KR20100057898A - 높은 전력 동작을 위해 휠 커버를 포함하는 가스 방전 소스들을 위한 회전 휠 전극 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스 방전 소스들을 위한 전극 디바이스(1, 2) 및 상기 전극 디바이스들(1, 2) 중 하나 또는 2개를 구비하는 가스 방전 소스에 관한 것이다. 전극 디바이스(1, 2)는 회전축(22)을 중심으로 회전 방향으로 회전가능한 전극 휠(7)을 포함하고, 상기 전극 휠(7)은 2개의 사이드 표면들(25) 사이에서 외주 표면(24)을 구비한다. 전극 휠(24)의 상기 외주 표면(24) 및 상기 사이드 표면들(25)의 일부를 덮는 전극 휠 커버(8)가 제공된다. 커버(8)는 커버(8), 외주 표면(24) 및 사이드 표면들(25)의 방사상 외측 부분들 부분의 사이에서 원주 방향으로 냉각 채널(12)을 형성하고 원주 방향으로의 냉각 채널(12)의 연장부에서 커버(8)와 외주 표면(24)의 사이에서 갭(23)을 형성하도록 설계된다. 갭(23)은 냉각 채널(12)보다 더 작은 플로우 단면을 가지고 있으며 전극 휠(7)의 회전 동안에 외주 표면(24) 상에 형성된 액체 상태 재료막의 두께를 제한시킨다. 갭(23)과는 다르게, 커버(8)는 냉각 채널(12)을 통해 흐르는 액체상태 재료로부터 그러한 막의 형성을 금지하도록 설계될 수 있다. 냉각 채널(12)은 냉각 채널(12)을 통해 순환하는 액체상태 재료에 의해 전극 휠(7)의 동시 냉각을 허용한다. 커버(8)의 제안된 설계로, 전극 휠(7)의 효율적인 냉각이 달성되고, 그러한 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스들을 동작시키기 위한 높은 전력들을 허용한다.

Description

높은 전력 동작을 위해 휠 커버를 포함하는 가스 방전 소스들을 위한 회전 휠 전극 디바이스{ROTATING WHEEL ELECTRODE DEVICE FOR GAS DISCHARGE SOURCES COMPRISING WHEEL COVER FOR HIGH POWER OPERATION}

본 발명은 회전축을 중심으로 회전가능한 적어도 하나의 전극 휠을 포함하는 가스 방전 소스들에 대한 전극 디바이스에 관한 것으로, 상기 전극 휠은 2개의 사이드 표면들 사이에 외주 표면을 구비하고 있다. 본 발명은 또한 그러한 전극 디바이스를 포함하는 가스 방전 소스, 및 이러한 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스를 동작시키는 방법에 관한 것이다.

가스 방전 소스들은 예를 들면 EUV 방사(EUV: 첨단 자외선) 또는 소프트 x-레이들에 대한 광원들로서 이용된다. EUV 방사 및/또는 소프트 x-레이들을 방출하는 방사 소스들은 특히 EUV 리소그래피 분야에서 요구된다. 방사는 펄스형 전류에 의해 생성된 뜨거운 플라즈마로부터 방출된다. 주지된 강력한 EUV 방사 소스들은 금속 증기로 동작되어 요구되는 플라즈마를 생성한다. 그러한 EUV 방사 소스의 예는 WO 2006/123270 A2에 도시되어 있다. 이러한 주지된 방사 소스에서, 금속 증기는 방전 공간에서 표면에 인가되고 에너지 빔, 특히 레이저 빔에 의해 적어도 부분적으로 증발되는 금속 용해물로부터 생성된다. 이를 위해, 2개의 전극들이 회전가능하게 장착되어 방사 소스의 동작 동안에 회전되는 전극 휠들을 형성한다. 금속 용해물은 금속 용해물을 포함하는 저장소와 전극 휠 사이에 배열되는 접속 소자를 통해 각 전극 휠의 원주 표면에 도포된다. 접속 소자는 전극 휠의 원형 주변부의 부분 섹션 상에서 외주 표면과 전극 휠 사이에 갭을 형성하도록 설계된다. 전극 휠의 회전 동안에, 금속 용해물은 저장소로부터 갭 내부로 침투하고, 그럼으로써 전극의 외주 표면 상에 액체상태 금속의 원하는 박막을 형성한다. 금속 증기를 생성하는 금속 용해물의 일부를 증발시키고 전기적 방전을 점화시키기 위해, 펄스형 레이저가 방전 영역에서 전극들 중 하나의 표면으로 지향된다. 금속 증기는 수 kA 내지 수 10kA의 전류에 의해 가열되어, 원하는 이온화 스테이지들이 여기되고 원하는 파장의 광이 방출된다. 전극 휠들의 외주 표면들 상에 형성된 액체상태 금속막은 수 개의 기능들을 이행한다. 이러한 액체상태 금속막은 방전시 방사하는 매체로서 기능하고 재생막으로서 부식으로부터 휠을 보호한다. 또한 액체상태 금속막은 전기적으로 도전성인 접속 소자에 접속되는 전력 서플라이와 전극 휠들을 전기적으로 접속시킨다. 또한, 액체상태 금속은 가스 방전에 의해 전극들에 발생된 열을 분산시킨다.

반도체 디바이스들의 장래 대량생산(HVM)에 요구되는 가스 방전 소스 또는 램프의 높은 전력 동작을 위해, 높은 입력 전력들이 인가되어야 한다. 대략 100 웨이퍼들/h의 요구되는 웨이퍼 처리량을 보장하기 위해, 대량생산 EUV 소스는 50kW 이상의 입력 전력들에서 동작되어야 한다. 이러한 입력 전력의 약 50%가 회전하는 전극들에 의해 흡수된다. 상기 설명된 주지된 가스 방전 소스에 있어서, 전극 휠들로부터의 열 방출이 충분히 높지 않고, 이는 결과적으로 더 높은 전력들에서 전극들의 과열로 나타난다. 이 때문에, 주지된 가스 방전 소스는 대량생산 EUV 소스에 요구되는 입력 전력들에서는 동작될 수 없다.

본 발명의 목적은 전극 휠들을 과열시키지 않고 높은 입력 전력으로 가스 방전 소스의 동작을 허용하는, 가스 방전 소스에 이용하기 위한 전극 디바이스 및 대응하는 가스 방전 소스를 제공하는 것이다.

본 목적은 청구항들 1 및 15에 따른 전극 디바이스 및 가스 방전 소스로 달성된다. 전극 디바이스 및 가스 방전 소스의 양호한 실시예들은 종속 청구항들의 주제이거나 명세서의 후속 부분에 개시된다. 청구항 16은 그러한 가스 방전 소스를 동작하는 양호한 방법을 언급한다.

