KR20100131314A - 페이스트 도포방법 및 그 방법에 의하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 페이스트 도포방법은, 기판 상에 액적형상의 페이스트 액적을 적하하는 점형도포방식으로 이루어지므로, 페이스트 패턴의 불량을 방지하여 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴의 내부면적을 확보할 수 있는 효과가 있다.
페이스트, 디스펜서, 도포

Description

페이스트 도포방법 및 그 방법에 의하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판 {METHOD FOR DISPENSING PASTE AND SUBSTRATE HAVING PASTE PATTERN FORMED BY USING THE METHOD}
본 발명은 기판 상에 페이스트를 도포하는 방법 및 그 방법을 이용하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판에 관한 것이다.
평판표시장치(FPD, Flat Panel Display)의 하나인 액정표시장치(LCD)는 음극선관(CRT)에 비해 시인성이 우수하고 평균소비전력도 같은 화면크기의 음극선관에 비하여 작을 뿐만 아니라 발열량도 작기 때문에 플라즈마표시패널(PDP: Plasma Display Panel)이나 전계방출표시장치(FED: Field Emission Display)와 함께 최근에 휴대폰이나 컴퓨터의 모니터, 텔레비전 등의 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
이러한 액정표시장치는 상부기판, 하부기판 및 상부기판과 하부기판의 사이에 개재되는 액정층으로 구성되는데, 상부기판과 하부기판의 사이에 액정층을 형성하는 방법은 액정딥핑주입방식과 액정적하방식으로 나누어 볼 수 있다.
액정딥핑주입방식은 진공이 형성된 챔버 내에서 상부기판 및 하부기판을 액 정주입구가 형성되도록 실링재로 합착하고, 합착된 상부기판 및 하부기판을 액정이 수용되어 있는 용기 내에 위치시킨 후, 챔버 내의 진공을 해제하면 상부기판과 하부기판의 사이의 공간과 외부공간과의 압력차에 의하여 액정이 액정주입구를 통하여 상부기판과 하부기판의 사이로 주입되는 방식이다.
액정적하방식은 상부기판 또는 하부기판에 액정을 적하시킨 후, 상부기판 및 하부기판을 합착하는 방식으로, 액정딥핑주입방식과 달리 액정주입 전에 액정주입구를 형성시키거나 액정주입 후에 액정주입구를 폐쇄시키는 공정이 추가로 요구되지 않고, 액정층의 형성에 소요되는 시간을 줄일 수 있으며, 고가의 액정이 낭비되는 문제를 방지할 수 있다는 점에서 최근에 사용되고 있는 방식이다.
액정적하방식에서 가장 중요한 인자는 상부기판 및 하부기판의 사이에 정해진 액정의 양을 가지는 액정층을 형성하는 것이다. 액정적하방식은 액정이 적하된 기판과, 폐쇄된 페이스트 패턴이 형성되도록 페이스트가 도포된 기판을 서로 합착하는 공정으로 진행되는데, 정해진 액정의 양으로 액정층을 형성하는 데에 있어서 페이스트 패턴의 내부면적은 중요한 인자가 된다.
액정적하방식에서, 기판 상에 페이스트 패턴을 형성하기 위하여 기판 상에 페이스트를 도포하는 장치인 페이스트 디스펜서가 이용된다. 이러한 페이스트 디스펜서는, 기판이 탑재되는 스테이지와, 페이스트가 토출되는 노즐이 장착된 헤드유닛과, 헤드유닛이 지지되는 헤드지지대로 구성되어, 기판과 노즐의 상대위치를 변화시켜 가면서 기판 상에 소정 형상의 페이스트 패턴을 형성한다.
한편, 종래의 페이스트 디스펜서는, 페이스트의 토출을 시작할 때부터 페이 스트의 토출을 종료할 때까지 페이스트를 연속적으로 토출하는 선형도포방식으로 페이스트를 도포하고 있다.
선형도포방식에 의한 페이스트 도포공정에서, 기판 상에 페이스트 패턴이 시작되는 위치, 즉, 페이스트가 최초로 도포되는 기판 상의 위치에서 직경이 지나치게 큰 페이스트가 도포되는 것을 방지하기 위하여, 도 1에 도시된 바와 같이, 페이스트의 토출을 시작하는 경우, 노즐(620)을 기판(S)을 향하여 하측방향 및 도포방향으로 이동시키는 도중에, 즉, 노즐(620)이 기판(S)과 미리 설정된 간격으로 위치되기 이전에, 노즐(620)로부터 페이스트의 토출이 시작되도록 하고 노즐(620)이 기판(S)과 미리 설정된 간격으로 위치될 때까지 페이스트의 토출량을 증가시키는 방식으로 진행되고 있다.
마찬가지로, 기판 상에 페이스트 패턴이 종료되는 위치, 즉, 페이스트가 최종으로 도포되는 위치에서 직경이 지나치게 큰 페이스트가 도포되는 것을 방지하기 위하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 페이스트의 토출을 종료하는 경우, 노즐(620)을 기판(S)으로부터 상측방향 및 도포방향으로 이동시키는 도중에 토출되는 페이스트의 양을 점차 줄여가면서 페이스트의 토출이 종료되도록 하는 방식으로 진행되고 있다.
