KR20100117035A - Method for manufacturing printed circuit board - Google Patents

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KR20100117035A
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a printed wiring plate is provided to secure the high heat-resistance property of a solder resist layer by differentiating an opening part forming process with respect to a solder resist layer according to the size of a diameter. CONSTITUTION: Solder resist layers are formed on both sides of a circuit board. An opening part with a large diameter is formed on one side of the solder resist layers using a photo-lithography method. An opening part with a small diameter is formed on the other side of the solder resist layer using laser. One side of the solder resist layer is made of a photo curable resin composition. The other side of the solder resist layer is made of a heat curable resin composition.

Description

프린트 배선판의 제조 방법{Method for manufacturing printed circuit board}Method for manufacturing printed circuit board

본 발명은 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성 기술의 개량에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of a printed wiring board. Specifically, It is related with the improvement of the technology of forming opening part in a soldering resist layer.

포토리소그래피에 의한 솔더 레지스트의 패턴 형성 방법으로는 최근의 회로 기판에 있어서의 박형화나 미세 배선화에 충분히 대응할 수 없거나, 또한, 납 프리화에 따른 땜납 리플로 온도의 상승 등에 충분히 대응할 수 없다는 문제가 생긴다. 이것은 포토 솔더 레지스트에는 감광성과 현상성이 필요하기 때문에, 사용할 수 있는 원료가 한정되어 버려, 내열성 및 기계 특성을 충분히 만족할 수 있는 경화물을 얻을 수 없는 것이 원인이다. 특히 반도체 칩과 접속하기 위한 개구부인 비어(Via)의 경우, 개구 직경이 100μm 이하와 같은 미세한 가공이 필요하게 되기 때문에 솔더 레지스트에는 높은 감광성과 현상성이 요구되고, 이러한 요구를 충족시키는 솔더 레지스트는 개구부를 형성한 후에 열 충격을 가하면 균열이 생긴다는 문제가 지적되어 있다. 이러한 문제에 대응하기 위해서, 예를 들어, 특허문헌 1 내지 4에서는 솔더 레지스트의 재료로서 열 경화성 수지 조성물을 사용하여, 개구부의 형성 방법으로서 레이저를 사용하여, 솔더 레지스트층이 납땜 랜드에 대응하는 부분에 비어홀을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 즉, 이러한 방법을 사용한 경우, 솔더 레지스트에는 감광성과 현상성이 요구되지 않기 때문에, 높은 내열성이나 기계 특성을 가지는 재료를 선택할 수 있게 된다. The method of pattern formation of the solder resist by photolithography causes a problem that it cannot sufficiently cope with thinning and fine wiring in a recent circuit board, or can not sufficiently cope with an increase in solder reflow temperature due to lead freeization. . This is because photo-resist resists require photosensitivity and developability, and thus the raw materials that can be used are limited, and hardened materials that can sufficiently satisfy heat resistance and mechanical properties cannot be obtained. Particularly, in the case of Via, which is an opening for connecting with a semiconductor chip, fine processing such as an opening diameter of 100 μm or less is required, the solder resist requires high photosensitivity and developability. It has been pointed out that a crack is generated when heat shock is applied after the opening is formed. In order to cope with such a problem, for example, Patent Literatures 1 to 4 use a thermosetting resin composition as a material of a solder resist, and use a laser as a method of forming an opening, where the solder resist layer corresponds to a solder land. Disclosed is a method for forming a via hole in a. That is, when such a method is used, since a photoresist and developability are not required for a soldering resist, the material which has high heat resistance and a mechanical characteristic can be selected.

그러나 반도체 패키지 기판 등에 있어서는 반도체 칩이 탑재되는 측의 면에 설치하는 솔더 레지스트층에는 개구부의 개구 직경이 비교적 작아, 레이저에 의한 천공을 적합하게 행할 수 있지만, 마더보드 등에 탑재하는 측의 면에 설치하는 솔더 레지스트층에서는 마더보드 등에 접속하기 위한 개구부의 개구 직경이 200μm로부터 수mm에 달하기 때문에, 레이저로 형성하기에는 매우 많은 레이저 숏이 필요하게 되는 등 작업 효율이 대폭 저하된다는 결점이 있다. However, in a semiconductor package substrate or the like, the opening diameter of the opening is relatively small in the solder resist layer provided on the side of the side where the semiconductor chip is mounted, so that the punching by the laser can be performed suitably. In the solder resist layer described above, since the opening diameter of the opening for connecting to the motherboard or the like reaches from 200 µm to several mm, there is a drawback that the work efficiency is greatly reduced, for example, a very large number of laser shots are required to form the laser.

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2000-244125호 [Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-244125

[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 2004-240233호 [Patent Document 2] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-240233

[특허문헌 3] 일본 공개특허공보 2005-347429호 [Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-347429

[특허문헌 4] 일본 공개특허공보 2006-278530호 [Patent Document 4] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-278530

본 발명이 해결하려고 하는 과제는 프린트 배선판의 솔더 레지스트 형성에 있어서, 반도체 칩 등과의 땜납 접합 등을 목적으로 하는 미소 개구 직경의 개구부가 형성되는 솔더 레지스트층의 고내열화를 도모하는 동시에, 마더보드 등의 회로 또는 전자부품과의 접속을 위한 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성할 필요가 있는 솔더 레지스트층으로의 개구부의 형성을 높은 작업 효율로 행할 수 있는 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것이다. Problems to be Solved by the Invention The problem to be solved by the present invention is to achieve high heat resistance of a solder resist layer in which openings having a small opening diameter are formed for solder bonding with a semiconductor chip or the like, in forming a solder resist of a printed wiring board, It is to provide a method for producing a printed wiring board that can form an opening in a solder resist layer that needs to form an opening having a relatively large opening diameter for connection with a circuit or an electronic component.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 프린트 배선판에 있어서의, 미세한 개구부 형성이 필요하게 되는 한쪽에 형성되는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성에 레이저를 사용하여, 마더보드 등의 회로 또는 전자 부품과의 접속을 위해, 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성할 필요가 있는, 다른 한쪽에 형성되는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성을 포토리소그래피로 행함으로써, 상기 과제가 해결되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, the present inventors used a laser, such as a motherboard, for the formation of the opening part to the soldering resist layer formed in the one side which requires fine opening part formation in a printed wiring board, or It has been found that the above-mentioned problem is solved by performing photolithography to form an opening in the solder resist layer formed on the other side, which needs to form an opening having a relatively large opening diameter for connection with an electronic component. The invention was completed.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함하는 것이다. That is, this invention includes the following content.

[1] 회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법. [1] A solder resist layer is formed on both sides of a circuit board, photolithography is used to form openings in the solder resist layer formed on one side, and laser forming is performed in the solder resist layer formed on the other side. The manufacturing method of the printed wiring board characterized by the above-mentioned.

[2] 상기 [1]에 있어서, 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 광 경화성 수지 조성물로 이루어지고, 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 방법. [2] The method according to the above [1], wherein the solder resist layer for forming the openings by photolithography is made of a photocurable resin composition, and the solder resist layer for forming openings is formed of a thermosetting resin composition.

[3] 상기 [2]에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 함께 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 사용하여 형성하는 방법. [3] The method of [2], wherein the solder resist layer formed on one side and the other side of the circuit board is formed by using a resin composition film in which a resin composition layer is formed on a support.

[4] 상기 [3]에 있어서, 진공 라미네이터를 사용하는 라미네이트 처리와 이것에 계속되는 열 프레스에 의한 평탄화 처리에 의해, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 일괄적으로 형성하는 방법. [4] The solder resist layer formed on one side and the other side of the circuit board is collectively formed by the lamination process using the vacuum laminator and the planarization process by the heat press following this in [3]. How to.

[5] 상기 [4]에 있어서, 광 경화성 수지 조성물 및 열 경화성 수지 조성물의 양쪽의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한 양자의 최저 용융 점도의 비가 0.01 내지 100인 방법. [5] The method according to the above [4], wherein the minimum melting temperature of both the photocurable resin composition and the thermosetting resin composition is in the range of 80 ° C to 160 ° C, and the ratio of the minimum melt viscosity of both is 0.01 to 100.

[6] 상기 [2] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 포토리소그래피에 의한 개구부 형성 후, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 베이크 공정과 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 열 경화 공정을 동시에 행하고, 그 후, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 레이저로 개구부를 형성하는 방법. [6] The baking step and the thermosetting of any one of the above [2] to [5], after forming the opening by photolithography of the solder resist layer made of the photocurable resin composition, and forming the photoresist composition. The method of simultaneously performing the thermosetting process of the soldering resist layer which consists of a resin composition, and then forming an opening part with a laser in the soldering resist layer which consists of a thermosetting resin composition.

[7] 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 프린트 배선판이, 반도체 패키지 기판인 방법. [7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate.

[8] 상기 [2] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 프린트 배선판이, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 반도체 칩이 탑재되는 반도체 패키지 기판인 방법. [8] The method according to any one of [2] to [6], wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate on which a semiconductor chip is mounted on a solder resist layer made of a thermosetting resin composition.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법에 따르면, 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는, 마더보드 등의 회로 또는 저항기, 콘덴서, 코일 등의 전자부품과의 접속을 목적으로 한, 개구 직경이 비교적 큰 개구부(예를 들어 200μm 이상)를 형성해야 할 솔더 레지스트층에는 포토리소그래피에 의해 개구부를 효율적으로 형성할 수 있고, 또한, 회로 기판의 다른쪽 면에 형성한, 반도체 칩과의 땜납 접합 등을 목적으로 한, 개구 직경이 비교적 작은 개구부(예를 들어 100μm 이하)를 형성하는 솔더 레지스트층에는 내열성이 우수한 열 경화성 수지 조성물을 적용할 수 있으므로, 보다 내열성이 우수한 프린트 배선판을 효율적으로 제조하는 것이 가능해진다. According to the manufacturing method of the printed wiring board of the present invention, an opening having a relatively large opening diameter for the purpose of connecting to a circuit such as a motherboard or an electronic component such as a resistor, a capacitor, a coil, etc. For example, an opening can be efficiently formed by photolithography in the solder resist layer to be formed at 200 μm or more, and a solder joint with a semiconductor chip formed on the other side of the circuit board can be used. Since the thermosetting resin composition excellent in heat resistance can be applied to the soldering resist layer which forms the opening part (for example, 100 micrometers or less) with a relatively small opening diameter, it becomes possible to manufacture a printed wiring board excellent in heat resistance more efficiently.

이하, 본 발명을 적합한 실시형태에 기초하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated based on suitable embodiment.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저 조사에 의해 행하는 것이 주된 특징이다. The manufacturing method of the printed wiring board of this invention forms a soldering resist layer on both surfaces of a circuit board, forms the opening part in the soldering resist layer formed in one side by photolithography, and the opening part in the soldering resist layer formed in the other side It is a main feature to perform formation by laser irradiation.

예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 반도체 칩이 탑재되고, 보다 높은 내열성이 요구되는 측(한쪽)의 솔더 레지스트층을 열 경화성 수지 조성물에 의해 형성하고, 레이저로 개구부 형성을 행하고, 마더보드에 탑재하는 다른 한쪽의 솔더 레지스트층의 형성은 광 경화성 수지 조성물을 사용한 포토리소그래피를 채용함으로써, 개구부 형성 시에 비교적 큰 개구 직경의 개구부에서도 높은 가공성을 유지할 수 있게 된다. For example, in a semiconductor package board | substrate, a semiconductor chip is mounted and the soldering resist layer of the side (one side) where higher heat resistance is calculated | required is formed with a thermosetting resin composition, an opening part is formed by a laser, and it mounts on a motherboard Formation of the other solder resist layer by employing photolithography using a photocurable resin composition enables high workability even in an opening having a relatively large opening diameter at the time of forming the opening.

본 발명의 방법으로 제조하는 프린트 배선판은 강성 기판이거나, 가요성 기판이거나, 강성 가요성 기판이라도 좋다. 또한, 구조적으로는, 양면 기판이거나, 다층 기판이라도 좋다. 다층 기판으로서는 관통 다층판, Interstitial Via Hole(IVH) 다층 기판, 빌드업 기판 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 실장 밀도가 높은 빌드업 기판이 바람직하고, 빌드업 기판에 있어서는 특히 반도체 패키지 기판이 바람직하다. The printed wiring board manufactured by the method of this invention may be a rigid board | substrate, a flexible board | substrate, or a rigid flexible board | substrate. In addition, the structure may be a double-sided substrate or a multilayered substrate. Examples of the multilayer substrate include through-layer multilayer boards, interstitial via hole (IVH) multilayer substrates, build-up substrates, and the like. Among them, build-up substrates having a high mounting density are preferable, and in particular, semiconductor package substrates are preferable. .

본 발명에 있어서의 솔더 레지스트층의 형성에는 잉크형 및 드라이 필름형의 어느 솔더 레지스트라도 사용할 수 있지만, 작업 효율이 좋고, 두께 제어가 용이한 점에서, 회로 기판의 양면에 형성하는 솔더 레지스트층의 쌍방에 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 적용하는 것이 바람직하다. 드라이 필름형의 솔더 레지스트는 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 회로 기판에 적층(압착)함으로써 형성된다. 또, 본 발명에 있어서, 솔더 레지스트층이 형성되는 회로 기판은 한면 또는 양면에 도체 회로가 형성되어 있는 기판이며, 상기 프린트 배선판의 전구체가 되는 것이다. Although any solder resist of an ink type and a dry film type can be used for formation of the soldering resist layer in this invention, since the work efficiency is good and thickness control is easy, the soldering resist layer formed on both surfaces of a circuit board is used. It is preferable to apply a dry film type soldering resist to both. A dry film soldering resist is formed by laminating (pressing) a resin composition film on which a resin composition layer is formed on a support. Moreover, in this invention, the circuit board in which a soldering resist layer is formed is a board | substrate with which the conductor circuit is formed in one side or both surfaces, and becomes a precursor of the said printed wiring board.

본 발명에서는 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층에는 노광·현상(포토리소그래피)에 의해 개구부를 형성하기 위해서, 포토 솔더 레지스트를 사용한다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 마더보드에 실장하는 면의 솔더 레지스트층에 포토 솔더 레지스트를 사용하여, 포토리소그래피에 의해 개구 형성을 한다. 포토 솔더 레지스트는 감광성과 현상성을 가지고, 포토리소그래피에 적용할 수 있는 광 경화성 수지 조성물이라면 특히 제한 없이 사용할 수 있다. 바람직한 예로서는 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지, (b)에폭시 수지, (c)광중합 개시제, (d)경화 촉진제 및 (e)희석제를 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다. 포토 솔더 레지스트용의 광 경화성 수지 조성물은 내열성, 신뢰성 등을 높이기 위해서, 상기한 바와 같이 에폭시 수지를 함유하는 등으로, 열 경화성을 아울러 갖는 것이 적합하게 사용되지만, 본 발명에서는 광중합 개시제나 현상 가능한 광경화형의 수지 성분 등을 포함하고, 감광성과 현상성을 가지는 수지 조성물이라면, 이러한 수지 조성물은 열 경화성을 가지는 경우라도 「광 경화성 수지 조성물」이라고 정의한다. In this invention, in order to form an opening part by exposure and image development (photolithography), the photo solder resist is used for the soldering resist layer formed in one surface of a circuit board. For example, in a semiconductor package board | substrate, opening formation is formed by photolithography using a photo solder resist for the soldering resist layer of the surface mounted on a motherboard. The photo solder resist has photosensitivity and developability, and can be used without particular limitation as long as it is a photocurable resin composition applicable to photolithography. As a preferable example, the resin composition containing (a) photocurable alkali-soluble resin, (b) epoxy resin, (c) photoinitiator, (d) hardening accelerator, and (e) diluent is mentioned. In order to improve heat resistance, reliability, etc., the photocurable resin composition for photo solder resist contains epoxy resin as mentioned above, and what has thermosetting property is used suitably, but in this invention, it is a photoinitiator and developable sight. If it contains the resin component etc. of a ignition type, and is a resin composition which has photosensitivity and developability, such a resin composition is defined as "photocurable resin composition", even if it has thermosetting property.

(a)광경화형 알칼리 가용성 수지로서는 예를 들어, 다관능 에폭시 수지에 불포화 카복실산을 반응시키고, 또한 산무수물을 반응시킨 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지나, 상기 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지에 또한 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물을 반응시켜서 얻어지는 (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기 함유 알칼리 가용성 수지 등을 들 수 있다. (a) As a photocurable alkali-soluble resin, For example, the acid pendant type | mold unsaturated epoxy ester resin which made unsaturated carboxylic acid react with the polyfunctional epoxy resin, and made the acid anhydride react, and also said acid pendant type unsaturated epoxy ester resin ( (Meth) acryloyl group and / or allyl group containing alkali-soluble resin etc. which are obtained by making the epoxy compound which has a meta) acryloyl group, and / or the epoxy compound which has an allyl group react.

