KR20110010435A - 산화물 반도체 제조용 용액 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조용 용액은 주석을 함유하는 제1 화합물, 갈륨을 함유하는 제2 화합물, 인듐을 함유하는 제3 화합물 중 적어도 어느 하나를 함유하는 산화아연(ZnO) 용액, 용액을 안정화하기 위한 용액 안정화제, 용액의 점도를 조절하기 위한 첨가제를 포함한다.
산화물반도체, 트랜지스터, 전구체용액, 산화아연

Description

산화물 반도체 제조용 용액{SOLUTION FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR}
본 기재는 산화물 반도체 제조용 용액에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)는 다양한 분야에 이용되고 있으며, 특히 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치에서 스위칭 및 구동 소자로 이용되고 있다.
박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선에 연결되어 있는 게이트전극, 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선에 연결되어 있는 소스 전극, 소스 전극과 마주하는 드레인 전극, 그리고 소스 전극 및 드레인 전극에 전기적으로 연결되어 있는 반도체를 포함한다.
이 중 반도체는 박막 트랜지스터의 특성을 결정하는 중요한 요소이다. 이러한 반도체로는 규소(Si)가 가장 많이 사용되고 있다. 규소는 결정 형태에 따라 비정질 규소 및 다결정 규소로 나누어지는데, 비정질 규소는 제조 공정이 단순한 반면 전하 이동도가 낮아 고성능 박막 트랜지스터를 제조하는데 한계가 있고 다결정 규소는 전하 이동도가 높은 반면 규소를 결정화하는 단계가 요구되어 제조 비용 및 공정이 복잡하다.
이러한 비정질 규소와 다결정 규소를 보완하기 위하여 산화물 반도체가 사용될 수 있다. 산화물 반도체는 반도체를 결정화하기 위한 별도 공정이 필요 없을 뿐만 아니라 진공 증착으로 형성하는 경우 증착 조건에 따라 전하 이동도를 높일 수 있다. 그러나 진공 증착은 제조 공정이 복잡하고 제조 비용이 막대하며 대면적 표시 장치에 적용하는데 한계가 있다.
따라서 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 낮추는 동시에 박막 트랜지스터의 특성을 개선할 수 있는 산화물 반도체 제조용 용액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조용 용액은 주석을 함유하는 제1 화합물, 갈륨을 함유하는 제2 화합물, 인듐을 함유하는 제3 화합물 중 적어도 어느 하나를 함유하는 산화아연(ZnO) 용액, 용액을 안정화하기 위한 용액 안정화제, 용액의 점도를 조절하기 위한 첨가제를 포함한다.
첨가제는 포름 아미드일 수 있고, 용액의 표면 장력은 40mN/m이상 70mN/M이하일 수 있다.
포름 아미드는 산화아연 용액과 용액 안정화제를 합한 부피의 100~300%의 범위로 포함할 수 있다.
기판 위에 용액 방울을 적하한 후 용액 방울과 기판의 접촉각은 10°~50°일 수 있다.
용액의 용매는 2-메쓰옥시에탄올(2-MethoxyEthanol), 이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 부탄디올(butanediol), 1-부탄디올(1-betandiol), 2-부탄디올(2-butandiol) 중 어느 하나일 수 있다.
산화아연 용액은 GIZO, ZnSnO, GaSnZnO 중 어느 하나일 수 있다.
GIZO 용액은 갈륨:인듐:아연의 몰농도가 0.3~1.1:1.1:0.9의 비율로 포함되어 있을 수 있다.
용액 안정화제는 모노에탄올아민(MonoEthaolamine)일 수 있다.
제1화합물은 갈륨염, 수산화아연, 갈륨 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 제2 화합물은 인듐염, 수산화인듐, 인듐 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하고, 제3 화합물은 주석염, 수산화인듐, 주석 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 화합물은 아연 아세테이트 수화물을 포함하고, 제2 화합물은 인듐 아세틸 아세토네이트를 포함할 수 있다.
용액은 졸-겔 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 산화물 반도체는 용액 형태로 형성할 수 있어서 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 낮출 수 있다. 또한, 산화물 반도체 용액을 이용하여 잉크젯 방법으로 박막 트랜지스터를 형성할 수 있으므로 박막 트랜지스터의 제조 공정을 단순화할 수 있다.
