KR20100040956A - 플라즈마 디스플레이 장치 - Google Patents

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널과, 패널을 구동하는 패널 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치로서, 패널 구동회로는, 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기간을 기입 기간 중 또는 초기화 기간과 기입 기간 전에 설치한 서브필드를 가지며, 그 서브필드(제1 SF)를 소정의 시간간격으로 삽입하여 패널을 구동하도록 구성한 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치{PLASMA DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널을 이용한 화상 표시 장치인 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약칭함)은 박형의 화상 표시 소자 중에서도 고속표시가 가능하며, 또한 대형화가 용이하다는 점에서 대화면표시 장치로서 실용화되어 있다.

패널은 전면판과 배면판을 접합해서 구성되어 있다. 전면판은 글래스 기판과, 글래스 기판 상에 형성된 주사 전극 및 유지 전극을 포함하는 표시 전극쌍과, 표시 전극쌍을 덮도록 형성된 유전체층과, 유전체층 상에 형성된 보호층을 갖는다. 보호층은 유전체층을 이온 충돌로부터 보호하는 동시에 방전을 발생시키기 쉽도록 하는 목적에서 설치되어 있다.

배면판은, 글래스 기판과, 글래스 기판 상에 형성된 데이터 전극과, 데이터 전극을 덮는 유전체층과, 유전체층 상에 형성된 격벽과, 격벽 간에 형성된 적색, 녹색 및 청색의 각각으로 발광하는 형광체층을 갖는다. 전면판과 배면판은, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 방전 공간을 사이에 두고 교차하도록 대향되어, 주위가 저융점 글래스로 봉착되어 있다. 방전 공간에는 크세논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극의 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다.

이러한 구성의 패널을 이용한 플라즈마 디스플레이 장치는, 패널의 각 방전 셀에서 선택적으로 가스 방전을 발생시키고, 이때 생긴 자외선에서 적색, 녹색 및 청색의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜서 컬러 표시를 행하고 있다. 이와 같이 패널의 발광 원리는 기본적으로는 형광등과 유사하지만, 형광등에 비해 발광 효율이 낮은 것이 과제로 되어 있었다.

최근에는, 대화면이고 고정밀도이면서 저소비 전력의 플라즈마 디스플레이 장치가 요망되고 있어, 패널의 발광 효율을 향상하기 위한 다양한 연구가 이루어지고 있다. 예를 들면, 특허 문헌1에는, 방전 가스 중의 크세논의 함유량을 종래보다 큰 10체적% 이상, 100체적% 미만의 범상에 설정하고, 방전 가스의 압력을 종래보다 높은 500Torr∼760Torr의 범상에 설정함으로써, 자외선의 발광 효율 및 형광체에서의 변환 효율이 향상되어 휘도가 향상되는 것이 개시되어 있다.

한편, 방전 가스 중의 크세논의 함유량을 늘리면, 전압을 인가한 후에 방전이 발생할 때까지의 시간, 소위 방전 지연 시간이 길어지고, 고속으로 패널을 구동하는 것이 어렵게 된다는 과제가 있었다. 방전 지연 시간을 짧게 하는 방법으로서, 예를 들면 특허 문헌2에는, 마그네슘 증기를 기상산화하여 생성함으로써 200nm∼300nm에 캐소드 루미네센스 발광 피크를 갖는 산화 마그네슘층을 형성한 패널이 개시되어 있다.

패널을 구동하는 방법으로는 서브필드법, 즉, 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 발광시키는 서브필드의 조합에 의해 계조 표시를 행하는 방법이 일반적이다. 각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다. 초기화 기간에서는 주사 전극 및 유지 전극에 소정의 전압을 인가해서 초기화 방전을 발생하고, 계속되는 기입 동작에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성한다. 기입 기간에서는 주사 전극에 주사 펄스를 순차 인가하는 동시에 선택적으로 데이터 전극에 기입 펄스를 인가해서 기입 방전을 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는 표시 전극쌍에 교대로 유지 펄스를 인가하고, 방전 셀에서 선택적으로 유지 방전을 발생시켜, 대응하는 방전 셀의 형광체층을 발광시킴으로써 화상 표시를 행한다.

이러한 패널의 구동 방법 중에서도, 예를 들면, 특허 문헌3에는, 초기화 방전의 발광 휘도를 억제하는 동시에, 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 횟수를 제한함으로써, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 극력 삭감하여 콘트라스트비를 향상시킨 구동 방법이 개시되어 있다.

그러나, 발광 효율 및 휘도를 향상하기 위해서 크세논 분압을 올리고, 콘트라스트를 향상하기 위해서 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 횟수를 제한하면, 초기화 기간에서 오방전이 발생하여 화상 표시 품질이 저하한다는 새로운 과제가 발생하였다.

특허문헌1:특개평10-125237호공보 특허문헌2:특허공개2006-054158호공보 특허문헌3:특허공개2000-242224호공보

<발명의 개시>

본 발명은, 제1의 글래스 기판 상에 표시 전극쌍을 형성하여 표시 전극쌍을 피복하도록 유전체층을 형성해 유전체층 상에 보호층을 형성한 전면판과, 제2의 글래스 기판 상에 데이터 전극을 형성한 배면판을 대향 배치하고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 대향하는 위치에 방전 셀을 형성한 패널과, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 시간적으로 배치하여 1필드 기간을 구성해서 패널을 구동하는 패널 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치로서, 패널 구동 회로는, 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기간을 기입 기간중, 또는 초기화 기간과 기입 기간 전에 설치한 서브필드를 가지며, 그 서브필드를 소정의 시간간격으로 삽입해서 패널을 구동하도록 구성한 것을 특징으로 한다.

