KR20100082130A - 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법 - Google Patents

급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100082130A
KR20100082130A KR1020090001468A KR20090001468A KR20100082130A KR 20100082130 A KR20100082130 A KR 20100082130A KR 1020090001468 A KR1020090001468 A KR 1020090001468A KR 20090001468 A KR20090001468 A KR 20090001468A KR 20100082130 A KR20100082130 A KR 20100082130A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
image
chamber
heat treatment
module
Prior art date
Application number
KR1020090001468A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101047784B1 (ko
Inventor
서상호
Original Assignee
주식회사 실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실트론 filed Critical 주식회사 실트론
Priority to KR1020090001468A priority Critical patent/KR101047784B1/ko
Publication of KR20100082130A publication Critical patent/KR20100082130A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101047784B1 publication Critical patent/KR101047784B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치는 챔버의 열처리 공정이 완료되면 소정의 영상모듈이 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상 영상을 획득하도록 제어하는 영상제어부; 웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 판단부; 및 상기 웨이퍼가 양품인 경우 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 언로딩모듈의 구동이 개시되도록 제어하는 구동제어부를 포함하여 구성된다.
상기 본 발명에 의하면, 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼의 상태를 효율적으로 확인할 수 있음은 물론, 상기 웨이퍼 상태의 확인결과에 따라 웨이퍼 언로딩 장치의 구동 여부를 차등적으로 수행할 수 있어 불량 웨이퍼의 언로딩 시 발생되는 챔버 내부 구성의 파손 등을 효과적으로 방지할 수 있고, 불량 웨이퍼 처리에 따른 부대 비용 및 공정 소요 시간을 효율적으로 단축할 수 있는 효과를 제공할 수 있다.

Description

급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법{Apparatus and Method for monitoring chamber of rapid thermal processing}
본 발명은 급속 열처리 장치의 챔버를 모니터링할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 챔버 내 급속 열처리 공정이 수행된 웨이퍼의 불량 여부에 대한 상태를 효과적으로 확인하고, 확인된 상태 여부에 따라 언로딩 장비의 구동을 효과적으로 제어하고 이를 응용할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼는 비저항의 안정화 또는 단결정 봉을 성장시킬 때 발생한 산소 도너(donor)를 제거하기 위하여 열처리 공정 과정을 거치게 된다. 이러한 열처리 공정을 수행하는 장치로 열저항 히팅식 확산로(furnace)가 사용되기도 하나, 열처리 시간의 단축과 새로운 형태의 산소 도너 발생을 억제하기 위하여 초단위로 급속하게 열처리를 수행하는 급속 열처리(RTP: Rapid Thermal Processing) 장치가 주로 이용되는데, 이러한 급속 열처리 장치는 열저항 히팅식 확산로에 비해 상당히 빠른 온도 상승속도(수 십 ~ 수 백℃/초)를 가지며, 열소모 비용을 최소화하고 불순물이 확산되는 부작용을 최소화할 수 있다는 이점을 가진다.
급속 열처리 장비는 할로겐램프를 열원으로 사용하여 공정 챔버(processing chamber) 내에서 실리콘 웨이퍼를 급속으로 열처리하는 장비로서 공정 챔버 내에서 웨이퍼를 지지하거나 회전시키는 석영(Quartz)재질로 이루어진 다양한 종류의 파트 및 웨이퍼 에지 부분의 온도를 보상해 주기 위한 실리콘 재질의 에지 가드링 파트 등 다양한 구성품으로 이루어진다.
급속 열처리 장치의 공정 챔버의 내부 구조를 도시하고 있는 도 1를 통하여 챔버(10)의 내부 구조 및 동작 과정을 간략히 살펴보면 다음과 같다.
공정의 대상이 되는 웨이퍼(1)는 소정의 로딩 및 언로딩 장비(로봇 암 등)의 구동으로 챔버 도어(6)를 통해 챔버 내부로 인입되며, 상기와 같이 인입된 웨이퍼(1)는 회전판(rotor tray)(5)의 웨이퍼 지지핀(wafer support pin)(2) 상에 안착된다.
상기 로딩된 웨이퍼(1)는 상부 램프(4) 및 하부 램프(4-1)의 열원에 의하여 열처리 공정을 거치게 된다. 참조부호 3 및 3-1은 석명판(Quartz pane), 참조부호 7은 실리콘링부(Si-ring segment)이며, 참조부호 8은 상기 급속 열처리 공정에 이용되는 가스가 인입되는 인입구에 해당한다.
