KR101712338B1 - Method for manufacturing printed circuit board - Google Patents

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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 칩 등과의 땜납 접합 등을 목적으로 하는 미소 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층의 고내열화를 도모하는 동시에, 마더보드 등의 회로나 전자부품과의 접속을 위한 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층으로의 개구부의 형성을 높은 작업 효율로 행할 수 있는 프린트 배선판의 제조 방법을 제공한다.
회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저 조사에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A solder resist layer for forming an opening with a small opening diameter for the purpose of solder bonding with a semiconductor chip or the like is intended to have a high internal resistance and an opening with a relatively large opening diameter for connection with a circuit such as a mother board or an electronic component Provided is a printed wiring board manufacturing method capable of forming openings in a solder resist layer to be formed with high working efficiency.
Characterized in that a solder resist layer is formed on both sides of a circuit board and opening formation in the solder resist layer formed on one side is performed by photolithography and opening formation in the solder resist layer formed on the other side is performed by laser irradiation By weight based on the total weight of the printed wiring board.

Description

프린트 배선판의 제조 방법{Method for manufacturing printed circuit board}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성 기술의 개량에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board and, more particularly, to an improvement of a technique for forming an opening in a solder resist layer.

포토리소그래피에 의한 솔더 레지스트의 패턴 형성 방법으로는 최근의 회로 기판에 있어서의 박형화나 미세 배선화에 충분히 대응할 수 없거나, 또한, 납 프리화에 따른 땜납 리플로 온도의 상승 등에 충분히 대응할 수 없다는 문제가 생긴다. 이것은 포토 솔더 레지스트에는 감광성과 현상성이 필요하기 때문에, 사용할 수 있는 원료가 한정되어 버려, 내열성 및 기계 특성을 충분히 만족할 수 있는 경화물을 얻을 수 없는 것이 원인이다. 특히 반도체 칩과 접속하기 위한 개구부인 비어(Via)의 경우, 개구 직경이 100㎛ 이하와 같은 미세한 가공이 필요하게 되기 때문에 솔더 레지스트에는 높은 감광성과 현상성이 요구되고, 이러한 요구를 충족시키는 솔더 레지스트는 개구부를 형성한 후에 열 충격을 가하면 균열이 생긴다는 문제가 지적되어 있다. 이러한 문제에 대응하기 위해서, 예를 들어, 특허문헌 1 내지 4에서는 솔더 레지스트의 재료로서 열 경화성 수지 조성물을 사용하여, 개구부의 형성 방법으로서 레이저를 사용하여, 솔더 레지스트층이 납땜 랜드에 대응하는 부분에 비어홀을 형성하는 방법이 개시되어 있다. 즉, 이러한 방법을 사용한 경우, 솔더 레지스트에는 감광성과 현상성이 요구되지 않기 때문에, 높은 내열성이나 기계 특성을 가지는 재료를 선택할 수 있게 된다. As a method of forming a pattern of a solder resist by photolithography, there is a problem in that it can not sufficiently cope with thinning and micro-wiring in a recent circuit board and can not sufficiently cope with an increase in the temperature of the solder reflow caused by lead-freeization . This is because photo-solder resists require photosensitivity and developability, so that raw materials that can be used are limited, and cured products capable of sufficiently satisfying heat resistance and mechanical characteristics can not be obtained. Particularly, in the case of a via, which is an opening for connecting with a semiconductor chip, a fine process such as an opening diameter of 100 탆 or less is required, so that the solder resist is required to have high photosensitivity and developability, It is pointed out that cracks are generated when thermal shock is applied after forming the openings. In order to cope with such a problem, for example, in Patent Documents 1 to 4, a thermosetting resin composition is used as the material of the solder resist, and a laser is used as a method of forming the opening, Thereby forming a via hole in the via hole. That is, when such a method is used, the solder resist is not required to have photosensitivity and developability, so that a material having high heat resistance and mechanical characteristics can be selected.

그러나 반도체 패키지 기판 등에 있어서는 반도체 칩이 탑재되는 측의 면에 설치하는 솔더 레지스트층에는 개구부의 개구 직경이 비교적 작아, 레이저에 의한 천공을 적합하게 행할 수 있지만, 마더보드 등에 탑재하는 측의 면에 설치하는 솔더 레지스트층에서는 마더보드 등에 접속하기 위한 개구부의 개구 직경이 200㎛로부터 수mm에 달하기 때문에, 레이저로 형성하기에는 매우 많은 레이저 숏이 필요하게 되는 등 작업 효율이 대폭 저하된다는 결점이 있다. However, in the semiconductor package substrate or the like, the opening diameter of the opening portion is relatively small in the solder resist layer provided on the side on which the semiconductor chip is mounted, so that the laser can be appropriately perforated. However, , The opening diameter of the opening for connecting to the mother board or the like reaches 200 mu m to several millimeters in the solder resist layer, so that a very large number of laser shots are required to be formed with a laser.

[특허문헌 1] 일본 공개특허공보 2000-244125호 [Patent Document 1] JP-A-2000-244125

[특허문헌 2] 일본 공개특허공보 2004-240233호 [Patent Document 2] JP-A-2004-240233

[특허문헌 3] 일본 공개특허공보 2005-347429호 [Patent Document 3] JP-A-2005-347429

[특허문헌 4] 일본 공개특허공보 2006-278530호 [Patent Document 4] Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-278530

본 발명이 해결하려고 하는 과제는 프린트 배선판의 솔더 레지스트 형성에 있어서, 반도체 칩 등과의 땜납 접합 등을 목적으로 하는 미소 개구 직경의 개구부가 형성되는 솔더 레지스트층의 고내열화를 도모하는 동시에, 마더보드 등의 회로 또는 전자부품과의 접속을 위한 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성할 필요가 있는 솔더 레지스트층으로의 개구부의 형성을 높은 작업 효율로 행할 수 있는 프린트 배선판의 제조 방법을 제공하는 것이다. A problem to be solved by the present invention is to provide a method for manufacturing a solder resist of a printed wiring board which is intended to improve the internal resistance of a solder resist layer in which an opening with a small opening diameter for solder bonding with a semiconductor chip or the like is formed, Which can form an opening in a solder resist layer which is required to form an opening of a comparatively large opening diameter for connection with a circuit or an electronic component of a printed wiring board.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 프린트 배선판에 있어서의, 미세한 개구부 형성이 필요하게 되는 한쪽에 형성되는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성에 레이저를 사용하여, 마더보드 등의 회로 또는 전자 부품과의 접속을 위해, 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성할 필요가 있는, 다른 한쪽에 형성되는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성을 포토리소그래피로 행함으로써, 상기 과제가 해결되는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다. As a result of intensive studies for solving the above problems, the present inventors have found that a circuit such as a mother board or the like can be formed by using a laser to form an opening in a solder resist layer formed on one side of a printed wiring board, It has been found that the above problem can be solved by forming openings in the solder resist layer formed on the other side by photolithography in order to form openings of a relatively large opening diameter for connection with electronic parts, Thereby completing the invention.

즉, 본 발명은 이하의 내용을 포함하는 것이다. That is, the present invention includes the following contents.

[1] 회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조 방법. [1] A solder resist layer is formed on both sides of a circuit board, an opening is formed in the solder resist layer formed on one side by photolithography, and an opening is formed in the solder resist layer formed on the other side by laser Wherein the first and second wiring patterns are electrically connected to each other.

[2] 상기 [1]에 있어서, 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 광 경화성 수지 조성물로 이루어지고, 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 솔더 레지스트층이 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 방법. [2] The method according to the above [1], wherein the solder resist layer formed by photolithography for forming the openings is made of a photo-curable resin composition, and the solder resist layer formed by forming the openings by laser is made of a thermosetting resin composition.

[3] 상기 [2]에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 함께 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 사용하여 형성하는 방법. [3] The method according to the above [2], wherein the solder resist layer formed on one surface of the circuit board and the solder resist layer formed on the other surface are formed together using a resin composition film having a resin composition layer formed thereon.

[4] 상기 [3]에 있어서, 진공 라미네이터를 사용하는 라미네이트 처리와 이것에 계속되는 열 프레스에 의한 평탄화 처리에 의해, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층을 일괄적으로 형성하는 방법. [4] In the above-mentioned [3], a solder resist layer formed on one surface and the other surface of the circuit board is formed collectively by a lamination process using a vacuum laminator and a subsequent planarization process by a hot press How to.

[5] 상기 [4]에 있어서, 광 경화성 수지 조성물 및 열 경화성 수지 조성물의 양쪽 모두의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한 양자의 최저 용융 점도의 비가 0.01 내지 100인 방법. [5] The method according to the above [4], wherein the minimum melt temperature of both the photo-curable resin composition and the thermosetting resin composition is in the range of 80 to 160 ° C and the ratio of the minimum melt viscosity of both is 0.01 to 100 .

[6] 상기 [2] 내지 [5] 중 어느 하나에 있어서, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 포토리소그래피에 의한 개구부 형성 후, 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 베이크 공정과 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층의 열 경화 공정을 동시에 행하고, 그 후, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 레이저로 개구부를 형성하는 방법. [6] The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of [2] to [5] above, wherein after the opening of the solder resist layer made of the photocurable resin composition by photolithography, the baking process of the solder resist layer made of the photocurable resin composition, A step of thermally curing the solder resist layer made of the resin composition at the same time and thereafter forming an opening in the solder resist layer made of the thermosetting resin composition with a laser.

[7] 상기 [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 프린트 배선판이, 반도체 패키지 기판인 방법. [7] The method according to any one of [1] to [6], wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate.

[8] 상기 [2] 내지 [6] 중 어느 하나에 있어서, 프린트 배선판이, 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층에 반도체 칩이 탑재되는 반도체 패키지 기판인 방법. [8] The method according to any one of [2] to [6], wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate on which a semiconductor chip is mounted on a solder resist layer made of a thermosetting resin composition.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법에 따르면, 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는, 마더보드 등의 회로 또는 저항기, 콘덴서, 코일 등의 전자부품과의 접속을 목적으로 한, 개구 직경이 비교적 큰 개구부(예를 들어 200㎛ 이상)를 형성해야 할 솔더 레지스트층에는 포토리소그래피에 의해 개구부를 효율적으로 형성할 수 있고, 또한, 회로 기판의 다른쪽 면에 형성한, 반도체 칩과의 땜납 접합 등을 목적으로 한, 개구 직경이 비교적 작은 개구부(예를 들어 100㎛ 이하)를 형성하는 솔더 레지스트층에는 내열성이 우수한 열 경화성 수지 조성물을 적용할 수 있으므로, 보다 내열성이 우수한 프린트 배선판을 효율적으로 제조하는 것이 가능해진다. According to the method of manufacturing a printed wiring board of the present invention, it is possible to provide a printed circuit board having a relatively large opening diameter for connection with a circuit such as a motherboard or an electronic component such as a resistor, a capacitor, An opening portion can be efficiently formed on the solder resist layer to be formed by photolithography and the solder resist layer formed on the other surface of the circuit board for solder bonding with the semiconductor chip or the like It is possible to apply a thermosetting resin composition having excellent heat resistance to a solder resist layer forming an opening (for example, 100 탆 or less) having a relatively small opening diameter, so that it is possible to efficiently manufacture a printed wiring board having more excellent heat resistance .

이하, 본 발명을 적합한 실시형태에 기초하여 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described based on a preferred embodiment.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성하고, 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저 조사에 의해 행하는 것이 주된 특징이다. A method of manufacturing a printed wiring board according to the present invention is characterized in that a solder resist layer is formed on both sides of a circuit board and opening portions in a solder resist layer formed on one side are formed by photolithography, Is formed by laser irradiation.

예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 반도체 칩이 탑재되고, 보다 높은 내열성이 요구되는 측(한쪽)의 솔더 레지스트층을 열 경화성 수지 조성물에 의해 형성하고, 레이저로 개구부 형성을 행하고, 마더보드에 탑재하는 다른 한쪽의 솔더 레지스트층의 형성은 광 경화성 수지 조성물을 사용한 포토리소그래피를 채용함으로써, 개구부 형성 시에 비교적 큰 개구 직경의 개구부에서도 높은 가공성을 유지할 수 있게 된다. For example, in a semiconductor package substrate, a semiconductor chip is mounted, a solder resist layer on one side (one side) where higher heat resistance is required is formed by a thermosetting resin composition, an opening is formed by a laser, The other one of the solder resist layers is formed by using photolithography using a photocurable resin composition so that high workability can be maintained even in an opening portion having a relatively large opening diameter at the time of forming the opening portion.

본 발명의 방법으로 제조하는 프린트 배선판은 강성 기판이거나, 가요성 기판이거나, 강성 가요성 기판이라도 좋다. 또한, 구조적으로는, 양면 기판이거나, 다층 기판이라도 좋다. 다층 기판으로서는 관통 다층판, Interstitial Via Hole(IVH) 다층 기판, 빌드업 기판 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 실장 밀도가 높은 빌드업 기판이 바람직하고, 빌드업 기판에 있어서는 특히 반도체 패키지 기판이 바람직하다. The printed wiring board manufactured by the method of the present invention may be a rigid substrate, a flexible substrate, or a rigid flexible substrate. Structurally, it may be a double-sided board or a multi-layer board. Examples of the multilayer substrate include a through multilayer board, an interstitial via hole (IVH) multilayer board, and a build-up board. Among them, a buildup substrate having a high mounting density is preferable, and a semiconductor package substrate is particularly preferable for a build- .

본 발명에 있어서의 솔더 레지스트층의 형성에는 잉크형 및 드라이 필름형의 어느 솔더 레지스트라도 사용할 수 있지만, 작업 효율이 좋고, 두께 제어가 용이한 점에서, 회로 기판의 양면에 형성하는 솔더 레지스트층의 쌍방에 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 적용하는 것이 바람직하다. 드라이 필름형의 솔더 레지스트는 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 회로 기판에 적층(압착)함으로써 형성된다. 또, 본 발명에 있어서, 솔더 레지스트층이 형성되는 회로 기판은 한면 또는 양면에 도체 회로가 형성되어 있는 기판이며, 상기 프린트 배선판의 전구체가 되는 것이다. In order to form the solder resist layer in the present invention, any of ink type and dry film type solder resistors can be used. However, in view of good working efficiency and easy thickness control, It is preferable to apply a dry film type solder resist to both of them. The dry film type solder resist is formed by laminating (pressing) a resin composition film on which a resin composition layer is formed on a support, onto a circuit board. In the present invention, the circuit board on which the solder resist layer is formed is a substrate on which conductor circuits are formed on one side or both sides, and is a precursor of the printed circuit board.

본 발명에서는 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층에는 노광·현상(포토리소그래피)에 의해 개구부를 형성하기 위해서, 포토 솔더 레지스트를 사용한다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 마더보드에 실장하는 면의 솔더 레지스트층에 포토 솔더 레지스트를 사용하여, 포토리소그래피에 의해 개구 형성을 한다. 포토 솔더 레지스트는 감광성과 현상성을 가지고, 포토리소그래피에 적용할 수 있는 광 경화성 수지 조성물이라면 특히 제한 없이 사용할 수 있다. 바람직한 예로서는 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지, (b)에폭시 수지, (c)광중합 개시제, (d)경화 촉진제 및 (e)희석제를 함유하는 수지 조성물을 들 수 있다. 포토 솔더 레지스트용의 광 경화성 수지 조성물은 내열성, 신뢰성 등을 높이기 위해서, 상기한 바와 같이 에폭시 수지를 함유하는 등으로, 열 경화성을 아울러 갖는 것이 적합하게 사용되지만, 본 발명에서는 광중합 개시제나 현상 가능한 광경화형의 수지 성분 등을 포함하고, 감광성과 현상성을 가지는 수지 조성물이라면, 이러한 수지 조성물은 열 경화성을 가지는 경우라도 「광 경화성 수지 조성물」이라고 정의한다. In the present invention, a photo solder resist is used for forming an opening portion in the solder resist layer formed on one side of the circuit board by exposure and development (photolithography). For example, in a semiconductor package substrate, an opening is formed by photolithography using a photo solder resist for a solder resist layer on a surface mounted on a mother board. The photo-solder resist has photosensitivity and developability and can be used without particular limitation as long as it is a photo-curable resin composition applicable to photolithography. Preferred examples thereof include resin compositions containing (a) a photocurable alkali-soluble resin, (b) an epoxy resin, (c) a photopolymerization initiator, (d) a curing accelerator and (e) a diluent. The photo-curable resin composition for photo-solder resists is suitably used for the purpose of enhancing heat resistance, reliability, etc., as well as an epoxy resin and the like as described above. However, in the present invention, In the case of a resin composition containing a photosensitive resin component and the like and having photosensitivity and developability, this resin composition is also defined as a " photocurable resin composition " even when it has a thermosetting property.

(a)광경화형 알칼리 가용성 수지로서는 예를 들어, 다관능 에폭시 수지에 불포화 카복실산을 반응시키고, 또한 산무수물을 반응시킨 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지나, 상기 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지에 또한 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물을 반응시켜서 얻어지는 (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기 함유 알칼리 가용성 수지 등을 들 수 있다. Examples of the photo-curable alkali-soluble resin include (a) an acid-pendant-type unsaturated epoxy ester resin obtained by reacting an unsaturated carboxylic acid with a polyfunctional epoxy resin and reacting with an acid anhydride, (Meth) acryloyl group and / or an allyl group-containing alkali-soluble resin obtained by reacting an epoxy compound having an acryloyl group and / or an epoxy group having an allyl group.

