KR20100077844A - 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 - Google Patents
포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 디지털 노광에 사용되는 포토레지스트로써, 노볼락 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제 및 용매를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
여기서, 화학식 1에서 R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다.
포토레지스트, 박막 트랜지스터, 노볼락 수지, 광 감응제
Description
본 발명은 디지털 노광용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display : FPD) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하여 영상을 표시하는 장치이다.
액정 표시 장치는 미세 회로 패턴등을 포함하는데, 이러한 미세 회로 패턴 등은 주로 사진 식각 공정등에 의하여 형성된다. 미세 회로 패턴을 형성하기 위한 사진 식각 공정은 포토레지스트와 마스크를 사용한다. 즉, 미세 회로 패턴의 형상이 형성된 마스크에 광을 조사하고, 조사된 광 중에서 마스크를 통과한 광만이 포토레지스트에 조사되고, 포토레지스트에 조사된 광에 의하여 포토레지스트 패턴이 형성된다. 형성된 포토레지스트를 이용하여 식각 공정에 의하여 미세 회로 패턴을 형성한다. 한편, 액정 표시 장치가 대면적화 되는 추세에 따라, 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되는 마스크의 크기도 대면적화 되었다. 이에 따라, 마스크의 제조 비용이 상승하게 되었고, 전체적으로 액정 표시 장치의 제조 비용이 상승하게 되었다. 이에 의해, 최근에는 디지털 노광 장치를 이용하여 마스크 없이 사진 식각 공정을 수행하여 액정 표시 장치를 제조 하는 방법이 제안되었다.
그러나, 디지털 노광시 사용되는 광원인 레이저 빔은 가우시안 분포의 에너지 밀도를 갖는다. 이에 의해, 레이저 빔이 중첩된 영역에서는 일정한 광량을 갖게 되지만, 레이저 빔이 중첩된 영역의 가장자리 부에서는 상대적으로 불규칙한 광량을 갖게 된다. 이에 따라, 디지털 노광에 의해 포토레지스트 패턴을 형성할 경우, 레이저 빔이 조사되는 가장자리 부에 위치하는 포토레지스트 패턴은 식각 공정시 요구되는 테이퍼 각도와 패턴 프로파일을 만족시키지 못하였다. 따라서, 디지털 노광의 상술한 결점을 극복할 수 있는 포토레지스트 조성물의 개발이 필요하였다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 디지털 노광시 우수한 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 이러한 포토레지스트 조성물을 이용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제 및 용매를 포함할 수 있 다.
[화학식 1]
여기서, R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다.
상기 해결하고자 하는 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 반도체층 상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 각 단계 중 적어도 하나는 사진 식각 단계를 포함하며, 상기 사진 식각 단계는 도전층 또는 비도전층을 형성하는 단계와, 상기 층 상에 노볼락 수지와 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제, 및 용매를 포함하는 조성물로 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하 본 발명의 실시예들에 의한 포토레지스트 박리제 조성물에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 의한 포토레지스트 박리제 조성물을 이용한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 대하여 상세 히 설명한다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트의 조성물은 사진 식각공정 (Photolithography Process)시 이용되는 것으로, 특히, 디지털 노광기를 이용한 사진 식각공정에서 이용될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 노광용 포토레지스트 조성물은 노볼락 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제 및 용매를 포함한다.
[화학식 1]
여기서, R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다.
먼저, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물 중에서 바인더 수지에 대해 설명한다.
바인더 수지는 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. 바인더 수지에 포함된 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물은 알칼리 가용성으로써, 수성 알칼리 현상액 등의 알칼리성 용액에 가용성이다. 또한, 물에 불용성이도록 하이드록실기가 포함될 수 있다. 바인더 수지는 포토레지스트 패턴의 몸체를 형 성한다.
노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물의 평균 분자량은 각각 2,000 내지 20,000일 수 있다. 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물의 평균 분자량이 2,000이하이면, 디지털 노광용 포토레지스트에서 요구되는 점도를 충족시키지 못고, 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물이 현상액에 용해되는 정도가 심하게 된다. 이에 의해, 정해진 공정 시간(tact time) 내에 원하는 박막 패턴을 형성하는 것이 곤란할 수 있다. 한편, 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물의 평균 분자량이 20,000이상이면, 필요이상으로 점도가 상승하여 포토레지스트 패턴의 박리시 가공성이 용이하지 않을 수 있다.
노볼락 수지는 하기의 화학식 3과 같은 구조를 가질 수 있다.
[화학식 3]
여기서, n은 1 내지 100이하의 정수이고, R1 내지 R3은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 및 니트로기 중에서 선택된 적어도 하나이다.