따라서, 이러한 페이스트 디스펜서의 선형도포방식은, 페이스트의 도포를 시작하는 경우에 노즐(620)을 하측방향 및 도포방향으로 이동시키면서 페이스트의 토출량을 점차 증가시키는 데에 필요한 필요거리(D1)를 요구하고 있으며, 페이스트의 도포를 종료하는 경우에 노즐(620)을 상측방향 및 도포방향으로 이동시키면서 페이 스트의 토출량을 점차 감소시키는 데에 필요한 필요거리(D2)를 요구하고 있다.
이와 같이, 종래의 페이스트 도포방법은 이러한 필요거리(D1)(D2)를 요구하기 때문에 기판 상에 페이스트를 도포하는 과정이 복잡하고 어렵다는 문제가 있으며, 특히, 페이스트 패턴(P) 형성 시 토출시작점과 토출종료점이 만나는 부분에서 페이스트 패턴(P)의 선폭을 균일하게 처리하기가 어렵다는 문제가 있다. 이러한 문제로 인하여 필요거리(D1)(D2)의 설정에 오차가 발생한 경우에는, 페이스트 패턴(P)의 선폭의 불량이 발생하고 이로 인하여 페이스트 패턴(P)의 내부면적의 불량이 발생되는 문제가 있다.
전술한 바와 같이 액정적하방식에서는 상부기판과 하부기판 사이에 정해진 액정의 양을 가지는 액정층을 형성하는 것이 매우 중요하며 정해진 액정의 양을 가지는 액정층의 형성은 페이스트 패턴의 내부면적에 의하여 좌우되는 것인데, 선형도포방식만을 적용한 페이스트 도포방법은, 페이스트 패턴의 내부면적의 불량을 초래하여 정해진 액정의 양을 가지는 액정층의 형성을 어렵게 하고, 이에 따라, 제품의 품질이 저하되는 등의 치명적인 문제를 발생시킬 수 있다는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 기판 상에 페이스트 패턴을 형성하기 위하여, 페이스트를 점형도포방식으로 기판 상에 도포함으로써, 페이스트 패턴의 선폭의 불량이나 단선 등의 결함을 방지하여 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴의 내부면적을 확보할 수 있는 페이스트 도포방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 점형도포방식에 의한 페이스트 도포방법에 의하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판을 제공하는 데에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 페이스트 도포방법은, 스테이지에 기판을 탑재하는 단계와, 기판과 소정 간격이 유지되도록 노즐을 위치시키는 단계와, 기판과 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 기판 상에 소정의 간격으로 액적형상의 페이스트 액적을 적하하는 점형도포방식으로, 노즐로부터 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
여기에서, 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계는 적하되는 페이스트 액적의 크기를 변화시키면서 페이스트 액적을 적하하는 과정으로 이루어질 수 있으며, 동일 크기의 페이스트 액적의 적하횟수를 변화시키면서 페이스트 액적을 적하하는 과정으로 이루어질 수 있다.
또한, 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계는 페이스트 패턴의 선의 길이방향을 따라 적하량을 조절하면서 페이스트 액적을 적하하는 과정으로 이루어 질 수 있다.
또한, 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계는 페이스트 패턴의 선폭방향으로 하나 이상의 열로 페이스트 액적을 적하하는 과정으로 이루어 질 수 있다.
한편, 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계는 페이스트 패턴의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적을 적하하고, 복수의 열 중 페이스트 패턴의 내측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 적하량과 페이스트 패턴의 외측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 적하량은 서로 다른 것이 바람직하다.
여기에서, 페이스트 패턴의 내측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 직경은 형성될 페이스트 패턴의 선폭의 1/2 이하로 되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 페이스트 도포방법은, 기판과 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 노즐로부터 페이스트가 연속적으로 토출되는 선형도포방식으로, 노즐로부터 페이스트를 토출하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판은, 기판과 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 기판 상에 소정의 간격으로 액적형상의 페이스트 액적을 적하하는 점형도포방식으로, 노즐로부터 페이스트 액적을 적하하는 단계를 포함하는 페이스트 도포방법에 의하여 형성된 페이스트 패턴을 가질 수 있다.
여기에서, 페이스트 패턴의 내측라인 및/또는 외측라인은 소정의 피치를 가 지는 웨이브형상으로 형성될 수 있는데, 페이스트 패턴의 내측라인 또는 외측라인의 웨이브형상의 피치는 페이스트 패턴의 선의 길이방향을 따라 서로 다를 수 있으며, 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피치와 페이스트 패턴의 외측라인의 웨이브형상의 피치는 서로 다를 수 있다.
