JP2006278530A - Solder resist and thermosetting resin composition therefor - Google Patents

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JP2006278530A JP2005092729A JP2005092729A JP2006278530A JP 2006278530 A JP2006278530 A JP 2006278530A JP 2005092729 A JP2005092729 A JP 2005092729A JP 2005092729 A JP2005092729 A JP 2005092729A JP 2006278530 A JP2006278530 A JP 2006278530A
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Hiroshi Hirose
浩 廣瀬
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermosetting resin composition that is low in linear expansion coefficient and is excellent in heat resistance; and to provide a thermosetting solder resist that is excellent in reliability of heat resistance, thermal shock properties, and of moisture resistance, and that is capable of drilling excellent fine opening with laser irradiation. <P>SOLUTION: The thermosetting resin composition for solder resist takes as essential components a compound having at least two or more epoxy groups, a compound having at least two or more cyanate groups, and an inorganic filling material. The compound having at least two or more epoxy groups in the thermosetting resin composition preferably contains two kinds of different weight average molecular weights. Further, the compound more preferably contains a compound having at least two or more epoxy groups of a ≥5000 weight average molecular weight and a compound having at least two or more epoxy groups of a weight average molecular weight of 5000 or less. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたソルダーレジストに関するものである。   The present invention relates to a thermosetting resin composition for solder resist and a solder resist using the same.

近年、電子機器の軽薄短小化や高機能化が急速度に進展しており、これら機器内に使用される半導体集積回路においても、小型化、高集積化が進行している。そのため、従来の半導体パッケージに比べて、集積回路の配線ピン数が増大するのに対し、実装面積やパッケージ面積は逆に小さくなるといったジレンマがあるため、従来のパッケージ方式とは異なる、BGA(BallGridArray)方式、さらにはCSP(Chip Scale Package)方式などの、実装密度の高いパッケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケージ方式では、従来型半導体パッケージに用いるリードフレームの代わりに、サブストレートあるいはインターポーザーなどの、プラスチックやセラミックス等各種材料を使って構成される半導体チップ搭載用プリント配線板を使用して、半導体チップの電極とプリント配線板の電気的接続を行っている。この半導体チップ搭載用プリント配線板上に構成される回路は、小型化・高密度化した電子機器内に導入されるものであり、一般的なプリント配線板に比べて、配線が非常に細線化・高密度化が進んだものとなる。そこで、このようなパッケージの形式では、半導体チップとプリント配線板の伝狂句との電気的接続を行う際に、半田リフロー等により、高温雰囲気で微細配線が接続されることより、この微細配線を保護する必要が生じる。その保護層として、種々の樹脂組成のソルダーレジストが開発されている。   2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have been rapidly becoming lighter, smaller, and more advanced, and semiconductor integrated circuits used in these devices are also becoming smaller and more highly integrated. Therefore, there is a dilemma that the number of wiring pins of an integrated circuit is increased compared to a conventional semiconductor package, but the mounting area and the package area are reduced, and therefore, a BGA (Ball Grid Array) different from the conventional package system is present. ) Method, and a package method with a high mounting density such as a CSP (Chip Scale Package) method has been proposed. In these semiconductor package systems, instead of the lead frame used in the conventional semiconductor package, a printed wiring board for mounting a semiconductor chip composed of various materials such as plastic and ceramics such as a substrate or an interposer is used. The electrical connection between the electrodes of the semiconductor chip and the printed wiring board is performed. Circuits constructed on this printed circuit board for mounting semiconductor chips are introduced into miniaturized and high-density electronic equipment, and the wiring is very thin compared to general printed circuit boards.・ Higher density. Therefore, in such a package format, when the semiconductor chip and the printed wiring board are electrically connected, the fine wiring is connected in a high temperature atmosphere by solder reflow or the like. Need to protect. As the protective layer, solder resists having various resin compositions have been developed.

一方、半導体実装に用いるソルダーレジストは、通常、半田パッド用開口部を形成するため、半田パッドを載置する位置にパターンが形成されたフォトマスクを積層して、写真法により、露光した後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドライド(TMAH)などの現像液で、現像されパターンが形成されている。しかしながら、電子機器の更なる小型化、大容量化に伴い、より一層配線の微細化が進むことから、写真法では、散乱光の影響により、微細な開孔部を形成することが難しくなっておきており、レーザーによる開孔が最近注目を集めている(例えば、特許文献1参照。)。しかし、従来の感光性樹脂を、レーザーにより開孔されるソルダーレジストに用いる場合、前記感光性樹脂はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いたものであり、これを構成する樹脂の組成によっては、レーザー開孔による開孔精度が劣る場合があり、また、鉛フリー化に伴う、実装工程における半田リフロー温度の上昇に伴い、熱時のクラックが発生する恐れがあり、更なる低線膨張率、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性などの向上が望まれている。
特開2003−101244号公報
On the other hand, a solder resist used for semiconductor mounting usually forms a solder pad opening, and a photomask having a pattern formed thereon is stacked at a position where the solder pad is placed, and is exposed by photographic method. A pattern is formed by development with a developer such as sodium carbonate, sodium hydroxide, or tetramethylammonium hydride (TMAH). However, as electronic devices are further reduced in size and capacity, the wiring is further miniaturized, so it is difficult to form fine apertures in the photographic method due to the influence of scattered light. Recently, the opening by laser has attracted attention (see, for example, Patent Document 1). However, when a conventional photosensitive resin is used for a solder resist that is opened by a laser, the photosensitive resin uses a thermosetting resin such as an epoxy resin, and depending on the composition of the resin that constitutes the photosensitive resin. In some cases, the accuracy of drilling due to laser drilling may be inferior, and as the solder reflow temperature increases in the mounting process due to lead-free soldering, cracks may occur during heating. Improvements in heat resistance, thermal shock resistance, moisture resistance reliability, and the like are desired.
JP 2003-101244 A

本発明は、ソルダーレジストにした際に、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れるソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を提供するものである。
本発明は、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れ、レーザー照射により良好な微細開孔可能な熱硬化性ソルダーレジストを提供するものである。
The present invention provides a thermosetting resin composition for a solder resist that has a low linear expansion coefficient and is excellent in reliability of heat resistance, thermal shock resistance, and moisture resistance when used as a solder resist.
The present invention provides a thermosetting solder resist having a low coefficient of linear expansion, excellent heat resistance, thermal shock resistance, and moisture resistance reliability and capable of forming fine holes by laser irradiation.

本発明者らは、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物および無機充填材を必須成分として用いることにより、低線膨張率で、耐熱性、熱衝撃性および吸湿性に優れるソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を見出し、さらにこれを用いて得られたソルダーレジストはレーザー照射により良好な微細孔が得られることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。   The present inventors use a compound having at least two or more epoxy groups, a compound having at least two or more cyanate groups, and an inorganic filler as essential components, thereby having a low linear expansion coefficient, heat resistance, and thermal shock. Found a thermosetting resin composition for solder resists with excellent heat resistance and hygroscopicity, and further found that a solder resist obtained using the composition can provide fine pores by laser irradiation, leading to the completion of the present invention. It is a thing.