상기 챔버 내에서 급속 열처리 공정이 완료되면, 상기 웨이퍼를 챔버 내로 인입시켰던 로봇 암이 다시 챔버 도어(6)를 통하여 인입되어 공정이 완료된 웨이퍼를 챔버 외부로 인출하는 언로딩 공정이 수행된다.
경우에 따라, 상기 급속 열처리 공정 상의 급속한 가열에 의한 열충격으로 웨이퍼가 깨지는 현상이 발생될 수 있다. 그러나 종래에는 웨이퍼가 파손되었는지 여부를 불문하고 상기 로봇 암이 지정된 구동 경로를 따라 챔버 내부로 인입하게 되므로 상기 로봇 암은 상기 파손된 웨이퍼를 정확히 파지하지 못함은 물론 상기 구동 경로 상에 깨진 웨이퍼가 존재하게 되어 상기 웨이퍼를 그대로 치고 들어가게 된다.
이러한 충돌 또는 충격 등에 의하여 챔버 내부의 석영 파트 또는 실리콘 에지 가드링 등이 2차적으로 파손되는 문제가 발생하게 됨은 물론, 파손된 웨이퍼의 잔해 등이 상기 공정 챔버 내부 여러 곳에 분산되는 문제가 발생된다.
상기와 같은 문제들에 의하여 챔버 내부의 클리닝 작업 및 신규 파트의 교체 등의 추가 작업이 수행되어야 하며, 상기 추가 작업이 수행되는 동안 실리콘 웨이퍼의 후속 공정은 중단되어야만 하므로 공정 수행에 소요되는 시간이 그만큼 연장되게 되고 이에 따라 웨이퍼 생산성이 저하되게 된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서 공정 챔버 내 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼의 상태를 확인하고 확인된 결과에 따라 로봇 암과 같은 언로딩 장치의 구동을 제어함으로써 챔버 장비를 효과적으로 보호할 수 있는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
본 발명에 다른 목적 및 장점들은 하기에 설명될 것이며, 본 발명의 실시예에 의해 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허청구범위에 나타난 구성과 구성의 조합에 의해 실현될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치는 챔버의 열처리 공정이 완료되면 영상모듈이 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 영상제어부; 웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 판단부; 및 상기 웨이퍼가 양품인 경우 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 언로딩모듈의 구동이 개시되도록 제어하는 구동제어부를 포함하여 구성된다.
더욱 바람직한 실시형태를 구현하기 위한 본 발명의 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치는 챔버의 열처리 공정이 완료되면 챔버의 도어가 개방되도록 제어하는 도어제어부를 더 포함할 수 있으며, 이 때, 상기 영상제어부는 상기 영상모듈이 상기 개방된 도어를 통해 노출된 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 구성으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 구동제어부는 상기 웨이퍼가 불량인 경우 알람모듈의 구동을 개시하도록 구성될 수 있다.
이와 함께, 상기 판단부는 상기 기준 영상에 대한 데이터가 저장되는 저장부; 상기 기준 영상 및 대상 영상의 데이터에 포함된 웨이퍼의 위치정보 또는 색상정보에 대한 특징점 정보를 각각 생성하는 특성정보생성부; 및 상기 각각 생성된 특징점 정보 간의 매칭을 통하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 매칭판단부를 포함하여 구성되는 것이 더욱 바람직하며, 여기에서 상기 특징점 정보는 웨이퍼의 에지에 대한 정보로 구성하는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 영상모듈은 상기 언로딩모듈의 전단에 구비되도록 구성될 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 의한 목적을 달성하기 위한 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법은 챔버의 열처리 공정이 완료되면 영상모듈이 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 영상제어단계; 웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 판단단계; 및 상기 웨이퍼가 양품인 경우 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 언로딩모듈의 구동이 개시되도록 제어하는 구동제어단계를 포함하여 구성된다.
상기 본 발명에 의한 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법은 우선, 급 속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼의 불량 여부에 대한 상태를 효과적으로 확인할 수 있다는 장점을 가진다.
상기와 같은 웨이퍼 상태에 대한 확인을 통하여 공정이 완료된 웨이퍼의 언로딩을 수행하는 로봇 암 등의 언로딩 장치의 구동을 제어함으로써 공정 챔버 내의 석영 부품 또는 실리콘 에지 가드링 등의 파손을 미연에 방지할 수 있는 효과를 창출할 수 있다.
