KR20090120683A - 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 소거 방법 - Google Patents

불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 소거 방법 Download PDF

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Abstract

본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 주변 온도를 감지하는 단계와, 상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPP(Incremental step pulse program)의 프로그램 시작전압을 설정하는 단계와, 상기 설정된 프로그램 시작전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법은 주변 온도를 감지하는 단계와, 상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPE(Incremental step pulse erase)의 소거 시작전압을 설정하는 단계와, 상기 설정된 소거 시작전압에 따라 소거 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
ISPP, ISPE, 프로그램, 소거, 온도

Description

불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 소거 방법{Programming method and erasing method of non volatile memory device}
본원 발명은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 소거 방법에 관한 것이다.
최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 불휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다.
상기 불휘발성 메모리 셀은 전기적인 프로그램/소거 동작이 가능한 소자로서 얇은 산화막에 인가되는 강한 전기장에 의해 전자가 이동하면서 셀의 문턱전압을 변화시켜 프로그램 및 소거 동작을 수행한다.
상기 불휘발성 메모리 장치는 통상적으로 데이터가 저장되는 셀들이 매트릭스 형태로 구성된 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이의 특정 셀들에 대하여 메모리를 기입하거나 특정 셀에 저장되었던 메모리를 독출하는 페이지 버퍼를 포함한다. 상기 페이지 버퍼는 특정 메모리 셀과 접속된 비트라인 쌍, 메모리 셀 어레이에 기록할 데이터를 임시저장하거나, 메모리 셀 어레이로부터 특정 셀의 데이터 를 독출하여 임시 저장하는 레지스터, 특정 비트라인 또는 특정 레지스터의 전압 레벨을 감지하는 감지노드, 상기 특정 비트라인과 감지노드의 접속여부를 제어하는 비트라인 선택부를 포함한다.
다만, 이와 같은 불휘발성 메모리 장치의 통상적인 프로그램 방법 및 소거 방법에서는 외부 온도와 무관하게 일정한 프로그램 전압, 소거 전압을 인가하고 있다. 낸드(NAND)형 불휘발성 메모리 장치에서는 F-N(Fowler-Nordheim)터널링을 이용하여 프로그램 동작 및 소거 동작을 진행시킨다. 이때, 터널링되는 정도는 온도에 비례한다. 즉, 주변 온도가 증가할수록 터널링 정도가 커져서 프로그램 및 소거되는 속도가 빨라지고, 온도가 감소할수록 터널링 정도가 낮아져서 프로그램 및 소거되는 속도가 늦어진다. 따라서 온도 변화에 따라 프로그램 전압 또는 소거전압을 제어할 필요가 있다.
전술한 문제점에 따라 본원 발명이 해결하고자 하는 과제는 주변 온도에 따라 프로그램/소거 전압을 변화시켜 프로그램/소거 속도를 보상할 수 있는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 또는 소거 방법을 제공하는 것이다.
전술한 과제를 해결하기 위한 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 주변 온도를 감지하는 단계와, 상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPP(Incremental step pulse program)의 프로그램 시작전압을 설정하는 단계와, 상기 설정된 프로그램 시작전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법은 주변 온도를 감지하는 단계와, 상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPE(Incremental step pulse erase)의 소거 시작전압을 설정하는 단계와, 상기 설정된 소거 시작전압에 따라 소거 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 본원 발명의 구성에 따라 온도 변화에 맞게 프로그램 속도 및 소거 속도를 조절할 수 있다. 즉 주변 온도가 높아 프로그램 속도가 높아질 우려가 있는 경우에는 프로그램 속도를 감소시키도록 프로그램 시작 전압을 인가하고, 주변 온도가 낮아 프로그램 속도가 낮아질 우려가 있는 경우에는 프로그램 속도를 증가시 키도록 프로그램 시작 전압을 인가한다. 소거 동작에서도 마찬가지로 하여 전체 프로그램 속도 및 소거 속도를 온도 변화와 무관하게 일정하게 유지시킨다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본원 발명의 바람직한 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 통상적인 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀 어레이에 프로그램 동작 조건을 표시한 회로도이다.