即ち、本発明は、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物および無機充填材を必須成分とするソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物である。
本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物における少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、重量平均分子量の異なる2種を含むものであることが好ましく、さらには、重量平均分子量が5000以上の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物と、重量平均分子量が5000未満の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物を含むものであることが、より好ましい。
前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、下記式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂または下記式(2)で表されるビフェニルアラルキル樹脂であることが好ましい。
That is, the present invention is a thermosetting resin composition for a solder resist having as essential components a compound having at least two epoxy groups, a compound having at least two cyanate groups, and an inorganic filler.
The compound having at least two or more epoxy groups in the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention preferably includes two kinds having different weight average molecular weights, and more preferably has a weight average molecular weight of 5000 or more. It is more preferable to include a compound having at least two epoxy groups and a compound having a weight average molecular weight of less than 5000 and having at least two epoxy groups.
The compound having at least two epoxy groups is preferably a biphenyl type epoxy resin represented by the following formula (1) or a biphenyl aralkyl resin represented by the following formula (2).

[式中、R〜Rは、それぞれ、水素原子、アルキル基およびフェニル基の中から選択される1種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。] [Wherein R 1 to R 4 each represent one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and may be the same or different from each other. ]

[式中、R〜R12は、それぞれ、水素原子、アルキル基およびフェニル基の中から選択される1種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、aは、1以上の整数である。] [Wherein, R 5 to R 12 each represent one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and may be the same as or different from each other. However, a is an integer greater than or equal to 1. ]

また、前記少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物は、ノボラック型シアネート樹脂であることが好ましい。
また、前記無機充填材は、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物および前記少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物を溶解する溶媒を含む溶媒中で、分散させたものを用いることがより好ましい。
また、本発明は、前記ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を含んでなる熱硬化性ソルダーレジストである。
The compound having at least two or more cyanate groups is preferably a novolac type cyanate resin.
In addition, the inorganic filler is preferably used by dispersing in a solvent containing a solvent that dissolves the compound having at least two or more epoxy groups and the compound having at least two cyanate groups. preferable.
Moreover, this invention is a thermosetting solder resist which comprises the said thermosetting resin composition for solder resists.

本発明は、ソルダーレジストにした際に、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れるソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を提供できる。
本発明は、低線膨張率を有し、耐熱性、熱衝撃性、耐湿性の信頼性に優れ、レーザー照射により良好な微細開孔可能な熱硬化性ソルダーレジストを提供できる。
The present invention can provide a thermosetting resin composition for a solder resist having a low linear expansion coefficient and excellent heat resistance, thermal shock resistance, and moisture resistance reliability when a solder resist is used.
INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can provide a thermosetting solder resist having a low coefficient of linear expansion, excellent reliability in heat resistance, thermal shock resistance, and moisture resistance and capable of forming fine holes by laser irradiation.

本発明は、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物、無機充填材を必須成分とするソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物である。これにより、本発明の熱硬化性樹脂は耐熱性、吸湿性に優れ、また、本発明の熱硬化性樹脂組成物を含んでなるソルダーレジストは熱衝撃性、耐湿性等の信頼性に優れる。
本発明は、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物および無機充填材を必須成分とするソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物である。
本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物における少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、重量平均分子量の異なる2種を含むものであることが好ましく、さらには、重量平均分子量が5000以上の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物と、重量平均分子量が5000未満の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物を含むものであることが、より好ましい。
また、本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物における少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、重量平均分子量の異なる2種を含むものであることが好ましく、さらには、重量平均分子量が5000以上の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物と、重量平均分子量が5000未満の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物を含むものであることが、より好ましい。
これにより、レーザー開孔後の樹脂残渣(スミア)の除去が容易となり、より開孔精度が向上するのでより好ましいとなると共に、さらにソルダーレジストの耐熱性をより向上させることができる。
The present invention is a thermosetting resin composition for a solder resist having as essential components a compound having at least two epoxy groups, a compound having at least two cyanate groups, and an inorganic filler. Thereby, the thermosetting resin of the present invention is excellent in heat resistance and hygroscopicity, and the solder resist containing the thermosetting resin composition of the present invention is excellent in reliability such as thermal shock resistance and moisture resistance.
The present invention is a thermosetting resin composition for a solder resist, comprising as essential components a compound having at least two epoxy groups, a compound having at least two cyanate groups, and an inorganic filler.
The compound having at least two or more epoxy groups in the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention preferably includes two kinds having different weight average molecular weights, and more preferably has a weight average molecular weight of 5000 or more. It is more preferable to include a compound having at least two epoxy groups and a compound having a weight average molecular weight of less than 5000 and having at least two epoxy groups.
In addition, the compound having at least two epoxy groups in the thermosetting resin composition for solder resists of the present invention preferably includes two kinds having different weight average molecular weights, and further has a weight average molecular weight of 5000 or more. It is more preferable to include a compound having at least two epoxy groups and a compound having a weight average molecular weight of less than 5000 and having at least two epoxy groups.
This facilitates the removal of the resin residue (smear) after the laser opening and improves the opening accuracy, which is more preferable, and further improves the heat resistance of the solder resist.

以下本発明について詳細に説明する。
まず本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について述べる。
The present invention will be described in detail below.
First, each component constituting the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention will be described.

本発明に用いる少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、少なくとも2個のエポキシ基を有する化合物であれば、特に限定されるものでない。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂およびビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂およびジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂などの、フェノール類、ナフトール類やフェノール樹脂などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ樹脂、さらには、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、ビフェニル−4,4’−ジグリシジルエーテルおよび3,3’,5,5’−テトラメチルビフェニル−4,4’−ジグリシジルエーテル等のエポキシ基を有する化合物、グリシジルメタクリレートホモポリマー、グリシジルメタクリレート/スチレンコポリマー等のグリシジルメタクリレートを有する化合物等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性を向上させる上で、前記式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、前記式(2)で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。   The compound having at least two epoxy groups used in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound having at least two epoxy groups. For example, bisphenol type epoxy resin such as bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac Type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin and dihydroxybenzene type epoxy resin, etc., epoxy resin produced by reacting epichlorohydrin with hydroxyl groups such as phenols, naphthols and phenol resins, Diglycidyl isocyanurate, triglycidyl isocyanurate, biphenyl-4,4′-diglycidyl ether and 3,3 ′, 5,5′-tetra Compounds having an epoxy group, such as chill-4,4' diglycidyl ether, glycidyl methacrylate homopolymers, compounds having a glycidyl methacrylate, such as glycidyl methacrylate / styrene copolymers. Among these, in order to improve heat resistance, the biphenyl type epoxy resin represented by the formula (1) and the biphenyl aralkyl type epoxy resin represented by the formula (2) are preferable.