여기에서 다관능 에폭시 수지로서는 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 가지는 화합물이라면 사용 가능하며, 구체적으로는, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 수첨 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 수첨 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지 등의 비스 페놀형 에폭시 수지, 디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 비나프톨형 에폭시 수지 등의 나프탈렌형 에폭시 수지, 테트라메틸비페놀형 등의 비페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지에 에피클로로하이드린을 반응시켜서 3관능 이상으로 변성한 비스 페놀F형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지에 에피클로로하이드린을 반응시켜서 3관능 이상이 변성한 비스 페놀F형 에폭시 수지가, 현상성, 절연 신뢰성 등이 우수한 솔더 레지스트인 조성물을 실현하는 관점에서 바람직하다. As the polyfunctional epoxy resin, any compound having two or more epoxy groups in the molecule can be used. Specifically, a bisphenol A epoxy resin, a hydrogenated bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, and a hydrogenated bisphenol Non-phenol type epoxy resins, such as bisphenol type epoxy resins, such as an F type epoxy resin and a bisphenol S type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, such as a dihydroxy naphthalene type epoxy resin and a vinapthol type epoxy resin, and a tetramethyl biphenol type Novolak-type epoxy resins, such as resin, phenol novolak-type epoxy resin, cresol novolak-type epoxy resin, bisphenol A novolak-type epoxy resin, naphthol novolak-type epoxy resin, and alkylphenol novolak-type epoxy resin, bisphenol F Bisphenol F type epoxy resin etc. which modified | denatured to trifunctional or more by making epichlorohydrin react with a type | mold epoxy resin are mentioned. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Especially, the bisphenol F-type epoxy resin which modified | denatured trifunctional or more by making epichlorohydrin react with cresol novolak-type epoxy resin and bisphenol F-type epoxy resin is a soldering resist excellent in developability, insulation reliability, etc. It is preferable from the viewpoint of realizing.

또한, 불포화 카복실산으로서는 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 크로톤산 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 아크릴산, 메타크릴산이 조성물의 광 경화성 면에서 바람직하다. Moreover, as unsaturated carboxylic acid, acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, crotonic acid, etc. are mentioned, for example, These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Especially, acrylic acid and methacrylic acid are preferable at the point of photocurability of a composition.

다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응은 다관능 에폭시 수지의 에폭시기의 몰수와 불포화 카복실산의 카복실기의 몰수의 비율(에폭시기의 몰수/카복실기의 몰수)이 거의 1에 가까운 비율인 0.8 내지 1.2의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. The reaction between the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid is in the range of 0.8 to 1.2, wherein the ratio of the number of moles of the epoxy group of the polyfunctional epoxy resin and the number of moles of the carboxyl group of the unsaturated carboxylic acid (moles of the epoxy group / moles of the carboxyl group) is almost one. It is preferable to perform at.

또, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응은 시스템 내의 산가(즉, 불포화 카복실산의 카복실산의 잔존 산가)가 5mgKOH/g 이하, 바람직하게는 2mgKOH/g 이하로 될 때까지 반응시키는 것이, 얻어지는 반응 생성물(불포화 카복실산 변성 에폭시 수지)의 안정성 면에서 바람직하다. In addition, the reaction product between the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid is reacted until the acid value in the system (that is, the residual acid value of the carboxylic acid of the unsaturated carboxylic acid) is 5 mgKOH / g or less, preferably 2 mgKOH / g or less. It is preferable at the point of stability of (unsaturated carboxylic acid modified epoxy resin).

산무수물로서는 무수 말레산, 무수 석신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 트리메리트산, 무수 피로메리트산, 벤조페논테트라카본산 2무수물 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 무수 석신산, 무수 테트라하이드로프탈산이 조성물의 현상성 및 조성물을 경화하여 얻어지는 경화 도막의 절연 신뢰성 면에서 바람직하다. Examples of the acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, and benzophenonetetracarboxylic dianhydride. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Especially, succinic anhydride and tetrahydrophthalic anhydride are preferable at the point of the insulation reliability of the cured coating film obtained by hardening the developability of a composition and a composition.

산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는 촉매 존재 하에, 상기의 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산을 반응시킨 후, 얻어진 반응물인 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지와 산무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. An acid pendant type unsaturated epoxy ester resin can be obtained by making said polyfunctional epoxy resin and unsaturated carboxylic acid react in presence of a catalyst, and then making unsaturated carboxylic acid modified epoxy resin and acid anhydride which are obtained reactants react.

이 때 사용하는 촉매의 양은 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산과 산무수물의 합계 질량에 대하여, 2질량% 이하가 바람직하고, 0.0005 내지 1질량%가 더욱 바람직하고, 0.001 내지 0.5질량%의 범위가 특히 바람직하다. 촉매로서는 예를 들어, N-메틸몰포린, 피리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7(DBU), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5(DBN), 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄(DABCO), 트리-n-부틸아민 또는 디메틸벤질아민, 부틸아민, 옥틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 1,4-디에틸이미다졸, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(N-페닐)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, 테트라메틸암모늄하이드록시드와 같은, 각종 아민 화합물류; 트리메틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀 등의 포스핀류; 테트라메틸포스포늄염, 테트라에틸포스포늄염, 테트라프로필포스포늄염, 테트라부틸포스포늄염, 트리메틸(2-하이드록실프로필)포스포늄염, 트리페닐포스포늄염, 벤질포스포늄염 등의 포스포늄염류이며, 대표적인 대(對)아니온으로서, 카복시레이트, 하이드로옥사이드 등을 가지는 포스포늄염류; 트리메틸설포늄염, 벤질테트라메틸렌설포늄염, 페닐벤질메틸설포늄염 또는 페닐디메틸설포늄염 등의 설포늄 염류이며, 대표적인 대(對)아니온으로서, 클로라이드, 브로마이드, 카복시레이트, 하이드로옥사이드 등을 가지는 설포늄염류; 인산, p-톨루엔 설폰산, 황산과 같은 산성 화합물류 등을 들 수 있다. As for the quantity of the catalyst used at this time, 2 mass% or less is preferable with respect to the total mass of a polyfunctional epoxy resin, unsaturated carboxylic acid, and an acid anhydride, 0.0005-1 mass% is more preferable, The range of 0.001-0.5 mass% especially desirable. As the catalyst, for example, N-methylmorpholine, pyridine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 (DBU), 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nonene-5 ( DBN), 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane (DABCO), tri-n-butylamine or dimethylbenzylamine, butylamine, octylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, imidazole , 1-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, 1,4-diethylimidazole, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (N- Various amines such as phenyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, tetramethylammonium hydroxide Compounds; Phosphines such as trimethyl phosphine, tributyl phosphine and triphenyl phosphine; Phosphoniums such as tetramethylphosphonium salt, tetraethylphosphonium salt, tetrapropylphosphonium salt, tetrabutylphosphonium salt, trimethyl (2-hydroxypropyl) phosphonium salt, triphenylphosphonium salt, benzylphosphonium salt As a salt and a typical large anion, Phosphonium salt which has a carboxylate, a hydroxide, etc .; Sulfonium salts such as trimethylsulfonium salt, benzyl tetramethylenesulfonium salt, phenylbenzylmethylsulfonium salt, or phenyldimethylsulfonium salt, which are representative anti-anions, and sulfonium having chloride, bromide, carboxylate, and hydroxide salts; Acid compounds, such as phosphoric acid, p-toluene sulfonic acid, and sulfuric acid, etc. are mentioned.

이들의 반응은 50 내지 150℃에서 행할 수 있지만, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응 온도는 100 내지 120℃가 바람직하고, 100℃ 미만이면 반응 속도가 늦어, 반응에 장시간을 요하고, 반응 온도가 120℃를 초과하면, 불포화 카복실산의 중합이 일어나고, 반응 과정에서 겔화할 우려가 있다. 또, 이러한 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응 중에서의 불포화 카복실산의 중합을 방지하기 위해서, 중합 금지제를 첨가하는 것이 바람직하고, 중합 금지제로서는 예를 들어, 하이드로퀴논, 메톡시하이드로퀴논, 벤조퀴논, p-tert-부틸카테콜 등의 퀴논계 중합 금지제; 2,6-디-tert-부틸페놀, 2,4-디-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸-4,6-디메틸페놀, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 2,4,6-트리-tert-부틸페놀 등의 알킬페놀계 중합 금지제; 알킬화디페닐아민, N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민, 페노티아진, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-벤조일옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1,4-디하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1-하이드록시-4-벤조일리옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 등의 아민계 중합 금지제; 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실, 4-벤조일옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실 등의 N-옥실계 중합 금지제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. 중합 금지제는 불포화 카복실산에 대하여 0.01 내지 1질량%가 바람직하고, 0.05 내지 0.5질량%가 더욱 바람직하다. Although these reaction can be performed at 50-150 degreeC, as for the reaction temperature of a polyfunctional epoxy resin and unsaturated carboxylic acid, 100-120 degreeC is preferable, when it is less than 100 degreeC, reaction rate is slow, reaction requires a long time, and reaction temperature When exceeds 120 degreeC, superposition | polymerization of unsaturated carboxylic acid arises and there exists a possibility of gelatinizing in a reaction process. Moreover, in order to prevent superposition | polymerization of unsaturated carboxylic acid in reaction of such a polyfunctional epoxy resin and unsaturated carboxylic acid, it is preferable to add a polymerization inhibitor, As a polymerization inhibitor, hydroquinone, methoxy hydroquinone, benzo, for example. Quinone-based polymerization inhibitors such as quinone and p-tert-butylcatechol; 2,6-di-tert-butylphenol, 2,4-di-tert-butylphenol, 2-tert-butyl-4,6-dimethylphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Alkylphenol polymerization inhibitors such as 2,4,6-tri-tert-butylphenol; Alkylated diphenylamine, N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine, phenothiazine, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-benzoyloxy-2,2 , 6,6-tetramethylpiperidine, 1,4-dihydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 1-hydroxy-4-benzoyloxy-2,2,6, Amine polymerization inhibitors such as 6-tetramethylpiperidine; 2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl, 4-benzoyloxy-2,2, N-oxyl polymerization inhibitors, such as 6, 6- tetramethyl piperidine-N-oxyl, etc. are mentioned. These may be used independently and may use 2 or more types together. 0.01-1 mass% is preferable with respect to unsaturated carboxylic acid, and, as for a polymerization inhibitor, 0.05-0.5 mass% is more preferable.

또한, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산을 반응시켜서 얻어진 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지와 산무수물의 반응 온도는 70 내지 110℃가 바람직하다. 70℃ 미만이면 반응 속도가 늦어, 반응에 장시간을 요하고, 반응 온도가 110℃를 초과하면, 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지의 중합이 일어나고, 수지가 겔화할 우려가 있다. The reaction temperature of the unsaturated carboxylic acid-modified epoxy resin obtained by reacting the polyfunctional epoxy resin with the unsaturated carboxylic acid and the acid anhydride is preferably 70 to 110 ° C. If it is less than 70 degreeC, reaction rate will be slow, reaction will require a long time, and if reaction temperature exceeds 110 degreeC, superposition | polymerization of unsaturated carboxylic acid modified epoxy resin may arise, and resin may gelatinize.

산무수물의 사용 비율로서는 생성물(산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지)의 고형 분산가가 30 내지 150mgKOH/g이 되는 범위가 바람직하고, 50 내지 120mgKOH/g이 특히 바람직하다. 상기 산가가 30mgKOH/g 미만인 경우, 목적의 조성물의 알칼리 현상성이 저하하는 경향으로 되고, 150mgKOH/g을 초과하면 형성된 솔더 레지스트의 미세 패턴이 현상에 의해 흐르거나, 절연 신뢰성 등의 특성이 저하하는 경향이 있다. As a usage ratio of an acid anhydride, the range whose solid dispersion value of a product (acid pendant unsaturated epoxy ester resin) becomes 30-150 mgKOH / g is preferable, and 50-120 mgKOH / g is especially preferable. When the acid value is less than 30 mgKOH / g, the alkali developability of the target composition tends to decrease, and when the acid value exceeds 150 mgKOH / g, the fine pattern of the formed solder resist flows due to development, or the characteristics such as insulation reliability decrease. There is a tendency.

산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지와 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물과의 반응은 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물을, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 카복실기 1당량에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 0.5당량, 특히 바람직하게는 0.1 내지 0.4당량이 되는 비로 정법에 의해, 바람직하게는 60 내지 150℃, 특히 바람직하게는 80 내지 120℃에서 가열 교반함으로써 행할 수 있다. The reaction between the acid pendant unsaturated epoxy ester resin and the epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / or the epoxy compound having an allyl group includes an epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / or an epoxy compound having an allyl group, With respect to 1 equivalent of the carboxyl group of the acid pendant unsaturated epoxy ester resin, preferably from 0.01 to 0.5 equivalents, particularly preferably from 0.1 to 0.4 equivalents, by the usual method, preferably from 60 to 150 ° C, particularly preferably It can carry out by heating and stirring at 80-120 degreeC.

(메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물로서는 예를 들어, 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메타)아크릴레이트β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, α-에틸-6,7-에폭시-헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에틸 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트가 바람직하고, 특히 바람직하게 글리시딜메타크릴레이트이다. 또한, 알릴기를 가지는 에폭시 화합물로서는 예를 들어, 알릴글리시딜에테르, p-알릴벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 양자를 병용하여도 좋다. As an epoxy compound which has a (meth) acryloyl group, For example, glycidyl (meth) acrylate, (alpha)-ethylglycidyl acrylate, (alpha)-n-propyl glycidyl acrylate, (alpha)-n-butylglycol. Cydyl acrylate, β-methylglycidyl (meth) acrylate β-ethylglycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate 6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate , α-ethyl-6,7-epoxy-heptyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ethyl, p-vinyl benzyl glycidyl ether, and the like. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. Especially, glycidyl (meth) acrylate and (alpha)-ethylglycidyl acrylate are preferable, and glycidyl methacrylate is especially preferable. Moreover, as an epoxy compound which has an allyl group, allyl glycidyl ether, p-allyl benzyl glycidyl ether, etc. are mentioned, for example, These may use any 1 type individually or may use both together.

(메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물은 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 용액에 첨가하여 반응시키지만, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지에 도입한 카복실기 1몰에 대하여, 0.01 내지 0.5몰의 비율로 반응시키는 것이 바람직하다. 목적의 수지 조성물의 감광성을 고려하면, 바람직하게는 0.1 내지 0.4몰의 비율로 반응시키는 것이 유리하다. 반응 온도는 80 내지 120℃가 바람직하다. 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는 그 자체 광 경화성 수지로서 사용할 수 있지만, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지가 가지는 카복실기에, (메타)아크릴로일기 함유 에폭시 화합물 및/또는 알릴기 함유 에폭시 화합물이 반응함으로써, (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기가 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 고분자 골격의 측쇄에 결합하기 때문에, 감광성이 더욱 향상된다. 이렇게 하여 얻어지는 (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기 함유 알칼리 가용성 수지는 감광성의 관점으로부터 고형 분산가가 30 내지 250mgKOH/g이 바람직하고, 40 내지 110mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하다. The epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / or the epoxy compound having an allyl group is added to the solution of the acid pendant unsaturated epoxy ester resin and reacted, but with respect to 1 mol of the carboxyl group introduced into the acid pendant unsaturated epoxy ester resin. It is preferable to make it react in the ratio of 0.01-0.5 mol. Considering the photosensitivity of the target resin composition, it is advantageous to make it react in the ratio of 0.1-0.4 mol preferably. As for reaction temperature, 80-120 degreeC is preferable. The acid pendant unsaturated epoxy ester resin can be used as a photocurable resin itself, but the (meth) acryloyl group-containing epoxy compound and / or allyl group-containing epoxy compound react with the carboxyl group of the acid pendant unsaturated epoxy ester resin. Since the (meth) acryloyl group and / or allyl group couple | bond with the side chain of the polymer skeleton of an acid pendant type unsaturated epoxy ester resin, photosensitivity is further improved. From the viewpoint of photosensitivity, the (meth) acryloyl group and / or allyl group-containing alkali-soluble resin obtained in this way have a solid dispersion value of preferably 30 to 250 mgKOH / g, more preferably 40 to 110 mgKOH / g.