제안된 전극 디바이스는 회전축을 중심으로 회전가능한 전극 휠 - 상기 전극 휠은 2개의 사이드 표면들 사이에 외주 표면을 가짐 -, 및 상기 외주 표면 및 상기 사이드 표면들의 부분 섹션을 원주 방향으로 덮는 전극 휠 커버를 적어도 포함한다. 제안된 커버는 액체상태 재료, 특히 금속 용해물에 의해 전극 휠을 냉각시키기 위해 커버, 외주 표면 및 사이드 표면들의 방사상 외측 부분의 사이에 상기 원주 방향으로 냉각 채널을 형성하도록 설계된다. 커버는 액체상태 재료의 냉각 채널을 통한 흐름을 허용하도록 냉각 채널에 대한 인렛 및 아웃렛 개구를 포함한다. 하나의 대안으로, 커버는 원주 방향으로의 냉각 채널의 연장부에서 커버 및 외주표면 및 사이드 표면들의 부분 사이에 갭을 형성하도록 더 설계되고, 상기 갭은 전극 휠의 회전 동안에 외주 표면 및 사이드 표면들 상에 형성된 액체상태 재료 막의 두께를 제한시킨다. 또 하나의 대안으로, 커버는 원주 방향으로의 상기 냉각 채널의 연장부에서 냉각 채널을 통해 흐르는 액체상태 재료로부터 그러한 막의 형성을 금지하도록 더 설계된다. 양호하게는, 아웃렛 개구는 냉각 채널과 갭 사이에 배열되어, 냉각 채널, 및 액체상태 재료에 대해 냉각 채널보다 훨씬 더 작은 플로우 단면을 가지는 갭 사이의 변이점에서 과도한 액체 재료를 배출시킨다.

제안된 전극 디바이스에 있어서, 커버의 설계에 따라 2개의 동작 모드들이 실현될 수 있다. 제1 모드에서, 그러한 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스에서 가스 방전을 위한 연료로서 이용되는 도포된 액체상태 재료는 가열된 전극 휠을 더 효율적으로 냉각시킨다. 냉각 채널은 외주 표면을 포함하는 전극 휠의 외측 부분과 사이드 표면들의 방사상 외측 부분들이 이러한 액체상태 재료로의 열 발산을 위해 충분한 양의 액체상태 재료에 의해 둘러싸이도록 설계된다. 냉각 채널-회전방향으로 됨 -은 휠 커버와, 전극 휠의 외주 표면 및 사이드 표면들 사이에서 차츰 작은 갭 채널로 되어, 회전하는 전극 휠의 외주 표면과 사이드 표면들에서 액체상태 재료막의 두께를 제한시킨다. 양호하게는, 이러한 액체상태 재료막에 작용하는 원심력들로 인한 드롭렛(droplet) 형성의 위험없이 방전 로케이션에서 증발에 요구되는 두께 및 형태로 액체상태 재료막을 추가적으로 제한시키기 위해, 적어도 하나의 와이퍼 유닛이 회전 방향으로 갭 채널의 후방 및/또는 전방에 배열된다.

제2 모드에서, 막의 두께는 가능한 최소 두께로 제한되거나, 막의 형성은 커버의 설계에 의해 완전하게 금지된다. 냉각 채널은 또한 외주 표면을 포함하는 전극 휠의 외측 부분 및 사이드 표면들의 방사상 외측 부분들이 이러한 액체상태 재료로의 열 방출을 위해 충분한 양의 액체상태 재료에 의해 둘러싸이도록 설계된다. 이러한 동작 모드는 가스 방전을 위한 연료로서 이용되는 액체상태 재료를 도포하는 분리된 액체상태 재료 도포 유닛을 필요로 한다. 이러한 도포 또는 주입 유닛은 상기 커버와 가스 방전 생성의 로케이션 사이의 전극 휠의 외주 표면 상에 상기 액체상태 재료를 도포하도록 배열되고, 방전으로 인한 부식으로부터 회전하는 전극을 보호하기 위해 충분한 액체상태 재료 커버리지를 제공해야 한다. 예를 들면 하나 또는 수 개의 노즐들이 이용될 수 있다.

이러한 제2 동작 모드는 방전 로케이션에서 액체상태 막의 두께 및/또는 액체상태 막 재료 양의 미세 조정을 허용한다. 액체상태 재료 도포 또는 주입 유닛이 냉각 채널로부터 분리되므로, 전자의 동작 모드에 비해 방전 로케이션에서 전극 휠 상의 액체상태 재료 커버리를 제어하는 것이 훨씬 더 용이하다. 예를 들면, 액체상태 재료막 두께는 도포 유닛을 통해 액체상태 재료 플로우를 가변시킴으로써 수 마이크로미터 내지 수백 마이크로미터의 범위에서 조정될 수 있다. 액체상태 재료 전극 커버리지는 전극이 보호되어야 되는 위치로 박막을 횡적으로 제한시킴으로써 최적화시킬 수 있는데 반해, 전극의 나머지 부분들은 덮이지 않고 유지될 수 있다. 전극 상의 액체상태 재료량의 추가적인 감축은, 이러한 재료의 분리된 아일랜드들 또는 영역들이 전극 상에 형성하도록, 예를 들면 드롭렛 발생기를 이용하여 액체상태 재료를 간헐적으로 전달함으로써 달성될 수 있다. 이들 조처들(measures)은 전극 상의 액체상태 재료의 양을 최소화시키고 따라서 가능한 최고의 전극 원주 속도를 얻을 수 있도록 허용한다. 방전에 의해 생성되는 파편(debris)의 양이 또한 최소화된다.

제2 동작 모드에 대해, 커버는 양호하게는 박막의 두께를 가능한 최소 두께로의 제한 또는 그러한 막의 형성의 금지를 달성하는 와이퍼 유닛을 포함한다. 이상적인 와이퍼는 냉각 채널로부터 액체상태 재료 누설을 방지해야 한다. 실제로, 와이퍼 유닛을 통과한 이후의 잔류 액체상태 재료 막 두께는 5 마이크로미터를 초과해서는 안 된다. 이것은 예를 들면, 전극의 형태를 정확하게 재생하는 모양지어진(shaped) 부분을 이용함으로써 달성될 수 있다. 이러한 부분은 탄성 소자(들)에 의해 전극과 접촉 상태가 유지될 수 있다. 이 경우에, 액체상태 재료는 모양지어진 부분과 전극 사이의 윤활 매체로서 작용하고, 따라서 와이퍼 및/또는 회전하는 전극의 부식을 방지한다. 그러나, 이러한 효과는 전극 휠의 원주 속도에 좌우될 수 있다. 이러한 다이나믹 윤활기능의 실패는 휠 및 와이퍼의 강화된 부식, 제어되지 않는 액체상태 재료막, 또는 심지어 회전하는 전극의 차단을 유발할 수 있다. 그러므로, 와이퍼는 양호하게는 자기-윤활 재료로 형성되거나 건식-운용 동작에 적합한 그러한 재료로 코팅된다. 더구나, 이는 열적으로는 안정되고 화학적으로는 액체상태 재료에 저항성이 있어야 한다. 그래파이트와 같은 재료는 이들 요구조건들을 만족시킨다.

