KR20100075442A - 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

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마사노부 구츠미
마사시 구메
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덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
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Abstract

시트상 기재와 기재의 한쪽 면에 적층된 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 기재의 한쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 이상 3.5㎛ 이하이며, 기재의 다른쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하인 점착 시트를 제공한다. 이 구성에 의하면, 점착 시트를 구성하는 기재의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위내로 각각 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트의 투명성을 유지할 수 있다.

Description

점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법{PRESSURE SENSITIVE ADHESIVE SHEET AND PROCESS FOR MANUFACTURING ELECTRONIC PART}
본 발명은 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
근래 휴대 전화 등의 전자기기의 고성능화에 의해 연삭 기술의 중요성이 널리 인식되고 있다. 연삭 공정에서는 피가공물을 확실히 고정하고, 박리시에는 서브미크론 수준(submicron order)의 이물(異物)이 이행하지 않는 것과 같은 점착제가 요구되고 있다. 피가공물을 고정하는 방법의 하나로서 점착 시트를 이용하는 방법이 알려져 있다(특허 문헌 1~3 등 참조).
전자 부품을 제조할 때 실리콘 또는 갈륨-비소 등의 반도체 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성해서 이루어지는 전자 부품 집합체나, 평판상 절연 기판 등에 회로 패턴을 형성해서 이루어지는 전자 부품 집합체를 이용하는 경우가 많다. 또, 기능의 고성능화에 수반하여, 반도체 웨이퍼 상의 회로 패턴에는 Si, SiO2, Si3N4, AlSi, AlSiCu, PI 등 다종 다양한 재질이 사용되게 되었다.
[특허 문헌 1] 일본 특공 평06-018190호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특개 2000-008010호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 제3729584호 공보
그렇지만, 상기 문헌에 기재된 종래 기술은 이하의 점에서 개선의 여지를 가지고 있었다.
첫번째로, 전자 부품 집합체의 회로측을 점착 시트에 고정하여, 회로의 이면을 연삭하는 것을 특징으로 하는 백 그라인딩(back grinding)이 활발히 이용되고 있지만, 종래의 점착 시트를 이용한 백 그라인딩에서는 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 블로킹(blocking)이 생기기 쉽고, 또한 연삭(백 그라인딩) 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 경우도 있었다.
두번째로, 사용자에 따라서는 회로면에 보호 시트(점착 시트)를 첩합한 상태에서 테이프 너머로 회로면의 패턴이나 로트를 확인하는 공정이 있기 때문에 보호 시트(점착 시트)에도 투명성이 필요하게 되었다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 투명성을 갖는 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명의 다른 목적은 그 점착 시트를 이용한 전자 부품 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 시트상 기재와 기재의 한쪽 면에 적층된 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 기재의 한쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.1μm 이상 3.5㎛ 이하이며, 기재의 다른쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하인 점착 시트가 제공된다.
이 구성에 의하면, 점착 시트를 구성하는 기재의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위내로 각각 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트의 투명성을 유지할 수 있다.
또, 본 발명에 의하면, 웨이퍼를 연삭하여 얻어지는 전자 부품의 제조 방법으로서, 상기 점착 시트의 점착제층 표면에 웨이퍼를 첩합하는 공정과 점착 시트에 장합된 상태로 웨이퍼의 노출면을 평활하게 연삭하는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법이 제공된다.
이 방법에 의하면, 점착 시트를 구성하는 기재의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위내로 각각 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트의 투명성을 유지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트의 투명성을 유지할 수 있다.
[도 1] 점착 시트를 이용한 웨이퍼의 백 그라인딩에 대해 설명하기 위한 공정 단면도이다.
[도 2] 점착 시트의 감을 때 및 풀어낼 때의 블로킹에 대해 설명하기 위한 공정 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서 동일한 구성요소에는 같은 부호를 부여하고 적절히 설명을 생략한다.
<용어의 설명>
본 명세서에 있어서, 단량체 단위란 단량체에서 유래하는 구조 단위를 의미한다. 본 발명에서의 부 및 %는 특별히 규정하지 않는 한 중량 기준으로 나타낸다.
<실시 형태의 개요>
도 1은 점착 시트를 이용한 웨이퍼의 백 그라인딩에 대해 설명하기 위한 공정 단면도이다. 본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 도 1 (a)에 나타내는 바와 같이 시트상 기재 (106)와 기재 (106)의 한쪽 면에 적층된 점착제층 (103)을 갖는다.
이 점착 시트 (110)에서는 점착 시트 (110)를 구성하는 기재 (106)의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위내로 각각 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트 (110)의 투명성을 유지할 수 있다.
