KR20100055095A - 태양전지용 전극선재 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어진 기재 및 상기 기재의 표면에 적층된 도금층을 포함하며,
상기 도금층이 순차적으로 적층된 제1 도금층 및 제2 도금층을 포함하며,
상기 제1 도금층이 아연으로 이루어지며, 상기 제2 도금층이 주석으로 이루어지는 태양전지용 전극선재가 제시된다.
태양전지, 전극선재
Description
본 발명은 태양전지용 전극선재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 알루미늄 기재에 아연 도금층 및 주석 도금층이 형성된 태양전지용 전극선재 및 그 제조방법에 관한 것이다.
태양전지가 차세대 재생에너지로서 많은 연구의 대상이 된다. 태양전지는 실리콘반도체 태양전지, 화합물반도체 태양전지, 염료감응 태양전지 등으로 분류된다. 실리콘 태양전지에는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등이 사용된다. 화합물반도체 태양전지에는 CdTe, CIGS(CuInGaSe), GaAs 등이 사용된다. 염료감응 태양전지는 포피린 등의 염료가 사용된다. 상기 실리콘반도체 또는 화합물반도체가 높은 광전변환 효율로 인하여 널리 사용된다.
최근에는 비용절감을 위하여 두께가 감소된 반도체 기판이 널리 사용된다. 따라서, 상기 반도체 기판의 배면전극으로 사용되기 위하여는 기판과 접착력이 우수하고 접착시에 열변형이 최소화되어야 한다.
본 발명의 한 측면은 반도체 기판과의 접착력이 우수한 태양전지용 전극선재를 제공하는 것이다.
본 발명이 다른 한 측면은 상기 태양전지용 전극선재의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 측면에 따라 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어진 기재 및 상기 기재의 표면에 적층된 도금층을 포함하며,
상기 도금층이 순차적으로 적층된 제1 도금층 및 제2 도금층을 포함하며,
상기 제1 도금층이 아연으로 이루어지며, 상기 제2 도금층이 주석으로 이루어지는 태양전지용 전극선재가 제공된다.
본 발명의 다른 한 측면에 따라 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 기재를 징케이트액으로 처리하는 제1 활성화 단계;
상기 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 1 식각 단계;
상기 제1 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제2 활성화 단계;
상기 제2 활성화 단계에서 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 2 식각 단계;
상기 제2 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제3 활성화 단계; 및
상기 식각된 기재의 표면에 주석 도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지용 전극선재의 제조방법이 제공된다.
본 발명의 한 측면에 따르면 알루미늄 또는 알루미늄 합금 기재 상에 아연도금층 및 주석도금층을 순차적으로 형성함에 의하여 반도체 기판과의 접착력이 현저히 향상될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 일실시예 따른 태양전지용 전극선재 및 그 제조방법에 관하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재는 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어진 기재 및 상기 기재의 표면에 적층된 도금층을 포함하며, 상기 도금층이 순차적으로 적층된 제1 도금층 및 제2 도금층을 포함하며, 상기 제1 도금층이 아연으로 이루어지며, 상기 제2 도금층이 주석으로 이루어진다. 상기 전극선재의 단면도가 도 1에 도시된다.
도1 및 도 2에서 기재의 일면에만 도금층이 형성되지만 상기 도금층이 상기 기재의 양면에 형성될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
상기 알루미늄 또는 알루미늄 합금 기재(substrate)는 다양한 형태일 수 있다. 예를 들어, 호일(foil), 선(wire) 등일 수 있다.