ここで、前記式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂における置換基R〜Rは、それぞれ、水素原子、アルキル基およびフェニル基から選択される1種を表し、これらは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
これらの置換基R〜Rとしては、水素原子、フェニル基の他に、アルキル基として、例えば、炭素数1〜6の鎖状もしくは環状アルキル基が挙げられ、これらの具体例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基およびシクロヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、特に、メチル基であるのが好ましい。これにより、ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の熱衝撃試験においてクラックや剥離が生じにくくなる。
Here, each of the substituents R 1 to R 4 in the biphenyl type epoxy resin represented by the formula (1) represents one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and these are the same as each other. Or different.
As these substituents R 1 to R 4 , in addition to a hydrogen atom and a phenyl group, examples of the alkyl group include a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Specific examples thereof include methyl Group, ethyl group, propyl group, butyl group, cyclohexyl group and the like. Among these, a methyl group is particularly preferable. Thereby, it becomes difficult to produce a crack and peeling in the thermal shock test of the thermosetting resin composition for solder resists.

また、前記式(2)で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂における置換基R〜R12は、水素原子、アルキル基およびフェニル基から選択される1種を表し、これらは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
これらの置換基R〜R12としては、それぞれ、水素原子、フェニル基の他に、アルキル基として、例えば、炭素数1〜4のアルキル基が挙げられ、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられるが、これらの中でも、特に水素であるのが好ましい。これにより、ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の耐湿性が、より向上する。
The substituents R 5 to R 12 in the biphenyl aralkyl type epoxy resin represented by the formula (2) represent one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and these are the same as each other. Or different.
As these substituents R 5 to R 12 , in addition to a hydrogen atom and a phenyl group, examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, and the like. Group, propyl group, butyl group and the like are mentioned, and among these, hydrogen is particularly preferable. Thereby, the moisture resistance of the thermosetting resin composition for solder resists is further improved.

また、前記式(2)におけるaは、エポキシ樹脂単位の平均の繰り返し数を表している。すなわち、aは1以上の整数であるが、1〜10の範囲が好ましく、1〜5程度であるのが、より好ましい。aを前記範囲とすることにより、ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の耐湿性がが、より向上する。   In the formula (2), a represents the average number of repeating epoxy resin units. That is, although a is an integer greater than or equal to 1, the range of 1-10 is preferable and it is more preferable that it is about 1-5. By setting a in the above range, the moisture resistance of the thermosetting resin composition for solder resist is further improved.

本発明において、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、重量平均分子量の異なる2種を含むものであることが好ましく、その一方は、重量平均分子量の下限値が5,000以上のものを用いることが好ましく、8,000以上のものがより好ましく、さらには20,000以上のものが好ましい。また、重量平均分子量の上限値としては、100,000が好ましく、80,000がより好ましい。これにより、レーザー開孔における樹脂残渣(スミア)の除去がしやすくなり、開孔精度が向上すると共に、フィルム性能が向上する。5000以上の分子量を有する少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂等が好ましい。   In the present invention, the compound having at least two epoxy groups preferably includes two kinds having different weight average molecular weights, and one of them has a lower limit of the weight average molecular weight of 5,000 or more. It is preferably used, more preferably 8,000 or more, and even more preferably 20,000 or more. Moreover, as an upper limit of a weight average molecular weight, 100,000 is preferable and 80,000 is more preferable. Thereby, it becomes easy to remove the resin residue (smear) in the laser aperture, the aperture accuracy is improved, and the film performance is improved. As the compound having at least two epoxy groups having a molecular weight of 5000 or more, a phenol novolac type epoxy resin, a bisphenol type epoxy resin, a naphthalene type epoxy resin, an arylalkylene type epoxy resin and the like are preferable.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物において、重量平均分子量が5000以上の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物の含有量としては、特に限定されないが、3〜30重量%が好ましく、特に5〜20重量%が好ましい。前記含有量の範囲とすることにより、さらに熱衝撃性、耐湿性にも優れるものとなる。本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物において、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物の含有量としては、40〜95重量%が好ましい。   In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the content of the compound having a weight average molecular weight of 5000 or more and having at least two epoxy groups is not particularly limited, but preferably 3 to 30% by weight. In particular, 5 to 20% by weight is preferable. By setting the content within the range, the thermal shock resistance and moisture resistance are further improved. In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the content of the compound having at least two epoxy groups is preferably 40 to 95% by weight.

また、本発明において、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物として、重量平均分子量の上限値が5,000未満のものを用いることが好ましく、2,000以下のものを用いることが好ましい。これにより、耐熱性がより向上するものとなる。
本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物において、重量平均分子量が5000未満の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物の含有量としては、特に限定されないが、5〜60重量%が好ましく、特に15〜40重量%が好ましい。前記含有量の範囲とすることにより、さらに回路基板との密着性が優れるものとなる。
本発明においては、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物としては、重量平均分子量が5,000以上のものと、重量平均分子量が5,000未満のものを併用することがより好ましい。
In the present invention, as the compound having at least two epoxy groups, those having an upper limit of weight average molecular weight of less than 5,000 are preferably used, and those having 2,000 or less are preferably used. Thereby, the heat resistance is further improved.
In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the content of the compound having a weight average molecular weight of less than 5000 and having at least two epoxy groups is not particularly limited, but is preferably 5 to 60% by weight. In particular, 15 to 40% by weight is preferable. By setting the content within the range, the adhesion to the circuit board is further improved.
In the present invention, as the compound having at least two or more epoxy groups, it is more preferable to use a compound having a weight average molecular weight of 5,000 or more and a compound having a weight average molecular weight of less than 5,000.

本発明に用いる少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物としては、2つ以上のシアネート基を有するものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物と、2つ以上のフェノール性水酸基を有するフェノール類とを反応させることにより得ることができる。これらの具体例としては、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂およびテトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂や、ノボラック型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でも、より低線膨張係数を有するソルダーレジストにする上では、ノボラック型シアネート樹脂が好ましい。   The compound having at least two or more cyanate groups used in the present invention is not particularly limited as long as it has two or more cyanate groups. For example, a cyanogen halide compound and two or more cyanate groups are used. It can be obtained by reacting with phenols having a phenolic hydroxyl group. Specific examples thereof include bisphenol type cyanate resins such as bisphenol A type cyanate resin, bisphenol E type cyanate resin and tetramethyl bisphenol F type cyanate resin, and novolak type cyanate resins. Among these, a novolac-type cyanate resin is preferable for making a solder resist having a lower linear expansion coefficient.