[도 1] 도 1은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도.
[도 2] 도 2는 크세논 분압과 발광 휘도의 관계를 나타내는 도면.
[도 3] 도 3은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널의 전면판의 구성을 도시하는 단면도.
[도 4] 도 4는 동 패널에 이용하는 단결정 입자의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면.
[도 5] 도 5는 동 패널에 이용하는 단결정 입자의 발광 스펙트럼의 피크의 비와 방전 지연 시간의 관계를 나타내는 도면.
[도 6] 도 6은 동 패널의 전면판의 다른 구성을 도시하는 단면도.
[도 7] 도 7은 동 패널의 전극배열을 나타내는 도면.
[도 8] 도 8은 동 패널의 각 전극에 화상 표시를 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도.
[도 9] 도 9는 동 패널의 각 전극에 잉여 전하 소거 동작을 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도.
[도 10] 도 10은 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서의 패널의 각 전극에 잉여 전하 소거 동작을 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도.
[도 11] 도 11은 본 발명의 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도.
[도 12] 도 12는 동 플라즈마 디스플레이 장치의 주사 전극 구동 회로 및 유지 전극을 나타내는 도면.
<부호의 설명>
10 : 패널
20 : 전면판
21 : (제1의)글래스 기판
22 : 주사 전극
22a, 23a : 투명 전극
22b, 23b : 버스 전극
23 : 유지 전극
24 : 표시 전극쌍
25 : 유전체층
26 : 보호층
26a : 기초 보호층
26b : 입자층
27 : 단결정 입자
30 : 배면판
31 : (제2의)글래스 기판
32 : 데이터 전극
34 : 격벽
35 : 형광체층
41 : 화상 신호 처리 회로
42 : 데이터 전극 구동 회로
43 : 주사 전극 구동 회로
44 : 유지 전극 구동 회로
45 : 타이밍 발생 회로
50, 80 : 유지 펄스 발생 회로
60 : 초기화 파형 발생 회로
70 : 주사 펄스 발생 회로
100 : 플라즈마 디스플레이 장치

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.

(실시 형태)

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 패널(10)은 전면판(20)과 배면판(30)이 대향해서 배치되고, 그 외주부는 저융점 글래스의 봉착재에 의해 봉착되어 있다. 패널(10) 내부의 방전 공간(15)에는 크세논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다.

전면판(20)의 글래스 기판(제1의 글래스 기판)(21) 상에는, 주사 전극(22) 및 유지 전극(23)을 포함하는 표시 전극쌍(24)이 평행하게 복수 배치되어 있다. 주사 전극(22)은, 인듐 주석 산화물이나 산화 주석 등으로부터 형성된 투명 전극(22a)과, 투명 전극(22a) 상에 형성된 버스 전극(22b)에 의해 구성되어 있다. 마찬가지로 유지 전극(23)은, 투명 전극(23a)과 그 위에 형성된 버스 전극(23b)에 의해 구성되어 있다. 버스 전극(22b) 및 버스 전극(23b)은, 투명 전극(22a) 및 투명 전극(23a)의 길이 방향으로 도전성을 부여하기 위해서 형성되고, 은을 주성분으로 하는 도전성 재료에 의해 형성되어 있다. 글래스 기판(21) 상에는 표시 전극쌍(24)을 피복하도록 유전체층(25)이 형성되고, 또한 그 유전체층(25) 상에 산화 마그네슘을 주성분으로 하는 보호층(26)이 형성되어 있다. 유전체층(25)은, 산화 납 또는 산화 비스무스 또는 산화 인을 주성분으로 하는 저융점 글래스 등을, 스크린 인쇄, 다이 코트 등에 의해 도포하고 소성하여 형성되어 있다.

또한, 배면판(30)의 글래스 기판(제2의 글래스 기판)(31) 상에는, 표시 전극쌍(24)과 직교하는 방향으로 복수의 데이터 전극(32)이 서로 평행하게 배치되고, 이를 유전체층(33)이 피복하고 있다. 또한, 유전체층(33) 상에는 격벽(34)이 형성되어 있다. 유전체층(33) 상 및 격벽(34)의 측면에는 자외선에 의해 적색, 녹색 및 청색으로 각각 발광하는 형광체층(35)이 형성되어 있다. 여기서, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 위치에 방전 셀이 형성되고, 적색, 녹색, 청색의 형광체층(35)을 갖는 방전 셀의 한 조가 컬러 표시를 위한 화소로 된다. 참고로, 유전체층(33)은 필수적인 것이 아니며, 유전체층(33)을 생략한 구성이어도 된다.