(b)에폭시 수지로서는 프린트 배선판에 있어서의 절연 재료에 적합한 것이라면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 페놀류와 페놀성 하이드록실기를 가지는 방향족 알데히드와의 축합물의 에폭시화물, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 키산텐형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는 어느 1종을 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 이들 에폭시 수지와 병용하는 경화제는 뒤에 기재된 경화제와 같은 것을 사용할 수 있다. (b) As epoxy resin, if it is suitable for the insulating material in a printed wiring board, it can use without a restriction | limiting especially, For example, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, complex Cyclic epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, biphenol type epoxy resin (biphenyl type epoxy resin), aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxide of condensate of phenol with aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, xanthene type Epoxy resins, such as an epoxy resin, are mentioned. Such epoxy resin may use any 1 type, or may use 2 or more types together. The hardening | curing agent used together with these epoxy resins can use the same thing as the hardening | curing agent described later.

에폭시 수지는 그 중에서도, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지)가 바람직하다. 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로서는 DIC Corporation 제조의 「HP7200」, 「HP7200H」, 「HP7200HH」, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「XD-1000」 「XD-1000-L」 「XD-10002L」 등을 들 수 있고, 비페놀형 에폭시 수지로서는 Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC3000」, 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「GK3207」, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「YX4000HK」 등을 들 수 있다. Among the epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins and biphenol type epoxy resins (biphenyl type epoxy resins) are preferable. As a dicyclopentadiene type epoxy resin, "HP7200", "HP7200H", "HP7200HH" by Nippon Kayaku Co., Ltd. make by DIC Corporation. "XD-1000", "XD-1000-L", "XD-10002L" etc. of manufacture are mentioned, Nippon Kayaku Co., Ltd. as a non-phenol type epoxy resin is mentioned. "NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3100" of manufacture, Tohto Kasei Co., Ltd. `` GK3207 '' of manufacture, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. "YX4000HK" etc. of manufacture are mentioned.

상기 에폭시 수지는 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 5 내지 100질량부의 비율로 사용하는 것이 바람직하고, 10 내지 85질량부가 더욱 바람직하다. 5질량부 미만이면, 도막이 경화 부족으로 되고, 내열성, 전기 절연성 등이 저하되는 경향으로 되고, 100질량부를 넘으면 현상성이 저하되는 경향으로 된다. It is preferable to use the said epoxy resin in the ratio of 5-100 mass parts with respect to 100 mass parts of (a) photocurable alkali-soluble resin, and 10-85 mass parts is more preferable. If it is less than 5 mass parts, a coating film will become inadequate in hardening, and heat resistance, electrical insulation, etc. will tend to fall, and if it exceeds 100 mass parts, developability will fall.

(c)광중합 개시제로서는 예를 들어, 벤조페논, 메틸벤조페논, o-벤조일벤조산, 벤조일에틸에테르, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 디페닐-(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드, 에틸-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 1-하이드록시-시클로헥실-페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥산드 등이나 설포늄염계, 옥심에스테르계 광중합 개시제를 들 수 있다. 상기 광중합 개시제의 사용량으로서는 수지 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대하여 0.5 내지 30질량부, 바람직하게는 1 내지 15질량부의 범위내이다. 광중합 개시제의 사용량이 상기 범위를 초과하여 많아지면, 조성물의 열 경화성, 내열성, 전기절연성의 저하 등의 우려가 있고, 또 광중합 개시제의 사용량이 상기 범위보다도 적어지면 조성물을 광경화하였을 때의 경화 부족의 우려가 있다. (c) As a photoinitiator, benzophenone, methyl benzophenone, o-benzoyl benzoic acid, benzoyl ethyl ether, 2, 2- diethoxy acetophenone, 2, 4- diethyl thioxanthone, 2-benzyl-2, for example. -Dimethyl amino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl]-[4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, diphenyl- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide, Ethyl- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphinate, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone, 2,2-dimethoxy-1 , 2-diphenylethan-1-one, 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, bis (2,4 And 6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, and sulfonium salt-based and oxime ester-based photopolymerization initiators. As the usage-amount of the said photoinitiator, it is 0.5-30 mass parts with respect to 100 mass parts of resin solid content of a resin composition, Preferably it exists in the range of 1-15 mass parts. If the amount of the photopolymerization initiator is used in excess of the above range, there is a fear of deterioration of the heat curability, heat resistance, electrical insulation of the composition, etc., and if the amount of the photopolymerization initiator is less than the above range, the curing is insufficient when the composition is photocured. There is concern.

(d)경화 촉진제는 조성물의 광경화 후의 열 경화 처리에 있어서, 열 경화성을 촉진시키기 위해서 사용되고, 예를 들어, 아민류, 폴리아미드류, 이미다졸류, 유기포스핀계 화합물 등을 들 수 있지만, 도막 성능의 밸런스의 관점에서, 아민류, 이미다졸류가 바람직하고, 구체예로서는 2-메틸이미다졸, 트리페닐포스핀, 에틸구아니디노아민, 디아미노디페닐메탄, 멜라민, 삼플루오르화 붕소-아민 컴플렉스, 디시안디아미드(DICY) 및 그 유도체, 아민이미드(AI) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 멜라민, 디시안디아미드(DICY)가 특히 바람직하다. (d)경화 촉진제의 배합량은 (b)에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 20질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. (d) A hardening accelerator is used in order to promote thermosetting in the thermosetting process after photocuring of a composition, For example, although amines, polyamides, imidazole, an organic phosphine type compound, etc. are mentioned, a coating film From the viewpoint of the balance of performance, amines and imidazoles are preferable, and specific examples thereof include 2-methylimidazole, triphenylphosphine, ethylguanidinoamine, diaminodiphenylmethane, melamine, and boron trifluoride-amine. Complexes, dicyandiamide (DICY) and derivatives thereof, and amineimide (AI). Especially, melamine and dicyandiamide (DICY) are especially preferable. (d) It is preferable to use the compounding quantity of a hardening accelerator in 0.1-20 mass% with respect to (b) epoxy resin.

(e)희석제는 조성물의 광 반응성 등의 향상을 목적으로서 배합된다. 이러한 희석제로서는 예를 들어, 1분자 중에 1개 이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 실온에서 액체, 고체 또는 반고형의 감광성 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용할 수 있다. 대표적인 것으로서는 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시부틸아크릴레이트 등의 하이드록시알킬아크릴레이트류, 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸롤아크릴아미드 등의 아크릴 아미드류, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류, 트리메틸롤프로판, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스톨 등의 다가 알콜 또는 이들의 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 또는 ε-카플로락톤의 부가물의 다가 아크릴레이트류, 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트 등의 페놀류, 또는 그 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류, 트리메틸롤프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르로부터 유도되는 에폭시아크릴레이트류, 멜라민아크릴레이트류, 및/또는 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 다가 아크릴레이트류 또는 다가 메타크릴레이트류가 바람직하고, 예를 들어, 3가의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 EO 부가 트리(메타)아크릴레이트, 글리세린 PO 부가 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 테트라푸르푸릴알콜 올리고(메타)아크릴레이트, 에틸카비톨 올리고(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올올리고(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 올리고(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 올리고(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 올리고(메타)아크릴레이트, 테트라메치롤메탄테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, N,N,N',N'-테트라키스(β-하이드록시에틸)에틸디아민의 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있고, 3가 이상의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메타)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)포스페이트, 디(3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, (3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)디(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트 등의 인산트리에스테르(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 감광성(메타)아크릴레이트 화합물은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. (e) Diluent is mix | blended for the purpose of improvement of the photoreactivity of a composition, etc. As such a diluent, a liquid, solid, or semisolid photosensitive (meth) acrylate compound can be used, for example at room temperature which has one or more (meth) acryloyl groups in 1 molecule. Typical examples include mono or diacrylates of hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxybutyl acrylate, glycols such as ethylene glycol, methoxy tetraethylene glycol, polyethylene glycol and propylene glycol. , Acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide, aminoalkyl acrylates such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol Polyhydric alcohols such as these, polyhydric acrylates such as ethylene oxide, propylene oxide or ε-kaflolactone, phenols such as phenoxyacrylate and phenoxyethyl acrylate, or ethylene oxide or propylene oxide adducts thereof Glycines, such as acrylates and trimethylolpropane triglycidyl ether Epoxy acrylates, melamine acrylates, and / or methacrylates corresponding to the above acrylates may be cited. Among these, polyhydric acrylates or polyhydric methacrylates are preferable, and as trivalent acrylates or methacrylates, for example, trimethylolpropane tri (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate , Trimethylolpropane EO addition tri (meth) acrylate, glycerin PO addition tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, tetrafurfuryl alcohol oligo (meth) acrylate, ethylcarbitol oligo (meth) Acrylate, 1,4-butanediol oligo (meth) acrylate, 1,6-hexanediol oligo (meth) acrylate, trimethylolpropane oligo (meth) acrylate, pentaerythritol oligo (meth) acrylate, tetramethol Methanetetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, N, N, N ', N'-tetrakis (β-hydr (Meth) acrylic acid ester of the ethyl ethyl) diamine, etc. are mentioned, and tri (2- (meth) acryloyloxyethyl) phosphate and tri (2- (meth) are mentioned as trivalent or more acrylates or methacrylates. ) Acryloyloxypropyl) phosphate, tri (3- (meth) acryloyloxypropyl) phosphate, tri (3- (meth) acryloyl-2-hydroquinyloxypropyl) phosphate, di (3- (meth) ) Acryloyl-2-hydroquinyloxypropyl) (2- (meth) acryloyloxyethyl) phosphate, (3- (meth) acryloyl-2-hydroquisiloxypropyl) di (2- (meth) Phosphoric acid triester (meth) acrylate, such as acryloyloxyethyl) phosphate, is mentioned. These photosensitive (meth) acrylate compounds may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

(e)희석제의 사용량은 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지와, (b)에폭시 수지의 합계량 100질량부에 대하여 1 내지 50질량부의 비율로 사용하는 것이 바람직하고, 5 내지 30질량부가 더욱 바람직하다. 1질량부 미만이면, 광 반응성의 향상 효과가 얻어지기 어렵고, 50질량부를 넘으면 조성물에 의한 도막의 끈적거림이 커져, 작업성이 악화되는 경향으로 된다. (e) It is preferable to use the diluent in 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (a) photocurable alkali-soluble resin and (b) epoxy resin, and 5-30 mass parts is more preferable. . If it is less than 1 mass part, the effect of improving light reactivity will be hard to be acquired, and if it exceeds 50 mass parts, the stickiness of the coating film by a composition will become large and workability will tend to deteriorate.

이러한 (a) 내지 (e)성분을 포함하는 수지 조성물은 또한 (f)충전재를 함유하고 있어도 좋다. 상기 충전재에는 무기 충전재 및/또는 유기 충전재를 사용할 수 있다. The resin composition containing such (a)-(e) component may contain (f) filler further. Inorganic fillers and / or organic fillers may be used for the filler.

무기 충전재로서는 예를 들어, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탤크, 클레이, 운모, 마이카, 규산염, 황산바륨, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티타늄산바륨, 티타늄산스트론튬, 티타늄산칼슘, 티타늄산마그네슘, 티타늄산비스무트, 산화티타늄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 등을 들 수 있고, 실리카, 황산바륨이 바람직하고, 특히 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카 등의 실리카가 바람직하다. 또, 무기 충전재는 절연 신뢰성의 관점으로부터, 평균 입자 직경이 3μm 이하인 것이 바람직하고, 평균 입자 직경이 1.5μm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기 충전재는 각각 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 수중으로 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는 HORIBA, Ltd. 제조의 LA-500 등을 사용할 수 있다. As the inorganic filler, for example, silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum borate, titanium titanate Barium, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, calcium zirconate, and the like, and silica and barium sulfate are preferable, and in particular, amorphous silica, fused silica, and crystals. Silica, such as silica and synthetic silica, is preferable. Moreover, it is preferable that an average particle diameter is 3 micrometers or less, and, as for an inorganic filler, it is more preferable that an average particle diameter is 1.5 micrometers or less. The inorganic fillers may be used alone, or two or more kinds thereof may be used in combination. The average particle diameter of an inorganic filler can be measured by the laser diffraction scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the laser diffraction particle size distribution measuring device can measure the particle size distribution of the inorganic filler on a volume basis and make the median diameter the average particle diameter. The measurement sample can use preferably what disperse | distributed the inorganic filler in water according to the ultrasonic wave. As a laser diffraction particle size distribution measuring device, HORIBA, Ltd. Manufactured LA-500 etc. can be used.

무기 충전재는 내습성, 분산성 등의 향상을 위해, 아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 우레이도프로필트리에톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계 커플링제, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 글리시딜부틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시실란계 커플링제, 머캅토프로필트리메톡시실란, 머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토 실란계 커플링제, 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메타크록시프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란 등의 실란계 커플링제, 헥사메틸실라잔, 헥사페닐디실라잔, 디메틸아미노트리메틸실란, 트리실라잔, 시클로트리실라잔, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸시클로트리실라잔 등의 오가노실라잔 화합물, 부틸티타네이트다이머, 티탄옥틸렌글리콜레이트, 디이소프로폭시티탄비스(트리에탄올아미네이트), 디하이드록시티탄비스락테이트, 디하이드록시비스(암모늄락테이트)티타늄, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 테트라-n-부틸티타네이트, 테트라(2-에틸헥실)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠설포티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미드에틸·아미노에틸)티타네이트의 티타네이트계 커플링제, 실리카-알루미나 표면 처리제 등의 1종 또는 2종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. Inorganic fillers include aminopropylmethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, ureidopropyltriethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, and N-2 (amino to improve moisture resistance, dispersibility, etc.). Aminosilane-based coupling agents such as ethyl) aminopropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxy Epoxysilane coupling agents, such as a silane and (3, 4- epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, mercapto silane coupling agents, such as mercaptopropyl trimethoxysilane and mercaptopropyl triethoxysilane, and methyl tree Silane coupling agents such as methoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methoxypropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, hexamethylsilazane, hexaphenyldisilazane,Organosilazane compounds such as methylaminotrimethylsilane, trisilazane, cyclotrisilazane, 1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane, butyl titanate dimer, titanium octylene glycolate , Diisopropoxy citan bis (triethanol aluminate), dihydroxy titanium bis lactate, dihydroxy bis (ammonium lactate) titanium, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, bis (dioctyl pyro Phosphate) oxyacetate titanate, tri-n-butoxy titanium monostearate, tetra-n-butyl titanate, tetra (2-ethylhexyl) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetra Octylbis (ditridecylphosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, isopropyltrioctanoyl titanate, isopropyl triku Milpe Titanate, Isopropyl triisostearoyl titanate, Isopropyl isostaroyl diacrylitanate, Isopropyl dimethacrylic isostaroyl titanate, Isopropyl tri (dioctyl phosphate) titanate, Isopropyl Such as tridodecylbenzenesulfo titanate, isopropyl tris (dioctylpyrophosphate) titanate, titanate coupling agent of isopropyl tri (N-amide ethyl aminoethyl) titanate, silica-alumina surface treatment agent You may be processed by 1 type or 2 or more types of surface treating agents.

유기 충전재로서는 아크릴 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체예로서는 아크릴로니트릴부타디엔고무, 부타디엔 고무, 아크릴 고무 등의 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 행하고, 유기용제에 불용(不溶) 또한 불융(不融)으로 한 수지의 미립자체인 것이라면 어떤 것이라도 좋고, 예를 들어, XER-91(Japan Synthetic Rubber Co.,Ltd. 제조), 스타피로이드 AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, Ganz Chemical Co., Ltd. 제조) 파라로이드 EXL2655, EXL2602(이상, Kureha Corporation 제조) 등을 들 수 있다. 폴리아미드 미립자의 구체예로서는 나일론과 같은 지방족 폴리아미드나 케블라와 같은 방향족 폴리아미드, 또한, 폴리아미드이미드 등, 아미드 결합을 가지는 수지의 미립자라면 어떤 것이라도 좋고, 예를 들어, VESTOSINT 2070(Daicel Daicel-Huels Ltd. 제조)이나, SP500(Toray Industries, Inc. 제조) 등을 들 수 있다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은 0.005 내지 1μm의 범위가 바람직하고, 0.2 내지 0.6μm의 범위가 더욱 바람직하다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 적당한 유기용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, FPRA-1000(Otsuka Electronics Co., Ltd. 제조)을 사용하고, 유기 충전재의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. Examples of the organic filler include acrylic rubber particles, polyamide fine particles, silicon particles, and the like. Specific examples of the acrylic rubber particles are a fine particle body of a resin which is subjected to chemical crosslinking treatment to resins exhibiting rubber elasticity such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber, acrylic rubber, and the like and are insoluble and insoluble in organic solvents. Any one may be used, for example, XER-91 (manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), Stapiroid AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (above, manufactured by Ganz Chemical Co., Ltd.) ) Pararoid EXL2655, EXL2602 (above, Kureha Corporation) etc. are mentioned. Specific examples of the polyamide fine particles may be any aliphatic polyamide such as nylon, aromatic polyamide such as Kevlar, or fine particles of a resin having an amide bond such as polyamideimide. For example, VESTOSINT 2070 (Daicel Daicel- Huels Ltd.) and SP500 (made by Toray Industries, Inc.) etc. are mentioned. The range of 0.005-1 micrometer is preferable, and, as for the average particle diameter of an organic filler, the range of 0.2-0.6 micrometer is more preferable. The average particle diameter of the organic filler can be measured using the dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves or the like, FPRA-1000 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) is used, and the particle size distribution of the organic filler is prepared on a mass basis, and the median is used. It can measure by making diameter into an average particle diameter.