노볼락 수지는 메타와 파라 방향족 화합물을 포름알데히드류와 혼합, 가열하여 합성하는데, 이때 메타 방향족 화합물은 감광 속도를 증가시키는 경향이 있고, 파라 방향족 화합물은 감광 속도를 늦추는 경향이 있다. 그러므로, 합성한 노볼락 수지의 화학 구조에 따라서 적당한 양의 광 감응제를 선택하는 것이 유리할 수 있다. 여기서, 방향족 화합물의 대표적인 것으로 크레졸을 들 수 있다. 즉, 메타-크레졸 및 파라-크레졸을 이용하여 노볼락 수지를 합성할 수 있다. 이때, 적당한 양의 광 감응제를 선택하기 위한 메타-크레졸 및 파라-크레졸의 혼합 비율은 30:70 내지 70:30일 수 있다.
한편, 바인더 수지에 포함되는 화학식 1로 표시되는 화합물은 다치환기 노볼락 수지로써, 파라-크레졸, 오르토-크레졸, 메타-크레졸, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,4-크실레놀 등으로부터 유도될 수 있다. 화학식 1의 화합물은 디지털 노광에 의해 형성되는 포토레지스트의 패턴 파일과 해상력을 향상시킬 수 있다. 화학식 1로 표시되는 화합물은 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 트리 메틸 페놀이 연결되어 반복되는 구조의 화합물일 수 있다.
이때, 바인더 수지에 포함된 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물의 함량이 99중량%를 초과하거나 1중량% 미만이면, 감광속도, 포토레지스트의 패턴 파일 및 해상력이 어느 한 부분이 기능을 나타낼 수 없어 바람직하지 않다. 따라서, 2성분 바인더 수지의 노볼락 수지와 화학식 1로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 80:20의 중량비일 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 노광용 포토레지스트 조성물 중의 바인더 수지의 함량이 30중량%를 초과하면, 노광 후 진행되는 현상 공정시, 현상액에 의해 포토레지스트 조성물이 용해되는 속도가 느려질 수 있다. 이에 의해, 노광 에 너지 대비 적정 감도가 얻어지지 않아, 노광 시간이 길어지게 되고, 전체적으로 박막 패턴 형성 시간이 길어지게 될 수 있다.
한편, 바인더 수지의 함량이 5 중량% 미만이면 노광 후 진행되는 현상 공정시, 현상액에 의해 포토레지스트 조성물이 용해되는 속도가 빠르게 되어 최종 형성되는 박막 패턴의 잔막률이 저하될 수 있다. 따라서, 상술한 이유로 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물 중 바인더 수지의 함량은 5 내지 30 중량%이다.
다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함되는 광 감응제에 대해 설명한다.
광 감응제는 기본적으로 화학식 4의 디아지드계 화합물을 포함한다.
[화학식 4]
화학식 4로 표시되는 디아지드계 화합물은 폴리하이드록시 벤조페논, 1,2-나프토퀴논디아지드 및 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산 등의 화합물을 반응시켜 제조할 수 있다.
예를 들어, 상기 디아지드계 화합물은 트리하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4-트리하이드록시벤조페논- 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트(이하, ‘디아지드계 화합물 1’이라 한다.)이다. 또는, 테트라하이드록시 벤조페논과 2-디아조-1-나프톨-5-술폰산을 에스테르화 반응시켜 제조된 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트(이하, ‘디아지드계 화합물 2’이라 한다.)이다. 이때, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디아지드계 화합물로써, 디아지드계 화합물 1과 디아지드계 화합물 2는 각각 단독으로 사용될 수 있고, 혼합되어 사용될 수도 있다.
디아지드계 화합물 1과 디아지드계 화합물 2의 화학식은 각각 다음과 같다.
[화학식 5]
[화학식 6]
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 광 감응제는 디지털 노광시 감광 속도가 용이하게 조절되고, 해상력이 향상될 수 있도록 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.
[화학식 2]
여기서, R1 내지 R4는 2-디아조-1-나프톨-5-술포닐, 수소원자 또는 알킬기이고, R5 내지 R8은 수소, 알킬기 또는 벤질기 이다. 화학식 2로 표시되는 화합물은 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5디메틸페닐]메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트일 수 있다.
이때, 광 감응제에 포함된 디아지드계 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물의 함량이 99중량%를 초과하거나 1중량% 미만이면, 감광속도 및 해상력의 측면에서 향상된 효과가 나타나지 않아 바람직하지 않다. 따라서, 광 감응제에 포함된 디아지드계 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 80:20의 중량비일 수 있다. 이러한 광 감응제는 포토레지스트 패턴의 테이퍼 각도나 패턴 프로파일의 질(quality)을 좌우할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 노광용 포토레지스트 조성물 중의 광 감응제의 함량이 10중량%를 초과하면, 광원에 의해 감광되는 에너지가 많이 소요되어 원하는 노광 에너지 대역에서 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 한편, 광 감응제의 함량이 2 중량% 미만이면 적은 노광 에너지에 의해서도 포토레지스트가 감광되는 경향이 있어 원하는 노광 에너지 대역에서 박막 패턴을 형성하기 어려울 수 있다. 따라서, 상술한 이유로 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물 중 광 감응제 수지의 함량은 2 내지 10 중량%이다.
다음으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 포함되는 용매에 대해 설명한다.