제2 동작 모드에서 가능한 최고의 전극 원주 속도들을 획득하기 위해, 액체상태 재료 도포 또는 주입 시스템은 방전 로케이션에 가능한 한 가깝게 배치되어야 된다. 회전하는 전극 상의 액체상태 재료량은 최소화되어야 하고, 즉 체적 플럭스

로 표현된, 피착된 양은 양호하게는 2σ/ρω보다 작도록, 즉

<2σ/ρω이도록 선택되며, 여기에서 ω는 휠들의 각속도를 나타내고 ρ 및 σ는 액체상태 재료의 밀도 및 표면 장력을 나타낸다. 액체상태 재료 막 불안정성들을 피하기 위해, 전극 폭 D는 D^*<D<10·D^*의 범위 내에 있어야 하고,

이며 R은 전극 휠의 반경을 나타낸다.

제안된 휠 커버 설계를 구비하는 전극 휠의 더 높은 냉각 효율로 인해, 그러한 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스는 전극들을 과열시키지 않고 수십 kW 및 그 이상의 범위에서 높은 전력들에서 동작될 수 있다. 이것은 적절한 액체상태 재료, 특히 액체상태 주석과 같은 금속 용해물을 이용할 때 가스 방전 소스의 대량생산 EUV 소스로서의 동작을 허용한다.

전극 휠 커버의 제안된 설계는 또한 이하에 설명되는 바와 같이 전극의 회전 속도를 증가시키는 것을 허용한다. 높은 입력 전력은 10kHz 이상의 높은 방전 반복 레이트를 요구한다. 가스 방전 소스 또는 램프의 안정된 광 출력, 특히 EUV 방사의 출력을 위해, 연속적인 방전 펄스들이 회전하는 전극 표면들의 생생한(fresh) 평탄한 부분을 항상 때리고 있는 것이 요구된다. 이동하는 전극 표면 상의 연속적인 방전 펄스들의 거리는 수십 밀리미터에서 수 밀리미터까지의 범위에 있어야 한다. 그러므로, 전극 회전 속도가 이에 따라 증가되어야 하고, 결과적으로 대략 10m/s 정도의 요구되는 원주 속도들로 나타난다. 실제로, 전극 휠들의 그러한 높은 원주 속도들은 액체상태 재료 표면 웨이브들 및 따라서 방전 로케이션에서 불안정한 액체상태 재료 막을 야기한다. 이것은 불안정한 EUV 출력을 유발하고, 최악의 경우에 액체상태 재료 확산 및 드롭렛 형성으로 인한 램프 오류를 유발할 수도 있다. 이러한 문제는 본 발명에 따라 설계된 전극 휠 커버로 회피된다. 휠 커버에 있어서, 전극 휠 상의 비어있는(free) 액체상태 재료 표면이 최소화된다. 이러한 조처에 의해, 액체상태 재료 표면 웨이브들의 교란(disturbing) 및 드롭렛들의 형성이 방지된다. 냉각 채널 및 갭 채널을 형성하는 휠의 덮여진 부분에서의 액체상태 재료 플로우는 더욱 안정되게 되고, 이는 방전 로케이션에서 더 양호한 액체상태 재료 막 안정성으로 나타나게 된다.

양호한 실시예에서, 휠 커버의 냉각 채널의 아웃렛 개구는 피드 라인 및 냉각 디바이스를 통해 인렛 개구에 접속되어, 냉각 회로를 형성하고, 여기에서 열 교환기일 수도 있는 냉각 디바이스는 커버의 인렛 개구에 공급되는 상기 액체상태 재료를 냉각시키도록 치수조정된다. 본 실시예의 추가 개선에서, 냉각 회로에서 액체상태 재료를 액티브하게 순환시키는 펌프가 상기 냉각 회로에 배열된다. 그러한 펌프의 제공없이도, 회전하는 휠 자체의 펌핑 효과는 냉각 채널을 통한 액체상태 재료의 충분한 순환 또는 플로우를 달성하는데 이용될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 펌프에 의해 액체상태 재료를 액티브하게 구동함으로써, 개선되고 더 신뢰성있는 냉각이 달성된다. 특히, 펌프 전력은 최적 냉각 및 방전 생성을 위해 요구되는 시간 당 액체상태 재료의 양을 정확하게 도포하도록 조정될 수 있다.

냉각 채널의 연장부에 형성된 갭 채널은 양호하게는 갭의 폭이 전극 휠의 외주 표면의 폭을 초과하지 않도록 치수조정된다. 본 실시예들의 하나에서, 이러한 갭 채널은 냉각 채널의 길이의 적어도 1/4인 원주 길이 상에 연장된다. 전체 커버는 양호하게는 전극 휠의 주 원주 부분 상에서 원주 방향으로 연장되고, 원주 표면의 주 원주 부분을 덮는다. 주 부분은 전극 휠의 원주 길이의 절반 이상이 덮여 있는 것을 의미한다. 양호하게는, 전극 휠의 원주 길이의 3/4 이상이 전극 휠 커버에 의해 덮여진다.

휠 커버로부터 액체상태 재료의 누설을 방지하기 위해, 냉각 채널 영역 내에 놓여있지 않은 부분들에서, 커버는 휠의 외주 표면 및 사이드 표면들로의 최소 가능 거리로 휠 형태를 재생해야 한다. 실험적으로는, 휠의 외주 표면과 휠 커버 간의 갭은 덮여진 부분에서, 즉 갭 채널에서 0.5mm를 초과해서는 안 된다는 것이 발견되었다. 양호하게는, 갭 높이는 수 십 내지 100 마이크로미터이어야 한다. 액체상태 재료 누설을 피하기 위해, 뿐만 아니라 젖지 않는(non-wetting) 재료들 또는 코팅들은 휠의 사이드 표면들 및 커버의 내부 표면들에게 도포될 수도 있다.

제1 동작 모드에 대해, 휠 커버는 제어된 거리 h에서 고체상태 와이퍼를 동반하는 다소 큰 사이드 표면들로부터 외측 휠 표면까지 모든 액체상태 재료를 제거하는 와이퍼들의 쌍을 포함할 수 있다. 회전하는 전극으로부터 액체상태 재료 드롭렛들을 피하기 위해, 조건 h < 2σ/(ρω²RD)가 만족되어야 되고, 여기에서 ω는 휠들의 각속도를 나타내며 R 및 D는 전극의 반경 및 폭을 나타내고 ρ 및 σ는 액체 재료의 밀도 및 표면 장력을 나타낸다. 외측 표면으로부터의 과도한 액체상태 재료는 어떠한 액체상태 금속도 휠의 사이드들 쪽으로 빠져 나갈 수 없도록 고체상태 와이퍼에 의해 제거되어야 한다.