이러한 본 발명의 효과를 통하여 급속 열처리 공정의 안정성이 개선되며, 파손된 부품의 교체, 클리닝 등의 다운 타임을 단축시킬 수 있으므로 생산성을 더욱 높일 수 있는 효과를 창출할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
이하에서 상기 도 2 및 도 4를 통하여 본 발명의 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 그 모니터링 방법을 상세히 기술한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치(100)의 구성을 도시한 블록도이다. 도 2에 도시된 바와 같이 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치(100)는 영상제어부(110), 판단부(120), 구동제어부(130) 및 도어제어부(140)를 포함하여 구성될 수 있다.
우선, 공정 챔버에 의하여 급속 열처리 공정이 완료되어 소정의 공정 완료 신호가 입력(S400)되면, 본 발명의 도어제어부(140)는 챔버 도어가 개방되도록 제어한다(S410).
상기 챔버 도어(6)는 앞서 기술된 바와 같이 웨이퍼를 인입하거나 인출하는데 사용되는 로봇암과 같은 로딩/언로딩 모듈이 상기 웨이퍼를 인입 또는 인출하는 통공으로 사용된다.
상기와 같이 도어가 개방되도록 제어하는 도어제어부(140)는 도어를 구동하는 소정의 구동장치로 특정 명령 신호를 전송하고, 상기 특정 명령 신호에 따라 상기 구동장치가 구동됨으로써 상기 챔버의 도어가 오픈되도록 구성할 수 있다.
상기와 같이 챔버 도어가 개방되면, 본 발명의 영상제어부(110)는 소정의 상기 영상모듈이, 상기 개방된 도어를 통해 노출된 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어한다(S420).
상기 영상모듈(111)은 소정의 광학기기이며, CMOS, CCD 등과 같은 광전 소자를 이용하여 디지털화된 영상을 촬영하는 장치를 의미하는 것으로서 실시형태에 따 라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
상기와 같이 급속 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 대상으로 상기 영상모듈(111)이 영상을 획득하면 획득된 상기 웨이퍼에 대한 영상인 대상 영상 데이터는 본 발명의 판단부(120)로 입력된다. 상기 판단부(120)는 기 구축되어 있는 저장 데이터인 웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여(S430) 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 과정을 수행한다(S440).
상기 판단부(120)에서 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 구체적인 과정은 후술하기로 한다.
상기와 같이 판단부(120)의 판단결과 상기 웨이퍼가 양품으로 판단되는 경우 상기 양품에 대한 결과 데이터가 본 발명의 구동제어부(130)으로 입력되고, 상기 구동제어부(130)는 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 로봇암 과 같은 언로딩모듈(131)의 구동이 개시되도록 제어한다.
본 발명의 구동 메커니즘에 의하여 웨이퍼가 파손되거나 깨지지 않은 즉, 양품으로 판단되는 경우에 한해 상기 언로딩 모듈(131)이 구동을 개시하여 열처리 공정이 완료된 웨이퍼를 인출(S450)하도록 제어하게 된다.
만약, 상기 판단부(120)으로부터 웨이퍼가 파손되거나 깨져 상기 공정이 완료된 웨이퍼가 불량품으로 판단되는 경우 상기 구동제어부(130)는 상기 불량품에 대한 결과 신호를 입력받게 되며, 상기 불량품에 대한 결과 신호가 입력되면 구동제어부(130)는 로봇 암과 같은 언로딩모듈(131)의 구동을 중단하고, 청각 또는 시각 표시 수단인 소정의 알람모듈(135)의 구동을 개시하게 된다(S460).
이러한 제어 기법을 통하여 공정 챔버 내의 부품들의 이차적인 파손 등을 방지하여 공정 챔버 장치 등을 더욱 안정적으로 운용할 수 있도록 하며, 또한, 상기 웨이퍼의 불량을 사용자 또는 관리자가 확인가능하도록 구성하여 이에 따른 후속 작업을 수행할 수 있도록 구성할 수 있다.
이하에서는 상기 도 3을 통하여 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼의 불량여부를 판단하는 과정을 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명의 판단부(120)에 대한 구체적인 구성을 도시한 블록도인 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명의 판단부(120)는 저장부(121), 특성정보생성부(123) 및 매칭판단부(125)를 포함하여 구성될 수 있다.
우선 상기 저장부(121)에는 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단할 수 있는 기준이 되는 기준 영상에 대한 데이터가 저장된다.
앞서 설명된 바와 같이 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼의 영상 데이터인 대상 영상이 판단부(120)으로 입력되면, 상기 저장부(121)에 저장되어 있는 기준영상에 대한 데이터를 독출하고, 독출된 기준영상과 상기 입력된 대상 영상을 상호 매칭함으로써 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하게 된다.