용매는 바인더 수지와 광 감응제를 용해하여야 한다. 본 발명의 제1 실시예에 따른 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), 에틸셀루솔부아세테이트(ECA), 2-메톡시에틸아세테이트, 감마부티로락톤(GBL), 메틸메톡시프로피오네이트(MMP), 에틸베타에톡시프로피오네이트(EEP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 노말프로필아세테이트(nPAC) 및 노말부틸아세테이트(nBA)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나이다.
본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물 중 용매의 함량은 바인더 수지 및 광 감응제의 함량을 뺀 잔량이다. 참고로, 용매의 함량이 95 중량%를 초과하면 잔막률이 저하되는 경향이 있어 바람직하지 않고, 용매의 함량이 57중량% 미만이면 바인더 수지와 감 광응제를 용해하는 능력이 저하되어 바람직하지 않다
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 노광용 포토레지스트 조성물은 필요에 따라, 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제 및 접착 촉진제 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
이 가운데에서, 계면 활성제에 대해 설명하면 다음과 같다. 계면 활성제는 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물의 도포 특성을 향상시키기 위하여 더 포함될 수 있다.
이러한 계면 활성제로는 불소(F)와 실리콘(Si)계열의 계면 활성제가 단독으 로 또는 혼합되어 사용될 수 있다. 이때, 계면활성제의 함량이 0.4 중량%를 초과하면, 포토레지스트 조성물의 도포특성이 저하될 수 있다. 또한, 계면활성제의 함량이 0.05 중량% 미만이면, 포토레지스트막 형성시, 포토레지스트막 표면의 평탄 특성이 저하될 수 있다. 따라서, 계면 활성제의 양은 0.05 내지 0.4 중량%인 것이 바람직하다.
이하에서는 구체적인 실시예들을 들어 본 발명의 제1 실시예에 따른 디지털 노광용 포토레지스트 조성물을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 다만, 하기 실시예들에 의하여 본 발명의 기술적 사상이 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예들에서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.
실시예
1
메타-크레졸과 파라-크레졸을 4:6의 중량비로 혼합한 노볼락 수지와 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 트리메틸페놀을 5:4:2 의 중량비로 혼합한 화학식 1로 표시되는 다치환기 노볼락 수지를 70:30의 중량비로 혼합한 20g의 바인더 수지와, 디아지드계 화합물 2와 화학식 2로 표시되는 화합물의 하나인 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5디메틸페닐]메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 40:60의 중량비로 혼합한 4g의 광 감응제를 용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60g에 용해시키고 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실시예
2
메타-크레졸과 파라-크레졸을 4:6의 중량비로 혼합한 노볼락 수지와 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 트리메틸페놀을 5:4:2 의 중량비로 혼합한 화학식 1로 표시 되는 다치환기 노볼락 수지를 30:70의 중량비로 혼합한 20g의 바인더 수지와, 디아지드계 화합물 2와 화학식 2로 표시되는 화합물의 하나인 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5디메틸페닐]메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 40:60의 중량비로 혼합한 4g의 광 감응제를 용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60g에 용해시키고 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실시예
3
메타-크레졸과 파라-크레졸을 4:6의 중량비로 혼합한 노볼락 수지와 메타-크레졸, 파라-크레졸 및 트리메틸페놀을 5:4:2 의 중량비로 혼합한 화학식 1로 표시되는 다치환기 노볼락 수지를 30:70의 중량비로 혼합한 20g의 바인더 수지와, 디아지드계 화합물 2와 화학식 2로 표시되는 화합물의 하나인 비스[4-하이드록시-3-(2-하이드록시-5-메틸벤질)-5디메틸페닐]메탄-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트를 10:90의 중량비로 혼합한 4g의 광 감응제를 용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60g에 용해시키고 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
비교예
메타-크레졸과 파라-크레졸을 4:6의 중량비로 혼합한 노볼락 수지로 이루어진 20g의 바인더 수지와, 디아지드계 화합물 1과 디아지드계 화합물 2를 30:70의 중량비로 혼합한 4g의 광 감응제를 용매인 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 60g에 용해시키고 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다.
실험예
실시예 1 내지 3 과 비교예 1에서 제조된 포토레지스트 조성물을 유리 기판 에 일정한 속도로 스핀 도포하였다. 계속해서, 0.1 토르(Torr) 이하에서 60 초간 감압 건조하였다. 계속하여, 포토레지스트 조성물이 도포된 유리 기판을 110℃에서 90 초간 소프트 베이크(soft bake)하여 1.60㎛두께의 포토레지스트막을 형성하였다. 계속하여, 포토레지스트막의 균일도를 측정하였다. 계속하여, 디지털 노광기를 이용하여 포토레지스트막에 405nm의 파장을 갖는 광을 노광시켰다. 계속하여, 실온에서 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide)를 포함하는 수용액으로 포토레지스트막을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
1) 감광 속도와
잔막율
*초기 포토레지스트막의 두께=(손실된 포토레지스트막의 두께)+(잔존 하는 포토레지스트막의 두께)
*잔막율 = (잔존 하는 포토레지스트막의 두께/ 초기 포토레지스트막의 두께)
감광 속도는 노광 에너지에 따라 일정 현상 조건에서 포토레지스트 막이 완전히 녹아나가는 에너지를 측정하여 구했다. 잔막율은 상술한 현상 공정 전후에 포토레지스트막의 두께를 측정하여 구했다.