여기에서 다관능 에폭시 수지로서는 분자 내에 에폭시기를 2개 이상 가지는 화합물이라면 사용 가능하며, 구체적으로는, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 수첨 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 수첨 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지 등의 비스 페놀형 에폭시 수지, 디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 비나프톨형 에폭시 수지 등의 나프탈렌형 에폭시 수지, 테트라메틸비페놀형 등의 비페놀형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀A 노볼락형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지에 에피클로로하이드린을 반응시켜서 3관능 이상으로 변성한 비스 페놀F형 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지에 에피클로로하이드린을 반응시켜서 3관능 이상이 변성한 비스 페놀F형 에폭시 수지가, 현상성, 절연 신뢰성 등이 우수한 솔더 레지스트인 조성물을 실현하는 관점에서 바람직하다. The polyfunctional epoxy resin may be any compound having two or more epoxy groups in the molecule. Specific examples thereof include a bisphenol A type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a hydrogenated bisphenol Naphthalene type epoxy resins such as bisphenol type epoxy resins such as F type epoxy resin and bisphenol S type epoxy resin, dihydroxynaphthalene type epoxy resin and binaphthol type epoxy resin, and biphenol type epoxy resins such as tetramethyl biphenol type Novolak type epoxy resins such as phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin and alkylphenol novolak type epoxy resin, bisphenol F Bisphenol F type epoxy resin modified by three or more functional groups by reacting epichlorohydrin with epoxy resin Any one of them may be used alone or two or more of them may be used in combination. Among them, a cresol novolak type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin are reacted with epichlorohydrin to obtain a bisphenol F type epoxy resin modified by three or more functionalities, which is a solder resist excellent in developability and insulation reliability From the viewpoint of realizing the above.

또한, 불포화 카복실산으로서는 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 크로톤산 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 아크릴산, 메타크릴산이 조성물의 광 경화성 면에서 바람직하다. Examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, and crotonic acid, and any one of them may be used singly or two or more of them may be used in combination. Among them, acrylic acid and methacrylic acid are preferred from the viewpoint of the photocurability of the composition.

다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응은 다관능 에폭시 수지의 에폭시기의 몰수와 불포화 카복실산의 카복실기의 몰수의 비율(에폭시기의 몰수/카복실기의 몰수)이 거의 1에 가까운 비율인 0.8 내지 1.2의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. The reaction between the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid is carried out in the range of 0.8 to 1.2, which is a ratio of the number of moles of the epoxy group of the polyfunctional epoxy resin to the number of moles of the carboxyl group of the unsaturated carboxylic acid (number of moles of epoxy group / number of moles of carboxyl group) .

또, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응은 시스템 내의 산가(즉, 불포화 카복실산의 카복실산의 잔존 산가)가 5mgKOH/g 이하, 바람직하게는 2mgKOH/g 이하로 될 때까지 반응시키는 것이, 얻어지는 반응 생성물(불포화 카복실산 변성 에폭시 수지)의 안정성 면에서 바람직하다. The reaction between the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid is carried out until the acid value in the system (that is, the residual acid value of the carboxylic acid of the unsaturated carboxylic acid) is 5 mgKOH / g or less, preferably 2 mgKOH / g or less. (Unsaturated carboxylic acid-modified epoxy resin).

산무수물로서는 무수 말레산, 무수 석신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 무수 테트라하이드로프탈산, 무수 헥사하이드로프탈산, 무수 트리메리트산, 무수 피로메리트산, 벤조페논테트라카본산 2무수물 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 무수 석신산, 무수 테트라하이드로프탈산이 조성물의 현상성 및 조성물을 경화하여 얻어지는 경화 도막의 절연 신뢰성 면에서 바람직하다. Examples of the acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride and benzophenone tetracarboxylic dianhydride , And any one of them may be used singly or two or more of them may be used in combination. Of these, succinic anhydride and anhydrous tetrahydrophthalic acid are preferable from the viewpoints of the developability of the composition and the insulation reliability of the cured coating obtained by curing the composition.

산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는 촉매 존재 하에, 상기의 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산을 반응시킨 후, 얻어진 반응물인 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지와 산무수물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. The acid pendant type unsaturated epoxy ester resin can be obtained by reacting the above-mentioned polyfunctional epoxy resin with an unsaturated carboxylic acid in the presence of a catalyst, and then reacting the resultant reacted unsaturated carboxylic acid-modified epoxy resin with an acid anhydride.

이 때 사용하는 촉매의 양은 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산과 산무수물의 합계 질량에 대하여, 2질량% 이하가 바람직하고, 0.0005 내지 1질량%가 더욱 바람직하고, 0.001 내지 0.5질량%의 범위가 특히 바람직하다. 촉매로서는 예를 들어, N-메틸몰포린, 피리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데센-7(DBU), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노넨-5(DBN), 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄(DABCO), 트리-n-부틸아민 또는 디메틸벤질아민, 부틸아민, 옥틸아민, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 1,4-디에틸이미다졸, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(N-페닐)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란, 테트라메틸암모늄하이드록시드와 같은, 각종 아민 화합물류; 트리메틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리페닐포스핀 등의 포스핀류; 테트라메틸포스포늄염, 테트라에틸포스포늄염, 테트라프로필포스포늄염, 테트라부틸포스포늄염, 트리메틸(2-하이드록실프로필)포스포늄염, 트리페닐포스포늄염, 벤질포스포늄염 등의 포스포늄염류이며, 대표적인 대(對)아니온으로서, 카복시레이트, 하이드로옥사이드 등을 가지는 포스포늄염류; 트리메틸설포늄염, 벤질테트라메틸렌설포늄염, 페닐벤질메틸설포늄염 또는 페닐디메틸설포늄염 등의 설포늄 염류이며, 대표적인 대(對)아니온으로서, 클로라이드, 브로마이드, 카복시레이트, 하이드로옥사이드 등을 가지는 설포늄염류; 인산, p-톨루엔 설폰산, 황산과 같은 산성 화합물류 등을 들 수 있다. The amount of the catalyst to be used at this time is preferably 2 mass% or less, more preferably 0.0005 to 1 mass%, and particularly preferably 0.001 to 0.5 mass%, based on the total mass of the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid and the acid anhydride desirable. Examples of the catalyst include N-methylmorpholine, pyridine, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7 (DBU), 1,5-diazabicyclo [4.3.0] DBN), 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane (DABCO), tri-n-butylamine or dimethylbenzylamine, butylamine, octylamine, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, imidazole Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, Aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropylmethyldimethoxysilane, tetramethylammonium hydroxide, Chemical compounds; Phosphines such as trimethylphosphine, tributylphosphine and triphenylphosphine; Phosphonium salts such as tetramethylphosphonium salts, tetraethylphosphonium salts, tetrapropylphosphonium salts, tetrabutylphosphonium salts, trimethyl (2-hydroxylpropyl) phosphonium salts, triphenylphosphonium salts and benzylphosphonium salts; Salts, phosphonium salts having a carboxylate, a hydrooxide or the like as typical anions; Sulfonium salts such as trimethylsulfonium salt, benzyltetramethylenesulfonium salt, phenylbenzylmethylsulfonium salt or phenyldimethylsulfonium salt, and representative examples of sulfonium salts include chloride, bromide, carboxylate, hydrooxide, and the like. salts; And acidic compounds such as phosphoric acid, p-toluenesulfonic acid and sulfuric acid.

이들의 반응은 50 내지 150℃에서 행할 수 있지만, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응 온도는 100 내지 120℃가 바람직하고, 100℃ 미만이면 반응 속도가 늦어, 반응에 장시간을 요하고, 반응 온도가 120℃를 초과하면, 불포화 카복실산의 중합이 일어나고, 반응 과정에서 겔화할 우려가 있다. 또, 이러한 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산의 반응 중에서의 불포화 카복실산의 중합을 방지하기 위해서, 중합 금지제를 첨가하는 것이 바람직하고, 중합 금지제로서는 예를 들어, 하이드로퀴논, 메톡시하이드로퀴논, 벤조퀴논, p-tert-부틸카테콜 등의 퀴논계 중합 금지제; 2,6-디-tert-부틸페놀, 2,4-디-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸-4,6-디메틸페놀, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 2,4,6-트리-tert-부틸페놀 등의 알킬페놀계 중합 금지제; 알킬화디페닐아민, N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민, 페노티아진, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-벤조일옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1,4-디하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 1-하이드록시-4-벤조일리옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 등의 아민계 중합 금지제; 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실, 4-벤조일옥시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-N-옥실 등의 N-옥실계 중합 금지제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 병용하여도 좋다. 중합 금지제는 불포화 카복실산에 대하여 0.01 내지 1질량%가 바람직하고, 0.05 내지 0.5질량%가 더욱 바람직하다. The reaction temperature of the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid is preferably in the range of 100 to 120 ° C. If the reaction temperature is less than 100 ° C., the reaction rate is slow and the reaction takes a long time, Exceeds 120 캜, the polymerization of the unsaturated carboxylic acid occurs, and there is a fear that the reaction becomes gelled in the course of the reaction. In order to prevent the polymerization of the unsaturated carboxylic acid in the reaction between the polyfunctional epoxy resin and the unsaturated carboxylic acid, it is preferable to add a polymerization inhibitor. Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, methoxyhydroquinone, benzo Quinone-based polymerization inhibitors such as quinone and p-tert-butyl catechol; Butylphenol, 2,6-di-tert-butylphenol, 2,4-di-tert-butylphenol, 2- Alkylphenol-based polymerization inhibitors such as 2,4,6-tri-tert-butylphenol; Alkylated diphenylamine, N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine, phenothiazine, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-benzoyloxy- , 6,6-tetramethylpiperidine, 1,4-dihydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 1-hydroxy-4-benzoyloxy- Amine-based polymerization inhibitors such as 6-tetramethylpiperidine; Tetramethylpiperidine-N-oxyl, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl, 4-benzoyloxy- N-oxyl polymerization inhibitors such as 6,6-tetramethylpiperidine-N-oxyl and the like. These may be used alone, or two or more of them may be used in combination. The polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 1% by mass, more preferably 0.05 to 0.5% by mass, based on the unsaturated carboxylic acid.

또한, 다관능 에폭시 수지와 불포화 카복실산을 반응시켜서 얻어진 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지와 산무수물의 반응 온도는 70 내지 110℃가 바람직하다. 70℃ 미만이면 반응 속도가 늦어, 반응에 장시간을 요하고, 반응 온도가 110℃를 초과하면, 불포화 카복실산 변성 에폭시 수지의 중합이 일어나고, 수지가 겔화할 우려가 있다. The reaction temperature of the unsaturated carboxylic acid-modified epoxy resin obtained by reacting the polyfunctional epoxy resin with the unsaturated carboxylic acid is preferably 70 to 110 占 폚. When the reaction temperature is less than 70 ° C, the reaction speed is slow and the reaction takes a long time. When the reaction temperature exceeds 110 ° C, polymerization of the unsaturated carboxylic acid-modified epoxy resin occurs and the resin tends to gel.

산무수물의 사용 비율로서는 생성물(산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지)의 고형 분산가가 30 내지 150mgKOH/g이 되는 범위가 바람직하고, 50 내지 120mgKOH/g이 특히 바람직하다. 상기 산가가 30mgKOH/g 미만인 경우, 목적의 조성물의 알칼리 현상성이 저하하는 경향으로 되고, 150mgKOH/g을 초과하면 형성된 솔더 레지스트의 미세 패턴이 현상에 의해 흐르거나, 절연 신뢰성 등의 특성이 저하하는 경향이 있다. The use ratio of the acid anhydride is preferably such that the solid dispersion value of the product (acid pendant type unsaturated epoxy ester resin) is from 30 to 150 mgKOH / g, particularly preferably from 50 to 120 mgKOH / g. When the acid value is less than 30 mgKOH / g, the alkali developability of the target composition tends to be lowered. When the acid value exceeds 150 mgKOH / g, fine patterns of the solder resist formed by development flow, There is a tendency.

산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지와 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물과의 반응은 (메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물을, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 카복실기 1당량에 대하여, 바람직하게는 0.01 내지 0.5당량, 특히 바람직하게는 0.1 내지 0.4당량이 되는 비로 정법에 의해, 바람직하게는 60 내지 150℃, 특히 바람직하게는 80 내지 120℃에서 가열 교반함으로써 행할 수 있다. The reaction of an acid pendant type unsaturated epoxy ester resin with an epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / or an epoxy compound having an allyl group can be carried out by reacting an epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / Is preferably in the range of 0.01 to 0.5 equivalent, particularly preferably 0.1 to 0.4 equivalent based on 1 equivalent of the carboxyl group of the acid pendant type unsaturated epoxy ester resin, preferably 60 to 150 ° C, Followed by heating and stirring at 80 to 120 占 폚.

(메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물로서는 예를 들어, 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜아크릴레이트, β-메틸글리시딜(메타)아크릴레이트β-에틸글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸(메타)아크릴레이트 6,7-에폭시헵틸(메타)아크릴레이트, α-에틸-6,7-에폭시-헵틸(메타)아크릴레이트, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에틸 및 p-비닐벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있다. 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 그 중에서도, 글리시딜(메타)아크릴레이트, α-에틸글리시딜아크릴레이트가 바람직하고, 특히 바람직하게 글리시딜메타크릴레이트이다. 또한, 알릴기를 가지는 에폭시 화합물로서는 예를 들어, 알릴글리시딜에테르, p-알릴벤질글리시딜에테르 등을 들 수 있고, 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 양자를 병용하여도 좋다. Examples of the epoxy compound having a (meth) acryloyl group include glycidyl (meth) acrylate, -ethylglycidyl acrylate, -n-propylglycidyl acrylate, -n- (Meth) acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate, ,? -ethyl-6,7-epoxy-heptyl (meth) acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ethyl and p-vinyl benzyl glycidyl ether. Any one of them may be used alone or two or more of them may be used in combination. Among them, glycidyl (meth) acrylate and? -Ethyl glycidyl acrylate are preferable, and glycidyl methacrylate is particularly preferable. Examples of the epoxy compound having an allyl group include allyl glycidyl ether and p-allylbenzyl glycidyl ether, and any one of them may be used singly or both of them may be used in combination.

(메타)아크릴로일기를 가지는 에폭시 화합물 및/또는 알릴기를 가지는 에폭시 화합물은 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 용액에 첨가하여 반응시키지만, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지에 도입한 카복실기 1몰에 대하여, 0.01 내지 0.5몰의 비율로 반응시키는 것이 바람직하다. 목적의 수지 조성물의 감광성을 고려하면, 바람직하게는 0.1 내지 0.4몰의 비율로 반응시키는 것이 유리하다. 반응 온도는 80 내지 120℃가 바람직하다. 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지는 그 자체 광 경화성 수지로서 사용할 수 있지만, 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지가 가지는 카복실기에, (메타)아크릴로일기 함유 에폭시 화합물 및/또는 알릴기 함유 에폭시 화합물이 반응함으로써, (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기가 산 펜던트형 불포화 에폭시 에스테르 수지의 고분자 골격의 측쇄에 결합하기 때문에, 감광성이 더욱 향상된다. 이렇게 하여 얻어지는 (메타)아크릴로일기 및/또는 알릴기 함유 알칼리 가용성 수지는 감광성의 관점으로부터 고형 분산가가 30 내지 250mgKOH/g이 바람직하고, 40 내지 110mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하다. The epoxy compound having a (meth) acryloyl group and / or the epoxy compound having an allyl group is added to and reacted with a solution of an acid pendant type unsaturated epoxy ester resin, , And 0.01 to 0.5 mol, based on the reaction mixture. Considering the photosensitivity of the intended resin composition, it is advantageous to conduct the reaction at a ratio of preferably 0.1 to 0.4 mol. The reaction temperature is preferably 80 to 120 占 폚. The acid pendant-type unsaturated epoxy ester resin can be used as its own photo-curable resin, but the (meth) acryloyl group-containing epoxy compound and / or the allyl group-containing epoxy compound reacts with the carboxyl group of the acid pendant type unsaturated epoxy ester resin , The (meth) acryloyl group and / or the allyl group is bonded to the side chain of the polymer backbone of the acid pendant type unsaturated epoxy ester resin, the photosensitivity is further improved. From the viewpoint of photosensitivity, the (meth) acryloyl group and / or allyl group-containing alkali-soluble resin thus obtained preferably has a solid dispersion value of 30 to 250 mgKOH / g, more preferably 40 to 110 mgKOH / g.

