KR20100058346A - 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비 - Google Patents

동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비를 공개한다. 이 장비는 플라즈마 식각 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 제1 전극 및 적어도 하나의 제2 전극들, 상기 제1 전극에 제1 주파수 및 제1 듀티비를 가지는 제1 RF 파워를 인가하고, 상기 제1 RF 파워의 위상에 대한 정보를 포함하는 제어 신호를 출력하는 제1 RF 파워 출력부, 및 상기 제2 전극들 중 대응하는 제2 전극에 제2 주파수 및 제2 듀티비를 가지는 제2 RF 파워를 인가하는 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들을 구비하고, 상기 제2 RF 파워 출력부는 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제2 RF 파워가 상기 제1 RF 파워와 동기되거나 설정된 위상차를 가지도록 제어하고, 상기 제1 주파수, 제1 듀티비, 제2 주파수 및 제2 듀티비는 서로 독립적으로 결정되는 것을 특징으로 한다.

Description

동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비{Synchronous pulse plasma etching equipment}
본 발명은 펄스 플라즈마 에칭 장비에 관한 것으로, 특히 복수개의 펄스 변조(pulse modulation)된 RF가 서로 동기되어 펄스 플라즈마 에칭 장비로 인가되는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비에 관한 것이다.
반도체 공정에 있어서 에칭(혹은 식각)공정은 웨이퍼 위에 형성된 감광막 패턴에 따라 하부막을 제거하는 공정을 말하는 것으로 건식과 습식 두 가지 방법이 있다. 최근에는 미세 반도체 패턴을 형성하기 위하여 플라즈마를 이용한 건식 에칭방법이 주로 사용되고 있다. 플라즈마 에칭은 공정챔버 내부에 반응가스를 주입하고, 플라즈마를 생성한 후 이온화된 입자들을 웨이퍼 표면에 충돌시킴으로써, 물리적 혹은 화학적 반응에 의해 물질을 제거하는 방법이다.
플라즈마는 에너지원으로서 RF 전력을 인가함으로써 발생되며, 마주보는 평행판 사이에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 CCP(capacitively coupled plasma) 방식과 반응관 외부의 코일에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 ICP(inductively coupled plasma) 방식 등이 있다. 또한, 상기 RF 전력을 펄스 변 조시켜 인가할 경우, RF 전력이 오프되었을 때(즉, 후 글루(after glow) 시) 전자 온도, 플라즈므 밀도, 및 플라즈마 전위가 저하됨으로써, 차징 손상(charging damage) 및 방사선 손상(radiation damage)을 완화할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 목적은 복수개의 펄스 변조된 RF 전력이 동기되어 인가됨과 동시에, 복수개의 동작 모드를 제공할 수 있는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는 플라즈마 식각 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 제1 전극 및 적어도 하나의 제2 전극들, 상기 제1 전극에 제1 주파수 및 제1 듀티비를 가지는 제1 RF 파워를 인가하고, 상기 제1 RF 파워의 위상에 대한 정보를 포함하는 제어 신호를 출력하는 제1 RF 파워 출력부, 및 상기 제2 전극들 중 대응하는 제2 전극에 제2 주파수 및 제2 듀티비를 가지는 제2 RF 파워를 인가하는 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들을 구비하고, 상기 제2 RF 파워 출력부는 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제2 RF 파워가 상기 제1 RF 파워와 동기되거나 설정된 위상차를 가지도록 제어하고, 상기 제1 주파수, 제1 듀티비, 제2 주파수 및 제2 듀티비는 서로 독립적으로 결정되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는 사용자의 선택에 따라 제1 선택 신호 및 적어도 하나의 제2 선택 신호들을 출력하는 모드 선택부를 추가적으로 구비하고, 상기 제1 RF 파워 출력부는 상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수 및 제1 듀티비를 가변시켜 상기 제1 RF 파워를 출 력하고, 상기 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들 각각은 상기 적어도 하나의 제2 선택 신호들 중 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 주파수 및 상기 제2 듀티비를 