2) 테이퍼 각도와 패턴 프로파일
상술한 바와 같이, 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope; SEM)을 사용하여, 형성된 포토레지스트 패턴의 테이퍼 각도와 패턴 프로파일을 측정하였다.
실험예에 의한 측정 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
[표 1]
| 구분 | 감광속도 | 잔막률(%) | 테이퍼 각도( |
패턴 프로파일 |
| 실시예 1 | 45 | 98 | 30 | ◎ |
| 실시예 2 | 45 | 98 | 40 | ◎ |
| 실시예 3 | 45 | 99 | 55 | ◎ |
| 비교예 | 45 | 94 | 15 | X |
주) 표 1에서,
◎은 패턴 프로파일 우수, X는 패턴 프로파일 불량을 나타낸다.
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3에 의한 포토레지스트 조성물은 비교예에 의한 포토레지스트 조성물보다 테이퍼 각도가 높고, 패턴 프로파일이 우수하다. 포토레지스트 패턴의 테이퍼 각도가 높고, 패턴 프로파일이 우수할수록 공정상 마진(margin)이 커지므로, 포토레지스트 패턴에 의해 원하는 형상의 패턴을 용이하게 구현할 수 있다.
이러한 관점에서 볼 때, 실시예 1 내지 실시예 3에 의한 포토레지스트 조성물은 비교예에 의한 포토레지스트 조성물보다 디지털 노광시 원하는 형상의 패턴을 보다 용이하게 구현할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 바인더 수지에 화학식 1로 표시되는 화합물과, 광 감응제에 화학식 2로 표시되는 화합물이 더 포함되므로, 이들을 포함하지 않는 비교예에 의한 포토레지스트 조성물보다 디지털 노광 시 더 유리할 것이다.
참고로, 도 1a 및 도 1b, 도 2a 및 도 2b, 도 3a 및 도 3b는 각각 실시예 1 내지 3에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다. 도 4a 및 도 4b는 비교예에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
도 1a 내지 도 4b를 참조하면, 실시예 1 내지 3에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴이 비교예에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴보다 테이퍼 각도가 높고, 패턴 프로파일이 우수함을 알 수 있다. 이에 의해, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 마스크 없이 패턴을 형성할 수 있는 디지털 노광기에 의한 미세 회로 패턴의 형성 시 유리하다.
이하에서는 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 상세히 설명한다. 한편, 제2 실시예에서 사용되는 포토레지스트 조성물, 포토레지스트막, 포토레지스트 패턴은 다른 언급이 없는 한, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물과 실질적으로 동일하므로, 반복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의해 제조되는 박막 트랜지스터 기판의 레이 아웃이다. 도 6은 본 발명의 제2 실시예에서 사용되는 마스크 리스(mask less) 디지털 노광 장치의 개략적인 구성도이다. 도 7은 도 6의 A부분을 확대한 것이다. 도 8은 도 5의 I-I’선을 따라 절단한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은 화소의 행 방향으로 화소의 경계를 따라 연장된 게이트 라인(22)이 위치하고, 화소의 열 방향으로 화소의 경계를 따라 연장된 데이터 라인(62)이 위치한다. 게이트 라인(22)과 데이터 라인(62)이 교차하는 영역에는 게이트 전극(24), 반도체층(44), 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 화소 전극(92)은 콘택홀(86)을 통해 드레인 전극(66)과 연결된다. 이러한, 박 막 트랜지스터 기판은 상술한 본 발명에 따른 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물과 후술할 마스크 리스 디지털 노광 장치를 사용하여 형성된다.
도 6 및 7을 참조하면, 마스크 리스 디지털 노광 장치는 레이저 빔 발진기(200), 마이크로 미러 소자(210, micro mirror device; DMD, 이하 ‘DMD’라 한다.), 프로젝션 렌즈(220), 집광 렌즈(230), 카메라(240)를 포함할 수 있다.
레이저 빔 발진기(200)는 디지털 노광에서 광원으로 사용되는 레이저 빔을 발진시킨다. 이때, 발진되는 레이저 빔의 파장은 실질적으로 435nm, 405nm, 365nm이다. 참고로, 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물은 실질적으로 405nm의 파장을 갖는 광에 최적화되어 있으므로, 발진되는 레이저 빔의 파장이 실질적으로 405nm인 경우가 효과적인 측면에서 가장 유리할 것이다.