(f)충전재의 사용량은 수지 조성물의 불휘발분을 100질량%로 한 경우, 1 내지 50질량%인 것이 바람직하고, 2 내지 40질량%가 더욱 바람직하다. When the non-volatile content of the resin composition is 100% by mass, the amount of the filler used (f) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 40% by mass.

회로 기판의 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층은 개구부 형성을 레이저에 의해 행한다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 보다 내열성이 요구되는, 반도체 칩을 탑재하는 면의 솔더 레지스트층을 열 경화성 수지 조성물에 의해 형성하고, 레이저에 의해 개구부 형성을 행한다. 레이저로 개구부 형성을 행함으로써, 광 경화성 수지 조성물을 사용할 필요가 없고, 보다 내열성이 우수한 열 경화성 수지 조성물을 사용할 수 있다. 상술한 바와 같이 광경화형 알칼리 가용성 수지 등의 현상 가능한 광경화형의 수지 성분 등을 포함하는, 광 경화성과 열 경화성을 아울러 가지는 수지 조성물을 사용할 수도 있지만, 일반적으로 이러한 광 경화성 수지 조성물은 열 경화성 수지 조성물보다 내열성이 떨어지기 때문에, 열 경화만으로 경화 가능한 열 경화성 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. The solder resist layer formed on the other side of the circuit board performs the opening formation by a laser. For example, in a semiconductor package board | substrate, the soldering resist layer of the surface in which a semiconductor chip is mounted which requires more heat resistance is formed with a thermosetting resin composition, and an opening part is formed by a laser. By forming an opening part with a laser, it is not necessary to use a photocurable resin composition, and the thermosetting resin composition excellent in heat resistance can be used. As mentioned above, although the resin composition which has photocurable property and thermosetting property, including developable photocurable resin component, such as photocurable alkali-soluble resin, etc. can also be used, generally such a photocurable resin composition is a thermosetting resin composition. Since heat resistance is inferior, it is preferable to use the thermosetting resin composition which can be hardened only by thermosetting.

본 발명에서는 열 경화성 수지 조성물이라고 하는 경우, 실질적으로 광 경화성이 없는 열 경화성 수지 조성물을 의미한다. 주체가 되는 열 경화성 수지로서는 예를 들어, 에폭시 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지 등의 열 경화성 수지를 들 수 있다. 바람직한 열 경화성 수지 조성물로서는 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 수지 조성물이며, 특히 (A)에폭시 수지, (B)고분자 성분 및 (C)경화제를 함유하는 수지 조성물이 바람직하다. In the present invention, the term thermosetting resin composition means a thermosetting resin composition having substantially no photocurability. As thermosetting resin used as a main body, thermosetting resins, such as an epoxy resin and bismaleimide triazine resin, are mentioned, for example. As a preferable thermosetting resin composition, it is a resin composition containing an epoxy resin and a hardening | curing agent, and especially the resin composition containing (A) epoxy resin, (B) polymer component, and (C) hardening | curing agent is preferable.

여기에서 (A)에폭시 수지로서는 예를 들어, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 키산텐형 에폭시 수지, 인 함유 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지 및 이들의 에폭시 수지의 알킬 치환체, 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는 어느 1종을 사용하거나 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. Here, as the (A) epoxy resin, for example, bisphenol A epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, and complex Cyclic epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolak type epoxy resin, fluorene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, xanthene type epoxy The resin, the phosphorus containing epoxy resin, the epoxy resin which has butadiene structure, the alkyl substituent of these epoxy resins, a hydrogenated substance, etc. are mentioned. These epoxy resins may use any 1 type, or may mix and use 2 or more types.

에폭시 수지는 이들 중에서도, 내열성, 절연 신뢰성, 밀착성의 관점에서, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트 828EL」), 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물(2관능형) (DIC Corporation 제조의 「HP4032」, 「HP4032D]), 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(DIC Corporation 제조의 「HP4700」), 나프톨형 에폭시 수지(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「ESN-475V」), 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지(Daicel Daicel-Huels Ltd. 제조의 「PB-3600」), 비페닐 구조를 가지는 에폭시 수지(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC3000」, 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「YX4000HK」) 등을 들 수 있다. Among them, epoxy resins having a bis phenol A type epoxy resin, a naphthol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, and a butadiene structure are preferable from the viewpoints of heat resistance, insulation reliability, and adhesion. Specifically, for example, liquid bisphenol A epoxy resin ("Epicoat 828EL" made by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), diglycidyl ether compound (bifunctional type) of naphthalenediol (DIC Corporation) "HP4032", "HP4032D"), naphthalene type tetrafunctional epoxy resin ("HP4700" by DIC Corporation), naphthol type epoxy resin ("ESN-475V" by Tohto Kasei Co., Ltd.), butadiene structure Epoxy resin ("PB-3600" manufactured by Daicel Daicel-Huels Ltd.), epoxy resin having a biphenyl structure ("NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) NC3100 "," YX4000HK "by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), etc. are mentioned.

(B)고분자 성분은 경화 후의 조성물에 적당한 가요성을 부여하는 등의 목적으로 배합되는 것이며, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 지방족 폴리에스테계 폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리카보네이트계 폴리올, 폴리에틸렌테레프탈레이트폴리올, 아크릴수지 등을 들 수 있다. 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 상기 고분자 성분은 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 하였을 때, 0.5 내지 60질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 내지 30질량%이다. 고분자 성분의 배합 비율이 0.5질량% 미만인 경우, 수지 조성물의 점도가 낮기 때문에, 균일한 두께의 층을 형성하는 것이 어려워지는 경향으로 되고, 60질량%를 초과하는 경우, 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져, 회로 상의 배선 패턴으로의 매립이 곤란해지는 경향으로 된다. (B) A polymer component is mix | blended for the purpose of giving a suitable flexibility to the composition after hardening, For example, a phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide, polyamideimide, polyether sulfone, polysulfone And aliphatic polyester polyols, polyether polyols, polycarbonate polyols, polyethylene terephthalate polyols, and acrylic resins. These may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. When the said non-volatile component of a resin composition is 100 mass%, the said polymeric component is mix | blended in the ratio of 0.5-60 mass%, More preferably, it is 3-30 mass%. When the blending ratio of the polymer component is less than 0.5% by mass, since the viscosity of the resin composition is low, it becomes difficult to form a layer having a uniform thickness, and when it exceeds 60% by mass, the viscosity of the resin composition becomes too high. This tends to make embedding in the wiring pattern on the circuit difficult.

페녹시 수지의 구체예로서는 예를 들어, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 FX280, FX293, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 YX8100, YL6954, YL6974 등을 들 수 있다. As a specific example of a phenoxy resin, Tohto® Kasei® Co., Ltd., for example. FX280, FX293, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. Manufactured YX8100, YL6954, YL6974, etc. are mentioned.

폴리비닐아세탈 수지는 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하고, 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 제조, 전화 부티랄 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 에스렉 BH시리즈, BX시리즈, KS시리즈, BL시리즈, BM시리즈 등을 들 수 있다. The polyvinyl acetal resin is preferably a polyvinyl butyral resin, and specific examples of the polyvinyl acetal resin are manufactured by Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha, telephone butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co. ., Ltd. Esque BH series, BX series, KS series, BL series, BM series etc. of manufacture are mentioned.

폴리이미드의 구체예로서는 New Japan Chemical Co., Ltd. 제조의 폴리이미드 「리카코트SN20」 및 「리카코트PN20」을 들 수 있다. 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 2006-37083호에 기재한 것), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 2002-12667호, 일본 공개특허공보 2000-319386호 등에 기재된 것) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyimide include New Japan Chemical Co., Ltd. The polyimide "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" of manufacture are mentioned. In addition, linear polyimide (described in JP 2006-37083) and polysiloxane skeleton-containing polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic anhydride Modified polyimide such as those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-319386, and the like.

폴리아미드이미드의 구체예로서는 Toyobo Co., Ltd. 제조의 폴리아미드이미드 「바이로맥스 HR11NN」, 「바이로맥스 HR16NN」등을 들 수 있다. 또한, Hitachi Chemical Co., Ltd 제조의 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드 「KS9100」, 「KS9300」 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyamide-imide include Toyobo Co., Ltd. The polyamide-imide "Biromax HR11NN" of manufacture, "Biromax HR16NN", etc. are mentioned. Moreover, modified polyamideimide, such as polysiloxane frame | skeleton containing polyamideimide "KS9100" and "KS9300" by Hitachi Chemical Co., Ltd, is mentioned.

폴리에테르설폰의 구체예로서는 Sumitomo Chemical. Co., Ltd. 제조의 폴리에테르설폰「PES5003P」등을 들 수 있다. Specific examples of the polyether sulfone include Sumitomo Chemical. Co., Ltd. Polyether sulfone "PES5003P" etc. of manufacture are mentioned.

폴리설폰의 구체예로서는 솔벤어드밴스트폴리머즈(주) 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」등을 들 수 있다. As a specific example of polysulfone, polysulfone "P1700", "P3500", etc. made by Solver Advanced Polymers Co., Ltd. are mentioned.

(C)경화제로서는 예를 들어, 아민계 경화제, 구아니딘계 경화제, 이미다졸계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산무수물계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 또는 이들의 에폭시 어덕트나 마이크로캡슐화한 것, 벤즈옥사진 수지, 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 시아네이트에스테르 수지가 바람직하다. 경화제는 1종이거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. As the (C) hardener, for example, an amine hardener, guanidine hardener, imidazole hardener, phenol hardener, naphthol hardener, acid anhydride hardener, active ester hardener, or these epoxy adducts or microencapsulated The thing, benzoxazine resin, cyanate ester resin, etc. are mentioned. Especially, a phenol type hardening | curing agent, a naphthol type hardening | curing agent, and cyanate ester resin are preferable. The hardener may be used alone or in combination of two or more.

페놀계 경화제, 나프톨계 경화제의 구체예로서는 예를 들어, MEH-7700, MEH-7810, MEH-7851 (이상, Meiwa Plastic Industries, Ltd. 제조), NHN, CBN, GPH(이상, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조), SN170, SN180, SN190, SN475, SN485, SN495, SN375, SN395(이상, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조), LA7052, LA7054, LA3018, LA1356(이상, DIC Corporation 제조) 등을 들 수 있다. As a specific example of a phenol type hardening | curing agent and a naphthol type hardening | curing agent, for example, MEH-7700, MEH-7810, MEH-7851 (above, manufactured by Meiwa Plastic Industries, Ltd.), NHN, CBN, GPH (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.) Ltd.), SN170, SN180, SN190, SN475, SN485, SN495, SN375, SN395 (above, manufactured by Tohto® Kasei Co., Ltd.), LA7052, LA7054, LA3018, LA1356 (manufactured by DIC Corporation), etc. Can be.

또한, 시아네이트에스테르 수지의 구체예로서는 예를 들어, 비스 페놀A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스 (4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시판되어 있는 시아네이트에스테르 수지로서는 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지(Lonza Japan Ltd. 제조의 「PT30」, 시아네이트 당량 124)나 비스 페놀A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머(Lonza Japan Ltd. 제조의 「BA230」, 시아네이트 당량 232) 등을 들 수 있다. Moreover, as a specific example of cyanate ester resin, bis phenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene- 1, 5- phenylene cyanate), 4,4'- methylene bis (2, for example) , 6-dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1,1-bis (4-cyanatephenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatephenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis ( Bifunctional cyanate resins such as 4-cyanatephenyl) thioether and bis (4-cyanatephenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac, cresol novolac, and these cyanate resins are partially tria Evolved prepolymer, etc. Commercially available cyanate ester resins include phenol novolac-type polyfunctional cyanates. Terpolymer ("PT30" manufactured by Lonza Japan Ltd., cyanate equivalent 124) and some or all of bisphenol A dicyanate are triazines to form a trimer ("BA230" manufactured by Lonza Japan Ltd., cyanate And equivalents 232).

(A)에폭시 수지와 (C)경화제의 배합 비율은 페놀계 경화제 또는 나프톨계 경화제의 경우, 에폭시 수지의 에폭시 당량 1에 대하여 이들 경화제의 페놀성 하이드록실기 당량이 0.4 내지 2.0의 범위가 되는 비율이 바람직하고, 0.5 내지 1.0의 범위로 되는 비율이 더욱 바람직하다. 시아네이트에스테르 수지의 경우는 에폭시 당량 1에 대하여 시아네이트 당량이 0.3 내지 3.3의 범위로 되는 비율이 바람직하고, 0.5 내지 2의 범위로 되는 비율이 더욱 바람직하다. In the case of a phenolic hardener or a naphthol hardener, the compounding ratio of (A) epoxy resin and (C) hardening | curing agent is the ratio which the phenolic hydroxyl group equivalent of these hardening | curing agents becomes the range of 0.4-2.0 with respect to the epoxy equivalent of epoxy resin 1 This is preferable and the ratio which becomes the range of 0.5-1.0 is more preferable. In the case of cyanate ester resin, the ratio in which cyanate equivalent is 0.3 to 3.3 with respect to epoxy equivalent 1 is preferable, and the ratio in the range of 0.5-2 is more preferable.

열 경화성 수지 조성물에는 (C)경화제에 더하여, (D)경화 촉진제를 더 배합할 수 있고, 이러한 경화 촉진제로서는 이미다졸계 화합물, 유기포스핀계 화합물 등을 들 수 있고, 구체예로서는 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-에틸4-메틸이미다졸, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다. 경화 촉진제를 사용하는 경우, (A)에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 3.0질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. 또, (C)경화제에 시아네이트에스테르 수지를 사용하는 경우에는 경화 시간을 단축할 목적으로, 종래부터 에폭시 수지 조성물과 시아네이트 화합물을 병용한 시스템에서 경화 촉매로서 사용되고 있는 유기금속 화합물을 첨가하여도 좋다. 유기금속 화합물로서는 구리(II)아세틸아세토나이트 등의 유기동 화합물, 아연(II)아세틸아세토나이트 등의 유기아연 화합물, 코발트(II)아세틸아세토나이트, 코발트(III)아세틸아세토나이트 등의 유기 코발트 화합물 등을 들 수 있다. 유기금속 화합물의 첨가량은 시아네이트에스테르 수지에 대하여, 금속 환산으로 10 내지 500ppm이 바람직하고, 25 내지 200ppm의 범위가 더욱 바람직하다. In addition to (C) hardening | curing agent, (D) hardening accelerator can be further mix | blended with thermosetting resin composition, As such a hardening accelerator, an imidazole compound, an organic phosphine type compound, etc. are mentioned, As a specific example, it is 2, for example. -Methylimidazole, 2-ethyl4-methylimidazole, triphenylphosphine, etc. are mentioned. When using a hardening accelerator, it is preferable to use in 0.1-3.0 mass% with respect to (A) epoxy resin. Moreover, when using cyanate ester resin for (C) hardening agent, even if it adds the organometallic compound currently used as a hardening catalyst in the system which used together an epoxy resin composition and a cyanate compound for the purpose of shortening hardening time. good. Examples of the organometallic compound include organic copper compounds such as copper (II) acetylacetonite, organic zinc compounds such as zinc (II) acetylacetonite, organic cobalt compounds such as cobalt (II) acetylacetonite and cobalt (III) acetylacetonite. Can be mentioned. As for the addition amount of an organometallic compound, 10-500 ppm is preferable in conversion of metal with respect to cyanate ester resin, and the range of 25-200 ppm is more preferable.