상기 메모리 셀 어레이(100)는 데이타를 저장하는 메모리 셀들(MC0~MCn)과, 상기 메모리 셀들을 선택하여 활성화하는 워드 라인들(WL<0:n>)과, 상기 메모리 셀의 데이타를 입출력할 수 있는 비트 라인들(BLe, BLo)을 포함하며, 상기 복수개의 워드 라인들 및 복수개의 비트 라인들이 메트릭스 형태로 배열된 구조이다.
상기 메모리 셀 어레이(100)는 비트라인과 메모리 셀(MCn) 사이에 접속되는 드레인 선택 트랜지스터(DST, 140)와, 공통 소스 라인(CSL)과 메모리 셀(MC0) 사이에 접속되는 소스 선택 트랜지스터(SST, 150)를 포함한다. 또한, 상기 소스 선택 트랜지스터(SST)와 드레인 선택 트랜지스터(DST) 사이에 직렬 접속된 복수의 메모리 셀들을 포함하는데 이를 셀 스트링(string, 110, 120) 이라 한다.
상기 메모리 셀들의 게이트는 워드 라인들에 연결되며, 동일한 워드 라인에 공통으로 연결된 메모리 셀들의 집합을 페이지(page, 130)라 한다. 각각의 비트 라인에 연결된 복수개의 스트링들이 공통 소스 라인에 병렬로 연결되어 블록(block)을 구성한다.
상기 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법을 설명하면 다음과 같다.
프로그램 동작시 선택된 워드라인(Sel WL)에 소정의 프로그램 전압(Vpgm)을 인가하고, 선택되지 않은 워드 라인(Unsel WL)에 패스전압(Vpass)을 인가한다. 선택된 비트라인(Sel BL)에는 접지전압(0V)을 인가하고, 선택되지 않은 비트라인(Unsel BL)에는 전원전압(Vcc)을 인가한다. 이때 드레인 선택 라인(DSL)에는 전원전압(Vcc), 소스선택라인(SSL)에는 접지전압(Vss), 공통소스라인(CSL)에는 전원전압(Vcc)을 인가한다. 웰(well)에는 접지전압(Vss)을 인가한다. 이렇게 하면 프로그램된 대상 셀의 플로팅 게이트로 전자가 주입되어 해당 셀은 양의 문턱전압을 갖게 된다. 최근에는 ISPP(Incremental step pulse program) 프로그램 방법이 알려져있는바, 이는 프로그램 전압을 펄스 형태로 반복적으로 인가하고, 각 펄스 인가시마다 프로그램의 완료여부를 확인하는 검증 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.
도 2는 통상적인 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀 어레이에 소거 동작 조건을 표시한 회로도이다.
메모리 셀 어레이의 상세구성은 도 1과 같다.
소거동작시 웰(well)에 20V의 소거 전압을 인가하고 모든 워드라인(WL0~WLn) 에 0V를 인가한다. 드레인 선택 라인(DSL), 소스 선택라인(SSL), 공통 소스라인(CSL)은 플로팅 상태로 만든다. 이렇게 하면 전체 셀의 플로팅 게이트에 저장되었던 전자가 방출되어 음의 문턱 전압을 갖는다. 한편, 소거 동작에서도 ISPP 프로그램 방법과 대응되는 ISPE(Incremental step pulse erase) 소거 방법이 알려져 있는바, 이는 소거 전압을 펄스 형태로 반복적으로 인가하고, 각 펄스 인가시마다 소거 완료여부를 확인하는 검증 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.