DMD(210)는 레이저 빔 발진기(200) 에서 발진된 레이저 빔을 반사시킨다. 이때, 레이저 빔을 반사시키는 위치는 포토레지스트막 상의 노광이 필요한 부분이다. 레이저 빔 발진기(200) 에서 발진된 레이저 빔은 광파이버(202)를 통해 제1 렌즈(205)로 입사된다. 제1 렌즈(205)는 입사된 레이저 빔을 집광하여 DMD(210)에 공급한다. DMD(210)에 공급된 레이저 빔은 DMD(210)의 마이크로 미러에 의해 노광이 필요한 위치로 반사된다. 이때, 마이크로 미러가 레이저 빔을 반사시키는 위치는 포토레지스트막에 의해 형성될 패턴의 정보에 의해 제어될 수 있다. 마이크로 미러에 의해 반사된 레이저 빔은 프로젝션 렌즈(220)와 집광 렌즈(230)를 통해 기판 상의 포토레지스트막에 조사되고, 노광된다. 즉, 기판 상에 형성될 패턴에 대한 정보를 디지털 노광기에 미리 입력하고, 미리 입력된 정보에 의해 마이크로 미러가 레 이저 빔을 반사시키는 위치를 제어하여, 마스크 없이도 포토레지스트막을 노광시킬 수 있다.
한편, 도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제2 실시예에 따라 게이트 전극이 형성되는 단면도이고, 도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 제2 실시예에 따라 반도체층, 소오스 및 드레인 전극이 형성되는 단면도이고, 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 콘택홀이 형성되는 단면도이다.
먼저, 도 9a 내지 도 9c를 참조하여, 제2 실시예에 따라 게이트 전극이 형성되는 과정을 설명한다.
도 9a에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 스퍼터링 방법 등의 금속 증착 방법을 이용하여 제1 도전층(20)이 형성된다. 제1 도전층(20)으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같은 금속 물질이 이용되며, 제1 도전층(20)은 상기 금속 물질의 단일층 또는 이중층 이상이 적층된 형태로 형성된다. 이어서, 제1 도전층(20) 상에 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물로 제1 포토레지스트막(100)을 형성한다. 참고로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물은 포지티브형 포토레지스트 이다. 이에 따라, 광에 노출된 부분이 현상공정에서 제거된다.
계속해서, 게이트 전극(24)이 형성되지 않는 패턴 미형성 영역(S10)의 제1 포토레지스트막(100)에 도 6의 디지털 노광 장치로 레이저 광을 조사한다.
이에 의해, 레이저광에 노출된 제1 포토레지스트막(100)은 현상공정에서 제거되고, 레이저광에 노출되지 않은 게이트 전극(24) 형성 영역(S20)의 제1 포토레 지스트막(100)은 잔류한다.
이에 따라, 도 9b에 도시된 바와 같이 제1 포토레지스트 패턴(111)이 형성된다. 계속하여, 제1 포토레지스트 패턴(111)이 형성된 제1 도전층(20)을 식각하여 도 9c와 같이 게이트 전극(24)을 형성한다.
다음으로, 도 10a 내지 도 10d을 참조하여, 제2 실시예에 따라 반도체층, 소오스 및 드레인 전극이 형성되는 과정을 설명한다.
도 10a 내지 도 10d를 참조하면, 게이트 전극(24)이 형성된 기판(10) 상에 게이트 절연막(30)이 형성되고, 게이트 절연막(30) 상에 박막 트랜지스터(TFT)의 채널을 형성하기 위한 반도체층(44)과, 반도체층(44) 상에 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)이 형성된다. 추가로, 반도체층(44)과 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66) 사이에 오믹 콘택층(55, 56)이 형성된다.
도 10a를 참조하면, 게이트 전극(24)이 형성된 기판(10) 상에 게이트 절연막(30), 비정질 실리콘층(40), 불순물 도핑된 비정질 실리콘층(50)과, 제2 도전층(60)이 순차적으로 형성된다. 이때, 게이트 절연막(30), 비정질 실리콘층(40), 불순물 도핑된 비정질 실리콘층(50)은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법으로 형성되고, 제2 도전층(60)은 스퍼터링 방법으로 형성된다. 게이트 절연막(30)은 산화 실리콘(SiOx), 질화 실리콘(SiNx) 등의 절연 물질로 형성되며, 제2 도전층(60)은 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등과 같은 금속 물질이 단일층 또는 이중층 이상의 적층된 형태로 형성된다.
다음으로, 제2 도전층(60) 상에 제2 포토레지스트막(150)이 형성된다. 제2 포토레지스트막(150)은 제1 포토레지스트막(100)와 실질적으로 동일한 물질로 형성된다. 이때, 제2 포토레지스트(150)는 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1 포토레지스트(100)에 비해 두께를 더 두껍게 형성할 수도 있다.
다음으로, 도 10a에 도시된 바와 같이 제2 포토레지스트막(150)의 패턴 미형성 영역(S10) 등이 도 6의 디지털 노광 장치로 노광된다. 이때, 디지털 노광 장치는 패턴 미형성 영역(S10)과 채널 영역(S40) 상에 레이저 광을 조사한다. 그리고 소오스 및 드레인 전극이 형성될 영역(S30)에는 레이저 광이 조사되지 않는다. 이렇게, 노광된 제2 포토레지스트막(150)을 현상하여, 도 10b에 도시된 바와 같이, 제2 포토레지스트 패턴(151)이 형성된다.