또한, 페이스트 패턴의 직선부에서 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피크점을 연결한 선은 직선인 것이 바람직하며, 페이스트 패턴의 곡선부에서 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피크점을 연결한 선은 소정의 곡률반경을 가지는 곡선인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 페이스트 도포방법은, 페이스트를 점형도포방식으로 기판 상에 도포함으로써, 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴의 내부면적을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 페이스트 도포방법 및 그 방법을 이용하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.
먼저, 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 설명에 사용될 용어에 대하여 정의한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(S) 상에 형성되는 페이스트 패턴(P)은 폐쇄된 대략 사각형 형상(물론, 다른 형상이 될 수 있다)을 가지는데, 이러한 페이스트 패턴(P)의 형상을 이루는 선을 페이스트 패턴(P)의 선(L)이라고 정의하고, 이 선(L)의 폭을 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)이라고 정의한다. 그리고, 페이스트 패턴(P)의 선(L)이 연장되는 방향을 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향이라고 정의하며, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)을 결정하는 방향을 페이스트 패턴(P)의 선폭방향이라고 정의한다. 또한, 페이스트 패턴(P)은 소정의 선폭(W)을 유지하도록 형성되는데, 페이스트 패턴(P)의 내측형상을 결정하는 선을 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이라고 정의하고 페이스트 패턴(P)의 외측형상을 결정하는 선을 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)이라고 정의한다. 이에 따라, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)은 내측라인(L1)과 외측라인(L2)의 간격에 의하여 결정된다. 그리고, 내측라인(L1)에 의하여 결정되는 면적을 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)이라고 정의한다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 중심을 지나고 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향과 평행한 선을 페이스트 패턴(P)의 중심선(CL)이라고 정의한다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 전체적인 형상에서, 페이스트 패턴(P)의 선(L)이 직선형태로 형성되는 구간을 직선부(SL)라고 정의하고, 페이스트 패턴(P)의 선(L)이 소정의 곡률을 가지는 곡선형태로 형성되는 구간을 곡선부(RL)라고 정의한다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선(L)을 수직으로 절단하였을 때, 페이스트가 차지하는 면적을 페이스트 패턴(P)의 단면적(A1)이라고 정의한다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성하기 위하여, 페이스트의 도포는 도포시작점(SP)에서 시작하여 소정의 형상으로 진행되다가 도포종료점(EP)에서 종료하게 되는데, 여기에서 도포시작점(SP)과 도포종료점(EP)이 만나는 부위 를 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)라고 정의한다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 페이스트 디스펜서에 대하여 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 페이스트 디스펜서는, 베이스프레임(10)과, 베이스프레임(10)에 고정되어 기판(S)이 안착되는 스테이지(30)와, 스테이지(30)의 양측에 Y축방향으로 설치되는 한 쌍의 LM가이드(40)와, 한 쌍의 LM가이드(40)에 각각 지지되도록 설치되며 X축방향으로 연장되는 헤드지지대(50)와, 헤드지지대(50)에 설치되는 복수의 헤드유닛(60)과, 헤드유닛(60)을 헤드지지대(50)에 설치함과 아울러 헤드유닛(60)을 X축방향으로 수평 이동시키는 X축구동부(70)와, 헤드유닛(60) 및 X축구동부(70)의 동작을 제어하는 제어부(미도시)를 포함하여 구성될 수 있다.
베이스프레임(10)에는 스테이지(30)를 베이스프레임(10)의 전후방향(Y축방향)으로 이동시키는 제1구동장치(미도시)가 구비될 수 있으며, 헤드지지대(50)에는 헤드지지대(50)를 LM가이드(40)를 따라 이동시키는 제2구동장치(59)가 구비될 수 있다. 헤드지지대(50)는 기판(S)이 대면적으로 이루어지는 경우에 페이스트 패턴(P)을 형성하는 공정의 효율을 향상시킬 수 있도록 복수로 설치될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 헤드유닛(60)은, 페이스트가 충진되는 시린지(61)와, 시린지(61)와 연통되며 페이스트가 토출되는 노즐(62)과, 노즐(62)에 인접되게 배치되어 노즐(62)과 기판(S) 사이의 갭데이터를 측정하는 레이저변위센서(63)와, 노즐(62) 및 레이저변위센서(63)를 Y축방향으로 이동시키는 Y축구동부(64)와, 노 즐(62) 및 레이저변위센서(63)를 Z축방향으로 이동시키는 Z축구동부(65)를 포함하여 구성될 수 있다.
레이저변위센서(63)는 레이저를 발광하는 발광부(631)와, 발광부(631)와 소정의 간격으로 이격되며 기판(S)에서 반사된 레이저가 수광되는 수광부(632)로 구성되며, 발광부(631)에서 발광되어 기판(S)에 반사된 레이저의 결상위치에 따른 전기신호를 제어부로 출력하여 기판(S)과 노즐(62) 사이의 갭데이터를 계측하는 역할을 수행한다.