가변시키고, 상기 대응하는 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제1 RF 파워와 상기 제2 RF 파워의 위상차를 가변시켜 출력하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 상기 제1 RF 파워 출력부는 상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수 및 상기 제2 듀티비를 가지는 제1 펄스 신호 및 상기 제어 신호를 출력하는 제1 컨트롤러, 소정의 주파수를 가지는 제1 RF 신호를 출력하는 제1 RF 발생부, 상기 제1 RF 신호와 상기 제1 펄스 신호를 혼합하여 상기 제1 RF 파워를 출력하는 제1 믹서, 및 상기 제1 전극의 로드 임피던스와 상기 제1 RF 파워 출력부와 상기 제1 전극을 연결하는 케이블의 특성 임피던스를 매칭시켜 상기 제1 RF 파워의 최대 전력을 상기 제1 전극으로 전달하는 제1 매치 네트워크를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 상기 제2 RF 파워 출력부는 상기 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제2 주파수, 상기 제2 듀티비, 및 상기 제1 펄스 신호와 소정의 위상차를 가지는 제2 펄스 신호를 출력하는 제2 컨트롤러, 소정의 주파수를 가지는 제2 RF 신호를 출력하는 제2 RF 발생부, 상기 제2 RF 신호와 상기 제2 펄스 신호를 혼합하여 상기 제2 RF 파워를 출력하는 제2 믹서, 및 상기 제2 전극의 로드 임피던스와 상기 제2 RF 파워 출력부와 상기 제2 전극을 연결하는 케이블의 특성 임피던스를 매칭시켜 상기 제2 RF 파워의 최대 전력을 상기 제2 전극으로 전달하는 제2 매치 네트워크를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 상기 제2 RF 파워 출력부의 상기 제2 컨트롤러는 상기 대응하는 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제1 펄스 신호와 상기 제2 펄스 신호의 위상차를 0°, 90°, 180°, 또는 270° 중에서 하나로 선택하거나, 상기 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 주파수를 상기 제1 주파수의 n배 또는 1/n배(n은 자연수) 중에서 선택하거나, 상기 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 듀티비를 상기 제1 듀티비와 동일한 값, 또는 상기 제1 듀티비보다 작은 값, 또는 상기 제1 듀티비보다 큰 값 중에서 하나를 선택하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 상기 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들 각각은 상기 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수와 동일한 상기 제2 주파수를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차 또는 상기 제2 듀티비 중 적어도 하나가 다른 복수개의 기본 모드의 상기 제2 RF 파워들, 상기 제1 주파수의 n배(n은 2이상의 자연수)인 상기 제2 주파수를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차 또는 상기 제2 듀티비 중 적어도 하나가 다른 복수개의 제1 파생 모드의 상기 제2 RF 파워들, 상기 제1 주파수의 1/n배인 상기 제2 주파수 및 상기 제1 듀티비와 동일한 상기 제2 듀티비를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차가 서로 다른 복수개의 제2 파생 모드의 상기 제2 RF 파워들 중 하나를 선택하여 상기 제2 RF 파워로 출력하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는 복수개의 펄스 변조된 RF 전력이 동기되어 인가됨으로써 펄스 플라즈마 에칭 장비가 가지고 있는 문제점을 해결할 수 있으며, 또한 다양한 동작 모드를 제공함으로써 사용자가 필요에 따라 펄스 플라즈마 에칭 장비를 효율적으로 사용할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 실시예의 구성을 나타내는 것으로서, ICP 방식의 플라즈마 에칭 장비의 경우를 예시한 것이며, 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는 소스 전극(10), 바이어스 전극(20), RF 소스 파워 출력부(30), RF 바이어스 파워 출력부(40), 및 모드 선택부(50)로 구성될 수 있다. 또한, RF 소스 파워 출력부(30)는 소스 매치 네트워크(32), 소스 믹서(34), 소스 컨트롤러(36), 및 소스 RF 발생부(38)로 구성될 수 있고, RF 바이어스 파워 출력부(40)는 바이어스 매치 네트워크(42), 바이어스 믹서(44), 바이어스 컨트롤러(46), 및 바이어스 RF 발생부(48)로 구성될 수 있다. 도 1에서 1은 웨이퍼를 나타낸다.