(b)에폭시 수지로서는 프린트 배선판에 있어서의 절연 재료에 적합한 것이라면, 특별히 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들어, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 페놀류와 페놀성 하이드록실기를 가지는 방향족 알데히드와의 축합물의 에폭시화물, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 키산텐형 에폭시 수지 등의 에폭시 수지를 들 수 있다. 이러한 에폭시 수지는 어느 1종을 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 이들 에폭시 수지와 병용하는 경화제는 뒤에 기재된 경화제와 같은 것을 사용할 수 있다. The epoxy resin (b) is not particularly limited as long as it is suitable as an insulating material in a printed wiring board. Examples thereof include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, A phenol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, an alkylphenol novolak type epoxy resin, a biphenol type epoxy resin (biphenyl type epoxy resin), an aralkyl type epoxy resin, a biphenyl aralkyl type epoxy resin , Dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxides of condensates of phenols and aromatic aldehydes having phenolic hydroxyl groups, naphthol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, fluorene type epoxy resins, anthracene type epoxy resins, And epoxy resins such as epoxy resins. These epoxy resins may be used either singly or in combination of two or more. As the curing agent to be used in combination with these epoxy resins, the same curing agents as those described later can be used.

에폭시 수지는 그 중에서도, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지)가 바람직하다. 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로서는 DIC Corporation 제조의 「HP7200」, 「HP7200H」, 「HP7200HH」, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「XD-1000」 「XD-1000-L」 「XD-10002L」 등을 들 수 있고, 비페놀형 에폭시 수지로서는 Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC3000」, 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「GK3207」, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「YX4000HK」 등을 들 수 있다. Among them, a dicyclopentadiene type epoxy resin and a biphenol type epoxy resin (biphenyl type epoxy resin) are preferable. As the dicyclopentadiene type epoxy resin, "HP7200", "HP7200H", "HP7200HH" manufactured by DIC Corporation, Nippon Kayaku Co., Ltd. XD-1000-L ", and" XD-10002L "manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. as the biphenol type epoxy resin. "NC3000", "NC3000H", "NC3000L", "NC3100", manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. &Quot; GK3207 ", Japan Epoxy Resins Co., Ltd. &Quot; YX4000HK "

상기 에폭시 수지는 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지 100질량부에 대하여 5 내지 100질량부의 비율로 사용하는 것이 바람직하고, 10 내지 85질량부가 더욱 바람직하다. 5질량부 미만이면, 도막이 경화 부족으로 되고, 내열성, 전기 절연성 등이 저하되는 경향으로 되고, 100질량부를 넘으면 현상성이 저하되는 경향으로 된다. The epoxy resin is preferably used in a proportion of 5 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 85 parts by mass, per 100 parts by mass of the photocurable alkali-soluble resin (a). When the amount is less than 5 parts by mass, the coating film becomes insufficient in curing, and heat resistance and electrical insulation tend to decrease. When the amount exceeds 100 parts by mass, developability tends to decrease.

(c)광중합 개시제로서는 예를 들어, 벤조페논, 메틸벤조페논, o-벤조일벤조산, 벤조일에틸에테르, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부타논, 2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 디페닐-(2,4,6-트리메틸벤조일)포스핀옥사이드, 에틸-(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 1-하이드록시-시클로헥실-페닐케톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥산드 등이나 설포늄염계, 옥심에스테르계 광중합 개시제를 들 수 있다. 상기 광중합 개시제의 사용량으로서는 수지 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대하여 0.5 내지 30질량부, 바람직하게는 1 내지 15질량부의 범위내이다. 광중합 개시제의 사용량이 상기 범위를 초과하여 많아지면, 조성물의 열 경화성, 내열성, 전기절연성의 저하 등의 우려가 있고, 또 광중합 개시제의 사용량이 상기 범위보다도 적어지면 조성물을 광경화하였을 때의 경화 부족의 우려가 있다. (c) Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, methylbenzophenone, o-benzoyl benzoic acid, benzoyl ethyl ether, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,4-diethyl thioxanthone, 2- (4-methylphenyl) methyl] - [4- (4-morpholinyl) phenyl] Methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, diphenyl- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide, Ethyl- (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphinate, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 1 -hydroxy-cyclohexylphenylketone, 2,2- Phenyl-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, bis (2, 4-dihydroxyethoxy) , 6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxides, sulfonium salts, and oxime ester-based photopolymerization initiators. The amount of the photopolymerization initiator used is in the range of 0.5 to 30 parts by mass, preferably 1 to 15 parts by mass, based on 100 parts by mass of the resin solid content of the resin composition. If the amount of the photopolymerization initiator to be used exceeds the above range, there is a fear that the composition may have a thermosetting property, a heat resistance property and a deterioration of electric insulation property. If the amount of the photopolymerization initiator used is less than the above range, There is a concern.

(d)경화 촉진제는 조성물의 광경화 후의 열 경화 처리에 있어서, 열 경화성을 촉진시키기 위해서 사용되고, 예를 들어, 아민류, 폴리아미드류, 이미다졸류, 유기포스핀계 화합물 등을 들 수 있지만, 도막 성능의 밸런스의 관점에서, 아민류, 이미다졸류가 바람직하고, 구체예로서는 2-메틸이미다졸, 트리페닐포스핀, 에틸구아니디노아민, 디아미노디페닐메탄, 멜라민, 삼플루오르화 붕소-아민 컴플렉스, 디시안디아미드(DICY) 및 그 유도체, 아민이미드(AI) 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 멜라민, 디시안디아미드(DICY)가 특히 바람직하다. (d)경화 촉진제의 배합량은 (b)에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 20질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. (d) The curing accelerator is used for accelerating the thermosetting property in the thermosetting treatment after the photocuring of the composition. Examples thereof include amines, polyamides, imidazoles, and organic phosphine compounds. From the viewpoint of balance of performance, amines and imidazoles are preferable, and specific examples thereof include 2-methylimidazole, triphenylphosphine, ethyl guanidinoamine, diaminodiphenylmethane, melamine, boron trifluoride-amine Complex, dicyandiamide (DICY) and derivatives thereof, and amine imide (AI). Among them, melamine and dicyandiamide (DICY) are particularly preferable. The blending amount of the (d) curing accelerator is preferably in the range of 0.1 to 20 mass% with respect to the epoxy resin (b).

(e)희석제는 조성물의 광 반응성 등의 향상을 목적으로서 배합된다. 이러한 희석제로서는 예를 들어, 1분자 중에 1개 이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 실온에서 액체, 고체 또는 반고형의 감광성 (메타)아크릴레이트 화합물을 사용할 수 있다. 대표적인 것으로서는 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시부틸아크릴레이트 등의 하이드록시알킬아크릴레이트류, 에틸렌글리콜, 메톡시테트라에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜의 모노 또는 디아크릴레이트류, N,N-디메틸아크릴아미드, N-메틸롤아크릴아미드 등의 아크릴 아미드류, N,N-디메틸아미노에틸아크릴레이트 등의 아미노알킬아크릴레이트류, 트리메틸롤프로판, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스톨 등의 다가 알콜 또는 이들의 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 또는 ε-카플로락톤의 부가물의 다가 아크릴레이트류, 페녹시아크릴레이트, 페녹시에틸아크릴레이트 등의 페놀류, 또는 그 에틸렌옥사이드 또는 프로필렌옥사이드 부가물 등의 아크릴레이트류, 트리메틸롤프로판트리글리시딜에테르 등의 글리시딜에테르로부터 유도되는 에폭시아크릴레이트류, 멜라민아크릴레이트류, 및/또는 상기 아크릴레이트에 대응하는 메타크릴레이트류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 다가 아크릴레이트류 또는 다가 메타크릴레이트류가 바람직하고, 예를 들어, 3가의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 EO 부가 트리(메타)아크릴레이트, 글리세린 PO 부가 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 테트라푸르푸릴알콜 올리고(메타)아크릴레이트, 에틸카비톨 올리고(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올올리고(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 올리고(메타)아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 올리고(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 올리고(메타)아크릴레이트, 테트라메치롤메탄테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, N,N,N',N'-테트라키스(β-하이드록시에틸)에틸디아민의 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있고, 3가 이상의 아크릴레이트류 또는 메타크릴레이트류로서는 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메타)아크릴로일옥시프로필)포스페이트, 트리(3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)포스페이트, 디(3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, (3-(메타)아크릴로일-2-하이드로퀴실옥시프로필)디(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트 등의 인산트리에스테르(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 감광성(메타)아크릴레이트 화합물은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. (e) The diluent is formulated for the purpose of improving photoreactivity and the like of the composition. As such a diluent, for example, a liquid, solid or semi-solid photosensitive (meth) acrylate compound may be used at room temperature having at least one (meth) acryloyl group in one molecule. Representative examples include hydroxyalkyl acrylates such as 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxybutyl acrylate; mono or diacrylates of glycols such as ethylene glycol, methoxytetraethylene glycol, polyethylene glycol and propylene glycol; Acrylamides such as N, N-dimethylacrylamide and N-methylolacrylamide, aminoalkyl acrylates such as N, N-dimethylaminoethyl acrylate, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol Or polyhydric alcohols such as polyhydric acrylates of ethylene oxide, adducts of propylene oxide or? -Caprolactone, phenols such as phenoxy acrylate and phenoxyethyl acrylate, and ethylene oxide or propylene oxide adduct thereof Acrylate, trimethylol propane triglycidyl ether and the like, Epoxy acrylates derived from diesters, melamine acrylates, and / or methacrylates corresponding to the above acrylates. Among these, polyhydric acrylates or polyhydric methacrylates are preferable, and examples of the trivalent acrylates or methacrylates include trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate Trimethylolpropane EO addition tri (meth) acrylate, glycerin PO-added tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, tetrafurfuryl alcohol oligo (meth) acrylate, ethyl carbitol oligo (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol oligo (meth) acrylate, trimethylol propane oligo (meth) acrylate, pentaerythritol oligo (meth) acrylate, tetramethylol Methane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, N, N, N ', N'- tetrakis (Meth) acrylic acid esters of triethanolamine or triethanolamine, and (meth) acrylic acid esters of triethanolamine or triethanolamine. Examples of the acrylates or methacrylates having three or more valences include tri (2- (meth) acryloyloxyethyl) (Meth) acryloyloxypropyl) phosphate, di (3- (meth) acryloyloxypropyl) phosphate, tri (Meth) acryloyl-2-hydroquinyloxypropyl) di (2- (meth) acryloyloxypropyl) (Meth) acrylate such as acryloyloxyethyl) phosphate. Any of these photosensitive (meth) acrylate compounds may be used singly or two or more of them may be used in combination.

(e)희석제의 사용량은 (a)광경화형 알칼리 가용성 수지와, (b)에폭시 수지의 합계량 100질량부에 대하여 1 내지 50질량부의 비율로 사용하는 것이 바람직하고, 5 내지 30질량부가 더욱 바람직하다. 1질량부 미만이면, 광 반응성의 향상 효과가 얻어지기 어렵고, 50질량부를 넘으면 조성물에 의한 도막의 끈적거림이 커져, 작업성이 악화되는 경향으로 된다. The amount of the diluent (e) to be used is preferably 1 to 50 parts by mass, more preferably 5 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the total amount of (a) the photocurable alkali-soluble resin and (b) . If the amount is less than 1 part by mass, the effect of improving the photoreactivity is difficult to obtain. If the amount is more than 50 parts by mass, stickiness of the coating film by the composition increases, and the workability tends to deteriorate.

이러한 (a) 내지 (e)성분을 포함하는 수지 조성물은 또한 (f)충전재를 함유하고 있어도 좋다. 상기 충전재에는 무기 충전재 및/또는 유기 충전재를 사용할 수 있다. The resin composition containing the components (a) to (e) may also contain (f) a filler. An inorganic filler and / or an organic filler may be used for the filler.

무기 충전재로서는 예를 들어, 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탤크, 클레이, 운모, 마이카, 규산염, 황산바륨, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티타늄산바륨, 티타늄산스트론튬, 티타늄산칼슘, 티타늄산마그네슘, 티타늄산비스무트, 산화티타늄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 등을 들 수 있고, 실리카, 황산바륨이 바람직하고, 특히 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카 등의 실리카가 바람직하다. 또, 무기 충전재는 절연 신뢰성의 관점으로부터, 평균 입자 직경이 3㎛ 이하인 것이 바람직하고, 평균 입자 직경이 1.5㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 무기 충전재는 각각 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다. 무기 충전재의 평균 입자 직경은 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입도 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은 무기 충전재를 초음파에 의해 수중으로 분산시킨 것을 바람직하게 사용할 수 있다. 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치로서는 HORIBA, Ltd. 제조의 LA-500 등을 사용할 수 있다. Examples of inorganic fillers include silica, alumina, barium sulfate, talc, clay, mica, mica, silicate, barium sulfate, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum borate, Barium, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate and calcium zirconate. Silica and barium sulfate are preferable, and amorphous silica, fused silica, Silica such as silica and synthetic silica is preferred. From the viewpoint of insulation reliability, the inorganic filler preferably has an average particle diameter of not more than 3 mu m, and more preferably an average particle diameter of not more than 1.5 mu m. The inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction / scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, the particle size distribution of the inorganic filler can be measured by using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, and the median diameter is determined as an average particle diameter. The measurement sample can be preferably those obtained by dispersing an inorganic filler in water by ultrasonic waves. As a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus, HORIBA, Ltd. LA-500 manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. can be used.

무기 충전재는 내습성, 분산성 등의 향상을 위해, 아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 우레이도프로필트리에톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노실란계 커플링제, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리에톡시실란, 글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 글리시딜부틸트리메톡시실란, (3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시실란계 커플링제, 머캅토프로필트리메톡시실란, 머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토 실란계 커플링제, 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메타크록시프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란 등의 실란계 커플링제, 헥사메틸실라잔, 헥사페닐디실라잔, 디메틸아미노트리메틸실란, 트리실라잔, 시클로트리실라잔, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸시클로트리실라잔 등의 오가노실라잔 화합물, 부틸티타네이트다이머, 티탄옥틸렌글리콜레이트, 디이소프로폭시티탄비스(트리에탄올아미네이트), 디하이드록시티탄비스락테이트, 디하이드록시비스(암모늄락테이트)티타늄, 비스(디옥틸파이로포스페이트)에틸렌티타네이트, 비스(디옥틸파이로포스페이트)옥시아세테이트티타네이트, 트리-n-부톡시티탄모노스테아레이트, 테트라-n-부틸티타네이트, 테트라(2-에틸헥실)티타네이트, 테트라이소프로필비스(디옥틸포스파이트)티타네이트, 테트라옥틸비스(디트리데실포스파이트)티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디트리데실)포스파이트티타네이트, 이소프로필트리옥타노일티타네이트, 이소프로필트리쿠밀페닐티타네이트, 이소프로필트리이소스테아로일티타네이트, 이소프로필이소스테아로일디아크릴티타네이트, 이소프로필디메타크릴이소스테아로일티타네이트, 이소프로필트리(디옥틸포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리도데실벤젠설포티타네이트, 이소프로필트리스(디옥틸파이로포스페이트)티타네이트, 이소프로필트리(N-아미드에틸·아미노에틸)티타네이트의 티타네이트계 커플링제, 실리카-알루미나 표면 처리제 등의 1종 또는 2종 이상의 표면 처리제로 처리되어 있어도 좋다. The inorganic filler is preferably selected from the group consisting of aminopropylmethoxysilane, aminopropyltriethoxysilane, ureidopropyltriethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N-2 (amino Ethyl) aminopropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxysilane, glycidylbutyltrimethoxysilane, Epoxy silane coupling agents such as silane and (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl trimethoxy silane, mercapto silane coupling agents such as mercaptopropyl trimethoxy silane and mercaptopropyl triethoxy silane, Silane-based coupling agents such as methoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methacryloxypropyltrimethoxysilane, imidazolylsilane and triazinilane, hexamethylsilazane, hexaphenyldisilazane,Organosilazane compounds such as methylaminotrimethylsilane, trisilazane, cyclotrisilazane, and 1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane, butyl titanate dimers, titanium octylen glycolate , Diisopropoxytitanium bis (triethanolaminate), dihydroxy titanium bis lactate, dihydroxybis (ammonium lactate) titanium, bis (dioctyl pyrophosphate) ethylene titanate, bis Tetra (2-ethylhexyl) titanate, tetraisopropylbis (dioctylphosphite) titanate, tetra-n-butoxytitanium monostearate, (Ditridecylphosphite) titanate, tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecyl) phosphite titanate, isopropyl trioctanoyl titanate, Millepe Isopropyl tributyl titanate, isopropyl tributyl titanate, isopropyl tributyl titanate, isopropyl tributyl titanate, isopropyl tributyl titanate, isopropyl tributyl titanate, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl diisostearoyldiacrylate, Titanate-based coupling agents such as isopropyl tris (dioctyl pyrophosphate) titanate, isopropyl tri (N-amide ethyl aminoethyl) titanate, silica-alumina surface treatment agents and the like Or may be treated with one or more kinds of surface treating agents.