열 경화성 수지 조성물에는 또한 충전재를 함유하고 있어도 좋다. 상기 충전재에는 무기 충전재 및/또는 유기 충전재를 사용할 수 있다. 무기 충전재의 예는 상기와 같다. 또, 무기 충전재는 그 중에서도, 실리카, 알루미나가 바람직하고, 특히 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 구상(球狀) 실리카, 분쇄 실리카 등의 실리카가 바람직하다. 무기 충전재의 평균 입자 직경 및 표면 처리 등에 대해서도 상기와 같은 형태이다. 또한, 유기 충전재의 종류, 평균 입자 직경은 상기와 같은 형태를 들 수 있다. 열 경화성 수지 조성물중의 무기 충전재의 함유량은 열 경화성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 하였을 때, 바람직하게는 20 내지 80질량%이며, 더욱 바람직하게는 30 내지 70질량%이다. 유기 충전재의 함유량은 열 경화성 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%로 하였을 때, 바람직하게는 1 내지 10질량%이며, 더욱 바람직하게는 2 내지 5질량%이다. The thermosetting resin composition may contain the filler further. Inorganic fillers and / or organic fillers may be used for the filler. Examples of the inorganic filler are as described above. In addition, among the inorganic fillers, silica and alumina are preferable, and silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, spherical silica, pulverized silica is particularly preferable. The average particle diameter, surface treatment, and the like of the inorganic filler are the same as described above. In addition, the kind and average particle diameter of an organic filler are mentioned above. When content of the inorganic filler in a thermosetting resin composition is 100 mass% of non volatile components of a thermosetting resin composition, Preferably it is 20-80 mass%, More preferably, it is 30-70 mass%. When content of an organic filler is 100 mass% of non volatile components of a thermosetting resin composition, Preferably it is 1-10 mass%, More preferably, it is 2-5 mass%.

열 경화성 수지 조성물은 말레이미드 화합물, 비스알릴나디이미드 화합물, 비닐벤질 수지, 비닐벤질에테르 수지 등의 에폭시 수지 이외의 열 경화성 수지를 배합할 수도 있다. 이러한 열 경화성 수지는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. 말레이미드 수지로서는 BMI1000, BMI2000, BMI3000, BMI4000, BMI5100 (이상, Daiwakasei Industry Co., Ltd 제조), BMI, BMI-70, BMI-80(이상, K.I Chemical Industry Co., Ltd. 제조), ANILIX-MI(Mitsui Fine Chemical Inc. 제조), 비스알릴나디이미드 화합물로서는 BANI-M, BANI-X (이상, Maruzen Petrochemical Co., Ltd. 제조), 비닐벤질 수지로서는 V5000(Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조), 비닐벤질에테르 수지로서는 V1000X, V1100X(이상, Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조)를 들 수 있다. The thermosetting resin composition can also mix | blend thermosetting resins other than epoxy resins, such as a maleimide compound, a bisallyl naimide compound, a vinyl benzyl resin, and a vinyl benzyl ether resin. You may use these thermosetting resins in mixture of 2 or more types. As the maleimide resin, BMI1000, BMI2000, BMI3000, BMI4000, BMI5100 (above, manufactured by Daiwakasei Industry Co., Ltd), BMI, BMI-70, BMI-80 (above, manufactured by KI Chemical Industry Co., Ltd.), ANILIX- MI (manufactured by Mitsui Fine Chemical Inc.), BANI-M, BANI-X (above, manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) as the bisallynalimide compound, and V5000 (manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd.) as the vinyl benzyl resin. ) And vinyl benzyl ether resin include V1000X and V1100X (above, manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd.).

본 발명의 광 경화성 수지 조성물 및/또는 열 경화성 수지 조성물은 난연제를 함유하여도 좋다. 난연제는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. 난연제로서는 예를 들어, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제로서는 Sanko Co., Ltd. 제조의 HCA, HCA-HQ, HCA-NQ 등의 포스핀 화합물, Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조의 HFB-2006M 등의 인 함유 벤즈옥사진 화합물, Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc. 제조의 레오포스 30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, Hokko Chemical Industry Co., Ltd. 제조의 PPQ, 클라리언트(주) 제조의 OP930, Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. 제조의 PX200 등의 인산 에스테르 화합물, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 FX289, FX310 등의 인 함유 에폭시 수지, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물로서는 Shikoku Chemicals Corporation 제조의 SP670, SP703 등의 인산에스테르미드 화합물, Otsuka Chemical Co., Ltd. 제조의 SPB100, SPE100 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물로서는 Ube Material Industries, Ltd. 제조의 UD65, UD650, UD653 등의 수산화마그네슘, Tomoe Engineering Co., Ltd. 제조의 B-30, B-325, B-315, B-308, B-303, UFH-20 등의 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다. The photocurable resin composition and / or thermosetting resin composition of this invention may contain a flame retardant. A flame retardant may mix and use 2 or more types. As a flame retardant, an organophosphorus flame retardant, an organic nitrogen containing phosphorus compound, a nitrogen compound, a silicone flame retardant, a metal hydroxide, etc. are mentioned, for example. As organophosphorus flame retardant, Sanko Co., Ltd. Phosphine compounds such as HCA, HCA-HQ, HCA-NQ, manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd. Phosphorus-containing benzoxazine compounds such as manufactured HFB-2006M, Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc. Leopard 30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, Hokko Chemical Industry Co., Ltd. PPQ of manufacture, OP930 of Clariant Co., Ltd., Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. Phosphate ester compounds, such as PX200, Tohto Kasei Co., Ltd. Phosphorus containing epoxy resins, such as FX289 and FX310, Tohto Kasei Co., Ltd. Phosphorus containing phenoxy resins, such as manufactured ERF001, etc. are mentioned. Examples of the organic nitrogen-containing phosphorus compound include phosphate esteramide compounds such as SP670 and SP703 manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, Otsuka Chemical Co., Ltd. Phosphazene compounds, such as SPB100 and SPE100 of manufacture, etc. are mentioned. As the metal hydroxide, Ube Material Industries, Ltd. Magnesium hydroxide, such as UD65, UD650, UD653, manufactured by Tomoe Engineering Co., Ltd. The aluminum hydroxides, such as manufactured B-30, B-325, B-315, B-308, B-303, UFH-20, etc. are mentioned.

본 발명의 광 경화성 수지 조성물 및/또는 열 경화성 수지 조성물은 오르벤, 벤톤 등의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계의 소포제 또는 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계, 실란계 커플링제 등의 밀착성 부여제, 프탈로시아닌·블루, 프탈로시아닌·그린, 아이오딘·그린, 디스아조옐로, 카본블랙 등의 착색제 등의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 좋다. The photocurable resin composition and / or thermosetting resin composition of the present invention may be a thickener such as orbene or benton, a silicone-based, fluorine-based, anti-foaming agent or leveling agent, an imidazole-based, thiazole-based, triazole-based, silane-based coupling agent, or the like. It may contain other components, such as an adhesive imparting agent, phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, disazo yellow, and coloring agents, such as carbon black.

본 발명에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층은 모두, 잉크형의 솔더 레지스트로 형성하거나 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성하여도 좋다. 즉, 회로 기판 상으로의 수지 조성물의 바니쉬의 도공, 건조에 의해 형성하여도, 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 제작하고, 상기 수지 조성물 필름을 회로 기판으로 적층(압착)함으로써 형성하여도 좋다. 또, 작업 효율이 좋고 두께 제어가 용이한 점에서, 회로 기판의 양면 모두 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성하는 것이 바람직하다. In the present invention, all of the solder resist layers formed on one side and the other side of the circuit board may be formed of an ink type solder resist or a dry film type solder resist. That is, even if it forms by coating and drying varnish of the resin composition on a circuit board, it forms by producing the resin composition film which formed the resin composition layer on the support body, and laminating | stacking (compressing) the said resin composition film on a circuit board. You may also do it. Moreover, since work efficiency is good and thickness control is easy, it is preferable to form both sides of a circuit board by the dry film type soldering resist.

또, 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층 및 회로 기판의 다른쪽 면에 형성하는 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층은 그 광 경화성 수지 조성물 및 열 경화성 수지 조성물의 양쪽의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한 양자의 최저 용융 점도의 비(열 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도/광 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도)가 0.01 내지 100으로 되는 관계인 것이 바람직하고, 상기 최저 용융 점도의 비가 0.05 내지 20으로 되는 관계인 것이 더욱 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.1 내지 7이다. 이것은 솔더 레지스트층을 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 사용하여 형성하는 경우, 후술하는 바와 같이, 수지 조성물 필름의 회로 기판으로의 압착과 평탄화 프레스를 진공 라미네이터에 의해 연속적으로 행할 수 있지만, 최저 용융 온도가 80℃ 미만인 경우는 진공 프레스나 평탄화 프레스에서 수지의 점도가 지나치게 낮아 수지가 밀려나오거나, 최저 용융 온도가 160℃를 초과하는 경우는 유동성이 충분하지 않아 압착이나 평탄화에 불량이 발생하는 경우가 있다. 또한, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 다른 수지 조성물층(광 경화성 수지 조성물층과 열 경화성 수지 조성물층)을 동시에 적층하는 경우에, 양 층의 최저 용융 점도의 비가 상기 범위 외이면, 라미네이트나 열 프레스에 의한 평탄화 공정에 있어서, 적절한 온도 설정이 곤란해지는 경향이 있고, 소정의 온도에서, 어느 한쪽 층의 유동성이 지나치게 낮아 회로의 매립성이나 수지의 평탄성이 저하하거나, 어느 한쪽의 층의 유동성이 지나치게 높아서 수지가 밀려나오는 경향이 있다. Moreover, the soldering resist layer which consists of a soldering resist layer which consists of a photocurable resin composition formed in one side of a circuit board, and the thermosetting resin composition formed in the other side of a circuit board is made of the photocurable resin composition and a thermosetting resin composition. The minimum melt temperature of both is in the range of 80 degreeC-160 degreeC, and also the relationship which ratio of the minimum melt viscosity of both (the minimum melt viscosity of the thermosetting resin composition / the minimum melt viscosity of the photocurable resin composition) becomes 0.01-100, It is preferable that it is the relationship which the ratio of said minimum melt viscosity becomes 0.05-20, It is more preferable, Especially preferably, it is 0.1-7. When forming a soldering resist layer using a dry-film soldering resist, as mentioned later, although the crimping and flattening press of a resin composition film to a circuit board can be performed continuously by a vacuum laminator, the minimum melt temperature is If the temperature is less than 80 ° C, the resin may be pushed out due to the resin having a too low viscosity in a vacuum press or a flattening press, or if the minimum melting temperature exceeds 160 ° C, fluidity may not be sufficient, resulting in poor crimping or flattening. In addition, when laminating | stacking another resin composition layer (photocurable resin composition layer and thermosetting resin composition layer) simultaneously on one side and the other side of a circuit board, if the ratio of the minimum melt viscosity of both layers is out of the said range, it will laminate. In the flattening step by hot press, proper temperature setting tends to be difficult, and at a predetermined temperature, the fluidity of either layer is too low, so that the embedding of the circuit and the flatness of the resin are reduced, or The fluidity is too high and the resin tends to push out.

여기에서 말하는 「최저 용융 점도」는 일정한 승온 속도로 수지 조성물을 가열하여 용융시켰을 때에 초기 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하하고, 그 후, 어떤 온도를 초과하면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승하는 특성을 나타내는 경우의 극소점의 용융 점도이며, 예를 들어 (주)유·비·엠사 제조의 형식 Rheosol-G3000을 사용하여, 동적 점탄성을 측정함으로써 측정되는 값이다. 구체적으로는 패럴렐 플레이트를 사용하여, 초기 온도 60℃, 승온 속도 5℃/분으로, 측정 간격 온도 2.5℃, 진동수 1Hz/deg, 100g 정하중 일정의 조건으로 측정하였을 때의 최저 용융 점도치를 의미한다. 또한, 최저 용융 점도를 나타내는 극소점의 온도가 「최저 용융 온도」이다. The term "lowest melt viscosity" as used herein means that when the resin composition is heated and melted at a constant temperature increase rate, the melt viscosity decreases with temperature rise in the initial stage, and after that, if the temperature exceeds a certain temperature, the melt viscosity increases with temperature rise. It is a melt viscosity of the minimum at the time of showing the characteristic to be mentioned, and is a value measured by measuring dynamic viscoelasticity, for example using the type | mold Rheosol-G3000 by Yu B. Co., Ltd. product. Specifically, using a parallel plate, it means the minimum melt viscosity value measured at the initial temperature of 60 degreeC, the temperature increase rate of 5 degree-C / min, on the conditions of a measurement interval temperature of 2.5 degreeC, the frequency of 1 Hz / deg, and a constant load of 100 g. In addition, the temperature of the minimum point which shows a minimum melt viscosity is "minimum melt temperature."

광 경화성 수지 조성물과 열 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도 비의 조정 방법은 특히 한정되지 않고, 광 경화성 수지 조성물의 배합을 조정하거나 열 경화성 수지 조성물의 배합을 조정하여도 좋다. 그러나, 광 경화성 수지 조성물은 감광성과 현상성을 양립해야 하고, 고분자 성분이나 경화 촉진제의 첨가에 한도가 있으므로, 열 경화성 수지 조성물의 고분자 성분이나 경화 촉진제의 첨가량을 컨트롤하여 조정하는 것이 바람직하다. 일반적으로 고분자 성분, 경화 촉진제 등의 첨가량을 증가시키면 최저 용융 점도가 증가한다. The adjustment method of the minimum melt viscosity ratio of a photocurable resin composition and a thermosetting resin composition is not specifically limited, You may adjust the compounding of a photocurable resin composition, or the compounding of a thermosetting resin composition. However, since the photocurable resin composition must make photosensitive and developability compatible, and there is a limit to addition of a polymer component and a hardening accelerator, it is preferable to control and adjust the addition amount of the polymer component and hardening accelerator of a thermosetting resin composition. Generally, increasing the addition amount of a polymer component, a hardening accelerator, etc. increases the minimum melt viscosity.

드라이 필름형의 솔더 레지스트에 있어서의 지지체로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트 (이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에텔설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등으로 이루어지는 플라스틱 필름을 들 수 있다. As a support body in a soldering film of a dry film type | mold, polyester, such as polyethylene terephthalate (it may abbreviate as "PET" hereafter), polyethylene naphthalate (it may abbreviate as "PEN" hereafter), poly Carbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyethersulfide (PES), polyether ketone, polyimide A plastic film which consists of these etc. is mentioned.

또, 지지체는 솔더 레지스트층과의 접촉면이 이형 처리되어 있는 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 이것은 수지 조성물 필름의 지지체가 되는 플라스틱 필름의 열 경화성 수지 조성물층과의 접촉면에 이형 처리가 되어 있지 않으면, 일반적으로, 열 경화 후에 솔더 레지스트층 표면으로부터 플라스틱 필름을 박리하는 것이 곤란해지는 경우가 많기 때문이다. 이형 처리에 사용하는 이형제로서는 솔더 레지스트층 표면으로부터 플라스틱 필름이 박리 가능하다면 특히 한정되지 않고, 예를 들어, 불소계 이형제, 실리콘계 이형제, 알키드 수지계 이형제 등을 들 수 있다. 이형제는 다른 종류의 것을 혼합하여 사용하여도 좋다. 또한, 플라스틱 필름 표면은 매트 처리, 코로나 처리 등이 행해져 있어도 좋고, 상기 코로나 처리 표면 상에 또한 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 플라스틱 필름은 카본블랙 등의 카본분, 금속 화합물분, 금속분, 흑색 염료 등의 레이저 에너지 흡수성 성분을 함유하고 있어도 좋다. Moreover, it is preferable that the support body uses the plastic film by which the contact surface with a soldering resist layer was mold-released. This is generally because it is often difficult to peel the plastic film from the surface of the solder resist layer after thermal curing unless the release surface is subjected to the contact surface with the thermosetting resin composition layer of the plastic film serving as the support for the resin composition film. to be. The mold release agent used in the mold release treatment is not particularly limited as long as the plastic film can be peeled off from the surface of the solder resist layer, and examples thereof include a fluorine mold release agent, a silicone mold release agent, and an alkyd resin mold release agent. A mold release agent may mix and use different types of things. In addition, the matte process, corona treatment, etc. may be given to the plastic film surface, and the mold release process may be performed further on the said corona treatment surface. The plastic film may also contain laser energy absorbing components such as carbon powder such as carbon black, metal compound powder, metal powder and black dye.

플라스틱 필름의 두께(이형 처리된 플라스틱 필름의 경우는 이형층도 포함하는 총두께)는 10 내지 50μm의 범위가 바람직하고, 12 내지 45μm의 범위가 더욱 바람직하고, 16 내지 38μm의 범위가 특히 바람직하다. 플라스틱 필름의 두께가 10μm 미만에서는 회로 상의 평탄성이 저하하는 경향으로 되고, 50μm를 초과하면, 가격이 비싸지는 경향이 있다. 또, 이형 처리된 플라스틱 필름에서의 이형층의 두께는 0.05 내지 2μm가 바람직하다. The thickness of the plastic film (total thickness including the release layer in the case of a release-treated plastic film) is preferably in the range of 10 to 50 µm, more preferably in the range of 12 to 45 µm, particularly preferably in the range of 16 to 38 µm. . If the thickness of the plastic film is less than 10 µm, the flatness on the circuit tends to be lowered, and if it exceeds 50 µm, the price tends to be expensive. Moreover, as for the thickness of a mold release layer in a mold release processed plastic film, 0.05-2 micrometers is preferable.