<기재>
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 시트상 기재 (106)의 한쪽 면(점착제가 도포되는 측의 면)에서의 평균 표면 거칠기(Ra1)는 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 특히 1.0㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이 평균 표면 거칠기(Ra1)가 이들 하한 이상이면, 점착 시트 (110)를 구성하는 기재 (106) 만을 감을 때에 기재 (106) 끼리의 블로킹의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 이 평균 표면 거칠기(Ra1)는 3.5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 3.0㎛ 이하이면 바람직하다. 이 평균 표면 거칠기(Ra1)가 이들 상한 이하이면, 투명성을 유지할 수 있고, 또한 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 시트상 기재 (106)의 다른쪽 면(점착제가 도포되지 않는 측의 면)에서의 평균 표면 거칠기(Ra2)는 특별히 한정되는 것은 아니지만 블로킹을 일으키지 않는 범위에서 사용되고, 구체적으로는 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 특히 0.1㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이 평균 표면 거칠기(Ra2)가 이들 하한 이상이면, 점착 시트 (110)를 구성하는 기재 (106)만을 감을 때에 기재 (106) 끼리의 블로킹의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 이 평균 표면 거칠기(Ra2)는 0.7㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 0.4㎛ 이하이면 바람직하다. 이 평균 표면 거칠기(Ra1)가 이들 상한 이하이면, 투명성을 유지할 수 있고, 또한 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 시트상 기재 (106)로는 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트) 기재를 이용함으로써 경도를 조절하기 쉬워진다. 즉, 시트상 기재 (106) 중 적어도 일부가 에틸렌 비닐 아세테이트를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 반도체 웨이퍼 (101)를 연삭할 때에 사용될 때 너무 부드러우면 연삭 헤드(도시하지 않음)의 충격에 의해 반도체 웨이퍼 (101)에 상하 움직임을 주어 버려, 균일한 두께로 연삭할 수 없게 된다. 또, 시트상 기재 (106)를 복수층으로 형성하는 경우, 복수층 중 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트)를 함유하는 층을 적어도 1층 갖는 것이 좋다. 이 경우에도, 복수층 중 적어도 한 층이 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트)를 함유하는 층임으로써, 동일하게 경도를 조절하기 쉬워지기 때문이다.
이 때 이 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트) 중의 아세트산 비닐 함유량은 유연성의 조정을 위해 3 중량% 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 중량% 이상이다. 아세트산 비닐 함유량이 이들 하한 이상인 경우, 연삭시에 가해지는 응력을 흡수하는 것이 가능하기 때문에 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 이 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트) 중의 아세트산 비닐 함유량은 유연성의 조정을 위해 20 중량% 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15 중량% 이하이다. 아세트산 비닐 함유량이 이들 상한 이하인 경우, 반도체 웨이퍼 (101)의 연삭 정밀도를 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 시트상 기재 (106)로는 EVA(에틸렌 비닐 아세테이트)만을 이용해야만 하는 것은 아니고, 나아가 복수의 재질을 사용해도 된다. 이와 같이 복수의 재질을 사용하는 방법으로는 혼합물, 공중합체, 적층 필름 등을 사용하는 방법을 들 수 있다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 시트상 기재 (106)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 점착 시트 (110)의 강도의 확보 및 유연성 유지의 면에서는 10㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하다.
<점착제층>
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 점착제층 (103)에 이용하는 점착제는 점착력을 설계하기 쉬운 아크릴 중합체가 바람직하고, 경화제를 함유함으로써 점착력을 보다 정밀하게 조정할 수 있다. 그리고, 아크릴 중합체를 구성하는 아크릴 모노머의 적어도 하나는 관능기 함유 단량체를 포함하는 것이 바람직하다. 이 관능기 함유 단량체는 아크릴 중합체 중에 0.01 중량% 이상 10 중량% 이하 배합되어 중합되어 있는 것이 바람직하다. 이 관능기 함유 단량체의 배합비가 0.01 중량% 이상이면, 피착체에 대한 점착력이 충분히 강해 수분 침투의 발생이 억제되는 경향이 있고, 이 관능기 함유 단량체의 배합비가 10 중량% 이하이면, 피착체에 대한 점착력이 너무 높아지지 않기 때문에 접착제 잔사(adhesive residues)가 발생하는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
이 아크릴 중합체의 주 단량체로는 예를 들면, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸 헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 미리스틸 (메타)아크릴레이트, 세틸 (메타)아크릴레이트, 스테아릴 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴 단량체를 들 수 있다.
