KR20100017841A - 금속 베이스 회로 기판 - Google Patents
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Abstract
전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 가진 금속 베이스 회로 기판을 제공한다. 금속판 상에 절연층을 통하여 회로가 설치된 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 절연층 상에 백색막을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이 제공된다.
Description
본 발명은 금속 베이스 회로 기판에 관한 것이다.
종래부터 액정 표시장치는 여러가지 분야에서 사용되고 있고, 특히 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 전자 산업분야에서는 많이 사용되어 왔다. 액정 표시장치에서는 직하형 백 라이트 시스템을 채용하고 있는 것은 액정 패널의 배면에 백 라이트를 배치하고 있고, 엣지 라이트형에서는 광원으로부터의 출사광을 도광판에 입사시켜 그 전파한 빛을 도광판의 표면측으로부터 프리즘 시트 등을 통하여 출사시킴으로써, 액정 패널의 배면을 전체적으로 조사하도록 하고 있다.
백 라이트의 광원으로는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp： 냉음극관)이라고 하는 소형의 형광관이나 LED(Light Emitting Diode： 발광 다이오드)를 사용한 것이 많다. 그러나, 근래의 환경면에 대한 배려로부터 수은을 사용하고 있는 CCFL 대신에 LED를 광원으로 한 백 라이트가 확산되고 있다.
덧붙여, 텔레비전용 액정 표시장치의 대(大)면적화가 한층 요망되고 있어, 이 때문에 대(大)광량이 필요하다. 따라서, 가능한 한 많은 광량을 액정 부분에 공급할 필요가 있다. 이 때문에 백 라이트로부터 공급하는 광량을 최대화하기 위해서는 LED로부터의 출사광 뿐만 아니라 반사광을 유효하게 이용할 필요가 있다. 그리고 이 반사광을 유효하게 이용하기 위해서는 광 반사 시트를 이용하는 것이 일반적이다(특허 문헌 1 참조). 종래, 직하형 백 라이트용 LED 패키지 실장용 프린트 회로 기판에는 빛을 반사하는 기능이 존재하지 않기 때문에 백 라이트용 프린트 회로 기판으로서 사용하는 경우에는 LED 패키지 실장 후에 광 반사 시트를 첩부하고 있었다.
발명이 해결하려고 하는 과제
그러나, 특허 문헌 1에서는 제조시의 공정수(工程數) 및 필요 부재의 증가에 의해 제조 프로세스상 취급이 번잡하게 되어 불편하다고 하는 문제가 있었다.
한편, 회로부에 고반사율의 금속인 은을 도금하여 보다 높은 반사광을 얻으려고 하는 방법이 종래부터 이용되고 있다. 그러나, 고반사율의 금속인 은을 도금하는 수법은 고온 고습하에서의 사용(직류 전압 인가)시에 이온 이동(migration)을 발생시킬 염려가 높고, 절연 신뢰성이 낮아진다고 하는 문제가 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특개 2006-310014호 공보
즉, 본 발명의 목적은 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 가진 금속 베이스 회로 기판을 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명에 의하면, 금속판 상에 절연층을 통하여 회로가 설치된 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 절연층 상에 백색막을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이 제공된다.
또, 본 발명에 의하면, 금속판 상에 복수의 절연층과 회로를 교대로 설치한 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 금속판으로부터 가장 떨어진 절연층 상에 백색막을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이 제공된다.
또, 본 발명에 의하면 금속판과 상기 금속판의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층과 상기 절연층 상에 금속박으로 형성된 회로와 상기 회로 상에 상기 회로를 형성하는 금속과는 다른 종류의 금속이 적층되어 있는 금속 베이스 회로 기판으로서, 상기 회로가 구리박으로 이루어지고 상기 구리박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 알루미늄층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이 제공된다.
상기 구성으로 이루어진 금속 베이스 회로 기판은 LED 실장 후에 광 반사 시트를 첩부하지 않아도, 금속 베이스 회로 기판만으로 반사광을 유효하게 이용할 수 있다. 즉, 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 가진 금속 베이스 회로 기판을 얻을 수 있다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 가진 회로 기판을 제공할 수 있다.
발명을 실시하기 위한 바람직한 형태
＜용어의 설명＞
［반사율］
또한, 본 명세서에서 이용하는 반사율이란 기판 표면으로의 입사광으로부터 기판층내로 흡수되는 빛과 투과하는 빛을 제외한 것이다. 적분구(積分救)를 갖춘 분광광도계에서 적어도 400~800nm의 파장 범위에서 측정 가능한 측정 장치로 측정한다. 본 발명자는 시마즈 분광 광도계 UV-2550, 적분구 ISR2200을 사용하였다. 이 측정 장치에서는 220nm 내지 850nm의 파장 범위에서의 측정이 가능하다.
이하, 본 발명의 각 실시형태에 대해서 도 1~7을 이용하여 설명한다.
＜실시형태 1＞
도 1은 실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 금속판(금속박) (11)과 절연층 (12) 및 회로 (13)로 이루어지는 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막 (14)를 형성한 것이며, 복수의 LED 패키지 (15)가 땜납 접합부 (16) 등에 의해 접합 탑재되어 있다.
실시형태 1에 있어서는 백색막이 고반사율을 갖는 것이 특징이며, 420~800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 모두 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 상기 구성을 가지고 있고, 게다가 절연층 (12)의 열전도율이 1~4 W／mK이고, 도체 회로 (13)와 금속박 (11) 사이의 내전압이 1.5 kV 이상, 바람직하게는 2 kV 이상이라고 하는 높은 방열성과 내전압 특성을 가지고 있다.
그리고 LED 광원(LED 패키지 (15))으로부터 발생하는 열을 효율적으로 금속 베이스 회로 기판 이면 측에 방열하고, 또한 외부에 방열함으로써 LED 광원을 실장한 회로 기판의 축열을 저감하여, LED의 온도 상승을 작게 함으로써 LED의 발광 효율 저하를 억제할 수 있다. 이 때문에 광 반사 기능을 갖는 고반사율의 백색막 (14)의 효과와 더불어, 밝고 또한 수명이 긴 백 라이트를 제공할 수 있다.
이하, 실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 각 구성에 대해 자세하게 설명한다.
［금속판(금속박)］
실시형태 1에 있어서, 금속판(금속박) (11)으로는 양호한 열전도성을 갖는 구리 및 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금, 철 및 스텐레스 등이 바람직하게 이용된다.
또, 금속판(금속박) (11)의 두께로는 9㎛ 이상 400㎛ 이하인 것이 바람직하게 이용된다. 금속판(금속박) (11)의 두께가 9㎛ 이상이면 금속 베이스 회로 기판의 강성이 저하하기 때문에 실 사용에 적합하지 않게 되는 일도 없으며, 두께가 400㎛ 이하인 경우에는 두께가 증가하여 소형화나 박형화에도 유용하다.
［절연층］
실시형태 1에 있어서, 절연층 (12)의 두께는 80㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하다. 80㎛ 이상이면 전기 절연성을 확보할 수 있고, 200㎛ 이하로 열 방산성을 충분히 달성할 수 있고 소형화나 박형화에 기여할 수 있다.
절연층 (12)은 통상 열경화성 수지를 이용하지만, 열경화성 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 무기 필러를 포함하면서도 경화 상태에 있어서 금속판(금속박) (11)과 회로 (13)의 접합력 및 절연성이 뛰어난 2 관능성 에폭시 수지와 중부가형 경화제를 주성분으로 한 것이 바람직하다.
중부가형 경화제로는 기계적 및 전기적 성질이 뛰어난 산 무수물류나 페놀류가 바람직하고, 열경화성 수지에 포함되는 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서 활성 수소 등의 양이 0.8~1 배가 되도록 첨가하는 것이 절연층의 기계적 및 전기적 성질을 확보하기 위해 바람직하다.
상기 에폭시 수지로는 비교적 염가로 입수하는 2 관능성 에폭시 수지인 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 레조르시놀 디글리시딜에테르, 헥사히드로 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 프탈산 디글리시딜에스테르, 다이머산 디글리시딜에스테르 등이 바람직하게 이용된다.
중부가형 경화제로는 비교적 염가로 입수하는 산 무수물류의 무수 프탈산, 테트라히드로 메틸 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 메틸나딕산, 페놀류인 페놀 노볼락 등이 바람직하게 이용된다.
또, 상기 에폭시 수지와 중부가형 경화제의 경화 반응을 촉진시키기 위해 경화 촉매를 더해도 된다. 경화 촉매로는 이미다졸계가 바람직하고, 2-메틸 이미다졸, 2-운데실 이미다졸, 2-헵타 데실 이미다졸, 1,2-디메틸 이미다졸, 2-메틸-4-메틸 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-페닐 이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로〔1,2-a〕벤즈 이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시 메틸 이미다졸, 2,4-디아미노-6-〔2＇-메틸이미다졸릴-(1＇)〕-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-〔2＇-운데실이미다졸릴-(1＇)〕-에틸-s-트리아진, 1-시아노메틸-2-메틸 이미다졸 등이 바람직하다. 그 첨가량은 원하는 경화 속도를 얻기 위해서 임의로 변경해도 된다.
절연층 (12)을 구성하는 열경화성 수지 중의 염화물 이온 농도는 1000ppm 이하인 것이 바람직하고, 500ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 경화성 수지 조성물 중의 염화물 이온 농도가 1000ppm 이하이면, 고온하, 직류 전압하에 있어서 이온성 불순물의 이동이 일어나 전기 절연성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
［무기 필러］
절연층 (12)에 함유되는 무기 필러로는 전기 절연성이고 열전도성이 양호한 것이 바람직하고, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소, 질화 붕소 등이 이용된다.
절연층 (12) 중의 무기 필러의 함유량은 적절한 유동성을 유지하기 위해서 50 부피％ 이상 75 부피％ 이하가 바람직하다. 또, 무기 필러의 입도는 평균 입경이 0.6~2.4㎛ 및 5~20㎛의 2 종류의 것을 함유하고 있는 것이 바람직하다. 평균 입경이 큰 조립자와 평균 입경이 작은 미립자를 혼합함으로써 각각을 단독으로 이용했을 경우보다 고(高)충전이 가능해져, 양호한 열전도성을 얻는 것이 가능해진다. 또, 입자 형상은 파쇄, 구상, 인편상 중 어느 것이어도 된다.
상기 무기 필러의 함유량은 50 부피％ 이상이면, LED 패키지를 사용한 백 라이트용 회로 기판으로서 필요한 열전도성을 얻을 수 있고, 75％ 이하이면, 절연재가 고점도화하여 절연재의 도공이 곤란해지는 일이 없고, 기계적 성질 및 전기적 성질의 문제가 생길 일도 없다.
