KR20100045801A - 베이크 장치 및 이를 사용한 베이크 방법 - Google Patents

베이크 장치 및 이를 사용한 베이크 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 가열하는 베이크 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 베이크 장치는 기판 출입구를 갖는 케이스; 상기 케이스 내부에 설치되며, 기판을 가열하는 가열 플레이트; 상기 가열 플레이트와 나란하게 설치되는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트 사이에 기판을 반송하는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되어 기판이 상기 케이스 외부로 반출되기 전까지 기판을 냉각하는 반송부재를 포함한다.
Figure P1020080104902
베이크, 히트싱크, 가열플레이트

Description

베이크 장치 및 이를 사용한 베이크 방법{BAKE APPARATUS AND METHOD OF BAKING USING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판을 가열하는 베이크 장치 및 이를 사용한 베이크 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
상기 포토리소그래피 공정은 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포한 후 가열하는 공정, 상기 포토레지스트의 노광 후 가열하는 공정, 상기 포토레지스트를 현상한 후 가열하는 공정을 포함한다. 또한, 상기 포토리소그래피 공정은 상기 가열 공정 후 상기 포토레지스트를 일정 온도까지 냉각하는 냉각 공정을 포함한다.
상기와 같이 포토레지스트를 가열 및 냉각하는 열처리는 포토레지스트 패턴의 형성에 영향을 미친다. 특히, 화학 증폭형 포토레지스트를 이용하는 경우, 상기 노광 후 가열시 상기 포토레지스트의 각 부분에 가해지는 열량의 차이가 회로 패턴 형성에 큰 영향을 미친다. 따라서, 상기 포토리소그래피 공정에서 열처리 공정은 매우 중요하다.
본 발명의 목적은 냉각 효율을 향상시킬 수 있는 베이크 장치 및 이를 사용한 베이크 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 베이크 장치는 기판 출입구를 갖는 케이스; 상기 케이스 내부에 설치되며, 기판을 가열하는 가열 플레이트; 상기 가열 플레이트와 나란하게 설치되는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플 레이트 사이에 기판을 반송하는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되어 기판이 상기 케이스 외부로 반출되기 전까지 기판을 냉각하는 반송부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송 부재는 기판이 놓여지는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되는 칠 플레이트(chil plate); 상기 칠 플레이트가 얹혀지도록 상기 칠 플레이트의 가장자리를 지지하는 지지링을 갖는 아암; 및 상기 아암을 이동시키는 이동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각 플레이트는 냉각수 또는 열전소자와 같은 냉각체를 갖는 히트싱크이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각 플레이트는 상기 칠 플레이트의 저면과 접촉하도록 승강된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 베이크 장치는 상기 칠 플레이트가 상기 지지링으로부터 들어 올려지도록 상기 냉각 플레이트를 승강시키는 승강부재를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 칠 플레이트는 상기 히팅 플레이트에 설치된 리프트 핀들을 수용하기 위한 홈들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트는 기판의 반입 방향을 기준으로 일직선상에 배치되며, 상기 냉각 플레이트는 상기 기판 출입구에 인접하게 배치된다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치는 기판에 도포공정을 수행하는 도포 유닛, 기판에 현상 공정을 수행하는 현상 유닛, 그리고 도포 공 정 또는 현상 공정 수행하기 전 또는 후에 기판을 가열 및 냉각하는 베이크 유닛을 가지는 처리부; 및 기판들이 수용된 카세트가 놓여지는 카세트 거치대 및 상기 카세트 거치대와 상기 처리부간 기판을 이송하는 반송로봇이 제공되는 로봇 이동부를 가지는 인덱스부를 포함하되; 상기 베이크 유닛은 기판을 가열하는 가열 플레이트; 상기 가열 플레이트와 나란하게 설치되는 냉각 플레이트; 상기 냉각 플레이트를 승강시키는 승강부재; 및 상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트 사이에 기판을 반송하는 그리고 승강된 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되어 기판을 반송하는 동안 기판이 냉각되는 반송부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반송 부재는 기판이 놓여지는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되는 칠 플레이트(chil plate); 상기 칠 플레이트가 얹혀지도록 상기 칠 플레이트의 가장자리를 지지하는 지지링을 갖는 아암; 및 상기 아암을 이동시키는 이동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 칠 플레이트는 상기 냉각 플레이트에 의해 상기 지지링으로부터 들어 올려진 상태에서 냉각된다.