상기 아연으로 이루어진 제1 도금층은 알루미늄 기재상에 이종금속의 도금을 가능하게 하는 역할을 하며, 상기 주석으로 이루어진 제2 도금층은 전극선재와 태양전지 반도체 기판과의 접착력을 강화시키는 역할을 한다. 또한, 상기 태양전지는 150 내지 300℃의 저온에서 행해지는 가열 프레스 접합에 의하여 태양전지 반도체 기판과의 접합이 가능하므로 300℃ 초과의 고온 열처리 조건이 요구되지 않아 반도체 박막 기판의 손상 등의 문제가 없다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 상기 제1 도금층의 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 상기 두께가 0.1㎛ 미만인 경우에는 알루미늄상에 아연도금층의 균일도가 떨어져 이종금속의 도금 시 이종금속이 도금되지 않을 수 있으며, 상기 두께가 10㎛ 초과인 경우에는 이종금속과 아연도금층과의 금속간화합물(intermetallic compound)이 생겨 부식이 발생하여 저항이 커지게 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 상기 제2 도금층의 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 상기 두께가 0.1㎛ 미만인 경우에는 전극소재와 태양전지 기판과의 밀착력이 저하될 수 있으며, 상기 두께가 10㎛ 초과인 경우에는 태양전지의 구동 시 저항이 커지게 되어 태양전지의 효율이 떨어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 상기 제2 도금층의 표면 저항이 1×10-6Ohm 내지 1000×10-6Ohm인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 수 마이크로 옴(Ohm) 내지 수백 마이크로 옴(Ohm)인 것이 바람직하다. 상기 표면 저항이 1000×10-6Ohm 초과인 경우에는 태양전지의 충방전 시 효율이 저하될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 제1 도금층이 징케이트액에 의하여 형성되는 것이 바람직하다. 징케이트액에 의하여 제1 도금층이 형성될 경우 알루미늄 및 알루미늄 합금상에 균일하게 징케이트가 처리가 되는 장점이 있다. 상기 징케이트액에 대한 구체적인 사항은 아래의 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 설명한다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 상기 제1 도금층과 제2 도금층 사이에 구리로 이루어진 제 3 도금층이 추가적으로 형성될 수 있다. 상기 구리로 이루어진 제2 도금층은 아연 도금층과 주석 도금층이 서로 직접 접촉할 경우 발생하는 부식을 방지하는 역할을 할 수 있다. 또한, 제1도금층과 제2도금층 사이에 구리를 도금함으로써 전극선재의 저항을 낮추어 주는 역할을 하게 된다. 상기 전극선재의 단면도가 도 2에 도시된다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재에서 상기 제3 도금층의 두께가 0.05㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다. 상기 두께가 0.05㎛ 미만인 경우에는 구리 피막의 균일도가 저하될 수 있으며, 상기 두께가 10㎛ 초과인 경우에는 구리피복이 알루미늄상에서 쉽게 벗겨져 버릴 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법은 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 기재를 징케이트액으 로 처리하는 제1 활성화 단계; 상기 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 1 식각 단계; 상기 제1 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제2 활성화 단계; 상기 제2 활성화 단계에서 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 2 식각 단계; 상기 제2 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제3 활성화 단계; 및 상기 식각된 기재의 표면에 주석 도금층을 형성하는 단계;를 포함한다.
먼저 알루미늄 또는 알루미늄 합금 기재를 징케이트 액에 침지하여 기재의 표면에 아연 피막을 형성시킨다(활성화단계). 형성된 아연 피막의 표면이 불규칙하기 때문에 상기 징케이트액으로 처리된 기재의 표면에 형성된 아연을 일정부분 식각액으로 식각한다(식각단계). 이어서, 상기 식각액으로 식각되어 균일한 표면을 가지는 아연 피막 위에 주석 도금층을 형성하여 태양전지용 전극선재를 제조한다. 상기 활성화 단계가 2회 이하이면 알루미늄 기재와 아연 도금층의 견고함이 저하되어 밀착력이 낮아진다.
상기 태양전지용 전극선재의 제조방법에 사용되는 징케이트액은 수산화나트륨 50~500g/L, 산화아연 5~50g/L, 타르타르산(C4H6O6) 5~100g/L, 질산칼륨 0.1~10g/L, 및 염화제2철 0.1~10g/L를 포함할 수 있다. 상기 징케이트 액의 용매는 물이며 기타 첨가제 등이 첨가될 수 있다. 이러한 징케이트액 조성이 본 발명의 과제 달성에 적합하다.
상기 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 단계에서 사용되는 식 각액은 질산을 포함하는 용액이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 주석 도금층은 전해 도금 또는 침지(immersion) 도금에 의하여 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 주석 도금층이 황산주석 10~100g/L, 및 황산 50~300g/L을 포함하는 전해액에서 1~10A/dm2의 전류밀도로 5~200초간 전류를 흘려주는 전해 도금(electroplating)에 의하여 형성될 수 있다. 이러한 전해 도금 조건이 본 발명의 과제 달성에 적합하다. 또한, 상기 전해액은 술폰산계 첨가제를 추가적으로 포함할 수 있다.