냉각 효율을 최대화하기 위해, 커버의 액체상태 재료 인렛은 방전 로케이션에 가능한 한 가깝게 배치되어야 한다. 냉각 효과는 인렛 개구를 통해 냉각 채널에 공급된 차가운 액체상태 재료가 방전 로케이션에 가능한 한 근접하여 휠의 뜨거운 부분을 때리는 경우에 더 크다. 이것은 냉각 플로우가 냉각 채널을 통해 휠 회전을 따라, 즉 회전 방향으로 지향되는 경우에 달성된다. 또한, 냉각 채널에서의 압력 구배는 휠 회전의 방향에서의 액체상태 재료 플로우에 대해 더 낮고, 따라서 이러한 실현이 역방향으로의 플로우보다 바람직하다.

액체상태 금속 처리량은 냉각 채널이 액체상태 재료로 거의 완전하게 채워지는 것을 보장하도록 우선적으로 조정되어야 한다. 이것은 조정가능한 펌프 전력을 가지는 상기 설명된 외부 펌프의 이용으로 달성된다. 로컬 액체상태 재료 압력 최대들 및 연관된 액체상태 재료 누설을 감소시키기 위해, 냉각 채널의 설계 시에 비틀림들(kinks)이 피해져야 한다. 양호한 설계에서, 냉각 채널의 인렛 및 아웃렛 개구들은 휠 주변부에 대해 거의 접선방향으로 지향된다.

양호하게는, 제1 동작 모드에 대해, 커버와 외주 표면 사이에 형성된 갭 채널의 아웃렛에 와이퍼 유닛이 배열된다. 본 특허 설명에서 최종 와이퍼로도 불리는 이러한 와이퍼 유닛은, 원하는 막 두께 및 형태가 방전 로케이션에서 달성되는 방식으로, 전극 휠의 회전 동안에 외주 표면 상에서의 액체상태 재료막의 두께를 더 제한하도록 설계된다. 이러한 원하는 막 두께 및 형태는 방전 로케이션에서 최적의 증발 및 방전 생성을 달성하도록 선택된다.

양호하게는, 하나의 단일 와이퍼 소자 또는 함께 동작하는 수 개의 와이퍼 소자들로 형성될 수 있는 최종 와이퍼는 전극 휠의 회전 동안에 사이드 표면들로부터 원주 표면까지의 액체상태 재료의 이동을 금지하거나 적어도 감소시키도록 설계된다. 이것은 전극 휠의 회전 동안에 원주 표면에 인접한 상기 사이드 표면들 상에 남아있는 액체상태 재료를 벗겨내는, 예를 들면 포크와 같은 형태를 가지고 있는 와이퍼 유닛을 이용하여 달성될 수도 있다. 그러한 최종 와이퍼의 제공과 관련한 양호한 실시예에서, 상기 최종 와이퍼의 효과에 의해 생성된 과도한 액체상태 재료를 흡수하도록 하기 위해 오버플로우 채널이 커버에 형성된다. 이러한 오버플로우 채널은 최종 와이퍼에서 너무 높은 액체상태 재료 압력들을 방지한다.

제1 동작 모드와 관련된 추가 양호한 실시예에서, 냉각 채널과 갭 채널 사이에 추가 와이퍼 유닛이 배열되고, 여기에서 본 특허 명세서에서 프리-와이퍼로도 불려지는 이러한 와이퍼 유닛은 외주 표면 상에서의 액체상태 재료막의 두께를 제한시키고 전극 휠의 회전 동안에 사이드 표면들로부터 액체상태 재료를 벗겨내도록 설계된다. 이러한 프리-와이퍼는 냉각 채널로부터 전극 휠 커버에 의해 형성된 갭 채널로의 액체상태 재료의 통과를 제어한다.

전극 휠로의 전류의 공급을 허용하기 위해, 전극 휠 커버의 적어도 일부 또는 상기 커버의 일부인 와이퍼 유닛은 전기적으로 도전성인 재료로 만들어진다. 그리고나서, 높은 전압은 전기적으로 도전성인 도포된 액체상태 재료, 양호하게는 액체상태 주석과 같은 금속 용해물을 통해 전극 휠과의 전기적 접속을 생성하는 전극 휠 커버의 이러한 전기적으로 도전성인 부분에 도포될 수 있다.

원심력, 점성력 및 표면 장력들 하에서 전극 휠의 외주 표면의 덮이지 않은 부분 상에서의 액체상태 재료 프로파일의 에볼루션은 일부 시간 주기 τ 이후에 휠로부터 액체상태 금속 드롭렛들의 해제를 유발할 수도 있다. 이러한 시간 주기는 회전 속도가 증가함에 따라 감소된다. 그러므로, 더 높은 회전 속도들을 달성하기 위해, 제1 동작 모드에서, 최종 와이퍼와, 커버 입구, 즉 커버의 반대 엔드 사이의 거리는 최소화되어야 한다. 이것은 최종 와이퍼 및 커버 입구가 방전 로케이션에 가능한 한 인접하여 배치되어야 된다는 것을 의미한다. 그럼에도 불구하고, 가스 방전 소스에 의해 큰 고체상태 앵글로 방출되는 방사의 자유로운 방출이 허여되어야 한다. 이 때문에, 방전 로케이션 근처에서 휠 커버의 슬림한 설계가 바람직하다.

전극 휠의 높은 회전 속도에서, 강한 원심력들로 인해, 휠의 사이드 표면들은 액체상태 재료가 거의 없게 되고, 휠의 중앙 영역에서 커버와 휠의 사이드 표면들 간의 갭들을 통해 액체상태 재료 누설을 방지한다. 휠 사이드 표면들로부터 액체상태 재료 제거는 프리-와이퍼 및 최종 와이퍼 또는 임의의 다른 와이퍼를 방사상(radial) 방향에 대해 경사지게 함으로써 개선될 수 있다. 이들 이유들로 인해 휠의 사이드 표면들은 액체상태 재료를 거의 가지지 않으므로, 휠 외측 표면 상에서의 액체상태 재료 막 두께의 수용불가능한 증가의 위험없이 휠 회전 속도가 증가될 수 있다. 이러한 개념의 또 하나의 잇점은, 냉각 채널의 상당한 액체상태 재료 압력이 중앙 영역에서 원심력에 의해 보상될 수 있고 따라서 중앙 영역에서의 액체상태 재료의 유출(outflow)없이 냉각 채널을 통한 높은 액체상태 재료 처리량을 허용한다는 점이다. 동시에, 액체 재료와 휠 사이의 접촉 면적은 전극 디바이스의 종래 기술에 따른 설계에 비해 증가될 수 있다. 이것은 결과적으로 전극 휠의 훨씬 더 나은 냉각으로 나타난다.