상기한 과제를 달성하기 위한 베이크 장치에서의 베이크 방법은 가열 플레이트에서 기판을 가열하는 단계; 상기 가열 플레이트로부터 가열된 기판을 외부의 반송로봇이 가져갈 수 있는 상기 냉각 플레이트 상부로 반송하는 단계; 상기 냉각 플레이트를 승강시켜 상기 반송부재를 냉각하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각 단계는 상기 반송부재의 아암으로부터 기판을 지지하고 있는 플레이트가 상기 냉각 플레이트에 의해 들어 올려진 상태 에서 냉각된다.
본 발명에 의하면, 칠 플레이트가 냉각 플레이트와 완전 접촉되면서 냉각 효율을 극대화시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 베이크 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
본 실시예에서는 기판 처리 장치(1)가 처리하는 기판으로 반도체 기판을 일례로 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유리 기판과 같은 다양한 종류의 기판에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(1)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(1)는 웨이퍼 상에 포토리소그래피 공정을 수행한다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스부(10), 처리부(20), 그리고 인터페이스부(30)를 가지며, 이들은 순차적으로 일방향(이하, 제 1 방향(62))으로 나란히 배치된다. 인덱스부(10)는 카세트 거치대(12)와 로봇 이동로(14)를 가진다.
웨이퍼와 같은 반도체 기판들이 수용된 카세트들(12a)은 카세트 거치대(12)에 놓여진다. 로봇 이동로(14)에는 카세트 거치대(12)에 놓여진 카세트(12a)와 처리부(20)간 웨이퍼를 이송하는 로봇(14a)이 설치된다. 로봇(14a)은 수평면 상에서 상술한 제 1 방향(62)과 수직한 방향(이하, 제 2 방향(64)) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다. 수평 방향 및 상하 방향으로 로봇(14a)을 이송하는 구조는 당업자라면 용이하게 구성할 수 있으므로 상세한 설명은 생략한다.
처리부(20)는 웨이퍼에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 도포공정과 노광 공정이 수행된 웨이퍼에서 노광된 영역 또는 그 반대 영역의 포토레지스트를 제거하는 현상 공정을 수행한다. 처리부(20)에는 도포 유닛(120a), 현상 유닛(120b), 그리고 베이크 유닛(200)들이 제공된다.
처리부(20)의 일측에는 노광부(40)와 연결되는 인터페이스부(30)가 제공된다. 인터페이스부(30)에는 노광부(40)와 처리부(20) 간에 웨이퍼를 이송하는 로봇(32)이 배치된다. 로봇(32)은 상술한 제 2 방향(64) 및 상하 방향으로 이동될 수 있는 구조를 가진다.
도 2는 도 1의 처리부(20)의 일 예를 보여주는 사시도이다.
처리부(20)는 제 1 처리실(100a)과 제 2 처리실(100b)을 가진다. 제 1 처리실(100a)과 제 2 처리실(100b)은 서로 적층된 구조를 가진다. 제 1 처리실(100a)에는 도포 공정을 수행하는 유닛들이 제공되고, 제 2 처리실(100b)에는 현상 공정을 수행하는 유닛들이 제공된다. 즉, 제 1 처리실(100a)에는 도포 유닛(120a)들과 베이크 유닛(200)들이 제공되며, 제 2 처리실(100b)에는 현상 유닛(120b)들과 베이크 유닛(200)들이 제공된다. 일 예에 의하면, 제 1 처리실(100a)은 제 2 처리실(100b)의 상부에 배치된다. 이와 달리 제 1 처리실(100a)은 제 2처리실(100b)의 하부에 배치될 수 있다.
상술한 구조로 인해 웨이퍼는 인덱스부(10), 제 1 처리실(100a), 인터페이스부(30), 노광부(40), 인터페이스부(30), 제 2 처리실(100b), 그리고 인덱스부(10)를 순차적으로 이동된다. 즉, 포토리소그래피 공정 수행시 웨이퍼는 상하방향으로 루프식으로 이동된다.