본 실시 형태에서는, 네온과 크세논의 혼합 가스를 방전 가스로서 이용하고 있다. 그리고, 패널의 발광 효율 및 휘도를 향상하기 위해서, 크세논의 분압을 24kPa로 설정하고 있다. 도 2는, 크세논 분압과 발광 휘도와의 관계를 나타내는 도면이다. 크세논 분압이 6kPa, 9kPa, 24kPa인 패널을 각각 시작하고, 동일한 구동 조건에서 이들 시작 패널을 구동했을 때의 휘도를 비교하였다. 그 결과, 크세논 분압이 24kPa인 패널의 발광 휘도는 크세논 분압이 6kPa인 종래의 패널에 비해 거의 2배의 휘도가 얻어졌다. 이는 발광 효율도 거의 2배가 되었다는 것을 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 종래의 패널의 2배 정도의 발광 효율을 얻기 위해서 크세논 분압을 24kPa로 설정하고 있다.

그러나, 상술한 바와 같이, 크세논 분압을 올리면 발광 효율은 상승하지만, 방전 지연 시간이 길어져 고속 구동이 어려워진다는 문제가 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 패널의 보호층(26)을 연구하여 방전 지연을 억제해 고속 구동을 가능하게 하고 있다.

도 3은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 전면판(20)의 구성을 도시하는 단면도이며, 도 1에 나타낸 전면판(20)과 상하를 반대로 해서 나타내고 있다. 글래스 기판(21) 상에, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 포함하는 표시 전극쌍(24)이 형성되고, 표시 전극을 피복하도록 유전체층(25)이 형성되어 있다.

그리고, 유전체층(25) 상에는 보호층(26)이 형성되어 있다. 이하에, 보호층(26)에 대하여 상세히 설명한다. 유전체층(25)을 이온 충돌로부터 보호하는 동시에 구동의 속도를 크게 좌우하는 전자 방출 성능과 전하 유지 성능을 개선하기 위해서, 보호층(26)은, 유전체층(25) 상에 형성된 기초 보호층(26a)과, 기초 보호층(26a) 상에 형성된 입자층(26b)으로 구성되어 있다.

기초 보호층(26a)은, 스퍼터링법, 이온 플래팅법, 전자선 증착법 등으로 형성된 두께 0.3μm∼1μm의 산화 마그네슘의 박막층이다.

입자층(26b)은 산화 마그네슘 전구체를 소성하여 형성되며, 평균 입경이 0.3μm∼4μm의 비교적 균일한 입경 분포를 가지는 산화 마그네슘의 단결정 입자(27)를 기초 보호층(26a) 상에 부착시킨 층이다. 참고로, 도 3에는 단결정 입자(27)를 확대해서 나타내고 있다. 단결정 입자(27)는 기초 보호층(26a)의 전체 면을 덮도록 형성되어 있을 필요는 없으며, 기초 보호층(26a) 상에 피복율 1%∼30%로 섬 형상으로 형성되어 있으면 좋다. 단결정 입자(27)의 형상은 기본적으로는 정육면체 형상 또는 정팔면체 형상이지만, 제조 상의 변동 등에 의해 다소 변형이 생겨도 좋다. 또한, 정육면체 형상 또는 정팔면체 형상의 정점 및 능선이 절제되어 정점 절제면 및 경사면을 가지고, (100)면 및 (111)면을 포함하는 특정 2종 배향면, 또는 (100)면, (110)면 및 (111)면을 포함하는 특정 3종 배향면으로 둘러싸여진 NaCl 결정 구조를 갖는 형상이어도 된다.

이와 같이 보호층(26)을, 기초 보호층(26a)과, 기초 보호층(26a) 상에 형성된 입자층(26b)으로 구성함으로써 전자 방출 성능과 전하 유지 성능이 우수한 보호층(26)을 갖는 패널(10)을 실현할 수 있다.

발명자들은 단결정 입자의 캐소드 루미네센스 발광을 조사하여, 발광 스펙트럼에 의해 단결정 입자의 특성, 특히 전자 방출 성능을 평가할 수 있다는 것을 알아냈다. 도 4는, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널에 이용하는 단결정 입자(27)의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 도 4에는 비교를 위해 기상 산화법으로 기초 보호층 상에 작성한 산화 마그네슘의 단결정 입자의 발광 스펙트럼도 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서의 단결정 입자(27)의 발광 스펙트럼은, 200nm∼300nm에 발광 강도가 큰 피크를 가지고, 300nm∼550nm에 작은 피크를 가지고 있다. 한편, 기상 산화법으로 작성한 단결정 입자의 발광 스펙트럼은, 200nm∼300nm의 발광 강도의 피크, 300nm∼550nm의 발광 강도의 피크 모두 작은 피크이다.

발명자들은, 이들 2개의 피크의 발광 강도에 주목하여, 300nm∼550nm의 피크의 발광 강도에 대한 200nm∼300nm의 피크의 발광 강도의 비율(이하, 간단히 「피크의 비 PK」라고 약칭함)과 전자 방출 성능의 관계를 조사하기 위해서, 피크의 비 PK의 값이 서로 다른 패널을 시작하여 방전 지연 시간의 측정을 행하였다. 도 5는, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널에 이용하는 단결정 입자(27)의 발광 스펙트럼의 피크의 비 PK와 방전 지연 시간 Td의 관계를 나타내는 도면이다. 횡축은 피크의 비 PK이며, 200nm 이상 300nm 미만의 발광 스펙트럼의 적분값과 300nm 이상550nm 미만의 발광 스펙트럼의 적분값의 비의 값을 계산해서 피크의 비 PK라고 하였다. 종축은 방전 지연 시간을 피크의 비 PK가 거의 「0」일 때의 방전 지연 시간에서 정규화한 값 TS이다. 따라서, 이 값 TS가 작은 패널일수록 전자 방출 성능이 우수하는 것을 나타내고 있다. 이렇게 발광 스펙트럼의 피크의 비 PK가 「2」이상, 즉 캐소드 루미네센스 발광의 발광 스펙트럼의 200nm∼300nm의 피크의 발광 강도가 300nm∼550nm의 피크의 발광 강도의 2배 이상이면, 정규화한 방전 지연 시간 TS는 「0.2」이하에서 거의 일정하게 되어 우수한 전자 방출 성능을 나타낸다는 것을 알 수 있다.