그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 용액 조성물에 대하여 설명한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 용액 조성물은 산화물 반도체 박막을 형성하는데 사용되는 전구체 용액이다.
전구체 용액은 아연(Zn)을 함유하는 화합물(이하 '아연 함유 화합물'이라 한다), 갈륨(Ga)을 함유하는 화합물(이하 '갈륨 함유 화합물'이라 한다), 주석(Sn)을 함유하는 화합물(이하 '주석 함유 화합물'이라 한다) 및 인듐(In)을 함유하는 화합물(이하 '인듐 함유 화합물'이라 한다)중 적어도 어느 하나를 포함한다.
이들 화합물을 다양하게 조합하면 다양한 전구체 용액을 형성할 수 있으며, 예를 들어 GIZO, ZTO(ZnSnO), GSZO(GaSnZnO) 용액을 제조할 수 있다. 이들 전구체 용액을 이용하여 박막을 형성하면 반도체 특성을 가지는 산화물 박막을 형성할 수 있다.
아연 함유 화합물은 아연 질화물, 아연염, 수산화아연, 아연 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 염은 예컨대 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 탄산염(carbonate), 질산염(nitrate), 황산염(sulfate), 인산염(phosphate) 및 염화염(halide) 등일 수 있다. 아연 함유 화합물의 예로는 아연 아세테이트(zinc acetate, Zn(CH3COO)2), 아연 질산염(zinc nitrate), 아연 아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 염화아연(Zinc chloride) 및 그들의 수화물을 들 수 있다.
인듐 함유 화합물은 인듐 질화물, 인듐염, 수산화인듐, 인듐 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 인듐 함유 화합물의 예로는 인듐 아세틸 아세토네이트(indium acetyl acetonate), 인듐 아세테이트(indium acetate), 염화인듐(indium chloride), 인듐 이소프로폭시드(indium isopropoxide) 및 그들의 수화물을 들 수 있다.
갈륨 함유 화합물은 갈륨 질화물, 갈륨염, 수산화갈륨, 갈륨 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 갈륨 함유 화합물의 예로는 갈륨 아세틸 아세토네이트(gallium acetyl acetonate), 갈륨 아세테이트(gallium acetate), 염화갈륨(gallium chloride), 갈륨 이소프로폭시드(gallium isopropoxide) 및 그들의 수화물을 들 수 있다주석 함유 화합물은 주석 질화물, 주석염, 수산화주석, 주석 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 주석 함유 화합물의 예로는 주석 아세틸 아세토네이트(tin acetyl acetonate), 주석 아세테이트(tin acetate), 염화 주석(tin chloride), 주석 이소프로폭시드(tin isopropoxide) 및 그들의 수화물을 들 수 있다상기의 전구체 용액은 용액 안정화제를 더 포함할 수 있다.
용액 안정화제는 알코올 아민 화합물, 알킬 암모늄 히드록시 화합물, 알킬 아민 화합물, 케톤 화합물, 산 화합물, 염기 화합물 및 탈이온수(deionized water) 따위에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예컨대 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로필아민, N,N-메틸에탄올아민, 아미노에틸 에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민, 2-(아미노에톡시)에탄올, N-t-부틸에탄올아민, N-t-부틸디에탄올아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드, 메틸아민, 에틸아민, 아세틸아세톤, 염산, 질산, 황산, 초산, 수산화암모늄, 수산화칼륨 및 수산화나트륨에서 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
용액 안정화제는 전구체 용액에 포함되어 다른 성분의 용해도를 높일 수 있고 이에 따라 균일한 박막을 형성할 수 있다. 용액 안정화제는 상술한 다른 성분의 종류 및 함량에 따라 함유량이 달라질 수 있으나, 전구체 용액의 총 함량에 대하여 약 0.01 내지 30 중량%로 함유될 수 있다. 용액 안정화제가 상기 범위로 함유되는 경우 용해도 및 박막 코팅성을 높일 수 있다.