도 3은 제 1 처리실(100a)의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 제 1 처리실(100a)에는 중앙에 제 1 이동로(160a)가 상술한 제 1 방향(62)으로 길게 제공된다. 제 1 이동로(160a)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 1 이동로(160a)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 1 이동로(160a)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치되고, 제 1 이동로(160a)의 타측에는 도포 유닛(120a)들이 제 1 이동로(160a)를 따라 일렬로 배치된다. 이와 함께, 베이크 유닛(200)들 및 도포 유닛(120a)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치된다. 제 1 이동로(160a)에는 인터페이스부(30), 도포 유닛(120a), 베이크 유닛(200), 그리고 인덱스부(10)들 간에 웨이퍼를 이송하는 제 1 로봇(162a)이 제공된다. 제 1 로봇(162a)이 제 1 방향(62)으로 직선이동되도록 제 1 이동로(160a)에는 가이드 레일(164a)이 제공된다.
도 4는 제 2 처리실(100b)의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 제 2 처리실(100b)에는 중앙에는 제 2 이동로(160b)가 상 술한 제 1 방향(62)으로 길게 제공된다. 제 2 이동로(160b)의 일단은 인덱스부(10)와 연결되고, 제 2 이동로(160b)의 타단은 인터페이스부(30)와 연결된다. 제 2 이동로(160b)의 일측에는 베이크 유닛(200)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치되고, 제 2 이동로(160b)의 타측에는 현상 유닛(120b)들이 제 2 이동로(160b)를 따라 일렬로 배치된다. 이와 함께, 베이크 유닛(200)들 및 현상 유닛(120b)들은 상하로 복수개가 적층되도록 배치된다. 제 2 이동로(160b)에는 인터페이스부(30), 현상 유닛(120b), 베이크 유닛(200), 그리고 인덱스부(10)들 간에 웨이퍼를 이송하는 제 2 로봇(162b)이 제공된다.
제 2 로봇(162b)이 제 1 방향(62)으로 직선이동되도록 제 2 이동로(160b)에는 가이드 레일(164b)이 제공된다. 상술한 바와 달리, 제 1 처리실의 일측에는 제 1 이동로가 배치되고, 제 1 처리실의 타측에는 도포 유닛들과 베이크 유닛들이 배치될 수 있다. 또한, 제 2 처리실의 일측에는 제 2 이동로가 배치되고, 제 2 처리실의 타측에는 현상 유닛들과 베이크 유닛들이 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 베이크 유닛(200)의 내부 구조를 보여주는 사시도이고, 도 6은 도 5의 평면도이며, 도 7은 도 5의 단면도이다.
베이크 유닛(200)은 모두 동일한 구조를 가질 수 있다. 이하에서는 제 1 처리실(100a)에 설치된 베이크 유닛(200)을 예로 들어 설명한다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 베이크 유닛(200)은 케이스(210), 냉각 부재(220), 가열 부재(230), 그리고 반송 부재(240)을 가진다. 케이스(210)는 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 케이스(210)의 측벽 중 제 1 이동로(160a)와 대향되는 면에는 웨이퍼가 출입되는 출입구(212)가 형성된다. 출입구(212)를 통한 웨이퍼의 이동은 제 1 로봇(162a)에 의해 이루어진다.
케이스(210) 내에는 냉각 부재(220)와 가열 부재(230)가 나란하게 설치된다. 냉각 부재(220)와 가열 부재(230)는 제 1 이동로(160a)와는 수직한 제 2 방향(64)으로 배치된다. 냉각 부재(220)는 출입구(212)와 인접하여 배치되고 가열 부재(230)는 출입구(212)로부터 멀리 떨어져 배치된다. 상술한 냉각 부재(220) 및 가열 부재(230)의 배치는 가열 부재(230)로부터 발생된 열이 출입구(212)를 통해 케이스(210) 외부로 방출되어 주변 환경에 영향을 미치는 것을 최소화한다.
냉각 부재(220)는 원판 형상의 냉각 플레이트(222)와 냉각 플레이트(222)를 상하로 이동시키는 승강부재(224)를 포함한다. 냉각 플레이트(222)는 히트싱크 방식의 냉각 수단을 포함한다. 냉각 플레이트(222)는 상승하여 이동 부재의 칠 플레이트(246)를 냉각시킨다.