도 1에 나타낸 블록들 각각의 기능을 설명하면 다음과 같다.
소스 전극(10)과 바이어스 전극(20)은 플라즈마 식각 챔버(미도시) 내에 플라즈마를 형성한다. 소스 전극(10)은 플라즈마 식각 챔버(미도시)의 세라믹 벽을 둘러싸는 코일 형태로 형성될 수 있으며, RF 소스 파워 출력부(30)로부터 출력되는 RF 소스 파워(RF_s)를 인가받는다. 소스 전극(10)은 플라즈마 식각 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 데 특히 기여한다. 바이어스 전극(20)은 RF 바이어스 파워 출력부(30)로부터 출력되는 RF 바이어스 파워(RF_b)를 인가받는다. 바이어스 전극(20)은 웨이퍼(1)에 입사하는 이온 에너지를 조절하는데 특히 기여하며, 웨이퍼(1)를 지지하는 기능도 수행한다.
RF 소스 파워 출력부(30)는 모드 선택부(50)로부터 출력되는 제1 선택 신호(sel1)에 응답하여 소정의 주파수와 소정의 듀티비를 가지는 펄스 변조(pulse modulation)된 RF 소스 파워(RF_s)를 상기 소스 전극(10)으로 출력하고, RF 소스 파워(RF_s)의 위상에 관한 정보를 포함하는 제어 신호(con)를 RF 바이어스 파워 출력부(40)로 출력한다.
소스 RF 발생부(38)는 오실레이터 등으로 구성될 수 있으며, 소정의 주파수(예를 들면, 100㎑ 내지 100㎒의 RF 영역, 또는 그 이상의 VHF, UHF 영역의 주파수)를 가지는 소스 RF 신호를 출력한다.
소스 컨트롤러(36)는 제1 선택 신호(sel1)에 응답하여 소정의 주파수와 소정의 듀티비를 가지는 소스 펄스 신호 및 소스 펄스 신호의 위상에 대한 정보를 포함하는 제어 신호(con)를 출력한다. 제어 신호(con)는 소스 펄스 신호와 동일한 신호일 수도 있다.
소스 믹서(34)는 소스 RF 발생부(38)로부터 출력된 소스 RF 신호와 소스 컨트롤러(36)로부터 출력되는 소스 펄스 신호를 입력하고 혼합하여 펄스 변조된 RF 소스 파워를 출력한다.
소스 매치 네트워크(32)는 RF 소스 파워 출력부(30)로부터 소스 전극(10)까지의 케이블의 특성 임피던스와 플라즈마 식각 챔버(미도시)의 로드 임피던스를 매칭시킨다. 즉, 소스 매치 네트워크(32)는 RF 소스 파워 출력부(30)의 소스 믹서(34)에서 출력된 RF 소스 파워의 최대 전력이 소스 전극(10)으로 전달될 수 있도록 임피던스를 매칭시킨다.
RF 바이어스 파워 출력부(40)는 모드 선택부(50)로부터 출력되는 제2 선택 신호(sel1) 및 RF 소스 파워 출력부(30)로부터 출력되는 제어 신호(con)에 응답하여 소정의 주파수와 소정의 듀티비를 가지고, RF 소스 파워(RF_s)와 동기되거나 설정된 위상차를 가지는 펄스 변조(pulse modulation)된 RF 바이어스 파워(RF_b)를 상기 바이어스 전극(20)으로 출력한다. 예를 들면, RF 바이어스 파워 출력부(40)는 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 출력되는 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수를 RF 소스 파워 출력부(30)로부터 출력되는 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 n배 또는 1/n배(n은 자연수) 중에서 선택하고, RF 바이어스 파워(RF_b)의 듀티비를 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 값, 작은 값, 또는 큰 값 중에서 선택하도록 구성될 수 있다. 또한, RF 바이어스 파워 출력부(40)는 제어 신호(con) 및 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 출력되는 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차를 0°, 90°, 180°, 또는 270° 중에서 선택하도록 구성될 수 있다.
바이어스 RF 발생부(48)는 오실레이터 등으로 구성될 수 있으며, 소정의 주파수(예를 들면, 100㎑ 내지 100㎒의 RF 영역, 또는 그 이상의 VHF, UHF 영역의 주 파수)를 가지는 바이어스 RF 신호를 출력한다.
