KR20090122519A

KR20090122519A - 실리콘 코팅제 조성물

Info

Publication number: KR20090122519A
Application number: KR1020080048380A
Authority: KR
Inventors: 김철현; 김기영
Original assignee: 장암엘에스 주식회사
Priority date: 2008-05-26
Filing date: 2008-05-26
Publication date: 2009-12-01
Also published as: KR100972565B1

Abstract

본 발명은 말단에 히드록실기를 가진 점도 50~200,000 cSt의 실리콘 고분자 100 중량부에 대하여, 말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 30 중량부; 테트라메톡시실란 0.1 내지 10 중량부; 메틸트리메톡시실란 0.1 내지 10 중량부; 비닐트리메톡시실란 0.1 내지 20 중량부; 하이드로젠트리메톡시실란 0.01 내지 10 중량부; 및 경화촉매 0.01 내지 4 중량부;를 포함하는 실리콘 코팅제 조성물에 관한 것으로서, 실리콘 고분자의 가교 밀도를 높이고 자기-평활성과 칙소트로피 특성을 조화시킴으로써 패턴 룰이 50 nm 이하 정도의 극 미세 공정으로 제조되는 액정디스플레이, 플라즈마디스플레이, 유기발광디스플레이 등의 각종 전극 연결부와 반도체 및 소자의 표면을 보호하는 코팅제로 유용하게 사용될 수 있다.

자기-평활성, 칙소트로피 특성, 실리콘 코팅제

Description

실리콘 코팅제 조성물{Silicone Coating Composition}

본 발명은 실리콘 코팅제 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 평판디스플레이(FPD), 즉, 액정디스플레이(LCD), 플라즈마디스플레이(PDP), 유기발광디스플레이(OLED) 등과 반도체 및 소자 등을 보호하기 위한 실리콘 코팅제 조성물에 있어서 실리콘 고분자의 가교 밀도를 조절함으로써 자기-평활성과 칙소트로피 특성을 조절하고 표면 경화가 일어나는 시간 동안에 일정한 흐름성을 유지하여 전극 와이어의 아래 부분으로 스며들고 그 이상 흐르지 않는 상반된 특성이 동시에 부여된 실리콘 코팅제 조성물에 관한 것이다.

현재 반도체 및 소자의 제조 공정에서 사용되는 패턴 룰은 약 50 ± 10 nm 의 기술이 적용되고, 이 기술이 액정디스플레이, 플라즈마디스플레이, 유기발광디스플레이 등의 패널 제조 공정에도 사용되고 있으며, 반도체 로드맵(SAIT, Nano Korea 2005 기조강연)에 의하면 2015년경에는 25nm의 패턴 룰이 적용될 것으로 예측되고 있다. 이렇게 패턴 룰이 개발되면 반도체 및 소자를 비롯한 각종 패널 등이 소형화 박막화 슬림화에서 더욱 진보된 초소형화, 초박막화, 초슬림화가 이루어져서 초대형의 각종 평판디스플레이를 제조, 공급하게 될 것으로 예측된다.

이러한 여건에서는 극소량의 불순물이나 수분을 함유한 미세한 먼지 등도 전극 연결부위에 접촉하게 되면 결국 그 전자 제품이나 소자는 전기적 불량을 유발하게 되므로, 이들로부터 전자 제품이나 소자 등을 보호하기 위해 절연성, 내후성, 내열성, 내한성, 난연성, 유연성 등이 보장되는 보호 코팅을 해야만 할 것이다. 실리콘 고분자로 조성된 코팅제는 이런 특성들을 만족시켜 주기 때문에 유용하게 사용된다.

현재까지 사용되고 있는 실리콘 보호 코팅제는 주로 일본공개특허 제2008- 031190호, 일본공개특허 제2005-307015호, 일본특허 제4009067호, 대한민국공개특허 제2008-0007152호 등에서와 같이 비닐기를 말단에 결합시킨 실리콘 고분자에 수소기를 가진 실록산을 부가 반응의 방법에 따라 가열 경화시켜 사용하고 있다. 그러나 이런 부가 반응형 조성물들은 150 ℃ 근처에서 1~2시간 동안 경화시켜야 하는데, 이때 온도에 의해 실리콘 조성물의 점도가 묽어지게 되어 주변으로 흐르거나 퍼짐에 따라 주변을 오염시켜 외관을 흉하게 하거나 봉지제의 접착을 방해하여 불량을 유발하게 되므로 사용상의 제약을 받는 것이 사실이다.