이 아크릴 단량체로는 특히 적어도 일부에 관능기를 함유하는 단량체를 갖는 것이 바람직하다. 이 관능기를 함유하는 단량체로는 히드록실기, 카르복실기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기, 메티롤기, 설폰산기, 설파민산기, (아)인산 에스테르기를 갖는 단량체가 바람직하다. 그리고, 이들 중에서도 특히 이들 관능기를 갖는 비닐 화합물이어도 되고, 바람직하게는 히드록실기를 갖는 비닐 화합물이 좋다. 또한, 여기서 말하는 비닐 화합물에는 후술하는 아크릴레이트가 포함되는 것으로 한다.
히드록실기를 갖는 관능기 함유 단량체로는 예를 들면 2-히드록시 에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시 프로필 (메타)아크릴레이트, 및 2-히드록시 부틸 (메타)아크릴레이트가 있다.
또한, 본 실시 형태의 점착제층 (103)에서는 상기 아크릴 중합체 및 경화제를 반응시켜 점착제층 (103)을 경화시킨 후에 있어서, 그 아크릴 중합체를 구성하는 카르복실기를 포함하는 단량체가 그 아크릴 중합체 중 1 중량% 이하인 것이 바람직하다. 즉, 다른 표현에 의하면, 점착제를 경화제로 반응시킨 관능기 함유 단량체 중 카르복실기를 포함하는 관능기 함유 단량체는 1 중량% 이하가 바람직하다. 카르복실기를 함유한 관능기 함유 단량체를 이용함으로써 금속에 대한 점착력이 증가하므로, 경화제와 반응시킨 후의 카르복실기를 함유한 관능기 함유 단량체는 1 중량%를 초과하면 금속에 대한 점착력이 높아 접착제 잔사가 발생하는 경향이 있어, 1 중량% 이하인 편이 바람직하다. 그 때문에 카르복실기를 갖는 단량체로는 경화제와의 반응에 의해서 소멸하기 쉬운 것이 바람직하고, 예를 들면 (메타)아크릴산, 크로톤산, 말레산, 무수 말레산, 이타콘산, 푸마르산, 아크릴 아미드 N-글리콜산 및 신남산이 바람직하게 이용된다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 점착제층 (103)에 이용하는 점착제에는 경화제를 배합하는 것이 바람직하다. 경화제를 배합하는 경우, 아크릴 중합체 100 중량부에 대해 경화제의 배합비는 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하인 것이 바람직하다. 이 경화제의 배합비가 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하이면, 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.
점착제층 (103)에 배합하는 경화제로는 다관능 이소시아네이트 경화제, 다관능 에폭시 경화제, 아지린 화합물, 멜라민 화합물 등이 있고, 바람직하게는 다관능 이소시아네이트 경화제, 다관능 에폭시 경화제가 바람직하다. 상기 경화제 중 적어도 일부로서 다관능 에폭시 경화제 또는 다관능 이소시아네이트 경화제를 사용함으로써 선택적으로 카르복실기를 갖는 관능기 함유 단량체를 반응시켜 소멸시키는 것이 가능하고, 경화 후의 카르복실기를 갖는 관능기 함유 단량체량을 조절하는 것이 가능하다.
다관능 이소시아네이트 경화제로는 예를 들면 방향족 폴리이소시아네이트 경화제, 지방족 폴리이소시아네이트 경화제, 지환족 폴리이소시아네이트 경화제가 있다. 또, 바람직하게는 지방족 폴리이소시아네이트 경화제, 특히 그 중에 키사메틸렌디이소시아네이트(xamethylene diisocyanate) 경화제가 좋다. 이 이소시아네이트 경화제가 바람직한 것은 점착제에 유연성을 부여할 수 있어, 요철이 있는 피착체에도 유효하기 때문이다.
방향족 폴리이소시아네이트는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 1, 3-페닐렌 디이소시아네이트, 4, 4'-디페닐 디이소시아네이트, 1, 4-페닐렌 디이소시아네이트, 4, 4'-디페닐메탄 디이소시아네이트, 2, 4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2, 6-톨릴렌 디이소시아네이트, 4, 4'-톨루이딘 디이소시아네이트, 2, 4, 6-트리이소시아네이트톨루엔, 1, 3, 5-트리이소시아네이트 벤젠, 디아니시딘 디이소시아네이트, 4, 4'-디페닐에테르 디이소시아네이트, 4, 4', 4"-트리페닐메탄 트리이소시아네이트, ω, ω'-디이소시아네이트-1, 3-디메틸 벤젠, ω, ω'-디이소시아네이트-1, 4-디메틸 벤젠, ω, ω'-디이소시아네이트-1, 4-디에틸 벤젠, 1, 4-테트라메틸 크실릴렌 디이소시아네이트, 및 1, 3-테트라메틸 크실릴렌 디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지방족 폴리이소시아네이트는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 트리메틸렌 디이소시아네이트, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 펜타메틸렌 디이소시아네이트, 1, 2-프로필렌 디이소시아네이트, 2, 3-부틸렌 디이소시아네이트, 1, 3-부틸렌 디이소시아네이트, 도데카메틸렌 디이소시아네이트, 및 2, 4, 4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트 등을 들 수 있다.