유기 충전재로서는 아크릴 고무 입자, 폴리아미드 미립자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체예로서는 아크릴로니트릴부타디엔고무, 부타디엔 고무, 아크릴 고무 등의 고무 탄성을 나타내는 수지에 화학적 가교 처리를 행하고, 유기용제에 불용(不溶) 또한 불융(不融)으로 한 수지의 미립자체인 것이라면 어떤 것이라도 좋고, 예를 들어, XER-91(Japan Synthetic Rubber Co.,Ltd. 제조), 스타피로이드 AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101(이상, Ganz Chemical Co., Ltd. 제조) 파라로이드 EXL2655, EXL2602(이상, Kureha Corporation 제조) 등을 들 수 있다. 폴리아미드 미립자의 구체예로서는 나일론과 같은 지방족 폴리아미드나 케블라와 같은 방향족 폴리아미드, 또한, 폴리아미드이미드 등, 아미드 결합을 가지는 수지의 미립자라면 어떤 것이라도 좋고, 예를 들어, VESTOSINT 2070(Daicel Daicel-Huels Ltd. 제조)이나, SP500(Toray Industries, Inc. 제조) 등을 들 수 있다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은 0.005 내지 1㎛의 범위가 바람직하고, 0.2 내지 0.6㎛의 범위가 더욱 바람직하다. 유기 충전재의 평균 입자 직경은 동적 광산란법을 사용하여 측정할 수 있다. 예를 들어, 적당한 유기용제에 고무 입자를 초음파 등에 의해 균일하게 분산시키고, FPRA-1000(Otsuka Electronics Co., Ltd. 제조)을 사용하고, 유기 충전재의 입도 분포를 질량 기준으로 작성하고, 그 메디안 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. Examples of the organic filler include acrylic rubber particles, polyamide fine particles and silicone particles. As specific examples of the acrylic rubber particles, there may be mentioned a resin crosslinkable resin such as acrylonitrile butadiene rubber, butadiene rubber and acrylic rubber, which is chemically crosslinked to form a resin fine particle chain which is insoluble in an organic solvent and is not melted. (Manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), stapyloids AC3355, AC3816, AC3832, AC4030, AC3364, IM101 (manufactured by Ganz Chemical Co., Ltd.) ) Pararoid EXL2655, EXL2602 (manufactured by Kureha Corporation), and the like. Specific examples of the polyamide fine particles may be any fine particles of an amide bond-containing resin such as aliphatic polyamides such as nylon, aromatic polyamides such as Kevlar, and polyamideimide. For example, VESTOSINT 2070 (Daicel Daicel- Manufactured by Huels Ltd.) and SP500 (manufactured by Toray Industries, Inc.). The average particle diameter of the organic filler is preferably in the range of 0.005 to 1 mu m, more preferably in the range of 0.2 to 0.6 mu m. The average particle diameter of the organic filler can be measured using a dynamic light scattering method. For example, rubber particles are uniformly dispersed in an appropriate organic solvent by ultrasonic waves or the like, FPRA-1000 (manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.) is used, the particle size distribution of the organic filler is prepared on the basis of mass, It can be measured by setting the diameter to an average particle diameter.

(f)충전재의 사용량은 수지 조성물의 불휘발분을 100질량%로 한 경우, 1 내지 50질량%인 것이 바람직하고, 2 내지 40질량%가 더욱 바람직하다. The amount of the filler (f) to be used is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 40% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile matter of the resin composition.

회로 기판의 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층은 개구부 형성을 레이저에 의해 행한다. 예를 들어, 반도체 패키지 기판에 있어서는 보다 내열성이 요구되는, 반도체 칩을 탑재하는 면의 솔더 레지스트층을 열 경화성 수지 조성물에 의해 형성하고, 레이저에 의해 개구부 형성을 행한다. 레이저로 개구부 형성을 행함으로써, 광 경화성 수지 조성물을 사용할 필요가 없고, 보다 내열성이 우수한 열 경화성 수지 조성물을 사용할 수 있다. 상술한 바와 같이 광경화형 알칼리 가용성 수지 등의 현상 가능한 광경화형의 수지 성분 등을 포함하는, 광 경화성과 열 경화성을 아울러 가지는 수지 조성물을 사용할 수도 있지만, 일반적으로 이러한 광 경화성 수지 조성물은 열 경화성 수지 조성물보다 내열성이 떨어지기 때문에, 열 경화만으로 경화 가능한 열 경화성 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. The opening of the solder resist layer formed on the other surface of the circuit board is formed by a laser. For example, in a semiconductor package substrate, a solder resist layer on a surface on which a semiconductor chip is mounted, which is required to have higher heat resistance, is formed of a thermosetting resin composition, and an opening is formed by a laser. By forming openings with a laser, it is not necessary to use a photo-curable resin composition, and a thermosetting resin composition having superior heat resistance can be used. A resin composition having both a photo-curable property and a thermosetting property including a developable photo-curable resin component such as a photo-curable alkali-soluble resin as described above may be used. In general, however, such a photo- It is preferable to use a thermosetting resin composition that can be cured only by thermal curing.

본 발명에서는 열 경화성 수지 조성물이라고 하는 경우, 실질적으로 광 경화성이 없는 열 경화성 수지 조성물을 의미한다. 주체가 되는 열 경화성 수지로서는 예를 들어, 에폭시 수지, 비스말레이미드-트리아진 수지 등의 열 경화성 수지를 들 수 있다. 바람직한 열 경화성 수지 조성물로서는 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 수지 조성물이며, 특히 (A)에폭시 수지, (B)고분자 성분 및 (C)경화제를 함유하는 수지 조성물이 바람직하다. In the present invention, when a thermosetting resin composition is referred to, it means a thermosetting resin composition having substantially no photocurability. Examples of the thermosetting resin as a main component include thermosetting resins such as epoxy resin and bismaleimide-triazine resin. Preferable examples of the thermosetting resin composition include a resin composition containing an epoxy resin and a curing agent, and a resin composition containing (A) an epoxy resin, (B) a high molecular component and (C) a curing agent is preferable.

여기에서 (A)에폭시 수지로서는 예를 들어, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비스 페놀F형 에폭시 수지, 비스 페놀S형 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀노볼락형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 키산텐형 에폭시 수지, 인 함유 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지 및 이들의 에폭시 수지의 알킬 치환체, 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 이들의 에폭시 수지는 어느 1종을 사용하거나 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. Examples of the epoxy resin (A) include bisphenol A type epoxy resin, biphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, A cyclic epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, an aliphatic chain epoxy resin, a phenol novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin, an alkylphenol novolac type epoxy resin, a fluorene type epoxy resin, an anthracene type epoxy resin, Resins, phosphorus-containing epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, and alkyl-substituted products and hydrogenated products of these epoxy resins. These epoxy resins may be used either singly or in combination of two or more.

에폭시 수지는 이들 중에서도, 내열성, 절연 신뢰성, 밀착성의 관점에서, 비스 페놀A형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어, 액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트 828EL」), 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물(2관능형) (DIC Corporation 제조의 「HP4032」, 「HP4032D]), 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(DIC Corporation 제조의 「HP4700」), 나프톨형 에폭시 수지(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「ESN-475V」), 부타디엔 구조를 가지는 에폭시 수지(Daicel Daicel-Huels Ltd. 제조의 「PB-3600」), 비페닐 구조를 가지는 에폭시 수지(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC3000」, 「NC3000H」, 「NC3000L」, 「NC3100」, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「YX4000HK」) 등을 들 수 있다. Among these epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, naphthol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure are preferable from the viewpoints of heat resistance, insulation reliability and adhesion. Specifically, for example, a liquid bisphenol A type epoxy resin ("Epicoat 828EL" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), diglycidyl ether of naphthalene diol (bifunctional type) (HP4700 manufactured by DIC Corporation), naphthol type epoxy resin (ESN-475V manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), butadiene type epoxy resin (HP4032D manufactured by Tohto Kasei Co., ("PB-3600" manufactured by Daicel Daicel-Huels Ltd.), an epoxy resin having a biphenyl structure ("NC3000", "NC3000H", "NC3000L", " NC3100 " manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd., and " YX4000HK "

(B)고분자 성분은 경화 후의 조성물에 적당한 가요성을 부여하는 등의 목적으로 배합되는 것이며, 예를 들어, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 지방족 폴리에스테계 폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리카보네이트계 폴리올, 폴리에틸렌테레프탈레이트폴리올, 아크릴수지 등을 들 수 있다. 이들은 어느 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. 상기 고분자 성분은 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 하였을 때, 0.5 내지 60질량%의 비율로 배합하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 내지 30질량%이다. 고분자 성분의 배합 비율이 0.5질량% 미만인 경우, 수지 조성물의 점도가 낮기 때문에, 균일한 두께의 층을 형성하는 것이 어려워지는 경향으로 되고, 60질량%를 초과하는 경우, 수지 조성물의 점도가 지나치게 높아져, 회로 상의 배선 패턴으로의 매립이 곤란해지는 경향으로 된다. (B) polymer component is blended for the purpose of imparting suitable flexibility to the composition after curing, and includes, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyimide, polyamideimide, polyethersulfone, polysulfone , An aliphatic polyester-based polyol, a polyether polyol, a polycarbonate-based polyol, a polyethylene terephthalate polyol, and an acrylic resin. Any one of them may be used alone or two or more of them may be used in combination. The polymer component is preferably blended in a proportion of 0.5 to 60 mass%, more preferably 3 to 30 mass%, based on 100 mass% of the nonvolatile component of the resin composition. When the blend ratio of the polymer component is less than 0.5 mass%, it is difficult to form a uniform thickness layer because the viscosity of the resin composition is low, and when it exceeds 60 mass%, the viscosity of the resin composition becomes excessively high , It tends to be difficult to embed in the wiring pattern on the circuit.

페녹시 수지의 구체예로서는 예를 들어, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 FX280, FX293, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 YX8100, YL6954, YL6974 등을 들 수 있다. Specific examples of the phenoxy resin include Tohto Kasei Co., Ltd. FX280, FX293, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. For example, YX8100, YL6954, YL6974 and the like.

폴리비닐아세탈 수지는 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하고, 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 제조, 전화 부티랄 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 에스렉 BH시리즈, BX시리즈, KS시리즈, BL시리즈, BM시리즈 등을 들 수 있다. The polyvinyl acetal resin is preferably a polyvinyl butyral resin, and specific examples of the polyvinyl acetal resin include Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha, telephone Butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP, Sekisui Chemical Co ., Ltd. BREX series, BX series, KS series, BL series, BM series, and so on.

폴리이미드의 구체예로서는 New Japan Chemical Co., Ltd. 제조의 폴리이미드 「리카코트SN20」 및 「리카코트PN20」을 들 수 있다. 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 반응시켜서 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 2006-37083호에 기재한 것), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 2002-12667호, 일본 공개특허공보 2000-319386호 등에 기재된 것) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyimide include New Japan Chemical Co., Ltd. Quot; Rika coat SN20 " and " Rika coat PN20 " Further, a linear polyimide obtained by reacting a bifunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride (described in JP-A No. 2006-37083), a polysiloxane skeleton-containing polyimide Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-12667, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-319386, etc.).

폴리아미드이미드의 구체예로서는 Toyobo Co., Ltd. 제조의 폴리아미드이미드 「바이로맥스 HR11NN」, 「바이로맥스 HR16NN」등을 들 수 있다. 또한, Hitachi Chemical Co., Ltd 제조의 폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드 「KS9100」, 「KS9300」 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다. Specific examples of the polyamideimide include Toyobo Co., Ltd. Polyamideimide " Viromax HR11NN ", " Viromax HR16NN ", and the like. Examples of the modified polyamideimide include polysiloxane skeleton-containing polyamideimide "KS9100" and "KS9300" manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

폴리에테르설폰의 구체예로서는 Sumitomo Chemical. Co., Ltd. 제조의 폴리에테르설폰「PES5003P」등을 들 수 있다. Specific examples of polyethersulfone include Sumitomo Chemical. Co., Ltd. And polyethersulfone " PES5003P "

폴리설폰의 구체예로서는 솔벤어드밴스트폴리머즈(주) 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」등을 들 수 있다. Specific examples of the polysulfone include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvent Advanced Polymers Co.

(C)경화제로서는 예를 들어, 아민계 경화제, 구아니딘계 경화제, 이미다졸계 경화제, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 산무수물계 경화제, 활성 에스테르계 경화제, 또는 이들의 에폭시 어덕트나 마이크로캡슐화한 것, 벤즈옥사진 수지, 시아네이트에스테르 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 시아네이트에스테르 수지가 바람직하다. 경화제는 1종이거나 2종 이상을 병용하여도 좋다. Examples of the curing agent (C) include, but are not limited to, amine curing agents, guanidine curing agents, imidazole curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, acid anhydride curing agents, active ester curing agents, Benzoxazine resin, cyanate ester resin, and the like. Among them, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent and a cyanate ester resin are preferable. The curing agent may be one kind or two or more kinds thereof.

페놀계 경화제, 나프톨계 경화제의 구체예로서는 예를 들어, MEH-7700, MEH-7810, MEH-7851 (이상, Meiwa Plastic Industries, Ltd. 제조), NHN, CBN, GPH(이상, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조), SN170, SN180, SN190, SN475, SN485, SN495, SN375, SN395(이상, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조), LA7052, LA7054, LA3018, LA1356(이상, DIC Corporation 제조) 등을 들 수 있다. MEH-7810, MEH-7851 (manufactured by Meiwa Plastic Industries, Ltd.), NHN, CBN, GPH (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like, as specific examples of the phenol type curing agent and the naphthol type curing agent. (Manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), LA7052, LA7054, LA3018, and LA1356 (manufactured by DIC Corporation), and the like .

또한, 시아네이트에스테르 수지의 구체예로서는 예를 들어, 비스 페놀A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트(올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스 (4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지, 페놀노볼락, 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지, 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화한 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시판되어 있는 시아네이트에스테르 수지로서는 페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지(Lonza Japan Ltd. 제조의 「PT30」, 시아네이트 당량 124)나 비스 페놀A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 삼량체가 된 프리폴리머(Lonza Japan Ltd. 제조의 「BA230」, 시아네이트 당량 232) 등을 들 수 있다. Specific examples of the cyanate ester resin include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate (oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4'-methylene bis (2 , 6-dimethyl phenyl cyanate), 4,4'-ethylidenediphenyl dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenyl propane, (4-cyanate phenylmethane), bis (4-cyanate-3,5-dimethylphenyl) methane, 1,3- Cyanate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether, polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolak, cresol novolak, etc., Examples of commercially available cyanate ester resins include phenol novolak type polyfunctional cyanates ("PT30" manufactured by Lonza Japan Ltd., cyanate equivalent 124) or a prepolymer obtained by trimerization of a part or all of bisphenol A dicyanate ("BA230" manufactured by Lonza Japan Ltd., cyanate Equivalent to 232).

(A)에폭시 수지와 (C)경화제의 배합 비율은 페놀계 경화제 또는 나프톨계 경화제의 경우, 에폭시 수지의 에폭시 당량 1에 대하여 이들 경화제의 페놀성 하이드록실기 당량이 0.4 내지 2.0의 범위가 되는 비율이 바람직하고, 0.5 내지 1.0의 범위로 되는 비율이 더욱 바람직하다. 시아네이트에스테르 수지의 경우는 에폭시 당량 1에 대하여 시아네이트 당량이 0.3 내지 3.3의 범위로 되는 비율이 바람직하고, 0.5 내지 2의 범위로 되는 비율이 더욱 바람직하다. The mixing ratio of the epoxy resin (A) to the curing agent (C) is such that the phenolic hydroxyl group equivalent of these curing agents is in the range of 0.4 to 2.0, in the case of the phenolic curing agent or the naphthol curing agent, , And more preferably in the range of 0.5 to 1.0. In the case of the cyanate ester resin, the proportion of the cyanate equivalent to the epoxy equivalent of 1 is preferably in the range of 0.3 to 3.3, more preferably in the range of 0.5 to 2.

열 경화성 수지 조성물에는 (C)경화제에 더하여, (D)경화 촉진제를 더 배합할 수 있고, 이러한 경화 촉진제로서는 이미다졸계 화합물, 유기포스핀계 화합물 등을 들 수 있고, 구체예로서는 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-에틸4-메틸이미다졸, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다. 경화 촉진제를 사용하는 경우, (A)에폭시 수지에 대하여 0.1 내지 3.0질량%의 범위에서 사용하는 것이 바람직하다. 또, (C)경화제에 시아네이트에스테르 수지를 사용하는 경우에는 경화 시간을 단축할 목적으로, 종래부터 에폭시 수지 조성물과 시아네이트 화합물을 병용한 시스템에서 경화 촉매로서 사용되고 있는 유기금속 화합물을 첨가하여도 좋다. 유기금속 화합물로서는 구리(II)아세틸아세토나이트 등의 유기동 화합물, 아연(II)아세틸아세토나이트 등의 유기아연 화합물, 코발트(II)아세틸아세토나이트, 코발트(III)아세틸아세토나이트 등의 유기 코발트 화합물 등을 들 수 있다. 유기금속 화합물의 첨가량은 시아네이트에스테르 수지에 대하여, 금속 환산으로 10 내지 500ppm이 바람직하고, 25 내지 200ppm의 범위가 더욱 바람직하다. The thermosetting resin composition can further contain (D) a curing accelerator in addition to the (C) curing agent. Examples of such a curing accelerator include an imidazole-based compound and an organophosphine-based compound. Specific examples thereof include 2 Methylimidazole, 2-ethyl 4-methylimidazole, triphenylphosphine, and the like. When a curing accelerator is used, it is preferably used in an amount of 0.1 to 3.0% by mass based on the epoxy resin (A). When a cyanate ester resin is used as the curing agent (C), for the purpose of shortening the curing time, even if an organometallic compound conventionally used as a curing catalyst in a system using an epoxy resin composition and a cyanate compound is added good. Examples of the organometallic compound include organic dyes such as copper (II) acetylacetonate, organic zinc compounds such as zinc (II) acetylacetonate, organic cobalt compounds such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) . The amount of the organometallic compound to be added is preferably 10 to 500 ppm, more preferably 25 to 200 ppm, in terms of the metal, based on the cyanate ester resin.