상술한 단결정 입자(27)는 액상법에 의해 생성할 수 있다.

구체적으로는, 예를 들면, 순도 99.95% 이상의 마그네슘 알콕시드 또는 마그네슘 아세틸 아세톤의 수용액에 소량의 산을 가해서 가수분해 등을 하여 수산화 마그네슘의 겔을 제작한다. 그리고, 그 겔을 공기 중에서 소성하여 탈수함으로써 단결정 입자(27)의 분체를 생성한다.

소성 온도로는, 700℃∼1800℃의 범위에서 설정하는 것이 바람직하다. 이는 700℃ 미만에서는 결정면이 충분히 발달하지 않아 결함이 많아지고, 또한 소성 온도를 지나치게 높게 하면 산소 결손이 생겨 산화 마그네슘 결정의 결함이 많아지기 때문이다.

이와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 입자층(26b)은, 발광 스펙트럼의 200nm∼300nm의 피크와 300nm∼550nm의 피크의 비 PK가 「2」 이상인 단결정 입자(27)를 기초 보호층(26a)에 부착시킴으로써 구성하고 있다. 이와 같이 하여, 안정되고 양호한 전자 방출 성능과 전하 유지 성능을 겸비하여 고속 구동이 가능한 패널(10)을 실현하고 있다.

또한, 입자층(26b)으로는 상술한 구성에 한정되는 것은 아니고, 전자 방출 성능과 전하 유지 성능을 겸비하는 보호층(26)을 실현할 수 있으면, 다른 구성 이어도 된다. 도 6은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 전면판(20)의 다른 구성을 도시하는 단면도이며, 다른 입자층(26b)의 구조를 나타내는 것이다. 도 6에 나타낸 입자층(26b)은, 산화 마그네슘의 단결정 입자(27)가 복수개 응집된 응집 입자(28)를, 기초 보호층(26a)의 전체 면에 걸쳐 거의 균일하게 분포하도록 이산적으로 부착시킴으로써 구성하고 있다. 참고로, 도 6에는 응집 입자(28)를 확대해서 나타내고 있다. 응집 입자(28)란, 이와 같이 단결정 입자(27)가 응집 또는 네킹된 상태의 것으로, 정전기나 반데르발스 힘 등에 의해 복수의 단결정 입자(27)가 집합체를 이루고 있는 것이다. 단결정 입자(27)로는, 14면체나 12면체 등의 7면 이상의 면을 가지고, 입경이 0.9μm∼2.0μm 정도인 다면체 형상을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 응집 입자(28)로는 단결정 입자(27)가 2개∼5개 응집한 것이 바람직하며, 응집 입자(28)의 입경으로는, 0.3μm∼5μm 정도인 것이 바람직하다. 이러한 구성이어도, 안정되고 양호한 전자 방출 성능과 전하 유지 성능을 겸비하여 고속 구동의 가능한 패널(10)을 실현할 수 있다.

도 7은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 전극 배열을 나타내는 도면이다. 패널(10)에는, 행방향(라인 방향)으로 긴 n개의 주사 전극 SC1∼SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1∼SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1∼Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1∼n) 및 유지 전극 SUi와 1개의 데이터 전극 Dj(j=1∼m)가 교차한 부분에 방전 셀이 형성되고, 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다. 고정밀도 플라즈마 디스플레이 장치에 이용하는 패널이면, 예를 들면, m=1920×3=5760, n=1080이다.

다음으로, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 구동 방법에 대해서 설명한다. 패널(10)은, 복수의 서브필드를 시간적으로 배치해서 1필드 기간을 구성하는 서브필드법을 이용하여 구동된다. 즉, 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광·비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행한다. 각각의 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.

초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하고, 계속되는 기입 방전에 필요한 벽전하를 각 전극상에 형성한다. 이때의 초기화 동작에는, 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전체 셀 초기화 동작」이라고 약칭함)과, 직전의 서브필드의 유지 기간에 유지 방전을 행한 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약칭함)이 있다. 기입 기간에서는, 발광시켜야 할 방전 셀에서 선택적으로 기입 방전을 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는, 서브필드마다 정해진 소정의 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍에 교대로 인가하고, 기입 방전을 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜 발광시킨다.

본 실시 형태에서는, 1필드를 10의 서브필드(제1SF, 제2SF, ···, 제10SF)로 분할하고, 각 서브필드의 유지 기간에서는 각각 (1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍에 인가한다고 하고 설명한다. 또한, 제1SF는 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드이며, 제2SF∼제10SF는 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드라고 하고 설명한다. 그러나, 서브필드의 수, 유지 펄스의 수 등의 서브필드 구성은 상기에 한정되는 것이 아니라, 패널의 특성, 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 의해 적절히 최적으로 설정하는 것이 바람직하다.