지환족 폴리이소시아네이트는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 3-이소시아네이트 메틸-3, 5, 5-트리메틸 시클로헥실 이소시아네이트, 1, 3-시클로펜탄 디이소시아네이트, 1, 3-시클로헥산 디이소시아네이트, 1, 4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2, 4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2, 6-시클로헥산 디이소시아네이트, 4, 4'-메틸렌비스(시클로헥실 이소시아네이트), 1, 4-비스(이소시아네이트 메틸) 시클로헥산, 및 1, 4-비스(이소시아네이트 메틸) 시클로헥산이 있다.
다관능 에폭시 경화제는 주로 에폭시기를 2개 이상, 제3급 질소 원자를 1개 이상 갖는 화합물을 말하고, NㆍN-글리시딜아닐린, NㆍN-글리시딜톨루이딘, m-NㆍN-글리시딜아미노페닐글리시딜에테르, p-NㆍN-글리시딜아미노페닐글리시딜에테르, 트리글리시딜이소시아누레이트, NㆍNㆍN'ㆍN'-테트라글리시딜디아미노디페닐메탄, NㆍNㆍN'ㆍN'-테트라글리시딜-m-크실릴렌 디아민, NㆍNㆍN'ㆍN'ㆍN"-펜타글리시딜디에틸렌트리아민 등을 들 수 있다.
<점착 시트>
본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 기재 (106) 상에 점착제층 (103)을 형성하여 제조한다. 기재 (106) 상에 점착제층 (103)을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 일반적인 콤마 도공, 립 도공, 그라비어 도공, 롤 도공, 스크린 도공 등의 도공 방식을 이용할 수 있다. 점착제층 (103)은 직접 기재 (106) 상에 형성해도 되고, 표면에 박리 처리를 실시한 박리지 등에 점착제층 (103)을 형성한 후 기재 필름(기재 (106))에 전사해도 된다.
본 실시 형태의 점착제층 (103)의 두께는 3㎛ 이상이 바람직하고, 5㎛ 이상이 보다 바람직하다. 이 두께가 이들 하한 이상이면, 반도체 웨이퍼 (101) 상의 회로면의 요철을 흡수할 수 있기 때문에 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 딤플(dimple)이나 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 이 점착제층 (103)의 두께는 1000㎛ 이하가 바람직하고, 100㎛ 이하가 보다 바람직하다. 이 두께가 이들 상한 이하이면, 비용을 억제할 수 있기 때문이다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)의 보존 방법은 특별히 한정되지 않지만, 점착제층 (103)의 점착면에 폴리에틸렌 라미네이트지, 박리 처리 플라스틱 필름 등의 박리 시트나 박리지를 밀착시키는 방법을 들 수 있다.
<전자 부품의 제조 방법>
본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 반도체 웨이퍼 이면 연삭용이다. 즉, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 반도체 전자 부품 집합체 고정용 백 그라인딩에 매우 적합하게 이용된다. 점착 시트 (110)의 피가공물은 특별히 한정되지 않지만, 통칭 워크(work)로 불리는 전자 부품 집합체가 피가공물로서 매우 적합하게 이용된다. 백 그라인딩에 사용하는 경우에는 전자 부품 집합체 상에 형성된 회로면을 점착 시트 (110)에 첩부하여 사용한다.
전자 부품 집합체로는 절연물 회로 기판(또는 반도체 웨이퍼 (101)) 등에 회로 패턴을 제작한 것을 들 수 있다. 회로면을 구성하는 재질로는 Si, SiO2, Si3N4, AlSi, AlSiCu, PI 등을 들 수 있다. 반도체 웨이퍼로는 실리콘 웨이퍼나 갈륨-비소 등을 들 수 있다. 이러한 전자 부품 집합체 가운데 반도체 웨이퍼 (101)가 매우 적합하게 사용된다.
<백 그라인딩>
백 그라인딩의 방식으로는 점착 시트 (110)를 전자 부품 집합체의 회로 측에 고정하여, 회로의 이면을 연삭하는 것 이외에는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 도 1에 나타내는 다음의 순서로 매우 적합하게 실시할 수 있다.
(1) 제1 공정에서는 전자 부품 집합체의 회로면이 점착 시트 (110)의 점착제층 (103)에 접하도록 기계 가공 척(chuck) 테이블 상에 재치하여 흡착, 고정한다.
(2) 제2 공정에서는 점착 시트 (110)를 회로면에 첩합한 전자 부품 집합체의 외주부를 따라서 점착 시트 (110)를 커팅한다.