또, 무기 필러 중의 나트륨 이온 농도는 500ppm 이하인 것이 바람직하고, 100ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 필러 중의 나트륨 이온 농도가 500ppm 이하이면, 고온하, 직류 전압하에 있어서 이온성 불순물의 이동이 일어나 전기 절연성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
［회로］
회로 (13)의 두께는 9㎛ 이상 140㎛ 이하인 것이 바람직하다. 회로 (13)의 두께가 9㎛ 이상이면 회로로서의 기능을 충분히 달성할 수 있고, 140㎛ 이하이면 두께가 지나치게 증가하여 소형화나 박형화가 어려워질 일도 없다. 또, 회로 (13)로는 구리, 알루미늄, 니켈 및 이들을 함유하는 합금이 바람직하게 이용된다.
［백색막］
백색막 (14)으로는 420~800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 모두 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
이와 같은 재료로서 백색의 솔더 레지스트를 바람직하게 사용할 수 있다. 백색의 솔더 레지스트로는 열경화형 백색 솔더 레지스트, 자외선 경화형 백색 솔더 레지스트, 자외선ㆍ열 병용형 백색 솔더 레지스트 등을 이용할 수 있다.
상기 백색 솔더 레지스트에 포함되는 백색 안료로는 이산화 티탄이 바람직하고 그 중에서도 루틸형(rutile type)인 것이 보다 바람직하다. 루틸형인 것은 안정성이 뛰어나기 때문에 광 촉매 작용이 약하고, 다른 구조의 것에 비해 수지 성분의 열화가 억제된다.
상기 이산화 티탄은 이산화 규소 또는 수산화 알루미늄 등으로 피복 한 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 처리를 실시한 이산화 티탄은 광 촉매 작용이 보다 억제되어 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다. 또, 이산화 티탄의 함유량으로는 백색막 자체의 내구성이라고 하는 관점으로부터, 백색막 중 30 중량％ 이상 60 중량％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 솔더 레지스트에 사용되는 수지로는 백색막 자체의 내구성이라고 하는 관점으로부터, 열경화형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 에폭시 수지, 자외선 경화형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 아크릴 수지, 자외선ㆍ열 병용형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 에폭시 수지와 아크릴 수지의 병용이 바람직하다.
＜실시형태 2＞
도 2는 실시형태 2에 관련되는 단층 회로 금속 베이스 회로 기판의 단층 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 도 2의 금속 베이스 회로 기판은 금속판 (21)과 절연층 (22)과 회로 (23)를 포함하는 금속 베이스 회로 기판의 적어도 절연층 (22) 상에 고반사율의 백색막 (24)를 형성한 것이다. 백색막 (24)은 절연층 (22) 뿐만이 아니라, 도 2에 예시하는 대로 회로 (23)의 전체면 혹은 일부를 가리도록 설치되어 있어도 무관하다. 또, 실시형태 2에 관련되는 단층 회로 금속 베이스 회로 기판은 1개 이상의 LED 패키지 (26)가 땜납 접합부 (25) 등에 의해 접합 탑재되어 사용된다.
또, 실시형태 2에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 도 3에 나타내는 다층 회로 기판이어도 된다. 도 3은 실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판은 금속판 (31) 상에 복수의 절연층 (32), (33)과 회로 (34), (36)를 교대로 형성한 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 금속판 (31)과 가장 떨어진 절연층 (33) 상에 고반사율의 백색막 (37)을 형성한 것이다. 백색막 (37)은 절연층 (33) 뿐만이 아니라, 도 3에 예시하는 대로 회로 (36)의 전체면 혹은 일부를 가리도록 설치되고 있어도 무관하다. 실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판은 1개 이상의 LED 패키지 (39)가 땜납 접합부 (38) 등에 의해 접합 탑재된다. 또한, 도 3에서는 2층 구조의 금속 베이스 회로 기판을 예시했지만, 3층 구조 이상의 경우도 기본 구조는 동일하다.
실시형태 2에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 금속 베이스 회로 기판의 적어도 절연층 상에 백색막을 설치함으로써 높은 반사율을 갖는다. 그리고 LED 실장 용도에 적용해도 LED가 발하는 빛에 열화되는 일 없이, 또한 LED를 액정 표시장치의 백 라이트에 이용하는 경우에는 백 라이트의 빛을 효율적으로 이용하는 것에 기여하므로, 해당 용도에 매우 적합하다는 특징을 갖는다.
이하, 실시형태 2에 관련되는 단층 회로 금속 베이스 회로 기판의 각 구성에 대해 자세하게 설명한다. 또한, 실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판의 각 구성에 대해서는 실시형태 2에 관련되는 단층 다층 회로 금속 베이스 회로 기판과 동일하다.
［금속판］
금속판 (21)은 알루미늄, 철, 구리 또는 이들 금속의 합금 중 어느 하나여도 무관하지만, 열 방산성을 고려하면 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금이 바람직하다. 또, 필요에 따라서 절연층과의 밀착성을 개량하기 위해서 절연층과의 접착면측에 샌드 블레스트, 에칭, 각종 도금 처리, 커플링제 처리 등의 표면 처리를 실시해도 된다. 또한, 금속판 (31)을 상기 공지 기술을 이용하여 회로화하는 것도 가능하다.
금속판 (21)의 두께는 0.013mm 이상인 것이 바람직하다. 바람직하게는 0.05mm 이상이다. 0.013mm 이상이면 핸들링시에 주름이 생기는 일도 없다. 상한값에 대해서는 기술적인 제한은 없지만, 0.5mm 이하인 경우에는 액정 장치의 백 라이트용 LED를 탑재하는 회로 기판으로서 매우 적합하지만, 금속 기반의 두께가 4mm를 넘으면 금속 베이스 회로 기판으로서의 용도를 찾아내지 못하여 실용적이지 않다.
［절연층］
실시형태 2에 관련되는 금속 베이스 회로 기판에 있어서, 절연층 (22)의 열전도율은 1 W／mK 이상이며, 바람직하게는 1.5 W／mK 이상이다. 1 W／mK 이상의 열전도율을 갖는 절연층을 이용한 금속 베이스 회로 기판은 LED를 탑재했을 때에 LED 광원으로부터 발생하는 열을 효율적으로 금속 베이스 회로 기판 이면 측에 방열하고, 또한 외부에 방열함으로써 LED 패키지 실장 회로 기판의 축열을 저감하여, LED의 온도 상승을 작게 하는 것과 동시에, 백 라이트면 내의 온도를 균일화함으로써 LED의 발광 효율 저하 억제와 휘도의 균일화를 도모할 수 있다. 이 때문에 광 반사 기능을 갖는 고반사율의 백색막의 효과와 더불어, 밝고 또한 수명이 긴 백 라이트를 제공할 수 있다.
또, 도체 회로 (23)와 금속판 (21)과의 사이의 내전압이 1.5 kV 이상, 바람직하게는 2 kV 이상이라고 하는 내전압 특성을 갖는 것이 바람직하다. 내전압이 1.5 kV 이상이면, LED를 탑재했을 때에 안정적으로 LED를 가동시킬 수 있다.
절연층 (22)를 구성하는 재료로는 페놀 수지, 이미드 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등 회로 기판으로서 사용되고 있는 수지를 선택할 수 있지만, 전술한 열전도율과 내전압 특성을 얻는다고 하는 관점으로부터, 무기 필러와 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제를 함유하는 것이 바람직하다.
절연층 (22)의 두께는 50㎛ 이상 400㎛ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 80㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 50㎛ 이상이면 전기 절연성을 확보할 수 있고, 400㎛ 이하로 열 방산성을 충분히 달성할 수 있고, 소형화나 박형화에 기여할 수 있다.
상기 에폭시 수지로는 비교적 염가로 입수하는 공지의 에폭시 수지, 예를 들면 나프탈렌형, 페닐 메탄형, 테트라키스 페놀 메탄형, 비페닐형 및 비스페놀 A 알킬렌 옥사이드 부가물형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이 중 응력 완화성이라고 하는 이유에서 주쇄가 폴리 에테르 골격을 갖고 직쇄상인 에폭시 수지가 바람직하다.
여기서, 주쇄가 폴리 에테르 골격을 갖고 주쇄상인 에폭시 수지로는 비교적 염가로 입수하는 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 수소 첨가 에폭시 수지, 폴리프로필렌글리콜형 에폭시 수지, 폴리테트라메틸렌글리콜형 에폭시 수지로 대표되는 지방족 에폭시 수지 및 폴리설파이드 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들을 복수 조합하여 이용할 수도 있다.
또, 금속 베이스 회로 기판에 높은 내열성이 필요한 경우에는 비스페놀 A형 에폭시 수지를 단독, 혹은 다른 에폭시 수지와 조합하여 이용함으로써 전기 절연성, 열전도율이 모두 높고, 내열성이 높은 수지 경화체를 얻는 것이 가능해진다.
상기 비스페놀 A형 에폭시 수지에 대해서는 에폭시 당량이 300 이하인 것이 한층 바람직하다. 에폭시 당량이 300 이하이면, 고분자 타입이 될 때 볼 수 있는 가교 밀도의 저하에 의한 Tg의 저하, 따라서 내열성의 저하를 일으키는 것이 방지되기 때문이다. 또, 분자량이 커지면 액상으로부터 고형상이 되어, 무기 필러를 경화성 수지 중에 블렌드하는 것이 곤란하게 되어, 균일한 수지 조성물을 얻을 수 없게 된다고 하는 문제도 피할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 가수분해성 염소 농도가 600ppm 이하인 것이 바람직하다. 가수분해성 염소 농도가 600ppm 이하이면, 금속 베이스 회로 기판으로서 충분한 내습성을 나타낼 수 있다.
상기 에폭시 수지에는 경화제를 첨가하는 것이 바람직하다. 경화제로는 방향족 아민계 수지, 산 무수물계 수지, 페놀계 수지 및 디시안아미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종류 이상을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 경화제의 첨가량에 대해서는 경화 후에 충분한 강도를 얻기 위해서는 에폭시 수지 100 중량부에 대해서 5 중량부 이상 50 중량부 이하인 것이 바람직하고, 10 중량부 이상 35 중량부 이하인 것이 한층 바람직하다.
또, 상기 에폭시 수지에는 필요에 따라서 경화 촉매를 사용할 수도 있다. 경화 촉매로는 일반적으로 이미다졸 화합물, 유기 인산 화합물, 제3급 아민, 제4급 암모늄 등이 사용되고 어느 쪽이든 1 종류 이상을 선택할 수 있다. 또, 첨가량에 대해서는 경화 온도에 의해 변화하기 때문에 특별히 제한은 없지만, 일반적으로 에폭시 수지 100 중량부에 대해서 0.01 중량부 이상 5 중량부 이하인 것이 바람직하다. 0.01 중량부 이상이면 충분히 경화하고, 5 중량부 이하이면 회로 기판 제조 공정에서의 경화 정도의 제어가 용이해진다.