계속해서, 도 10c에 도시된 바와 같이 제2 포토레지스트 패턴(151)이 형성된 기판을 제1 식각 공정을 통해 패턴 미형성 영역(S10)의 제2 도전층(60)을 식각하고, 제2 식각 공정을 통해 패턴 미형성 영역(S10)의 불순물 도핑된 비정질 실리콘층(50) 및 비정질 실리콘층(40)을 식각한다. 이 과정에서 제2 포토레지스트 패턴(151)의 일부가 제거되어 제3 포토레지스트 패턴(152)이 형성될 수 있다.
제3 포토레지스트 패턴(152)을 이용한 제3 식각 공정으로 채널 영역(S40)이 노출된 제2 도전층(60)을 식각한다. 이에 의해, 소오스 전극(65) 및 드레인 전극(66)이 형성된다. 이어서, 식각 공정을 통해 패턴 미형성 영역(S10)의 노출된 불순물 도핑된 비정질 실리콘층(50)이 식각되어 오믹 콘택층(55, 56)이 형성된다. 마지막으로, 산소 플라즈마 등을 이용한 애싱 공정으로 제3 포토레지스트 패턴(152)이 제거된다. 이에 의해, 도 10d에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 박막 트랜지스 터가 완성된다.
도 11을 참조하면, 패시베이션(passivation)막(82)과 콘택홀(86)이 형성된다. 패시베이션막(82)은 무기 또는 유기 절연 물질을 사용하여 CVD 또는 PECVD방법으로 형성된다. 한편, 콘택홀(86)은 상술한 디지털 노광 장치와 본 발명의 제1 실시예에 따른 포토레지스트 조성물에 의하여 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 드레인 전극(66)과 연결되는 화소 전극(92)이 형성된다.
화소 전극(92)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide)이나, 주석 산화물(Tin Oxide), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide) 등을 사용하여 스퍼터링은 방법으로 형성된다. 또한, 화소 전극(92) 포토레지스트막을 형성한 후, 디지털 노광 장치를 사용하여 노광하고, 현상 공정을 통해 형성된 포토레지스트 패턴을 통해 형성될 수 있다. 이때, 화소 전극(90)은 도 8과 같이 콘택홀(86)을 통해 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 의해 박막 트랜지스터 기판이 제조된다. 이때, 본 발명의 제1 실시예에 의한 포토레지스트 조성물과 디지털 노광 장치가 사용된다. 이에 의해, 마스크(mask)없이 박막 트랜지스터 기판을 제조할 수 있다. 특히 대면적의 기판을 사용하여 박막 트랜지스터 기판을 제조할 경우, 제조시 사용되는 마스크의 크기도 기판에 비례하여 커질 수 밖에 없는데, 본 발명에 의할 경우 마스크없이 박막 트랜지스터 기판을 제조할 수 있으므로, 마스크 제작에 필요한 비용을 절감할 수 있어, 박막 트랜지스터 기판의 제조비용을 감소시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1a 및 도 1b는 실시예 1에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
도 2a 및 도 2b는 실시예 2에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
도 3a 및 도 3b는 실시예 3에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
도 4a 및 도 4b는 비교예에 의한 포토레지스트 조성물로 형성된 포토레지스트 패턴을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의해 제조되는 박막 트랜지스터 기판의 레이 아웃이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에서 사용되는 마스크 리스(mask less) 디지털 노광 장치의 개략적인 구성도이다.
도 7은 도 6의 A부분을 확대한 것이다.
도 8은 도 5의 I-I’선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 제2 실시예에 따라 게이트 전극이 형성되는 단면도이다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 제2 실시예에 따라 반도체층, 소오스 및 드레인 전극이 형성되는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 콘택홀이 형성되는 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 절연 기판 22, 24: 게이트 라인, 게이트 전극
30: 게이트 절연막 44: 반도체 층
55, 56: 저항성 접촉층 62, 65, 66: 소오스 전극, 드레인 전극
72: 컬러 필터 82: 패시베이션 막
86: 콘택홀 92: 화소 전극
Claims (22)
- 노볼락 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지;디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제; 및용매를 포함하는 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.[화학식 1]
상기 화학식 1에서 R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다. - 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물은 5 내지 30 중량%의 상기 바인더 수지, 2 내지 10 중량 %의 상기 광 감응제 및 잔량의 상기 용매를 포함하는 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 노볼락 수지의 평균 분자량이 2,000 내지 20,000이고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 평균 분자량이 2,000 내지 20,000인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제 3 항에 있어서,상기 노볼락 수지와 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 80:20의 중량비인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제 3 항에 있어서,상기 노볼락 수지는 메타-크레졸 및 파라-크레졸을 포함하되, 상기 메타-크레졸과 상기 파라-크레졸의 혼합 비율은 30:70 내지 70:30인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제1 항에 있어서,상기 광 감응제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함하는 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.[화학식 2]
상기 화학식 2에서 R1 내지 R4는 2-디아조-1-나프톨-5-술포닐, 수소원자 또 는 알킬기이고, R5 내지 R8은 수소, 알킬기 또는 벤질기 이다. - 제 6 항에 있어서,상기 디아지드계 화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 70:30 중량비인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제 7 항에 있어서,상기 디아지드계 화합물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,4’ -테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중 적어도 하나인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제1 항에 있어서,상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), 에틸셀루솔부아세테이트(ECA), 2-메톡시에틸아세테이트, 감마부티로락톤(GBL), 메틸메톡시프로피오네이트(MMP), 에틸베타에톡시프로피오네이트(EEP), 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 노말프로필아세테이트(nPAC) 및 노말부틸아세테이트(nBA)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 제1 항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물은 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제, 속도 증진제 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 디지털 노광용 포토레지스트 조성물.