또한, 헤드유닛(60)에는 기판에 도포된 페이스트 패턴(P)의 단면적(A1)을 측정하는 단면적센서(66)가 설치될 수 있다. 이와 같은 단면적센서(66)는 기판(S)으로 레이저를 연속적으로 방출하여 페이스트 패턴(P)을 스캔하는 것을 통하여 페이스트 패턴(P)의 단면적(A1)을 측정한다. 단면적센서(66)로부터 측정된 페이스트 패턴(P)의 단면적(A1)에 대한 데이터는 페이스트 패턴(P)의 불량여부를 판단하는 데에 이용된다.
이하, 도 8 내지 도 13을 참조하여, 상기와 같이 구성되는 페이스트 디스펜서를 이용하여, 기판 상에 페이스트 패턴을 형성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법에 대하여 설명한다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 스테이지(30) 상에 기판(S)을 탑재하고, 기판(S)과 소정의 간격이 유지되도록 노즐(62)을 위치시킨 후, 기판(S)과 노즐(62)의 상대위치를 변화시키면서, 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향을 따라 소정의 간격으로 기판(S) 상에 액적 형상의 페이스트 액적(PD)을 적하하는 점형도포방식으로, 노즐(62)로부터 페이스트 액적(PD)을 적하하여 페이스트 패턴(P)을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
페이스트 액적(PD)의 적하를 위하여, 노즐(62)로부터 토출되는 페이스트의 압력을 조절하는 수단이 구비되는 구성이 적용될 수 있으며, 노즐(62)에 압전소자와 같은 개폐수단이 구비되는 구성이 적용될 수 있다.
이와 같이, 점형도포방식에 의하여 노즐(62)로부터 적하된 페이스트 액적(PD)은 그 자체의 점성 및 표면장력에 의하여 기판(S) 상에 이미 적하된 다른 페이스트 액적(PD)과 합해질 수 있으며, 이에 따라, 기판(S) 상에는 연속된 형상의 페이스트 패턴(P)이 형성될 수 있다.
한편, 페이스트 액적(PD)의 적하간격(G)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 복수의 페이스트 액적(PD)의 외주가 서로 접하는 정도의 적하간격(G)이 될 수 있으며, 도 11에 도시된 바와 같이, 복수의 페이스트 액적(PD)이 서로 중첩되는 적하간격(G)이 될 수 있으며, 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 페이스트 액적(PD)이 서로 소정의 폭(I)으로 이격되는 적하간격(G)이 될 수 있다. 본 발명은 상술한 설명 및 도 10 내지 도 12을 통하여 제시된 페이스트 액적(PD)의 적하간격(G)에 한정되지 아니하며, 기판(S)과 노즐(62) 사이의 거리, 페이스트 액적(PD)이 기판(S) 상에 충돌되는 힘의 크기, 페이스트 액적(PD)의 점성 또는 표면장력, 기판(S)이 합착되는 경우 그 합착력 또는 합착되는 기판(S)들 사이의 간격 등의 설계요건에 맞도록 다양하게 설정될 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법 에 의하여 기판(S) 상에 형성된 페이스트 패턴(P)에서, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)은 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향을 따라 소정의 피치(PT)를 가지는 웨이브형상으로 형성될 수 있다. 이때, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상의 피치(PT)는 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향을 따라 일정할 수 있다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상은 페이스트 패턴(P)의 중심선(CL)을 기준으로 대칭이 될 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 노즐(62)로부터 액적형상의 페이스트 액적(PD)을 기판(S) 상에 적하하는 점형도포방식으로 이루어지므로, 종래의 선형도포방식과 달리 필요거리(D1)(D2)를 요구하지 아니하고, 종래와 같이 선형도포방식만을 적용한 경우에 발생할 수 있는 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 불량을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 확보할 수 있는 효과가 있다.
이하, 도 14 내지 도 19를 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법에 대하여 설명한다. 전술한 제1실시예에서 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 이에 대한 상술한 설명은 생략한다.
도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 페이스트 패턴(P)의 구간별로 서로 다른 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방식으로 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다.
즉, 도 14에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 일부 구간에서 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 보다 정밀한 조절을 위하여, 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향을 따라 적하량이 조절되면서 페이스트 액적(PD), (PD1), (PD2)이 적하될 수 있다. 예를 들어, 도포시작점(SP)과 도포종료점(EP)이 만나는 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에 적하된 페이스트 액적(PD2)의 적하량이 연결부(CP)를 제외한 나머지 구간에 적하된 페이스트 액적(PD1)의 적하량에 비하여 적게 되도록 할 수 있다. 이와 같은 경우, 적은 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD2) 사이의 적하간격(G2)은 큰 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD1) 사이의 적하간격에 비하여 좁을 수 있다. 이와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향을 따라 적하량을 조절하면서 페이스트 액적(PD)을 적하하는 것을 통하여, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)을 더욱 정밀하게 조절할 수 있다. 다만, 본 발명은 상술한 바와 같은 구성에 한정되지 아니하며, 설계 조건에 따라 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에 적하된 페이스트 액적(PD)의 적하량이 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)를 제외한 나머지 구간에 적하된 페이스트 액적(PD)의 적하량에 비하여 크게 되도록 할 수 있다. 또한, 적은 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD2) 사이의 적하간격(G2)이 큰 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD1) 사이의 적하간격(G1)에 비하여 넓게 되도록 할 수 있다.