다만, 이와 같은 통상적인 프로그램 방법 및 소거 방법에서는 외부 온도와 무관하게 일정한 프로그램 전압, 소거 전압을 인가하고 있다. 낸드(NAND)형 불휘발성 메모리 장치에서는 F-N(Fowler-Nordheim)터널링을 이용하여 프로그램 동작 및 소거 동작을 진행시킨다. 이때, 터널링 되는 정도는 온도에 비례한다. 즉, 주변 온도가 증가할수록 터널링 정도가 커져서 프로그램 및 소거되는 속도가 빨라지고, 온도가 감소할수록 터널링 정도가 낮아져서 프로그램 및 소거되는 속도가 늦어진다. 따라서 온도 변화에 따라 프로그램 전압 또는 소거전압을 제어할 필요가 있다.
도 3은 본원 발명의 일실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치를 도시한 블록도 이다.
상기 불휘발성 메모리 장치(300)는 온도센싱부(310), 제어부(320), 행 디코더(330), 전압생성부(340), 블록 선택부(350), 메모리셀 어레이(360), 페이지버퍼(370)를 포함한다.
상기 온도 센싱부(310)는 주변 온도를 감지하여 온도 범위에 대한 정보를 포 함하는 제어신호(C1)를 상기 제어부(320)에 전달한다. 바람직하게는, 온도가 제1 임계값 보다 큰 경우, 온도가 제2 임계값보다 작은 경우, 온도가 제1 임계값 이하이고 제2 임계값 이상인 경우로 구분하여 판단한다. 이때 상기 제1 임계값은 제2 임계값 보다 크다.
상기 제어부(320)는 명령신호(CM) 및 상기 제어신호(C1)에 따라 상기 전압 생성부(340)에서 생성되는 프로그램 전압 또는 소거 전압의 시작전압을 제어한다. 즉, 온도가 상기 제1 임계값보다 큰 경우에는 프로그램 속도를 감소시키기 위하여 ISPP의 프로그램 시작 전압을 감소시키도록 한다. 또한 소거 속도를 감소시키기 위하여 ISPE의 소거 시작 전압을 감소시키도록 한다.
온도가 상기 제2 임계값보다 작은 경우에는 프로그램 속도를 증가시키기 위하여 ISPP의 프로그램 시작 전압을 증가시키도록 한다. 또한 소거 속도를 증가시키기 위하여 ISPE의 소거 시작 전압을 증가시키도록 한다.
그 밖의 경우, 즉 온도가 제1 임계값 이하이고 제2 임계값 이상인 경우에는 기본으로 설정된 ISPP의 프로그램 시작 전압 또는 기본으로 설정된 ISPE의 소거 시작 전압이 인가되도록 한다.
상기 전압생성부(340)는 상기 제어부(320)에서 전달되는 제어신호(C3)에 따라 프로그램 시작 전압 또는 소거 시작 전압을 변화시켜 인가한다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 또는 소거 방법을 도시한 순서도이다.
먼저 프로그램 방법에 대하여 설명하기로 한다.
프로그램 명령어가 입력되면(단계 410), 상기 온도 센싱부(310)에서 주변 온도를 감지한다(단계 420).
상기 감지된 온도에 따라 프로그램 시작전압을 설정한다(단계 430).
온도가 제1 임계값보다 큰 경우, 즉 고온인 경우에는 프로그램 속도가 빨라지므로, 이를 늦추기 위하여 ISPP의 프로그램 시작전압을 감소시킨다. 또한, 온도가 제2 임계값보다 작은 경우, 즉 저온인 경우에는 프로그램 속도가 늦어지므로, 이를 증가시키기 위하여 ISPP의 프로그램 시작전압을 증가시킨다. 온도가 제1 임계값 이하이고, 제2 임계값 이상인 경우에는, 상온인 것으로 보고 기본으로 설정된 프로그램 시작 전압을 그대로 유지시킨다.
다음으로, 상기 설정된 프로그램 시작전압에 따라 프로그램 동작을 수행한다(단계 440). 즉, 상기 설정된 프로그램 시작전압에 따라 ISPP 프로그램 동작을 수행하게 된다.
다음으로 소거 방법에 대하여 설명하기로 한다.
소거 명령어가 입력되면(단계 410), 상기 온도 센싱부(310)에서 주변 온도를 감지한다(단계 420).