본 실시 형태에서는, 초기화 기간에 있어서의 오방전을 억제하기 위해서, 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 동작(이하, 「잉여 전하 소거 동작」이라고 약칭함)을 소정의 시간간격으로 행하고 있다. 잉여 전하 소거 동작의 상세한 내용에 대해서는 후술하기로 하고, 우선 화상 표시를 행하기 위하여 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형과 패널의 동작에 대해서 설명한다.

도 8은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 화상 표시를 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도이며, 제1SF∼제3SF에 있어서의 구동 전압을 나타내고 있다.

제1SF의 초기화 기간에서는, 그 전반부에 있어서, 데이터 전극 D1∼Dm, 유지 전극 SU1∼SUn에 각각 0(V)을 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에는, 유지 전극 SU1∼SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압 Vi1로부터, 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2를 향해서 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다.

이 경사 파형 전압이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn, 데이터 전극 D1∼Dm의 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1∼SCn 상에 마이너스의 벽전압이 축적되는 동시에, 데이터 전극 D1∼Dm 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상에는 플러스의 벽전압이 축적된다. 여기에서, 전극 상의 벽전압이란, 전극을 덮는 유전체층 상, 보호층 상, 형광체층 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다. 이때의 초기화 방전에서는, 계속되는 초기화 기간의 후반부에 있어서 벽전압의 최적화를 꾀할 것을 감안하여, 과잉으로 벽전압을 저장해 둔다.

초기화 기간의 후반부에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1을 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에는, 유지 전극 SU1∼SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하가 되는 전압 Vi3로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi4을 향해서 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 그 동안에, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn, 데이터 전극 D1∼Dm과의 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1∼SCn 상의 마이너스의 벽전압 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 플러스의 벽전압이 약해져, 데이터 전극 D1∼Dm 상의 플러스의 벽전압은 기입 동작에 알맞은 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료한다.

계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압Ve2를, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압Vc를 인가한다.

다음으로, 1라인째의 주사 전극 SC1에 마이너스의 주사 펄스 전압 Va를 인가하는 동시에, 데이터 전극 D1∼Dm 중 1라인째에 발광시켜야 할 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1∼m)에 플러스의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 이때, 데이터 전극 Dk 상과 주사 전극 SC1 상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(Vd-Va)에 데이터 전극 Dk 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 일어나서, 주사 전극 SC1 상에 플러스의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1 상에 마이너스의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 Dk 상에도 마이너스의 벽전압이 축적된다.

여기서, 주사 펄스 전압 Va와 기입 펄스 전압 Vd를 인가한 후에 기입 방전이 발생할 때까지의 시간은, 기입 방전에 대한 방전 지연 시간이다. 만약 패널의 전자 방출 성능이 낮아 방전 지연 기간이 길어지면, 확실하게 기입 동작을 행하기 위해 주사 펄스 전압 Va와 기입 펄스 전압 Vd를 인가하는 시간, 즉 주사 펄스 폭과 기입 펄스 폭을 길게 설정할 필요가 있어, 고속으로 기입 동작을 행할 수 없어진다. 또한, 만약 패널의 전하 유지 성능이 낮으면, 벽전압의 감소를 보충하기 위해서 주사 펄스 전압 Va와 기입 펄스 전압 Vd의 전압값을 높게 설정할 필요가 있다. 그러나, 본 실시 형태에 있어서의 패널(10)은 전자 방출 성능이 높으므로, 주사 펄스 폭 및 기입 펄스 폭을 종래의 패널보다 짧게 설정할 수가 있어, 안정되고 고속으로 기입 동작을 행할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서의 패널(10)은, 전하 유지 성능이 높으므로, 주사 펄스 전압 Va와 기입 펄스 전압 Vd의 전압값을 종래의 패널보다 낮게 설정할 수 있다.

이와 같이 하여, 1라인째에 발광시켜야 할 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다. 한편, 기입 펄스 전압 Vd를 인가하지 않은 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 초과하지 않으므로, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n라인째의 방전 셀에 이르기까지 행하여 기입 기간이 종료한다.

계속되는 유지 기간에서는, 우선 주사 전극 SC1∼SCn에 플러스의 유지 펄스 전압 Vs를 인가하는 동시에, 유지 전극 SU1∼SUn에 0(V)을 인가한다. 그렇게 하면, 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상의 전압차가 유지 펄스 전압 Vs에 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다.

그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고, 주사 전극 SCi 상에 마이너스의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SUi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다. 또한, 데이터 전극 Dk 상에도 플러스의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료 시에서의 벽전압이 유지된다.

계속해서, 주사 전극 SC1∼SCn에는 0(V)을, 유지 전극 SU1∼SUn에는 유지 펄스 전압 Vs를 각각 인가한다. 그러면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하므로, 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi사이에 유지 방전이 일어나 유지 전극 SUi 상에 마이너스의 벽전압이 축적되고, 주사 전극 SCi 상에 플러스의 벽전압이 축적된다.