다른 예로서, 도 15에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)의 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)과 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)의 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)을 보다 정밀하게 조절하기 위하여, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)와 직선부(SL)에는 서로 다른 적하량을 가지는 페이스트 액적(PD)이 적하될 수 있다. 예를 들면, 곡선부(RL)에 적하된 페이스트 액적(PD2)의 적하량이 직선부(SL)에서 적하된 페이스트 액적(PD1)의 적하량에 비하여 적게 되도록 할 수 있다. 이 경우, 곡선부(RL)에 적하된 페이스트 액적(PD2) 사이의 적하간격(G2)은 직선부(SL)에 적하된 페이스트 액적(PD1) 사이의 적하간격(G1)에 비하여 좁게 될 수 있다. 다만, 본 발명은 상술한 바와 같은 구성에 한정되지 아니하며, 설계 조건에 따라 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에 적하된 페이스트 액적(PD2)의 적하량이 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)에 적하된 페이스트 액적(PD1)의 적하량에 비하여 크게 되도록 할 수 있다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에 적하된 페이스트 액적(PD2) 사이의 적하간격(G2)이 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)에 적하된 페이스트 액적(PD1) 사이의 적하간격(G1)에 비하여 넓게 되도록 할 수 있다.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여 기판(S) 상에 형성된 페이스트 패턴(P)에서, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)은 페이스트 패턴(P)의 구간별로 다르게 될 수 있다. 예를 들면, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP), 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL) 또는 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)에 따라 페이스트 패턴(P)의 선폭(W), (W1), (W2)이 다르게 될 수 있다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상의 피치(PT)도 페이스트 패턴(P)의 구간별로 다르게 될 수 있다. 예를 들면, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP), 곡선부(RL) 또는 직선부(SL)에 따라 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상의 피치(PT), (PT1), (PT2)가 다르게 될 수 있다. 도 16에서는 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에서의 선폭(W2) 및 피치(PT2)가 연결부(CP)를 제외한 나머지 구간에서의 선폭(W1) 및 피치(PT1) 비하여 작게 된 상태를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에서 연결부(CP)를 제외한 나머지 구간에서의 선폭(W) 및/또는 피치(PT)에 비하여 넓은 선폭(W) 및/또는 피치(PT)를 가지는 페이스트 패턴(P)이 형성될 수 있다. 마찬가지로, 도 17에서는 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에서의 선폭(W2) 및 피치(PT2)가 직선부(SL)에서의 선폭(W1) 및 피치(PT1) 비하여 작게 된 상태를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에서 직선부(SL)에서의 선폭(W) 및/또는 피치(PT)에 비하여 넓은 선폭(W) 및/또는 피치(PT)를 가지는 페이스트 패턴(P)이 형성될 수 있다.
한편, 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)에서, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 가지는 웨이브형상의 피크점(PP)을 이은 선(L3)은 직선이 되고, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에서 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 가지는 웨이브형상의 피크점(PP)을 이은 선(L4)은 소정의 곡률반경을 가지는 곡선이 되는 것이 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 확보하는 데에 있어 바람직하다.
이와 같이, 페이스트 패턴(P)의 구간별로 그 선폭(W) 및/또는 피치(PT)를 다르게 조절할 수 있는데, 이러한 페이스트 패턴(P)의 선폭(W) 및/또는 피치(PT)의 조절을 위한 페이스트 액적(PD)의 적하량의 조절은, 도 18에 도시된 바와 같이, 노즐(62)로부터 적하되는 페이스트 액적(PD)의 크기를 변화시키는 방법이 적용될 수 있으며, 도 19에 도시된 바와 같이, 동일위치에서 동일한 크기를 가지는 페이스트 액적(PD)이 적하되는 적하횟수를 조절하는 방법이 적용될 수 있다. 동일위치에서 동일한 크기의 페이스트 액적(PD)의 적하횟수를 조절하는 방법은 페이스트 액적(PD)의 크기 조절을 요구하지 않고 노즐(62)의 위치조절만을 요구하므로 페이스트 패턴(P)의 선폭(W) 및/또는 피치(PT)의 조절을 보다 간단하게 수행할 수 있는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 페이스트 패턴(P)의 구간, 예를 들어, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP), 곡선부(RL) 또는 직선부(SL)에 따라, 페이스트 패턴(P)의 선폭(W) 및/또는 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 웨이브형상의 피치(PT)를 다르게 조절함으로써, 정해진 액정의 양에 대응되는 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 더욱 정밀하게 조절할 수 있다.
이하, 도 20 내지 도 28을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법에 대하여 설명한다. 전술한 제1실시예 및 제2실시예에서 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 20 내지 도 22에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방식으로 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다.