상기 전해액에 추가적으로 사용되는 술폰산계 첨가제는 페놀술폰산(phenol sulfonic acid), 메탄술폰산(methane sulfonic acid) 또는 이들의 혼합물일 수 있다. 상기 술폰계 첨가제는 이온 안정제로서 전해액 내에서 주석 이온을 안정화시켜 전해액의 수명을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 주석 도금층을 형성하는 단계 전에, 상기 식각된 기재의 표면에 구리 도금층을 형성하는 단계;를 추가적으로 포함하는 것이 바람직하다. 상기 구리 도금층은 아연 도금층과 주석 도금층이 서로 직접 접촉할 경우 발생하는 부식 문제를 방지할 수 있다.
상기 구리 도금층 형성 단계에서 구리 도금층은 황산구리 50~300g/L, 황산 10~100ml/L를 포함하는 전해액에서 1~10A/dm2의 전류밀도로 5~200초간 전류를 흘려 주어 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 도금 조건이 본 발명의 과제 달성에 적합하다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 징케이트액으로 처리하는 단계 전에, 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 기재를 탈지액으로 처리하는 단계; 상기 탈지액으로 처리된 기재를 식각액으로 처리하는 단계; 및 상기 식각된 기재를 스머트 제거액으로 처리하는 단계;를 추가적으로 포함하는 것이 바람직하다.
상기 탈지 단계는 기재 표면에 부착된 유지 성분을 제거하는 단계이다. 상기 식각액으로 처리하는 단계는 알루미늄 또는 알루미늄합금의 표면에 형성된 산화알루미늄을 제거하는 단계이다. 상기 스머트 제거액으로 처리하는 단계는 산화알루미늄이 제거된 기재 표면에 존재하는 미세 불순물을 제거하는 단계이다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 탈지 단계는 화학적 용액을 이용하여 유지 성분을 세척하는 화학적 탈지 또는 열을 가하여 유지 성분을 분해하는 열에 의한 탈지에 의하여 수행될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 산화알루미늄 식각액은 수산화나트륨, 인산, 질산 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법에서 상기 스머트 제거액은 질산 50~500g/L를 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 200~500g/L이며, 가장 바람직하게는 300~500g/L이다. 상기 질산 함량이 본 발 명의 과제 달성에 적합하다. 상기 스머트 제거액으로 스머트를 제거하는 시간은 30초 내지 5분이 바람직하다.
이하 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시예에서 사용되는 전해액 등 각종 용액의 잔량을 구성하는 성분은 별도로 언급하지 않으면 물이다.
(제1 도금층(Zn) 및 제2 도금층(Sn)이 형성된 전극선재의 제조)
실시예 1
1) 탈지 단계
25℃에서 알루미늄함금 호일(AL 1050-H18 합금)을 탈지액에 3분 동안 침지시켜 표면에 존재하는 유지성분을 제거하였다. 탈지액은 메탄올을 사용하였다.
2) 산화막 식각 단계
상기 탈지된 알루미늄 호일을 상온에서 수산화나트륨 50g/L 및 잔량의 물을 포함하는 식각액에 30초간 침지시켜 산화막을 제거하였다.
3) 디스머트(desmut) 단계
상기 산화막이 식각된 알루미늄 호일을 25℃에서 질산 300g/L 및 잔량의 물을 포함하는 스머트 제거액에 60초간 침지시켜 미세 불순물을 제거하였다.
4) 제1 활성화 단계(제 1 징케이트 처리 단계)
상기 스머트가 제거된 알루미늄 호일을 25℃에서 징케이트액에 30초간 침지시켜 아연층을 형성시켰다. 상기 징케이트액은 수산화나트륨 140g/L, 산화아연 20g/L, 타르타르산(C4H6O6) 50g/L, 질산칼륨 0.5g/L, 염화제2철(FeCl3??6H2O) 1g/L 및 잔량의 물을 포함한다.
5) 제1 아연 식각 단계(제 1 아연 제거 단계)
상기 징케이트액으로 처리된 알루미늄 호일을 25℃에서 질산 300g/L 및 잔량의 물을 포함하는 스머트 제거액에 60초간 침지시켜 아연층을 일부 식각하였다.