드라이 필름형의 솔더 레지스트는 회로 기판으로의 적층을 행할 때 까지는 수지 조성물층을 덮어 보호하기 위한 보호 필름을 가지는 것이 바람직하다. 보호 필름은 수지 조성물층의 표면을 물리적 손상으로부터 지키고, 또한 먼지 등의 이물 부착을 방지하는 등의 이점이 있다. 이러한 보호 필름으로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐 등의 폴리올레핀, PET, PEN 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드 등의 필름을 들 수 있다. 또, 보호 필름에도, 지지 필름에 사용하는 플라스틱 필름과 마찬가지로, 매트 처리, 코로나 처리 외에, 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는 5 내지 30μm의 범위인 것이 바람직하다. It is preferable that a dry film-type soldering resist has a protective film for covering and protecting a resin composition layer until lamination | stacking on a circuit board. A protective film has the advantage of protecting the surface of a resin composition layer from physical damage, and preventing foreign material adhesion, such as dust. As such a protective film, films, such as polyolefin, such as polyethylene, a polypropylene, and polyvinyl chloride, polyester, such as PET and PEN, a polycarbonate (PC), and a polyimide, are mentioned. Moreover, in addition to a mat process and a corona treatment, the mold release process may be given to the protective film similarly to the plastic film used for a support film. It is preferable that the thickness of a protective film is the range of 5-30 micrometers.

드라이 필름형의 솔더 레지스트는 당업자에게 공지의 방법, 예를 들어, 광 경화성 수지 조성물 또는 열 경화성 수지 조성물의 바니쉬를 조제하고, 이 바니쉬를, 다이 코터 등을 사용하여, 지지체 위에 도포하고, 가열 또는 열풍 불기 등에 의해 유기 용제를 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The dry film solder resist is prepared by a method known to those skilled in the art, for example, a varnish of a photocurable resin composition or a thermosetting resin composition, and the varnish is applied onto a support using a die coater or the like, and heated or It can manufacture by drying an organic solvent by hot air blowing, etc., and forming a resin composition layer.

본 발명에 있어서, 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 회로 기판에 적층하고, 솔더 레지스트층을 형성하는 작업은 종래의 방법에 준하여 행할 수 있다. 예를 들어, 진공 라미네이터를 사용하여 제조할 수 있다. 수지 조성물 필름을, 감압 하에서, 가열 및 가압하고, 회로 기판에 접착성 필름을 라미네이트 한다. 라미네이트는 온도가 바람직하게는 60 내지 140℃, 압력이 바람직하게는 1 내지 11kgf/cm2(9.8×104 내지 107.9×104N/m2)의 범위에서 행해진다. 공기압은 바람직하게는 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압 하에서 행해진다. 라미네이트 공정 후에, 바람직하게는, 금속판에 의한 열 프레스에 의해, 라미네이트된 수지 조성물 필름의 평탄화를 행한다. 상기 평탄화 공정은 상압 하(대기압 하)에서, 가열된 SUS 경판(鏡板) 등의 금속판에 의해, 접착 시트를 가열 및 가압함으로써 행해진다. 가열 및 가압 조건은 상기 라미네이트 공정과 같은 조건을 사용할 수 있다. 상기 라미네이트 공정 및 평탄화 공정은 시판되어 있는 진공 라미네이터에 의해 연속적으로 행할 수 있다. 시판되어 있는 진공 라미네이터로서는 예를 들어, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 가압식 라미네이터, Nichigo-Morton Co., Ltd. 제조의 바큠어플리케이터 등을 들 수 있다. In this invention, the operation | work which laminates a dry film type soldering resist on a circuit board and forms a soldering resist layer can be performed according to the conventional method. For example, it can be manufactured using a vacuum laminator. The resin composition film is heated and pressed under reduced pressure, and an adhesive film is laminated on the circuit board. The lamination is preferably carried out at a temperature in the range of 60 to 140 ° C. and a pressure of preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ). Pneumatic pressure is preferably performed under reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. After the lamination step, the laminated resin composition film is preferably flattened by hot pressing with a metal plate. The said planarization process is performed by heating and pressurizing an adhesive sheet with metal plates, such as a heated SUS hard plate, under normal pressure (at atmospheric pressure). Heating and pressurization conditions may use the same conditions as the lamination process. The lamination step and the planarization step can be performed continuously by a commercially available vacuum laminator. Commercially available vacuum laminators include, for example, Meiki Co., Ltd. Vacuum Press Laminator, Nichigo-Morton Co., Ltd. Manufacture change application, etc. are mentioned.

본 발명에 있어서, 솔더 레지스트층의 두께는 10 내지 50μm가 바람직하고, 20 내지 40μm가 더욱 바람직하다. 솔더 레지스트층의 두께가 10μm 미만이면, 도체층의 두께에도 의하지만 회로 기판에 평탄하게 적층시키는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 50μm를 초과하면, 다층 프린트 배선판의 박형화에 적합하지 않는 경향이 있다. In this invention, 10-50 micrometers is preferable and, as for the thickness of a soldering resist layer, 20-40 micrometers is more preferable. If the thickness of the solder resist layer is less than 10 µm, the thickness of the conductor layer tends to be difficult to make it flat on the circuit board. If the thickness of the solder resist layer exceeds 50 µm, the thickness of the multilayer printed wiring board is not suitable.

회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성한 후, 한쪽 면의 포토 솔더 레지스트층(광 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층)에 개구부를 형성하기 위해서 노광·현상(리소그래피)을 행한다. 노광 공정에서는 개구부가 되는 부분만이 활성 에너지선을 통과하지 않도록 한 네거티브 마스크를 사용하여 활성 에너지선에 의한 노광이 행하여진다. 또한, 네거티브 마스크를 사용하지 않고 활성 에너지선의 빔으로 직접 묘화하여도 좋다. 노광 방법에는 네거티브 마스크를 회로 기판에 밀착하여 행하는 접촉 노광법과, 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법이 있지만, 어느 것을 사용하여도 상관없다. 자외선의 조사량은 대략 10 내지 1000mJ/cm2이다. After forming a soldering resist layer on both surfaces of a circuit board, exposure and image development (lithography) are performed in order to form an opening part in the photo soldering resist layer (solder resist layer formed from the photocurable resin composition) of one side. In an exposure process, exposure by an active energy ray is performed using the negative mask which only the part used as an opening part does not pass an active energy ray. In addition, you may draw directly by the beam of an active energy ray, without using a negative mask. The exposure method includes a contact exposure method in which a negative mask is brought into close contact with a circuit board, and a non-contact exposure method in which a negative light is exposed using parallel rays without being in close contact with each other. The irradiation amount of ultraviolet rays is approximately 10 to 1000 mJ / cm 2 .

노광 공정 후, 현상 공정에 들어간다. 현상 공정은 탄산나트륨 수용액, 수산화나트륨 수용액 등의 알칼리액을 현상액으로 하고, 스프레이, 침지 등의 수단으로 행하여지고, 미노광 부분이 용해, 팽윤, 박리 등의 작용으로 제거된다. After the exposure process, the development process is started. In the developing step, alkaline liquids such as aqueous sodium carbonate solution and aqueous sodium hydroxide solution are used as the developing solution, and the unexposed portion is removed by the action of dissolution, swelling, peeling, or the like.

노광 및/또는 현상 공정에 있어서, 레이저를 사용하여 개구하는 측의 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층은 롤러 등에 의한 흠이나 화학약품 등에 의한 손상을 피하기 위해서 필요에 따라서 보호 필름 등으로 보호하여도 좋다. 또한, 상기 솔더 레지스트층을 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성한 경우, 수지 조성물 필름의 지지체를 박리하지 않고, 그대로 노광이나 현상 공정에서 보호 필름으로서 사용하여도 좋다. In the exposure and / or developing step, the solder resist layer formed of the thermosetting resin composition on the side of opening using a laser may be protected with a protective film or the like as necessary in order to avoid damage by a roller or the like or damage by a chemical or the like. good. In addition, when the said soldering resist layer is formed from the dry-film soldering resist, you may use as a protective film in an exposure or image development process as it is, without peeling off the support body of a resin composition film.

현상 공정 후, 베이크 공정으로 들어간다. 베이크는 광 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층(포토 솔더 레지스트)의 포스트 베이크의 역할을 가지는 동시에, 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트를 열 경화하는 공정도 겸한다. 베이크는 열풍 노 또는 원적외선 노 등에서, 솔더 레지스트 중의 에폭시 수지 등의 열 경화 성분이 충분히 반응하는 온도, 시간으로 행하면 좋다. 사용하고 있는 솔더 레지스트의 종류에도 의하지만, 120 내지 200℃의 범위에서 30 내지 120분간 행하는 것이 바람직하다. After a developing process, it enters into a baking process. Bake has the role of post-baking of the soldering resist layer (photo soldering resist) formed from the photocurable resin composition, and also has the process of thermosetting the soldering resist formed from the thermosetting resin composition. Baking may be performed in a hot air furnace, a far-infrared furnace, or the like at a temperature and a time at which a thermosetting component such as an epoxy resin in a solder resist sufficiently reacts. Although based also on the kind of soldering resist used, it is preferable to carry out for 30 to 120 minutes in 120-200 degreeC.

베이크 후, 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층에 표면에 레이저광을 조사하여, 개구부를 형성한다. 개구부의 크기는 탑재하는 부품의 미세도에 따라서 선택되지만, 탑 직경 40 내지 100μm의 범위가 바람직하다. 레이저 광원으로서는 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있고, 가공성이나 비용면에서 탄산 가스 레이저가 바람직하게 사용된다. After baking, a laser beam is irradiated to the surface of the soldering resist layer formed from the thermosetting resin composition, and an opening part is formed. Although the size of an opening part is selected according to the fineness of the component to mount, the range of the tower diameter of 40-100 micrometers is preferable. As a laser light source, a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, an excimer laser, etc. are mentioned, A carbon dioxide gas laser is used preferably from a viewpoint of workability and cost.

탄산 가스 레이저 장치를 사용하는 경우, 9.3 내지 10.6μm의 파장의 레이저광을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 숏수는 형성해야 할 비어홀의 깊이, 구멍 직경에 따라서도 다르지만, 1 내지 10숏 사이에서 선택되는 것이 바람직하다. 비어 가공 속도를 빠르게 하고, 회로 기판의 생산성을 향상시키는 관점에서, 숏수는 적은 쪽이 바람직하고, 1 내지 5숏인 것이 바람직하며, 1 내지 3숏인 것이 더욱 바람직하다. 탄산 가스 레이저 장치를 사용하는 경우의 레이저광의 에너지는 숏수, 블라인드 비어의 깊이, 금속막층의 두께, 이형층의 두께에도 의하지만, 바람직하게는 0.5mJ 이상으로 설정되고, 더욱 바람직하게는 1mJ 이상, 더욱 더 바람직하게는 2mJ 이상으로 설정된다. 상한은 20mJ 이하가 바람직하고, 15mJ 이하가 더욱 바람직하고, 10mJ 이하가 더욱 더 바람직하고, 5mJ 이하가 가장 바람직하다. 레이저광의 에너지가 지나치게 높으면, 비어홀의 하지 도체층이 손상을 받기 쉬워지기 때문에, 숏수에 따라서, 상기 범위에서 최적의 에너지값을 선택하는 것이 바람직하다. 또, 복수의 숏으로 가공하는 경우, 연속적인 숏인 버스트 방식(burst mode)은 구멍 내에 가공 열이 가득 차고, 비어 가공성에 차가 생기기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 시간적 간격을 갖게 한 복수 숏인, 사이클 모드가 바람직하다. When using a carbon dioxide gas laser apparatus, it is preferable to use the laser beam of the wavelength of 9.3-10.6 micrometers. The number of shots also varies depending on the depth of the via hole to be formed and the hole diameter, but is preferably selected from 1 to 10 shots. From the viewpoint of increasing the via processing speed and improving the productivity of the circuit board, the number of shots is preferably smaller, preferably 1 to 5 shots, and more preferably 1 to 3 shots. The energy of the laser light in the case of using the carbon dioxide laser device is based on the number of shots, the depth of the blind via, the thickness of the metal film layer, and the thickness of the release layer, but is preferably set to 0.5 mJ or more, more preferably 1 mJ or more, Even more preferably, it is set to 2 mJ or more. The upper limit is preferably 20 mJ or less, more preferably 15 mJ or less, still more preferably 10 mJ or less, and most preferably 5 mJ or less. If the energy of the laser light is too high, the underlying conductor layer of the via hole is liable to be damaged. Therefore, it is preferable to select an optimal energy value in the above range according to the number of shots. In the case of processing into a plurality of shots, the burst mode, which is a continuous shot, is a plurality of shots having a time interval because the processing heat is filled in the holes and tends to cause a difference in via workability. Is preferred.

조사에 사용되는 레이저광의 펄스 폭은 특히 한정되지 않고, 28μs의 미들 레인지로부터 4μs 정도의 단펄스까지 넓은 범위에서 선택 가능하지만, 일반적으로 고에너지의 소직경 가공의 경우, 단펄스 쪽이 비어 가공 형상이 우수하게 되어 있다. 또한, 시판되는 탄산 가스 레이저 장치로서는 예를 들어, Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics, Ltd. LC-G시리즈, 마츠시타 용접 시스템(주) 기판 천공 레이저 가공기 등을 들 수 있다. The pulse width of the laser beam used for irradiation is not particularly limited and can be selected in a wide range from a middle range of 28 μs to a short pulse of about 4 μs, but in general, in the case of high-diameter small diameter machining, the short pulse side has a via processing shape. This is excellent. In addition, as a commercially available carbon dioxide gas laser apparatus, for example, Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics, Ltd. LC-G series, Matsushita Welding System Co., Ltd. board | substrate drilling laser processing machine, etc. are mentioned.

솔더 레지스트층으로의 개구의 형성 후, 스미어(smear)의 제거 및 언더필의 젖음 성분 개선을 목적으로서 양면 또는 한면에 필요에 따라서 디스미어 처리가 행해진다. 본 발명에서의 디스미어(desmear) 처리는 공지의 각종 방법에 의해 행할 수 있고, 바람직하게는 일반적으로 사용되는 플라즈마에 의한 건식법과, 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제 용액을 사용하는 습식법을 사용할 수 있다. After formation of the openings in the solder resist layer, desmear treatment is performed on both sides or one side as necessary for the purpose of removing smear and improving the wettability of the underfill. The desmear process in this invention can be performed by various well-known methods, Preferably the dry method by plasma generally used and the wet method using the oxidizer solution, such as alkaline permanganic acid solution, can be used.

플라즈마 디스미어 장치로서는 Ebara-Udylite Co., Ltd. 제조의 「대해(大海)」, Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 상압 플라즈마 처리 장치 등, 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. As the plasma desmear apparatus, Ebara-Udylite Co., Ltd. Sea of manufacture, Sekisui Chemical Co., Ltd. A commercially available one can be used, such as the atmospheric pressure plasma processing apparatus of manufacture.

알칼리성 과망간산 수용액 등의 산화제로 디스미어 처리하는 경우, 처리에 앞서 팽윤액에 의한 팽윤 처리를 하는 것이 바람직하다. 팽윤액에는 예를 들어, Atotech Japan(주) 제조의 스웰링·딥·세큐리건스 P(Swelling Dip Securiganth P), 스웰링·딥·세큐리건스 SBU(swelling Dip Securiganth SBU) 등을 들 수 있다. 팽윤 처리는 60 내지 80℃로 가열한 팽윤액에 절연층을 5 내지 10분 첨가함으로써 행하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액으로서는 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨이나 과망간산 나트륨을 용해한 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 수용액에 의한 조화(roughening) 처리는 60 내지 80℃, 10 내지 30분 첨가함으로써 행하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액은 시판품으로서는 Atotech Japan(주) 제조의 콘센트레이트 콤팩트 CP, 도이징솔류션 세큐리건스 P 등을 들 수 있다. In the case of desmear treatment with an oxidizing agent such as an aqueous alkaline permanganate solution, it is preferable to perform a swelling treatment with a swelling liquid prior to the treatment. Examples of the swelling liquid include swelling dip Securiganth P (Swelling Dip Securiganth P), Swelling Dip Securiganth SBU (manufactured by Atotech Japan), and the like. . It is preferable to perform a swelling process by adding an insulating layer for 5 to 10 minutes to the swelling liquid heated at 60-80 degreeC. As alkaline aqueous permanganate solution, the solution which melt | dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned, for example. It is preferable to perform roughening process by alkaline permanganic acid aqueous solution by adding 60 to 80 degreeC for 10 to 30 minutes. Examples of commercially available aqueous alkaline permanganic acid include Agate Tech Compact CP, Dosing Solution Securigans P and the like manufactured by Atotech Japan.