다시 도 6을 참조하면, 가열 부재(230)는 가열 플레이트(232)와 리프트핀(234)들을 포함한다. 가열 플레이트(232) 내에는 웨이퍼 가열을 위한 수단이 제공된다. 예컨대, 가열 플레이트(232) 내에는 히팅 코일(도시되지 않음)이 설치될 수 있으며, 선택적으로 가열 플레이트(232)에는 소정의 발열 패턴들(도시되지않음)이 형성될 수 있다. 리프트 핀(234)들은 승강 기구(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동되어, 웨이퍼를 가열 플레이트(230) 상에 안착시키거나 가열 플레이트(230)로부터 상부로 일정거리 이격된 위치로 웨이퍼를 들어올린다.
베이크 유닛 내부에서의 기판 이송은 반송 부재(240)에 의해 이루어진다. 반 송 부재(240)는 기판이 놓여지는 그리고 냉각 플레이트(222)에 의해 냉각되는 칠 플레이트(chil plate)(246), 칠 플레이트(246)가 얹혀지도록 칠 플레이트(246)의 가장자리를 지지하는 지지링(245)을 갖는 아암(244) 및 아암(244)을 이동시키는 이동부(242)를 포함한다.
아암(244)은 리프트 핀들(234)상에 놓여진 웨이퍼를 들어 올리거나 웨이퍼를 리프트 핀들(234) 상에 내려 놓는다. 아암(244)은 이동부(242)에 의해 냉각 플레이트(222)와 가열 플레이트(232) 사이를 직선 이동한다.
칠 플레이트(246)는 웨이퍼와 동일한 크기를 가지는 것이 바람직하다. 칠 플레이트(246)는 냉각 플레이트(222)와의 열교환이 빠르게 이루어지도록 금속 재질(열전도가 좋은 재질)로 이루어질 수 있다. 한편, 칠 플레이트(246)는 리프트 핀들을 수용하기 위한 홈(247)들을 갖는다. 가열 플레이트(232)의 기판을 언로딩하기 위해 칠 플레이트(246)가 가열 플레이트(232) 상부로 이동할때, 리프트 핀(234)들이 칠 플레이트(246)의 홈(247)들에 수용됨으로 칠 플레이트(246)를 용이하게 이동시킬 수 있다.
냉각 플레이트(222)는 칠 플레이트(246)를 들어올려 칠 플레이트(246)와 열교환에 의해 칠 플레이트(246)를 냉각한다. 냉각 플레이트(222)와 칠 플레이트(246) 간 열 교환은 전도에 의해 이루어질 수 있다. 칠 플레이트(246)를 냉각하는 데 소요되는 시간을 더욱 단축하기 위해 냉각 플레이트(222)는 칠 플레이트(246)에 기판이 놓여지기 전부터 칠 플레이트(246)를 냉각할 수 있다.
도 8a 및 8b는 냉각 플레이트가 칠 플레이트를 냉각하는 과정을 보여주는 도 면들이다.
도 8a 및 8b에 도시된 바와 같이, 칠 플레이트(246)가 냉각 플레이트(222) 아래에 위치되며, 냉각 플레이트(222)는 승강 부재(224)에 의해 상승하여 칠 플레이트(246)를 아암(244)의 지지링(245)으로부터 들어올린 상태에서 냉각시킨다.
도 8b에서와 같이, 칠 플레이트(246)를 냉각시키기 위하여 냉각 플레이트(222)가 상승하였을때 칠 플레이트(246)가 지지링(245)으루부터 들어올려지기 때문에 한쪽이 들뜨거나 휨 현상등이 발생되지 않는다. 즉, 냉각 플레이트(222)와 칠 플레이트(246)가 완전 접촉되면서 냉각 효과를 극대화시킬 수 있다. 도시하지 않았지만, 칠 플레이트(246)와 지지링(245)은 이탈과 접촉시 제자리를 찾도록 도와주는 가이드를 구비할 수 있다. 또한, 칠 플레이트(246)와 냉각 플레이트(222)간 가이드 핀을 설치하여 항상 같은 위치에서 접촉 및 이탈이 될 수 있도록 한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 구성도이다.
도 2는 도 1의 장치에서 처리부의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 처리부에서 제 1 처리실의 평면도이다.
도 4는 도 2의 처리부에서 제 2 처리실의 평면도이다.