［무기 필러］
절연층 (22)을 구성하는 수지에 첨가되는 무기 필러로는 전기 절연성이고 열전도성이 뛰어난 것이면 어떠한 것이라도 무관하다. 이와 같은 물질로서 안정된 전기 절연성을 얻을 수 있기 때문에 예를 들면, 산화 규소, 산화 알류미늄, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 산화 마그네슘, 질화 규소 등이 바람직하게 이용된다. 이러한 필러는 단독으로 이용해도 되지만, 복수를 조합하여 이용하는 것도 가능하다.
상기 무기 필러로는 특히 질화 알루미늄 및 질화 붕소가 고열 전도성이라고 하는 이유에서 바람직하다. 또, 이산화 규소, 질화 붕소를 이용함으로써 경화체의 유전율을 낮게 억제하는 것이 가능해져, 고주파로 이용하는 전기, 전자 부품의 방열 재료에 이용하는 경우에 전기 절연성을 확보하기 쉽기 때문에 바람직하다.
또한, 핸들링성 및 유동성을 향상시키기 위해 상기 무기 필러의 입자 형상은 어스펙트비가 1에 가까운 것이 바람직하다. 조립자와 미립자를 혼합하면 파쇄입자나 구상 입자를 단독으로 이용했을 경우보다 고충전이 가능해져 더욱 바람직하다.
상기 무기 필러로는 절연층의 열전도 특성을 향상시키는 목적으로, 조립자와 미립자 등의 복수의 입자군(분말)을 혼합 사용할 수 있다. 예를 들면, 조립자와 미립자를 혼합하여 이용하는 경우에는 평균 입자 지름이 5㎛ 이상의 조립자 분말과 5㎛ 미만의 미립자 분말을 이용하는 것이 바람직하다. 조립자 분말과 미립자 분말의 비율은 조립자 분말이 무기 필러 전체에 대해서 40 부피％ 이상 98 부피％ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50 부피％ 이상 96 부피％ 이하이다.
상기 무기 필러의 배합 비율은 적절한 유동성을 유지하기 위해서 에폭시 수지와 에폭시 수지의 경화제의 합계량 100 중량부에 대해서 70 중량부 이상 95 중량부 이하가 바람직하고, 80 중량부 이상 90 중량부 이하가 한층 바람직하다.
［절연층 중에 첨가하는 백색 안료］
절연층 (22)에는 산화 아연, 탄산 칼슘, 이산화 티탄, 알루미나, 스멕타이트로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 백색 안료를 첨가하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 금속 베이스 회로 기판의 반사율을 한층 향상시키는 효과가 있다.
특히 도 3에 나타내는 다층 회로의 경우, 금속판으로부터 가장 떨어진 최외층이 되는 절연층(도 3에서는 절연층(2층째) (33))에 백색 안료를 함유 시킴으로써 금속 베이스 회로 기판의 반사율을 한층 향상시키는 효과가 있다.
절연층 (22)에 백색 안료를 첨가하는 경우의 첨가량은 절연층 전체에 대해 5~50 부피％가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5~30 부피％이다. 5 부피％ 이상이면 충분한 반사율 향상의 효과를 얻을 수 있고, 50 부피％ 이하이면 절연층을 형성하는 조작에 있어서 분산을 할 수 없게 되는 일도 없다.
상기 백색 안료 중 이산화 티탄(이산화티타늄)이 가장 굴절률이 크고, 기판의 빛의 반사율을 높이는 경우에 바람직하게 이용된다. 이산화 티탄에는 결정계가 아나타제형(anatase type)과 루틸형(rutile type)이 알려져 있지만, 안정성이 뛰어나기 때문에 광 촉매 작용이 약하다고 하는 이유로부터 루틸형이 바람직하다. 또, 이산화 티탄에 관해서 빛의 산란 효율을 높이기 위해서 평균 입자 지름이 0.30㎛ 이하인 것이 바람직하다.
상기 백색 안료 중 산화 아연은 고굴절률 및 고방열성을 겸비하는 재료이며, 기판의 반사율 및 방열성을 높이려는 경우에 바람직하게 이용된다. 또, 산화 아연의 빛의 산란 효율을 높이려는 경우에는 평균 입자 지름이 0.35㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또, 절연층 (22)에는 필요에 따라서 커플링제 등의 분산 조제, 용제 등의 점도 조정 조제 등 공지의 각종 조제를 본 발명의 목적에 반하지 않는 한에 있어서 첨가하는 것이 가능하다.
절연층의 빛의 반사율 및 절연 신뢰성을 조정하는 경우, 도 3과 같이 절연층의 구조를 2층 구조로 하는 것이 효과적이다. 절연층을 2층 구조로 하는 경우에는 내층이 되는 1층째(도 3에 있어서는 절연층 (1층째) (32))를 절연성이 높은 절연층으로, 외층이 되는 2층째(도 2에 있어서는 절연층(2층째) (33))를 반사율이 높은 절연층으로 하여 기능 분리 구조로 하는 것이 바람직하다. 또, 원하는 특성을 얻기 위해 각각의 절연층의 두께 비율을 변경하는 것이 보다 효과적이다.
［회로］
회로 (23)을 형성하는 재료는 알루미늄, 철, 구리 또는 이들 금속의 합금 중 어느 것이라도 무관하지만, 열 방산성을 고려하면 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금이 바람직하다. 또, 필요에 따라서 절연층과의 밀착성을 개량하기 위해서 절연층과의 접착면측에 샌드 블레스트, 에칭, 각종 도금 처리, 커플링제 처리 등의 표면 처리를 가해도 된다.
회로 (23)의 두께는 0.005mm 이상 0.400mm 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.03mm 이상 0.30mm 이하이다. 0.005mm 이상이면 백 라이트용 회로 기판으로서 충분한 도통 회로를 확보할 수 있고, 0.400mm 이하이면 회로 형성의 제조 프로세스상의 문제도 발생하는 일이 없다.
［백색막］
백색막 (24)은 여러가지 파장의 빛에 대해 고반사율을 갖는 것이 바람직하고, 액정 표시장치의 백 라이트용에 적용시키기 위해서는 420~800nm인 파장의 빛에 대한 반사율이 높은 것이 바람직하다.
백색막 (24)은 420~800nm인 파장의 빛에 대해서 반사율의 최소값이 70％ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 450~470nm, 520~570nm 및 620~660nm의 각각의 파장의 범위에서 백색막 (24)의 반사율의 최대값이 모두 80％ 이상인 것이 바람직하고, 85％ 이상인 것이 한층 바람직하다.
백색막 (24)은 구체적으로는 광경화 수지나 열경화 수지를 함유하는 수지 조성물에 백색 안료를 배합하여 얻을 수 있다. 광경화형 수지나 열경화성 수지로는 에폭시 수지, 아크릴 수지 및 이들의 혼합물이 매우 적합하게 이용되지만, 이들로 제한되는 것은 아니다.
백색막 (24)에 함유되는 백색 안료로는 산화 아연, 탄산 칼슘, 이산화 티탄, 알루미나, 스멕타이트로부터 선택되는 적어도 1종 이상을 함유하는 것이 바람직하고, 이들 중에서도 특히 고반사율을 얻을 수 있는 이산화 티탄이 바람직하다.
이산화 티탄에 대해서는 루틸형인 것이 안정성이 뛰어나기 때문에 광 촉매 작용이 약하여, 다른 구조의 것에 비해 수지 성분의 열화가 억제되므로 매우 적합하게 이용할 수 있다. 또한, 이산화 티탄에 각종 표면 처리를 실시하여 광 촉매 작용을 억제한 것이 매우 적합하게 이용할 수 있다. 표면 처리의 대표예로는 이산화 규소나 수산화 알루미늄 등에 의한 코팅을 들 수 있다.
백색막 (24) 중의 백색 안료의 함유량은 30 부피％ 이상 70 부피％ 이하가 바람직하고, 30 부피％ 이상 60 부피％ 이하가 보다 바람직하다. 30 부피％ 이상이면 충분한 반사 효과를 얻을 수 있고, 70 부피％ 이하이면, 막 형성시의 유동성이 저하하여 균일한 막을 형성할 수 없게 되어 버리는 것과 같은 일도 없다.
또한, 회로 (23) 상에 백색막 (24)을 형성하는 경우에는 LED 패키지 (26)의 탑재부나 배선부에 상당하는 부분에 미리 개구부를 설치하는 것으로 대응하면 된다.
＜실시형태 3＞
도 4는 실시형태 3에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 3의 금속 베이스 회로 기판에 있어서는 금속판(기재) (41)과 절연층 (42) 및 회로박 (A) (43)(구리), 회로박 (B) (44)(알루미늄 또는 니켈)로 이루어지는 금속 베이스 회로 기판 (46) 상에 고반사율의 백색막 (45)을 형성한 것이며, 복수의 LED (49)가 땜납 접합부 (47) 등에 의해 접합 탑재되어 있다.
실시형태 3에 있어서는 회로박 (B) (44)(알루미늄 또는 니켈) 및 이 회로박 상의 백색막 (45)이 고반사율을 갖는 것이 특징이며, 420nm 내지 800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
실시형태 3에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 상기 구성을 가지고 있고, 게다가 절연층의 열전도율이 1.0 W／mK 내지 16.0 W／mK이고, 도체 회로와 기재(금속박제) 사이의 내전압이 1.5 kV 이상, 바람직하게는 2 kV 이상이라고 하는 높은 방열성과 내전압 특성을 가지고 있어, LED 광원으로부터 발생하는 열을 효율적으로 회로 기판 이면 측에 방열하고, 또한 외부에 방열함으로써 LED 패키지 실장 회로 기판의 축열을 저감하여 LED의 온도 상승을 작게 함으로써 LED의 발광 효율 저하를 억제할 수 있다. 이 때문에 광 반사 기능을 갖는 회로박 (B) (44)(알루미늄 또는 니켈)와 상기 회로박 (B) (44)와의 상승효과가 기대되는 고반사율의 백색막 (45)의 효과와 더불어, 밝고 또한 수명이 긴 백 라이트를 제공할 수 있다.
＜실시형태 4＞
도 5는 실시형태 4에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 4의 금속 베이스 회로 기판에 있어서는 금속판(기재) (51)과 절연층 (52) 및 회로박 (A) (53)(알루미늄), 회로박 (B) (54)(구리 또는 니켈)로 이루어지는 금속 베이스 회로 기판 (56) 상에 고반사율의 백색막 (55)을 형성한 것이며, 복수의 LED (59)가 땜납 접합부 (57) 등에 의해 접합 탑재되어 있다.