(3) 제3 공정에서는 전자 부품 집합체를 원하는 두께까지 연삭한다.
(4) 제4 공정에서는 척 테이블의 흡착을 해제하고, 점착 시트 (110)에 고정된 전자 부품 집합체를 기계 가공 테이블에서 떼어낸다.
(5) 제5 공정에서는 점착 시트 (110)와 전자 부품 집합체를 박리하여, 전자 부품 집합체를 회수한다.
점착 시트 (110)와 전자 부품 집합체를 박리하여, 전자 부품 집합체를 회수하는 방법으로는 예를 들면 도 1에 나타내는 하기의 방법을 들 수 있다.
(1) 제1 공정에서는 전자 부품 집합체의 연삭면측을 척 테이블 (102)에 흡착하여 고정한다.
(2) 제2의 공정에서는 점착 시트 (110) 측에 통칭 「박리 테이프」라고 불리는 박리용 점착 필름 (104)을 첩부한다.
(3) 제3 공정에서는 박리용 점착 필름 (104)을 박리한다. 점착 시트 (110)는 박리용 점착 필름 (104)에 부착하여, 전자 부품 집합체로부터 박리된다.
(4) 제4 공정에서는 척 테이블 (102)의 흡착을 해제하여, 전자 부품 집합체를 회수한다.
이 방법은 전자 부품 집합체의 절연 회로 기판(또는 반도체 웨이퍼 (101))의 두께가 약 100㎛ 이상일 때에 매우 적합하게 이용된다. 전자 부품 집합체는 다이싱하여 전자 부품(칩)으로 한다.
전자 부품 집합체(또는 반도체 웨이퍼 (101))가 파손되기 쉬운 경우, 예를 들면 도 1에 나타내는 공정의 변형예인 하기의 방법으로 점착 시트 (110)와 전자 부품 집합체(또는 반도체 웨이퍼 (101))를 박리하여, 전자 부품 집합체(또는 반도체 웨이퍼 (101))를 회수한다.
(1) 제1 공정에서는 기계 가공 척 테이블(도시하지 않음)에 재치된 다이싱 테이프 상에 전자 부품 집합체(또는 반도체 웨이퍼 (101))의 연삭면을 고정한다.
(2) 제2 공정에서는 점착 시트 (110) 측에 통칭 「박리 테이프」라고 불리는 박리용 점착 필름 (104)을 첩부한다.
(3) 제3 공정에서는 박리용 점착 필름 (104)을 박리한다. 점착 시트 (110)는 박리용 점착 필름 (104)에 부착하여, 전자 부품 집합체(또는 반도체 웨이퍼 (101))로부터 박리된다.
이 방법은 전자 부품 집합체의 절연 회로 기판(또는 반도체 웨이퍼 (101))이 얇아 파손되기 쉬울 때에 매우 적합하게 이용된다. 전자 부품 집합체는 다이싱하여 전자 부품으로 한다.
<작용 효과>
이하, 본 실시 형태의 작용 효과에 대해서 설명한다.
본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 시트상 기재 (106)와 기재 (106)의 한쪽 면에 적층된 점착제층 (103)을 갖는다. 그리고, 이 점착 시트 (110)에서는 기재 (106)의 한쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 이상 3.5㎛ 이하이며, 기재 (106)의 다른쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하이기 때문에 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 것도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트 (110)의 투명성을 유지할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 기재 (106) 중 적어도 일부가 에틸렌 비닐 아세테이트를 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 기재 (106)의 경도를 조절하기 쉬워지기 때문에 연삭 헤드(도시하지 않음)의 충격에 의한 반도체 웨이퍼 (101)의 상하 움직임을 억제할 수 있어, 반도체 웨이퍼 (101)를 균일한 두께로 연삭하기 쉬워진다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 기재 (106)가 복수층으로 형성되어 있고, 복수층 중 적어도 한층이 에틸렌 비닐 아세테이트를 함유해도 된다. 이 경우에도, 상기의 경우와 동일하게 기재 (106)의 경도를 조절하기 쉬워지기 때문에 연삭 헤드(도시하지 않음)의 충격에 의한 반도체 웨이퍼 (101)의 상하 움직임을 억제할 수 있어, 반도체 웨이퍼 (101)를 균일한 두께로 연삭하기 쉬워진다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 에틸렌 비닐 아세테이트 중의 아세트산 비닐 함유량이 3 중량% 이상 20 중량% 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는 연삭시에 점착 시트 (110)에 가해지는 응력을 흡수하는 것이 가능하기 때문에 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101)에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 이 경우에는 점착 시트 (110)의 유연성을 조정할 수 있기 때문에 반도체 웨이퍼 (101)의 연삭 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 점착제층 (103)이 아크릴 중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 점착제층 (103)의 점착력을 설계하기 쉽기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 아크릴 중합체를 구성하는 아크릴 모노머의 적어도 하나가 히드록실기를 갖는 단량체인 것이 바람직하다. 