KR20100008339U - 이물에 의한 컨텍 불량을 방지할 수 있는 탭 아이씨 직접 컨텍 타입의 프로브 유니트 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 엘시디 검사용 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트에 관한 것이다. 본 고안의 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트 내부에 Air 통로를 형성하여 엘시디 패널의 컨텍부와 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트가 컨텍 시 접촉부에 항상 Air또는 이온처리된 드라이 Air를 불어주어 검사를 수행할 수 있도록 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트를 제작하면 Air에 의하여 접촉부의 이물이 제거되어 엘시 특성 검사의 효율성을 향상시키도록 하는 것이다.
Description
본 고안의 엘시디 검사용 프로브 유니트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 엘시디 패널을 구동시킬 수 있는 TAP(Tape Automated Bonding) IC가 엘시디 패널의 컨텍 패드에 직접 컨텍되어 검사를 수행할 때 엘시디 패널 컨텍 패드와 TAP IC 접촉부의 이물을 제거할 수 있도록 프로브 유니트를 제작함으로써 엘시디 특성 검사의 효율성을 향상시킨 TAP IC 직접 컨텍 타입의 프로브 유니트에 관한 것이다.
일반적으로 소형 텔레비젼이나 노트북, 컴퓨터와 같은 영상표시장치로서 주로 사용되는 엘시디 패널는 가장자리 부분에 전기적 신호(영상신호, 동기신호, 색상신호 등)가 인가되도록 하는 수 십 내지 수 백개의 접속 단자가 고밀도로 배치되며, 이러한 엘시디 패널은 제품에 장착되기 전에 시험신호를 인가하여 화면의 불량여부를 검사 및 시험을 하게 된다.
이렇게 엘시디 패널의 전기적 특성을 검사하기 위한 장치로서 구비되는 것이 프로브 유니트이다.
위에서 상술한 엘시디 패널의 전기적 특성을 검사하기 위해서는 엘시디 패널 가장자리에 위치한 수 십 내지 수 백개의 고밀도로 배치되어 있는 접속단자, 즉 엘시디 패널 컨텍 패드부에 프로브 유니트가 직접 컨텍되어야 한다. 그러나 엘시디 패널 컨텍 패드부와 유니트 접촉부에 미세 먼지 또는 이물이 있는 경우 컨텍 불량이 발생하여, 엘시디 특성 검사의 효율성을 하락과 신뢰성 저하를 초래하게 되는 문제가 있다.
이에 본 고안은 상술한 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트 내부에 Air 통로를 생성하여 엘시디 패널의 컨텍부와 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트가 컨텍 시 접촉부에 항상 Air 또는 이온처리된 드라이 Air를 불어주어 검사를 수행할 수 있도록 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트를 제작한다.
상술한 바와 같이 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트 내부에 형성된 Air 통로에 항상 Air를 불어줌으로써 엘시디 패널 컨텍부와 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트가 컨텍 시 Air 또는 이온처리된 드라이 Air에 의하여 접촉부의 이물이 제거되어 엘시 특성 검사의 효율성을 향상시키는 매우 유용한 효과를 제공하게 되는 것이다.
도 1은 본 고안의 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트의 측면단도.
도 2는 본 고안의 엠/피 밑판(300)의 평면단도.
도 3은 본 고안의 블럭바디(110)의 평면단도.
도 4는 본 고안의 블럭바디 서포트(140)의 평면단도.
도 5는 본 고안의 커버(180)의 평면단도.
도 2는 본 고안의 엠/피 밑판(300)의 평면단도.
도 3은 본 고안의 블럭바디(110)의 평면단도.
도 4는 본 고안의 블럭바디 서포트(140)의 평면단도.
도 5는 본 고안의 커버(180)의 평면단도.
이하, 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 고안의 목적을 달성하기 위한 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트의 측면단도이다.
도 1에서 알수 있듯이 본 발명의 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트(100)는 엠/피 앗세이(200) 하단에 체결고정되어 있는 엠/피 밑판(300) 하단에 체결 고정되어 있다. 상기 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트(100)의 구성은 블럭바디(110) 저면에 앵글 플레이트(120)가 일정각으로 체결 고정되고, 상기 앵글 플레이트(120) 저면에 얇은 텐션 플레이트(130)가 부착되어 상기 앵글 플레이트(120) 앞단에 돌출된다. 상기 앵글 플레이트(120)와 상기 블럭바디(110) 저면에 블럭바디 서포트(140)가 채결 고정되어 부착되고, 상기 블럭바디 서포트(140) 저면과 상기 텐션 플레이트(130) 저면에 TAP IC(150)가 본딩되고, 상기 TAP IC(150) 앞쪽 끝단은 돌출된 텐션 플레이트(130)를 감는 형태로 형성한 다음에 본딩하고, 상기 TAP IC(150) 하부 끝단에는 FPC(160)가 부착되어 고정된다. 상기 TAP IC(150)가 떨어지는 것을 방지하기 위해 TAP IC 커버(170)를 앵글 플레이트(120)에 체결 고정한다. 마지막으로 상기 블럭바디(110)와 블럭바디 서포트(140) 저면에 커버(180)가 채결 고정되어 TAP IC 직접 컨택 타입 프로브 유니트(100)로 구비되는 구성이 특징이다.