상기 기준 영상은 급속 열처리 공정이 완료된 웨이퍼가 양품 또는 정상인 때의 웨이퍼를 촬영한 영상 데이터에 해당하며, 이와 같이 양품의 근거가 되는 기준 영상과 현재 작업이 완료된 대상(object) 웨이퍼의 영상을 상호 비교함으로써 현재 대상 웨이퍼의 불량 여부를 효과적으로 확인할 수 있다.
상기 영상 간의 매칭 기법은 당업자 간에 다양한 응용례가 가능함은 자명하 나, 본 발명은 현재 작업이 완료된 웨이퍼가 깨지거나 파손되는 등의 경우가 효과적으로 확인되도록 하는 구성이므로 영상의 정밀한 비교 등이 수행될 수도 있으나, 상기의 경우가 정확히 인지됨과 동시에 연산 처리의 효율성을 높일 수 있는 구성을 채용하는 것이 더욱 바람직할 수 있다.
이러한 효과를 적극적으로 구현하기 위하여 본 발명의 특성정보생성부(123)는 상기 기준 영상 및 대상 영상의 데이터에 포함된 웨이퍼의 위치정보 또는 색상정보에 대한 특징점 정보를 각각 생성한다.
디지털 카메라 등과 같은 촬상장치에서 생성되는 영상 데이터는 소정 크기의 매트릭스로 구성되는 픽셀들의 집합체로 구성되는 것이 일반적인데, 기준 영상과 대상 영상의 모든 영상 데이터를 비교하는 것보다는 웨이퍼의 깨짐 또는 파손 등을 효과적으로 인지하기 위한 특정 위치정보를 상호 비교하거나 또는 상기 위치정보에 해당하는 영상정보(R, G, B 또는 Y, Cb, Cr 등)를 확인하는 알고리즘을 구현하는 것이 바람직하다.
이와 같이 영상의 특징점 정보 등을 기초로 영상의 매칭 과정을 수행하는 경우 상기 저장부에 기준데이터가 저장될 때, 기준 영상에 대한 특징점 정보가 저장될 수 있고, 이러한 경우 본 발명은 상기 특징점 정보를 독출함으로써 상기 특징점 정보의 생성을 대신할 수 있음은 자명하다.
첨부된 도 5를 통하여 상기 과정을 예시적으로 설명하면 다음과 같다.
도 5의 (a)는 기준영상에 해당하는 영상데이터이며, 도 5의 (b)는 불량 웨이퍼의 대상영상에 해당하는 영상데이터의 일례를 도시하고 있다. 도 5에서는 본 발 명의 설명의 효율성을 높이기 위하여 10×25 크기의 영상을 예로 든다.
본 발명은 영상 전체를 단순히 비교하는 방법을 지양하고, 깨짐이 빈번히 발생하거나 깨짐 또는 파손을 확인할 수 있는 등의 특정 웨이퍼의 위치정보만을 선별적으로 상호 비교하는 방법을 통하여 더욱 효과적인 불량 웨이퍼의 검출이 가능하도록 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 특정 위치 정보에 해당하는 하나 이상의 픽셀이 상기 특징점에 해당할 수 있다.
구체적인 예로 설명하면, 상기 도 5에 도시된 "A" 는 영상의 최좌상단 측을 기준점으로 하고, 행과 열의 순서로 그 위치정보를 정하는 경우 (4, 13)의 위치정보를 가지며, "B"는 (8, 12), "C"는 (8, 23)의 위치정보를 가지며, "D"는 (8, 2)의 위치정보를 가지게 된다.
상기 A, B, C, D와 같은 특징점은 하나의 예로서, 웨이퍼의 파손 또는 깨짐 현상이 빈번히 발생되는 지점 또는 웨이퍼가 파손되거나 깨져 로봇 암이 웨이퍼 인출을 위하여 공정 챔버 내로 인입되는 경우 챔버의 부속품 등이 파손되는 경우를 확인할 수 있는 위치로 설정되는 것이 바람직하다.
도 5에 도시된 바와 같이 도 5의 (a), (b)에 공통된 상기 A, B, C, D의 위치정보는 동일하나 각 위치마다의 영상정보(R, G, B 등)의 값은 동일하지 않게 된다. 즉, 모든 픽셀의 영상정보를 확인하는 프로세싱을 진행하는 것보다는 웨이퍼가 파손되는 경우를 더욱 용이하고 간단하게 확인할 수 있는 특정 위치 정보에 해당하는 영상정보만을 선별적으로 매칭함으로써 불량 판단의 정확성을 유지한 채, 연산 효율을 더욱 높일 수 있다.