실시형태 4에 있어서는 회로박 (A) (53)(알루미늄) 및 이 회로박 상의 백색막 (55)이 고반사율을 갖는 것이 특징이며, 420nm 내지 800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
상기 회로박 (A) (53)(알루미늄)는 표면의 10점 평균 조도(Rz)가 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 10점 평균 조도(Rz)의 값을 작게 하면, 고주파 대응시에 도체 손실의 영향이 적고 절연층과의 접착 강도도 충분히 확보할 수 있으므로 바람직하다.
＜실시형태 5＞
도 6은 실시형태 5에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 5의 금속 베이스 회로 기판에 있어서는 금속판(기재) (61)과 절연층 (62) 및 회로박 (A) (63)(알루미늄), 회로박 (B) (64)(구리 또는 니켈)로 이루어지는 금속 베이스 회로 기판 (65)을 나타낸 것이며, 복수의 LED (68)가 땜납 접합부 (66) 등에 의해 접합 탑재되어 있다.
실시형태 5에 있어서는 회로박 (A) (63)(알루미늄)가 고반사율을 갖는 것이 특징이며, 420nm 내지 800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
＜실시형태 6＞
도 7은 실시형태 6에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 개략도이다. 실시형태 6의 금속 베이스 회로 기판에 있어서는 금속판(기재) (71)과 절연층 (72) 및 회로박 (A) (73)(구리), 회로박 (B) (74)(알루미늄 또는 니켈)로 이루어지는 금속 베이스 회로 기판 (75)을 나타낸 것이며, 복수의 LED (78)가 땜납 접합부 (76) 등에 의해 접합 탑재되어 있다.
실시형태 6에 있어서는 회로박 (B) (74)(알루미늄 또는 니켈)가 고반사율을 갖는 것이 특징이며, 420~800nm의 가시광 영역에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 80％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다.
이하, 실시형태 3~6에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 각 구성에 대해 자세하게 설명한다.
［금속판(기재)］
실시형태 3~6에 있어서, 기재 (41), (51), (61) 및 (71)로는 양호한 열전도성을 갖는 구리 및 구리 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금, 철 및 스텐레스 등이 사용 가능하다. 또, 기재 (41), (51), (61) 및 (71)의 두께로는 18㎛ 이상 4.0mm 이하의 것이 바람직하다. 기재 (41), (51), (61) 및 (71)의 두께가 너무 얇으면 회로 기판의 강성이 저하하기 때문에 실 사용에 적합하지 않게 되는 경향에 있고, 두께가 너무 두꺼우면 소형화나 박형화에 바람직하지 않게 되는 경향에 있기 때문이다. 구체적으로는 기재 (41), (51), (61) 및 (71)의 두께가 18㎛ 이상이면 충분한 강성을 유지할 수 있고, 4.0mm 이하이면 박형화에 방해가 되지 않는다.
［절연층］
실시형태 3~6에 있어서, 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)의 두께는 50㎛ 이상 400㎛ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 80㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)가 얇으면 전기 절연성이 저하해 버리고, 너무 두꺼우면 방열 특성을 충분히 얻을 수 없다. 구체적으로는 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)이 50㎛ 이상이면 충분한 전기 절연성을 유지하고, 400㎛ 이하이면 충분한 방열 특성을 유지할 수 있다.
절연층 (42), (52), (62) 및 (72)은 통상 열경화성 수지를 이용하지만, 열경화성 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 무기 필러를 포함하면서도 경화 상태에 있어서 기재 (41), (51), (61) 및 (71)와 회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)의 접합력 및 절연성이 뛰어난 2 관능성 에폭시 수지와 중부가형 경화제를 주성분으로 한 것이 바람직하다.
중부가형 경화제로는 기계적 및 전기적 성질이 뛰어난 산 무수물류나 페놀류가 바람직하고, 열경화성 수지에 포함되는 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서 활성 수소 등의 양이 0.8배에서 1배가 되도록 첨가하는 것이 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)의 기계적 및 전기적 성질을 확보하기 위해 바람직하다.
상기 에폭시 수지로는 비교적 염가로 입수하는 2 관능성 에폭시 수지인 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 레조르시놀 디글리시딜에테르, 헥사히드로 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜 디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜 디글리시딜에테르, 프탈산 디글리시딜에스테르, 다이머산 디글리시딜에스테르 등이 바람직하게 이용된다.
상기 중부가형 경화제로는 비교적 염가로 입수하는 산 무수물류의 무수 프탈산, 테트라히드로 메틸 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 트리멜리트산, 무수 메틸나딕산, 페놀류인 페놀 노볼락 수지, 오르소크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A형 노볼락 수지 등이 바람직하게 이용된다.
또, 상기 에폭시 수지와 중부가형 경화제의 경화 반응을 촉진하기 위해 경화 촉매를 더해도 된다. 경화 촉매로는 이미다졸계가 바람직하고, 2-메틸 이미다졸, 2-운데실 이미다졸, 2-헵타 데실 이미다졸, 1,2-디메틸 이미다졸, 2-메틸-4-메틸 이미다졸, 2-페닐 이미다졸, 2-페닐-4-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-페닐 이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로〔1,2-a〕벤즈 이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시 메틸 이미다졸, 2,4-디아미노-6-〔2＇-메틸이미다졸릴-(1＇)〕-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-〔2＇-운데실이미다졸릴-(1＇)〕-에틸-s-트리아진, 1-시아노메틸-2-메틸 이미다졸 등이 바람직하다. 그 첨가량은 원하는 경화 속도를 얻기 위해서 임의로 변경해도 된다.
절연층 (42), (52), (62) 및 (72)를 구성하는 열경화성 수지 중의 염화물 이온 농도는 1000ppm 이하인 것이 바람직하고, 500ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 경화성 수지 조성물 중의 염화물 이온 농도가 1000ppm 이하이면, 고온하, 직류 전압하에 있어서 이온성 불순물의 이동이 일어나 전기 절연성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
［무기 필러］
절연층 (42), (52), (62) 및 (72)에 함유되는 무기 필러로는 전기 절연성으로 열전도성이 양호한 것이 바람직하고, 예를 들면 실리카, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소, 질화 붕소 등이 이용된다. 절연층 (42), (52), (62) 및 (72) 중의 무기 필러의 함유량은 적절한 유동성을 유지하기 위해서 30 부피％ 내지 80 부피％가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50 부피％ 내지 75 부피％이다.
무기 필러의 입도는 평균 입경이 0.6㎛ 내지 2.4㎛ 및 5㎛ 내지 20㎛의 2 종류의 것을 함유하고 있는 것이 바람직하다. 평균 입경이 큰 조립자와 평균 입경이 작은 미립자를 혼합함으로써 각각을 단독으로 이용했을 경우보다 고충전이 가능해져, 양호한 열전도성을 얻는 것이 가능해진다. 또, 입자 형상은 파쇄, 구상, 인편상 중 어느 것이어도 된다.
무기 필러 함유량은 너무 적으면 LED 패키지를 사용한 백 라이트용 회로 기판으로서 필요한 열전도성을 얻는 것이 곤란하게 되는 경향이 있고, 너무 많으면 절연재가 고점도화하여 절연재의 도공이 곤란해져 기계적 성질 및 전기적 성질의 문제가 생기기 쉬워지는 경향이 있다.
또, 무기 필러 중의 나트륨 이온 농도는 500ppm 이하인 것이 바람직하고, 100ppm 이하인 것이 보다 바람직하다. 무기 필러 중의 나트륨 이온 농도가 많아지면, 고온하, 직류 전압하에 있어서 이온성 불순물의 이동이 일어나 전기 절연성이 저하하는 경향을 나타내는 경우가 있다. 무기 필러 중의 나트륨 이온 농도가 500ppm 이하이면, 고온하, 직류 전압하에 있어서 이온성 불순물의 이동이 일어나 전기 절연성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
또, 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)은 보다 높은 반사율을 얻기 위해서 백색 안료를 함유하고 있어도 된다. 절연층 (42), (52), (62) 및 (72)에 백색 안료를 사용하는 경우에는 산화 아연 및／또는 이산화 티탄을 매우 적합하게 이용할 수 있다. 이산화 티탄에서는 안정성의 면으로부터 루틸형이 바람직하다.
또한, 상기 백색 안료의 표면에는 수산화 알루미늄 또는 수산화 알루미늄 및 이산화 규소로 피복되어 있는 것이 보다 바람직하다. 또, 상기 백색 안료가 1 중량부로부터 30 중량부 포함되는 것이 바람직하다. 너무 적으면 반사율 향상 효과를 기대할 수 없다. 너무 많으면 수지 점도의 상승이 크고, 도공시에 결함을 내포하기 쉬워져 버려, 전기 절연성이 저하하는 경향을 나타내는 경우가 있다. 상기 백색 안료의 함유량이 1 중량부 이상이면 반사율이 향상하고, 30 중량부 이하이면 전기 절연성이 저하된다고 하는 일도 없다.
절연층 (42), (52), (62) 및 (72)은 다층화하는 것도 가능하고, 이 경우 상기 백색 안료는 회로화면의 최외층에 해당하는 층에 함유하고 있으면 된다.
［회로박 (A)］
회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)의 두께는 5㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 너무 얇으면 회로로서의 기능이 충분히 달성되지 않고, 두꺼워지면 대(大)전류 용도에도 대응이 가능해지지만 너무 두꺼워지면 비용 대비 효과로부터 바람직하지 않다. 회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)의 두께가 5㎛ 이상이면 대전류 용도에도 대응이 가능하고, 300㎛ 이하이면 저비용으로 생산이 가능하다. 회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)로는 구리 또는 알루미늄과 이들을 함유하는 합금을 사용하는 것이 가능하다.
［회로박 (B)］
회로박 (B) (44), (54), (64) 및 (74)의 두께는 0.01㎛ 이상 400㎛ 이하인 것이 바람직하다. 회로박 (B) (44), (54), (64) 및 (74)의 두께가 0.01㎛ 이상이면 회로로서의 기능을 충분히 확보할 수 있고, 400㎛ 이하이면 저비용으로 생산 가능하다.
실시형태 3 혹은 실시형태 6과 같이 회로박 (A) (33), (63)로서 구리를 이용했을 경우에는 회로박 (B) (34), (64)로는 알루미늄 또는 니켈이 매우 적합하게 이용되고 고반사율을 얻기 위한 피복층의 기능을 갖는다. 회로박 (B) (34), (64)가 너무 얇으면 충분한 반사율의 효과를 얻기 어려워지는 경향에 있고, 너무 두꺼워지면 비용 대비 효과로부터 바람직하지 않다.
또, 실시형태 4 혹은 실시형태 5와 같이 회로박 (A) (43), (53)로서 알루미늄을 이용했을 경우에는 회로박 (B) (44), (54)로는 구리 또는 니켈이 매우 적합하게 이용되어 회로 상에 부품을 실장할 때의 땜납 습윤성 향상의 효과를 갖는다. 회로박 (B) (44), (54)가 너무 얇으면 충분한 땜납 습윤성의 향상을 도모할 수 없게 되는 경향에 있고, 너무 두꺼우면 비용 대비 효과로부터 바람직하지 않다.