도 20 내지 도 22에는, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 두 개의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 예가 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 제시된 바에 한 정되지 아니하며, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 두 개 이상의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법이 적용될 수 있다.
한편, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하기 위하여, 노즐(62) 또는 기판(S)이 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 이동되도록 구성될 수 있다.
페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향 및 선폭방향으로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 데에 있어서, 도 20에 도시된 바와 같이, 복수의 열에 각각 적하되며 서로 인접하는 페이스트 액적(PD)들의 적하중심(DP)들을 이은 선이 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향 및 선폭방향과 평행하게 되는 방식으로 페이스트 액적(PD)이 적하될 수 있으며, 도 21에 도시된 바와 같이, 복수의 열에 적하되며 서로 인접하는 페이스트 액적(PD)들의 적하중심(DP)들을 이은 선이 페이스트 패턴(P)의 선폭방향과 소정의 각도를 이루는 방식으로 페이스트 액적(PD)이 적하될 수 있다. 도 20에 도시된 페이스트 액적(PD)의 적하방식에 의하여 형성된 페이스트 패턴(P)은, 도 23에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 및 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상이 페이스트 패턴(P)의 중심선(CL)을 기준으로 대칭이 되나, 도 21에 도시된 페이스트 액적(PD)의 적하방식에 의하여 형성된 페이스트 패턴(P)은, 도 24에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 및 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상이 페이스트 패턴(P)의 중심선(CL)을 기준으로 비대칭이 된다. 이와 같은 적하방식은 설계조건에 따라 적절하게 선택될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하면, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)이 적하되므로, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 하나의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방식에 비하여 적하된 페이스트 액적(PD)의 적하량을 줄여 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 가지는 각 웨이브형상의 피치(PT)를 더욱 미세하게 조절할 수 있고, 이에 따라, 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 더욱 정밀하게 조절할 수 있다.
한편, 도 22에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 경우, 각각의 열에 서로 다른 적하량으로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방식이 적용될 수 있다. 여기에서, 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)은 정해진 액정의 양으로 액정층을 형성하는 데에 있어 중요한 인자가 되는데, 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)은 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)에 의하여 정해지므로, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 가지는 웨이브형상의 피치(PT4)를 작게 하는 것이 바람직하다. 따라서, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 경우, 복수의 열 중 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열에 적하된 페이스트 액적(PD3)의 적하량에 비하여 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열에 적하된 페이스트 액적(PD4)의 적하량을 적게 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 경우, 도 25에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 가지는 웨이브형상의 피치(PT4)를 외측라인(L2)이 가지는 웨이브형상의 피치(PT3)에 비하여 좁게 형성할 수 있다. 또한, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 하나의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 경우에 비하여, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 가지는 웨이브형상의 피치(PT4)를 더욱 좁힐 수 있다. 한편, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 따라 적하된 페이스트 액적(PD4)의 직경은, 형성될 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 1/2 이하가 되는 것이 바람직하며, 1/4 이하가 되는 것이 더욱 바람직하다.
다만, 본 발명은 상기한 바와 같은 방법에 한정되지 아니하며, 설계 조건에 따라, 복수의 열 중 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열에 적하된 페이스트 액적(PD3)의 적하량을 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열에 적하된 페이스트 액적(PD4)의 적하량에 비하여 적게 하는 방법이 적용될 수 있다. 한편, 적하된 페이스트 액적(PD)의 적하량을 조절하는 방법으로는, 전술한 바와 같이, 노즐(62)로부터 적하되는 페이스트 액적(PD)의 크기를 조절하는 방법(도 18 참조)이 적용될 수 있으며, 동일위치에서 동일한 크기를 가지는 페이스트 액적(PD)이 적하되는 적하횟수를 조절하는 방법(도 19 참조)이 적용될 수 있다.
페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법으로는, 도 26에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향으로의 페이스트 액적(PD)의 적하와 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로의 페이스트 액적(PD)의 적하를 교번적으로, 즉, 지그재그 형상으로 수행하는 방법(91)이 적용될 수 있으며, 도 27 및 도 28에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향으로 페이스트 액적(PD)을 적하하고, 적하된 페이스트 액적(PD)으로부터 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 소정의 간격을 유지하면서 다시 페이스트 패턴(P)의 선(L)의 길이방향으로 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법(92), (93) 등 다양한 방법이 적용될 수 있다.
도 27 및 도 28에서 제시된 페이스트 액적(PD)의 도포방법 중에서, 먼저, 도 27에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)을 적하한 후 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법이 적용될 수 있다. 다만, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)은 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 결정하는 데에 중요한 인자이므로, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)을 먼저 적하하여 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 하나의 기준으로 결정한 후 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)을 형성하는 것이 바람직하다. 특히, 도 22에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열을 따라 적하되는 페이스트 액적(PD4)의 적하량이 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열을 따라 적하되는 페이스트 액적(PD3)의 적하량에 비하여 적은 경우에는, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열을 따라 적하되는 페이스트 액적(PD)은 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 우선적으로 결정할 뿐만 아니라 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)이 적하되는 것을 안내하는 역할을 하게 되므로, 우선적으로 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열을 따라 페이스트 액적(PD)을 적하하는 것이 바람직하다.