이 경우에는 점착제층 (103)의 피착체에 대한 점착력이 강해지므로 수분 침투의 발생이 억제되기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 히드록실기를 갖는 단량체가 아크릴 중합체 중 0.01 중량% 이상 10 중량% 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는 점착제층 (103)의 피착체에 대한 점착력이 충분히 강해지므로 수분 침투의 발생이 억제되는 것에 더불어, 점착제층 (103)의 피착체에 대한 점착력이 너무 높아지지 않기 때문에 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 점착제층 (103)이 경화제를 추가로 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 점착제층 (103)의 피착체에 대한 점착력이 너무 높아지지 않기 때문에 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 점착제층 (103)이 아크릴 중합체 100 중량부에 대해서, 경화제 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하를 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 점착제층 (103)의 피착체에 대한 점착력이 적절한 범위로 조정되기 때문에 접착제 잔사가 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 아크릴 중합체 및 경화제를 반응시켜 점착제층 (103)을 경화시킨 후에 있어서, 아크릴 중합체를 구성하는 카르복실기를 포함하는 단량체가 아크릴 중합체 중 1 중량% 이하인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 점착제층 (103)의 금속에 대한 점착력이 너무 높아지지 않기 때문에 접착제 잔사의 발생을 억제할 수 있기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 경화제 중 적어도 일부가 다관능 이소시아네이트 경화제인 것이 바람직하다. 다관능 이소시아네이트 경화제를 채용한 이유는 이 경화제가 히드록실기 및 카르복실기를 갖는 단량체와 반응함으로써 이들을 소멸시킬 수 있기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 다관능 이소시아네이트 경화제가 헥사메틸렌 디이소시아네이트 경화제인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 이 헥사메틸렌 디이소시아네이트 경화제는 점착제에 유연성을 부여할 수 있어 요철이 있는 피착체에도 유효하다. 또, 히드록실기 및 카르복실기를 반응시켜 소멸시키는 것이 가능하고, 특히 선택적으로 히드록실기를 갖는 단량체와 반응시켜, 관능기 함유 단량체량을 조절하는 것이 가능하다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)에서는 상기 경화제 중 적어도 일부가 다관능 에폭시 경화제여도 된다. 다관능 에폭시 경화제를 배합함으로써 히드록실기 및 카르복실기의 양쪽에 반응시켜 소멸시키는 것이 가능하다. 특히 다관능 에폭시 경화제는 선택적으로 카르복실기를 갖는 단량체와 반응하므로, 이 카르복실기를 선택적으로 소멸시키는 것이 가능하다. 경화 후의 카르복실기를 갖는 단량체량을 조절하는 것이 가능하다.
또, 본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 반도체 웨이퍼 이면 연삭(백 그라인딩)용인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상술한대로 본 실시 형태의 점착 시트 (110)는 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 반도체 웨이퍼 이면 연삭(백 그라인딩) 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트 (110)의 투명성을 유지할 수 있기 때문이다.
또, 본 실시 형태의 전자 부품의 제조 방법은 반도체 웨이퍼 (101)를 연삭하여 얻어지는 전자 부품의 제조 방법으로서, 상기 점착 시트 (110)의 점착제층 (103) 표면에 반도체 웨이퍼 (101)를 첩합하는 공정과, 점착 시트 (110)에 접착된 상태에서 반도체 웨이퍼 (101)의 노출면을 평활하게 연삭하는 공정을 포함한다.
이 방법에서 이용하는 점착 시트 (110)에서는 상술한 바와 같이 기재 (106)의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정의 범위 내로 조정되고 있다. 그 때문에 이 방법에 의하면 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트 (110)의 투명성을 유지할 수 있다.
본 실시 형태의 전자 부품의 제조 방법은 상기 연삭 후에 반도체 웨이퍼 (101) 및 점착제층 (103)을 박리하는 공정을 추가로 포함해도 된다. 이 방법에서 이용하는 점착 시트 (110)에서는 기재 (106)의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위 내로 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 반도체 웨이퍼 (101) 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트 (110)의 투명성을 유지할 수 있다.