6) 제2 활성화 단계
제1 활성화 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
7) 제2 아연 식각 단계
제1 아연 식각 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
8) 제3 활성화 단계
제1 활성화 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
9) 주석 도금층 형성단계
상기 제3 활성화 단계에서 얻어진 알루미늄 호일에 대하여, 양극으로 스테인레스를 사용하고, 전해액으로 황산주석 40g/L, 및 황산 150g/L을 포함하는 전해액을 사용하고, 5A/dm2의 전류밀도로 10초간 전류를 흘려주어 주석 도금층을 형성하였다.
상기 실시예 1의 순서는 도 3에 도시된다.
실시예 2
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1 과 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
실시예 3
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정하고, 주석 도금층 형성단계에서 전류를 흘려주는 시간을 5초로 설정한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
실시예 4
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정하고, 주석 도금층 형성단계에서 전류를 흘려주는 시간을 5초로 설정하고, 주석층 도금 단계에서 도금액에 페놀술폰산 90g/L을 추가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
(제1 도금층(Zn), 제3 도금층(Cu) 및 제2 도금층(Sn)이 형성된 전극선재의 제조)
실시예 5
1) 탈지 단계
25℃에서 알루미늄함금 호일(AL 1050-H18 합금)을 탈지액에 3분 동안 침지시켜 표면에 존재하는 유지성분을 제거하였다. 탈지액은 메탄올을 사용하였다.
2) 산화막 식각 단계
상기 탈지된 알루미늄 호일을 상온에서 수산화나트륨 50g/L 및 잔량의 물을 포함하는 식각액에 30초간 침지시켜 산화막을 제거하였다.
3) 디스머트(desmut) 단계
상기 산화막이 식각된 알루미늄 호일을 상온에서 질산 300g/L 및 잔량의 물을 포함하는 스머트 제거액에 60초간 침지시켜 미세 불순물을 제거하였다.
4) 제1 활성화 단계(제 1 징케이트 처리 단계)
상기 스머트가 제거된 알루미늄 호일을 상온에서 징케이트액에 30초간 침지시켜 아연층을 형성하였다. 상기 징케이트액은 수산화나트륨 140g/L, 산화아연 20g/L, 타르타르산(C4H6O6) 50g/L, 질산칼륨 0.5g/L, 염화제2철(FeCl3??6H2O) 1g/L 및 잔량의 물을 포함한다.
5) 제1 아연 식각 단계(제 1 아연 제거 단계)
상기 징케이트액으로 처리된 알루미늄 호일을 상온에서 질산 300g/L 및 잔량의 물을 포함하는 스머트 제거액에 60초간 침지시켜 아연층을 일부 식각하였다.
6) 제2 활성화 단계
제1 활성화 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
7) 제2 아연 식각 단계
제1 아연 식각 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
8) 제3 활성화 단계
제1 활성화 단계와 동일한 방법으로 다시 한번 실시하였다.
9) 구리 도금층 형성단계
상기 제3 활성화 단계에서 얻어진 알루미늄 호일에 대하여, 양극으로 Ti 극판을 사용하고, 전해액으로 황산구리(CuSO4??5H2O) 200g/L, 및 황산 40g/L를 포함하 는 전해액을 사용하고, 5A/dm2의 전류밀도로 30초간 전류를 흘려주어 구리 도금층을 형성하였다.
10) 주석 도금층 형성단계
상기 구리 도금층이 형성된 알루미늄 호일에 대하여, 양극으로 스테인레스를 사용하고, 전해액으로 황산주석 40g/L, 및 황산 150g/L를 포함하는 전해액을 사용하고, 5A/dm2의 전류밀도로 10초간 전류를 흘려주어 주석 도금층을 형성하였다.
상기 실시예 5의 순서는 도 4에 도시된다.
실시예 6
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
실시예 7
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정하고, 주석 도금층 형성단계에서 전류를 흘려주는 시간을 5초로 설정한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
실시예 8
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정하고, 주석 도금층 형성단계에서 전류를 흘려주는 시간을 5초로 설정하고, 주석층 도금 단계에서 도금액에 페놀술폰산 90g/L을 추가한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
실시예 9
산화막 식각단계에서 침지 시간을 45초로 설정하고, 주석 도금층 형성단계에서 전류를 흘려주는 시간을 5초로 설정하고, 주석 도금층 형성 단계에서 도금액에 페놀술폰산 90g/L을 추가하고, 구리 도금층 형성 단계에서 전류밀도를 2.5A/dm2으로 설정한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
비교예 1
8) 제3 활성화 단계 및 9) 제3 아연 식각 단계을 생략한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
비교예 2
8) 제3 활성화 단계 및 9) 제3 아연 식각 단계을 생략한 것을 제외하고는 상기 실시예 5와 동일한 방법으로 태양전지용 전극선재를 제조하였다.