상기 감지된 온도에 따라 소거 시작전압을 설정한다(단계 430).
온도가 제1 임계값보다 큰 경우, 즉 고온인 경우에는 소거 속도가 빨라지므로, 이를 늦추기 위하여 ISPE의 소거 시작전압을 감소시킨다. 또한, 온도가 제2 임 계값보다 작은 경우, 즉 저온인 경우에는 소거 속도가 늦어지므로, 이를 증가시키기 위하여 ISPE의 소거 시작전압을 증가시킨다. 온도가 제1 임계값 이하이고, 제2 임계값 이상인 경우에는, 상온인 것으로 보고 기본으로 설정된 소거 시작 전압을 그대로 유지시킨다.
다음으로, 상기 설정된 소거 시작전압에 따라 소거 동작을 수행한다(단계 440). 즉, 상기 설정된 소거 시작전압에 따라 ISPE 소거동작을 수행하게 된다.
도 5는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법/소거 방법의 개념을 설명하기 위한 도면이다.
앞서 설명한 바와 같이 ISPP 프로그램 방법과 ISPE 소거 방법은 펄스 형태로 프로그램 전압 또는 소거 전압을 반복적으로 인가한다는 점에서 공통점을 갖는다. 다만 그 전압이 워드라인으로 인가되는지, 웰(well)에 인가되는지에 차이가 있다.
앞서 설명한 바와 같이 주변온도가 상온보다 고온인 경우에는 상온시에 인가하는 프로그램/소거 시작전압보다 낮은 시작전압을 인가하여 프로그램/소거 동작이 실시되도록 한다. 그에 따라 FN 터널링 되는 전하량이 감소되어, 프로그램/소거되는 속도를 감소시킬 수 있다.
또한 주변온도가 상온보다 저온인 경우에는 상온시에 인가하는 프로그램/소거 시작전압보다 높은 시작전압을 인가하여 프로그램/소거 동작이 실시되도록 한다. 그에 따라 FN 터널링되는 전하량이 증가하여, 프로그램/소거되는 속도를 증가시킬 수 있다.
도 1은 통상적인 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀 어레이에 프로그램 동작 조건을 표시한 회로도이다.
도 2는 통상적인 불휘발성 메모리 장치의 메모리 셀 어레이에 소거 동작 조건을 표시한 회로도이다.
도 3은 본원 발명의 일실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치를 도시한 블록도 이다.
도 4는 본원 발명의 일 실시예에 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 또는 소거 방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 본원 발명의 일 실시예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 또는 소거 방법의 개념을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (6)

  1. 주변 온도를 감지하는 단계와,
    상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPP(Incremental step pulse program)의 프로그램 시작전압을 설정하는 단계와,
    상기 설정된 프로그램 시작전압에 따라 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로그램 시작전압을 설정하는 단계는 상기 온도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 프로그램 시작전압을 감소시켜 설정하는 단계와,
    상기 온도가 제2 임계값보다 작은 경우 상기 프로그램 시작전압을 증가시켜 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프로그램 시작전압을 설정하는 단계는 상기 온도가 제1 임계값 이하이고, 제2 임계값 이상인 경우 초기 설정된 프로그램 시작 전압을 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법.
  4. 주변 온도를 감지하는 단계와,
    상기 감지된 외부 온도의 범위에 따라 ISPE(Incremental step pulse erase)의 소거 시작전압을 설정하는 단계와,
    상기 설정된 소거 시작전압에 따라 소거 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소거 시작전압을 설정하는 단계는 상기 온도가 제1 임계값보다 큰 경우 상기 소거 시작전압을 감소시켜 설정하는 단계와,
    상기 온도가 제2 임계값보다 작은 경우 상기 소거 시작전압을 증가시켜 설정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 소거 시작전압을 설정하는 단계는 상기 온도가 제1 임계값 이하이고, 제2 임계값 이상인 경우 초기 설정된 소거 시작 전압을 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 소거 방법.
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