또, 이러한 방법에 의하면, 감은 점착 시트 (110)를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 방지할 수 있어 회로를 형성하는 여러 가지의 재질로 이루어진 반도체 웨이퍼 (101)에 대해서 연삭성을 향상할 수 있는 것에 더해, 나아가 서브미크론 수준에서의 오염성을 방지하는 효과를 나타낸다. 즉, 종래의 점착 시트를 이용한 백 그라인딩에서는 다종 다양한 재질로 이루어진 반도체 웨이퍼 (101)에 대해 서브미크론 수준에서의 접착제 잔사가 발생하는 경우가 있었지만, 이러한 방법에 의하면 그러한 문제가 해결되게 된다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 기술했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 여러가지 구성을 채용할 수도 있다.
예를 들면, 상기 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼 (101)의 종류를 특별히 한정하지 않았지만, 어떠한 종류의 웨이퍼(예를 들면 실리콘 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼 등)를 이용해도 된다. 어떠한 종류의 웨이퍼라도, 그 웨이퍼를 백 그라인딩하기 위해서 적합한 연삭 헤드(도시하지 않음)는 존재하기 때문에 그 연삭 헤드(도시하지 않음)를 이용하여 상기 실시 형태와 같은 전자 부품의 제조 방법을 실행 가능하고, 그 경우에도 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 추가로 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
실시예 1에 관련되는 점착 시트의 제조 처방을 나타낸다.
(기재)
에틸렌 비닐 아세테이트 기재: 아세트산 비닐 함유량이 8%의 에틸렌 비닐 아세테이트를 주체로 한 시판하는 펠렛(토소사제, 상품명: 우르트라센 520F)을 용융 하여, T 다이 공압출법에 의해 성형하여 필름으로 하였다. 성형시의 엠보싱 롤러를 제어함으로써 기재 한쪽 면의 평균 표면 거칠기(Ra1)가 2.0㎛, 또 한쪽의 기재측의 평균 표면 거칠기(Ra2)가 0.3㎛가 되도록 설정하였다. 또, 필름의 두께를 120㎛로 하였다.
(점착제)
부틸 아크릴레이트 80%, 메틸 (메타)아크릴레이트 19%, 2-히드록시 에틸 아크릴레이트 1%(관능기 함유 단량체)를 공중합하여 얻어지는 공중합체로 이루어진 합성품을 얻었다. 또한, 얻어진 합성품의 유리 전이점은 -53.3℃이었다.
또, 상기 합성품에 추가로 다관능 이소시아네이트 경화제: 헥사메틸렌 디이소시아네이트(일본 폴리우레탄 공업사제, 제품명: 콜로네이트 HL의 시판품)을 적절히 더해 점착제를 작성하였다.
그리고, 점착제를 PET 세퍼레이터 필름 상에 도포하여, 건조 후의 점착제층의 두께가 20㎛가 되도록 도공하고, 120㎛의 두께의 기재 필름에 적층하여 점착 시트를 얻었다.
<실시예 2~4, 비교예 1~2>
실시예 2~4 및 비교예 1~2는 점착제와는 반대측의 기재의 평균 표면 거칠기(Ra2)를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하였다.
<실시예 5~8, 비교예 3~4>
실시예 5~8 및 비교예 3~4는 점착제가 도포되는 측의 기재의 평균 표면 거칠기(Ra1)를 표 1에 나타내는 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하였다.
<평가방법>
(1) 연삭성: 도 1에 나타내는 바와 같이 5 인치 미러 웨이퍼(반도체 웨이퍼 (101))에 점착 시트 (110)를 첩부하여(도 1 (a)), 두께 300㎛ 까지 연삭하고(도 1(b)), 미러 웨이퍼(반도체 웨이퍼 (101))의 연삭면을 진공 척 테이블 (102)에 고정하여(도 1(c)), 박리용 필름 (104)으로 점착 시트 (110)를 박리하였다(도 1(d)). 연삭한 실리콘 웨이퍼(반도체 웨이퍼 (101))를 평탄도 측정기(Flatness Tester; ADE-9500)를 이용하여 측정하였다. 면내의 요철의 차이가 5㎛ 이하였을 경우를 ○, 5㎛ 이상이었을 경우를 ×로 하였다. 평가 결과를 하기의 표 1에 나타낸다.
마운터: 주식회사 타카토리제 마운터 ATM-1100
연삭기: 주식회사 디스코제 백 그라인더 DFG-850
(2) 블로킹: 도 2에 나타내는 바와 같이 점착 테이프 (110)를 제조 후(도 2(a)), 박리 라이너 (105)와 첩합을 실시하고(도 2(b)), 롤상으로 감았다(도 2(c)). 그 후 풀어낼 때(도 2(c)~도 2(d)의 도중 경과(도시하지 않음))에 블로킹하지 않았던 것을 ◎, 블로킹하고 있지만 사용 가능한 것을 ○, 블로킹하여 사용할 수 없는 것을 ×로 하였다. 평가 결과를 하기의 표 1에 나타낸다.