회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73) 상에 회로박 (B) (44), (54), (64) 및 (74)를 설치하는 수법으로는 미리 적층한 박을 절연층 (42), (52), (62) 및 (72) 상에 설치하는 것도 가능하고, 회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)을 절연층 (42), (52), (62) 및 (72) 상에 설치한 후에, 회로박 (B) (44), (54), (64) 및 (74)를 별도로 설치하는 것도 가능하다. 이들을 적층하는 방법으로 특별히 제한은 없고, 압연에 의한 적층, 도금, 증착 등 공지의 방법을 이용할 수 있고, 또 회로박 (A) (43), (53), (63) 및 (73)와 회로박 (B) (44), (54), (64) 및 (74) 사이에 다른 금속박층을 복수층 설치하는 것도 가능하다.
［백색막］
백색막 (45) 및 (55)로는 420nm 내지 800nm의 가시광 영역에 대해서 70％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 나아가서는 460nm(청색)와 525nm(녹색) 및 620nm(적색)의 파장의 빛에 대해서 70％ 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 재료로서 백색의 솔더 레지스트를 바람직하게 사용할 수 있다.
백색의 솔더 레지스트로는 열경화형 백색 솔더 레지스트, 자외선 경화형 백색 솔더 레지스트, 자외선ㆍ열 병용형 백색 솔더 레지스트 등을 이용할 수 있다.
상기 백색 솔더 레지스트에 포함되는 백색 안료로는 이산화 티탄이 바람직하고, 그 중에서도 루틸형인 것이 보다 바람직하다. 루틸형인 것은 안정성이 뛰어나기 때문에 광 촉매 작용이 약하여 다른 구조의 것에 비해 수지 성분의 열화가 억제된다.
상기 이산화 티탄은 이산화 규소 또는 수산화 알루미늄 등으로 피복한 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 처리를 가한 이산화 티탄은 광 촉매 작용이 보다 억제되어 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다. 또, 이산화 티탄의 함유량으로는 백색막 자체의 내구성이라고 하는 관점으로부터, 백색막 중 30 중량％ 이상 60 중량％ 이하인 것이 바람직하다. 이산화 티탄은 단독으로 이용하는 것도 가능하고, 산화 아연이나 황산바륨 등으로 대표되는 다른 백색 안료와 병용하는 것도 가능하다.
상기 솔더 레지스트에 사용되는 수지로는 백색막 자체의 내구성이라고 하는 관점으로부터, 열경화형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 에폭시 수지, 자외선 경화형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 아크릴 수지, 자외선ㆍ열 병용형 백색 솔더 레지스트의 경우에는 에폭시 수지와 아크릴 수지의 병용이 바람직하다.
＜작용 효과＞
이하, 본 실시형태 1~6의 작용 효과에 대해서 설명한다.
실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 금속판(금속박) (11) 상에 절연층 (12)을 통하여 회로 (13)이 설치된 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 절연층 (12) 상에 백색막 (14)을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이기 때문에 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 갖는다.
여기서 상기 백색막 (14)이 460nm, 525nm 및 620nm인 파장의 빛의 반사율이 모두 80％ 이상이어도 된다. 이와 같이 하면 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 액정 표시장치 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
또, 상기 백색막 (14)이 420~800nm인 파장의 빛의 반사율의 최소값이 70％ 이상이어도 된다. 이와 같이 하면 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 액정 표시장치 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
또, 상기 절연층 (12)의 열전도율이 1 W／mK여도 된다. 이와 같이 하면 LED로부터의 발열을 효과적으로 확산하여 LED의 휘도의 안정화에 기여하는 것과 동시에 LED의 장기 수명화를 달성할 수 있다.
또, 상기 절연층 (12)이 무기 필러와 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 충분한 전기 절연성을 얻을 수 있다.
또, 상기 무기 필러가 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제의 합계량 100 중량부에 대해서 70~95 중량부 배합되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 도포시에 적절한 유동성을 가질 수 있다.
또, 상기 절연층 (12)이 2 관능성 에폭시 수지를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 금속판이나 회로와의 충분한 접합력을 얻을 수 있다.
또, 상기 절연층 (12)가 산 무수물 혹은 페놀류를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 충분한 기계적 및 전기적 성질을 확보할 수 있다.
또, 상기 2 관능형 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서 활성 수소 당량이 0.8~1 배가 되도록 산 무수물 혹은 페놀류를 함유해도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 기계적 및 전기적 성질이 더욱 향상한다.
또, 상기 절연층 (12)이 열경화성 수지를 25~50 부피％ 함유하고, 잔부가 0.6~2.4㎛ 및 5~20㎛인 2 종류의 평균 입경을 갖고, 또한 형상이 구상, 파쇄상 혹은 인편상인 무기 필러여도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 충분한 열전도성을 얻을 수 있다.
또, 상기 백색막 (14)이 백색 안료로서 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 백색막의 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다.
실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판은 금속판 (31) 상에 복수의 절연층 (32), (33)과 회로 (34), (36)을 교대로 설치한 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 금속판 (31)으로부터 가장 떨어진 절연층 (36) 상에 백색막 (37)을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이기 때문에 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 갖는다.
여기서, 상기 금속판 (31)으로부터 가장 떨어진 절연층 (36)이 산화 아연, 탄산 칼슘, 이산화 티탄, 알루미나, 스멕타이트로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 백색 안료를 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 하면 상기 금속 베이스 회로 기판은 보다 높은 반사율을 얻을 수 있다.
또, 상기 금속판 (31)으로부터 가장 떨어진 절연층 (36)이 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다.
또, 상기 백색막 (37)이 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 백색막의 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다.
실시형태 3에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 금속판(기재) (41)과 상기 금속판(기재) (41)의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층 (42)와 상기 절연층 (42) 상에 금속박으로 형성된 회로(회로박 (A) (43))와 상기 회로 상에 상기 회로를 형성하는 금속과는 다른 종류의 금속이 적층되어 있는 금속 베이스 회로 기판으로서, 상기 회로(회로박 (A) (43))이 구리박으로 이루어지고, 상기 구리박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 알루미늄층(회로박 (B) (44))이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판이기 때문에 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 갖는다. 여기서, 실시형태 6에 관련되는 금속 베이스 회로 기판도 같은 효과를 나타낸다.
또, 실시형태 4에 관련되는 금속 베이스 회로 기판은 금속판(기재) (51)과 상기 금속판(기재) (51)의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층 (52)와 상기 절연층 (52) 상에 금속박으로 형성된 회로(회로박 (A) (53))와 상기 회로 상에 상기 회로를 형성하는 금속과는 다른 종류의 금속이 적층되어 있는 금속 베이스 회로 기판으로서, 상기 회로(회로박 (A) (53))이 알루미늄박으로 이루어지고, 상기 알루미늄박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 구리층(회로박 (B) (54))이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 본 발명의 금속 베이스 회로 기판은 전자 부품의 실장이라고 하는 종래의 프린트 회로 기판의 기능에 더하여, 광 반사 기능이라고 하는 새로운 기능을 갖는다. 여기서, 실시형태 5에 관련되는 금속 베이스 회로 기판도 같은 효과를 나타낸다.
여기서, 상기 절연층 (41), (51)이 백색이어도 된다. 이와 같이 하면 상기 금속 베이스 회로 기판은 보다 높은 반사율을 얻을 수 있다.
또, 상기 금속 베이스 회로 기판에 있어서, 회로부(회로박 (B) (44), 회로박 (A) (53))의 가시광의 460nm, 525nm, 620nm인 파장의 빛의 반사율이 모두 80％ 이상이어도 된다. 이와 같이 하면 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전 등의 액정 표시장치 등에 바람직하게 이용할 수 있다.
또, 상기 절연층 (41), (51)이 백색 안료를 함유하고, 상기 백색 안료가 산화 아연, 루틸형 이산화 티타네이트의 한쪽 또는 양쪽이어도 된다. 이와 같이 하면 상기 금속 베이스 회로 기판은 보다 높은 반사율을 얻을 수 있다.
또, 상기 백색 안료의 표면이 「수산화 알루미늄」 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」 중 어느 하나에 의해서 피복되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 절연층의 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다.
또, 상기 절연층 (41), (51)의 열전도율이 0.5 W／mK 이상 4.0 W／mK 이하여도 된다. 이와 같이 하면 LED로부터의 발열을 효과적으로 확산하여 LED의 휘도의 안정화에 기여하는 것과 동시에 LED의 장기 수명화를 달성할 수 있다.
또, 상기 절연층 (41), (51) 및 상기 회로(회로박 (B) (44), 회로박 (A) (53)) 상에 백색막 (45), (55)을 가지고 있어도 된다. 이와 같이 하면 상기 금속 베이스 회로 기판은 보다 높은 반사율을 얻을 수 있다.
또, 상기 백색막 (45), (55)가 백색 안료로서 루틸형 이산화 티타네이트 또는 산화 아연을 함유하고 있어도 된다. 이와 같이 하면 더욱 높은 반사율을 얻을 수 있다.
또, 상기 백색 안료가 「수산화 알루미늄」 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」로 피복되어 있어도 된다. 이와 같이 하면 백색막의 수지 성분의 열화를 억제할 수 있다.
또, 상기 금속 베이스 회로 기판이 LED 모듈로서 이용되어도 된다. 이와 같이 하면 고가의 광 반사 시트를 사용하지 않아도 되고, 백 라이트 제조시의 공정수 및 필요 부재를 저감할 수 있어 비용 인하로 연결된다.
＜실시형태 1~6의 다른 표현 형식＞
이하에 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판의 실시형태 1~6을 다른 표현 형식으로 기재한다.
먼저, 실시형태 1을 다른 표현 형식으로 기재한다.
(1) 금속판(금속박) (11) 상에 절연층 (12)을 형성하고, 절연층 (12) 상에 회로 (13)를 형성한 금속 베이스 회로 기판에 있어서, 절연층 (12) 및 회로 (13) 상에 백색막 (14)을 설치한 금속 베이스 회로 기판. (2) 백색막 (14)의 가시광의 460nm, 525nm 및 620nm의 반사율이 모두 80％ 이상인 상기 (1)의 금속 베이스 회로 기판. (3) 절연층 (12)의 열전도율이 1~4 W／mK인 상기 (1) 또는 (2)의 금속 베이스 회로 기판. (4) 절연층 (12)가 2 관능성 에폭시 수지를 함유하는 상기 (1)~(3) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (5) 절연층 (12)이 산 무수물 혹은 페놀류를 함유하는 상기 (4)의 금속 베이스 회로 기판. (6) 상기 2 관능형 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서 활성 수소 당량이 0.8~1 배가 되도록 산 무수물 혹은 페놀류를 함유하는 상기 (5)의 금속 베이스 회로 기판. (7) 절연층 (12)가 열경화성 수지를 25~50 부피％ 함유하고, 잔부가 0.6~2.4㎛ 및 5~20㎛의 2 종류의 평균 입경을 갖고, 또한 형상이 구상, 파쇄상 혹은 인편상의 무기 필러인 상기 (1)~(3) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (8) 백색막 (14)가 백색 안료로서 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 상기 (1)~(7) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판.