열 경화성 수지 조성물에는 또한 충전재를 함유하고 있어도 좋다. 상기 충전재에는 무기 충전재 및/또는 유기 충전재를 사용할 수 있다. 무기 충전재의 예는 상기와 같다. 또, 무기 충전재는 그 중에서도, 실리카, 알루미나가 바람직하고, 특히 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 구상(球狀) 실리카, 분쇄 실리카 등의 실리카가 바람직하다. 무기 충전재의 평균 입자 직경 및 표면 처리 등에 대해서도 상기와 같은 형태이다. 또한, 유기 충전재의 종류, 평균 입자 직경은 상기와 같은 형태를 들 수 있다. 열 경화성 수지 조성물중의 무기 충전재의 함유량은 열 경화성 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 하였을 때, 바람직하게는 20 내지 80질량%이며, 더욱 바람직하게는 30 내지 70질량%이다. 유기 충전재의 함유량은 열 경화성 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%로 하였을 때, 바람직하게는 1 내지 10질량%이며, 더욱 바람직하게는 2 내지 5질량%이다. The thermosetting resin composition may further contain a filler. An inorganic filler and / or an organic filler may be used for the filler. Examples of the inorganic filler are as described above. Among these inorganic fillers, silica and alumina are preferable, and silica such as amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, spherical silica, and pulverized silica is particularly preferable. The average particle diameter of the inorganic filler and the surface treatment are also the same as described above. The types and average particle diameters of the organic fillers are as described above. The content of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is preferably 20 to 80 mass%, more preferably 30 to 70 mass%, based on 100 mass% of the nonvolatile component of the thermosetting resin composition. The content of the organic filler is preferably 1 to 10% by mass, more preferably 2 to 5% by mass, based on 100% by mass of the nonvolatile component of the thermosetting resin composition.

열 경화성 수지 조성물은 말레이미드 화합물, 비스알릴나디이미드 화합물, 비닐벤질 수지, 비닐벤질에테르 수지 등의 에폭시 수지 이외의 열 경화성 수지를 배합할 수도 있다. 이러한 열 경화성 수지는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. 말레이미드 수지로서는 BMI1000, BMI2000, BMI3000, BMI4000, BMI5100 (이상, Daiwakasei Industry Co., Ltd 제조), BMI, BMI-70, BMI-80(이상, K.I Chemical Industry Co., Ltd. 제조), ANILIX-MI(Mitsui Fine Chemical Inc. 제조), 비스알릴나디이미드 화합물로서는 BANI-M, BANI-X (이상, Maruzen Petrochemical Co., Ltd. 제조), 비닐벤질 수지로서는 V5000(Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조), 비닐벤질에테르 수지로서는 V1000X, V1100X(이상, Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조)를 들 수 있다. The thermosetting resin composition may contain a thermosetting resin other than an epoxy resin such as a maleimide compound, a bisallylnadiimide compound, a vinylbenzyl resin, and a vinyl benzyl ether resin. These thermosetting resins may be used in combination of two or more kinds. As the maleimide resin, BMI1000, BMI2000, BMI3000, BMI4000 and BMI5100 (manufactured by Daiwakasei Industry Co., Ltd.), BMI, BMI-70 and BMI-80 (manufactured by KI Chemical Industry Co., M (manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.), and V5000 (manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd., manufactured by Mitsui Fine Chemical Co., Ltd.) as the bisallylnadimide compound; BANI- ) And vinyl benzyl ether resin (V1000X, V1100X (manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd.)).

본 발명의 광 경화성 수지 조성물 및/또는 열 경화성 수지 조성물은 난연제를 함유하여도 좋다. 난연제는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다. 난연제로서는 예를 들어, 유기 인계 난연제, 유기계 질소 함유 인 화합물, 질소 화합물, 실리콘계 난연제, 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 유기 인계 난연제로서는 Sanko Co., Ltd. 제조의 HCA, HCA-HQ, HCA-NQ 등의 포스핀 화합물, Showa Highpolymer Co., Ltd. 제조의 HFB-2006M 등의 인 함유 벤즈옥사진 화합물, Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc. 제조의 레오포스 30, 50, 65, 90, 110, TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, Hokko Chemical Industry Co., Ltd. 제조의 PPQ, 클라리언트(주) 제조의 OP930, Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. 제조의 PX200 등의 인산 에스테르 화합물, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 FX289, FX310 등의 인 함유 에폭시 수지, Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 ERF001 등의 인 함유 페녹시 수지 등을 들 수 있다. 유기계 질소 함유 인 화합물로서는 Shikoku Chemicals Corporation 제조의 SP670, SP703 등의 인산에스테르미드 화합물, Otsuka Chemical Co., Ltd. 제조의 SPB100, SPE100 등의 포스파젠 화합물 등을 들 수 있다. 금속 수산화물로서는 Ube Material Industries, Ltd. 제조의 UD65, UD650, UD653 등의 수산화마그네슘, Tomoe Engineering Co., Ltd. 제조의 B-30, B-325, B-315, B-308, B-303, UFH-20 등의 수산화 알루미늄 등을 들 수 있다. The photocurable resin composition and / or thermosetting resin composition of the present invention may contain a flame retardant. Two or more flame retardants may be used in combination. Examples of the flame retardant include organic phosphorus flame retardants, organic nitrogen-containing phosphorus compounds, nitrogen compounds, silicon-based flame retardants and metal hydroxides. Organic phosphorus flame retardants include Sanko Co., Ltd. HCA, HCA-HQ and HCA-NQ manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd .; Phosphorus-containing benzoxazine compounds such as HFB-2006M manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc. TPP, RPD, BAPP, CPD, TCP, TXP, TBP, TOP, KP140, TIBP, Hokko Chemical Industry Co., Ltd. PPQ manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd., OP930 manufactured by Clariant Co., Ltd. Phosphoric acid ester compounds such as PX200 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. Phosphorus-containing epoxy resins such as FX289 and FX310 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. Phosphorus-containing phenoxy resins such as ERF001 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and the like. Examples of the organic nitrogen-containing phosphorus compound include phosphate ester compounds such as SP670 and SP703 manufactured by Shikoku Chemicals Corporation; And phosphazene compounds such as SPB100 and SPE100 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. The metal hydroxides include Ube Material Industries, Ltd. Magnesium hydroxide such as UD65, UD650, and UD653 manufactured by Tomoe Engineering Co., Ltd. Aluminum hydroxide such as B-30, B-325, B-315, B-308, B-303 and UFH-

본 발명의 광 경화성 수지 조성물 및/또는 열 경화성 수지 조성물은 오르벤, 벤톤 등의 증점제, 실리콘계, 불소계, 고분자계의 소포제 또는 레벨링제, 이미다졸계, 티아졸계, 트리아졸계, 실란계 커플링제 등의 밀착성 부여제, 프탈로시아닌·블루, 프탈로시아닌·그린, 아이오딘·그린, 디스아조옐로, 카본블랙 등의 착색제 등의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 좋다. The photocurable resin composition and / or thermosetting resin composition of the present invention may contain a thickening agent such as an orthovane or a benton, a defoaming agent or leveling agent of a silicon type, a fluorine type or a high molecular type, an imidazole type, a thiazole type, a triazole type or a silane type coupling agent And other components such as a colorant such as phthalocyanine blue, phthalocyanine green, iodine green, disazo yellow and carbon black.

본 발명에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성하는 솔더 레지스트층은 모두, 잉크형의 솔더 레지스트로 형성하거나 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성하여도 좋다. 즉, 회로 기판 상으로의 수지 조성물의 바니쉬의 도공, 건조에 의해 형성하여도, 지지체 위에 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 제작하고, 상기 수지 조성물 필름을 회로 기판으로 적층(압착)함으로써 형성하여도 좋다. 또, 작업 효율이 좋고 두께 제어가 용이한 점에서, 회로 기판의 양면 모두 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성하는 것이 바람직하다. In the present invention, both the solder resist layer formed on one side of the circuit board and the solder resist layer formed on the other side may be formed of an ink type solder resist or a dry film type solder resist. That is, even when the varnish of the resin composition is coated on the circuit board and dried, a resin composition film having the resin composition layer formed on the support is produced, and the resin composition film is laminated . In addition, it is preferable to form the dry film type solder resist on both sides of the circuit board in view of good working efficiency and easy thickness control.

또, 회로 기판의 한쪽 면에 형성하는 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층 및 회로 기판의 다른쪽 면에 형성하는 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 솔더 레지스트층은 그 광 경화성 수지 조성물 및 열 경화성 수지 조성물의 양쪽 모두의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한 양자(兩者)의 최저 용융 점도의 비(열 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도/광 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도)가 0.01 내지 100으로 되는 관계인 것이 바람직하고, 상기 최저 용융 점도의 비가 0.05 내지 20으로 되는 관계인 것이 더욱 바람직하고, 특히 바람직하게는 0.1 내지 7이다. 이것은 솔더 레지스트층을 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 사용하여 형성하는 경우, 후술하는 바와 같이, 수지 조성물 필름의 회로 기판으로의 압착과 평탄화 프레스를 진공 라미네이터에 의해 연속적으로 행할 수 있지만, 최저 용융 온도가 80℃ 미만인 경우는 진공 프레스나 평탄화 프레스에서 수지의 점도가 지나치게 낮아 수지가 밀려나오거나, 최저 용융 온도가 160℃를 초과하는 경우는 유동성이 충분하지 않아 압착이나 평탄화에 불량이 발생하는 경우가 있다. 또한, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 다른 수지 조성물층(광 경화성 수지 조성물층과 열 경화성 수지 조성물층)을 동시에 적층하는 경우에, 양 층의 최저 용융 점도의 비가 상기 범위 외이면, 라미네이트나 열 프레스에 의한 평탄화 공정에 있어서, 적절한 온도 설정이 곤란해지는 경향이 있고, 소정의 온도에서, 어느 한쪽 층의 유동성이 지나치게 낮아 회로의 매립성이나 수지의 평탄성이 저하하거나, 어느 한쪽의 층의 유동성이 지나치게 높아서 수지가 밀려나오는 경향이 있다. The solder resist layer made of the photo-curable resin composition formed on one side of the circuit board and the solder resist layer made of the thermosetting resin composition formed on the other side of the circuit board are made of the photo-curable resin composition and the thermosetting resin composition The minimum melt viscosity of both the thermosetting resin composition and the photocurable resin composition is in the range of 80 to 160 占 폚 and the minimum melt viscosity of both of them is 0.01 To 100. The ratio of the lowest melt viscosity is more preferably 0.05 to 20, and particularly preferably 0.1 to 7. [ This is because when the solder resist layer is formed using a dry film type solder resist, the resin composition film can be continuously pressed and flattened to a circuit board by a vacuum laminator as described later, When the temperature is lower than 80 ° C, the viscosity of the resin is excessively low in a vacuum press or a planarizing press, and the resin is pushed out. When the minimum melting temperature exceeds 160 ° C, the fluidity is insufficient and poor compression or flattening may occur. In the case where the other resin composition layers (the photocurable resin composition layer and the thermosetting resin composition layer) are laminated on one side and the other side of the circuit board simultaneously, if the ratio of the lowest melt viscosity of both layers is out of the above range, There is a tendency that an appropriate temperature setting becomes difficult in a flattening process by thermal press, and the fluidity of one of the layers is too low at a predetermined temperature, so that the filling property of the circuit and the flatness of the resin are lowered, The fluidity is too high and the resin tends to be pushed out.

여기에서 말하는 「최저 용융 점도」는 일정한 승온 속도로 수지 조성물을 가열하여 용융시켰을 때에 초기 단계는 용융 점도가 온도 상승과 함께 저하하고, 그 후, 어떤 온도를 초과하면 온도 상승과 함께 용융 점도가 상승하는 특성을 나타내는 경우의 극소점의 용융 점도이며, 예를 들어 (주)유·비·엠사 제조의 형식 Rheosol-G3000을 사용하여, 동적 점탄성을 측정함으로써 측정되는 값이다. 구체적으로는 패럴렐 플레이트를 사용하여, 초기 온도 60℃, 승온 속도 5℃/분으로, 측정 간격 온도 2.5℃, 진동수 1Hz/deg, 100g 정하중 일정의 조건으로 측정하였을 때의 최저 용융 점도치를 의미한다. 또한, 최저 용융 점도를 나타내는 극소점의 온도가 「최저 용융 온도」이다. The " minimum melt viscosity " referred to herein is a temperature at which the resin composition is heated and melted at a constant heating rate. In the initial stage, the melt viscosity decreases with increasing temperature, , And is a value measured by measuring dynamic viscoelasticity using, for example, Rheosol-G3000, a product of Yu-Bi Co., Ltd. Specifically, it means the lowest melt viscosity value measured using a parallel plate at an initial temperature of 60 占 폚, a temperature rising rate of 5 占 폚 / min, a measurement interval of 2.5 占 폚, a frequency of 1 Hz / deg, and a constant load of 100 g. In addition, the temperature of the minimum point indicating the lowest melt viscosity is the " minimum melting temperature ".

광 경화성 수지 조성물과 열 경화성 수지 조성물의 최저 용융 점도 비의 조정 방법은 특히 한정되지 않고, 광 경화성 수지 조성물의 배합을 조정하거나 열 경화성 수지 조성물의 배합을 조정하여도 좋다. 그러나, 광 경화성 수지 조성물은 감광성과 현상성을 양립해야 하고, 고분자 성분이나 경화 촉진제의 첨가에 한도가 있으므로, 열 경화성 수지 조성물의 고분자 성분이나 경화 촉진제의 첨가량을 컨트롤하여 조정하는 것이 바람직하다. 일반적으로 고분자 성분, 경화 촉진제 등의 첨가량을 증가시키면 최저 용융 점도가 증가한다. The method of adjusting the lowest melt viscosity ratio of the photo-curable resin composition and the thermosetting resin composition is not particularly limited, and the mixing of the photo-curable resin composition or the mixing of the thermosetting resin composition may be adjusted. However, since the photo-curable resin composition must satisfy both photosensitivity and developability, and addition of a polymer component and a curing accelerator is limited, it is preferable to control and adjust the addition amount of the polymer component or the curing accelerator of the thermosetting resin composition. In general, when the amount of the polymer component, the curing accelerator, and the like is increased, the lowest melt viscosity is increased.

드라이 필름형의 솔더 레지스트에 있어서의 지지체로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음.) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트 (이하 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음.), 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로오스(TAC), 폴리에텔설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등으로 이루어지는 플라스틱 필름을 들 수 있다. Examples of the support for the dry film type solder resist include polyesters such as polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as " PET ") and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as " PEN " (TAC), polyether sulfone (PES), polyether ketone, polyimide, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone, polyether sulfone And the like.

또, 지지체는 솔더 레지스트층과의 접촉면이 이형 처리되어 있는 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 이것은 수지 조성물 필름의 지지체가 되는 플라스틱 필름의 열 경화성 수지 조성물층과의 접촉면에 이형 처리가 되어 있지 않으면, 일반적으로, 열 경화 후에 솔더 레지스트층 표면으로부터 플라스틱 필름을 박리하는 것이 곤란해지는 경우가 많기 때문이다. 이형 처리에 사용하는 이형제로서는 솔더 레지스트층 표면으로부터 플라스틱 필름이 박리 가능하다면 특히 한정되지 않고, 예를 들어, 불소계 이형제, 실리콘계 이형제, 알키드 수지계 이형제 등을 들 수 있다. 이형제는 다른 종류의 것을 혼합하여 사용하여도 좋다. 또한, 플라스틱 필름 표면은 매트 처리, 코로나 처리 등이 행해져 있어도 좋고, 상기 코로나 처리 표면 상에 또한 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 플라스틱 필름은 카본블랙 등의 카본분, 금속 화합물분, 금속분, 흑색 염료 등의 레이저 에너지 흡수성 성분을 함유하고 있어도 좋다. It is preferable that a plastic film on which the contact surface with the solder resist layer is subjected to release treatment is used as the support. This is because it is generally difficult to peel the plastic film from the surface of the solder resist layer after the thermal curing if the surface of the plastic film serving as the support of the resin composition film is not subjected to the release treatment on the contact surface with the thermosetting resin composition layer to be. The releasing agent used in the releasing treatment is not particularly limited as long as the plastic film can be peeled off from the surface of the solder resist layer, and examples thereof include a fluorine releasing agent, a silicone releasing agent and an alkyd resin releasing agent. The releasing agent may be used by mixing with other kinds of the releasing agent. The surface of the plastic film may be subjected to a matte treatment, a corona treatment, or the like, and the corona-treated surface may be further subjected to a release treatment. In addition, the plastic film may contain a laser energy absorbing component such as carbon powder such as carbon black, metal compound powder, metal powder, and black dye.