바이어스 컨트롤러(46)는 제어 신호(con) 및 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 소정의 주파수와 소정의 듀티비를 가지고, 상기 소스 펄스 신호와 소정의 위상차를 가지는 바이어스 펄스 신호를 출력한다. 예를 들면, 바이어스 컨트롤러(46)는 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 바이어스 펄스 신호의 주파수를 소스 펄스 신호의 주파수의 n배 또는 1/n배(n은 자연수) 중에서 선택하고, 바이어스 펄스 신호의 듀티비를 소스 펄스 신호의 듀티비와 동일한 값, 작은 값 또는 큰 값 중에서 선택하도록 구성될 수 있다. 또한, 바이어스 컨트롤러(46)는 제어 신호(con) 및 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 바이어스 펄스 신호와 소스 펄스 신호의 위상차를 0°, 90°, 180°, 또는 270° 중에서 선택하도록 구성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제어 신호(con)는 소스 펄스 신호와 동일한 신호일 수 있다. 이 경우, 바이어스 컨트롤러(46)는 제2 선택 신호(sel2)에 응답하여 바이어스 펄스 신호의 위상을 제어 신호(con)의 위상보다 0°, 90°, 180°, 또는 270° 중에서 선택된 값만큼 지연시켜 바이어스 펄스 신호를 출력하도록 구성될 수 있다.
바이어스 믹서(44)는 바이어스 RF 발생부(48)로부터 출력된 바이어스 RF 신호와 바이어스 컨트롤러(46)로부터 출력되는 바이어스 펄스 신호를 입력하고 혼합하여 펄스 변조된 RF 바이어스 파워를 출력한다.
바이어스 매치 네트워크(42)는 RF 바이어스 파워 출력부(40)로부터 바이어스 전극(20)까지의 케이블의 특성 임피던스와 플라즈마 식각 챔버(미도시)의 로드 임피던스를 매칭시킨다. 즉, 바이어스 매치 네트워크(42)는 RF 바이어스 파워 출력 부(40)의 바이어스 믹서(44)에서 출력된 RF 바이어스 파워의 최대 전력이 바이어스 전극(20)으로 전달될 수 있도록 임피던스를 매칭시킨다.
모드 선택부(50)는 사용자의 선택에 따라 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수 및 듀티비(duty ratio)를 선택하는 제1 선택 신호(sel1) 및 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수, 듀티비, 및 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차를 선택하는 제2 선택 신호(sel2)를 출력한다.
즉, 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 플라즈마 에칭 장비의 실시예는 바이어스 전극(20)으로 인가되는 RF 바이어스 파워(RF_b)를 소스 전극(10)으로 인가되는 RF 소스 파워(RF_s)와 일정한 위상차를 가지도록 동기시킨다. 또한, RF 바이어스 파워(RF_b)는 다양한 모드를 가질 수 있으며, 사용자는 모드 선택부(50)를 통하여 RF 바이어스 파워(RF_b)의 다양한 모드 중 어떤 모드를 사용할지 선택할 수 있다. 즉, 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 플라즈마 에칭 장비의 실시예는 사용자가 모드 선택부(50)를 통하여 필요에 따라 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차, RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수, 및 RF 바이어스 파워(RF_b)의 듀티비를 각각 선택할 수 있도록 한다.
도 2 내지 도 5는 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 플라즈마 에칭 장비의 실시예가 제공할 수 있는 RF 바이어스 파워(RF_b)의 다양한 모드의 실시예를 나타낸 것으로서, 동기식 플라즈마 에칭 장비가 RF 바이어스 파워(RF_b)에 대하여 기본 모드 12가지, 제1 파생 모드 12가지, 및 제2 파생모드 4가지를 제공하는 경우의 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)를 나타낸 것이다.
