JP5720426B2 - 半導体単結晶の引上げ方法及びその引上げ装置 - Google Patents
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Description
<実施例1>
図1に示す引上げ装置を20基用意し、これらの引上げ装置を第1〜第20引上げ装置とし、これらの引上げ装置を用いて直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶11を引上げた。具体的には、るつぼ13に多結晶シリコン原料を充填しヒータ18により溶融し、このシリコン融液14から直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶11をそれぞれ5回ずつ引上げた。これらの引上げデータを記憶媒体39のデータベースに記憶した。そして第7引上げ装置を用いて次のシリコン単結晶11を引上げる前に、コントローラ38は、特定の評価機能の信頼性及び重み係数に基づいて、次に引上げるシリコン単結晶11のヒータ18の温度プロファイルを引上げ前に修正した。ここで、コントローラ38は信頼性を次のようにして決定した。引上げ長5mm毎のヒータ18の温度傾き偏差を平均値として算出し、このヒータ18の温度傾き偏差を第1しきい値:±0.002℃/5mmと比較し、良好であると評価された割合が80%以上であるときに合格とする合格率を引上げ長100mm毎に算出し、シリコン単結晶11の直胴部11c全長にわたって合格率を算出した後に、記憶媒体39にマップとして記憶された合格率に対する信頼性の関係に基づいて信頼性を決定した。
特定の評価機能の信頼性及び重み係数を用いず、かつならし機能を用いなかったこと以外は、実施例1の第7引上げ装置と同型の第10引上げ装置を用いて直径300mmのシリコンウェーハを製作するためのシリコン単結晶を引上げた。このシリコン単結晶を比較例1とした。
実施例1及び比較例1のシリコン単結晶の直胴部の引上げ率20〜80%に対する直径標準化値を求めた。その結果を図7及び図8に示す。ここで、るつぼに貯留されたシリコン融液を全てシリコン単結晶として引上げたときの引上げ率を100%とした場合、引上げ率20〜80%の範囲はシリコン単結晶の直胴部を引上げている範囲となる。またシリコン単結晶の直径標準化値Ziは、シリコン単結晶の直径の実測値をxiとし、シリコン単結晶の直径の平均値をAとするとき、Zi=xi/Aで表される。このように直径標準化値を用いたのは、比較を容易にするためである。
13 るつぼ
14 シリコン融液(半導体融液)
18 ヒータ
Claims (6)
- 半導体単結晶の引上げ装置のるつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解して前記るつぼに半導体融液を貯留し、前記引上げ装置に予め設定され前記半導体単結晶の引上げ長に対する前記ヒータの温度設定値の変化である温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から前記半導体単結晶を引上げる半導体単結晶の引上げ方法において、
前記ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積する工程と、
前記データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する工程と、
前記特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正する工程と、
この修正された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げる工程と
を含み、
前記特定の評価機能が、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、前記次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに前記設定引上げ条件及び前記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数とを有し、
前記過去に引上げた半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにおける最小単位の温度傾きの設定値と実績値との差である温度傾き偏差を算出し、この温度傾き偏差にしきい値を設定し、前記温度傾き偏差を前記しきい値と比較して所定の判定条件に基づき合否を決定し、前記半導体単結晶の直胴部全長にわたって前記温度傾き偏差の合格率を算出し、この合格率に基づいて前記過去に引上げた半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを評価することにより、前記信頼性を決定し、
前記重み係数が、前記次に引上げる半導体単結晶に使用される引上げ装置と前記過去に引上げた半導体単結晶に使用された引上げ装置を比較して、同一の装置構成である部分が多い程高く設定する係数、又は前記次に引上げる半導体単結晶の引上げ日時と前記過去に引上げた半導体単結晶の引上げ日時を比較して、日時が近い程高く設定する係数のいずれか一方又は双方の係数であり、
前記信頼性を決定する合格率が高いときに前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルへのフィードバック量を100%に近付け、前記信頼性を決定する合格率が低いときに前記フィードバック量を低くし、かつ前記重み係数が高いときに前記フィードバック量を100%に近付け、前記重み係数が低いときに前記フィードバック量を低くして、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する
ことを特徴とする半導体単結晶の引上げ方法。 - 前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有する請求項1記載の半導体単結晶の引上げ方法。
- 前記次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較したときに、前記半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は前記半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正する請求項1記載の半導体単結晶の引上げ方法。
- るつぼに供給された半導体原料をヒータにより融解して前記るつぼに半導体融液が貯留され、コントローラが予め設定され前記半導体単結晶の引上げ長に対する前記ヒータの温度設定値の変化である温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成された半導体単結晶の引上げ装置において、
前記コントローラは、
前記ヒータの温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、
前記データベースに蓄積された過去の半導体単結晶の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価し、
この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを引上げ前に修正し、
この修正された温度プロファイルに基づいて前記ヒータを制御しながら前記るつぼ内の半導体融液から半導体単結晶を引上げるように構成され、
前記特定の評価機能が、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶のヒータの温度プロファイルの設定値と実績値との近さから決定された信頼性と、前記次に引上げる半導体単結晶の設定引上げ条件と前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータのうち実績引上げ条件とを比較したときに前記設定引上げ条件及び前記実績引上げ条件の近さから決定された重み係数とを有し、
前記過去に引上げた半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにおける最小単位の温度傾きの設定値と実績値との差である温度傾き偏差を算出し、この温度傾き偏差にしきい値を設定し、前記温度傾き偏差を前記しきい値と比較して所定の判定条件に基づき合否を決定し、前記半導体単結晶の直胴部全長にわたって前記温度傾き偏差の合格率を算出し、この合格率に基づいて前記過去に引上げた半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを評価することにより、前記信頼性が決定され、
前記重み係数が、前記次に引上げる半導体単結晶に使用される引上げ装置と前記過去に引上げた半導体単結晶に使用された引上げ装置を比較して、同一の装置構成である部分が多い程高く設定する係数、又は前記次に引上げる半導体単結晶の引上げ日時と前記過去に引上げた半導体単結晶の引上げ日時を比較して、日時が近い程高く設定する係数のいずれか一方又は双方の係数であり、
前記信頼性を決定する合格率が高いときに前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルへのフィードバック量を100%に近付け、前記信頼性を決定する合格率が低いときに前記フィードバック量を低くし、かつ前記重み係数が高いときに前記フィードバック量を100%に近付け、前記重み係数が低いときに前記フィードバック量を低くして、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正するように構成された
ことを特徴とする半導体単結晶の引上げ装置。 - 前記コントローラは、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルが連続性を保つように前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを修正する、ならし機能を有する請求項4記載の半導体単結晶の引上げ装置。
- 前記コントローラは、前記次に引上げる半導体単結晶の引上げデータと前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルにフィードバックされる前記過去の半導体単結晶の引上げデータとを比較し、前記半導体単結晶の引上げに用いられる構成部材又は前記半導体単結晶の引上げ条件のいずれか一方又は双方の相違を、前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度設定値に換算して前記次に引上げる半導体単結晶のヒータの温度プロファイルを補正するように構成された請求項4記載の半導体単結晶の引上げ装置。
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