용액 안정화제는 아연 함유 화합물, 인듐 함유 화합물, 갈륨 함유 화합물, 주석 함유 화합물의 각 성분 용액에 첨가될 수도 있고, 각 용액을 혼합한 후에 첨가될 수도 있다.
또한, 전구체 용액은 용액의 표면 장력을 조절하기 위한 첨가제를 더 포함한다. 첨가제는 첨가제를 포함하지 않는 상태의 전구체 용액의 표면 장력보다 높은 표면 장력을 가지는 화합물로 산화물 반도체의 특성을 저해하지 않는 화합물로 선택할 수 있다. 예를 들어 표면 장력이 59.1nM/m을 가지는 포름 아미드(Formamide, FA)를 첨가하여 전구체 용액의 표면 장력을 조절할 수 있다. 이때, 포름 아미드는 아염 함유 화합물, 인듐 함유 화합물, 갈륨 함유 화합물 및 주석 함유 화합물을 포함하는 반도체 용액과 포름 아미드의 부피비기 1:1~1:3의 비율을 가지도록 첨가할 수 있다.
이상 설명한 아연 함유 화합물, 인듐 함유 화합물, 갈륨 함유 화합물 및 주석 함유 화합물, 용액 안정화제 및 첨가제는 용매에 함께 혼합되어 있다.
이 때 용매는 상술한 성분을 용해할 수 있으면 특히 한정되지 않으며, 예컨대 탈이온수, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-프로폭시에탄올 2-부톡시에탄올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디프로필렌글리콜메틸에테르, 톨루엔, 크실렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에틸에테르, 메틸메톡시프로피온산, 에틸에톡시프로피온산, 에틸락트산, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸아세테이트, 아세톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈, γ-부틸로락톤, 디에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 디글라임, 테트라히드로퓨란, 아세틸아세톤 및 아세토니트릴에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
용매는 전구체 용액의 총 함량에 대하여 상술한 성분을 제외한 잔량으로 포함될 수 있다.
이하에서는 이상 설명한 전구체 용액 중 GIZO 전구체 용액을 제조하는 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
GIZO 용액은 갈륨:인듐:아염을 몰농도 비가 X:1.1:0.9(X는 0.3~1.1)가 되도록 혼합한 후 졸 겔(sol-gel) 방법으로 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 전구체 용액을 제조하는 방법을 순서대로 도시한 흐름도이다.
도 1을 참조하면 용액 안정화제가 포함된 용매를 준비한다(S1). 안정화제는 에탄올아민을 사용하고, 용매로는 2-메쓰옥시에탄올을 사용한다. 준비된 용매를 교반하면서 아연 함유 화합물, 예를 들어 아연 아세테이트를 추가한다(S2). 이때 아연 아세테이트는 일정 온도로 가열하여 혼합할 수 있다.
다음, 용매를 교반하면서 갈륨 아세테이트를 추가(S3)하고, 인듐 아세테이트를 순차적으로 추가한다(S4). 이때 교반은 상온에서에서 10분~ 12시간 동안 진행할 수 있다.
마지막으로 포름아미드를 추가(S5)하여 전구체 용액을 완성한다(S6). 이때 포름 아미드의 양은 전구체 용액의 표면 장력이 40~70mN/m의 값을 가지도록 양을 조절한다.
다른 실시예인 GSZO는 Ga:Sn:Zn의 몰농도를 0.5:2.5:7의 비율로 혼합한 후 졸겔법으로 제조할 수 있다. 그리고 ZTO는 Zn:Sn의 몰농도를 7:3의 비율로 혼합한 후 졸 겔 법으로 제조할 수 있으며, 이때 ZTO와 포름 아미드의 부피비는 1:2로 혼합할 수 있다.도 2는 종래 기술에 따른 전구체 용액의 표면 접촉각을 도시한 사진이고, 도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전구체용액의 표면 접촉각을 도시한 사진으로 포름 아미드를 첨가제로 사용하였다.
종래 기술에 따른 전구체 용액을 기판 위에 떨어뜨리면 도 2에서와 같이 기판과 용액 방울과의 접촉각이 0도임을 알 수 있다. 그러나 첨가제를 vol.100%, vol.200%, vol.300%의 비율로 포함하는 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액을 기판 위에 떨어뜨리면 도 3 내지 도 5에서와 같이 기판과 용액 방울과의 접촉각이 각각 10°, 18° , 27°를 가지는 것을 알 수 있다.