前記ノボラック型シアネート樹脂としては、下記式(3)で表されるものが挙げられる。
これらの置換基R13〜R21としては、それぞれ、水素原子、フェニル基の他に、アルキル基として、例えば、炭素数1〜4のアルキル基が挙げられ、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられるが、これらの中でも、特に水素原子であるのが好ましい。これにより、ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の線膨張率が、より小さくなる。
As said novolak-type cyanate resin, what is represented by following formula (3) is mentioned.
As these substituents R 13 to R 21 , in addition to a hydrogen atom and a phenyl group, examples of the alkyl group include an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Specific examples include a methyl group, an ethyl group, Group, propyl group, butyl group and the like are mentioned, and among these, a hydrogen atom is particularly preferable. Thereby, the linear expansion coefficient of the thermosetting resin composition for solder resist becomes smaller.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物において、前記少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物の含有量としては、特に限定されないが、5〜60重量%が好ましく、特に15〜35重量%が好ましい。含有量が前記範囲内であると、耐熱性および耐湿性が特に優れるものとなる。   In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the content of the compound having at least two or more cyanate groups is not particularly limited, but is preferably 5 to 60% by weight, particularly 15 to 35% by weight. Is preferred. When the content is within the above range, heat resistance and moisture resistance are particularly excellent.

本発明に用いる無機充填材としては、例えばタルク、アルミナ、ガラス、シリカおよびマイカ等を挙げることができる。これらの中でも、シリカが好ましく、溶融シリカが特に好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、球状が好ましい。   Examples of the inorganic filler used in the present invention include talc, alumina, glass, silica and mica. Among these, silica is preferable, and fused silica is particularly preferable. The shape is crushed or spherical, but spherical is preferred.

前記無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、0.01〜5μmが好ましく、特に0.2〜2μmが好ましい。無機充填材の粒径が0.01μm未満であるとワニスの粘度が高くなるため、塗膜形成の際の作業性に影響を与える場合がある。また、前記5μmを超えると、レーザー開孔する場合に無機充填材が開口部に残り、半田接合を妨げる場合がある。更に平均粒径5μm以下の球状溶融シリカが好ましく、特に平均粒径0.1〜0.5μmの球状溶融シリカが好ましい。   The average particle size of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 5 μm, and particularly preferably 0.2 to 2 μm. When the particle size of the inorganic filler is less than 0.01 μm, the viscosity of the varnish becomes high, which may affect the workability in forming the coating film. On the other hand, if the thickness exceeds 5 μm, the inorganic filler may remain in the opening when laser opening is performed, which may hinder solder bonding. Further, spherical fused silica having an average particle size of 5 μm or less is preferable, and spherical fused silica having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm is particularly preferable.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の製造において、前記無機充填剤は、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、および少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物を、溶解することができる溶媒に、予め分散させておくことが好ましい。予め、分散させておくことにより、2次凝集を防止することができ、レジスト層において無機充填材が不均一に分散することがなくなるため、レーザー照射後、残渣もなく、良好な開孔を行うことができる。ここで、さらに、粒径が上記微細な無機充填材を用いて分散させることがより好ましい。   In the production of the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the inorganic filler may dissolve a compound having at least two epoxy groups and a compound having at least two cyanate groups. It is preferable to disperse in advance in a solvent that can be used. By dispersing in advance, secondary agglomeration can be prevented, and the inorganic filler does not disperse unevenly in the resist layer. Therefore, after laser irradiation, there is no residue and good opening is performed. be able to. Here, it is more preferable to disperse using the inorganic filler having a fine particle size.

前記溶媒としては、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物および少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物を溶解するものであれば、特に限定されるものでないが、例えば、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エチルアセテートやエステル系、ラクトン系、アミド系溶媒などが挙げられ、中でも、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒およびエーテル系溶媒が好ましい。前記炭化水素溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、やシクロヘキサンなどが挙げられ、前記芳香族溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンやメシチレンなどが挙げられ、前記ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトンやメチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどが挙げられ、前記エーテル系溶媒としては、例えば、ジエチルエーテルやテトラヒドロフランなどが挙げられる。これら溶剤を単独や混合しても溶媒として使用できる。   The solvent is not particularly limited as long as it dissolves the compound having at least two epoxy groups and the compound having at least two cyanate groups. For example, an aliphatic hydrocarbon-based solvent may be used. Solvents, aromatic hydrocarbon solvents, ketone solvents, ether solvents, ethyl acetate and ester solvents, lactone solvents, amide solvents, and the like. Among them, aliphatic hydrocarbon solvents, aromatic hydrocarbon solvents, Ketone solvents and ether solvents are preferred. Examples of the hydrocarbon solvent include pentane, hexane, heptane, and cyclohexane. Examples of the aromatic solvent include benzene, toluene, xylene, and mesitylene. Examples of the ketone solvent include For example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone and the like can be mentioned, and examples of the ether solvent include diethyl ether and tetrahydrofuran. These solvents can be used alone or in combination.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物において、前記無機充填材の含有量としては、10〜60重量%が好ましく、特に30〜50重量%が好ましい。含有量が10%未満であると低熱膨脹化、低吸水化する効果が低下する場合があり、50重量%を超えると流動性の低下により成形性が低下する場合がある。   In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, the content of the inorganic filler is preferably 10 to 60% by weight, particularly preferably 30 to 50% by weight. If the content is less than 10%, the effect of low thermal expansion and low water absorption may be reduced, and if it exceeds 50% by weight, moldability may be reduced due to a decrease in fluidity.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物では、シアネート樹脂の硬化を促進する目的で硬化促進剤を添加してよい。硬化促進剤としては、例えばイミダゾール化合物の2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドルキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールおよび2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−(2’−ウンデシルイミダゾリル)−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンを挙げることができる。これらの中でも、メチル基、エチル基等の脂肪族炭化水素基、フェニル基等の芳香族炭化水素基、ヒドロキシアルキル基およびシアノアルキル基の中から選ばれる官能基を2個以上有しているイミダゾール化合物が好ましく、特に2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。   In the thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention, a curing accelerator may be added for the purpose of accelerating the curing of the cyanate resin. Examples of the curing accelerator include imidazole compounds such as 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, and 2,4. -Diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- (2'-undecylimidazolyl) -ethyl-s-triazine, 2,4 Mention may be made of -diamino-6- [2'-ethyl-4-methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine. Among these, an imidazole having two or more functional groups selected from an aliphatic hydrocarbon group such as a methyl group and an ethyl group, an aromatic hydrocarbon group such as a phenyl group, a hydroxyalkyl group, and a cyanoalkyl group Compounds are preferred, and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is particularly preferred.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物では、更にカップリング剤を含有することが好ましい。前記カップリング剤は、樹脂と無機充填材の界面の濡れ性を向上させることにより、基材に対して樹脂および充填材を均一に定着させ、耐熱性、特に吸湿後の半田耐熱性を改良するために配合する。   The thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention preferably further contains a coupling agent. The coupling agent improves the heat resistance, particularly the solder heat resistance after moisture absorption, by uniformly fixing the resin and the filler to the substrate by improving the wettability of the interface between the resin and the inorganic filler. For blending.