이와 같이 각각의 영상에 대한 특징점 정보가 생성되면 본 발명의 매칭판단부(125)는 상기 각각 생성된 특징점 정보 간의 매칭을 통하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하게 된다.
예를 들어, 기준데이터인 도 5 (a)의 "A" 지점의 영상 정보가 (35, 40, 37)(RGB기준)임에 반해, 소정의 영상모듈(111)로부터 입력된 영상인 도 5의 (b)의 "A"지점의 영상 정보가 (20, 20, 25)인 경우 상기 각 영상의 특징점에 대한 영상정보는 큰 차이를 보이게 되고 이를 통하여 현재 작업이 완료된 대상 웨이퍼는 불량이 발생되었음을 알 수 있게 된다.
상기 매칭 프로세싱에서 동일성 판단에서의 소정 오차 범위가 설정될 수 있음은 물론이며, 특징점의 개수 등 또한, 시스템의 환경이나 작업 환경 등에 따라 다양하게 설정될 수 있음은 물론이다.
더욱 바람직한 실시형태의 구현을 위하여, 상기 특징점 정보는 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 외곽에 대한 정보 즉 에지(edge)에 대한 정보로 구성하는 것이 바람직하다.
웨이퍼가 깨지거나 파손되는 경우 필수적으로 웨이퍼의 외주면, 즉 에지면에 대한 영상 데이터는 기준 영상과 대비하여 동일하지 않게 되므로 상기와 같이 특징점 정보를 웨이퍼의 에지에 대한 위치정보 중 하나 이상의 정보로 구성하는 것이 더욱 바람직하다.
한편, 종래 급속 열처리 장치에서는 챔버 도어를 통하여 로봇 암 등의 암(arm)이 전개(expand)되거나 회수(fold)되므로 챔버 내부의 영상을 더욱 효과적 으로 획득하기 위하여 상기 영상 모듈(111)을 상기 로봇 암과 같은 언로딩 모듈의 전단에 부착하여 영상을 촬영할 수 있도록 구성하는 것이 바람직하다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 모니터링 장치 등에 대하여 상세히 기술하였으나, 상기 도 2 및 도 3에 도시된 본 발명에 의한 모니터링 장치는 물리적으로 구분되는 구성요소라기보다는 논리적인 구성요소로 이해되어야 한다. 즉, 각각의 구성은 본 발명의 기술사상을 실현하기 위하여 논리적으로 구분된 구성요소에 해당하므로 각각의 구성요소가 통합 또는 분리되어 수행되더라도 본 발명의 논리 구성이 수행하는 기능을 실현할 수 있다면 본 발명의 범위 내에 있다고 해석되어야 한다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 급속 열처리 공정 챔버의 내부의 구성을 도시한 도면,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 급속 열처리 공정 챔버의 모니터링 장치의 구성을 도시한 블록도,
도 3은 본 발명의 판단부에 대한 구체적인 구성을 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 급속 열처리 공정 챔버의 모니터링 방법의 과정을 도시한 흐름도,
도 5는 특징점 정보를 이용한 영상 매칭 프로세싱을 설명하는 도면,
도 6은 웨이퍼의 에지 정보를 이용한 영상 매칭 프로세싱을 설명하는 도면이다.

Claims (12)

  1. 챔버의 열처리 공정이 완료되면 영상모듈이 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 영상제어부;
    웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 판단부; 및
    상기 웨이퍼가 양품인 경우 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 언로딩모듈의 구동이 개시되도록 제어하는 구동제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    챔버의 열처리 공정이 완료되면, 챔버의 도어가 개방되도록 제어하는 도어제어부를 더 포함하고,
    상기 영상제어부는,
    상기 영상모듈이, 상기 개방된 도어를 통해 노출된 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 구동제어부는,
    상기 웨이퍼가 불량인 경우 알람모듈의 구동을 개시하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 판단부는,
    상기 기준 영상에 대한 데이터가 저장되는 저장부;
    상기 기준 영상 및 대상 영상의 데이터에 포함된 웨이퍼의 위치정보 또는 색상정보에 대한 특징점 정보를 각각 생성하는 특성정보생성부; 및
    상기 각각 생성된 특징점 정보 간의 매칭을 통하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 매칭판단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 특징점 정보는,
    웨이퍼의 에지에 대한 정보인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 영상모듈은,
    상기 언로딩모듈의 전단에 구비되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치.