이를 해결하기 위하여 최근에는 축합 반응의 흐름성 실리콘 조성물을 개발하여 오고 있다. 대한민국특허 제0415125호, 유럽특허 제0618257호, 미국특허 제5011869호, 일본특허 제3546939호, 일본공개특허 제2006-022277호, 일본공개특허 제2006-022278호 등에서 일부는 반도체 및 소자에 직접 사용할 수 없는 부식성이 있는 부산물이 형성되는 특허도 있지만, 최근 출원된 특허들은 주로 알콜이 부산물로 형성되는 흐름성 실리콘 코팅제 조성물로 이루어진 것이다. 이러한 흐름성의 축합 반응형 실리콘 코팅제는 전극 연결 부위에 전면 코팅을 할 수 밖에 없다. 그러나 향후 25nm의 패턴 룰이 적용되는 경우에는 소형화, 박막화의 기술 또한 초소형화, 초박막화에 적합한 기술로 진보되어야만 반도체 및 평판디스플레이 기술이 진보하게 된다. 소량의 코팅으로 주위의 오염이나 불량이 발생하지 않고, 전면 코팅을 하지 않도록 하기 위해서는 흐름성 만으로는 불가능하다.

본 발명은 실리콘 재료의 기본적인 특성인 절연성, 내열성, 내한성, 내후성, 유연성, 난연성을 지니고 있으면서도, 실리콘 고분자의 가교밀도를 조절하여 서로 상반되는 특성인 자기-평활성과 칙소트로피 특성을 동시에 갖도록 함으로써, 액정디스플레이, 플라즈마디스플레이, 유기발광디스플레이 등의 전극 연결부와 반도체 및 소자의 미세 패턴에 따른 전극간의 절연을 유지시켜 주는 실리콘 코팅제 조성물을 제공하는데 있다.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 실리콘 고분자의 구조가 흐름성에 영향을 준다는 것을 발견하게 되었고, 실리콘 고분자의 가교 밀도에 의해 흐름성의 특성이 결정되려면 가교의 방법이 2차원의 기존 구조로서는 너무 많이 흘러 주변을 모두 덮어버리는 단점을 해결할 수 없고, 3차원의 짧은 구조가 고분자 내에 많이 존재할수록 흐름 특성이 줄어들게 됨을 이용하여 자기-평활성과 칙소트로피 특성을 조절할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

상기 그림에서 보는 바와 같이 2차원 구조와 3차원 구조가 일정 배율로 혼합된 구조에서는 흐름성이 다를 것이 자명하다. 상기 구조에서 표현된 곡선은 규소원소와 산소원소가 연속적으로 연결되고 규소 원소의 측면에는 메틸기가 연결된 것을 말하며, R1은 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 등의 유기기로서 탄소수가 1~10, 바람직하게는 1~4개가 수소로 포화된 탄화수소 구조이며, R2는 메틸, 에틸, 수소, 비닐, 프로필, 부틸, 이소프로필 등의 산소수가 0~10개, 바람직하게는 0~4개인 수소 또는 수소로 치환된 포화 및 불포화 탄화수소이다.

본 발명에서는 3차원 구조가 적절하게 혼합되도록 가교제의 조성과 고분자 의 조성을 달리하고, 촉매에 의한 경화 속도를 조절 함으로서 표면 경화가 이루어지는 시간(Tack Free Time) 이내에는 일정한 흐름을 유지하다가 표면 경화 시간이 지날 즈음부터는 표면의 경화로 인한 흐름 방해를 받아 더 이상 흐름이 형성되지 않는 자기-평활성과 칙소트로피 특성이 조절되는 특성을 지닌 실리콘 코팅제를 발명한 것이다.

본 발명에 따른 실리콘 코팅제 조성물은 말단에 히드록실기를 가진 점도 50~200,000 cSt의 실리콘 고분자 100 중량부에 대하여, 말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 30 중량부; 테트라메톡시실란 0.1 내지 10 중량부; 메틸트리메톡시실란 0.1 내지 10 중량부; 비닐트리메톡시실란 0.1 내지 20 중량부; 하이드로젠트리메톡시실란 0.01 내지 10 중량부; 및 경화촉매 0.01 내지 4 중량부;를 포함하여 이루어진다.