플라스틱 필름의 두께(이형 처리된 플라스틱 필름의 경우는 이형층도 포함하는 총두께)는 10 내지 50㎛의 범위가 바람직하고, 12 내지 45㎛의 범위가 더욱 바람직하고, 16 내지 38㎛의 범위가 특히 바람직하다. 플라스틱 필름의 두께가 10㎛ 미만에서는 회로 상의 평탄성이 저하하는 경향으로 되고, 50㎛를 초과하면, 가격이 비싸지는 경향이 있다. 또, 이형 처리된 플라스틱 필름에서의 이형층의 두께는 0.05 내지 2㎛가 바람직하다. The thickness of the plastic film (total thickness including the release layer in the case of the release-treated plastic film) is preferably in the range of 10 to 50 탆, more preferably in the range of 12 to 45 탆, more preferably in the range of 16 to 38 탆 Particularly preferred. If the thickness of the plastic film is less than 10 mu m, the flatness of the circuit tends to decrease. If the thickness exceeds 50 mu m, the price tends to become high. The thickness of the release layer in the release-treated plastic film is preferably 0.05 to 2 占 퐉.

드라이 필름형의 솔더 레지스트는 회로 기판으로의 적층을 행할 때 까지는 수지 조성물층을 덮어 보호하기 위한 보호 필름을 가지는 것이 바람직하다. 보호 필름은 수지 조성물층의 표면을 물리적 손상으로부터 지키고, 또한 먼지 등의 이물 부착을 방지하는 등의 이점이 있다. 이러한 보호 필름으로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐 등의 폴리올레핀, PET, PEN 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드 등의 필름을 들 수 있다. 또, 보호 필름에도, 지지 필름에 사용하는 플라스틱 필름과 마찬가지로, 매트 처리, 코로나 처리 외에, 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는 5 내지 30㎛의 범위인 것이 바람직하다. It is preferable that the dry film type solder resist has a protective film for covering and protecting the resin composition layer until lamination to a circuit board is carried out. The protective film is advantageous in that the surface of the resin composition layer is protected from physical damage, and adhesion of dust and the like is prevented. Examples of such a protective film include polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polyvinyl chloride, and films such as polyester, polycarbonate (PC) and polyimide such as PET and PEN. In addition to the matte treatment and the corona treatment, the protective film may be subjected to a release treatment in the same manner as the plastic film used for the support film. The thickness of the protective film is preferably in the range of 5 to 30 mu m.

드라이 필름형의 솔더 레지스트는 당업자에게 공지의 방법, 예를 들어, 광 경화성 수지 조성물 또는 열 경화성 수지 조성물의 바니쉬를 조제하고, 이 바니쉬를, 다이 코터 등을 사용하여, 지지체 위에 도포하고, 가열 또는 열풍 불기 등에 의해 유기 용제를 건조시켜서 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다. The dry film type solder resist can be formed by a method known to those skilled in the art, for example, by preparing a varnish of a photocurable resin composition or a thermosetting resin composition, applying the varnish on a support using a die coater or the like, And drying the organic solvent by hot blowing or the like to form a resin composition layer.

본 발명에 있어서, 드라이 필름형의 솔더 레지스트를 회로 기판에 적층하고, 솔더 레지스트층을 형성하는 작업은 종래의 방법에 준하여 행할 수 있다. 예를 들어, 진공 라미네이터를 사용하여 제조할 수 있다. 수지 조성물 필름을, 감압 하에서, 가열 및 가압하고, 회로 기판에 접착성 필름을 라미네이트 한다. 라미네이트는 온도가 바람직하게는 60 내지 140℃, 압력이 바람직하게는 1 내지 11kgf/cm2(9.8×104 내지 107.9×104N/m2)의 범위에서 행해진다. 공기압은 바람직하게는 20mmHg(26.7hPa) 이하의 감압 하에서 행해진다. 라미네이트 공정 후에, 바람직하게는, 금속판에 의한 열 프레스에 의해, 라미네이트된 수지 조성물 필름의 평탄화를 행한다. 상기 평탄화 공정은 상압 하(대기압 하)에서, 가열된 SUS 경판(鏡板) 등의 금속판에 의해, 접착 시트를 가열 및 가압함으로써 행해진다. 가열 및 가압 조건은 상기 라미네이트 공정과 같은 조건을 사용할 수 있다. 상기 라미네이트 공정 및 평탄화 공정은 시판되어 있는 진공 라미네이터에 의해 연속적으로 행할 수 있다. 시판되어 있는 진공 라미네이터로서는 예를 들어, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 가압식 라미네이터, Nichigo-Morton Co., Ltd. 제조의 바큠어플리케이터 등을 들 수 있다. In the present invention, the operation of laminating the dry film type solder resist on the circuit board and forming the solder resist layer can be performed according to the conventional method. For example, it can be manufactured using a vacuum laminator. The resin composition film is heated and pressed under reduced pressure to laminate an adhesive film on the circuit board. The lamination is performed at a temperature of preferably 60 to 140 占 폚 and a pressure of preferably 1 to 11 kgf / cm 2 (9.8 × 10 4 to 107.9 × 10 4 N / m 2 ). The air pressure is preferably performed under a reduced pressure of 20 mmHg (26.7 hPa) or less. After the lamination process, the laminated resin composition film is preferably planarized by hot pressing with a metal plate. The planarization step is performed by heating and pressing the adhesive sheet with a metal plate such as a heated SUS mirror plate under atmospheric pressure (under atmospheric pressure). The heating and pressurizing conditions can be the same as those in the lamination process. The lamination process and the planarization process can be continuously performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, Meiki Co., Ltd. Manufacture of vacuum pressurized laminator, Nichigo-Morton Co., Ltd. An applicator for manufacturing, and the like.

본 발명에 있어서, 솔더 레지스트층의 두께는 10 내지 50㎛가 바람직하고, 20 내지 40㎛가 더욱 바람직하다. 솔더 레지스트층의 두께가 10㎛ 미만이면, 도체층의 두께에도 의하지만 회로 기판에 평탄하게 적층시키는 것이 곤란해지는 경향이 있고, 50㎛를 초과하면, 다층 프린트 배선판의 박형화에 적합하지 않는 경향이 있다. In the present invention, the thickness of the solder resist layer is preferably 10 to 50 mu m, more preferably 20 to 40 mu m. When the thickness of the solder resist layer is less than 10 mu m, it tends to be difficult to laminate the circuit board smoothly depending on the thickness of the conductor layer. When the thickness exceeds 50 mu m, the multilayer printed wiring board tends not to be thin .

회로 기판의 양면에 솔더 레지스트층을 형성한 후, 한쪽 면의 포토 솔더 레지스트층(광 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층)에 개구부를 형성하기 위해서 노광·현상(리소그래피)을 행한다. 노광 공정에서는 개구부가 되는 부분만이 활성 에너지선을 통과하지 않도록 한 네거티브 마스크를 사용하여 활성 에너지선에 의한 노광이 행하여진다. 또한, 네거티브 마스크를 사용하지 않고 활성 에너지선의 빔으로 직접 묘화하여도 좋다. 노광 방법에는 네거티브 마스크를 회로 기판에 밀착하여 행하는 접촉 노광법과, 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법이 있지만, 어느 것을 사용하여도 상관없다. 자외선의 조사량은 대략 10 내지 1000mJ/cm2이다. After a solder resist layer is formed on both sides of the circuit board, exposure and development (lithography) is performed in order to form openings in the photo-solder resist layer (solder resist layer formed of the photo-curable resin composition) on one side. In the exposure step, exposure is performed with an active energy ray using a negative mask in which only the portion which becomes an opening portion does not pass through the active energy ray. Further, it is also possible to directly paint with a beam of an active energy ray without using a negative mask. The exposure method includes a contact exposure method in which a negative mask is brought into close contact with a circuit board and a non-contact exposure method in which a negative light is used to expose a negative mask. The dose of ultraviolet radiation is approximately 10 to 1000 mJ / cm 2 .

노광 공정 후, 현상 공정에 들어간다. 현상 공정은 탄산나트륨 수용액, 수산화나트륨 수용액 등의 알칼리액을 현상액으로 하고, 스프레이, 침지 등의 수단으로 행하여지고, 미노광 부분이 용해, 팽윤, 박리 등의 작용으로 제거된다. After the exposure process, the development process is started. The developing step is carried out by means of spraying, immersion or the like using an alkaline solution such as an aqueous solution of sodium carbonate, an aqueous solution of sodium hydroxide or the like as a developer, and the unexposed portions are removed by the action of dissolution, swelling, peeling or the like.

노광 및/또는 현상 공정에 있어서, 레이저를 사용하여 개구하는 측의 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층은 롤러 등에 의한 흠이나 화학약품 등에 의한 손상을 피하기 위해서 필요에 따라서 보호 필름 등으로 보호하여도 좋다. 또한, 상기 솔더 레지스트층을 드라이 필름형의 솔더 레지스트로 형성한 경우, 수지 조성물 필름의 지지체를 박리하지 않고, 그대로 노광이나 현상 공정에서 보호 필름으로서 사용하여도 좋다. In the exposure and / or development process, the solder resist layer formed of the thermosetting resin composition that is opened using the laser may be protected with a protective film or the like, if necessary, in order to avoid damage by a roller or the like, good. When the solder resist layer is formed of a dry film type solder resist, the support of the resin composition film may be used as a protective film in the exposure or development process as it is without peeling off the support.

현상 공정 후, 베이크 공정으로 들어간다. 베이크는 광 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층(포토 솔더 레지스트)의 포스트 베이크의 역할을 가지는 동시에, 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트를 열 경화하는 공정도 겸한다. 베이크는 열풍 노 또는 원적외선 노 등에서, 솔더 레지스트 중의 에폭시 수지 등의 열 경화 성분이 충분히 반응하는 온도, 시간으로 행하면 좋다. 사용하고 있는 솔더 레지스트의 종류에도 의하지만, 120 내지 200℃의 범위에서 30 내지 120분간 행하는 것이 바람직하다. After the developing process, the baking process is started. The bake has a role of post-baking the solder resist layer (photo-solder resist) formed of the photo-curable resin composition and also serves as a step of thermally curing the solder resist formed of the thermosetting resin composition. The baking may be performed at a temperature and for a time at which a thermosetting component such as an epoxy resin in the solder resist sufficiently reacts in a hot air furnace or a far infrared ray furnace. Depending on the kind of the solder resist used, it is preferable to perform the process in the range of 120 to 200 DEG C for 30 to 120 minutes.

베이크 후, 열 경화성 수지 조성물로 형성된 솔더 레지스트층에 표면에 레이저광을 조사하여, 개구부를 형성한다. 개구부의 크기는 탑재하는 부품의 미세도에 따라서 선택되지만, 탑 직경 40 내지 100㎛의 범위가 바람직하다. 레이저 광원으로서는 탄산 가스 레이저, YAG 레이저, 엑시머 레이저 등을 들 수 있고, 가공성이나 비용면에서 탄산 가스 레이저가 바람직하게 사용된다. After baking, the surface of the solder resist layer formed of the thermosetting resin composition is irradiated with laser light to form openings. The size of the opening portion is selected according to the fineness of the component to be mounted, but the range of the column diameter is preferably from 40 to 100 탆. Examples of the laser light source include a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, and an excimer laser, and a carbon dioxide gas laser is preferably used in terms of workability and cost.

탄산 가스 레이저 장치를 사용하는 경우, 9.3 내지 10.6㎛의 파장의 레이저광을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 숏수는 형성해야 할 비어홀의 깊이, 구멍 직경에 따라서도 다르지만, 1 내지 10숏 사이에서 선택되는 것이 바람직하다. 비어 가공 속도를 빠르게 하고, 회로 기판의 생산성을 향상시키는 관점에서, 숏수는 적은 쪽이 바람직하고, 1 내지 5숏인 것이 바람직하며, 1 내지 3숏인 것이 더욱 바람직하다. 탄산 가스 레이저 장치를 사용하는 경우의 레이저광의 에너지는 숏수, 블라인드 비어의 깊이, 금속막층의 두께, 이형층의 두께에도 의하지만, 바람직하게는 0.5mJ 이상으로 설정되고, 더욱 바람직하게는 1mJ 이상, 더욱 더 바람직하게는 2mJ 이상으로 설정된다. 상한은 20mJ 이하가 바람직하고, 15mJ 이하가 더욱 바람직하고, 10mJ 이하가 더욱 더 바람직하고, 5mJ 이하가 가장 바람직하다. 레이저광의 에너지가 지나치게 높으면, 비어홀의 하지 도체층이 손상을 받기 쉬워지기 때문에, 숏수에 따라서, 상기 범위에서 최적의 에너지값을 선택하는 것이 바람직하다. 또, 복수의 숏으로 가공하는 경우, 연속적인 숏인 버스트 방식(burst mode)은 구멍 내에 가공 열이 가득 차고, 비어 가공성에 차가 생기기 쉬워지는 경향이 있기 때문에, 시간적 간격을 갖게 한 복수 숏인, 사이클 모드가 바람직하다. When a carbon dioxide gas laser device is used, it is preferable to use a laser beam having a wavelength of 9.3 to 10.6 mu m. It is preferable that the number of shots is selected from 1 to 10 shots although it depends on the depth and hole diameter of the via hole to be formed. From the viewpoint of speeding up the processing speed of the via and improving the productivity of the circuit board, the number of shoots is preferably small, preferably 1 to 5 shots, more preferably 1 to 3 shots. The energy of the laser beam in the case of using a carbon dioxide gas laser device is preferably set to 0.5 mJ or more, more preferably 1 mJ or more, and more preferably 1 mJ or more, depending on the number of blades, the depth of the blind via, the thickness of the metal film layer, Still more preferably 2 mJ or more. The upper limit is preferably 20 mJ or less, more preferably 15 mJ or less, even more preferably 10 mJ or less, and most preferably 5 mJ or less. If the energy of the laser light is too high, the underlying conductor layer of the via hole is liable to be damaged. Therefore, it is preferable to select an optimum energy value within the above range in accordance with the number of turns. Further, in the case of machining into a plurality of shots, the continuous burst-type burst mode tends to be filled with machining heat in the hole, and a difference in via machining property tends to easily occur. Therefore, .

조사에 사용되는 레이저광의 펄스 폭은 특히 한정되지 않고, 28μs의 미들 레인지로부터 4μs 정도의 단펄스까지 넓은 범위에서 선택 가능하지만, 일반적으로 고에너지의 소직경 가공의 경우, 단펄스 쪽이 비어 가공 형상이 우수하게 되어 있다. 또한, 시판되는 탄산 가스 레이저 장치로서는 예를 들어, Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics, Ltd. LC-G시리즈, 마츠시타 용접 시스템(주) 기판 천공 레이저 가공기 등을 들 수 있다. The pulse width of the laser light used for the irradiation is not particularly limited and can be selected from a wide range from a mid range of 28 μs to a short pulse of about 4 μs. In general, in the case of high energy small diameter processing, Is excellent. As a commercially available carbon dioxide gas laser device, for example, Mitsubishi Electric Corporation ML605GTWII, Hitachi Via Mechanics, Ltd. LC-G series, Matsushita Welding System Co., Ltd., and a laser drilling machine.

솔더 레지스트층으로의 개구의 형성 후, 스미어(smear)의 제거 및 언더필의 젖음 성분 개선을 목적으로서 양면 또는 한면에 필요에 따라서 디스미어 처리가 행해진다. 본 발명에서의 디스미어(desmear) 처리는 공지의 각종 방법에 의해 행할 수 있고, 바람직하게는 일반적으로 사용되는 플라즈마에 의한 건식법과, 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제 용액을 사용하는 습식법을 사용할 수 있다. After formation of openings in the solder resist layer, desmear treatment is carried out on both sides or one side as required for the purpose of removing the smear and improving the wetting component of the underfill. The desmear treatment in the present invention can be carried out by various known methods, and it is preferable to use a commonly used dry method using a plasma and a wet method using an oxidizing agent solution such as an alkaline permanganic acid solution.

플라즈마 디스미어 장치로서는 Ebara-Udylite Co., Ltd. 제조의 「대해(大海)」, Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 상압 플라즈마 처리 장치 등, 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다. As the plasma desmear device, Ebara-Udylite Co., Ltd. &Quot; Daishi, " manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. A commercially available atmospheric plasma processing apparatus, or the like can be used.