도 2 내지 도 5에서 mode 1 내지 mode 12는 기본 제1 모드 내지 기본 제12모드를, mode 1' 내지 mode 12'는 제1 파생 제1 모드 내지 제1 파생 제12 모드를, mode 1", mode 4", mode 7" 및 mode 10"들 각각은 제2 파생 제1 모드 내지 제2 파생 제4 모드를 각각 나타낸다. 또한, 기본 모드들은 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수와 동일한 경우이고, 제1 파생 모드들은 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 2배인 경우이고, 제2 파생 모드들은 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 1/2배인 경우를 나타낸다.
먼저, 도 2는 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차가 0°인 경우를 나타낸 것이다.
기본 제1 모드(mode 1)는 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수와 동일하고 듀티비도 동일한 경우를 말하며, 기본 제2 모드(mode 2)는 주파수는 동일하고 RF 바이어스 파워(RF_b)의 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비보다 적은 경우를 말하고, 기본 제3 모드(mode 3)는 주파수는 동일하고 RF 바이어스 파워(RF_b)의 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비보다 적은 경우를 말한다.
제1 파생 제1 모드 내지 제3 모드(mode 1'~mode 3')는 RF 바이어스 파워(RF_b)의 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 2배인 경우를 말하며, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제1 파생 제1 모드(mode 1')는 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)와 동일한 경우를, 제1 파생 제2 모드(mode 2')는 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비보다 작은 경우를, 제1 파생 제2 모드(mode3)는 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비보다 큰 경우를 각각 나타낸다.
RF 바이어스 파워(RF_b)의 제2 파생 제1 모드(mode 1")는 주파수는 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 1/2배이고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우를 나타낸다.
다음으로, 도 3은 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차가 90°인 경우를 나타낸 것이다.
도 2에서 설명한 것과 유사하게, RF 바이어스 파워(RF_b)의 기본 제4 모드 내지 제6 모드(mode 4~mode 6) 각각은 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 90°이고, 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수와 동일하고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우, 작은 경우, 및 큰 경우를 각각 말한다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제1 파생 제4 모드 내지 제6 모드(mode 4'~mode 6')는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 90°이고,주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 2배이고, 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)와 동일한 경우, 작은 경우, 및 큰 경우를 각각 나타낸다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제2 파생 제2 모드(mode 4")는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 90°이고, RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 1/2배이고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우를 나타낸다.
다음으로, 도 4는 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차가 180°인 경우를 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3에서 설명한 것과 유사하게, RF 바이어스 파워(RF_b)의 기본 제7 모드 내지 제9 모드(mode 7~mode 9) 각각은 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 180°이고, 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수와 동일하고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우, 작은 경우, 및 큰 경우를 각각 말한다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제1 파생 제7 모드 내지 제9 모드(mode 7'~mode 9')는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 180°이고,주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 2배이고, 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)와 동일한 경우, 작은 경우, 및 큰 경우를 각각 나타낸다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제2 파생 제3 모드(mode 7")는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 180°이고, RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 1/2배이고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우를 나타낸다.
다음으로, 도 5는 RF 바이어스 파워(RF_b)와 RF 소스 파워(RF_s)의 위상차가 270°인 경우를 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3에서 설명한 것과 유사하게, RF 바이어스 파워(RF_b)의 기본 제10 모드 내지 제12 모드(mode 10~mode 12) 각각은 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 270°이고, 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수와 동일하고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우, 작은 경우, 및 큰 경우를 각각 말한다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제1 파생 제10 모드 내지 제12 모드(mode 10'~mode 12')는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 270°이고, 주파수가 RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 2배이고, 듀티비가 RF 소스 파워(RF_s)와 동일한 경우, 작 은 경우, 및 큰 경우를 각각 나타낸다.
또한, RF 바이어스 파워(RF_b)의 제2 파생 제4 모드(mode 10")는 RF 소스 파워(RF_s)와의 위상차가 270°이고, RF 소스 파워(RF_s)의 주파수의 1/2배이고, 듀티비는 RF 소스 파워(RF_s)의 듀티비와 동일한 경우를 나타낸다.