평가예 1 : 태양전지용 전극선재의 접착력 평가
상기 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 2에서 제조된 전극선재의 밀착력을 IPC-TM-650 test method manual 2.4.1.1에 따라 평가하였다.
3M(Minesota Mining & Manufacturing)사 의 600 13mm모델 테이프를 13mm, 5cm의 길이로 잘라 기재에 붙이고 한쪽 끝을 잡고 신속히 떼어내어 테이프에 표면처리를 한 것이 전부 또는 일부가 박리되는지 여부로 접착력을 평가하였다.평가 결 과 실시예 1 내지 9의 태양전지용 전극선재에서는 도금층이 알루미늄 호일로부터 박리되지 않았으나, 비교예 1 및 2의 태양전지용 전극선재에서는 도금층이 알루미늄 호일로부터 전부 또는 일부가 박리되었다.
도 1은 실시예 1에 따른 태양전지용 전극선재의 단면도이다.
도 2는 실시예 5에 따른 태양전지용 전극선재의 단면도이다.
도 3 은 실시예 1에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법의 순서를 보여주는 플로우 차트이다.
도 4는 실시예 5에 따른 태양전지용 전극선재의 제조방법의 순서를 보여주는 플로우 차트이다.
도 5는 실시예 1의 탈지 단계가 적용되기 전의 알루미늄함금 호일 표면의 주사전자현미경 이미지이다.
도 6은 실시예 1의 산화막 식각 단계를 거친 후의 알루미늄함금 호일 표면의 주사전자현미경 이미지이다.
도 7은 실시예 1의 제2 아연제거 단계를 거친 후의 알루미늄함금 호일 표면의 주사전자현미경 이미지이다.
도 8은 실시예 1의 제3 활성화 단계를 거친 후의 알루미늄함금 호일 표면의 주사전자현미경 이미지이다.
도 9는 실시예 1의 주석 도금층 형성단계를 거친 후의 알루미늄함금 호일 표면의 주사전자현미경 이미지이다.
Claims (11)
- 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나로 이루어진 기재 및 상기 기재의 표면에 적층된 도금층을 포함하며,상기 도금층이 순차적으로 적층된 제1 도금층 및 제2 도금층을 포함하며,상기 제1 도금층이 아연으로 이루어지며, 상기 제2 도금층이 주석으로 이루어지는 태양전지용 전극선재.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도금층의 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 도금층의 두께가 0.1㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 도금층의 표면 저항이 1×10-6Ohm 내지 1000×10-6Ohm인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도금층이 징케이트액에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 도금층과 제2 도금층 사이에 구리로 이루어진 제 3 도금층이 추가적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제3 도금층의 두께가 0.05㎛ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재.
- 알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 기재를 징케이트액으로 처리하는 제1 활성화 단계;상기 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 1 식각 단계;상기 제1 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제2 활성화 단계;상기 제2 활성화 단계에서 징케이트액으로 처리된 기재의 표면을 식각하는 제 2 식각 단계;상기 제2 식각 단계에서 식각된 기재를 징케이트액으로 처리하는 제3 활성화 단계; 및상기 식각된 기재의 표면에 주석 도금층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지용 전극선재의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 주석 도금층이 전해 도금 또는 침지(immersion) 도 금에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 주석 도금층을 형성하는 단계 전에상기 식각된 기재의 표면에 구리 도금층을 형성하는 단계;를 추가적으로 포함하는 태양전지용 전극선재의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 징케이트액으로 처리하는 단계 전에알루미늄 및 알루미늄합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 기재를 탈지액으로 처리하는 단계;상기 탈지액으로 처리된 기재를 식각액으로 처리하는 단계; 및상기 식각된 기재를 스머트 제거액으로 처리하는 단계;를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 전극선재의 제조방법.
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