휠의 회전 속도가 충분히 높게 설정되는 경우, 원심력들은 중력들을 초과한다. 그러므로, 휠 커버의 동작 성능은 중력에 독립되게 된다. 하나의 기준으로서, ω²·R(ω=각 주파수, R=휠 반경)로서 주어지는 원심 가속도는 중력 가속도 g=9.81m/s²보다 더 커야 한다. 특히, 임의의 방향 및 심지어 휠의 수평 위치가 이와 같은 방식으로 실현될 수 있다.

본 발명의 이들 및 다른 양태들은 이하에 설명된 실시예들로부터 명백하고 이들을 참조하여 설명될 것이다.

제안된 전극 디바이스 및 가스 방전 소스는 청구항들에 의해 정의된 보호 범주를 제한시키지 않고 첨부된 도면들과 관련하여 이하에서 예들을 통해 설명된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전극 디바이스의 제1 예의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 추가 실시예에 따른 전극 디바이스를 구비하는 가스 방전 소스의 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전극 디바이스의 제2 예의 단면도이다.
도 5는 액체상태 재료의 가능한 도포 모드를 도시하는 개략도이다.

도 1은 본 발명에 따른 2개의 전극 디바이스들(1, 2)을 구비하는 예로 든 가스 방전 소스의 개략도를 도시하고 있다. 전극 디바이스들(1, 2)은 회전하는 전극 휠들(7)의 특별히 설계된 인캡슐레이션 또는 커버(8), 및 가스 방전의 생성을 위해 이러한 가스 방전 소스에 이용되는 액체상태 금속의 강제된 플로우를 특징으로 하고 있다.

개선된 가스 방전 소스는 전력 서플라이(4)에 의해 충전되는 커패시터 뱅크(3)에 접속되는 2개의 회전하는 전극 디바이스들(1, 2)로 구성된다. 가스 방전 소스의 동작 동안에, 액체상태 금속이 전극 휠들(7)의 외주 표면에 도포되어 방전 로케이션(6)에서 이러한 표면 상에 얇은 액체상태 금속막을 형성한다. 에너지 빔(5), 예를 들면 레이저 빔은 회전하는 전극 휠들(7) 중 하나의 외주 표면으로 지향되어, 방전 로케이션(6)에서 액체상태 금속의 일부를 증발시키고 전극 디바이스들(1, 2) 사이에서 전기적 방전을 유도한다. 전극 휠들(7) 상에 액체상태 금속으로서 액체상태 주석과 같은 적절한 금속 용해물을 도포하는 경우에, 방전은 EUV 방사를 생성하고, 즉, 도 1에 따른 가스 방전 소스는 EUV 램프로서 작용한다.

전극 디바이스들(1, 2)의 각각은 회전축(22)을 중심으로 회전하고 커버 구성, 즉 휠 커버(8)에 의해 인캡슐레이팅되는 전극 휠(7), 액체상태 금속 펌프(9) 및 냉각 디바이스(10)로 구성된다. 휠 커버(8)의 설계는 제안된 전극 디바이스 및 가스 방전의 핵심 부분이다. 이러한 휠 커버(8)의 주요한 특징들은 도 2를 참조하여 이하에 설명된다.

도 2는 휠 커버(8)에 의해 덮여지는 전극 휠(7)의 단면도를 도시하고 있다. 회전 방향은 전극 휠(7)의 중앙 영역(21)에서 곡선형 화살표로 표시된다. 그 원주 주변부의 주요 부분 상에서 전극 휠(7)을 인캡슐레이팅하는 전극 휠 커버(8)는 2개의 섹션들을 포함한다. 제1 섹션에서, 냉각 채널(12)은 전극 휠(7)의 외주 표면(24), 사이드 표면들(25)의 방사상 외측 부분들, 및 휠 커버(8)의 사이에 형성된다. 덮여진 부분(16)이라고도 불리는 제2 섹션에서, 냉각 채널(12)의 연장부에서, 커버(8)는 외주 표면(24)으로의 작은 거리를 가지는 휠 형태를 따라, 외주 표면(24)과 휠 덮여진 부분(16)의 사이에서 작은 갭(23)을 형성한다.

냉각 채널과 이러한 작은 갭(23) 사이의 변이점에서, 프리-와이퍼(15)가 배치되어 휠(7)의 외주 표면(24) 상의 액체상태 금속의 막 두께를 제한하고 사이드 표면들(25)로부터 액체상태 금속의 적어도 일부를 벗겨낸다. 냉각 채널(12)의 아웃렛(14)은 냉각 채널(12)의 이러한 엔드에 배열된다. 냉각 채널(12)로의 액체상태 재료에 대한 인렛(13)은 도 2로부터 알 수 있는 바와 같이 휠 커버 입구(11)에 근접하여 배열된다.

최종 와이퍼(17)는 갭(23)의 개방 엔드에 배열되어, 전극 휠(7)의 외주 표면(24) 상에서 액체상태 금속막을 제한하고 형성시킨다. 이러한 최종 와이퍼(17)의 위치에서, 소위 오버플로우 채널(18)이 휠 커버(8)에 형성되어 이러한 로케이션에서 과도한 액체상태 재료를 배출시킨다. 최종 와이퍼(17)의 앞에서, 커버(8, 16)는 갭 채널(23)이 오버플로우 채널(18)로의 과도한 액체상태 금속의 실질적으로 제한되지 않은 플로우를 허용하도록 더 넓게 되도록 제조된다.

전극 휠의 영역(19)은 액체상태 금속막의 펄스형 증발, 방전 로케이션(20)에서의 방전의 형성을 허용하고 EUV 광의 자유로운 방사를 가능하게 하도록 덮여지지 않는다.

도 2는 또한 냉각 채널(12)의 라인 A-A, 프리-와이퍼(15)를 포함하는 갭(23)의 라인 B-B, 및 최종 와이퍼 로케이션에서 라인 C-C에 따른 확대된 단면도들을 도시하고 있다. 이들 확대된 단면도들로부터 자명한 바와 같이, 냉각 채널(12)의 연장부에서 전극 휠 커버(8)와 전극 휠(7)의 외주 표면(24) 사이에 형성된 갭(23)의 단면은 냉각 채널(12)의 단면보다 훨씬 더 작다. C-C에 따른 확대된 단면도에서, 오버플로우 채널(18)이 인식될 수 있다.