前記カップリング剤としては、通常ソルダーレジスト樹脂組成物に用いられるものなら何でも使用できるが、これらの中でもエポキシシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アミノシランカップリング剤及びシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる1種以上のカップリング剤を使用すること好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性が高くできる。   As the coupling agent, any of those usually used in solder resist resin compositions can be used. Among these, epoxy silane coupling agents, titanate coupling agents, aminosilane coupling agents, and silicone oil type coupling agents. It is preferable to use one or more coupling agents selected from the inside. Thereby, the wettability with the interface of an inorganic filler can be made high.

本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加剤を、特性を損なわない範囲で添加することができる。添加剤として公知のソルダーレジストの樹脂組成物に、従来より広く使用されている種々の添加剤を加えることができ、例えば、アミン系触媒およびリン系触媒などのエポキシ化合物用硬化触媒;、1分子中に少なくとも1個の水酸基を有するアクリレート又はメタクリレート化合物や、トリエチレングリコールジメタクレレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレートおよびグリセロールメタクリレートなどのメタクリル酸のエステル等の不飽和カルボン酸と脂肪族ポリオール化合物とのエステル類やエチルセルロソルブ等の希釈剤;、硫酸バリウム、酸化ケイ素、タルクおよび炭酸カルシウムなどの無機充填剤;、フタロシアニンブルー、チタン酸バリウム、カーボンブラック、ベンゾイミダゾロンおよびベンズイミダゾロンなどの着色剤;、消泡剤等、密着付与剤、レベリング剤;、ハイドロキノンモノメチルエーテルおよびピロガロールなどの重合禁止剤等が挙げられる。   The resin composition of this invention can add additives other than the said component in the range which does not impair a characteristic as needed. Various additives conventionally used widely can be added to the solder resist resin composition known as an additive. For example, curing catalysts for epoxy compounds such as amine catalysts and phosphorus catalysts; 1 molecule Acrylate or methacrylate compounds having at least one hydroxyl group therein, triethylene glycol dimethacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate and Diluting agents such as esters of unsaturated carboxylic acids and aliphatic polyol compounds such as esters of methacrylic acid such as glycerol methacrylate and aliphatic polyol compounds; and barium sulfate Inorganic fillers such as silicon oxide, talc and calcium carbonate; colorants such as phthalocyanine blue, barium titanate, carbon black, benzimidazolone and benzimidazolone; And polymerization inhibitors such as hydroquinone monomethyl ether and pyrogallol.

本発明のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物の製造方法としては、例えば、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物、および無機充填材を、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、カルビトールアセテートおよびセロソルブアセテート等の有機溶剤に溶解させ、必要に応じて、上記記載の添加剤を添加後、室温で2〜5時間攪拌することで得ることができる。   Examples of the method for producing a thermosetting resin composition for a solder resist of the present invention include, for example, a compound having at least two epoxy groups, a compound having at least two cyanate groups, and an inorganic filler, methyl isobutyl. It can be obtained by dissolving in an organic solvent such as ketone, methyl ethyl ketone, carbitol acetate and cellosolve acetate and, if necessary, adding the above-mentioned additives and stirring at room temperature for 2 to 5 hours.

本発明のソルダーレジストは、例えば、上記ソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を、基材上に、通常1〜60μm程度の厚みで塗布し、60〜180℃程度の温度で、5〜10分間程度の熱処理を行うことにより、ソルダーレジスト中の溶剤を除去して、固形化またはプレポリマー化した基材付きフィルムとして、これを、プリント配線板等の所定の位置に積層し成形し、100℃〜200℃で1〜5時間硬化させ使用することができる。
さらに、前記プリント配線板に積層したソルダーレジストは、開孔したい部分に、炭酸ガスレーザー、3次高調波UV−YAGレーザー、4次高調波UV−YAGレーザーおよびエキシマレーザー等のレーザー照射によりパターニングを行う。開孔径が20〜100μmである場合、3次高調波UV−YAGレーザー、4次高調波UV−YAGレーザーおよびエキシマレーザーが好ましく、微細加工性などから、3次高調波UV−YAGレーザーがより好ましく、4次高調波UV−YAGレーザーがさらに好ましく、エキシマレーザーが特に好ましい。またその開孔径が100μm〜300μmである場合、炭酸ガスレーザーにて加工することが望ましい。開孔後、過マンガン酸塩溶液(デスミアの薬液)に侵し、開口部の樹脂残渣(スミア)を除去する。さらに、上記で得た開孔部が設けられた基板には例えば半導体チップを搭載する。
The solder resist of the present invention is, for example, coated on the base material with the thermosetting resin composition for a solder resist in a thickness of usually about 1 to 60 μm, and at a temperature of about 60 to 180 ° C. for 5 to 10 minutes. By removing the solvent in the solder resist by performing a degree of heat treatment, the film with a base material solidified or prepolymerized is laminated and molded at a predetermined position such as a printed wiring board, and 100 ° C. It can be used after being cured at ˜200 ° C. for 1 to 5 hours.
Furthermore, the solder resist laminated on the printed wiring board is patterned by laser irradiation of a carbon dioxide gas laser, a third harmonic UV-YAG laser, a fourth harmonic UV-YAG laser, an excimer laser, or the like on the portion to be opened. Do. When the aperture diameter is 20 to 100 μm, the 3rd harmonic UV-YAG laser, the 4th harmonic UV-YAG laser and the excimer laser are preferable, and the 3rd harmonic UV-YAG laser is more preferable from the viewpoint of fine workability. A fourth harmonic UV-YAG laser is more preferable, and an excimer laser is particularly preferable. Moreover, when the aperture diameter is 100 micrometers-300 micrometers, it is desirable to process with a carbon dioxide laser. After opening, it permeates the permanganate solution (desmear chemical) to remove the resin residue (smear) in the opening. Furthermore, for example, a semiconductor chip is mounted on the substrate provided with the apertures obtained above.

以下、本発明を実施例および比較例を用いて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example and a comparative example, this invention is not limited to this.