즉, 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는 도 2 내지 도 5에 나타낸 바와 같이 12개의 기본 모드(mode 1~mode 12)와 12개의 제1 파생 모드(mode 1'~mode 12') 및 4개의 제2 파생 모드(mode 1", mode 4", mode 7", mode 10")의 RF 바이어스 파워(RF_b)를 제공하도록 구성될 수 있으며, 본 발명의 동기식 플라즈마 에칭 장비를 이용할 경우, 사용자는 상기 모드들 중 필요에 따라 적절한 모드의 RF 바이어스 파워(RF_b)를 선택할 수 있다. 예를 들면, 사용자는 트랜지스터의 게이트를 형성한다거나, 또는 RF 반사파를 감소시킬 필요가 있는 경우에는 기본 제1 모드 내지 기본 제3 모드 중 어느 하나를 선택할 수 있으며, 에치 레이트(etch rate)를 증가시키고자 하는 경우에는 제1 파생 모드들 중 어느 하나를 선택할 수 있다.
다시 말하면, 사용자는 본 발명의 동기식 플라즈마 에칭 장비가 제공하는 복수개의 모드들 중 하나를 선택하여 웨이퍼 상의 실리콘 재료(단결정 실리콘(single crystal Si), 다결정 실리콘(poly crystal Si), 고융점 금속 실리카이드(silicide)), 여러 가지 실리콘 산화막 재료, 여러 가지 실리콘 질화막 재료, 저유전율 재료(HSQ, MSQ, porous silica 등), 여러 가지 유기막 재료(CVD형, Spin on 형 등), 여러 가지 금속 재료(예를 들면, W, WN, Ti, TiN, Ta, TaN, Mo, Al 등 반 도체 재료),고 유전율 재료를 에칭할 수 있다.
상술한 실시예의 경우, ICP 방식의 플라즈마 에칭 장비의 경우를 예시하였으나, 본 발명의 개념은 CCP 방식의 플라즈마 에칭 장비 등 다른 방식의 플라즈마 에칭 장비에도 적용 가능하다.
또한, 상술한 실시예의 경우, RF 파워가 RF 소스 파워 및 RF 바이어스 파워 두 가지인 경우를 예시하였으나, 본 발명의 개념은 복수개의 RF 파워가 인가되는 경우, 복수개의 RF 파워 중 어느 하나를 위상의 기준으로 삼아 본 발명의 개념을 적용하는 것이 가능하다. 이 경우, 플라즈마 에칭 장비는 복수개의 RF 파워 중 대응하는 RF 파워가 각각 인가되고, 플라즈마를 발생시키는 복수개의 전극들을 구비할 수 있다.
또한 상술한 실시예의 경우, 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비가 12개의 기본 모드, 12개의 제1 파생 모드, 4개의 제2 파생 모드를 제공하는 것을 예시하였으나, 필요한 경우에 따라 모드의 수는 축소 또는 확장 가능하다.
상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 실시예의 구성을 나타내는 것이다.
도 2는 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 RF 바이어스 파워 출력부가 출력할 수 있는 RF 바이어스 파워들 중 RF 소스 파워와 위상차가 0°인 경우를 나타내는 것이다.
도 3은 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 RF 바이어스 파워 출력부가 출력할 수 있는 RF 바이어스 파워들 중 RF 소스 파워와 위상차가 90°인 경우를 나타내는 것이다.
도 4는 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 RF 바이어스 파워 출력부가 출력할 수 있는 RF 바이어스 파워들 중 RF 소스 파워와 위상차가 180°인 경우를 나타내는 것이다.
도 5는 도 1에 나타낸 본 발명의 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비의 RF 바이어스 파워 출력부가 출력할 수 있는 RF 바이어스 파워들 중 RF 소스 파워와 위상차가 270°인 경우를 나타내는 것이다.