도 2에서와 같이 용액 방울이 기판에 퍼지면 스핀 코팅용으로는 효과적이나 잉크젯 방법에 사용하기에는 부적합하다. 그러나 본 발명의 실시예에서와 같이 첨가제를 추가함으로써 용액의 표면 장력을 증가시켜 기판과의 접촉각을 증가시키면 용액이 기판에 퍼지지 않고 일정한 패턴을 형성하기가 용이하므로 잉크젯 방법으로 패턴을 형성하기에 적합해진다.
도 6은 종래 기술에 따른 전구체 용액을 사용하여 잉크젯 방법으로 선형 패턴을 형성한 사진이고, 도 7 내지 9는 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액을 사용하여 잉크젯 방법으로 선형 패턴을 형성한 사진이다.
도 6에 도시한 바와 같이 종래의 전구체 용액으로 300㎛ 간격으로 패턴을 형성할 경우 이웃하는 패턴과 합쳐져 버리고, 500㎛의 간격으로 반도체를 형성할 경우에도 기판에 넓게 퍼지는 것을 확인할 수 있다.
그러나 도 7 내지 9에서와 같이 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액을 이용하면 첨가제를 vol.100%로 포함하여 300㎛의 간격으로 반도체를 형성한 경우를 제외하고는 모두 양호한 선형 패턴을 얻을 수 있다.
이처럼 본 발명의 전구체 용액은 첨가제로 표면 장력을 조절함으로써 잉크젯 인쇄 방법으로 기판 위에 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
이상 설명한 본 발명에 따른 전구체 용액을 이용하여 형성한 트랜지스터에 대해서 설명한다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 트랜지스터의 단면도이고, 도 11 및 12는 도 10의 트랜지스터를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
도 10을 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 트랜지스터는 기판(110) 위에 게이트 전극(124)이 형성되어 있고 게이트 전극(124) 위에 기판 전면을 덮는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 마주하는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)가 형성되어 있다. 그리고 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 산화물 반도 체(154)가 형성되어 있다. 산화물 반도체(154)는 GIZO로 이루어지며, 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 채널을 형성한다.
도 11을 참고하면, 기판(110) 위에 도전층을 적층한 후 이를 사진 식각하여 게이트 전극(124)을 형성한다.
다음 도 12를 참고하면, 게이트 전극(124) 위에 산화규소(SiO2), 질화규소(SiNx) 또는 유기 절연막 따위를 적층하여 게이트 절연막(140)을 형성한다.
이후 게이트 절연막(140) 위에 금속을 증착한 후 패터닝하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)를 형성한다.
도 10을 참고하면, 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에 산화물 반도체(154)를 형성한다. 산화물 반도체(154)는 GIZO 전구체 용액을 이용하여 잉크젯 방법으로 형성한다. 본 발명의 실시예에서는 기판 위에 바로 전구체 용액을 적하하였으나 기판 위에 격벽을 형성한 후 전구체 용액을 적하하여 형성할 수 있다.
도 13 및 도 14는 도 10의 트랜지스터의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
도 13을 참조하면, Vd가 20V일 때 Vg가 증가할수록 Id가 증가하여 트랜지스터가 턴온(turn on)되는 것을 확인할 수 있다. 그리고 도 14를 Vg 전압이 0V, 10V, 20V, 30V, 40V일정할 때 Vd 전압은 시간에 따라 증가하여 일정 Id에서 안정된다.
이때, 트랜지스터의 이동도는 1.7×10-2㎠/Vs이고, Vth는 2.88V, 온 전류(on current)는 1.0×10-6A이고, 오프 전류(Off current)는 <1.0×10-12A이고, 온/오프 비율은 2.1×106로 충분히 트랜지스터로 사용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 산화물 반도체를 용액 형태로 형성하고 일정한 표면 장력을 가질 수 있도록 함으로써, 잉크젯 인쇄 방법으로 반도체를 형성할 수 있어 박막 트랜지스터의 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 낮출 수 있다.