휠 커버(8)의 냉각 채널(12), 액체상태 금속 펌프(9) 및 냉각기(10)는 루프를 형성하여 도 1에 도시된 바와 같이 순환하는 액체상태 금속 플로우를 허용한다. 이러한 루프에서, 연속적인 열 전달은 회전하는 전극 휠(7)로부터 액체상태 금속 펌프(9)를 통해 냉각 디바이스(10)로 달성된다. 전극 휠들이 담가지는 액체상태 금속 배스(bath)들을 이용하는 종래 기술에 따른 개념들과 비교하여, 냉각 디바이스의 기하학적 형태는 임의의 배스 치수들로 제한되지 않고 따라서 매우 높은 발산 전력에 대해서도 효율적인 열 전달을 보장하도록 임의로 선택될 수 있다. 액체상태 금속의 플로우가 펌프(9)에 의해 강제되기 때문에, 휠 표면에 따른 차가운 액체상태 금속의 플로우 속도는 단지 휠 속도만이 효율적인 종래 기술과 비교하여 매우 크게 증가될 수 있다. 이것은 결론적으로 훨씬 더 큰 열 트랜스포트, 훨씬 더 효율적인 냉각 및 더 낮은 평균 휠 온도로 나타난다.

휠 커버(8)의 작용 원리가 이하에 설명된다. 전극 휠(7)이 전기 방전에 의해 가열되는 방전 영역(6, 20)으로부터 시작하여, 뜨거운 휠은 휠 커버 입구(11)를 통해 냉각 채널(12)로 통과하여, 액체상태 금속 플로우에 의해 냉각된다. 액체상태 금속 플로우는 펌프(9)에 의해 구동되어 액체상태 금속 인렛(13)에 의해 냉각 채널(12)로 주입된다. 액체상태 금속의 플로우는 화살표들로 표시된다. 도 2의 라인 A-A에 따른 확대된 단면도에서 명백하게 인식될 수 있는 바와 같이, 냉각 채널(12)은 액체상태 금속으로 둘러싸여지는 전극 휠(7)의 외주 표면(24) 및 사이드 표면들(25)의 외측 부분들의 냉각을 허용한다. 냉각 효율을 증가시키기 위해, 액체상태 금속의 플로우 속도는 양호하게는 전극 휠(7)의 원주 속도보다 더 크다. 냉각 채널(12)을 통과한 후, 대부분의 액체상태 금속은 프리-와이퍼(15)에 의해 휠 표면으로부터 제거된다. 액체상태 금속의 이러한 부분은 아웃렛(14)에서 냉각 채널(12)을 떠나고 있고, 주요한 액체상태 금속 플로우는 외부 열 교환기(냉각 디바이스(10))에 지향되며, 단지 작은 부분의 액체상태 금속만이 휠 표면 상에 유지되어 덮여있는 부분(16)의 갭 영역(23)에 들어간다. 냉각 채널이 아웃렛(14)을 향하여 외주 표면(24) 및 사이드 표면들(25)의 방사상 외측 부분들을 떠나는 변이점에서 구축되는 압력을 피하기 위해, 커버는 어떠한 정체 포인트들도 발생할 수 없도록 설계되어야 한다. 덮여진 부분(16)은 외주 표면(24) 상에 남아있는 액체상태 금속막의 이동 동안에 휠로부터 최종 와이퍼(17)로의 액체상태 금속 드롭렛들의 이탈을 방지한다. 최종 와이퍼(17)는 휠(7)의 외주 표면(24) 상에 액체상태 금속막을 형성하여, 방전 로케이션(20)에서 요구되는 막 두께를 보장한다. 과도한 액체상태 재료는 오버플로우 채널(18)을 통해 제거되어, 최종 와이퍼(17) 앞에서 너무 높은 액체상태 금속 압력들을 방지한다. 이것은 최종 와이퍼(17) 뒤에서 외주 휠 표면 상에서 액체상태 금속량을 제어하는 것을 허용한다. 운동 압력들을 최소화시키기 위해, 오버플로우 채널(18)은 플로우 방향의 급속한 변경들을 피하는 방식으로 설계되거나 부착되어야 한다. 도 2에서, 이것은 갭 채널(23)이 와이퍼(17)의 전방에서 더 넓게 되어 과도한 액체상태 금속의 오버플로우 채널(18)로의 실질적으로 제한되지 않은 플로우를 허용하도록 실현된다.

오버플로우 채널(18)은 냉각 루프 내에서 추가적인 포트에 접속되어 오버플로우 액체상태 재료를 재이용하고 냉각 회로에서의 액체상태 재료 손실들을 방지한다. 전극 휠(7)의 덮이지 않은 부분(19)에서, 액체상태 금속은 부착력들 및 표면 장력으로 인해 휠 표면 상에 남아있다. 방전 영역(20)을 통과한 후, 휠은 다시 한번 냉각 채널(12)에 들어가고 있고, 거기에서 냉각되며, 휠 표면 상의 액체상태 금속막이 재생된다. 상기 설명으로부터, 전극 휠(7)은 정지 상태로 장착된 전극 휠 커버(8) 내에서 회전한다는 것은 자명하다.

상기 도면들에서, 액체상태 금속에 대한 어떠한 추가적인 저장소도 도시되어 있지 않지만, 방전 소스의 충분히 긴 연속적인 동작을 보장하기 위해, 냉각 회로 내부의 액체상태 재료의 전체 양에 따라, 그러한 저장소가 냉각 루프에서 이용될 수 있다. 또한, 휠 커버(8) 및 와이퍼들(15, 17)의 재료는 구조적으로 안정되고 액체상태 금속에 화학적으로 내성이 있어야 한다는 것은 말할 나위도 없이 당연하다. 전극 휠(7)로의 전기적 접촉을 가능하게 하기 위해, 휠 커버(8)의 적어도 하나의 부분은 전기적으로 도전성이어야 한다.

도 3은 본 발명에 따라 2개의 전극 디바이스들(1, 2)을 구비하는 가스 방전 소스의 추가 실시예의 개략도를 도시하고 있다. 가스 방전 소스는 전력 서플라이(4)에 의해 충전되는 커패시터 뱅크(3)에 접속된 2개의 회전하는 전극 디바이스들(1, 2)을 포함한다. 에너지 빔(5), 예를 들면 레이저 빔이 인가되어, 방전 로케이션(6)에서 회전하는 전극으로부터 일부 액체상태 금속을 증발시키고 전극 디바이스들(1, 2) 사이에서 전기적 방전을 유도하며 따라서 원하는 EUV 방사를 생성한다.

회전하는 전극 디바이스들(1, 2)의 각각은 본 특허 명세서에서는 휠 커버(8)로 불리는 커버 구성에 의해 인캡슐레이팅되는 회전하는 전극 휠(7), 액체상태 금속 펌프(9), 냉각 디바이스(10) 및 액체상태 금속 주입 유닛(26)으로 구성된다. 휠 커버(8), 액체상태 금속 펌프(9) 및 냉각기(10)는 폐루프를 형성하여, 순환하는 액체상태 금속 플로우를 허용한다. 이러한 루프에서, 회전하는 전극 휠(7)로부터 액체상태 금속 펌프(9)를 통해 냉각기(10)로의 연속적인 열 전달이 있다. 액체상태 금속 주입 유닛(26)은 회전하는 금속 휠(7) 상에, 양쪽 경우들에서 액체상태 주석일 수 있는 액체상태 금속 재료를 제공한다. 액체상태 금속 주입 유닛(26)은 EUV 소스의 요구된 가동시간을 가능하기에 충분한 용량을 가지는 액체상태 금속 저장소를 포함할 수도 있다.

