무게 변경을 산출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  5. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    추정하는 단계는 소정량의 배치 재료의 무게에 대응하는 데이터를 전-필터링(pre-filtering)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  6. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    시간 주기에 따라 소정량의 배치 재료에 추가의 배치 재료를 추가하는 단계; 및
    이력의 무게 변경 데이터를 갖는 추가의 배치 재료를 마스킹함으로써 시간 주기에 따라 무게 변경을 결정할 때 추가의 배치 재료를 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    마스킹 단계는 이하의 식에 의해 발생되며:
    Figure pat00020

    여기서, Δ BW threshould 는 상수이고, Δ BW (k)는 샘플 상수에서 배치 무게 변경이며, k는 샘플 상수이고, Δ BW avg (k)는 배치 무게 변경의 러닝 평균인 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  8. 청구항 4에 있어서,
    시간 주기에 따라 무게 변경에 대응하는 데이터를 후-필터링(post-filtering)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 재료 제조방법.
  9. 유리 용융로 내의 용융 유리의 레벨을 측정하도록 구성된 레벨 센서;
    레벨 센서에 동작가능하게 연결되고, 미리 결정된 용융 유리의 레벨과 레벨 센서에 의해 모니터된 용융 유리의 레벨간 차이에 기초하여 유리 용융로에 대한 미리 결정된 배치 충만율을 산출하도록 구성된 레벨 콘트롤러;
    소정량의 배치 재료의 특성을 측정하도록 구성된 배치 재료 센서;
    배치 재료 센서에 동작가능하게 연결되고, 유리 용융로에 들어가는 배치 재료의 배치 충만율을 추정하기 위해 배치 재료 센서로부터의 정보를 수신하도록 구성된 추정기;
    레벨 콘트롤러로부터의 미리 결정된 배치 충만율과 추정기로부터의 추정된 배치 충만율간 차이에 기초하여 속도 코멘드를 산출하도록 구성된 배치 충만율 콘트롤러; 및
    배치 충만율 콘트롤러로부터의 속도 코멘드에 따라 실제 배치 재료 충만율로 유리 용융로에 배치 재료를 채우도록 구성된 배치 전송장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 용융로.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9790117B2 (en) * 2009-07-29 2017-10-17 Corning Incorporated Methods for making a glass material and apparatus
CN104066689B (zh) * 2012-12-27 2016-08-24 安瀚视特控股株式会社 玻璃板的制造方法以及玻璃板制造装置
CN107870634B (zh) * 2016-09-28 2021-01-15 中冶长天国际工程有限责任公司 物料填充率控制、检测方法及系统
CH713047A1 (de) * 2016-10-14 2018-04-30 K Tron Tech Inc Verfahren zur Regelung der Vibrationsbewegung eines Vibrationsförderers und einen Vibrationsförderer.

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3244494A (en) 1962-07-02 1966-04-05 Bausch & Lomb Method of feeding to and melting in a glass furnace
AR207484A1 (es) * 1974-10-22 1976-10-08 Pilkington Brothers Ltd Metodo para alimentar vidrio fundido a un proceso de formacion de vidrio aparato para realizarlo y producto obtenid
US4090241A (en) * 1975-12-15 1978-05-16 Owens-Corning Fiberglas Corporation Method for estimating and controlling the mass flow rate of a free falling fluid stream
JPS55126539A (en) 1979-03-22 1980-09-30 Central Glass Co Ltd Controlling method for molten glass material surface position
JPS56120522A (en) * 1980-02-19 1981-09-21 Ishizuka Glass Ltd Glass melting furnace capable of changing starting material ratio in accordance with outflow change
JPS59120522A (ja) 1982-12-28 1984-07-12 Toyota Motor Corp 横置エンジンの四輪駆動用トランスアクスル
US5341307A (en) 1993-02-19 1994-08-23 K-Tron Technologies, Inc. Apparatus and method for controlling flow rate in vibratory feeders
JPH07330342A (ja) 1994-06-02 1995-12-19 Canon Inc 溶融ガラスの液面検知方法およびその装置
US6168305B1 (en) * 1998-02-27 2001-01-02 Merrick Industries, Inc. System for precisely controlling discharge rates for loss-in-weight feeder systems
IL149417A0 (en) * 1999-11-24 2002-11-10 Procter & Gamble Method for controlling an amount of material delivered during a material transfer
US6722161B2 (en) 2001-05-03 2004-04-20 The Boc Group, Inc. Rapid glass melting or premelting
US7565816B2 (en) 2004-11-12 2009-07-28 Culchrome, Llc System for and method of batch analysis and optimization for glass manufacturing
US7840500B2 (en) 2006-11-30 2010-11-23 Corning Incorporated Fuzzy logic control for process with large dead time
US9790117B2 (en) 2009-07-29 2017-10-17 Corning Incorporated Methods for making a glass material and apparatus

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