일 실시예에 따르면, 상기 말단에 히드록실기를 가진 점도 50~200,000 cSt의 실리콘 고분자는, 말단에 히드록실기를 가진 점도 30~100 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 50 중량부, 말단에 히드록실기를 가진 점도 500~1,500 cSt의 실리콘 고분자 10 내지 90 중량부 및 말단에 히드록실기를 가진 점도 10,000~100,000 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 30 중량부를 포함하여 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 말단에 히드록실기를 가진 점도 30~100 cSt의 실리콘 고분자는 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리 콘 고분자는 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 경화촉매는 디부틸틴디아세테이트, 디부틸틴디옥타노에이트, 디부틸틴디라우레이트, 테트라에틸티타네이트, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티타네이트, 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트, 트리에탄올아민티타네이트, 알콕시지르코네이트, 및 컴프렉스아민지르코네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나일 수 있다. 바람직하게는, 상기 경화촉매로서 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트를 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 실리콘 고분자는 점도가 50 ~ 200,000 cSt 정도의 고분자, 바람직하게는 30~100 cSt, 및 300~2,000 cSt 및 5,000~100,000 cSt의 말단에 히드록실기를 가진 실리콘 고분자를 100 중량부, 더욱 바람직하게는 30~100 cSt 의 말단에 히드록실기를 가진 실리콘 고분자를 3~50 중량부, 500~1,500 cSt 의 말단에 히드록실기를 가진 실리콘 고분자를 10~90 중량부, 10,000~100,000 cSt의 말단에 히드록실기를 가진 실리콘 고분자를 3~30 중량부를 취하여 진공의 상온 상태에서 30분간 혼합하고, 이와 같이 이루어지는 실리콘 고분자 100 중량부에, 말단에 비닐기를 가진 점도가 30~2,000 cSt, 바람직하게는 50~1,000 cSt의 실리콘 고분자를 가소제로서 3~30 중량부 첨가하여 진공의 상온 상태에서 30분간 교반한다.

가교제로서는 테트라메톡시실란을 0.1~10 중량부, 메틸트리메톡시실란을 0.1~10중량부, 비닐트리메톡시실란을 0.1~20 중량부, 하이드로젠트리메톡시실란을 0.01~10 중량부, 바람직하게는 테트라메톡시실란을 1~5 중량부, 메틸트리메톡시실 란을 1~5 중량부, 비닐트리메톡시실란을 1~5 중량부, 히드로젠트리메톡시실란을 0.05~3 중량부를 혼합하여 질소를 주입하는 상태에서 실리콘 고분자 혼합물에 첨가하고 진공 상태의 상온에서 1시간 동안 교반한다.

커플링제로는 아미노프로필트리메톡시실란을 0.01~10 중량부 또는, 아미노프로필트리에톡시실란을 0.01~10 중량부 바람직하게는 아미노프로필트리메톡시실란을 0.01~5 중량부 또는, 아미노프로필트리에톡시실란을 0.01~5 중량부를 질소를 주입하는 상태에서 실리콘 고분자 혼합물에 첨가하고 진공 상태의 상온에서 1시간 동안 교반한다.

경화 촉매로는 디부틸틴디아세테이트, 디부틸틴디옥타노에이트, 디부틸틴디라우레이트, 테트라에틸티타네이트, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티타네이트, 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트, 트리에탄올아민티타네이트, 알콕시지르코네이트, 컴프렉스아민지르코네이트 중 하나를 0.01~4 중량부 사용할 수 있으며, 바람직하게는 0.01~3 중량부를 사용한다. 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트는 10~100 cSt의 말단이 히드록실기로 치환된 실리콘 고분자 또는 히드로젠트리메톡시실란 등으로 전 처리하여 사용한다.

충진제로는 흄드 실리카(Fumed silica), 소수성 흄드 실리카(Treated fumed silica), 침강 실리카(Precipitated silica), 소수성 침강실리카(Treated precipitated silica), 분말 실리카(Grinded silica), 소수성 분말 실리카(Treated grinded silica) 등을 1~30 중량부, 바람직하게는 3~20 중량부를 사용하여 1~3 단계로 나누어서 질소를 주입한 상태에서 투입한다.