이와 같이 하여, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn에 교대로 소정의 수의 유지 펄스를 인가하고, 표시 전극쌍의 전극 사이에 전압차를 부여함으로써, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 행해진다.

그리고, 유지 기간의 마지막에는 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn과의 사이에 소위 세폭 펄스 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SCi 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 소거하고 있다. 또한, 세폭 펄스 형상의 전압차 대신에 경사 파형 형상의 전위차를 부여하여 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SCi 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 소거해도 좋다.

제2SF의 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1을, 데이터 전극 D1∼Dm에 0(V)을 각각 인가하고, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vi4을 향해서 완만하게 하강하는 램프 전압을 인가한다. 그렇게 하면, 전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하여, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압이 약해진다. 또한, 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해 데이터 전극 Dk 상에 충분한 플러스의 벽전압이 축적되어 있으므로, 이 벽전압이 과잉인 부분이 방전되어, 기입 동작에 알맞은 벽전압으로 조정된다.

한편, 앞의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않은 방전 셀에 대해서는 방전하는 일이 없고, 전의 서브필드의 초기화 기간 종료 시에 있어서의 벽전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.

계속되는 기입 기간의 동작은 제1SF의 기입 기간의 동작과 마찬가지이므로 설명을 생략한다. 또한, 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 제1SF의 유지 기간과 마찬가지이다. 계속되는 제3SF∼제10SF에 대해서도 유지 펄스의 수를 제외하고 제2SF의 동작과 마찬가지이다.

다음으로, 본 발명의 특징인 잉여 전하 소거 동작에 대해서 설명한다. 도 9는, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 잉여 전하 소거 동작을 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도이며, 제1SF에 있어서 잉여 전하 소거 동작을 행하고 있다. 그리고, 본 실시 형태에서는, 약 10초에 1회의 비율(600필드에 1회)로 잉여 전하 소거 동작을 행하는 서브필드가 삽입되고, 도 9에 나타낸 구동 전압 파형이 패널의 각 전극에 인가된다.

잉여 전하 소거 동작을 행하는 제1SF의 초기화 기간의 동작은, 잉여 전하 소거 동작을 행하지 않는 제1SF의 초기화 기간의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

잉여 전하 소거 동작을 행하는 제1SF의 기입 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2을, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vc를 인가한다.

다음으로, 1라인째의 주사 전극 SC1에 마이너스의 주사 펄스 전압 Va를 인가하는 동시에, 표시하는 화상에 관계없이 모든 데이터 전극 D1∼Dm에 플러스의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 그렇게 하면, 모든 데이터 전극 D1∼Dm 상과 주사 전극 SC1 상의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(Vd-Va)에 데이터 전극 D1∼Dm 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 모든 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 일어나서 주사 전극 SC1 상에 플러스의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1 상에 마이너스의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 D1∼Dm 상에도 마이너스의 벽전압이 축적된다.

이와 같이 하여, 1라인째의 방전 셀 모두에 있어서 기입 방전을 발생한다. 이상의 기입 동작을 n라인째의 방전 셀에 이르기까지 행하여, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 기입 기간이 종료한다. 참고로, 도 9에 나타낸 데이터 전극 D1∼Dm에 인가하는 구동 전압 파형 등은 일례이며, 표시하는 화상에 관계없이 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 구동 전압 파형이면 좋다.

계속되는 유지 기간에서는, 주사 전극 SC1∼SCn 및 유지 전극 SU1∼SUn에 유지 펄스를 인가하지 않고, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn 사이에 소위 세폭 펄스 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SC1∼SCn 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 벽전압을 소거한다. 또한, 여기에서도 세폭 펄스 형상의 전압차 대신에 경사 파형 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채 주사 전극 SC1∼SCn 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 벽전압을 소거해도 좋다.

제2SF∼제10SF의 동작에 대해서는, 잉여 전하 소거 동작을 행하지 않으므로, 도 8에 나타낸 제2SF∼제10SF의 동작과 마찬가지이다.

이상, 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 도 8에 나타낸 구동 전압 파형을 패널(10)의 각 전극에 인가해서 화상 표시를 행하고, 약 10초에 1회의 비율로 도 9에 나타낸 구동 전압 파형을 동 패널(10)의 각 전극에 인가해서 잉여 전하 소거 동작을 행한다. 이와 같이, 기입 기간에 있어서 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 서브필드를 소정의 시간간격으로 삽입해서 패널(10)을 구동함으로써, 고휘도, 고발광 효율의 패널(10)을, 오방전이 발생하는 일 없이 고속이면서 안정적으로 구동할 수 있다.

이하에 그 이유에 대해서 설명한다. 전체 셀 초기화 동작에 수반하는 오방전은, 크세논 분압이 높은 패널에서 발생하기 쉬우며, 또한 어두운 화상을 표시하는 경우에 발생하기 쉽다. 특히, 장시간에 걸쳐 흑을 표시하고 있는 영역, 즉 전체 셀 초기화 동작 이외의 방전이 장시간에 걸쳐 발생하지 않는 방전 셀의 영역에서 발생하기 쉬우며, 몇 십초∼몇 분에 1회의 비율로 세로근 형상의 강한 오방전이 발생하는 경우가 있다.