Claims (8)

  1. 플라즈마 식각 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 제1 전극 및 적어도 하나의 제2 전극들;
    상기 제1 전극에 제1 주파수 및 제1 듀티비를 가지는 제1 RF 파워를 인가하고, 상기 제1 RF 파워의 위상에 대한 정보를 포함하는 제어 신호를 출력하는 제1 RF 파워 출력부; 및
    상기 제2 전극들 중 대응하는 제2 전극에 제2 주파수 및 제2 듀티비를 가지는 제2 RF 파워를 인가하는 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들을 구비하고,
    상기 제2 RF 파워 출력부는 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제2 RF 파워가 상기 제1 RF 파워와 동기되거나 설정된 위상차를 가지도록 제어하고, 상기 제1 주파수, 제1 듀티비, 제2 주파수 및 제2 듀티비는 서로 독립적으로 결정되는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비는
    사용자의 선택에 따라 제1 선택 신호 및 적어도 하나의 제2 선택 신호들을 출력하는 모드 선택부를 추가적으로 구비하고,
    상기 제1 RF 파워 출력부는 상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수 및 제1 듀티비를 가변시켜 상기 제1 RF 파워를 출력하고,
    상기 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들 각각은 상기 적어도 하나의 제2 선택 신호들 중 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 주파수 및 상기 제2 듀티비를 가변시키고, 상기 대응하는 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제1 RF 파워와 상기 제2 RF 파워의 위상차를 가변시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 RF 파워 출력부는
    상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수 및 상기 제2 듀티비를 가지는 제1 펄스 신호 및 상기 제어 신호를 출력하는 제1 컨트롤러;
    소정의 주파수를 가지는 제1 RF 신호를 출력하는 제1 RF 발생부;
    상기 제1 RF 신호와 상기 제1 펄스 신호를 혼합하여 상기 제1 RF 파워를 출력하는 제1 믹서; 및
    상기 제1 전극의 로드 임피던스와 상기 제1 RF 파워 출력부와 상기 제1 전극을 연결하는 케이블의 특성 임피던스를 매칭시켜 상기 제1 RF 파워의 최대 전력을 상기 제1 전극으로 전달하는 제1 매치 네트워크를 구비하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 RF 파워 출력부는
    상기 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제2 주파수, 상기 제2 듀티비, 및 상기 제1 펄스 신호와 소정의 위상차를 가지는 제2 펄스 신호를 출력하는 제2 컨트롤러;
    소정의 주파수를 가지는 제2 RF 신호를 출력하는 제2 RF 발생부;
    상기 제2 RF 신호와 상기 제2 펄스 신호를 혼합하여 상기 제2 RF 파워를 출력하는 제2 믹서; 및
    상기 제2 전극의 로드 임피던스와 상기 제2 RF 파워 출력부와 상기 제2 전극을 연결하는 케이블의 특성 임피던스를 매칭시켜 상기 제2 RF 파워의 최대 전력을 상기 제2 전극으로 전달하는 제2 매치 네트워크를 구비하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 컨트롤러는
    상기 대응하는 제2 선택 신호 및 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제1 펄스 신호와 상기 제2 펄스 신호의 위상차를 0°, 90°, 180°, 또는 270° 중에서 하나로 선택하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제2 컨트롤러는
    상기 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 주파수를 상기 제1 주파수의 n배 또는 1/n배(n은 자연수) 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제2 컨트롤러는
    상기 대응하는 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제2 듀티비를 상기 제1 듀티 비와 동일한 값, 또는 상기 제1 듀티비보다 작은 값, 또는 상기 제1 듀티비보다 큰 값 중에서 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
  8. 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제2 RF 파워 출력부들 각각은
    상기 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제1 주파수와 동일한 상기 제2 주파수를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차 또는 상기 제2 듀티비 중 적어도 하나가 다른 복수개의 기본 모드의 상기 제2 RF 파워들, 상기 제1 주파수의 n배(n은 2이상의 자연수)인 상기 제2 주파수를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차 또는 상기 제2 듀티비 중 적어도 하나가 다른 복수개의 제1 파생 모드의 상기 제2 RF 파워들, 상기 제1 주파수의 1/n배인 상기 제2 주파수 및 상기 제1 듀티비와 동일한 상기 제2 듀티비를 가지고, 상기 제1 RF 파워와 위상차가 서로 다른 복수개의 제2 파생 모드의 상기 제2 RF 파워들 중 하나를 선택하여 상기 제2 RF 파워로 출력하는 것을 특징으로 하는 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140090779A (ko) * 2013-01-10 2014-07-18 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 방법과 상기 방법을 이용할 수 있는 장치들
KR101478626B1 (ko) * 2012-10-16 2015-01-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
KR20180122492A (ko) * 2017-05-02 2018-11-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL2185599T3 (pl) 2007-08-24 2019-07-31 W.R. Grace & Co. - Conn Samoograniczający system katalityczny o kontrolowanym stosunku glinu do SCA i sposób
CN101874293B (zh) * 2008-02-26 2011-11-30 株式会社岛津制作所 等离子体成膜方法以及等离子体cvd装置
JP5628809B2 (ja) * 2008-08-21 2014-11-19 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 混合された選択性制御剤を含む触媒組成物及び該触媒組成物を使用する重合方法