자외선 지시제로는 경우에 따라서, 고객이 원할 경우 코팅 여부를 쉽게 판단하여 검사를 하도록 하기 위하여 자외선(UV) 하에서 빛을 발하거나 반사하는 물질을 0.01~3 중량부, 바람직하게는 0.01~1 중량부를 첨가하거나, 실리콘 고분자와의 상응성과 분산성을 높이기 위하여 3본 롤 등을 사용하여 투입한다.

본 발명에 따른 실리콘 코팅제 조성물은, 향후 적용될 극미세 패턴 룰에 의해 제조되는 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 발광 디스플레이 및 반도체 소자의 연결 부위와 금속 박막 층과 절연 박막 층의 절연 보호 코팅제로서 자기-평활성과 칙소트로피 특성이 적절히 조화시킨 실리콘 조성물을 제공할 수 있다.

[실시예]

실시예 1

실리콘 고분자, 말단이 히드록실기로 치환된, α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 700 cSt 70 중량부에 동일한 구조의 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 60 cSt 10 중량부 및 점도 20,000 cSt 20 중량부와 말단이 비닐기로 치환된 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산 점도 100 cst 10 중량부, 자외선 지시제 0.02 중량부를 다목적용 반응기에 계량하여 넣고 상온의 진공 하에서 30분간 교반한 다음, 질소를 충전시키면서 테트라메톡시실란 2 중량부, 메틸트리메톡시실란 2.5 중량부, 비닐트리메톡시실란 1 중량부, 하이드로젠트리메톡시실란 0.7 중량부와 프로필아미노트리메톡시실란 0.5 중량부를 섞어서 반응기에 투입하고 질소 분위기 하에서 60분간 교반하여, 실리콘 고분자가 3차원 가교제에 의해 블록킹되도록 하였다. 질소 분위기 하에서 마그네틱 바를 이용하여 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부에 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 70 cSt 5 중량부를 첨가하여 1시간 동안 교반한 후 이것을 질소를 충전하면서 반응기에 첨가한 다음, 진공 상태의 상온에서 60분간 교반하여 블록킹 된 실리콘 고분자와 가교제가 3차원 가교 결합을 고루 형성하도록 하였다. 비표면적이 200 m²/g인 실록산으로 표면 처리된 소수성 실리카 7 중량부를 2회에 걸쳐 나누어 투입하고 진공상태의 상온에서 100분간 교반하였다.

실시예 2

실리콘 고분자, 말단이 하이드록실기로 치환된, α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 700 cSt 70 중량부에 동일한 구조의 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 60 cSt 10 중량부 및 점도 20,000 cSt 20 중량부와 말단이 비닐기로 치환된 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산 점도 100 cst 10 중량부, 자외선 지시제 0.02 중량부를 다목적용 반응기에 계량하여 넣고 상온의 진공 하에서 30분간 교반한 다음, 질소를 충전시키면서 테트라메톡시실란 2 중량부, 메틸트리메톡시실란 2.5 중량부, 비닐트리메톡시실란 1 중량부, 프로필아미노트리메톡시실란 0.5 중량부를 섞 어서 반응기에 투입하고 질소 분위기 하에서 60분간 교반하여, 실리콘 고분자가 3차원 가교제에 의해 블록킹 되도록 하였다. 질소 분위기 하에서 마그네틱 바를 이용하여 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부에 히드로젠트리메톡시실란 0.7 중량부를 첨가하여 1시간 동안 교반한 후 이것을 질소를 충전하면서 반응기에 첨가한 다음, 진공 상태의 상온에서 60분간 교반하여 블록킹 된 실리콘 고분자와 가교제가 3차원 가교 결합을 고루 형성하도록 하였다. 비표면적이 200 m²/g인 실록산 표면처리된 소수성 실리카 7 중량부를 2회에 걸쳐 나누어 투입하고 진공상태의 상온에서 100분간 교반하였다.

실시예 3

실시예 1의 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 60 cSt 10 중량부를 15 중량부로 증가시켜 동일한 공정으로 실험하였다.

실시예 4

실시예 2의 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 60 cSt 10 중량부를 15 중량부로 증가시켜 동일한 공정으로 실험하였다.

실시 예 5

실시예 1의 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부에 α,ω- 디히드록시폴리디메틸실록산 점도 70 cSt 5 중량부를 첨가하여 1시간동안 교반한 것을 제외하고 디부틸틴디라우레이트 0.5 중량부를 첨가하여 동일한 공정으로 실험하였다.