(実施例1)
樹脂ワニスの調製
まず、無機充填材として、予め、球状シリカ(平均粒径0.53μm)150gを、メチルエチルケトン96gに添加して、真空脱法混練撹拌装置により分散させて、シリカスラリーを準備した。
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製YX−4000HK、融点105℃、エポキシ当量193、重量平均分子量358)30重量部、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ株式会社製、重量平均分子量2300)40重量部、ビスフェノールA型、F型混合エポキシ樹脂(JER製エピコート4275、重量平均分子量57,000)10重量、イミダゾール化合物(四国化成工業株式会社製、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)0.7重量部を、メチルエチルケトンに溶解、分散させた。上記で得たシリカスラリー80重量部およびカップリング剤としてエポキシシランカップリング剤(チッソ社製)を0.5重量部添加して、着色剤として銅フタロシアニン0.2重量部、ベンズイミダゾロン0.2重量部を、攪拌機を用いて2時間攪拌して樹脂ワニスを得た。
Example 1
Preparation of Resin Varnish First, 150 g of spherical silica (average particle size 0.53 μm) was previously added as an inorganic filler to 96 g of methyl ethyl ketone, and dispersed with a vacuum devolatilization kneader and stirring device to prepare a silica slurry.
30 parts by weight of biphenyl type epoxy resin (YX-4000HK, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., melting point 105 ° C., epoxy equivalent 193, weight average molecular weight 358), novolac type cyanate resin (Lonza Corporation, weight average molecular weight 2300) 40 weight Parts, bisphenol A type, F type mixed epoxy resin (JE Epicoat 4275, weight average molecular weight 57,000) 10 weight, imidazole compound (Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) 0 0.7 part by weight was dissolved and dispersed in methyl ethyl ketone. 80 parts by weight of the silica slurry obtained above and 0.5 parts by weight of an epoxy silane coupling agent (manufactured by Chisso) as a coupling agent were added, 0.2 parts by weight of copper phthalocyanine as a colorant, and 0. 2 parts by weight were stirred for 2 hours using a stirrer to obtain a resin varnish.

(実施例2)
実施例1においてビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製YX−4000HK、融点105℃、エポキシ当量193)30重量部に換えて、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製NC−3000、軟化点60℃、エポキシ当量272、重量平均分子量960)35重量、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ式会社製、重量平均分子量2300)40重量部に換えて、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ株式会社製、重量平均分子量1300)40重量部、ビスフェノールA型、F型混合エポキシ樹脂に換えてビスフェノールS型エポキシ(東都化成(株)YPS−007A30、重量平均分子量40,000)5重量部、シリカスラリーを75重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。
(Example 2)
Instead of 30 parts by weight of biphenyl type epoxy resin (YX-4000HK manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., melting point 105 ° C., epoxy equivalent 193) in Example 1, biphenyl aralkyl type epoxy resin (NC-made by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was used. 3000, softening point 60 ° C., epoxy equivalent 272, weight average molecular weight 960) 35 weight, novolak type cyanate resin (Lonza company, weight average molecular weight 2300) 40 parts by weight, novolak type cyanate resin (Lonza Co., Ltd.) , 40 parts by weight of weight average molecular weight 1300), 5 parts by weight of bisphenol S type epoxy (Toto Kasei Co., Ltd. YPS-007A30, weight average molecular weight 40,000) instead of bisphenol A type and F type mixed epoxy resin, silica slurry Resin crocodile was the same as Example 1 except for 75 parts by weight. I got.

(実施例3)
実施例1において、ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製YX−4000HK、融点105℃、エポキシ当量193、重量平均分子量358)30重量部に換えて、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製NC−3000、軟化点60℃、エポキシ当量272、重量平均分子量960)30重量、シリカスラリーを85重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。
(Example 3)
In Example 1, instead of 30 parts by weight of biphenyl type epoxy resin (YX-4000HK, Japan Epoxy Resin Co., Ltd., melting point 105 ° C., epoxy equivalent 193, weight average molecular weight 358), biphenyl aralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku) Resin varnish was obtained in the same manner as in Example 1 except that NC-3000, softening point 60 ° C., epoxy equivalent 272, weight average molecular weight 960), 30 parts by weight, and 85 parts by weight of silica slurry were used.

(実施例4)
実施例1において、ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製YX−4000HK、融点105℃、エポキシ当量193、重量平均分子量358)30重量部に換えてビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製YX−4000HK、融点105℃、エポキシ当量193、重量平均分子量(358))18重量部、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製NC−3000、軟化点60℃、エポキシ当量272、重量平均分子量960)17重量、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ株式会社製、重量平均分子量2300)40重量部に換えて、ノボラック型シアネート樹脂(ロンザ株式会社製、重量平均分子量1300)40重量部、ビスフェノールA型、F型混合エポキシ樹脂(JER製エピコート4275、重量平均分子量57,000)10重量に換えてビスフェノールS型エポキシ(東都化成(株)YPS−007A30、重量平均分子量40,000)5重量部、シリカスラリーを75重量部とした以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニスを得た。
Example 4
In Example 1, the biphenyl type epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd. YX-4000HK, melting point 105 ° C., epoxy equivalent 193, weight average molecular weight 358) was changed to 30 parts by weight, and the biphenyl type epoxy resin (Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) was used. ) YX-4000HK, melting point 105 ° C., epoxy equivalent 193, weight average molecular weight (358)) 18 parts by weight, biphenylaralkyl type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd. NC-3000, softening point 60 ° C., epoxy equivalent 272) , Weight average molecular weight 960) 17 parts by weight, novolac type cyanate resin (Lonza Co., Ltd., weight average molecular weight 2300) 40 parts by weight, novolac type cyanate resin (Lonza Co., Ltd., weight average molecular weight 1300) 40 parts by weight, Bisphenol A type, F type mixed epoxy resin (J R Epicote 4275, weight average molecular weight 57,000 (10 weights), bisphenol S type epoxy (Toto Kasei Co., Ltd. YPS-007A30, weight average molecular weight 40,000) 5 parts by weight, silica slurry 75 parts by weight Except for the above, a resin varnish was obtained in the same manner as in Example 1.

(比較例1)
実施例1において、エポキシ樹脂を使用しない以外は、実施例1と同様とした。
(Comparative Example 1)
Example 1 was the same as Example 1 except that no epoxy resin was used.

(比較例2)
実施例2において、シアネート樹脂を使用しない以外は、実施例2と同様とした。
(Comparative Example 2)
Example 2 was the same as Example 2 except that the cyanate resin was not used.

(比較例3)
特許文献:特開2003−101244に従い、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量469、油化シェルエポキシ社製、エピコート1001)30重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量215、大日本インキ化学工業社製、エピクロンN−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大日本インキ化学工業社製、フェノライトKA−7052)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重量部、希釈剤のソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、末端エポキシ化ポリブタジエンゴム(ナガセ化成工業社製、デナレックスR−45EPT)15重量部と2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)0.7重量部、球状シリカ(平均粒径0.53μm)3.3重量部、着色剤として銅フタロシアニン0.2重量部、ベンズイミダゾロン0.2重量部を含有するエポキシ樹脂組成物を調整した。
(Comparative Example 3)
Patent Document: According to Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-101244, 30 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent 469, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Epicoat 1001), cresol novolac type epoxy resin (epoxy equivalent 215, Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Manufactured by Epiclon N-673), 40 parts by weight of a triazine structure-containing phenol novolak resin (phenolic hydroxyl group equivalent 120, Dainippon Ink & Chemicals, Phenolite KA-7052) by 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate, It is dissolved by heating in 20 parts by weight of solvent naphtha as a diluent while stirring and 15 parts by weight of terminal epoxidized polybutadiene rubber (manufactured by Nagase Chemical Industries, Denarex R-45EPT) and 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) .7 layers Parts, spherical silica (average particle size 0.53 .mu.m) 3.3 parts by weight, 0.2 part by weight of copper phthalocyanine as a colorant, to prepare a epoxy resin composition containing a benzimidazolone 0.2 parts by weight.