(3) 투명성: 점착 시트의 투명성을 스가 시험기 주식회사제 헤이즈 미터(HZ-2)로 측정하여, 헤이즈(HAZE)가 0~20%인 것을 ◎, 20~40%인 것을 ○, 40~100%인 것을 ×로 하였다. 평가 결과를 하기의 표 1에 나타낸다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 실시예 8 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
표면 평균 거칠기
Ra1 [㎛]		 2.0 2.0 2.0 2.0 0.2 1.0 3.0 3.3 2.0 2.0 0.08 4.0
표면 평균 거칠기
Ra2 [㎛]		 0.3 0.08 0.5 0.6 0.3 0.3 0.3 0.3 0.03 0.8 0.3 0.3
HAZE [%] ◎ ◎ ○ ○ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ × ◎ ×
연삭성 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
블로킹 [-] ○ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ × ◎ × ◎
<실험의 고찰>
표에 나타낸 실험 결과로부터 알 수 있듯이, 이 점착 시트에 의하면, 점착 시트를 구성하는 기재의 양면의 평균 표면 거칠기가 특정 범위내로 각각 조정되고 있기 때문에 감은 점착 시트를 풀어낼 때에 생기는 블로킹을 억제할 수 있어, 연삭 후의 웨이퍼 표면에 미소한 요철(물결침)이 발생하는 일도 억제할 수 있는 것에 더해, 나아가 점착 시트의 투명성을 유지할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시예에 근거하여 설명하였다. 이 실시예는 어디까지나 예시이며, 여러 가지의 변형예가 가능한 것, 또 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자에게 이해되는 것이다.
상기 점착 테이프는 기재를 감을 때의 블로킹, 또한 테이프화했을 때의 블로킹을 억제하고, 투명성을 갖는다. 또, 상기 점착 테이프는 회로를 형성하는 여러 가지의 재질에 대해 연삭성, 서브미크론 수준에서의 오염성을 방지하는 효과를 나타낸다.
101 실리콘 웨이퍼
102 진공 척(chuck) 테이블
103 점착제층
104 박리용 필름
105 박리 라이너
106 기재 필름
108 감긴 박리 라이너 부착 점착 시트
110 점착 시트

Claims (16)

  1. 시트상 기재와 상기 기재의 한쪽 면에 적층된 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 기재의 상기 한쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.1㎛ 이상 3.5㎛ 이하이며, 상기 기재의 다른쪽 면에서의 평균 표면 거칠기가 0.05㎛ 이상 0.7㎛ 이하인 점착 시트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기재의 적어도 일부가 에틸렌 비닐 아세테이트를 함유하는 점착 시트.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 기재가 복수층으로 형성되어 있고, 상기 복수층 중 적어도 한 층이 에틸렌 비닐 아세테이트를 함유하는 점착 시트.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 에틸렌 비닐 아세테이트 중 아세트산 비닐 함유량이 3 중량% 이상 20 중량% 이하인 점착 시트.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 점착제층이 아크릴 중합체를 함유하는 점착 시트.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 아크릴 중합체를 구성하는 아크릴 모노머의 적어도 하나가 히드록실기를 갖는 단량체인 점착 시트.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 히드록실기를 갖는 단량체가 상기 아크릴 중합체 중 0.01 중량% 이상 10 중량% 이하인 점착 시트.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 점착제층이 경화제를 추가로 함유하는 점착 시트.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 점착제층이 상기 아크릴 중합체 100 중량부에 대해서 상기 경화제 0.1 중량부 이상 20 중량부 이하를 함유하는 점착 시트.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 경화제의 적어도 일부가 다관능 이소시아네이트 경화제인 점착 시트.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 다관능 이소시아네이트 경화제가 헥사메틸렌 디이소시아네이트 경화제인 점착 시트.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 경화제의 적어도 일부가 다관능 에폭시 경화제인 점착 시트.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 아크릴 중합체 및 상기 경화제를 반응시켜 상기 점착제층을 경화시킨 후에 있어서, 상기 아크릴 중합체를 구성하는 카르복실기를 포함하는 단량체가 상기 아크릴 중합체 중 1 중량% 이하인 점착 시트.
  14. 청구항 1에 있어서,
    반도체 웨이퍼 이면 연삭용인 점착 시트.
  15. 웨이퍼를 연삭하여 얻어지는 전자 부품의 제조 방법으로서, 청구항 1에 기재된 점착 시트의 상기 점착제층 표면에 상기 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 상기 점착 시트에 접착된 상태로 상기 웨이퍼의 노출면을 평활하게 연삭하는 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 연삭 후에 상기 웨이퍼 및 상기 점착제층을 박리하는 공정을 추가로 포함하는 전자 부품의 제조 방법.
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