회전하는 전극 디바이스들(1, 2)의 설계는, 단순성을 위해 전극 디바이스들 중 하나만을 도시하고 있는 도 4를 참조하여 이하에 설명된다. 본 실시예에서, 도 1 및 2의 실시예의 효율적인 전극 냉각 개념이 분리된 액체상태 금속 전극 코팅 시스템과 조합된다. 회전하는 전극 디바이스는 이하의 소자들을 포함한다.

- 휠 커버 입구(11),

- 액체상태 금속 인렛(13) 및 아웃렛(14)을 구비하는 냉각 채널(12),

- 냉각 채널(12) 바로 뒤에 놓여지는 와이퍼(27),

- 액체상태 금속 주입 유닛(26), 및

- 방전 로케이션(20)에 노출된 액체상태 금속 덮여진 부분(28).

이러한 회전하는 전극 디바이스의 동작 원리는 이하에 설명된다. 전극 휠(7)이 전기적 방전에 의해 가열되는 방전 로케이션(20)으로부터 시작하여, 뜨거운 휠이 휠 커버 입구(11)를 통해 냉각 채널(12)로 통과하여, 여기에서 액체상태 금속 플로우에 의해 냉각된다. 냉각 채널을 통과하고 아웃렛(14)에서 이를 떠난 후에, 액체상태 금속 플로우는 외부 열 교환기, 즉 냉각 유닛(10)으로 지향된다. 와이퍼(27)는 휠 표면으로부터 액체상태 금속을 완전하게 제거한다. 휠 커버(8)와 방전 로케이션(20) 사이에서 액체상태 금속 주입 유닛(26)은 액체상태 금속을 전극 표면에 전달한다. 결과적으로, 방전에 앞서서 전극 표면 상에, 방전 부착물들(attachments)의 로케이션들에 대응하는 연속적인 얇은 액체상태 금속막 또는 액체상태 금속 "아일랜드들"이 형성된다. 전극 표면 상의 액체상태 금속은 나중에 방전 로케이션(20)에서 전기적 방전을 위한 연료로서 이용된다.

액체상태 금속 주입 유닛(26)은 냉각 채널(12)로부터 분리되어 있으므로, 상기 제1 실시예와 비교하여 방전 로케이션(20)에서 전극 상의 액체상태 금속 커버리지를 제어하는 것이 훨씬 더 용이하다. 예를 들면, 액체상태 금속막 두께는 액체상태 금속 플로우를 가변시킴으로써 수 마이크로미터 내지 수백 마이크로미터의 범위에서 조정될 수 있다. 액체상태 금속 전극 커버리지는 액체상태 금속 비딩(29, beading)을 전극이 보호되어야 되는 위치에 가져옴으로써 최적화될 수 있는데 반해, 전극의 나머지 부분들은 도 5에 개략적으로 도시된 바와 같이 덮여있지 않고 유지될 수 있다(덮이지 않은 부분(30)). 이들 조처들은 전극 상의 액체상태 금속의 양을 최소화시키고 따라서 가능한 최고의 전극 원주 속도를 얻을 수 있도록 허용한다. 방전에 의해 발생되는 파편의 양도 또한 최소화된다.

전극 상의 액체상태 금속 량의 추가 감소는 주입 유닛(26)에 또는 그것으로서 예를 들면 드롭렛 발생기를 이용하여, 전극 표면 상에 분리된 영역들 또는 "아일랜드들"을 형성하는 액체상태 금속을 간헐적으로 전달함으로써 달성될 수 있다. 광학 검출 방법은 트리거링 에너지 빔(5)을 액체상태 금속 아일랜드 상으로 타겟팅하도록 적용될 수 있다.

예를 들면 주석과 같이, 정상적인 실온에서 고체상태인 액체상태 금속들과의 이용을 위해, 추가적인 가열 소자들은 커버(8) 및 액체상태 금속 냉각 회로(유닛들(9, 10) 및 접속 튜브들)에 통합되거나 이들에게 적용되어 커버(8) 및 냉각 회로에서 액체상태 주석의 용융을 허용할 수 있다. 이러한 수단에 의해, 시스템 스틸-스탠드(still-stand) 이후에 적절한 동작 조건들이 도달될 수 있다.

낮은 전력 동작에 대해, 휠 커버(8)는 열 전도에 의해 예를 들면 오일 또는 또 하나의 액체상태 금속으로 직접적으로 냉각되거나, 예를 들면 오일 또는 또 하나의 액체상태 금속을 이용하는 냉각 채널들을 포함할 수도 있다.

본 발명은 상기 상세한 설명 및 도면에서 상세하게 예시되고 설명되었지만, 그러한 예시 및 설명은 제한적인 것이 아니라 예시적이거나 예로 든 것으로 간주되어야 하고 본 발명은 개시된 실시예들로 제한되지 않는다. 상기 및 청구항들에서 설명된 상이한 실시예들이 조합될 수도 있다. 개시된 실시예들에 대한 다른 변동들은, 본 기술분야의 숙련자들에 의해 도면들, 공보 및 첨부된 청구항들의 검토로부터, 청구된 발명을 실시할 때 이해되고 실행될 수 있다. 예를 들면, 도 1 및 3에 도시된 것과 상이한 각도에서 전극 휠들을 배열할 수도 있다. 또한, 냉각 채널 및 냉각 채널의 연장부에서 갭 또는 와이퍼 유닛의 기재된 기능이 유지되는 한, 전극 휠 커버의 구성은 도면들에서 도시된 것과 기하학적으로 상이할 수 있다. 제1 또는 제2 동작 모드를 언급하지 않은 상세한 설명의 패시지들(passages)은 양쪽 모드들에게 적용될 수도 있다.

청구항들에서, 단어 "포함하는(comprising)"은 다른 구성요소들 또는 단계들을 배제하지 않고 부정 관사 "하나(a, an)"는 복수를 배제하지 않는다. 조처들이 상호 상이한 종속 청구항들에서 인용된다는 단순한 사실은, 이들 조처들의 조합이 이익을 가져오는데 이용될 수 없다는 것을 나타내는 것은 아니다. 청구항들에서의 참조 부호들은 이들 청구항들의 범주를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다.