이 오방전의 원인은 완전하게 해명된 것은 아니지만, 예를 들면 다음과 같이 생각할 수 있다. 전체 셀 초기화 동작에 수반하는 방전은, 완만하게 상승 또는 하강하는 경사 파형 전압에 의한 방전으로, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)이 대향하는 방전 갭의 근방에 국재한 미약한 방전이다. 그 때문에, 방전 셀 내부의 방전 갭의 근방에서 벽전하의 재배치가 일어나 벽전압이 제어된다. 그러나, 방전 갭으로부터 먼 부분의 벽전하는, 전체 셀 초기화 동작에 수반하는 방전에 의해 소거할 수 없다. 그리고, 방전 갭으로부터 먼 부분에, 시간과 함께 불필요한 전하가 잉여 전하로 되어 축적되어 간다. 그리고, 이 잉여 전하가 소정의 한계값을 초과해서 축적되면, 이들이 한꺼번에 방전되어 오방전이 발생한다고 생각할 수 있다.

본 실시 형태에서는, 거의 10초에 1회의 비율로, 모든 데이터 전극 D1∼Dm과 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에서 기입 방전을 발생시켜, 방전 셀 내부의 잉여 전하를 소거하고 있다. 따라서, 비록 잉여 전하가 어느 정도 축적되어도, 그것이 한계값을 초과하기 전에 소거되므로, 오방전을 발생하는 일이 없다. 또한, 잉여 전하를 소거하기 위한 방전을 화상 표시와는 관계없이 발생시키므로, 이때의 휘도를 극력 억제하기 위해서, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 제1SF의 유지 기간에서는 유지 펄스를 인가하지 않고 주사 전극 SC1∼SCn 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 벽전압을 소거하고 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 거의 10초에 1회의 비율로, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 서브필드를 삽입하는 것으로 해서 설명했는데, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 서브필드를 삽입하는 빈도는 패널의 방전 특성 등에 따라서 최적으로 설정하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시 형태에서는, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 서브필드가 제1SF라고 하고 설명했지만, 다른 서브필드에 있어서 잉여 전하 소거 동작을 행해도 된다. 그러나, 화상 표시 품질을 손상시키지 않기 위해서, 유지 펄스 수가 적은 서브필드에서 잉여 전하 소거 동작을 행하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시 형태에서는, 1개의 서브필드(제1SF) 전체의 기간을 이용해서 잉여 전하를 소거하는 동작을 행하였는데, 잉여 전하 소거 동작을 행하는 기간(이하, 「잉여 전하 소거 기간」이라고 약칭함)을 어느 한쪽의 서브필드에 삽입함으로써 잉여 전하를 소거해도 좋다. 도 10은, 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 잉여 전하 소거 동작을 행하기 위해 인가하는 구동 전압 파형도로서, 제1SF의 기입 기간 전에 잉여 전하 소거 기간을 삽입한 구동 전압 파형을 나타내고 있다.

잉여 전하 소거 기간을 갖는 제1SF의 초기화 기간의 동작은, 잉여 전하 소거 기간을 갖지 않는 제1SF의 초기화 기간의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

계속되는 잉여 전하 소거 기간에서는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2를 인가한다. 그리고, 모든 주사 전극 SC1∼SCn에 마이너스의 주사 펄스 전압 Va를 인가하는 동시에, 모든 데이터 전극 D1∼Dm에 플러스의 기입 펄스 전압 Vd를 인가한다. 그렇게 하면, 모든 방전 셀에서 잉여 전하를 소거하는 기입 방전이 일어나서 주사 전극 SC1∼SCn 상에 플러스의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1∼SUn 상에 마이너스의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 D1∼Dm 상에도 마이너스의 벽전압이 축적된다.

그 후, 주사 전극 SC1∼SCn과 유지 전극 SU1∼SUn 사이에 소위 세폭 펄스 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SC1∼SCn 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 벽전압을 소거한다. 또한, 여기에서도 세폭 펄스 형상의 전압차 대신에 경사 파형 형상의 전압차를 부여하여, 데이터 전극 Dk 상의 플러스의 벽전압을 남긴 채, 주사 전극 SC1∼SCn 상 및 유지 전극 SU1∼SUn 상의 벽전압을 소거해도 좋다.

제1SF의 기입 기간 이후의 동작은, 잉여 전하 소거 기간을 갖지 않는 제1SF의 기입 기간 이후의 동작과 마찬가지이므로, 설명을 생략한다.

또한, 상술한 설명에서는, 제1SF에 잉여 전하 소거 기간을 삽입하는 것으로해서 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니라, 다른 서브필드에 잉여 전하 소거 기간을 삽입해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

다음으로, 상술한 구동 전압을 발생해서 패널을 구동하는 패널 구동 회로의 일례에 대해서 설명한다.

도 11은, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(100)는, 패널(10)과 패널 구동 회로를 구비하고 있다. 패널 구동 회로는, 화상 신호 처리 회로(41), 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45) 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다.

화상 신호 처리 회로(41)는, 입력된 화상 신호를 서브필드마다의 발광·비발광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(42)는 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극 D1∼Dm에 대응하는 신호로 변환하여 각 데이터 전극 D1∼Dm을 구동한다.