도 5는 도 2의 처리부에서 베이크 유닛의 내부 구성을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 5의 베이크 유닛의 평면도이다.
도 7은 도 5의 베이크 유닛의 단면도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명에서 냉각 플레이트가 칠 플레이트를 냉각시키기 위해 업다운 되는 동작으로 보여주는 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 인덱스부 20 : 처리부
30 : 인터페이스부 200 : 베이크 유닛
210 : 케이스 220 : 냉각 부재
230 : 가열부재 240 : 반송 부재

Claims (12)

  1. 베이크 장치에 있어서:
    기판 출입구를 갖는 케이스;
    상기 케이스 내부에 설치되며, 기판을 가열하는 가열 플레이트;
    상기 가열 플레이트와 나란하게 설치되는 냉각 플레이트;
    상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트 사이에 기판을 반송하는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되어 기판이 상기 케이스 외부로 반출되기 전까지 기판을 냉각하는 반송부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반송 부재는
    기판이 놓여지는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되는 칠 플레이트(chil plate);
    상기 칠 플레이트가 얹혀지도록 상기 칠 플레이트의 가장자리를 지지하는 지지링을 갖는 아암; 및
    상기 아암을 이동시키는 이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트는
    냉각수 또는 열전소자와 같은 냉각체를 갖는 히트싱크인 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트는 상기 칠 플레이트의 저면과 접촉하도록 승강되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 베이크 장치는
    상기 칠 플레이트가 상기 지지링으로부터 들어 올려지도록 상기 냉각 플레이트를 승강시키는 승강부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 칠 플레이트는
    상기 히팅 플레이트에 설치된 리프트 핀들을 수용하기 위한 홈들을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트는 기판의 반입 방향을 기준으로 일직선상에 배치되며,
    상기 냉각 플레이트는
    상기 기판 출입구에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  8. 기판에 도포공정을 수행하는 도포 유닛, 기판에 현상 공정을 수행하는 현상 유닛, 그리고 도포 공정 또는 현상 공정 수행하기 전 또는 후에 기판을 가열 및 냉각하는 베이크 유닛을 가지는 처리부; 및
    기판들이 수용된 카세트가 놓여지는 카세트 거치대 및 상기 카세트 거치대와 상기 처리부간 기판을 이송하는 반송로봇이 제공되는 로봇 이동부를 가지는 인덱스부를 포함하되;
    상기 베이크 유닛은
    기판을 가열하는 가열 플레이트;
    상기 가열 플레이트와 나란하게 설치되는 냉각 플레이트;
    상기 냉각 플레이트를 승강시키는 승강부재; 및
    상기 냉각 플레이트와 상기 가열 플레이트 사이에 기판을 반송하는 그리고 승강된 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되어 기판을 반송하는 동안 기판이 냉각되는 반송부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 반송 부재는
    기판이 놓여지는 그리고 상기 냉각 플레이트에 의해 냉각되는 칠 플레이트(chil plate);
    상기 칠 플레이트가 얹혀지도록 상기 칠 플레이트의 가장자리를 지지하는 지지링을 갖는 아암; 및
    상기 아암을 이동시키는 이동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 칠 플레이트는
    상기 냉각 플레이트에 의해 상기 지지링으로부터 들어 올려진 상태에서 냉각되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  11. 냉각 플레이트와 가열 플레이트 사이에서 기판을 반송하는 반송부재를 갖는 베이크 장치에서의 베이크 방법에 있어서:
    가열 플레이트에서 기판을 가열하는 단계;
    상기 가열 플레이트로부터 가열된 기판을 외부의 반송로봇이 가져갈 수 있는 상기 냉각 플레이트 상부로 반송하는 단계;
    상기 냉각 플레이트를 승강시켜 상기 반송부재를 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치에서의 베이크 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 냉각 단계는
    상기 반송부재의 아암으로부터 기판을 지지하고 있는 플레이트가 상기 냉각 플레이트에 의해 들어 올려진 상태에서 냉각되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치에서의 베이크 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4115873B2 (ja) * 2003-04-14 2008-07-09 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および基板処理装置
KR20080048242A (ko) * 2006-11-28 2008-06-02 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조용 베이크 유니트

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200125462A (ko) * 2019-04-25 2020-11-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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