다음에 실시형태 2를 다른 표현 형식으로 기재한다.
(9) 금속판 (21) 상에 절연층 (22)을 통하여 회로 (23)가 설치된 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 절연층 (22) 상에 백색막 (24)을 설치한 금속 베이스 회로 기판. (10) 금속판 (31) 상에 복수의 절연층 (32), (33)과 회로 (34), (36)를 교대로 설치한 금속 베이스 회로 기판으로서, 적어도 금속판 (31)으로부터 가장 떨어진 절연층 (33) 상에 백색막 (37)을 설치한 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판. (11) 금속판 (21), (31)에 의해 회로를 형성한 것을 특징으로 하는 상기 (9) 또는 (10)의 금속 베이스 회로 기판. (12) 절연층 (22), (32), (33)이 무기 필러와 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제를 함유하고, 열전도율이 1 W／mK 이상인 것을 특징으로 하는 상기 (9)~(11) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (13) 무기 필러가 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제의 합계량 100 중량부에 대해서 70~95 중량부 배합되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 (9)~(12) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (14) 에폭시 수지의 경화제가 수산기를 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (12) 또는 (13)의 금속 베이스 회로 기판. (15) 금속판 (21), (31)으로부터 가장 떨어진 절연층 (22), (33)이 산화 아연, 탄산 칼슘, 이산화 티탄, 알루미나, 스멕타이트로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 백색 안료를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(14) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (16) 절연층 (22), (33) 중의 백색 안료가 이산화 티탄인 것을 특징으로 하는 상기 (15)의 금속 베이스 회로 기판. (17) 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 상기 (16)의 금속 베이스 회로 기판. (18) 절연층 중 (22), (33)의 백색 안료가 산화 아연인 것을 특징으로 하는 상기 (17)의 금속 베이스 회로 기판. (19) 백색막 (24), (37)이 420~800nm인 파장의 빛의 반사율의 최소값이 70％ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 (9)~(18) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (20) 백색막 (24), (37)이 이산화 티탄을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (9)~(19) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판. (21) 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 상기 (9)~(20) 중 어느 하나인 금속 베이스 회로 기판.
다음에 실시형태 3~6을 다른 표현 형식으로 기재한다.
(22) 금속박으로 이루어진 금속판(기재) (41)와 이 금속판(기재) (41)의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층 (42)과 이 절연층 (42)의 노출면에 금속박으로 형성된 회로(회로박 (A) (43))를 갖는 회로 기판으로서, 이 회로(회로박 (A) (43))이 구리박으로 이루어지고, 이 구리박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 알루미늄층(회로박 (B) (44))이 적층되어 있는 회로 기판. (23) 금속박으로 이루어진 금속판(기재) (51)과 이 금속판(기재) (51)의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층 (52)와 이 절연층 (52)의 노출면에 금속박으로 형성된 회로(회로박 (A) (53))을 갖는 회로 기판으로서, 이 회로(회로박 (A) (53))이 알루미늄박으로 이루어지고, 이 알루미늄박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 구리층(회로박 (B) (54))이 적층되어 있는 회로 기판. (24) 절연층 (42), (52)가 백색인 상기 (22) 또는 (23)의 회로 기판. (25) 절연층 (42), (52) 및 회로(회로박 (B) (44), 회로박 (A) (53)) 상에 형성한 백색막 (45), (55)을 갖는 상기 (22)~(24) 중 어느 하나인 회로 기판. (26) 가시광의 450nm, 555nm, 660nm의 반사율이 모두 80％ 이상인 상기 (22)~(25) 중 어느 하나인 회로 기판. (27) 절연층 (42), (52)의 백색 안료가 산화 아연, 루틸형 이산화 티타네이트의 한쪽 또는 양쪽을 함유하는 상기 (24)~(26) 중 어느 하나인 회로 기판. (28) 상기 (27)의 백색 안료의 표면이 「수산화 알루미늄」 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」 중 어느 하나로 피복되어 있는 회로 기판. (29) 절연층 (42), (52)의 열전도율이 0.5 W／mK 이상 4.0 W／mK 이하인 상기 (22)~(28) 중 어느 하나인 회로 기판. (30) 금속판(기재) (41), (51)의 두께가 18㎛ 이상 4.0mm 이하인 상기 (22)~(29) 중 어느 하나인 회로 기판. (31) 금속판(기재) (41), (51)이 알루미늄, 구리, 철 중에서 선택되는 1종의 소재인 상기 (22)~(30) 중 어느 하나인 회로 기판. (32) 백색막 (45), (55)이 백색 안료로서 루틸형 이산화 티타네이트 내지 산화 아연을 함유하는 상기 (25)~(30) 중 어느 하나인 회로 기판. (33) 상기 (32)의 백색 안료가 산화 알류미늄 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」로 피복되어 있는 회로 기판. (34) 상기 (22)~(33) 중 어느 하나의 금속 베이스 회로 기판을 갖는 LED 모듈.
이상, 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판의 여러가지 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판은 이들로 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 「백색」이란 완전한 백색이 아니어도 되고, 실질적으로 빛을 효율적으로 반사할 수 있는 색채이면 된다. 예를 들면, 얇은 베이지색이나 진하지 않은 녹색 등이어도 되고, 사용하는 환경이나 목적에 맞추어 적절히 조정해도 된다. 또, 구리나 알루미늄 등의 금속은 불순물을 포함하고 있어도 되고, 실질적으로 전기 전도성 등의 성질을 가지고 있으면 된다. 또, 금속 베이스 회로 기판 상에 실장되는 광원은 LED 이외에도, 형광관이나 냉음극관이어도 된다. 그리고 금속 베이스 회로 기판 상에는 광원 이외에도 센서 등의 각종 반도체 디바이스가 실장되어도 된다.
[도 1] 본 발명의 실시형태 1에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 2] 본 발명의 실시형태 2에 관련되는 단층 회로 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 3] 본 발명의 실시형태 2에 관련되는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 4] 본 발명의 실시형태 3에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 5] 본 발명의 실시형태 4에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 6] 본 발명의 실시형태 5에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[도 7] 본 발명의 실시형태 6에 관련되는 금속 베이스 회로 기판의 일례를 나타내는 도면.
[부호의 설명]
11 금속판(금속박)
12 절연층
13 회로
14 백색막
15 LED 패키지
16 땜납 접합부
21 금속판
22 절연층
23 회로
24 백색막
25 땜납 접합부
26 LED 패키지
31 금속판
32 절연층(1층째)
33 절연층(2층째)
34 회로(1층째)
35 금속 기둥(필드 비아, filled via)
36 회로(2층째)
37 백색막
38 땜납 접합부
39 LED 패키지
41 금속판(기재)
42 절연층
43 회로박 (A)(구리)
44 회로박 (B)(알루미늄 또는 니켈)
45 백색막(솔더 레지스트)
46 금속 베이스 회로 기판
47 땜납 접합부
48 LED 전극 단자
49 LED
51 금속판(기재)
52 절연층
53 회로박 (A)(알루미늄)
54 회로박 (B)(구리 또는 니켈)
55 백색막(솔더 레지스트)
56 금속 베이스 회로 기판
57 땜납 접합부
58 LED 전극 단자
59 LED
61 금속판(기재)
62 절연층
63 회로박 (A)(알루미늄)
64 회로박 (B)(구리 또는 니켈)
65 금속 베이스 회로 기판
66 땜납 접합부
67 LED 전극 단자
68 LED
71 금속판(기재)
72 절연층
73 회로박 (A)(구리)
74 회로박 (B)(알루미늄 또는 니켈)
75 금속 베이스 회로 기판
76 땜납 접합부
77 LED 전극 단자
78 LED
이하에 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~3에 있어서는 도 1에 나타내는 금속 베이스 회로 기판을 제작했다.
(실시예 1)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」)에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 더해 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「 5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)가 되도록 배합하여, 경화 후의 두께가 100㎛가 되도록 절연층(절연층 (12))을 형성했다.
다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박(금속판 (11))을 붙여 맞추고 가열함으로써 절연층을 열경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
얻어진 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로(회로 (13))를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다. 또한, 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막(백색막 (14))을 형성하기 위해서 여러가지 백색 솔더 레지스트층을 도포하고 열 및 자외선으로 경화했다. 이 때 구리 회로 상의 LED 패키지 실장 부분에는 백색 도막을 형성하지 않는다.
백색 솔더 레지스트로서 기판 A에서는 산에이화학사제, 「SSR-6300S」를 이용했다.
(실시예 2)
백색 솔더 레지스트로서 기판 B에서는 타이요 잉크제조사제, 「PSR-4000LEW1」을 이용했다.
(실시예 3)
백색 솔더 레지스트로서 기판 C에서는 타무라화연사제, 「DSR-330S42-13W」를 이용했다.
이 결과 460nm(청색)의 반사율은 기판 A, 기판 B, 기판 C가 각각 83％, 85％, 84％이며, 525nm(녹색)에서는 순서대로 87％, 90％, 88％이며, 620nm(적색)에서는 순서대로 87％, 89％, 87％이었다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
비교의 예로서 FR-4 기판을 준비하여, 실시예 1~3과 동일하게 측정한 결과는 단파장측으로부터 순서대로 반사율이 74％, 77％, 76％였다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1으로부터 알 수 있듯이 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판은 가시광 영역에 있어서 높은 반사율을 갖는다.
다음에 실시예 4~9에 대해 설명한다. 실시예 4~8에 있어서는 도 2에 나타내는 단층 회로 금속 베이스 회로 기판을 제작했다. 또, 실시예 9에 있어서는 도 3에 나타내는 다층 회로 금속 베이스 회로 기판을 제작했다.
(실시예 4)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」) 100 중량부에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 50 중량부 더하고, 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)되도록 배합하여, 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층(절연층 (22))을 형성했다.
다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박(금속판 (21))을 붙여 맞추고 가열함으로써 도포층을 경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
얻어진 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로(회로 (23))를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다.
상기 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막(백색막 (24))을 형성하기 위해서 백색 솔더 레지스트층을 도포하고 열 및 빛으로 경화했다. 이 때 구리 회로상의 LED 패키지 실장 부분에는 백색 도막을 형성하지 않는다. 백색 솔더 레지스트로는 산에이화학사제, 「SSR-6300S」를 이용했다.