이상의 실시예에서는 산화물 반도체를 트랜지스터에 적용하는 것을 예시적으로 설명하였지만 이에 한정되지 않고 반도체 박막이 필요한 어떠한 소자에도 동일하게 적용할 수 있다. 또한 이상의 실시예에서는 바텀 게이트 구조의 트랜지스터에 대해서만 예시적으로 설명하였지만 이에 한정되지 않고 탑 게이트 구조의 트랜지스터 등 어떠한 구조의 트랜지스터에도 동일하게 적용할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 전구체 용액을 제조하는 방법을 순서대로 도시한 흐름도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 전구체 용액의 표면 접촉각을 도시한 사진이고, 도 3 내지 5는 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액의 표면 접촉각을 도시한 사진이다.
도 6은 종래 기술에 따른 전구체 용액을 사용하여 잉크젯 방법으로 선형 패턴을 형성한 사진이다.
도 7 내지 9는 본 발명의 실시예에 따른 전구체 용액을 사용하여 잉크젯 방법으로 선형 패턴을 형성한 사진이다.
도 10은 본 발명의 한 실시예에 따른 트랜지스터의 단면도이다.
도 11 및 12는 도 10의 트랜지스터를 제조하는 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
도 13 및 도 14는 도 10의 트랜지스터의 전기적 특성을 나타낸 그래프이다.
<주요 구성 요소의 도면 부호>
110: 기판 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154: 반도체
173: 소스 전극 175: 드레인 전극

Claims (12)

  1. 주석을 함유하는 제1 화합물, 갈륨을 함유하는 제2 화합물, 인듐을 함유하는 제3 화합물 중 적어도 어느 하나를 함유하는 산화아연(ZnO) 용액,
    상기 용액을 안정화하기 위한 용액 안정화제,
    상기 용액의 점도를 조절하기 위한 첨가제
    를 포함하는 산화물 박막 제조용 용액.
  2. 제1항에서,
    상기 첨가제는 포름 아미드인 산화물 박막 제조용 용액.
  3. 제2항에서,
    상기 용액의 표면 장력은 40mN/m이상 70mN/M이하인 산화물 박막 제조용 용액.
  4. 제3항에서,
    상기 포름 아미드는 상기 산화아연 용액과 상기 용액 안정화제를 합한 부피의 100~300%의 범위로 포함하는 산화물 박막 제조용 용액.
  5. 제1항에서,
    기판 위에 상기 용액 방울을 적하한 후 상기 용액 방울과 상기 기판의 접촉각은 10°~50° 인 산화물 박막 제조용 용액.
  6. 제1항에서,
    상기 용액의 용매는 2-메쓰옥시에탄올(2-MethoxyEthanol), 이소프로판올(isopropanol), 에탄올(ethanol), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 부탄디올(butanediol), 1-부탄디올(1-betandiol), 2-부탄디올(2-butandiol) 중 어느 하나인 산화물 박막 제조용 용액.
  7. 제1항에서,
    상기 산화아연 용액은 GIZO, ZnSnO, GaSnZnO 중 어느 하나인 산화물 박막 제조용 용액.
  8. 제7항에서,
    상기 GIZO 용액은 갈륨:인듐:아연의 몰농도가 0.3~1.1:1.1:0.9의 비율로 포함되어 있는 산화물 박막 제조용 용액.
  9. 제1항에서,
    상기 용액 안정화제는 모노에탄올아민(MonoEthaolamine)인 산화물 박막 제조용 용액.
  10. 제1항에서,
    상기 제1화합물은 갈륨염, 수산화아연, 갈륨 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제2 화합물은 인듐염, 수산화인듐, 인듐 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,
    상기 제3 화합물은 주석염, 수산화인듐, 주석 알콕시드 및 이들의 수화물에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 산화물 박막 제조용 용액.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 화합물은 아연 아세테이트 수화물을 포함하고,
    상기 제2 화합물은 인듐 아세틸 아세토네이트를 포함하는
    산화물 박막 제조용 용액.
  12. 제1항에서,
    상기 용액은 졸-겔 방법으로 제조하는 산화물 박막 제조용 용액.
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