알칼리성 과망간산 수용액 등의 산화제로 디스미어 처리하는 경우, 처리에 앞서 팽윤액에 의한 팽윤 처리를 하는 것이 바람직하다. 팽윤액에는 예를 들어, Atotech Japan(주) 제조의 스웰링·딥·세큐리건스 P(Swelling Dip Securiganth P), 스웰링·딥·세큐리건스 SBU(swelling Dip Securiganth SBU) 등을 들 수 있다. 팽윤 처리는 60 내지 80℃로 가열한 팽윤액에 절연층을 5 내지 10분 첨가함으로써 행하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액으로서는 예를 들어, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산 칼륨이나 과망간산 나트륨을 용해한 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 수용액에 의한 조화(roughening) 처리는 60 내지 80℃, 10 내지 30분 첨가함으로써 행하는 것이 바람직하다. 알칼리성 과망간산 수용액은 시판품으로서는 Atotech Japan(주) 제조의 콘센트레이트 콤팩트 CP, 도이징솔류션 세큐리건스 P 등을 들 수 있다. In the case of desmear treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid aqueous solution, swelling treatment with a swelling liquid is preferably carried out prior to treatment. Examples of the swelling liquid include Swelling Dip Securiganth P and Swelling Dip Securiganth SBU manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. (Swelling Dip Securiganth SBU) . The swelling treatment is preferably performed by adding an insulating layer to the swelling liquid heated at 60 to 80 캜 for 5 to 10 minutes. Examples of the alkaline permanganic acid aqueous solution include a solution in which potassium permanganate or sodium permanganate is dissolved in an aqueous solution of sodium hydroxide. The roughening treatment with an alkaline permanganic acid aqueous solution is preferably carried out by adding it at 60 to 80 캜 for 10 to 30 minutes. Commercially available alkaline permanganic acid aqueous solutions include Concentrate Compact CP manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., and Dozing Solution Cecrigin P, and the like.

디스미어의 공정에 있어서, 노광·현상을 사용하여 개구하는 측의 솔더 레지스트층(회로 기판의 한쪽 면에 형성한 솔더 레지스트층)은 롤러 등에 의한 흠이나 화학약품 등에 의한 손상을 피하기 위해서 필요에 따라서 보호 필름 등으로 보호하여도 좋다. In the desmear process, the solder resist layer (the solder resist layer formed on one side of the circuit board) on the opening side using the exposure and development is removed as needed to avoid damage by rollers, etc., It may be protected with a protective film or the like.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또, 이하의 기재에 있어서 재료의 배합량을 의미할 때에 사용하는 「부(部)」는 「질량부」를 의미한다. 용융 점도는 (주)유·비·엠사 제조의 형식 Rheosol-G3000을 사용하여, 동적 점탄성을 측정하였다. 측정은 초기 온도 60℃로부터 승온 속도 5℃/분으로, 측정 간격 온도 2.5℃, 진동수 1Hz/deg로 측정하였다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. In the following description, " part " used when referring to the amount of the material means " part by mass ". The dynamic viscoelasticity was measured using a Rheosol-G3000 manufactured by Yu-Bi Co., Ltd. The measurement was carried out at an initial temperature of 60 占 폚, a heating rate of 5 占 폚 / min, a measurement interval of 2.5 占 폚 and a frequency of 1 Hz / deg.

(수지 용액(A)의 합성예)(Synthesis Example of Resin Solution (A)) [

에틸카비톨아세테이트 411부, o-크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 215, 1분자 중에 평균하여 6개의 페놀핵을 가짐) 430부, 및 아크릴산 144부를 플라스크에 넣고, 교반 하 120℃에서 10시간 반응시켰다. 일단 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 무수 테트라하이드로 프탈산 288.8부를 더하여, 80℃로 가열하여 4시간 교반하였다. 재차 이 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 글리시딜메타크릴레이트 105부 및 프로필렌글리콜메틸에텔아세테이트 161부를 가하여, 교반 하 110℃에서 6시간 반응시켰다. 이 반응 생성물을 실온까지 냉각하고, 수지 용액(A)(불휘발분 62.9%, 산가 70[KOHmg/g])을 얻었다. 430 parts of ethylcarbitol acetate, 430 parts of o-cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 215, average of six phenolic nuclei in one molecule), and 144 parts of acrylic acid were placed in a flask and stirred at 120 ° C for 10 hours Lt; / RTI > Once the reaction product was cooled to room temperature, 288.8 parts of anhydrous tetrahydrophthalic acid was added and the mixture was heated to 80 占 폚 and stirred for 4 hours. The reaction product was cooled to room temperature again, and 105 parts of glycidyl methacrylate and 161 parts of propylene glycol methyl ether acetate were added and reacted at 110 ° C for 6 hours under stirring. The reaction product was cooled to room temperature to obtain a resin solution (A) (nonvolatile matter content 62.9%, acid value 70 [KOH mg / g]).

(광 경화성 수지 조성물 필름(1)의 제조예)(Production Example of Photocurable Resin Composition Film (1)) [

수지 용액(A) 100부, 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량 291, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「NC-3000H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 18부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 277, DIC Corporation 제조의 「EPICLON HP-7200H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 18부, 광중합 개시제(치바·스페셜리티·케미컬(주) 제조의 「2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온」) 7부, 광증감제(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「2,4-디에틸티옥산톤」) 1부, 아크릴 단량체(Toagosei Co., Ltd. 제조의 「M-310」) 16부, 경화 촉진제(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피큐아 DICY-7」) 0.5부, 미분 실리카(Nippon Aerosil Co., Ltd. 제조의 「아에로질#200」) 2부, 구상 실리카(Fusou Chemical Co., Ltd. 제조의 「쿼토론 SP-1」) 10부, 안료((Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.)「FG7351」) 0.5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 광 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. , 100 parts of the resin solution (A), 18 parts of an ethylcarbitol acetate solution having a solid content of 70% of biphenyl type epoxy resin (epoxy equivalent 291, "NC-3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 18 parts of dicyclopentadiene 18 parts of an ethylcarbitol acetate solution having a solid content of 70% of an epoxy resin (epoxy equivalent 277, "EPICLON HP-7200H" manufactured by DIC Corporation), 18 parts of a photopolymerization initiator ("2-methyl- , 7 parts of [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone "), a photosensitizer (2,4-diethylthioxanthone manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) , 16 parts of an acrylic monomer ("M-310" manufactured by Toagosei Co., Ltd.), 0.5 part of a curing accelerator ("Epicure DICY-7" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) 2 parts of "AEROXIL # 200" manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.), 10 parts of spherical silica ("QOURTON SP-1" manufactured by Fusou Chemical Co., Ltd.), 10 parts of pigment ((Toyo Ink Mfg Co., Ltd.) " FG7351 ") were mixed , Uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a photocurable resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 한면에 알키드 수지로 이형 처리된 25㎛의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET25-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27㎛로 되도록 도포하고, 열풍 순환형 건조기에서 80℃, 20분간 예비 건조 후, 보호 필름으로서, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 필름(광 경화성 수지 조성물 필름(1))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 540poise, 최저 용융 온도는 148℃이었다. The varnish was coated on the release-treated surface of a 25-μm release PET film (manufactured by Lintec Corporation, PET25-AL-5) which had been subjected to release treatment with an alkyd resin on one side so that the thickness of the resin composition layer after drying became 27 μm, Dried in a hot-air circulating dryer at 80 DEG C for 20 minutes, and then wound in a roll form while bonding a polypropylene film having a thickness of 15 mu m as a protective film. The roll-type adhesive film was slit with a width of 507 mm to obtain a film (photo-curable resin composition film (1)) having a size of 507 x 336 mm. The lowest melt viscosity of the obtained film was 540 poise and the lowest melt temperature was 148 占 폚.

(광 경화성 수지 조성물 필름(2)의 제조예)(Production Example of Photocurable Resin Composition Film (2)) [

수지 용액(A) 100부, 액상 비스 페놀F형 에폭시 수지(에폭시 당량 170, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트807」) 13부, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 277, DIC Corporation 제조의 「EPICLON HP-7200H」)의 고형분 70%의 에틸카비톨아세테이트 용액 12부, 광중합 개시제(치바·스페셜리티·케미컬(주) 제조의 「2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온」) 7부, 광증감제(Nippon Kayaku Co., Ltd. 제조의 「2,4-디에틸티옥산톤」) 1부, 아크릴 단량체(Toagosei Co., Ltd. 제조의 「M-310」) 16부, 경화 촉진제(Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피큐아 DICY-7」) 0.5부, 미분 실리카(제조의 「아에로질#200」) 2부, 구상 실리카(Fusou Chemical Co., Ltd. 제조의 「쿼토론 SP-1」) 10부, 안료(Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 「FG7351」) 0.5부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 광 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. , 13 parts of a liquid bisphenol F type epoxy resin (epoxy equivalent 170, "Epicoat 807" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), 10 parts of a dicyclopentadiene type epoxy resin (epoxy equivalent 277 , 12 parts of an ethylcarbitol acetate solution having a solid content of 70% (manufactured by DIC Corporation, "EPICLON HP-7200H"), 2 parts of a photopolymerization initiator (2-methyl- [4- (methylthio) Phenyl] -2-morpholino-1-propanone), 7 parts of a photosensitizer (2,4-diethylthioxanthone manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 1 part of acrylic monomers (Toagosei (Manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd., "Epicure DICY-7" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.), 20 parts of fine silica ), 10 parts of spherical silica (" Q-ballon SP-1 ", manufactured by Fusou Chemical Co., Ltd.) and 0.5 parts of pigment (Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. " FG7351 " Dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer, To prepare a resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 한면에 알키드 수지로 이형 처리된 25㎛의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET25-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27㎛로 되도록 도포하고, 열풍 순환형 건조기에서 80℃, 20분간 예비 건조 후, 보호 필름으로서, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤 형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(광 경화성 수지 조성물 필름(2))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 120poise, 최저 용융 온도는 128℃이었다. The varnish was coated on the release-treated surface of a 25-μm release PET film (manufactured by Lintec Corporation, PET25-AL-5) which had been subjected to release treatment with an alkyd resin on one side so that the thickness of the resin composition layer after drying became 27 μm, Dried in a hot-air circulation dryer at 80 DEG C for 20 minutes, and wound into a rolled form while bonding a polypropylene film having a thickness of 15 mu m as a protective film. The roll-shaped adhesive film was slit with a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film (photo-curable resin composition film (2)) of 507 x 336 mm size. The lowest melt viscosity of the obtained film was 120 poise and the lowest melt temperature was 128 占 폚.

(열 경화성 수지 조성물 필름(3)의 제조예)(Production example of thermosetting resin composition film (3)) [

액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트 828EL」) 26부와, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(에폭시 당량 163, DIC Corporation 제조의 「HP4700」) 20부를 메틸에틸케톤 15부와 시클로헥사논 15부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기로, 페놀 노볼락계 경화제 (DIC Corporation 제조의 「TD2090」, 페놀성 하이드록실기 당량 105)의 고형분 60%의 메틸에틸케톤 용액 25부, 경화 촉진제(Shikoku Chemicals Corporation 제조, 「2E4MZ」) 0.1부, 구형 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 「SOC2」Admatechs Company Limited 제조) 45부, 폴리비닐부티랄 수지 용액(Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 「KS1」의 고형분 15%의 에탄놀과 톨루엔의 1:1 용액) 20부, 페녹시 수지 용액(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「FX293」의 고형분 40%의 메틸에틸케톤과 시클로헥사논 2:3 용액) 23부를 혼합하여, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 열 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. , 26 parts of a liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "Epicoat 828EL" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) and 26 parts of a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, "HP4700" ) Was dissolved by heating in a mixed solvent of 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone with stirring. Thereafter, 25 parts of a methyl ethyl ketone solution having a solid content of 60% of phenol novolak type curing agent ("TD2090" manufactured by DIC Corporation, phenolic hydroxyl group equivalent 105), 25 parts of a curing accelerator ("2E4MZ" , 45 parts of spherical silica (average particle diameter 0.5 탆, "SOC2" manufactured by Admatechs Company Limited), 15 parts of a polyvinyl butyral resin solution (ethoxylate of 15% solids in "KS1" manufactured by Sekisui Chemical Co., ) And 23 parts of a phenoxy resin solution ("FX293" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., a solid content of 40% methyl ethyl ketone and cyclohexanone 2: 3 solution) And uniformly dispersed in a mixer to prepare a thermosetting resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 38㎛의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET38-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27㎛로 되도록 다이 코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조하였다 (수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 1.5질량%). 그 다음에, 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(열 경화성 수지 조성물 필름(3))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 3310poise, 최저 용융 온도는 135℃이었다. The varnish was applied uniformly on a release-treated surface of a 38 占 퐉 -thick release PET film (manufactured by Lintec Corporation, PET38-AL-5) with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 27 占 퐉, (Average 100 ° C) for 6 minutes (amount of residual solvent in the resin composition layer: 1.5% by mass). Then, a polypropylene film having a thickness of 15 占 퐉 was bonded to the surface of the resin composition layer as a protective film and wound in a roll form. The roll-shaped adhesive film was slit with a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film (thermosetting resin composition film (3)) having a size of 507 x 336 mm. The lowest melt viscosity of the obtained film was 3310 poise and the lowest melt temperature was 135 占 폚.

(열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 제조예)(Production example of thermosetting resin composition film (4)) [

액상 비스 페놀A형 에폭시 수지(에폭시 당량 180, Japan Epoxy Resins Co., Ltd. 제조의 「에피코트828EL」) 26부와, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지(에폭시 당량 163, DIC Corporation 제조의 「HP4700」) 20부를 메틸에틸케톤 15부와 시클로헥사논 15부의 혼합 용매에 교반하면서 가열 용해시켰다. 거기로, 페놀 노볼락계 경화제(DIC Corporation 제조의 「TD2090」, 페놀성 하이드록실기 당량 105)의 고형분 60%의 메틸에틸케톤 용액 25부, 경화 촉진제(Shikoku Chemicals Corporation 제조, 「2E4MZ」) 0.5부, 구형(球形) 실리카(평균 입자 직경 0.5㎛, 「SOC2」 Admatechs Company Limited 제) 45부, 폴리비닐부티랄 수지 용액(Sekisui Chemical Co., Ltd. 제조의 「KS1」의 고형분 15%의 에탄놀과 톨루엔의 1:1 용액) 40부, 페녹시 수지 용액(Tohto Kasei Co., Ltd. 제조의 「FX293」의 고형분 40%의 메틸에틸케톤과 시클로헥사논 2:3 용액) 46부를 혼합하여, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산하여, 열 경화성 수지 조성물 바니쉬를 제작하였다. , 26 parts of a liquid bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 180, "Epicoat 828EL" manufactured by Japan Epoxy Resins Co., Ltd.) and 26 parts of a naphthalene type tetrafunctional epoxy resin (epoxy equivalent 163, "HP4700" ) Was dissolved by heating in a mixed solvent of 15 parts of methyl ethyl ketone and 15 parts of cyclohexanone with stirring. Thereafter, 25 parts of a methyl ethyl ketone solution having a solid content of 60% of phenol novolak type curing agent ("TD2090" manufactured by DIC Corporation, phenolic hydroxyl group equivalent 105), 25 parts of a curing accelerator ("2E4MZ" 45 parts of spherical silica (average particle diameter 0.5 탆, manufactured by "SOC2" Admatechs Company Limited), 15 parts of a polyvinyl butyral resin solution ("KS1" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., 40 parts of a phenol resin solution (a 1: 1 solution of novolak and toluene) and 46 parts of a phenoxy resin solution ("FX293" manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., solid content 40% methyl ethyl ketone and cyclohexanone 2: 3 solution) , And the mixture was uniformly dispersed in a high-speed rotary mixer to prepare a thermosetting resin composition varnish.

상기 바니쉬를, 38㎛의 이형 PET 필름(Lintec Corporation 제조, PET38-AL-5)의 이형 처리면에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 27㎛로 되도록 다이코터로 균일하게 도포하고, 80 내지 120℃(평균 100℃)에서 6분간 건조하였다 (수지 조성물층 중의 잔류 용매량: 1.5질량%). 그 다음에, 수지 조성물층의 표면에, 보호 필름으로서, 두께 15㎛의 폴리프로필렌 필름을 접합하면서 롤형으로 감았다. 롤형의 접착성 필름을 폭 507mm로 슬릿하고, 507×336mm 사이즈의 시트형의 접착성 필름(열 경화성 수지 조성물 필름(4))을 얻었다. 얻어진 필름의 최저 용융 점도는 13210poise, 최저 용융 온도는 135℃이었다. The varnish was applied uniformly on a release-treated surface of a 38 占 퐉 -thick release PET film (manufactured by Lintec Corporation, PET38-AL-5) with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying became 27 占 퐉, (Average 100 ° C) for 6 minutes (amount of residual solvent in the resin composition layer: 1.5% by mass). Then, a polypropylene film having a thickness of 15 占 퐉 was bonded to the surface of the resin composition layer as a protective film and wound in a roll form. The roll-shaped adhesive film was slit with a width of 507 mm to obtain a sheet-like adhesive film (thermosetting resin composition film (4)) of 507 x 336 mm size. The lowest melt viscosity of the obtained film was 13210 poise and the lowest melt temperature was 135 占 폚.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(1) 및 상기 열 경화성 수지 조성물 필름(3)(각각 507×336mm 사이즈)의 보호 필름을 박리하고, 이들을, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 70℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로, 회로 형성된 동장(銅張) 적층판(회로 도체 두께 18㎛, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 각각 한면에 배치하고, 양면을 동시에 라미네이트 하였다. 또한 연속적으로 온도 70℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 열 프레스 후의 PET 필름 단면으로부터 동장 적층판 외주단으로의 광 경화성 수지 조성물 필름(1)의 수지의 밀려나옴은 0.67mm이고, 열 경화성 수지 조성물 필름(3)의 수지의 밀려나옴은 0.18mm이었다. The protective film of the photo-curable resin composition film (1) and the thermosetting resin composition film (3) (size 507 x 336 mm, respectively) was peeled off, For, under the condition of temperature 70 ℃, pressure 7kgf / cm 2, pressure 5mmHg below, copper-clad circuit (銅張) laminate (thickness of conductor circuit 18㎛, external size 510 × 340mm, thickness 0.2mm) are formed by a vacuum laminator for manufacturing Respectively, and laminated on both sides at the same time. Further, hot pressing was carried out continuously under the conditions of a temperature of 70 DEG C and a pressure of 5 kgf / cm &lt; 2 &gt; by an SUS hard plate. The pushed-out of the resin of the photo-curable resin composition film 1 from the end face of the PET film after hot pressing to the peripheral edge of the copper clad laminate was 0.67 mm and the pushed out of the resin of the thermosetting resin composition film 3 was 0.18 mm.