(比較例4)
球状シリカ(平均粒径0.53μm)を50重量部した以外は、比較例1と同様にした。結果分散性が悪く、実施例1〜3が2時間攪拌して樹脂ワニスを得たのに対し比較例4は8時間攪拌した。
(Comparative Example 4)
Comparative Example 1 was performed except that 50 parts by weight of spherical silica (average particle size 0.53 μm) was used. Results Dispersibility was poor, and Examples 1 to 3 were stirred for 2 hours to obtain a resin varnish, while Comparative Example 4 was stirred for 8 hours.

[熱樹脂組成物の調製並びに評価結果]
[評価方法]
上記で得た樹脂ワニスを、PET基材フィルム上に、30μmの厚みで塗布し、150℃で10分熱処理し、溶剤を除去して固形化し、PET基材付き樹脂フィルムを作製し、さらに、必要に応じて、樹脂フィルム上に、PPカバーフィルムを積層してフィルムを作製し、各種評価を行った。尚、比較例3により調整したワニスに関しても100℃で10分間熱処理する以外は前記同様の方法でフィルムを作製した。
[Preparation of thermal resin composition and evaluation results]
[Evaluation methods]
The resin varnish obtained above was applied to a PET substrate film with a thickness of 30 μm, heat-treated at 150 ° C. for 10 minutes, solidified by removing the solvent, and a resin film with a PET substrate was produced. If necessary, a PP cover film was laminated on the resin film to produce a film, and various evaluations were performed. The varnish prepared in Comparative Example 3 was also prepared in the same manner as described above except that it was heat-treated at 100 ° C. for 10 minutes.

[ガラス転移温度測定]
常圧ラミネータを用い、上記で作製した樹脂フィルムを3枚積層して、90μm厚のフィルムを作製し、200℃、1時間で硬化したものを試験片(幅5mm×長さ30mm×厚さ90μm)に切り出し用いた。
測定には、動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメント社製 DMS6100)を用い3℃/分の割合で昇温しながら、周波数10Hzの歪みを与えて動的粘弾性の測定を行い、tanδのピーク値からガラス転移温度(Tg)を判定した。
[Glass transition temperature measurement]
Using a normal pressure laminator, three of the resin films prepared above were laminated to prepare a 90 μm thick film, and cured at 200 ° C. for 1 hour, a test piece (width 5 mm × length 30 mm × thickness 90 μm) ) And used.
For measurement, a dynamic viscoelasticity measuring device (DMS6100 manufactured by Seiko Instruments Inc.) is used to measure dynamic viscoelasticity by applying a strain of a frequency of 10 Hz while raising the temperature at a rate of 3 ° C./min. The glass transition temperature (Tg) was determined from the peak value.

[線膨張係数]
常圧ラミネータを用い、上記で作製した樹脂フィルムを2枚積層して、60μm厚のフィルムを作製し、試験片(幅3mm×長さ20mm×厚さ60μm)を成形し、200℃、1時間で硬化したものを試験片(幅3mm×長さ20mm×厚さ60μm)に切り出し用いた。測定にはTMA(TAインスツルメント(株)製)を用いて線膨張係数を10℃/分で測定した。線膨張係数は30℃から50℃の平均で判定した。
[Linear expansion coefficient]
Using a normal pressure laminator, two of the resin films prepared above are laminated to produce a 60 μm thick film, and a test piece (width 3 mm × length 20 mm × thickness 60 μm) is formed at 200 ° C. for 1 hour. What was hardened | cured by cutting out into the test piece (width 3mm * length 20mm * thickness 60micrometer) was used. For the measurement, the linear expansion coefficient was measured at 10 ° C./min using TMA (manufactured by TA Instruments). The linear expansion coefficient was determined by an average of 30 ° C to 50 ° C.

[耐湿性試験]
銅張り積層板(住友ベークライト社製ELC−4785GS)をエッチング処理して形成した導体回路パターンを形成し、回路基板を脱脂、ソフトエッチング等の前処理を施し、上記で得られたフィルムをラミネートし、200℃で1時間熱硬化処理を行ない、UV−YAGレーザー(MITSUBISHI社製605LDX)を用い回路パターンの対応する個所にレーザー光を照射し、直径(ランド径)50μmの開孔を行った。その後、過マンガン酸塩溶液(デスミアの薬液)に侵し、開口部の樹脂残渣(スミア)を除去した。さらにエンプレートMLB−790(メルテック社製の硫酸ヒドロキシルアミン水溶液を主成分とする溶液)と濃硫酸及び蒸留水の混合液に60〜65℃で、5〜10分間浸漬し、中和処理した。その後、金メッキ処理又はプリフラックス処理を行ない、50mm角に切断しバンプを形成した半導体チップを50mm角基板上のバンプに溶融による接合により搭載した。チップが搭載された基板10枚を125℃で24時間、乾燥処理を行い、JEDEC L2処理に従い85℃/60%相対湿度の恒温恒湿槽に入れ168時間放置した。
その後、260℃のIRリフロー(Nフロー中)に3回通し、チップした面の剥離、クラックを超音波深傷装置(Scanning Acoustic Tomograph、以下SAT)(HITACH製 mi−scope hyper)のにより確認した。10個の基板のうち、不良の生じたパッケージがa個であるとき、a/10とした。
[Moisture resistance test]
A conductor circuit pattern formed by etching a copper-clad laminate (ELC-4785GS manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) is formed, the circuit board is subjected to pretreatment such as degreasing and soft etching, and the film obtained above is laminated. Then, a thermosetting treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour, and a portion corresponding to the circuit pattern was irradiated with a laser beam using a UV-YAG laser (605LDX manufactured by MITSUBISHI) to form a hole having a diameter (land diameter) of 50 μm. Then, it permeated the permanganate solution (desmear chemical) to remove the resin residue (smear) in the opening. Furthermore, it was immersed in a mixed solution of ENPLATE MLB-790 (a solution mainly composed of a hydroxylamine sulfate aqueous solution manufactured by Mertec Co., Ltd.), concentrated sulfuric acid and distilled water at 60 to 65 ° C. for 5 to 10 minutes for neutralization treatment. Thereafter, a gold plating process or a preflux process was performed, and the semiconductor chip cut into 50 mm square and formed with bumps was mounted on the bump on the 50 mm square substrate by fusion bonding. Ten substrates on which the chips were mounted were dried at 125 ° C. for 24 hours, placed in a constant temperature and humidity chamber of 85 ° C./60% relative humidity according to JEDEC L2 treatment, and left for 168 hours.
Then, it was passed 3 times through IR reflow at 260 ° C. (in N 2 flow), and peeling and cracking of the chipped surface were confirmed by an ultrasonic deep scratch device (hereinafter referred to as SAT) (HITACH mi-scope hyper). did. Of the 10 substrates, when the number of defective packages was a, it was a / 10.