- 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 반도체 층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 각 단계 중 적어도 하나는 사진 식각 단계를 포함하며,상기 사진 식각 단계는 도전층 또는 비도전층을 형성하는 단계와,상기 층 상에 노볼락 수지와 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 바인더 수지, 디아지드계 화합물을 포함하는 광 감응제, 및 용매를 포함하는 조성물로 포토레지스트막을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 층을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.[화학식 1]
상기 화학식 1에서 R1 내지 R9는 수소원자, 알킬기, 또는 벤질기이고, a는 0 내지 10의 정수부이고, b는 0 내지 100의 정수부이며, c는 1내지 10의 정수부이다. - 제 11 항에 있어서,상기 노광은 디지털 노광 장치를 이용하여 수행되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 디지털 노광 장치는 마이크로 미러 소자와 레이저 빔 발진기를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물은 5 내지 30 중량%의 상기 바인더 수지, 2 내지 10 중량 %의 상기 광 감응제 및 잔량의 상기 용매를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 노볼락 수지의 평균 분자량이 2,000 내지 20,000이고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 평균 분자량이 2,000 내지 20,000인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 노볼락 수지와 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 80:20의 중량비인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 노볼락 수지는 메타-크레졸 및 파라-크레졸을 포함하되, 상기 메타-크레졸과 상기 파라-크레졸의 혼합 비율은 30:70 내지 70:30인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 광 감응제는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.[화학식 2]
상기 화학식 2에서 R1 내지 R4는 2-디아조-1-나프톨-5-술포닐, 수소원자 또는 알킬기이고, R5 내지 R8은 수소, 알킬기 또는 벤질기 이다. - 제 18 항에 있어서,상기 디아지드계 화합물과 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합 비율은 1:99 내지 70:30 중량비인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 디아지드계 화합물은 2,3,4-트리하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 및 2,3,4,4’ -테트라하이드록시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트 중 적어도 하나인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 용매는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA), 에틸 락테이트(EL), 에틸셀루솔부아세테이트(ECA), 2-메톡시에틸아세테이트, 감마부티로락톤(GBL), 메틸메톡시프로피오네이트(MMP), 에틸베타에톡시프로피오네이트(EEP), 프 로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 노말프로필아세테이트(nPAC) 및 노말부틸아세테이트(nBA)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 포토레지스트 조성물은 착색제, 염료, 찰흔 방지제, 가소제, 접착 촉진제, 속도 증진제 및 계면 활성제로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
Priority Applications (2)
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|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140106995A (ko) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20150003476A (ko) * | 2013-07-01 | 2015-01-09 | 주식회사 엘지화학 | 광활성 물질의 분리방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101632965B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2016-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| KR102041403B1 (ko) * | 2013-01-02 | 2019-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 |
| US20240045333A1 (en) * | 2021-01-07 | 2024-02-08 | Merck Patent Gmbh | Positive-working photoresist composition with improved pattern profile and depth of focus (dof) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910010261B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1991-12-24 | 제일합섬 주식회사 | 반도체용 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20040076209A (ko) * | 2003-02-24 | 2004-08-31 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의형성방법 |
| JP2006003422A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法及びｔｆｔアレイ基板並びに液晶表示素子 |
| KR100642026B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2006-11-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1543721A1 (de) * | 1966-07-27 | 1969-09-11 | Kalle Ag | Naphthochinondiazidsulfosaeureester und Verfahren zu seiner Herstellung und Verfahren zur Herstellung eines den Ester enthaltenden lagerfaehigen lichtempfindlichen Materials |
| US3639185A (en) * | 1969-06-30 | 1972-02-01 | Ibm | Novel etchant and process for etching thin metal films |
| US4587196A (en) * | 1981-06-22 | 1986-05-06 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide |
| US4529682A (en) * | 1981-06-22 | 1985-07-16 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins |
| US4588670A (en) * | 1985-02-28 | 1986-05-13 | American Hoechst Corporation | Light-sensitive trisester of O-quinone diazide containing composition for the preparation of a positive-acting photoresist |
| US4626492A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-02 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound |
| US4732837A (en) * | 1986-05-02 | 1988-03-22 | Hoechst Celanese Corporation | Novel mixed ester O-quinone photosensitizers |
| US5290656A (en) * | 1988-05-07 | 1994-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition, novel phenol compound and quinone diazide sulfonic acid ester of novel phenol compound |
| DE3822522A1 (de) * | 1988-07-04 | 1990-03-22 | Hoechst Ag | 1,2-naphthochinon-2-diazid-sulfonsaeureamide und lichtempfindliche gemische, die diese enthalten |
| US4957846A (en) | 1988-12-27 | 1990-09-18 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Radiation sensitive compound and mixtures with trinuclear novolak oligomer with o-naphthoquinone diazide sulfonyl group |
| US5232819A (en) * | 1989-09-07 | 1993-08-03 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in phenolic resin compositions and in radiation-sensitive resist compositions |
| US5196289A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-23 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected block phenolic oligomers and their use in radiation-sensitive resist compositions |