다음으로, 광 경화성 수지 조성물 필름(1)에 대하여, 직경 600㎛의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하고, 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 200mJ/cm2 노광하여 광경화를 행하였다. 다음에, 광 경화성 수지 조성물 필름(1)측의 PET 필름을 박리한 후, 1.0% 탄산나트륨 수용액(액체 온도 30℃)의 현상액에 사용하여, 2kg/cm2의 스프레이압으로 60초간 현상하고, 미노광 부분을 용해 제거하고, 또한 노광 부분을 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 1000mJ/cm2 노광하여 광경화하였다. 그 다음에, 열 경화성 수지 조성물 필름(3)측의 PET 필름을 박리한 후, 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. Next, the photocurable resin composition film (1), the diameter by using the fixed pattern of a photomask is subjected to circular 600㎛, and a high pressure mercury lamp exposure apparatus was subjected to photocuring by exposure 200mJ / cm 2. Next, the PET film on the side of the photocurable resin composition film (1) was peeled and then developed in a developer of 1.0% sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature: 30 DEG C) for 60 seconds at a spray pressure of 2 kg / dissolving and removing the light parts, and the screen was also the exposed portion using a high pressure mercury lamp exposure apparatus 1000mJ / cm 2 using an exposure optical path. Then, the PET film on the side of the thermosetting resin composition film (3) was peeled off and then heated at 180 캜 for 60 minutes to thermoset.

실온까지 냉각한 후, 열 경화성 수지 조성물 필름(3) 유래의 경화물층을 형성하고 있는 면에 Mitsubishi Electric Corporation 제조의 탄산 가스 레이저 장치(ML605GTWII-P)에 의해, 레이저광의 파장 9.3㎛, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs, 숏수 1회인 조건으로 개구를 하여, 비어홀(탑 직경 60㎛)을 형성하였다. After cooling to room temperature, a carbonic acid gas laser device (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation was used to form a cured layer of a thermosetting resin composition film (3) mJ, a pulse width of 4 占 퐏, and a number of times of one shot to form a via hole (top diameter 60 占 퐉).

이렇게 하여 양면에 솔더 레지스트를 형성한 후의 기판을 ESPEC Corp. 제조의 액조(液槽) 냉열 충격 시험 장치(TSB-51)를 사용하여, 저온조 온도 -65℃, 고온조 온도 150℃, 노출 시간 각 5분, 1000사이클의 조건에서 열 충격 시험을 행하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 양면의 솔더 레지스트에는 어느 것에도 균열의 발생은 확인되지 않았다. After the solder resist was formed on both sides in this manner, the substrate was transferred to ESPEC Corp. A thermal shock test was conducted under the conditions of a low-temperature bath temperature of -65 占 폚, a high-temperature bath temperature of 150 占 폚, an exposure time interval of 5 minutes, and a cycle of 1000 cycles, using a liquid bath thermo-shock testing apparatus (TSB-51) The presence of cracks was investigated. No cracks were observed in any of the solder resists on both sides.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(1)을 2매 준비하고, 양쪽의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판(회로 도체 두께 18㎛, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 양면에 가(假)부착하고, Nichigo-Morton Co., Ltd. 제조의 바큠 애플리케이터에 의해, 70℃에서 열 압착하였다. 다음에 한면에 직경 60㎛의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하여 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 200mJ/cm2 노광하고, 광경화를 행하였다. 또 다른 한쪽 면에는 직경 600㎛의 원형 패턴을 실시한 포토마스크를 고정하여 마찬가지로 광경화를 행하였다. 양면의 PET 필름을 벗겨낸 후, 0.85% 수산화나트륨 수용액(액체 온도 30℃)을 현상액에 사용하고, 2kg/cm2의 스프레이압으로 60초간 현상하고, 미노광 부분을 용해 제거하고, 개구부를 형성하였다. 그 후, 노광 부분을 고압 수은등 노광 장치를 사용하여 1000mJ/cm2 노광하여 광경화하고, 또한 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. 그 후, 상기 실시예 1과 마찬가지로 열 충격 시험을 행하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 직경 600㎛의 개구부를 가지는 측에서는 균열이 관찰되지 않았지만, 직경 60㎛의 개구부의 부근에서 균열이 관찰되었다. Two pieces of the above-mentioned photo-curable resin composition film (1) were prepared and both protective films were peeled off to form a film on both sides of a circuit-laminated copper clad laminate (circuit conductor thickness 18 占 퐉, outer size 510 占 340mm, thickness 0.2mm) ) Was attached, and Nichigo-Morton Co., Ltd. The thermocompression bonding was carried out at 70 캜 by a varnish applicator of the manufacture. Next, with fixing the photomask subjected to a circular pattern having a diameter of 60㎛ on one side using a high pressure mercury lamp exposure apparatus and exposure 200mJ / cm 2, it was subjected to photocuring. On the other side, a photomask having a circular pattern with a diameter of 600 mu m was fixed and photocuring was carried out in the same manner. After the PET films on both sides were peeled off, a 0.85% sodium hydroxide aqueous solution (liquid temperature: 30 캜) was used for the developer and developed for 60 seconds at a spray pressure of 2 kg / cm 2 to dissolve and remove the unexposed portions, Respectively. Thereafter, the exposed portion was exposed to 1000 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp exposing apparatus to be photo-cured, and further heated at 180 캜 for 60 minutes for thermal curing. Thereafter, a thermal shock test was conducted in the same manner as in Example 1 to investigate the occurrence of cracks. No crack was observed on the side having the opening of 600 mu m in diameter, but a crack was observed in the vicinity of the opening of 60 mu m in diameter.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

상기 열 경화성 수지 조성물 필름(3)을 2매 준비하고, 양쪽의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판(회로 도체 두께 18㎛, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 양면에 가부착하고, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 100℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 양면에 라미네이트 하고, 또한 연속적으로 온도 100℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 그 후, PET 필름을 박리한 후, 180℃에서 60분간 가열하여 열 경화를 행하였다. 실온까지 냉각한 후, 한면에 Mitsubishi Electric Corporation 제조의 탄산 가스 레이저 장치(ML605GTWII-P)에 의해, 레이저광의 파장 9.3㎛, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs, 숏수 1회인 조건으로 개구를 행하고, 비어홀(탑 직경 60㎛)을 형성하였다. 또 다른 한쪽 면에는 탑 직경 600㎛의 개구를 목표로 하여, 레이저광의 파장 9.3㎛, 에너지 2.50mJ, 펄스 폭 4μs인 조건으로 10숏 조사를 행하였지만 목적으로 하는 개구부를 얻을 수는 없었다. 그 후 상기 실시예 1과 마찬가지로 열 충격 시험을 하고, 균열 발생의 유무를 조사하였다. 어느 면의 솔더 레지스트에도 균열의 발생은 확인되지 않았다. Two sheets of the thermosetting resin composition films 3 were prepared and both protective films were peeled off and attached to both surfaces of a copper clad laminate (circuit conductor thickness 18 占 퐉, external size 510 占 340mm, thickness 0.2mm) Meiki Co., Ltd. By means of a vacuum laminator for manufacturing, temperature 100 ℃, pressure 7kgf / cm 2, pressure laminate on both sides, and under the conditions of 5mmHg below also conditions of continuous temperature 100 ℃, Pressure 5kgf / cm 2 for hot press according to the SUS hard decision . Thereafter, the PET film was peeled off and then heated at 180 캜 for 60 minutes to effect thermal curing. After cooling to room temperature, an opening was made on the one surface with a carbon dioxide gas laser device (ML605GTWII-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corporation under the condition of laser light wavelength of 9.3 탆, energy of 2.50 mJ, pulse width of 4 s, A top diameter of 60 mu m). On the other side, 10 shots were irradiated under the condition that the wavelength of the laser beam was 9.3 탆, the energy was 2.50 mJ, and the pulse width was 4 s while aiming for an opening with a diameter of 600 탆 in the top, but a desired opening could not be obtained. Thereafter, a thermal shock test was conducted in the same manner as in Example 1 to investigate the occurrence of cracks. No cracks were observed in any of the solder resists.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

상기 광 경화성 수지 조성물 필름(2) 및 상기 열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 각각의 보호 필름을 박리하고, 회로 형성된 동장 적층판 (회로 도체 두께 18㎛, 외형 사이즈 510×340mm, 두께 0.2mm)의 각각 한면에 배치하고, Meiki Co., Ltd. 제조의 진공 라미네이터에 의해, 온도 70℃, 압력 7kgf/cm2, 기압 5mmHg 이하의 조건으로 양면을 동시에 라미네이트하였다. 또한 연속적으로 온도 70℃, 압력 5kgf/cm2의 조건으로 SUS 경판에 의한 열 프레스를 행하였다. 열 경화성 수지 조성물 필름(4)의 수지의 밀려나옴은 0.17mm이고, 광 경화성 수지 조성물 필름(2)의 수지의 밀려나옴은 3.10mm이었다. 수지의 밀려나옴이 크기 때문에, 적절하게 솔더 레지스트를 형성할 수 없는 시점에서 실험을 종료하였다. Each of the protective films of the photo-curable resin composition film (2) and the thermosetting resin composition film (4) was peeled off to obtain a circuit-laminated plate (circuit conductor thickness 18 占 퐉, outer size 510 占 340mm, thickness 0.2mm) And placed on one side. Both sides of the laminate were simultaneously laminated under the conditions of a temperature of 70 DEG C, a pressure of 7 kgf / cm &lt; 2 &gt;, and an air pressure of 5 mmHg or less. Further, hot pressing was carried out continuously under the conditions of a temperature of 70 DEG C and a pressure of 5 kgf / cm &lt; 2 &gt; by an SUS hard plate. The pushed out of the resin of the thermosetting resin composition film (4) was 0.17 mm and the pushed out of the resin of the photocurable resin composition film (2) was 3.10 mm. The resin was pushed out so that the experiment was completed when the solder resist could not be appropriately formed.

이상의 결과를 정리한 것이 하기의 표 1이다. Table 1 summarizes the above results.

개구부 형성 프로세스에서의 합격 여부 판정은 수지의 제거 상태를 주사형 전자현미경(Hitachi High-Technologies Corporation 제조의 SU-1500)을 사용하여 SEM 관찰 및 BSE 관찰을 하여 판단하여, 개구부의 바닥에 하지의 회로의 구리가 보이면 합격(○)으로 하고, 수지가 제거되지 않고 하지의 회로의 구리가 보이지 않는 경우는 불합격(×)으로 하였다. The acceptability of the resin in the opening forming process was evaluated by SEM observation and BSE observation using a scanning electron microscope (SU-1500 manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) (∘), and when the resin is not removed and the copper of the lower circuit is not visible, it is judged to be rejected (×).

또, 냉열 충격 후의 균열의 합격 여부 판정은 CCD형 현미경(Keyence Corporation 제조, VHX-900)을 사용하여 관찰하여 균열의 유무에 따라 판단하여, 균열이 하나도 발생하지 않으면 합격(○)으로 하고, 균열이 하나라도 발생한 경우는 불합격(×)으로 하였다. The determination of whether or not the crack after the cold / heat impact was successful was determined by observing the presence or absence of cracks using a CCD type microscope (VHX-900, manufactured by Keyence Corporation) If any one of them occurred, it was rejected (×).

Figure 112010025711157-pat00001
Figure 112010025711157-pat00001

본 발명에 의해, 반도체 칩 등과의 땜납 접합 등을 목적으로 하는 미소 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층의 고내열화와, 마더보드 등의 회로나 전자부품과의 접속을 위한 비교적 큰 개구 직경의 개구부를 형성하는 솔더 레지스트층으로의 개구부 형성의 효율화를 양립할 수 있다. According to the present invention, it is possible to prevent the high internal resistance of the solder resist layer for forming the openings with a small opening diameter for the purpose of solder bonding with the semiconductor chip or the like and the relatively large opening diameter It is possible to achieve an efficient formation of openings in the solder resist layer forming the openings.

본 출원은 일본에서 출원된 특원 2009-105100을 기초로 하고, 그 내용은 본명세서에 모두 포함된다. This application is based on Japanese Patent Application No. 2009-105100, the contents of which are incorporated herein by reference.

Claims (8)

지지체 위에 경화전의 광 경화성 수지 조성물로 이루어지는 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 회로 기판의 한쪽 면에 라미네이트하고, 당해 수지 조성물층에 의해 솔더 레지스트층을 형성하는 한편, 지지체 위에 경화전의 열 경화성 수지 조성물로 이루어지는 수지 조성물층을 형성한 수지 조성물 필름을 회로 기판의 다른쪽 면에 라미네이트하고, 당해 수지 조성물층에 의해 솔더 레지스트층을 형성하는 공정으로서, 진공 라미네이터를 사용하는 상기 수지 조성물 필름의 라미네이트 처리와 이것에 계속되는 열 프레스에 의한 평탄화 처리에 의해, 회로 기판의 한쪽 면과 다른쪽 면에 형성되는 상기 솔더 레지스트층을 일괄적으로 형성하는 공정을 갖고,
상기 경화전의 광 경화성 수지 조성물 및 경화전의 열 경화성 수지 조성물의 양쪽 모두의 최저 용융 온도가 80℃ 내지 160℃의 범위에 있고, 또한, 양자(兩者)의 최저 용융 점도의 비가 0.01 내지 100이고,
회로 기판의 한쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 포토리소그래피에 의해 행하고, 회로 기판의 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에서의 개구부 형성을 레이저에 의해 행하는 것을 특징으로 하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
A resin composition film formed by forming a resin composition layer made of a photo-curable resin composition before curing on a support is laminated on one side of a circuit substrate, a solder resist layer is formed by the resin composition layer, and a thermosetting resin A step of laminating a resin composition film having a resin composition layer made of a composition on the other side of a circuit board and forming a solder resist layer using the resin composition layer as a lamination treatment of the resin composition film using a vacuum laminator And a step of collectively forming the solder resist layer formed on one surface and the other surface of the circuit board by a planarization process by a hot press followed by the step,
Wherein the minimum melting temperature of both the photocurable resin composition before curing and the thermosetting resin composition before curing is in the range of 80 to 160 캜 and the ratio of the minimum melt viscosity of both is 0.01 to 100,
Characterized in that opening formation in the solder resist layer formed on one side of the circuit board is performed by photolithography and formation of openings in the solder resist layer formed on the other side of the circuit board is performed by laser Way.
제1항에 있어서, 경화전의 광 경화성 수지 조성물 및 경화전의 열 경화성 수지 조성물의 양자의 최저 용융 점도의 비가 0.05 내지 20인, 방법.The method according to claim 1, wherein the ratio of the minimum melt viscosity of both the photo-curable resin composition before curing and the thermosetting resin composition before curing is 0.05 to 20. 제1항 또는 제2항에 있어서, 회로 기판의 한쪽 면에 형성된, 포토리소그래피에 의해 개구부가 형성된 솔더 레지스트층의 베이크 공정과, 회로 기판의 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층의 열경화 공정을 동시에 행하고, 그 후, 회로 기판의 다른쪽 면에 형성된 솔더 레지스트층에 레이저로 개구부를 형성하는, 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein a baking step of a solder resist layer formed on one surface of the circuit board and having an opening formed by photolithography, and a thermosetting step of a solder resist layer formed on the other surface of the circuit board are simultaneously performed And then forming an opening in the solder resist layer formed on the other surface of the circuit board with a laser. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지지체의 수지 조성물층과의 접촉면이 이형 처리된 것인, 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein the contact surface of the support with the resin composition layer is subjected to a release treatment. 제1항 또는 제2항에 있어서, 프린트 배선판이 반도체 패키지 기판인, 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate. 제1항 또는 제2항에 있어서, 프린트 배선판이, 회로 기판의 다른쪽 면에 반도체 칩이 탑재되는 반도체 패키지 기판인, 방법.The method according to claim 1 or 2, wherein the printed wiring board is a semiconductor package substrate on which the semiconductor chip is mounted on the other surface of the circuit board. 삭제delete 삭제delete
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