얻어진 금속 베이스 회로 기판에 대해 반사율의 측정을 실시하는 것과 동시에 출력 3 W 클래스의 청색, 적색, 녹색의 LED를 실장하여 색채 휘도계(탑콘 테크노 하우스사제 「BM-7」)에 의해 휘도 측정을 실시했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 5)
백색 솔더 레지스트로서 타이요 잉크제조사제, 「PSR-4000LEW1」을 이용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 하여 얻은 금속 베이스 회로 기판에 대해서 실시예 4와 같은 평가를 실시했다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 6)
백색 솔더 레지스트로서 타무라화연사제, 「DSR-330S42-13W」를 이용한 것 이외에는 실시예 4와 동일하게 했다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 7)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」) 100 중량부에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 50 중량부 더하고, 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)가 되도록 배합하고, 또한 백색 안료로서 이산화 티탄(이시하라산업 PFC104)을 절연층 중 10 부피％가 되도록 배합했다. 또한, 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층을 형성하고, 다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박을 붙여 맞추고 가열함으로써 도포층을 경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
또한, 상기의 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다.
또한, 상기 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막을 형성하기 위해서 백색 솔더 레지스트층을 도포하고 열 및 빛으로 경화했다. 이 때 구리 회로 상의 LED 패키지 실장 부분에는 백색 도막을 형성하지 않는다. 백색 솔더 레지스트로는 타이요 잉크제조사제, 「PSR-4000LEW1」을 이용했다. 얻어진 금속 베이스 회로 기판에 대해 실시예 4와 동일하게 평가를 실시했다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 8)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」) 100 중량부에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 50 중량부 더하고, 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)가 되도록 배합하고, 또한 백색 안료로서 산화 아연(사카이 화학공업사제 「NANOFINE-50A」)을 절연층 중 10 부피％가 되도록 배합했다. 또한, 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층을 형성하고, 다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박을 붙여 맞추고 가열함으로써 도포층을 경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
또한, 상기 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다.
또한, 상기 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막을 형성하기 위해서 백색 솔더 레지스트층을 도포하고 열 및 빛으로 경화했다. 이 때 구리 회로 상의 LED 패키지 실장 부분에는 백색 도막을 형성하지 않는다. 백색 솔더 레지스트로는 타이요 잉크제조사제, 「PSR-4000LEW1」을 이용했다. 얻어진 금속 베이스 회로 기판에 대해 실시예 4와 동일하게 평가를 실시했다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
(실시예 9)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」) 100 중량부에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 50 중량부 더하고, 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)가 되도록 배합하여 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층(도 3의 절연층(1층째) (32))을 형성했다. 그리고 상기 도포층 상에 35㎛ 두께의 구리박을 붙여 맞추었다.
그리고 상기 구리박 상에 상기 도포층과 같은 조성에 더하여, 백색 안료로서 이산화 티탄(이시하라산업 PFC104)을 절연층 중 10 부피％가 되도록 추가로 배합하여 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층(도 3의 절연층(2층째) (33))을 형성했다. 그리고 구리박과 도포층이 교대로 겹친 구조체를 얻었다.
다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박(금속판 (31))을 붙여 맞추고 가열함으로써 도포층을 경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
또한, 상기의 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로(회로 (36))를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다.
또한, 상기 금속 베이스 회로 기판 상에 고반사율의 백색막(백색막 (37))을 형성하기 위해서 백색 솔더 레지스트층을 도포하고 열 및 빛으로 경화했다. 이 때 구리 회로상의 LED 패키지 실장 부분에는 백색 도막을 형성하지 않는다. 백색 솔더 레지스트로는 타이요 잉크제조사제, 「PSR-4000LEW1」을 이용했다. 얻어진 금속 베이스 회로 기판에 대해 실시예 4와 동일하게 평가를 실시했다. 이 결과를 표 2에 나타낸다.
(비교예 2)
35㎛ 두께의 구리박 상에 비스페놀 A형 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, 「EP-828」) 100 중량부에 대해 경화제로서 페놀 노볼락(대일본 잉크 화학공업사제, 「TD-2131」)을 50 중량부 더하고, 평균 입자 지름이 1.2㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「A-1」)와 평균 입자 지름이 10㎛인 파쇄상 조립자인 산화 규소(타츠모리사제, 「5X」)를 합해 절연층 중 56 부피％(구상 조립자와 구상 미립자는 중량비가 7：3)가 되도록 배합하여 경화 후의 두께가 150㎛가 되도록 도포층을 형성하고, 다음에 200㎛ 두께의 알루미늄박을 붙여 맞추고 가열함으로써 도포층을 경화시켜 절연층 중의 무기 필러 전체에서 나트륨 이온 농도가 50ppm 이하인 금속 베이스 기판을 얻었다.
또한, 상기의 금속 베이스 기판에 대해서 소정의 위치를 에칭 레지스트로 마스크하여 구리박을 에칭한 후, 에칭 레지스트를 제거하고 구리 회로를 형성하여 금속 베이스 회로 기판으로 했다.
얻어진 금속 베이스 회로 기판에 대해 반사율의 측정을 실시하는 것과 동시에 출력 3 W 클래스의 청색, 적색, 녹색의 LED를 실장하여 색채 휘도계(탑콘 테크노 하우스사제 「BM-7」)에 의해 휘도 측정을 실시했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
표 2로부터 알 수 있듯이 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판은 가시광 영역에서의 높은 반사율 및 높은 휘도를 갖는다.
다음에 실시예 10~13에 대해 설명한다. 실시예 10에 있어서는 도 4에 나타내는 금속 베이스 회로 기판을 제작했다.
(실시예 10)
우선, 무기 필러의 조분(粗粉)으로서 결정질 이산화 규소(타츠모리사제, A-1；최대 입경이 96㎛(100㎛ 이하)이고, 5㎛에서 50㎛의 입자를 60 중량％(50 중량％ 이상) 함유하고, 평균 입자 지름이 12㎛) 55 중량부와 무기 필러의 미분으로서 결정질 이산화 규소(타츠모리사제, 5X；0.7㎛ 이하가 70 중량％, 2.0㎛ 이상이 70 중량％이고, 평균 입자 지름이 1.2㎛) 14 중량부를 혼합하여 원료 무기 필러로 했다.
표면이 수산화 알루미늄 및 이산화 규소로 처리되어 있는 이산화 티타네이트(이시하라산업사제, CP-50： 평균 입경 300nm)를 백색 무기 안료로서 5 중량부 첨가했다.
비스페놀 A형 액상 에폭시 수지(재팬 에폭시 레진사제, EP828) 20 중량부, 실란커플링제(일본 유니카사제, A-187) 1 중량부를 첨가하고, 가열 온도 90℃에서 혼련기에 의해 혼련하면서 상기 원료 무기 필러 및 상기 무기 안료, 상기 첨가제를 혼합하여 회로 기판용의 수지 조성물 (a)을 제작했다.
비스페놀 A형 에폭시 수지 20 중량부에 대해서 경화제로서 페놀계 경화 수지(대일본 잉크 화학공업사제, TD-2131)를 6 중량부 첨가하여 수지 조성물 (b)을 얻었다.
두께 1.5mm의 알루미늄판(금속판 (41)) 상에 상기 수지 조성물 (b)을 경화 후의 두께가 100㎛가 되도록 도포하고, 100℃ 0.1시간 가열하여 반경화 상태로 한 후, 수지 조성물(절연층 (42)) (b) 위에 두께 9㎛의 구리(회로박 (A) (43))와 두께 40㎛의 알루미늄(회로박 (B) (44))이 피복된(cladded) 박을 적층하고, 추가로 180℃ 2시간 가열하여 경화를 완료시켜 혼성 집적회로용 기판을 제작했다.
백색 솔더 레지스트로서 열 및 자외선 경화형 아크릴 및 에폭시 수지 병용계(산에이화학사제, SSR-6300S)를 상기 혼성 집적회로 기판에 도공하여 백색막(백색막 (45))을 형성한 금속 베이스 회로 기판을 얻었다. 상기 금속박의 구성 및 배합량을 표 3에 나타냈다.
(실시예 11)
실시예 11에 있어서는 도 5에 나타내는 금속 베이스 회로 기판을 제작했다.
표 3에 나타내는 바와 같이 회로박의 구성이 바뀌는 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 금속 베이스 회로 기판을 얻었다.
(실시예 12)
실시예 12에 있어서는 도 7에 나타내는 금속 베이스 회로 기판을 제작했다. 표 3에 나타내는 바와 같이 백색 솔더 레지스트를 도공하지 않았던 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 금속 베이스 회로 기판을 얻었다.
(실시예 13)
표 3에 나타내는 바와 같이 백색 안료의 첨가량을 바꾼 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 금속 베이스 회로 기판을 얻었다.
(비교예 3)
회로박이 구리 뿐인 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 금속 베이스 회로 기판을 얻었다.
(비교예 4)
회로박으로서 구리에 전해 은 도금한 것 이외에는 실시예 10과 동일하게 하여 금속 베이스 회로 기판을 얻었다.
얻어진 회로 기판에 대해서 이하와 같은 각종 특성을 조사했다. 그 결과를 표 4에 나타냈다.
［내전압］
측정용 시료로서 구리박 및 알루미늄박의 주위를 에칭하고 직경 20mm의 원형 부분을 남겨 시료로 했다. 그리고 (1) 초기 상태, (2) 온도 121℃, 습도 100％RH, 2 atm, 96시간의 조건하에 폭로(暴露)한 후(표 4에서는 「내전압： PCT96hr」), (3) 온도 85℃, 습도 85％RH, DC1000V, 1000시간의 조건하에 폭로한 후(표 4에서는 「내전압： 85℃／85％*DC1000V*1000 hr」)의 내전압에 대해서 시험편을 절연유(絶緣由) 중에 침지하고, 실온에서 교류 전압을 구리박과 알루미늄판 사이에 인가시키고 JIS C 2110에 기초하여 측정했다. 측정기에는 기쿠스이 전자공업 주식회사제 TOS-8700을 이용했다.
［절연 저항값］
측정용 시료로서 구리박 및 알루미늄박의 주위를 에칭하고 JIS C6481에 근거하여 빗형 및 전극상으로 남겨 시료로 했다. 그리고 (1) 초기 상태, (2) 온도 121℃, 습도 100％RH, 2 atm, 96시간의 조건하에 폭로한 후 (표 4에서는 「절연 저항값： PCT96hr」), (3) 온도 85℃, 습도 85％RH, DC1000V, 1000시간의 조건하에 폭로한 후(표 4에서는 「절연 저항값： 85℃／85％*DC1000V*1000hr」)의 절연 저항값에 대해서 실온에서 직류 전압 100V를 구리박과 알루미늄판 사이에 인가시켜 JIS C 6481에 근거하여 측정했다. 측정기에는 주식회사 아드반테스트제 R8340A를 이용했다.