KR101510775B1 (ko) * 2008-11-24 2015-04-10 삼성전자주식회사 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비
KR101286242B1 (ko) * 2009-12-14 2013-07-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
JP5558224B2 (ja) * 2010-06-23 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
US8980760B2 (en) * 2011-04-29 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling plasma in a process chamber
KR20130005804A (ko) * 2011-07-07 2013-01-16 삼성전자주식회사 자기 터널 접합 구조체의 제조 방법
CN103094180B (zh) * 2011-10-28 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
JP5977509B2 (ja) * 2011-12-09 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9114666B2 (en) * 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
US9197196B2 (en) * 2012-02-22 2015-11-24 Lam Research Corporation State-based adjustment of power and frequency
JP5822795B2 (ja) * 2012-07-17 2015-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
TWI599272B (zh) * 2012-09-14 2017-09-11 蘭姆研究公司 根據三個或更多狀態之功率及頻率調整
JP6002556B2 (ja) * 2012-11-27 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US9336995B2 (en) * 2013-04-26 2016-05-10 Mks Instruments, Inc. Multiple radio frequency power supply control of frequency and phase
JP6449674B2 (ja) * 2015-02-23 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9922806B2 (en) * 2015-06-23 2018-03-20 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
CN105070627B (zh) * 2015-07-15 2017-06-27 大连理工大学 一种减少基片材料受高能离子轰击损伤的方法
US20200058469A1 (en) * 2018-08-14 2020-02-20 Tokyo Electron Limited Systems and methods of control for plasma processing
CN112534544A (zh) * 2018-08-30 2021-03-19 东京毅力科创株式会社 控制等离子体加工的系统和方法
JP7285742B2 (ja) * 2019-09-02 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
JP7313293B2 (ja) * 2020-01-27 2023-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理方法及びプラズマ処理装置
CN113539773A (zh) * 2020-04-16 2021-10-22 新动力等离子体株式会社 具有双重输出的高频发生器及其驱动方法
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5573595A (en) * 1995-09-29 1996-11-12 Lam Research Corporation Methods and apparatus for generating plasma
JPH1079372A (ja) 1996-09-03 1998-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP3220394B2 (ja) * 1996-09-27 2001-10-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20010051438A1 (en) * 1997-06-25 2001-12-13 Samsung Electronics Process and apparatus for dry-etching a semiconductor layer
KR100317915B1 (ko) * 1999-03-22 2001-12-22 윤종용 플라즈마 식각 장치
JP2001244250A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Hitachi Ltd 表面処理方法および装置
US7137354B2 (en) 2000-08-11 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage
JP4024053B2 (ja) * 2002-02-08 2007-12-19 キヤノンアネルバ株式会社 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置
US7794615B2 (en) * 2005-03-31 2010-09-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and apparatus, and autorunning program for variable matching unit
JP2008060429A (ja) 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5063154B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5319150B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR101510775B1 (ko) * 2008-11-24 2015-04-10 삼성전자주식회사 동기식 펄스 플라즈마 에칭 장비
KR101286242B1 (ko) * 2009-12-14 2013-07-15 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101478626B1 (ko) * 2012-10-16 2015-01-02 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US9275870B2 (en) 2012-10-16 2016-03-01 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc, Shanghai Plasma processing method and plasma processing device
KR20140090779A (ko) * 2013-01-10 2014-07-18 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 방법과 상기 방법을 이용할 수 있는 장치들
KR20180122492A (ko) * 2017-05-02 2018-11-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20100130018A1 (en) 2010-05-27
KR101510775B1 (ko) 2015-04-10
US8460508B2 (en) 2013-06-11

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