디스미어의 공정에 있어서, 노광·현상을 사용하여 개구하는 측의 솔더 레지스트층(회로 기판의 한쪽 면에 형성한 솔더 레지스트층)은 롤러 등에 의한 흠이나 화학약품 등에 의한 손상을 피하기 위해서 필요에 따라서 보호 필름 등으로 보호하여도 좋다. In the desmear process, the solder resist layer (the solder resist layer formed on one side of the circuit board) on the side that is opened by exposure and development is used as necessary to avoid damage caused by rollers or the like, or chemicals. You may protect with a protective film.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또, 이하의 기재에 있어서 재료의 배합량을 의미할 때에 사용하는 「부(部)」는 「질량부」를 의미한다. 용융 점도는 (주)유·비·엠사 제조의 형식 Rheosol-G3000을 사용하여, 동적 점탄성을 측정하였다. 측정은 초기 온도 60℃로부터 승온 속도 5℃/분으로, 측정 간격 온도 2.5℃, 진동수 1Hz/deg로 측정하였다. Hereinafter, an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated further more concretely. In addition, in the following description, the "part" used when it means the compounding quantity of a material means a "mass part." The melt viscosity measured the dynamic viscoelasticity using the type | mold Rheosol-G3000 by Yu B. Co., Ltd. make. The measurement was measured at a temperature increase rate of 5 ° C./min from the initial temperature of 60 ° C., at a measurement interval temperature of 2.5 ° C. and at a frequency of 1 Hz / deg.

(수지 용액(A)의 합성예)(Synthesis example of resin solution (A))

에틸카비톨아세테이트 411부, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 215, 1분자 중에 평균하여 6개의 페놀핵을 가짐) 430부, 및 아크릴산 144부를 플라스크에 넣고, 교반 하 120℃에서 10시간 반응시켰다. 일단 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 무수 테트라하이드로 프탈산 288.8부를 더하여, 80℃로 가열하여 4시간 교반하였다. 재차 이 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 글리시딜메타크릴레이트 105부 및 프로필렌글리콜메틸에텔아세테이트 161부를 가하여, 교반 하 110℃에서 6시간 반응시켰다. 이 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 수지 용액(A)(불휘발분 62.9%, 산가 70[KOHmg/g])을 얻었다. 411 parts of ethyl carbitol acetate, 430 parts of o-cresol novolak-type epoxy resin (epoxy equivalent 215, having 6 phenol nuclei on average in 1 molecule), and 144 parts of acrylic acid were placed in a flask, and stirred at 120 ° C. for 10 hours. Reacted. The reaction product was cooled to room temperature once, 288.8 parts of tetrahydro phthalic anhydride were added, it heated at 80 degreeC, and stirred for 4 hours. Again, this reaction product was cooled to room temperature, 105 parts of glycidyl methacrylate and 161 parts of propylene glycol methyl ether acetate were added, and the mixture was reacted at 110 ° C for 6 hours under stirring. This reaction product was cooled to room temperature to obtain a resin solution (A) (62.9% nonvolatile content, acid value 70 [KOHmg / g]).

(광 경화성 수지 조성물 필름(1)의 제조예)(Manufacture example of photocurable resin composition film (1))

수지 용액(A) 100부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 291, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC-3000H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 18부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 277, DIC Corporation 제조의 「EPICLON HP-7200H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 18부, 광중합 개시제(치바·스페셜리티·케미컬(주) 제조의 「2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온」) 7부, 광증감제(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「2,4-디에틸티옥산톤」) 1부, 아크릴 단량체(Toagosei Co., Ltd. 제조의 「M-310」) 16부, 경화 촉진제(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피큐아 DICY-7」) 0.5부, 미분 실리카(Nippon Aerosil Co., Ltd. 제조의 「아에로질#200」) 2부, 구상 실리카(Fusou Chemical Co., Ltd. 제조의 「쿼토론 SP-1」) 10부, 안료((Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.)「FG7351」) 0.5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 광 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. 100 parts of resin solution (A), 18 parts of ethyl carbitol acetate solutions of 70% of solid content of diphenylpentadiene of biphenyl-type epoxy resin (epoxy equivalent 291, "NC-3000H" by Nippon Kayaku Co., Ltd. product) 18 parts of ethyl carbitol acetate solutions of 70% of solid content of type epoxy resin (epoxy equivalent 277, "EPICLON HP-7200H" by DIC Corporation), photoinitiator ("2-methyl-" of Chiba Specialty Chemical Co., Ltd. product) 7 parts of [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone], photosensitizer ("2, 4- diethyl thioxanthone" of Nippon Kayaku Co., Ltd.) 1 part, 16 parts of acrylic monomers ("M-310" made by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 parts of hardening accelerators ("Epicure DICY-7" made by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), finely divided silica ( 2 parts of "Aerosil # 200" manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., 10 parts of spherical silica ("Quartron SP-1" manufactured by Fusou Chemical Co., Ltd.), and a pigment ((Toyo Ink Mfg) Co., Ltd.) 「FG7351」) 0.5 parts , Uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a photocurable resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 한면에 알키드 수지로 이형 처리된 25μm의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET25-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27μm로 되도록 도포하고, 열풍 순환형 건조기에서 80℃, 20분간 예비 건조 후, 보호 필름으로서, 두께 15μm의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 필름(광 경화성 수지 조성물 필름(1))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 540poise, 최저 용융 온도는 148℃이었다. The varnish was applied to a release treated surface of a 25 μm release PET film (Lintec Corporation, PET25-AL-5) release-treated with an alkyd resin on one side, so that the thickness of the resin composition layer after drying was 27 μm, and hot air circulation After predrying at 80 ° C. for 20 minutes in a mold dryer, the film was wound in a roll while bonding a polypropylene film having a thickness of 15 μm as a protective film. The roll-shaped adhesive film was slitted at a width of 507 mm to obtain a film (photocurable resin composition film (1)) having a size of 507 × 336 mm. The minimum melt viscosity of the obtained film was 540 poise, and the minimum melt temperature was 148 degreeC.

(광 경화성 수지 조성물 필름(2)의 제조예)(Manufacture example of photocurable resin composition film (2))

수지 용액(A) 100부, 액상 비스 페놀F형 에폭시 수지(에폭시 당량 170, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트807」) 13부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 277, DIC Corporation 제조의 「EPICLON HP-7200H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 12부, 광중합 개시제(치바·스페셜리티·케미컬(주) 제조의 「2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온」) 7부, 광증감제(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「2,4-디에틸티옥산톤」) 1부, 아크릴 단량체(Toagosei Co., Ltd. 제조의 「M-310」) 16부, 경화 촉진제(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피큐아 DICY-7」) 0.5부, 미분 실리카(제조의 「아에로질#200」) 2부, 구상 실리카(Fusou Chemical Co., Ltd. 제조의 「쿼토론 SP-1」) 10부, 안료(Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 「FG7351」) 0.5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 광 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. 100 parts of resin solution (A), 13 parts of liquid bisphenol F-type epoxy resins (epoxy equivalent 170, "Epicoat 807" by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), dicyclopentadiene type epoxy resin (epoxy equivalent 277 , 12 parts of ethylcarbitol acetate solution of 70% of solid content of "EPICLON HP-7200H" made by DIC Corporation), photoinitiator ("2-methyl- [4- (methylthio) by Chiba Specialty Chemical Co., Ltd. make) Phenyl] -2-morpholino-1-propanone ") 7 parts, a photosensitizer (" 2, 4- diethyl thioxanthone "by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 1 part, an acrylic monomer (Toagosei 16 parts of "M-310" made by Co., Ltd., 0.5 parts of hardening accelerators ("Epicure DICY-7" made by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), finely divided silica (made "aerosil # 200 '') 2 parts, spherical silica ("Quoronon SP-1" manufactured by Fusou Chemical Co., Ltd.), 0.5 parts of pigment (Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. "FG7351") are mixed, Evenly distributed with high speed rotary mixer To prepare a resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 한면에 알키드 수지로 이형 처리된 25μm의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET25-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27μm로 되도록 도포하고, 열풍 순환형 건조기에서 80℃, 20분간 예비 건조 후, 보호 필름으로서, 두께 15μm의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤 형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(광 경화성 수지 조성물 필름(2))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 120poise, 최저 용융 온도는 128℃이었다. The varnish was applied to a release treated surface of a 25 μm release PET film (Lintec Corporation, PET25-AL-5) release-treated with an alkyd resin on one side, so that the thickness of the resin composition layer after drying was 27 μm, and hot air circulation After preliminary drying for 20 minutes in 80 degreeC with a type | mold dryer, it wound up in roll shape, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film as a protective film. The roll-shaped adhesive film was slitted at a width of 507 mm to obtain a sheet-shaped adhesive film (photocurable resin composition film (2)) having a size of 507 × 336 mm. The minimum melt viscosity of the obtained film was 120 poise and the minimum melt temperature was 128 degreeC.

(열 경화성 수지 조성물 필름(3)의 제조예)(Production example of thermosetting resin composition film (3))

액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트 828EL」) 26부와, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(에폭시 당량 163, DIC Corporation 제조의 「HP4700」) 20부를 메틸에틸케톤 15부와 시클로헥사논 15부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기로, 페놀 노볼락계 경화제 (DIC Corporation 제조의 「TD2090」, 페놀성 하이드록실기 당량 105)의 고형분 60%의 메틸에틸케톤 용액 25부, 경화 촉진제(Shikoku Chemicals Corporation 제조, 「2E4MZ」) 0.1부, 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5μm, 「SOC2」Admatechs Company Limited 제조) 45부, 폴리비닐부티랄 수지 용액(Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 「KS1」의 고형분 15%의 에탄놀과 톨루엔의 1:1 용액) 20부, 페녹시 수지 용액(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「FX293」의 고형분 40%의 메틸에틸케톤과 시클로헥사논 2:3 용액) 23부를 혼합하여, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 열 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. 26 parts of liquid bis phenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "epoch 828EL" made by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, "HP4700" made by DIC Corporation) ) 20 parts were dissolved by heating in 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone while stirring. There, 25 parts of methyl ethyl ketone solutions of 60% of solid content of the phenol novolak-type hardening | curing agent ("TD2090" made by DIC Corporation, phenolic hydroxyl group equivalent 105), a hardening accelerator ("2E4M '" made by Shikoku Chemicals Corporation) 0.1 Part, 45 parts of spherical silica (average particle diameter: 0.5 micrometer, made by "SOC2" Admatechs Company Limited), ethanol and toluene of 15% of solid content of polyvinyl butyral resin solution ("KS1" made by Sekisui Chemical Co., Ltd.) 1 part solution) and 20 parts phenoxy resin solution (23 parts of 40% of methyl ethyl ketone and cyclohexanone 2: 3 solution of 40% of solid content of "FX293" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) It disperse | distributed uniformly with the mixer and the thermosetting resin composition varnish was produced.

상기 바니쉬를, 38μm의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET38-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27μm로 되도록 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조하였다 (수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 1.5질량%). 그 다음에, 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서, 두께 15μm의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(열 경화성 수지 조성물 필름(3))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 3310poise, 최저 용융 온도는 135℃이었다. The varnish was uniformly applied to a mold release surface of a 38 μm release PET film (Lintec Corporation, PET38-AL-5) with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 27 μm, and was 80 to 120 ° C ( It dried at average 100 degreeC) for 6 minutes (amount of residual solvent in resin composition layer: 1.5 mass%). Then, it wound in the roll shape, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film as a protective film on the surface of a resin composition layer. The roll-shaped adhesive film was slitted at a width of 507 mm to obtain a sheet-shaped adhesive film (thermal curable resin composition film (3)) having a size of 507 × 336 mm. The minimum melt viscosity of the obtained film was 3310 poise, and the minimum melt temperature was 135 ° C.

(열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 제조예)(Production example of thermosetting resin composition film (4))

액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트828EL」) 26부와, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(에폭시 당량 163, DIC Corporation 제조의 「HP4700」) 20부를 메틸에틸케톤 15부와 시클로헥사논 15부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기로, 페놀 노볼락계 경화제(DIC Corporation 제조의 「TD2090」, 페놀성 하이드록실기 당량 105)의 고형분 60%의 메틸에틸케톤 용액 25부, 경화 촉진제(Shikoku Chemicals Corporation 제조, 「2E4MZ」) 0.5부, 구형(球形) 실리카(평균 입자 직경 0.5μm, 「SOC2」 Admatechs Company Limited 제) 45부, 폴리비닐부티랄 수지 용액(Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 「KS1」의 고형분 15%의 에탄놀과 톨루엔의 1:1 용액) 40부, 페녹시 수지 용액(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「FX293」의 고형분 40%의 메틸에틸케톤과 시클로헥사논 2:3 용액) 46부를 혼합하여, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 열 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. 26 parts of liquid bisphenol A-type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "epoch 828EL" made by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) and naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, "HP4700" made by DIC Corporation) ) 20 parts were dissolved by heating in 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone while stirring. There, 25 parts of methyl ethyl ketone solutions of 60% of solid content of phenol novolak-type hardener ("TD2090" made by DIC Corporation, phenolic hydroxyl group equivalent 105), hardening accelerator (manufactured by Shikoku Chemicals Corporation, "2E4M '") 0.5 45 parts of spherical and spherical silica (average particle diameter: 0.5 µm, manufactured by "SOC2" Admatechs Company Limited), ethane of 15% solid content of polyvinyl butyral resin solution ("KS1" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) 40 parts of a 1: 1 solution of knol and toluene) and 46 parts of a phenoxy resin solution (40% of methyl ethyl ketone and cyclohexanone 2: 3 solution of 40% solids of FX293 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) It uniformly disperse | distributed with the high speed rotary mixer, and produced the thermosetting resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 38μm의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET38-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27μm로 되도록 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조하였다 (수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 1.5질량%). 그 다음에, 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서, 두께 15μm의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(열 경화성 수지 조성물 필름(4))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 13210poise, 최저 용융 온도는 135℃이었다. The varnish was uniformly applied to a release treatment surface of a 38 μm release PET film (Lintec Corporation, PET38-AL-5) with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 27 μm, and was 80 to 120 ° C ( It dried at average 100 degreeC) for 6 minutes (amount of residual solvent in resin composition layer: 1.5 mass%). Then, it wound in the roll shape, bonding a 15-micrometer-thick polypropylene film as a protective film on the surface of a resin composition layer. The roll-shaped adhesive film was slitted at a width of 507 mm to obtain a sheet-shaped adhesive film (heat curable resin composition film (4)) having a size of 507 × 336 mm. The minimum melt viscosity of the obtained film was 13210 poise, and the minimum melt temperature was 135 ° C.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(1) 및 상기 열 경화성 수지 조성물 필름(3)(각각 507×336mm 사이즈)의 보호 필름을 박리하고, 이들을, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 70℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로, 회로 형성된 동장(銅張) 적층판(회로 도체 두께 18μm, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 각각 한면에 배치하고, 양면을 동시에 라미네이트 하였다. 또한 연속적으로 온도 70℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 열 프레스 후의 PET 필름 단면으로부터 동장 적층판 외주단으로의 광 경화성 수지 조성물 필름(1)의 수지의 밀려나옴은 0.67mm이고, 열 경화성 수지 조성물 필름(3)의 수지의 밀려나옴은 0.18mm이었다. The protective film of the said photocurable resin composition film 1 and the said thermosetting resin composition film 3 (each size 507 * 336mm) is peeled off, and these are removed from Meiki Co., Ltd. The copper lamination board (circuit conductor thickness 18 micrometers, external size 510 * 340mm, thickness 0.2mm) formed in a circuit by conditions of the temperature of 70 degreeC, the pressure of 7 kgf / cm <2> , and the atmospheric pressure of 5 mmHg or less by the vacuum laminator of manufacture, respectively. It arrange | positioned on one side and laminated both surfaces simultaneously. Moreover, the hot press by the SUS hard plate was performed on the conditions of the temperature of 70 degreeC, and the pressure of 5 kgf / cm <2> continuously. The extrusion of the resin of the photocurable resin composition film 1 from the PET film cross section after the hot press to the outer peripheral layer of the copper clad laminate was 0.67 mm, and the extrusion of the resin of the thermosetting resin composition film 3 was 0.18 mm.