［반사율］
측정용 시료로서 상기 실시예 10~13 및 비교예 3, 4에서 제작한 회로 기판을 이용했다. 측정 개소로서 (1) 회로 간 (2) 회로박(＋레지스트) 상의 2개소를 측정했다. 측정기는 주식회사 시마즈 제작소제 분광 광도계 UV-2550을 이용했다.
표 4로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 관한 금속 베이스 회로 기판은 가시광 영역에서의 높은 반사율을 가지면서도 높은 내전압성 및 절연 저항성을 갖는다.
본 발명의 금속 베이스 회로 기판은 LED 패키지를 실장하는 금속 베이스 기판 표면에 고반사율의 백색 도막을 형성하고 있으므로, 통상의 프린트 회로 기판과 유사한 구성을 가지면서도, 광 반사 기능을 추가로 가지고 있다. 이 때문에 고가의 광 반사 시트를 사용하지 않아도, LED 광원의 반사광을 효율적으로 액정 부분에 공급할 수 있다. 또, 액정 백 라이트 제조시의 공정수를 삭감할 수도 있어 효율적이며, LED용의 금속 베이스 회로 기판으로서 산업상 매우 유용하다.
Claims (24)
- 금속판 상에 절연층을 통하여 회로가 설치된 금속 베이스 회로 기판으로서,적어도 절연층 상에 백색막이 설치되고,상기 백색막이 460nm, 525nm 및 620nm인 파장의 빛의 반사율이 모두 80％ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 백색막이 420~800nm인 파장의 빛의 반사율의 최소값이 70％ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 절연층의 열전도율이 0.5 W／mK 이상 4.0 W／mK 이하인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 절연층이 무기 필러와 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 4에 있어서,상기 무기 필러가 에폭시 수지와 상기 에폭시 수지의 경화제의 합계량 100 중량부에 대해서 70~95 중량부 배합되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 절연층이 2 관능성 에폭시 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 6에 있어서,상기 절연층이 산 무수물 혹은 페놀류를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 7에 있어서,상기 2 관능형 에폭시 수지의 에폭시 당량에 대해서 활성 수소 당량이 0.8~1배가 되도록 산 무수물 혹은 페놀류를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 절연층이 열경화성 수지를 25~50 부피％ 함유하고, 잔부가 0.6~2.4㎛ 및 5~20㎛의 2 종류의 평균 입경을 가지며, 또한 형상이 구상, 파쇄상 혹은 인편상 의 무기 필러인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 1에 있어서,상기 백색막이 백색 안료로서 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 금속판 상에 복수의 절연층과 회로를 교대로 설치한 금속 베이스 회로 기판으로서,적어도 금속판으로부터 가장 떨어진 절연층 상에 백색막이 설치되고,상기 백색막이 460~470nm, 520~570nm 및 620~660nm인 파장의 빛의 반사율이 모두 80％ 이상인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 11에 있어서,상기 금속판으로부터 가장 떨어진 절연층이 산화 아연, 탄산 칼슘, 이산화 티탄, 알루미나, 스멕타이트로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 백색 안료를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 11에 있어서,상기 금속판으로부터 가장 떨어진 절연층이 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 11에 있어서,상기 백색막이 이산화 티탄을 함유하고, 상기 이산화 티탄이 루틸형이고, 또한 표면이 수산화 알루미늄 또는 이산화 규소로 피복되어 있는 금속 베이스 회로 기판.
- 금속판과 상기 금속판의 한쪽 또는 양쪽 면에 형성된 절연층과 상기 절연층 상에 금속박으로 형성된 회로와 상기 회로 상에 상기 회로를 형성하는 금속과는 다른 종류의 금속이 적층되어 있는 금속 베이스 회로 기판으로서,상기 회로가 구리박으로 이루어지고, 상기 구리박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 알루미늄층이 적층되고, 상기 회로부의 가시광의 460nm, 525nm, 620nm인 파장의 빛의 반사율이 모두 80% 이상인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 15에 있어서,상기 회로가 알루미늄박으로 이루어지고, 상기 알루미늄박 상의 일부 또는 전체에 니켈층 또는 구리층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 15에 있어서,상기 절연층이 백색인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 17에 있어서,상기 절연층이 백색 안료를 함유하고, 상기 백색 안료가 산화 아연, 루틸형 이산화 티타네이트의 한쪽 또는 양쪽인 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 18에 있어서,상기 백색 안료의 표면이 「수산화 알루미늄」 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」 중 어느 하나에 의해 피복되어 있는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 15에 있어서,상기 절연층의 열전도율이 0.5 W／mK 이상 4.0 W／mK 이하인 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 15에 있어서,상기 절연층 및 상기 회로 상에 백색막을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 21에 있어서,상기 백색막이 백색 안료로서 루틸형 이산화 티타네이트 또는 산화 아연을 함유하는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 22에 있어서,상기 백색 안료가 「수산화 알루미늄」 또는 「수산화 알루미늄 및 이산화 규소」로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 베이스 회로 기판.
- 청구항 15에 기재된 금속 베이스 회로 기판을 갖는 LED 모듈.
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|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101134794B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열회로기판 및 그의 제조 방법 |
| KR101300226B1 (ko) * | 2011-02-17 | 2013-08-26 | 이진배 | 빛 반사율이 향상된 엘이디 기판의 제조방법 |
| DE102013106858A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Substrat für ein LED-Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US9844142B2 (en) | 2010-07-20 | 2017-12-12 | Lg Innotek Co., Ltd. | Radiant heat circuit board and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014890A (ja) | 2009-06-02 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属基板及び光源装置 |
| KR101338116B1 (ko) * | 2009-07-09 | 2013-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2011060819A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
| US7960194B2 (en) * | 2009-10-07 | 2011-06-14 | Bridgelux, Inc. | Method for manufacturing a reflective surface sub-assembly for a light-emitting device |
| TW201203477A (en) | 2010-01-29 | 2012-01-16 | Nitto Denko Corp | Power module |
| US8592844B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-11-26 | Nitto Denko Corporation | Light-emitting diode device |
| JP5759192B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-08-05 | 日東電工株式会社 | バックライトおよび液晶表示装置 |
| JP5406800B2 (ja) * | 2010-07-30 | 2014-02-05 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
| US20150062915A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Cree, Inc. | Light emitting diode devices and methods with reflective material for increased light output |
| JP2012243846A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属ベース回路基板および発光素子 |
| KR101715717B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2017-03-13 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 적층판, 그 용도 및 그 제조 방법 |
| WO2013018783A1 (ja) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | 株式会社Ｓｔｅｑ | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR20130014887A (ko) * | 2011-08-01 | 2013-02-12 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101326934B1 (ko) * | 2011-08-31 | 2013-11-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판 |
| WO2013038304A1 (en) * | 2011-09-14 | 2013-03-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Reflective coating for a light emitting device mount |
| JP2013153068A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
| JP5848976B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2016-01-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 |
| CN103249250A (zh) * | 2012-02-08 | 2013-08-14 | 欧司朗股份有限公司 | 电路板及其制造方法和包括该电路板的照明装置 |
| EP2626918B8 (de) * | 2012-02-13 | 2020-06-03 | Tridonic GmbH & Co. KG | LED-Modul mit hoch-reflektivem Träger und Verfahren zum Herstellen eines LED-Moduls mit hoch-reflektivem Träger |
| AT14124U1 (de) * | 2012-02-13 | 2015-04-15 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED-Modul mit Flächenverguß |
| WO2013142580A1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | Applied Nanotech Holdings, Inc. | Application of dielectric layer and circuit traces on heat sink |
| JP5609925B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2014-10-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2016185675A1 (ja) | 2015-05-15 | 2016-11-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | インタポーザ |
| TWI651491B (zh) | 2015-07-23 | 2019-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| CN110260182B (zh) * | 2015-07-23 | 2022-12-02 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
| CN105609615A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-05-25 | 深圳市新月光电有限公司 | 铜铝复合基导热型面光源 |
| US20200313049A1 (en) * | 2016-06-21 | 2020-10-01 | Soraa, Inc. | Light emitting diode package |
| CN107785378B (zh) * | 2016-08-24 | 2020-06-16 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| WO2019187587A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 太陽インキ製造株式会社 | 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、積層構造体、および、電子部品 |
| CN110505754A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-26 | 珠海市沃德科技有限公司 | 一种用于led的铝基覆膜板的生产方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2947069A (en) * | 1956-01-12 | 1960-08-02 | Westinghouse Electric Corp | Aluminum clad copper wire and process for making the same |
| US3437502A (en) * | 1968-03-28 | 1969-04-08 | Du Pont | Titanium dioxide pigment coated with silica and alumina |
| JPH07292277A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-07 | Sakai Chem Ind Co Ltd | 二酸化チタン顔料 |
| US5857767A (en) * | 1996-09-23 | 1999-01-12 | Relume Corporation | Thermal management system for L.E.D. arrays |
| JP2000353826A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置および光照射装置 |
| JP3989794B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2007-10-10 | 松下電器産業株式会社 | Ｌｅｄ照明装置およびｌｅｄ照明光源 |
| US7201497B2 (en) * | 2004-07-15 | 2007-04-10 | Lumination, Llc | Led lighting system with reflective board |
| JP4923408B2 (ja) | 2005-01-26 | 2012-04-25 | パナソニック株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US7473853B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-01-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit device |
| KR101073423B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-10-17 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 금속 베이스 회로 기판, ｌｅｄ, 및 ｌｅｄ 광원 유닛 |
| JP4603411B2 (ja) | 2005-04-27 | 2010-12-22 | 日本放送協会 | バックライトおよび電子表示装置 |
| US20070028806A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | Piro Bonnie D | Coating compositions having improved appearance containing coated titanium dioxide pigments |
| US7717591B2 (en) * | 2007-12-27 | 2010-05-18 | Lumination Llc | Incorporating reflective layers into LED systems and/or components |
-
2008
- 2008-05-14 CA CA2687532A patent/CA2687532C/en active Active
- 2008-05-14 MX MX2009011777A patent/MX2009011777A/es not_active Application Discontinuation
- 2008-05-14 WO PCT/JP2008/058812 patent/WO2008143076A1/ja active Application Filing
- 2008-05-14 CN CN2008800162314A patent/CN101690423B/zh active Active
- 2008-05-14 EP EP08752683.6A patent/EP2160082B1/en active Active
- 2008-05-14 US US12/600,377 patent/US8449143B2/en active Active
- 2008-05-14 KR KR1020097026272A patent/KR101555386B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-16 TW TW097118068A patent/TWI446065B/zh active
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101134794B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열회로기판 및 그의 제조 방법 |
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