이하, 도 29 내지 도 32를 참조하여 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법에 대하여 설명한다. 전술한 제1실시예 내지 제3실시예에서 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 29 및 도 30에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법은, 점형도포방식으로 기판(S) 상에 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법뿐만 아니라 기판(S)과 노즐(62)의 상대위치를 변화시키면서, 노즐(62)로부터 페이스트가 연속적으로 토출되는 선형도포방식(PL)으로 기판(S) 상에 페이스트를 도포하는 방법이 함께 병행되어 적용될 수 있다.
예를 들어, 도 29에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)를 제외한 나머지 부분에서는 선형도포방식(PL)을 적용하여 페이스트를 도포하되, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에서는 점형도포방식을 적용하여 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법으로 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다. 이와 같은 경우, 도 31에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에서 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 소정의 피치(PT)를 가지는 웨이브형상으로 형성된다. 따라서, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)와 같이 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 불량이 자주 발생되는 구간에서는 점형도포방식을 적용함으로써 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 불량의 발생을 줄일 수 있으며, 나머지 부분에 대해서는 선형도포방식(PL)으로 페이스트를 도포함으로써 페이스트 패턴(P)의 형성에 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 한편, 본 발명은 상기한 바와 같은 구성에 한정되지 아니하며, 페이스트 패턴(P)의 연결부(CP)에서는 선형도포방식을, 연결부(CP)를 제외한 나머지 구간에서는 점형도포방식을 이용하여 전체적인 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다.
다른 예로서, 도 30에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 직선부(SL)에서는 선형도포방식(PL)을 적용하여 페이스트를 도포하되, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에서는 점형도포방식을 적용하여 페이스트 액적(PD)을 적하하는 방법으로 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다. 이와 같은 경우, 도 32에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 곡선부(RL)에서 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1) 또는 외측라인(L2)이 소정의 피치(PT)를 가지는 웨이브형상으로 형성된다. 한편, 본 발명은 상기한 바와 같은 구성에 한정되지 아니하며, 직선부(SL)에서는 점형도포방식을, 곡선부(RL)에서는 선형도포방식을 이용하여 전체적인 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다. 이와 같이, 점형도포방식에 선형도포방식을 병행함으로써, 페이스트 패턴(P)의 형성에 소요되는 시간을 줄일 수 있고, 선형도포방식에 의한 페이스트 패턴(P) 형성 시 페이스트 패턴(P)의 선폭(W)의 불량이 자주 발생하는 구간에서의 불량발생률을 저감시킬 수 있다.
또 다른 예로서, 도 33 및 도 34에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트가 도포되는 경우, 복수의 열 중 하나의 열은 점형도포방식으로 페이스트 액적(PD)을 적하하되, 복수의 열 중 다른 열은 선형도포방식으로 페이스트를 도포하는 방법으로 기판(S) 상에 페이스트 패턴(P)을 형성할 수 있다.
도 33에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)의 정확도를 향상시킬 수 있도록, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열은 점형도포방 식이 적용될 수 있으며, 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열은 선형도포방식이 적용될 수 있다. 이와 같은 경우, 도 34에 도시된 바와 같이, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)은 소정의 피치(PT)를 가지는 웨이브형상으로 형성될 수 있으며, 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)은 직선형상으로 형성될 수 있다. 다만, 본 발명은 상기한 바에 한정되지 아니하며, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)을 형성하는 열은 선형도포방식이 적용될 수 있으며, 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)을 형성하는 열은 점형도포방식이 적용될 수 있는데, 이 경우에는 페이스트 패턴(P)의 외측라인(L2)이 소정의 피치(PT)를 가지는 웨이브형상으로 형성될 수 있으며, 페이스트 패턴(P)의 내측라인(L1)이 직선형상으로 형성될 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따른 페이스트 도포방법은 노즐(62)로부터 액적형상의 페이스트 액적(PD)을 기판(20) 상에 적하하는 점형도포방식으로 이루어지므로, 종래와 같이 선형도포방식만을 적용하여 페이스트 패턴(P)을 형성하는 경우에 발생하였던 페이스트 패턴(P)의 선폭(W) 불량이나 단선 등의 결함을 방지할 수 있으며, 이에 따라 정해진 액정의 양에 대응될 수 있는 페이스트 패턴(P)의 내부면적(A)을 확보할 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 각 실시예에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허 청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 페이스트의 도포가 시작되는 상태가 순차적으로 도시된 상태도이다.
도 2는 종래의 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 페이스트의 도포가 종료되는 상태가 순차적으로 도시된 상태도이다.
도 3은 기판 상에 형성된 페이스트 패턴이 도시된 평면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선 단면도이다.
도 5는 기판 상에 페이스트 패턴을 형성하기 위하여 페이스트의 도포가 진행되는 방향의 하나의 예가 도시된 개략도이다.