실시예 6

실시예 2의 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부에 히드로젠트리메톡시실란 0.7 중량부를 첨가하여 1시간동안 교반한 것을 제외하고 디부틸틴디라우레이트 0.5 중량부를 첨가하여 동일한 공정으로 실험하였다.

[비교 실시예]

비교 실시예 1

실리콘 고분자, 말단이 하이드록실기로 치환된, α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 5,000 cSt 20 중량부에 점도 20,000 cSt 80 중량부와 말단이 메틸기로 치환된 폴리디메틸실록산 점도 100 cSt 10 중량부, 자외선 지시제 0.02 중량부를 다목적용 반응기에 계량하여 넣고 상온의 진공 하에서 30분간 교반한 다음, 질소를 충전시키면서 테트라메톡시실란 2 중량부, 메틸트리메톡시실란 2,5 중량부, 비닐트리메톡시실란 1 중량부, 프로필아미노트리메톡시실란 0.5 중량부를 섞어서 반응기에 투입하고 질소 분위기 하에서 60분간 교반하였다. 질소 분위기 하에서 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부를 반응기에 첨가한 다음, 진공 상태의 상온에서 60분간 교반하였다. 비표면적이 200 m²/g인 실록산 표면처리된 소수성 실리카 7 중량부를 2회에 걸쳐 나누어 투입하고 진공상태의 상온에서 100분간 교반하였다.

비교 실시예 2

비교 실시예 1에서 비표면적이 200 m²/g인 실록산 표면 처리된 소수성 실리카 4 중량부로 줄여서 투입하고 동일한 공정으로 실험하였다.

비교 실시예 3

비교 실시예 2의 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 2 중량부를 제외하고 디부틸틴디라우레이트 0.5 중량부를 첨가하여 동일한 공정으로 실험하였다.

상기 실시예 및 비교 실시예의 조성비를 하기 표 1에 나타내었다.

[표 1] (단위: 중량부)

각 실시 예별 조성 비교	실시 예						비교실시 예
각 실시 예별 조성 비교	1	2	3	4	5	6	1	2	3
OH-End 실록산 700 cSt (5,000)	70	70	70	70	70	70	(20)	(20)	(20)
OH-End 실록산 60 cSt	10	10	15	15	10	10	-	-	-
OH-End 실록산 20,000 cSt	20	20	20	20	20	20	80	80	80
비닐-End 실록산 100 cSt	10	10	10	10	10	10	-	-	-
폴리디메틸실록산 100 cSt	-	-	-	-	-	-	10	10	10
테트라메톡시실란	2	2	2	2	2	2	2	2	2
메틸트리메톡시실란	2.5	2.5	2.5	2.5	2.5	2.5	2.5	2.5	2.5
비닐트리메톡시실란	1	1	1	1	1	1	1	1	1
히드로젠트리메톡시실란	0.7	0.7	0.7	0.7	0.7	-	-	-	-
티타늄 킬레이트	2	2	2	2	-	-	2	2	-
OH-End 실록산 70 cSt	5		5
디부틸틴디라우레이트	-	-	-	-	0.5	0.5	-	-	0.5
실리카 (실록산 표면처리)	7	7	7	7	7	7	7	4	4
UV Indicator (Ciba사의 UVITEX OB)	0.02	0.02	0.02	0.02	0.02	0.02	0.02	0.02	0.02
프로필아미노트리메톡시실란	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5

　* 괄호안의 숫자는 괄호안의 조성에 대한 중량부임.

[각 실시예의 물성 비교]

각 예의 견본에 대한 물성 비교는 하기 표 2와 같다.

흐름성을 비교한 방법은 깨끗한 유리 (80 mm X 120 mm)를 준비하고 표면을 이소프로필알코올로 닦고, 증류수로 깨끗이 행군 다음 건조시킨다. 코팅제를 시험할 표면의 반대쪽에 지름 10 mm의 원을 그리고, 시험할 견본의 이름을 표시하였다. 유리를 수직으로 세울 수 있도록 보조 지지대를 만들고 유리 표면에 표시된 원에 약 1 그램의 코팅제를 도포하여 유리를 수직으로 세워두었다. 약 1~2 시간 후 더 이상 흘러 내림이 없을 때 표시부의 아랫부분에서 흘러내린 길이를 측정하였다.