  7. 챔버의 열처리 공정이 완료되면 영상모듈이 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상영상을 획득하도록 제어하는 영상제어단계;
    웨이퍼 불량 여부 판단의 기준이 되는 기준 영상과 상기 대상 영상을 비교하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 판단단계; 및
    상기 웨이퍼가 양품인 경우 상기 열처리 공정이 수행된 웨이퍼를 외부로 인출하는 언로딩모듈의 구동이 개시되도록 제어하는 구동제어단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    챔버의 열처리 공정이 완료되면, 챔버의 도어가 개방되도록 제어하는 도어제어단계를 더 포함하고,
    상기 영상제어단계는,
    상기 영상모듈이, 상기 개방된 도어를 통해 노출된 챔버 내부의 웨이퍼 영상인 대상 영상을 획득하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 웨이퍼가 불량인 경우 알람모듈의 구동을 개시하는 알람구동단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 판단단계는,
    상기 기준 영상 및 대상 영상의 데이터에 포함된 웨이퍼의 위치정보 또는 색 상정보에 대한 특징점 정보를 각각 생성하는 특성정보생성단계; 및
    상기 각각 생성된 특징점 정보 간의 매칭을 통하여 상기 웨이퍼의 불량 여부를 판단하는 매칭판단단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 특징점 정보는,
    웨이퍼의 에지에 대한 정보인 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 영상모듈은,
    상기 언로딩모듈의 전단에 구비되는 것을 특징으로 하는 급속 열처리 챔버의 모니터링 방법.
KR1020090001468A 2009-01-08 2009-01-08 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법 KR101047784B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090001468A KR101047784B1 (ko) 2009-01-08 2009-01-08 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090001468A KR101047784B1 (ko) 2009-01-08 2009-01-08 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100082130A true KR20100082130A (ko) 2010-07-16
KR101047784B1 KR101047784B1 (ko) 2011-07-07

Family

ID=42642332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090001468A KR101047784B1 (ko) 2009-01-08 2009-01-08 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101047784B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180050945A (ko) * 2016-11-07 2018-05-16 세메스 주식회사 공정 챔버 감시 장치 및 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215897B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
TW432452B (en) * 1998-10-15 2001-05-01 Applied Materials Inc Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
JP2002261146A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法および半導体製造装置
KR20060025834A (ko) * 2004-09-17 2006-03-22 삼성전자주식회사 공정 진행시 반도체 제조 장치 및 웨이퍼의 이상 유무를검출하는 검출 시스템 및 그의 제어 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180050945A (ko) * 2016-11-07 2018-05-16 세메스 주식회사 공정 챔버 감시 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101047784B1 (ko) 2011-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102522968B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10475670B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20200013657A1 (en) Apparatus and methods for edge ring replacement, inspection and alignment using image sensors
JP6278759B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6394220B2 (ja) アライメント装置及び基板処理装置
JP6251086B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI693398B (zh) 熱處理系統之基板破裂偵測法
TWI657725B (zh) 影像檢查裝置及影像檢查方法
TWI533391B (zh) 待處理物之運送方法與設備及用來儲存程式之電腦可讀取儲存媒體
TW202036746A (zh) 切割裝置及使用切割裝置的晶圓加工方法
KR101047784B1 (ko) 급속 열처리 챔버의 모니터링 장치 및 방법
JP2020034344A (ja) 可動部位置検出方法、基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム
US6945258B2 (en) Substrate processing apparatus and method
KR20080017205A (ko) 웨이퍼 에지 디펙트 검출장치 및 그 방법
JP6397557B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20240087936A1 (en) Substrate processing system and condition monitoring method
KR102028418B1 (ko) 기판 액처리용 제어장치와 이를 이용한 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
KR102543182B1 (ko) 웨이퍼 위치 검사 장치
KR102041310B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판의 안착 상태 판단 방법
JP2008016623A (ja) 連続炉
TWI806072B (zh) 用於基板處理監視的設定資訊之設定方法、基板處理裝置之監視方法及基板處理裝置
KR100435216B1 (ko) 기판 처리공정 실시간 모니터링 시스템 및 방법
KR20080070100A (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 검사장치 및 그 방법
JP2007134450A (ja) 半導体製造方法及び半導体製造装置
KR20220153499A (ko) 기판 검사 방법 및 기판 검사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150626

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 9