[熱衝撃性試験]
上記耐湿試験において用いたものと同様の、チップが搭載された基板10枚を、125℃で24時間、乾燥処理を行い、JEDEC L3処理に従い65℃/60%相対湿度の恒温恒湿槽に入れ、40時間放置した。その後、IRリフロー(Nフロー中)に3回通し、−55℃と125℃の槽が瞬時に入れ替わる装置(ESPEC製THERMAL SHOCK CHAMBER TSA−101S)に基板を10枚投入し125℃30分後、−55℃30分を1サイクルとし1000サイクル後のチップした面の剥離、クラックをSATにより確認した。10個の基板のうち不良の生じたパッケージがa個であるとき、a/10とした。
[Thermal shock test]
10 substrates on which chips are mounted, similar to those used in the moisture resistance test, are dried at 125 ° C. for 24 hours and placed in a constant temperature and humidity chamber of 65 ° C./60% relative humidity according to JEDEC L3 treatment. , Left for 40 hours. Thereafter, passed 3 times IR reflow (N 2 in the flow), -55 ° C. and 125 ° C. the bath is replaced instantly apparatus (ESPEC manufactured THERMAL SHOCK CHAMBER TSA-101S) the substrate was placed 10 sheets 125 ° C. 30 minutes after The peeling and cracking of the chipped surface after 1000 cycles were confirmed by SAT with 1 cycle of −55 ° C. for 30 minutes. When the number of defective packages among the 10 substrates was a, it was set to a / 10.

実施例1〜4と比較例1〜4の評価結果から、実施例は、高耐熱性であり、線膨張係数が小さいことから熱衝撃性にも優れ、耐湿性にも優れ、特に実施例4は線膨張係数が小さく、Tgも高かった。比較例1は、エポキシ樹脂がないため、シアネートの架橋が支配するため自由体積が大きくなり、吸湿しやすくなるためと推定されるが、耐湿性に劣っていた。比較例2はシアネート樹脂がないため耐熱性が低くなり、従って熱衝撃性が低下したと推定される。比較例3は耐熱性が低く、線膨張係数も大きいためと推定されるが、耐湿性、熱衝撃性が劣る結果となった。尚、比較例4は耐湿性試験、熱衝撃性試験において、サンプル作製時に開孔径が不良で、上手く半田ボールが入らず、サンプル作製直後に不良が発生しため、耐湿性試験、熱衝撃性試験の評価しなかった。   From the evaluation results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, the examples have high heat resistance and a small coefficient of linear expansion, so that they have excellent thermal shock resistance and excellent moisture resistance. Had a low coefficient of linear expansion and a high Tg. In Comparative Example 1, since there is no epoxy resin, it is presumed that the free volume is increased because the crosslinking of cyanate dominates, and it is easy to absorb moisture, but the moisture resistance is poor. In Comparative Example 2, since there is no cyanate resin, the heat resistance is low, and therefore it is presumed that the thermal shock resistance is lowered. Although it was estimated that Comparative Example 3 had low heat resistance and a large linear expansion coefficient, the results showed poor moisture resistance and thermal shock resistance. In Comparative Example 4, in the moisture resistance test and the thermal shock test, the hole diameter is poor at the time of sample preparation, the solder ball does not enter well, and a defect occurs immediately after the sample preparation. Did not evaluate.

本発明の熱硬化性樹脂組成物は、耐熱性に優れ、線膨張係数も低く、耐湿性、熱衝撃性に優れることから、に優れることから、ソルダーレジスト、封止材料、成形材料、コーティング材料、インターポーザーやプリント配線板の相関絶縁層などに用いることができる。   Since the thermosetting resin composition of the present invention is excellent in heat resistance, low in linear expansion coefficient, excellent in moisture resistance and thermal shock resistance, it is excellent in solder resist, sealing material, molding material, coating material. It can be used for a correlation insulating layer of an interposer or a printed wiring board.

Claims (7)

少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物、少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物および無機充填材を必須成分とするソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。   A thermosetting resin composition for a solder resist, comprising as essential components a compound having at least two epoxy groups, a compound having at least two cyanate groups, and an inorganic filler. 前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、重量平均分子量の異なる2種を含むものである請求項1に記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。   2. The thermosetting resin composition for a solder resist according to claim 1, wherein the compound having at least two epoxy groups contains two kinds having different weight average molecular weights. 前記重量平均分子量の異なる2種を少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、重量平均分子量が5000以上の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物と、重量平均分子量が5000未満の、少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物を含むものである請求項2に記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。   The two compounds having different weight average molecular weights having at least two epoxy groups are a compound having at least two epoxy groups having a weight average molecular weight of 5000 or more, and at least a compound having a weight average molecular weight of less than 5000, The thermosetting resin composition for solder resists according to claim 2, comprising a compound having two or more epoxy groups. 前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物は、下記式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂または下記式(2)で表されるビフェニルアラルキル樹脂である請求項1乃至3のいずれかに記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。
[式中、R〜Rは、それぞれ、水素原子、アルキル基およびフェニル基の中から選択される1種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。]
[式中、R〜R12は、それぞれ、水素原子、アルキル基およびフェニル基の中から選択される1種を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、aは、1以上の整数である。]
The compound having at least two epoxy groups is a biphenyl type epoxy resin represented by the following formula (1) or a biphenyl aralkyl resin represented by the following formula (2). The thermosetting resin composition for solder resists as described.
[Wherein R 1 to R 4 each represent one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and may be the same or different from each other. ]
[Wherein, R 5 to R 12 each represent one selected from a hydrogen atom, an alkyl group, and a phenyl group, and may be the same as or different from each other. However, a is an integer greater than or equal to 1. ]
前記少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物は、ノボラック型シアネート樹脂である請求項1乃至4に記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。   5. The thermosetting resin composition for a solder resist according to claim 1, wherein the compound having at least two cyanate groups is a novolac-type cyanate resin. 前記無機充填材は、前記少なくとも2つ以上のエポキシ基を有する化合物および前記少なくとも2つ以上のシアネート基を有する化合物を溶解する溶媒を含む溶媒中で、分散させたものである請求項1乃至5のいずれかに記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物。   The inorganic filler is dispersed in a solvent containing a solvent that dissolves the compound having at least two epoxy groups and the compound having at least two cyanate groups. The thermosetting resin composition for solder resists according to any one of the above. 請求項1乃至6のいずれかに記載のソルダーレジスト用熱硬化性樹脂組成物を含んでなる熱硬化性ソルダーレジスト。   A thermosetting solder resist comprising the thermosetting resin composition for a solder resist according to claim 1.
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