1: 전극 디바이스
2: 전극 디바이스
3: 커패시터 뱅크
4: 전력 서플라이
5: 에너지 빔
6: 방전 로케이션
7: 회전하는 전극 휠
8: 휠 커버
9: 액체상태 금속 펌프
10: 냉각 디바이스
11: 커버 입구
12: 냉각 채널
13: 액체상태 금속 인렛
14: 액체상태 금속 아웃렛
15: 프리-와이퍼
16: 덮여진 부분
17: 최종 와이퍼
18: 오버플로우 채널
19: 덮이지 않은 부분
20: 방전 로케이션
21: 중앙 영역
22: 회전축
23: 갭
24: 외주 표면
25: 사이드 표면들
26: 액체상태 금속 주입 유닛
27: 와이퍼
28: 액체상태 금속 덮여진 부분
29: 액체상태 금속 비딩(beading)
30: 덮이지 않은 부분

Claims (17)

1. 가스 방전 소스들에 대한 전극 디바이스에 있어서,
   회전축(22)을 중심으로 회전 방향으로 회전가능한 전극 휠(7) - 상기 전극 휠(7)은 2개의 사이드 표면들(25) 사이에서 외주 표면(outer circumferential surface, 24)을 구비함 -, 및
   상기 외주 표면(24) 및 상기 사이드 표면들(25)의 일부를 덮는 전극 휠 커버(8)
   를 적어도 포함하고, 상기 커버(8)는,
   상기 커버(8), 상기 외주 표면(24) 및 상기 사이드 표면들(25)의 방사상 외측 부분의 사이에 원주 방향으로 냉각 채널(12)을 형성하도록 설계되며, 상기 냉각 채널(12)은 액체상태 재료에 의해 상기 전극 휠(7)을 냉각하기 위해 상기 냉각 채널(12)을 통한 상기 액체상태 재료의 플로우를 허용하는 상기 커버(8)에서의 인렛 및 아웃렛 개구(13, 14)를 포함하며,
   상기 커버는 원주 방향으로의 상기 냉각 채널(12)의 연장부에서 상기 커버(8)와 상기 외주 표면(24) 사이에 갭(23)을 형성하거나 - 상기 갭은 상기 냉각 채널(12)보다 더 작은 플로우 단면을 가지고 있으며 전극 휠(7)의 회전 동안에 상기 외주 표면(24) 상에 형성된 상기 액체상태 재료의 막의 두께를 제한함 -, 냉각 채널(12)을 통해 흐르는 액체상태 재료로부터 원주 방향으로의 상기 냉각 채널(12)의 연장부에서 그러한 막의 형성을 금지하도록 더 설계되는 전극 디바이스.
2. 제1항에 있어서, 상기 전극 휠 커버(8)는 상기 막의 형성을 금지하거나 상기 막의 두께를 가능한 최소 두께로 제한하는 적어도 하나의 와이퍼 유닛(27)을 포함하는 전극 디바이스.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
   상기 커버(8) 및 가스 방전 생성의 로케이션(20) 사이에서 상기 외주 표면(24) 상에 액체상태 재료를 도포하도록 배열된 액체상태 재료 도포 유닛(26)을 더 포함하는 전극 디바이스.
4. 제3항에 있어서, 상기 액체상태 재료 도포 유닛(26)은 상기 외주 표면(24) 상에 형성하는 상기 재료의 얇은 비딩(29)이 상기 표면의 전체 폭을 덮지 않도록 액체상태 재료를 도포하도록 설계되는 전극 디바이스.
5. 제1항에 있어서, 상기 아웃렛 개구(14)는 피드 라인 및 냉각 디바이스(10)를 통해 상기 인렛 개구(13)에 접속되어 냉각 회로를 형성하고, 상기 냉각 디바이스(10)는 상기 커버(8)의 상기 인렛 개구(13)에 공급된 상기 액체상태 재료를 냉각하도록 설계되는 전극 디바이스.
6. 제5항에 있어서,
   상기 냉각 회로 내에 펌프(9)가 배열되고, 상기 펌프(9)는 냉각 회로에서 상기 액체상태 재료를 순환시키도록 설계되는 전극 디바이스.
7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
   상기 냉각 회로는 상기 냉각 채널(12)을 통해 전극 휠(7)의 회전 방향으로의 상기 액체상태 재료의 플로우를 제공하도록 설계되는 전극 디바이스.
8. 제1항에 있어서,
   상기 인렛 및 아웃렛 개구들(13, 14)은 전극 휠(7)의 원주 표면(24)에 실질적으로 접선방향으로 연장되도록 설계되는 전극 디바이스.
9. 제1항에 있어서, 상기 커버(8)는 전극 휠(7)의 주 원주 부분 상에 연장되는 전극 디바이스.
10. 제1항에 있어서,
    와이퍼 유닛(17)은 상기 갭(23)의 개방 엔드에 배열되고, 상기 와이퍼 유닛(17)은 상기 전극 휠(7)의 회전 동안에 상기 외주 표면(24) 상의 액체상태 재료막의 두께를 더 제한하도록 설계되는 전극 디바이스.
11. 제10항에 있어서,
    상기 와이퍼 유닛(17)은 상기 전극 휠(7)의 회전 동안에 원주 표면(24)에 인접하는 상기 사이드 표면들(25)의 부분들에서 액체상태 재료를 벗겨내도록 설계되는 전극 디바이스.
12. 제10항에 있어서, 오버플로우 채널(18)은 과도한 액체상태 재료를 배출하도록 갭(23)의 상기 개방 엔드에 형성되는 전극 디바이스.
13. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 채널(12)과 상기 갭(23)의 사이에 와이퍼 유닛(15)이 배열되고, 상기 와이퍼 유닛(15)은 전극 휠(7)의 회전 동안에 상기 외주 표면(24) 상의 액체상태 재료막의 두께를 제한시키고 상기 사이드 표면들(25)로부터 액체상태 재료를 벗겨내도록 설계되는 전극 디바이스.
14. 제1항에 있어서,
    상기 커버(8)의 적어도 일부는 상기 커버(8) 및 액체상태 재료를 통한 전극 휠(7)로의 전류의 공급을 허용하도록 전기적으로 도전성인 전극 디바이스.
15. 제1항에 따른 전극 디바이스를 포함하는 가스 방전 소스에 있어서,
    상기 전극 디바이스(1, 2)는 방전 영역(6, 20)에서 최소 거리를 가지도록 배열되는 상기 가스 방전 소스의 2개의 전극들 중 적어도 제1의 전극을 형성하는 가스 방전 소스.
16. 제15항에 따른 가스 방전 소스를 동작시키는 방법에 있어서,
    냉각 채널(12)의 액체상태 재료의 플로우 속도는 전극 휠(7)의 원주 속도 ω·R보다 더 높고, 여기에서 ω=2πf는 각회전 주파수이며 R은 전극 휠(7)의 반경인 가스 방전 소스 동작 방법.
17. 제15항에 따른 가스 방전 소스를 동작시키는 방법에 있어서,
    전극 휠(7)은 회전 동안에 외주 표면(24)에서 액체상태 재료에 작용하는 ω²·R의 원심 가속도가 g=9.81m/s²의 중력 가속도보다 더 크도록 보장하는 각 주파수 ω로 구동되며, 여기에 R은 전극 휠(7)의 반경인 가스 방전 소스 동작 방법.

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