도 6은 본 발명에 따른 페이스트 디스펜서가 도시된 사시도이다.
도 7은 도 6의 페이스트 디스펜서의 헤드유닛이 도시된 사시도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여, 페이스트 디스펜서의 노즐로부터 점형도포방식으로 페이스트 액적이 기판 상으로 적하되는 상태가 도시된 개략도이다.
도 10 내지 도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법에서, 페이스트 패턴의 선의 길이방향으로 적하간격이 조절되어 페이스트 액적이 적하되는 예가 도시된 개략도이다.
도 13은 본 발명의 제1실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 형성된 페이스트 패턴의 일부가 도시된 확대도이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법에서, 페이 스트 패턴의 선의 길이방향을 따라 적하량이 조절되면서 페이스트 액적이 적하되는 예가 도시된 개략도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 형성된 페이스트 패턴의 일부가 도시된 확대도이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 제2실시예에 따른 페이스트 도포방법에서, 페이스트 패턴의 선폭을 조절하기 위하여, 페이스트 액적의 크기를 조절하는 방법과 동일한 크기의 페이스트 액적의 적하횟수를 조절하는 방법이 각각 도시된 개략도이다.
도 20 내지 도 22는 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법으로, 페이스트 패턴의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적이 적하되는 예가 도시된 개략도이다.
도 23 내지 도 25는 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 형성된 페이스트 패턴의 일부가 도시된 확대도이다.
도 26 내지 도 28은 본 발명의 제3실시예에 따른 페이스트 도포방법에서, 페이스트 패턴의 선의 길이방향 및 선폭방향으로 페이스트 액적을 적하하는 방법의 예들이 도시된 개략도이다.
도 29 및 도 30은 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법으로, 점형도포방식과 선형도포방식을 병행하여 페이스트 패턴을 형성하는 예가 도시된 개략도이다.
도 31 및 도 32는 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법에 의하여 기판 상에 형성된 페이스트 패턴의 일부가 도시된 확대도이다.
도 33은 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법의 다른 예가 도시된 개략도이다.
도 34는 본 발명의 제4실시예에 따른 페이스트 도포방법의 다른 예에 의하여 기판 상에 형성된 페이스트 패턴의 일부가 도시된 확대도이다.
*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ***
S: 기판 P: 페이스트 패턴
PD: 페이스트 액적

Claims (14)

  1. (a) 스테이지에 기판을 탑재하는 단계;
    (b) 상기 기판과 소정 간격이 유지되도록 노즐을 위치시키는 단계; 및
    (c) 상기 기판과 상기 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 상기 기판 상에 소정의 간격으로 액적형상의 페이스트 액적을 적하하는 점형도포방식으로, 상기 노즐로부터 페이스트 액적을 적하하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 페이스트 도포방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 적하되는 페이스트 액적의 크기를 변화시키면서 페이스트 액적을 적하하는 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 동일 크기의 페이스트 액적의 적하횟수를 변화시키면서 페이스트 액적을 적하하는 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 페이스트 패턴의 선의 길이방향을 따라 적하량을 조절하면서 페이스트 액적을 적하하는 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 페이스트 패턴의 선폭방향으로 하나 이상의 열로 페이스트 액적을 적하하는 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 페이스트 패턴의 선폭방향으로 복수의 열로 페이스트 액적을 적하하고,
    상기 복수의 열 중 페이스트 패턴의 내측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 적하량과 페이스트 패턴의 외측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 적하량은 서로 다른 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 내측라인을 형성하는 열을 따라 적하된 페이스트 액적의 직경은 형성될 페이스트 패턴의 선폭의 1/2 이하인 것을 특징으로 하는 페이스트 도포방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    (d) 상기 기판과 상기 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 상기 노즐로부터 페이스트가 연속적으로 토출되는 선형도포방식으로, 상기 노즐로부터 페이스트를 토 출하여 페이스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 페이스트 도포방법.
  9. 기판과 노즐의 상대위치를 변화시키면서, 상기 기판 상에 소정의 간격으로 액적형상의 페이스트 액적을 적하하는 점형도포방식으로, 상기 노즐로부터 페이스트 액적을 적하하는 단계를 포함하는 페이스트 도포방법에 의하여 형성된 페이스트 패턴을 가지는 기판.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 내측라인 및/또는 외측라인은 소정의 피치를 가지는 웨이브형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 내측라인 또는 외측라인의 웨이브형상의 피치는 상기 페이스트 패턴의 선의 길이방향을 따라 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피치와 상기 페이스트 패턴의 외측라인의 웨이브형상의 피치는 서로 다른 것을 특징으로 하는 기판.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 직선부에서 상기 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피크점을 연결한 선은 직선인 것을 특징으로 하는 기판.
  14. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 페이스트 패턴의 곡선부에서 상기 페이스트 패턴의 내측라인의 웨이브형상의 피크점을 연결한 선은 소정의 곡률반경을 가지는 곡선인 것을 특징으로 하는 기판.
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