다음으로, 광 경화성 수지 조성물 필름(1)에 대하여, 직경 600μm의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하고, 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 200mJ/cm2 노광하여 광경화를 행하였다. 다음에, 광 경화성 수지 조성물 필름(1)측의 PET 필름을 박리한 후, 1.0% 탄산나트륨 수용액(액체 온도 30℃)의 현상액에 사용하여, 2kg/cm2의 스프레이압으로 60초간 현상하고, 미노광 부분을 용해 제거하고, 또한 노광 부분을 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 1000mJ/cm2 노광하여 광경화하였다. 그 다음에, 열 경화성 수지 조성물 필름(3)측의 PET 필름을 박리한 후, 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. Next, with respect to the photocurable resin composition film 1, the photomask which gave the circular pattern of 600 micrometers in diameter was fixed, and it was 200mJ / cm <2> using a high pressure mercury lamp exposure apparatus. It exposed and photocured. Next, after peeling the PET film of the photocurable resin composition film 1 side, it uses for developing solution of 1.0% sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 30 degreeC), and develops for 60 second by the spray pressure of 2 kg / cm <2> , The light portion was dissolved and removed, and the exposed portion was photocured by exposure to 1000 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp exposure apparatus. Then, after peeling off the PET film on the thermosetting resin composition film 3 side, it heated at 180 degreeC for 60 minutes, and performed thermosetting.

실온까지 냉각한 후, 열 경화성 수지 조성물 필름(3) 유래의 경화물층을 형성하고 있는 면에 Mitsubishi Electric Corporation 제조의 탄산 가스 레이저 장치(ML605GTWII-P)에 의해, 레이저광의 파장 9.3μm, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs, 숏수 1회인 조건으로 개구를 하여, 비어홀(탑 직경 60μm)을 형성하였다. After cooling to room temperature, the carbon dioxide laser device (ML605GTWII-P) by Mitsubishi Electric Corporation made on the surface which forms the hardened | cured material layer derived from the thermosetting resin composition film 3, the wavelength of a laser beam is 9.3 micrometers, energy 2.50. An opening was made under the conditions of mJ, pulse width of 4 mus, and the number of shots once, to form a via hole (top diameter of 60 mu m).

이렇게 하여 양면에 솔더 레지스트를 형성한 후의 기판을 ESPEC Corp. 제조의 액조(液槽) 냉열 충격 시험 장치(TSB-51)를 사용하여, 저온조 온도 -65℃, 고온조 온도 150℃, 노출 시간 각 5분, 1000사이클의 조건에서 열 충격 시험을 행하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 양면의 솔더 레지스트에는 어느 것에도 균열의 발생은 확인되지 않았다. In this way, the board | substrate after forming a soldering resist on both surfaces was made into ESPEC Corp. Using a liquid bath cold impact test apparatus (TSB-51) manufactured, a thermal shock test was conducted under conditions of a low temperature bath temperature of -65 ° C, a high temperature bath temperature of 150 ° C, an exposure time of 5 minutes and 1000 cycles, The presence of cracks was examined. No crack was found in any of the solder resists on both sides.

<비교예 1>Comparative Example 1

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(1)을 2매 준비하고, 양쪽의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판(회로 도체 두께 18μm, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 양면에 가(假)부착하고, Nichigo-Morton Co., Ltd. 제조의 바큠 애플리케이터에 의해, 70℃에서 열 압착하였다. 다음에 한면에 직경 60μm의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하여 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 200mJ/cm2 노광하고, 광경화를 행하였다. 또 다른 한쪽 면에는 직경 600μm의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하여 마찬가지로 광경화를 행하였다. 양면의 PET 필름을 벗겨낸 후, 0.85% 수산화나트륨 수용액(액체 온도 30℃)을 현상액에 사용하고, 2kg/cm2의 스프레이압으로 60초간 현상하고, 미노광 부분을 용해 제거하고, 개구부를 형성하였다. 그 후, 노광 부분을 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 1000mJ/cm2 노광하여 광경화하고, 또한 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. 그 후, 상기 실시예 1과 마찬가지로 열 충격 시험을 행하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 직경 600μm의 개구부를 가지는 측에서는 균열이 관찰되지 않았지만, 직경 60μm의 개구부의 부근에서 균열이 관찰되었다. Two photocurable resin composition films 1 were prepared, both protective films were peeled off, and both sides of the copper-clad laminate (circuit conductor thickness 18 μm, outline size 510 × 340 mm, thickness 0.2 mm) formed on a circuit were temporarily added. And Nichigo-Morton Co., Ltd. It thermocompression-bonded at 70 degreeC with the manufacturing applicator. Next, the photomask which gave the circular pattern of 60 micrometers in diameter was fixed to one side, 200mJ / cm <2> exposure was performed using the high pressure mercury lamp exposure apparatus, and photocuring was performed. On the other side, the photomask which gave the circular pattern of 600 micrometers in diameter was fixed, and photocuring was similarly performed. After peeling off both sides of the PET film, 0.85% aqueous sodium hydroxide solution (liquid temperature: 30 ° C) was used for the developer, followed by development for 60 seconds at a spray pressure of 2 kg / cm 2 , dissolving and removing the unexposed portions, and forming an opening. It was. Thereafter, the exposed portion was photocured by exposure to 1000 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp exposure apparatus, and further heated at 180 ° C. for 60 minutes to perform thermal curing. Then, the thermal shock test was done similarly to the said Example 1, and the presence or absence of the occurrence of a crack was investigated. Although no crack was observed on the side having an opening having a diameter of 600 µm, a crack was observed in the vicinity of the opening having a diameter of 60 µm.

<비교예 2>Comparative Example 2

상기 열 경화성 수지 조성물 필름(3)을 2매 준비하고, 양쪽의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판(회로 도체 두께 18μm, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 양면에 가부착하고, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 100℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 양면에 라미네이트 하고, 또한 연속적으로 온도 100℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 그 후, PET 필름을 박리한 후, 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. 실온까지 냉각한 후, 한면에 Mitsubishi Electric Corporation 제조의 탄산 가스 레이저 장치(ML605GTWII-P)에 의해, 레이저광의 파장 9.3μm, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs, 숏수 1회인 조건으로 개구를 행하고, 비어홀(탑 직경 60μm)을 형성하였다. 또 다른 한쪽 면에는 탑 직경 600μm의 개구를 목표로 하여, 레이저광의 파장 9.3μm, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs인 조건으로 10숏 조사를 행하였지만 목적으로 하는 개구부를 얻을 수는 없었다. 그 후 상기 실시예 1과 마찬가지로 열 충격 시험을 하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 어느 면의 솔더 레지스트에도 균열의 발생은 확인되지 않았다. Two thermally curable resin composition films 3 were prepared, and both protective films were peeled off, and they were temporarily attached to both surfaces of a copper-clad laminate (circuit conductor thickness 18 μm, external size 510 × 340 mm, thickness 0.2 mm) formed with a circuit, and Meiki. Co., Ltd. By means of a vacuum laminator for manufacturing, temperature 100 ℃, pressure 7kgf / cm 2, pressure laminate on both sides, and under the conditions of 5mmHg below also conditions of continuous temperature 100 ℃, Pressure 5kgf / cm 2 for hot press according to the SUS hard decision It was done. Then, after peeling a PET film, it heated at 180 degreeC for 60 minutes, and thermosetted it. After cooling to room temperature, an opening was performed on one surface by a carbon dioxide gas laser device (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation under conditions such that the wavelength of the laser beam was 9.3 μm, energy 2.50 mJ, pulse width 4 μs, and the number of shots once. Column diameter 60 µm). On the other side, 10 shots were irradiated on the condition of an aperture having a tower diameter of 600 µm under the conditions of a wavelength of 9.3 µm, an energy of 2.50 mJ, and a pulse width of 4 µs of the laser beam, but the target aperture could not be obtained. Thereafter, a thermal shock test was conducted in the same manner as in Example 1, and the presence or absence of crack occurrence was examined. No crack was found in any of the solder resists on either side.

<비교예 3>Comparative Example 3

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(2) 및 상기 열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 각각의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판 (회로 도체 두께 18μm, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 각각 한면에 배치하고, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 70℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 양면을 동시에 라미네이트하였다. 또한 연속적으로 온도 70℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 수지의 밀려나옴은 0.17mm이고, 광 경화성 수지 조성물 필름(2)의 수지의 밀려나옴은 3.10mm이었다. 수지의 밀려나옴이 크기 때문에, 적절하게 솔더 레지스트를 형성할 수 없는 시점에서 실험을 종료하였다. Each of the said protective film of the said photocurable resin composition film 2 and the said thermosetting resin composition film 4 was peeled off, and each of the copper clad laminated boards (circuit conductor thickness 18 micrometers, external size 510 * 340mm, thickness 0.2mm) which were formed in a circuit Placed on one side, Meiki Co., Ltd. Both sides were laminated simultaneously by the vacuum laminator of manufacture on the conditions of the temperature of 70 degreeC, the pressure of 7 kgf / cm <2> , and the atmospheric pressure of 5 mmHg or less. Moreover, the hot press by the SUS hard plate was performed on the conditions of the temperature of 70 degreeC, and the pressure of 5 kgf / cm <2> continuously. The extruded resin of the thermosetting resin composition film 4 was 0.17 mm, and the extruded resin of the photocurable resin composition film 2 was 3.10 mm. Since the resin was largely pushed out, the experiment was terminated when the solder resist could not be formed properly.

이상의 결과를 정리한 것이 하기의 표 1이다. The following results are summarized in Table 1 below.

개구부 형성 프로세스에서의 합격 여부 판정은 수지의 제거 상태를 주사형 전자현미경(Hitachi High-Technologies Corporation 제조의 SU-1500)을 사용하여 SEM 관찰 및 BSE 관찰을 하여 판단하여, 개구부의 바닥에 하지의 회로의 구리가 보이면 합격(○)으로 하고, 수지가 제거되지 않고 하지의 회로의 구리가 보이지 않는 경우는 불합격(×)으로 하였다. The passability determination in the opening forming process is performed by SEM observation and BSE observation using a scanning electron microscope (SU-1500 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) to determine the removal state of the resin, and the bottom circuit of the opening When copper was seen, it was set as pass ((circle)), and when resin was not removed and copper of the underlying circuit is not seen, it was set as rejected (x).

또, 냉열 충격 후의 균열의 합격 여부 판정은 CCD형 현미경(Keyence Corporation 제조, VHX-900)을 사용하여 관찰하여 균열의 유무에 따라 판단하여, 균열이 하나도 발생하지 않으면 합격(○)으로 하고, 균열이 하나라도 발생한 경우는 불합격(×)으로 하였다. In addition, the determination of the acceptance of the crack after the cold shock was observed using a CCD microscope (VHX-900, manufactured by Keyence Corporation) and judged according to the presence or absence of a crack. When any one of these occurred, it was set as fail (x).

Figure pat00001
Figure pat00001

본 발명에 의해, 반도체 칩 등과의 땜납 접합 등을 목적으로 하는 미소 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층의 고내열화와, 마더보드 등의 회로나 전자부품과의 접속을 위한 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성의 효율화를 양립할 수 있다. According to the present invention, a high heat resistance of a solder resist layer forming an opening having a small opening diameter for solder bonding with a semiconductor chip or the like, and a relatively large opening diameter for connection with a circuit or an electronic component such as a motherboard The efficiency of opening formation in the soldering resist layer which forms an opening can be made compatible.

본 출원은 일본에서 출원된 특원 2009-105100을 기초로 하고, 그 내용은 본명세서에 모두 포함된다. This application is based on Japanese Patent Application No. 2009-105100 filed in Japan, the contents of which are included in the present specification.

Claims (8)

회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법. Solder resist layers are formed on both sides of the circuit board, the openings are formed by the photolithography in the solder resist layer formed on one side, and the openings are formed by the laser in the solder resist layer formed on the other side. The manufacturing method of the printed wiring board to say. 제 1 항에 있어서, 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 광 경화성 수지 조성물로 이루어지고, 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 프린트 배선판의 제조 방법. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 in which the soldering resist layer which performs opening formation by photolithography consists of a photocurable resin composition, and the soldering resist layer which performs opening formation by a laser consists of a thermosetting resin composition. 제 2 항에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 함께 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 사용하여 형성하는 프린트 배선판의 제조 방법. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 2 which forms the soldering resist layer formed in one side and the other side of a circuit board using the resin composition film which formed the resin composition layer on the support body together. 제 3 항에 있어서, 진공 라미네이터를 사용하는 라미네이트 처리와 이것에 계속되는 열 프레스에 의한 평탄화 처리에 의해, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 일괄적으로 형성하는 프린트 배선판의 제조 방법. 4. The printed wiring board according to claim 3, wherein the solder resist layer formed on one side and the other side of the circuit board is collectively formed by a lamination process using a vacuum laminator and a planarization process by a heat press subsequent thereto. Manufacturing method. 제 4 항에 있어서, 광 경화성 수지 조성물 및 열 경화성 수지 조성물의 양쪽의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한 양자의 최저 용융 점도의 비가 0.01 내지 100인 프린트 배선판의 제조 방법. The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 4 whose minimum melt temperature of both a photocurable resin composition and a thermosetting resin composition exists in the range of 80 degreeC-160 degreeC, and ratio of the minimum melt viscosity of both is 0.01-100. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 포토리소그래피에 의한 개구부 형성 후, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 베이크 공정과 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 열 경화 공정을 동시에 행하고, 그 후, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 레이저로 개구부를 형성하는 프린트 배선판의 제조 방법. The baking process of the soldering resist layer which consists of photocurable resin compositions, and the thermosetting resin composition of Claim 2 to 5 after formation of the opening part by photolithography of the soldering resist layer which consists of photocurable resin compositions. The thermosetting process of the soldering resist layer which consists of simultaneously is performed, and the manufacturing method of the printed wiring board which forms an opening part with a laser in the soldering resist layer which consists of a thermosetting resin composition after that. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 프린트 배선판이, 반도체 패키지 기판인 프린트 배선판의 제조 방법. The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 1-6 whose printed wiring board is a semiconductor package board | substrate. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 프린트 배선판이, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 반도체 칩이 탑재되는 반도체 패키지 기판인 프린트 배선판의 제조 방법.

The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 2-6 whose printed wiring board is a semiconductor package board | substrate with which a semiconductor chip is mounted in the soldering resist layer which consists of a thermosetting resin composition.

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9188871B2 (en) 2012-05-17 2015-11-17 Taiyo Ink Mfg. Co., Ltd. Pattern forming method, alkali-developable thermosetting resin composition, printed circuit board and manufacturing method thereof
CN105308506B (en) * 2013-07-04 2020-10-27 味之素株式会社 Photosensitive resin composition
JP6502733B2 (en) * 2014-05-09 2019-04-17 太陽インキ製造株式会社 Curable resin composition for forming solder resist, dry film and printed wiring board

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000244125A (en) 1999-02-22 2000-09-08 Ibiden Co Ltd Multilayer build-up wiring board and manufacture thereof
JP2002290031A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and its manufacturing method
JP2003324168A (en) * 2002-04-26 2003-11-14 Mitsui Chemicals Inc Printed wiring board for mounting semiconductor integrated circuit
JP2004240233A (en) 2003-02-07 2004-08-26 Tamura Kaken Co Ltd Solder resist composition, circuit board and method for manufacturing the same
JP2004247483A (en) * 2003-02-13 2004-09-02 Fujitsu Ltd Method of manufacturing circuit board
JP2005347429A (en) 2004-06-02 2005-12-15 Ktech Research Corp Manufacturing method of printed circuit board
JP2006278530A (en) 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Solder resist and thermosetting resin composition therefor
JP2007147722A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Fujikura Ltd Photosensitive thermosetting resin composition and insulation protective coating formed by curing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4127448B2 (en) * 1999-09-22 2008-07-30 イビデン株式会社 Manufacturing method of package substrate
JP2003152311A (en) * 2001-11-15 2003-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd Method of manufacturing wiring board
JP2003277481A (en) * 2002-03-26 2003-10-02 Sumitomo Chem Co Ltd Thermosetting resin composition for adhesive film
US7859110B2 (en) * 2006-04-28 2010-12-28 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Solder resist material, wiring board using the solder resist material, and semiconductor package

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000244125A (en) 1999-02-22 2000-09-08 Ibiden Co Ltd Multilayer build-up wiring board and manufacture thereof
JP2002290031A (en) * 2001-03-23 2002-10-04 Ngk Spark Plug Co Ltd Wiring board and its manufacturing method
JP2003324168A (en) * 2002-04-26 2003-11-14 Mitsui Chemicals Inc Printed wiring board for mounting semiconductor integrated circuit
JP2004240233A (en) 2003-02-07 2004-08-26 Tamura Kaken Co Ltd Solder resist composition, circuit board and method for manufacturing the same
JP2004247483A (en) * 2003-02-13 2004-09-02 Fujitsu Ltd Method of manufacturing circuit board
JP2005347429A (en) 2004-06-02 2005-12-15 Ktech Research Corp Manufacturing method of printed circuit board
JP2006278530A (en) 2005-03-28 2006-10-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd Solder resist and thermosetting resin composition therefor
JP2007147722A (en) * 2005-11-24 2007-06-14 Fujikura Ltd Photosensitive thermosetting resin composition and insulation protective coating formed by curing the same

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Publication number Publication date
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KR101712338B1 (en) 2017-03-06
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