그리고 패널 컨텍부(190)의 이물을 제거하기 위한 Air 통로(400)는 엠/피 밑판(300), 블럭바디(110), 블럭바디 서포트(140), 커버(180)에 형성되어 있다.
도 2, 도 3, 도 4 내지 도 5에 본 고안에 따른 Air 통로(400)의 구성을 나타내었다.
도 2는 엠/피 밑판(300)의 평면단도, 도 3은 블럭바디(110)의 평면단도, 도 4는 블럭바디 서포트(140)의 평면단도, 도 5는 커버(180)의 평면 단도이다.
도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이 Air 통로(400)와 Air 통로 입구(410)를 엠/피 밑판(300)에 형성한다. 또한 Air가 엠/피 밑판(300)에서 블럭바디(110)로 지나가기 위한 통로(310)를 엠/피 밑판(300)에 형성한다. 상기 엠/피 밑판(300)에 형성된 Air 통로 홀(310)의 위치와 부합되게 블럭바디(110)에 Air 통로 홀(111)을 형성하고, Air가 블럭바디(110)의 Air 통로 홀(111)을 통해 블럭바디 서포트(140)로 지나가기 위해 블럭바디(100)에 형성되어 있는 Air 통로 홀(111)의 위치와 부합되게 블럭바디 서포트(140)에 Air 통로 홀(141)을 형성한다. 이렇게 Air 통로 홀(310)(111)(141)을 형성하면 앵글 플레이트(120)에 영향을 미치지 않고 커버(180)까지 Air가 통과할 수 있다.
마지막으로 Air가 나오는 Air 통로(400)를 커버(180)에 도 5와 같이 형성하여, Air 통로 끝단(420)에서 나오는 Air 또는 이온처리된 드라이 Air에 의해 패널 컨텍부와 TAP IC 접촉부의 이물이 제거되어, 엘시디 특성 검사 효율성을 향상시킬 수 있다.
100 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트 110 블럭바디
120 앵글 플레이트 130 텐션 플레이트
140 블럭바디 서포터트 150 TAP IC
160 FPC 170 TAP IC 커버
180 커버 190 패널 접촉부
200 엠/피 앗세이 300 엠/피 밑판
400 Air 통로
120 앵글 플레이트 130 텐션 플레이트
140 블럭바디 서포터트 150 TAP IC
160 FPC 170 TAP IC 커버
180 커버 190 패널 접촉부
200 엠/피 앗세이 300 엠/피 밑판
400 Air 통로
Claims (1)
- Air 통로(400)와 Air 통로 입구(410)를 엠/피 밑판(300)에 형성하고, Air또는 이온처리된 드라이 Air가 상기 엠/피 밑판(300)에서 블럭바디(110)로 지나가기 위한 통로(310)를 상기 엠/피 밑판(300)에 형성하고, 상기 엠/피 밑판(300)에 형성된 Air 통로 홀(310)의 위치와 부합되게 상기 블럭바디(110)에 Air 통로 홀(111)을 형성하고, Air 또는 이온처리된 드라이 Air가 상기 블럭바디(110)의 Air 통로 홀(111)을 통해 블럭바디 서포트(140)로 지나가기 위해 상기 블럭바디(100)에 형성되어 있는 Air 통로 홀(111)의 위치와 부합되게 상기 블럭바디 서포트(140)에 Air 통로 홀(141)을 형성하고, 상기 Air 통로 홀(141)을 통해 Air가 커버(180)로 지나가고, 상기 커버(180)에 Air 통로(400)를 형성하여, Air 통로 끝단(420)에서 나오는 Air또는 이온처리된 드라이 Air에 의해 패널 접촉부와 TAP IC 접촉부에 소착된 이물이 제거되도록 하는 TAP IC 직접 컨텍 타입 프로브 유니트.
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- 2010-03-30 KR KR2020100003235U patent/KR200452194Y1/ko active IP Right Grant
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