타이밍 발생 회로(45)는 수평 동기 신호 및 수직 동기 신호를 기초로 하여, 기입 기간에 있어서 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 서브필드를 소정의 시간간격으로 삽입하도록, 또는, 모든 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기간을 기입 기간 전에 삽입한 서브필드를 소정의 시간간격으로 삽입하도록, 각 회로 블록의 동작을 제어하는 각종의 타이밍 신호를 발생하여, 각각의 회로 블록에 공급한다.

주사 전극 구동 회로(43)는 타이밍 신호에 기초해서 각 주사 전극(SC1∼SCn)을 각각 구동하고, 유지 전극 구동 회로(44)는 타이밍 신호에 기초해서 유지 전극 SU1∼SUn을 구동한다.

도 12는, 본 발명의 실시 형태에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 주사 전극 구동 회로(43) 및 유지 전극 구동 회로(44)의 회로도이다.

주사 전극 구동 회로(43)는, 유지 펄스 발생 회로(50), 초기화 파형 발생 회로(60), 주사 펄스 발생 회로(70)를 구비하고 있다. 유지 펄스 발생 회로(50)는, 주사 전극 SC1∼SCn에 전압 Vs를 인가하기 위한 스위칭 소자(Q55)와, 주사 전극 SC1∼SCn에 0(V)을 인가하기 위한 스위칭 소자(Q56)와, 주사 전극 SC1∼SCn에 유지 펄스를 인가할 때의 전력을 회수하기 위한 전력 회수부(59)를 갖는다. 초기화 파형 발생 회로(60)는, 주사 전극 SC1∼SCn에 상행 경사 파형 전압을 인가하기 위한 미러 적분 회로(61)와, 주사 전극 SC1∼SCn에 하행 경사 파형 전압을 인가하기 위한 미러 적분 회로(62)를 갖는다. 또한, 스위칭 소자(Q63) 및 스위칭 소자(Q64)는, 다른 스위칭 소자의 기생 다이오드 등을 통해서 전류가 역류하는 것을 방지하기 위해서 설치되어 있다. 주사 펄스 발생 회로(70)는, 플로팅 전원(E71)과, 플로팅 전원(E71)의 고압측의 전압 또는 저압측의 전압을 주사 전극 SC1∼SCn의 각각에 인가하기 위한 스위칭 소자(Q72H1∼Q72Hn, Q72L1∼Q72Ln)와, 플로팅 전원(E71)의 저압측의 전압을 전압 Va에 고정하는 스위칭 소자(Q73)를 갖는다.

유지 전극 구동 회로(44)는, 유지 펄스 발생 회로(80), 초기화·기입 전압 발생 회로(90)를 구비하고 있다. 유지 펄스 발생 회로(80)는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Vs를 인가하기 위한 스위칭 소자(Q85)와, 유지 전극 SU1∼SUn에 0(V)을 인가하기 위한 스위칭 소자(Q86)와, 유지 전극 SU1∼SUn에 유지 펄스를 인가할 때의 전력을 회수하기 위한 전력 회수부(89)를 갖는다. 초기화·기입 전압 발생 회로(90)는, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve1을 인가하기 위한 스위칭 소자(Q92) 및 다이오드(D92)와, 유지 전극 SU1∼SUn에 전압 Ve2을 인가하기 위한 스위칭 소자(Q94) 및 다이오드(D94)를 갖는다.

또한, 이들 스위칭 소자는, MOSFET나 IGBT 등의 일반적으로 알려진 소자를 이용해서 구성할 수 있다. 또한, 이들 스위칭 소자는, 타이밍 발생 회로(45)에서 발생한 각각의 스위칭 소자에 대응하는 타이밍 신호에 의해 제어된다.

또한, 도 12에 나타낸 구동 회로는, 도 7에 나타낸 구동 전압 파형을 발생시키는 회로 구성의 일례이며, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는, 이 회로 구성에 한정되는 것이 아니다.

또한, 본 실시 형태에 있어서 이용한 구체적인 각 수치는, 단순히 일 예를 든 것에 지나지 않으며, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 맞추어 적절히 최적인 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

<산업상의 이용가능성>

본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치는, 고속이면서 안정된 기입 동작을 행하여, 표시 품질이 우수한 화상을 표시할 수 있으므로 디스플레이 장치로서 유용하다.

Claims (3)

1. 제1의 글래스 기판 상에 표시 전극쌍을 형성하고 상기 표시 전극쌍을 피복하도록 유전체층을 형성하며, 상기 유전체층 상에 보호층을 형성한 전면판과, 제2의 글래스 기판상에 데이터 전극을 형성한 배면판을 대향 배치하고, 상기 표시 전극쌍과 상기 데이터 전극이 대향하는 위치에 방전 셀을 형성한 플라즈마 디스플레이 패널과,
   상기 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 시간적으로 배치하여 1필드 기간을 구성해서 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 패널 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치로서,
   상기 패널 구동 회로는, 모든 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기간을 기입 기간 중 또는 상기 초기화 기간과 기입 기간 전에 설치한 서브필드를 가지며, 그 서브필드를 소정의 시간간격으로 삽입하여 상기 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하도록 구성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 소정의 시간간격은, 10초 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판에 있어서, 보호층은, 유전체층 상에 형성한 기초 보호층과, 이 기초보호층 상에 형성한 입자층으로 구성하고, 또한 상기 입자층은, 산화 마그네슘의 단결정 입자를 부착시킨 것임을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

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