압출성을 비교한 방법은 실린지에 코팅제를 채우고 2 mm 직경의 주사바늘을 연결하여 4 kgf/cm²의 공기압으로 1분간 토출된 량을 측정 비교하였다. 이때 실린지의 량이 부족할 경우 시간을 일정하게 5 ~ 10초로 세팅하여 수회 측정 후 그 평균 값을 60초로 환산 비교하였다.

[표 2]

실시예	흐름, mm	표면 경화 시간 ,분	압출성, g/min	경도, A 형
실시예1	7	12	320	28
실시예2	6	10	290	29
실시예3	8	13	360	28
실시예4	8	12	325	28
실시예5	17	35	380	24
실시예6	34	42	415	23
비교실시예1	1	37	213	27
비교실시예2	38	40	274	16
비교실시예3	89	60	560	14

상기 실시예에서 보는 바와 같이 고분자의 길이가 짧은 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 점도 60 cSt는 3차원 가교에 있어서 입방체 구조를 형성하는 중요한 역할을 하여 코팅제의 흐름을 저지하는 것으로 나타났다. 또한 히드로젠트리메톡시실란은 비록 소량이지만 경화 속도를 빠르게 하는 역할로서 제외될 시에는 경화시간이 상당히 늦어지는 것을 알 수 있다. (실시예 5와 6의 비교, 비교실시예 1과 실시예 1의 비교) α,ω-디비닐폴리디메틸실록산 점도 100 cSt는 가소제로 사용되는 폴리디메틸실록산의 같은 점도보다 가소성이 우수한 것으로 나타났다.

Claims

말단에 히드록실기를 가진 점도 50~200,000 cSt의 실리콘 고분자 100 중량부에 대하여,

말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 30 중량부;

테트라메톡시실란 0.1 내지 10 중량부;

메틸트리메톡시실란 0.1 내지 10 중량부;

비닐트리메톡시실란 0.1 내지 20 중량부;

하이드로젠트리메톡시실란 0.01 내지 10 중량부; 및

경화촉매 0.01 내지 4 중량부;

를 포함하는 실리콘 코팅제 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 말단에 히드록실기를 가진 점도 50~200,000 cSt의 실리콘 고분자는, 말단에 히드록실기를 가진 점도 30~100 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 50 중량부, 말단에 히드록실기를 가진 점도 500~1,500 cSt의 실리콘 고분자 10 내지 90 중량부 및 말단에 히드록실기를 가진 점도 10,000~100,000 cSt의 실리콘 고분자 3 내지 30 중량부를 포함하여 이루어지는 실리콘 코팅제 조성물.
제 2항에 있어서,

상기 말단에 히드록실기를 가진 점도 30~100 cSt의 실리콘 고분자는 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 실리콘 코팅제 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리콘 고분자는 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산인 것을 특징으로 하는 실리콘 코팅제 조성물.

제 1항에 있어서,

상기 경화촉매는 디부틸틴디아세테이트, 디부틸틴디옥타노에이트, 디부틸틴디라우레이트, 테트라에틸티타네이트, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티타네이트, 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트, 트리에탄올아민티타네이트, 알콕시지르코네이트, 및 컴프렉스아민지르코네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 실리콘 코팅제 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 경화촉매는 디부틸틴디아세테이트, 디부틸틴디옥타노에이트, 디부틸틴디라우레이트, 테트라에틸티타네이트, 테트라이소프로필티타네이트, 테트라부틸티 타네이트, 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트, 트리에탄올아민티타네이트, 알콕시지르코네이트, 및 컴프렉스아민지르코네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 실리콘 코팅제 조성물.
제 5항에 있어서,

상기 경화촉매는 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트인 것을 특징으로 하는 실리콘 코팅제 조성물.
제 3항에 있어서,

상기 점도 30~100 cSt의 α,ω-디히드록시폴리디메틸실록산 3 내지 30 중량부를 사용하여 경화촉매로서 디이소프로필디에틸아세토아세틸티타네이트 0.1 내지 10 중량부를 전처리하여 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 코팅제 조성물.
제 1항 또는 제 4항에 있어서,

상기 하이드로젠트리메톡시실란은 0.05 내지 3 중량부인 실리콘 코팅제 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 하이드로젠트리메톡시실란 0.05 내지 3 중량부 및 상기 말단에 비닐기를 가진 점도 30~2,000 cSt의 실리콘 고분자로서 α,ω-디비닐폴리디메틸실록산 3 내지 30 중량부를 전처리한 후 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 코팅제 조성물.