| US5275909A (en) * | 1992-06-01 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Positive-working radiation sensitive mixtures and articles containing alkali-soluble binder, o-quinonediazide photoactive compound and BLANKOPHOR FBW acting dye |
| JPH06301203A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP3349607B2 (ja) | 1994-12-09 | 2002-11-25 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US5541033A (en) * | 1995-02-01 | 1996-07-30 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected o-quinonediazide sulfonic acid esters of phenolic compounds and their use in radiation-sensitive compositions |
| EP0769485B1 (en) * | 1995-10-18 | 2002-03-13 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Positive resist composition and photosensitizers |
| JPH1060067A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-03-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトレジスト用ノボラック樹脂の製造方法およびポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP3105459B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2000-10-30 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いた多層レジスト材料 |
| US6177226B1 (en) * | 1997-05-01 | 2001-01-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Positive photoresist composition and process for forming contact hole |
| JPH10232491A (ja) * | 1997-02-18 | 1998-09-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジストの製造方法 |
| JP3965738B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2007-08-29 | 住友化学株式会社 | ポジ型フォトレジストの安定保存方法 |
| US5932389A (en) * | 1998-02-20 | 1999-08-03 | Shipley Company, L.L.C. | Controlled alternating and block copolymer resins |
| JP3688469B2 (ja) | 1998-06-04 | 2005-08-31 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
| JP4179579B2 (ja) * | 2000-05-08 | 2008-11-12 | 東洋合成工業株式会社 | １，２−ナフトキノンジアジド系感光剤の製造方法 |
| JP4665333B2 (ja) * | 2000-11-27 | 2011-04-06 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 |
| TW574620B (en) * | 2001-02-26 | 2004-02-01 | Toray Industries | Precursor composition of positive photosensitive resin and display device using it |
| JP4071611B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2008-04-02 | 東京応化工業株式会社 | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| KR100973799B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | Ｍｍｎ 헤드 코터용 포토레지스트 조성물 |
| JP4101670B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-06-18 | 東京応化工業株式会社 | Ｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| JP4112416B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2008-07-02 | 東京応化工業株式会社 | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
| JP4405293B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2010-01-27 | 東京応化工業株式会社 | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2004361501A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | システムｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物、該ポジ型ホトレジスト組成物の調製方法及びレジストパターン形成方法 |
| KR20050022494A (ko) * | 2003-09-02 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 스핀레스 코터용 액정표시소자의 포토레지스트 조성물과이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP3977307B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2007-09-19 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP4152852B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2008-09-17 | 東京応化工業株式会社 | 吐出ノズル式塗布法用ポジ型ホトレジスト組成物及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2005221515A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-08-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | システムｌｃｄ製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法 |
| KR101240643B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물, 상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
| JP2007142388A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
| KR20070108713A (ko) * | 2006-05-08 | 2007-11-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 조성물 |
| JP4903096B2 (ja) * | 2007-07-24 | 2012-03-21 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| KR20090109432A (ko) * | 2008-04-15 | 2009-10-20 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지, 상기 감광성 수지를 사용한 패턴의 형성 방법및 표시판의 제조 방법 |
| KR101632965B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2016-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
-
2008
- 2008-12-29 KR KR1020080135908A patent/KR101632965B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-11-18 US US12/620,988 patent/US8790859B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910010261B1 (ko) * | 1989-12-30 | 1991-12-24 | 제일합섬 주식회사 | 반도체용 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
| KR20040076209A (ko) * | 2003-02-24 | 2004-08-31 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의형성방법 |
| KR100642026B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2006-11-02 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 |
| JP2006003422A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | パターン形成方法及びｔｆｔアレイ基板並びに液晶表示素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140106995A (ko) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 그를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20150003476A (ko) * | 2013-07-01 | 2015-01-09 | 주식회사 엘지화학 | 광활성 물질의 분리방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US8790859B2 (en) | 2014-07-29 |
| US20100167476A1 (en) | 2010-07-01 |
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